KR20060037883A - 전자방출 표시장치용 스페이서 및 이를 채용한 전자방출표시장치 - Google Patents

전자방출 표시장치용 스페이서 및 이를 채용한 전자방출표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자방출 표시장치용 스페이서 및 이를 채용한 전자방출 표시장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전자방출 표시장치용 스페이서는 소정의 형상을 가지는 절연부재와, 절연부재 내부에 횡방향으로 삽입되는 적어도 하나의 내부전극을 포함하며, 내부전극의 일부는 절연부재 외측면으로 노출되는 전자방출 표시장치용 스페이서를 제공하며, 이를 채용한 전자방출 표시장치는 상부에 전자방출소자를 포함하는 전자방출 영역이 형성된 전자방출기판; 전자방출소자로부터 방출된 전자에 의해 발광하는 화상형성영역이 형성된 화상형성기판; 및 전자방출기판과 화상형성기판을 이격하도록 지지하는 적어도 하나의 스페이서를 포함하며, 스페이서의 내부에는 적어도 하나의 내부전극이 삽입되어 형성되며 내부전극의 적어도 일부는 스페이서 외부로 노출되는 전자방출 표시장치를 제공한다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명은 제조 공정을 단순화할 수 있으며 전자방출소자로부터 방출된 전자빔의 궤적을 제어함으로써 타색 발광을 줄일 수 있어서, 대형 패널에도 용이하게 적용할 수도 있다.
스페이서, 편향, 내부전극, 전자방출 표시장치.

Description

전자방출 표시장치용 스페이서 및 이를 채용한 전자방출 표시장치{SPACER FOR ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE AND ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
도 1은 종래 기술에 의한 스페이서를 구비하는 전자방출 표시장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 스페이서 구조를 개략적으로 나타내는 단면도 및 사시도이다.
도 2b는 도 2a의 실시예에 의한 스페이서 구조를 적용한 전자방출 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스페이서 구조를 개략적으로 나타내는 단면도 및 사시도이다.
도 3b는 도 2b의 실시예에 의한 스페이서 구조를 적용한 전자방출 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 2a에 예시된 스페이서 구조를 적용한 전자방출 표시장치의 구체적인 구성 단면도이다.
본 발명은 스페이서를 구비하는 전자방출 표시장치에 관한 것으로, 특히, 스페이서 내부에 전극을 삽입 배치하여 전자의 궤도를 제어하는 전자방출 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로, 전자방출소자(Electron Emission Device)는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자방출소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 및 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.
이와 같은 전자방출소자들을 이용하면, 전자방출 표시장치, 각종 백라이트, 리소그라피용 전자빔 장치 등을 구현할 수 있다. 이 중에서 전자방출 표시장치는, 적어도 하나의 전자방출소자를 구비하여 전자를 방출하는 캐소드기판과 방출된 전자를 형광체에 충돌시켜 발광시키기 위한 애노드기판을 구비하여 구성된다. 전자방출 표시장치는 캐소드기판과 애노드기판, 캐소드기판의 일측면에 제공되는 라인 형태의 캐소드전극, 캐소드전극과 수직으로 교차하도록 애노드기판의 일측면에 제공되는 라인 형태의 애노드전극을 포함한다. 캐소드전극의 일측면에는 전계형성시 전자를 방출하는 전자방출부가 제공되고, 애노드전극의 표면에는 전자방출부로부터 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 형광체가 제공되며, 애노드기판의 일측면에는 스 페이서가 제공된다. 스페이서는 캐소드기판과 애노드기판을 고진공으로 밀봉할때 기판의 변형 또는 파손을 방지하는 역할을 한다.
상술한 바와 같은 스페이서를 적용한 전자방출 표시장치의 일예가 한국 공개 특허공보 제2001-0075785호에 개시되어 있으며, 이하에서는 종래 기술에 의한 전자방출 표시장치를 설명한다.
도 1은 종래 기술에 의한 스페이서를 구비하는 전자방출 표시장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 의한 전자방출 표시장치에 있어서, 캐소드기판(21)의 일측면에는 라인 형태의 캐소드전극(22)이 제공되며, 캐소드전극(22) 상부에는 면타입의 전자방출부(23)가 제공된다. 캐소드기판(21)과 대향하는 애노드기판(11)에는 캐소드전극(22)과 수직으로 교차하는 라인 형태의 애노드전극(12)이 제공되며, 애노드전극(12) 상부에는 전자방출부(23)로부터 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 형광층(14)이 제공된다. 애노드전극(12)의 사이 공간에는 광차폐막의 역할을 겸하는 보조 스페이서(34a)가 제공된다. 애노드기판(11)과 캐소드기판(21)이 봉착되는 영역에는 복수개의 스페이서(34)가 소정 간격만큼 이격되어 배열된다. 스페이서(34)는 애노드기판(11)과 캐소드기판(21) 중 어느 하나의 기판에 프릿(frit)에 의해 봉착된다.
이에 따라, 애노드기판(11) 또는 캐소드기판(21) 중 어느 하나의 기판에 스페이서(34)를 프릿에 의해 봉착하면, 스페이서(34)에 의해 일정 간격을 유지하게 된다.
하지만, 방출된 전자들의 일부는 스페이서 부근에서 스페이서에 충돌하거나 방출된 전자의 작용에 의해 발생된 이온이 부착되어 스페이서를 충전한다. 전자방출소자에 의해 방출된 전자의 궤도는 스페이스의 대전에 의해 그 궤도가 변경되며 전자는 상응하는 형광체 이외의 다른 위치에 도달하여 왜곡된 화상이 스페이서 부근에서 발생하는 문제점이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 스페이서 양단에 전극을 삽입 배치하여 스페이서 표면의 충전 및 방전현상을 줄이며 전자 궤도를 제어하는 전자방출 표시장치를 제공하는 데 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면은 소정의 형상을 가지는 절연부재와, 절연부재 내부에 횡방향으로 삽입되는 적어도 하나의 내부전극을 포함하며, 내부전극의 일부는 절연부재 외측면으로 노출되는 전자방출 표시장치용 스페이서를 제공한다.
바람직하게, 상기 내부전극은 105Ω/□ 내지 1012Ω/□ 의 저항 값을 가진다. 상기 절연부재 외측면으로 노출된 상기 내부전극의 일부를 통해 전원이 인가된다.
본 발명의 제2 측면은 상부에 전자방출소자를 포함하는 전자방출 영역이 형성된 전자방출기판; 전자방출소자로부터 방출된 전자에 의해 발광하는 화상형성영역이 형성된 화상형성기판; 및 전자방출기판과 화상형성기판을 이격하도록 지지하는 적어도 하나의 스페이서를 포함하며, 스페이서의 내부에는 적어도 하나의 내부전극이 삽입되어 형성되며 내부전극의 적어도 일부는 스페이서 외부로 노출되는 전자방출 표시장치를 제공한다.
바람직하게, 상기 내부전극은 상기 스페이서에 대해 횡방향으로 형성된다. 상기 스페이서 외부로 노출되는 상기 내부전극을 통해 전원이 인가된다. 상기 내부전극은 상기 스페이서의 내부 상단 또는 하단에 형성된다. 상기 내부전극은 상기 스페이서의 내부 상단 및 하단에 각각 형성된다. 상기 스페이서는 글래스 또는 세라믹 물질을 포함한다. 상기 내부전극은 상기 스페이서보다 우수한 도전성을 가지는 물질을 포함한다. 상기 내부전극은 105Ω/□ 내지 1012Ω/□ 의 저항 값을 가진다. 상기 내부전극은 상기 스페이서의 상하면을 통해 전원이 인가된다. 상기 내부전극은 상기 스페이서의 측면을 통해 전원이 인가된다. 상기 전자방출소자는, 제1 전극 및 상기 제1 전극과 절연되어 교차형성되는 제2 전극과, 상기 제1 전극에 전기적으로 접속되어 형성되는 전자방출부를 포함한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시 예를 첨부된 도 2a 내지 도 4를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 스페이서 구조를 개략적으로 나타내는 단면도 및 사시도이며, 도 2b는 도 2a의 실시예에 의한 스페이서 구조를 적용한 전자방출 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2a 및 2b를 참조하면, 소정의 형상을 가지는 절연부재(340c)와, 절연부재(340c) 내부에 횡방향으로 삽입되는 적어도 하나의 내부전극(340a,340b)을 포함하며, 내부전극(340a,340b)의 일부는 절연부재(340c) 외측면으로 노출되는 전자방출 표시장치용 스페이서(340)를 제공한다.
스페이서(340)는 전자방출기판(100)과 화상형성기판(200) 사이에 인가되는 고전압을 견디기에 충분한 절연성 및 스페이서(340) 표면의 대전 및 충전을 방지하기에 충분한 도전성을 갖는 것이 요구된다.
스페이서(340) 자체에 충분한 절연성을 부여하기 위한 절연부재(340c)는, 예컨대 석영 글래스, Na 성분을 갖는 글래스, 소라-라임 글래스, 알루미나, 또는 알루미나로 구성된 세라믹 재료를 포함한다. 한편, 절연부재(340c)의 열팽창 계수는 전자방출기판과 화상형성기판의 열팽창 계수와 근사한 것이 바람직하다.
스페이서(340)는 그 표면의 충전을 방지하며 스페이서(340) 자체 또는 표면 충전으로 인한 전자궤도의 왜곡을 제어하기 위한 제1 내부전극(340a) 및 제2 내부전극(340b)을 각각 스페이서(340)의 상단부 및 하단부 내부에 도시된 바와 같이 구 비한다.
스페이서(340)의 상하면을 통해서 외부로 노출된 제1 내부전극(340a) 및 제2 내부전극(340b)을 통해서 스페이서(340) 표면 상에 생성된 전하는 신속하게 제거되며, 이로 인해 화상의 왜곡 및 불규칙성을 억제한다.
한편, 제1 및 제2 내부전극(340a,340b)은 충분한 도전성을 가지기 위해서 105Ω/□ 내지 1012Ω/□ 의 저항 값을 가지는 것이 바람직하며, 이를 위한 재료로서, 예컨대 Ni, Cr, Au, Mo, W, Pt, Ti, Al, Cu, 및 Pd와 같은 금속, 이들의 합금, Pd, Ag, Au, RuO2, 및 Pd-Ag 와 같은 금속 또는 금속 산화물, In2O3 - SnO 2 와 같은 투명 도체, 및 폴리실리콘과 같은 반도체 재료로부터 선택되는 것이 바람직하다. 즉, 제1 및 제2 내부전극(340a,340b)의 전도성 값은 대전 방지 및 전력 소모의 관점에서 1012Ω/□ 이하로 설정되는 것이 바람직하며, 그 하한은 스페이서(340)의 형태와 스페이서들 사이에 인가되는 전압에 따라 105Ω/□ 이상으로 설정되는 것이 바람직하다.
한편, 도 2b에 예시된 바와 같이, 절연부재(340c) 외측면으로 노출된 제1 내부전극(340a) 및 제2 내부전극(340b)의 일부를 통해서 전원이 인가될 수도 있다. 다시말해, 제1 내부전극(340a)에는 정(+) 전압(Va)이 인가되며 제2 내부전극(340b)에는 부(-) 전압(Vb)이 인가되는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 전자방출기판(100)으로부터 방출된 전자가 도 2에 도시된 바와 같은 전자궤도(T)를 따라 방출되 는데, 전자는 부(-) 전압(Vb)이 인가된 제2 내부전극(340b)에 의해서 척력을 받게되어 스페이서(340)로부터 멀어지게되며, 정(+) 전압(Va)이 인가된 제1 내부전극(340a)에 의해서 인력을 받게되어 스페어서(320)로 편향되어 가까워지게 된다. 이와 같이 형성된 방출 경로를 통해서 전자는 화상형성기판(200) 상에 형성된 화상형성영역으로 향하게 된다.
따라서, 전자방출기판(100)으로부터 방출된 전자에 의해서 스페이서(340)의 표면이 대전 및 충전되는 것을 억제할 수 있으며, 전자의 궤도가 스페이서(340) 부근에 집중 분포되는 것을 방지함으로써, 전자의 궤도 왜곡으로 인한 타색 발광, 및 이로 인한 화상 왜곡과 변동을 감소시킬 수 있다.
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스페이서 구조를 개략적으로 나타내는 단면도 및 사시도이며, 도 3b는 도 2b의 실시예에 의한 스페이서 구조를 적용한 전자방출 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 제1 및 제2 내부전극(340a,340b)이 스페이서(340c)의 측면을 통해서 노출되는 구조로서 본 도에 예시된 스페이서(340)의 구성 및 역할은 도 2a 및 2b에 예시된 스페이서(340)와 동일하므로, 이하 생략한다.
도 4는 도 2a에 예시된 스페이서 구조를 적용한 전자방출 표시장치의 구체적인 구성 단면도이다. 여기서, 내부전극이 스페이서의 측면을 통해 노출되는 구조 를 예로 들어 설명하나 이에 한정되지 않은 다양한 구조의 내부전극이 적용될 수 있다. 또한, 전자방출기판 및 화상형성기판의 구체적인 구조를 통해서 이에 적용되는 스페이서를 설명하고자 한다.
도 4를 참조하면, 상부에 전자방출소자(160)를 포함하는 전자방출 영역이 형성된 전자방출기판(100); 전자방출소자(160)로부터 방출된 전자에 의해 발광하는 화상형성영역이 형성된 화상형성기판(200); 및 전자방출기판(100)과 화상형성기판(200)을 이격하도록 지지하는 적어도 하나의 스페이서(340)를 포함하며, 스페이서(340)의 내부에는 적어도 하나의 내부전극(340a,340b)이 삽입되어 형성되며 내부전극(340a,340b)의 적어도 일부는 스페이서(340) 외부로 노출되는 전자방출 표시장치(300)를 제공한다.
한편, 본 실시예에서는 전자방출소자(160)로 상부 게이트 구조를 예로 들었으나, 이에 한정되지 않으며 전자를 방출하는 구조라면 하부 게이트 구조 및 이중 게이트 구조를 포함한 다양한 구조가 가능하다.
배면기판(110) 상에 소정의 형상으로, 예컨대 스트라이프 상으로 적어도 하나의 캐소드전극(120)이 배치된다. 배면기판(110)은 통상 사용되는 유리 또는 실리콘 기판이지만, 전자방출부(150)로 CNT(Carbon NanoTube) 페이스트를 이용하여 후면 노광에 의해 이를 형성하는 경우에는 유리 기판과 같은 투명 기판이 바람직하다.
캐소드전극들(120)은 데이터 구동부(미도시) 또는 주사 구동부(미도시)로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 각 전자방출소자로 공급한다. 여기서, 전자방출소자는 캐소드전극(120)과 게이트전극(140)이 교차하는 영역에 전자방출부(150)를 구비하여 형성된다. 캐소드전극(120)은 기판(110)과 동일한 이유로, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)가 사용된다.
제1 절연층(130)은 기판(110)과 캐소드전극(120) 상부에 형성되며, 캐소드전극(120)과 게이트전극(140)을 전기적으로 절연한다. 제1 절연층(130)은 캐소드전극(120)이 노출되도록 캐소드전극들(120)과 게이트전극들(140)의 교차영역에 적어도 하나의 제1 홀(135)을 구비한다.
게이트전극들(140)은 제1 절연층(130) 상에 소정의 형상으로, 예컨대 스트라이프 상으로 캐소드전극(120)과 교차하는 방향으로 배치되며, 데이터 구동부 또는 주사 구동부로부터 인가되는 각각의 데이터 신호 또는 주사 신호를 각 전자방출소자로 공급한다. 게이트전극(140)은 전자방출부(150)가 노출되도록 제1 홀에 대응하여 적어도 하나의 제2 홀(145)을 구비한다.
전자방출부(150)는 제1 절연층(130)의 제1 홀(135)에 의해 노출된 캐소드전극(120) 상에 전기적으로 접속되어 각각 위치하며, 카본 나노튜브; 그라파이트(graphite), 그라파이트 나노파이버; 다이아몬드상 카본; C60; 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합으로 이루어지는 것 바람직하다.
그리드전극(180)은 전자방출부(150)로부터 방출되는 전자를 상응하는 형광체(230)로 집속하며, 본 도에 예시된 바와 같이 제2 절연층(170) 상부에 형성되거나 제2 절연층(170)의 구성없이 메쉬 형태의 도전성 시트일 수도 있다.
상술한 바와 같이, 전자방출영역은 캐소드전극 배선과 게이트전극 배선이 교차하는 영역에 소정의 배치 형상으로, 예컨대 매트릭스 상으로 배열되는 다수의 전자방출소자(160)를 포함하며, 전자방출소자(160)는 캐소드전극(120), 이와 교차형성되는 게이트전극(140), 두 전극(120,140) 사이를 절연하는 제1 절연층(130), 및 캐소드전극(120)에 전기적으로 접속되어 형성되는 전자방출부(150)를 포함하여 구성된다. 전자방출소자(160)는 화상형성기판(200)에 형성되는 형광체(230)에 각각 상응한다.
화상형성기판(200)은 전면기판(210)과, 전면기판(210) 상부에 형성되는 애노드전극(220), 애노드전극(220) 상부에 전자방출소자(160)로부터 방출된 전자에 의해 발광하는 형광체(230)와, 형광체(230) 사이에 형성되는 광차폐막(240)을 포함하는 화상형성영역으로 이루어진다.
전면 기판(210)에는 전자방출소자(160)로부터 방출된 전자의 충돌에 의해 발광하는 형광체(230)가 임의의 간격을 두고 배치된다. 한편, 전면 기판(210)은 형광체(230)로부터 발광하는 빛이 외부로 전달되도록 투명한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
애노드전극(220)은 전면기판(210) 상부에 위치하여, 전자방출소자(160)로부터 방출된 전자를 보다 더 양호하게 집속하는 역할을 하며, 애노드전극(220)은 투명한 재질로 이루어지며, 예컨대 본 실시예에서는 ITO 전극(220)으로 형성되는 것이 바람직하다.
광차폐막(240)은, 외부 빛의 반사를 차단함으로써 디스플레이시 콘트라스트의 저하를 방지하고 전자에 의한 형광체(230)의 대전을 방지하도록 전자빔의 조사 위치가 어느 정도 벗어나더라도 색상의 이동을 억제하기 위한 것으로 형광체(230) 사이에 임의의 간격을 두고 배치된다.
스페이서(340)의 일측면은 광차폐막(240) 상부에 형성되며, 타측면은 예컨대 그리드전극(180) 상부에 형성되는 것으로 도시되어 있으나, 제1 절연층(130) 상부에 형성될 수도 있다.
상술한 바와 같은 전자방출 표시장치(300)는 전자방출기판(100)과 화상형성기판(200)을 밀봉하여 진공 상태로 유지하는 밀봉재(310)를 추가적으로 포함한다. 외부전원으로부터 캐소드전극(120)에는 (+) 전압이, 게이트전극(140)에는 (-) 전압이, 애노드전극(220)에는 (+) 전압이 인가된다. 이로써, 캐소드전극(120)과 게이트전극(140)의 전압차에 의해 전자방출부(150) 주위에 전계가 형성되어 전자가 방출되며, 방출된 전자들은 애노드전극(220)에 인가된 고전압에 유도되어 해당 화소의 형광체(230)에 충돌하여 이를 발광시켜 소정의 이미지를 구현하게 된다.
이와 같이, 스페이서의 양단에 내부전극을 삽입 배치하거나, 추가적으로 내부전극에 전압을 인가함으로써, 스페이서의 표면이 대전 및 충전되는 것을 방지하며 전자 궤도가 스페이서 부근에 집중 분포되는 것을 억제한다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 스페이서를 구비하는 전자방출 표시장치는 스페이서 내부에 전극을 삽입 배치하여 스페이서 표면의 충전 및 방전현상을 줄이며 전자빔의 왜곡을 억제할 수 있는 효과가 있다.

Claims (14)

  1. 소정의 형상을 가지는 절연부재와,
    상기 절연부재 내부에 횡방향으로 삽입되는 적어도 하나의 내부전극을 포함하며,
    상기 내부전극의 적어도 일부는 상기 절연부재 외측면으로 노출되는 전자방출 표시장치용 스페이서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부전극은 105Ω/□ 내지 1012Ω/□ 저항값을 가지는 전자방출 표시장치용 스페이서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연부재 외측면으로 노출된 상기 내부전극의 일부를 통해 전원이 인가되는 전자방출 표시장치용 스페이서.
  4. 상부에 전자방출소자를 포함하는 전자방출 영역이 형성된 전자방출기판;
    상기 전자방출소자로부터 방출된 전자에 의해 발광하는 화상형성영역이 형성된 화상형성기판; 및
    상기 전자방출기판과 상기 화상형성기판을 이격하도록 지지하는 적어도 하나의 스페이서를 포함하며,
    상기 스페이서의 내부에는 적어도 하나의 내부전극이 삽입되어 형성되며 상기 내부전극의 적어도 일부는 상기 스페이서 외부로 노출되는 전자방출 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 내부전극은 상기 스페이서에 대해 횡방향으로 형성되는 전자방출 표시장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 스페이서 외부로 노출되는 상기 내부전극을 통해 전원이 인가되는 전자방출 표시장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 내부전극은 상기 스페이서의 내부 상단 또는 하단에 형성되는 전자방출 표시장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 내부전극은 상기 스페이서의 내부 상단 및 하단에 각각 형성되는 전자방출 표시장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 스페이서는 글래스 또는 세라믹 물질을 포함하는 전자방출 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 내부전극은 상기 스페이서보다 우수한 도전성을 가지는 물질을 포함하는 전자방출 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 내부전극은 105Ω/□ 내지 1012Ω/□ 저항값을 가지는 전자방출 표시장치.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 내부전극은 상기 스페이서의 상하면을 통해 전원이 인가되는 전자방출 표시장치.
  13. 제 4 항에 있어서,
    상기 내부전극은 상기 스페이서의 측면을 통해 전원이 인가되는 전자방출 표시장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자방출소자는,
    제1 전극 및 상기 제1 전극과 절연되어 교차형성되는 제2 전극과,
    상기 제1 전극에 전기적으로 접속되어 형성되는 전자방출부를 포함하는 전자방출 표시장치.
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