KR20060025836A

KR20060025836A - Apparatus and method for cleaning substrates

Info

Publication number: KR20060025836A
Application number: KR1020040074677A
Authority: KR
Inventors: 박기환
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-09-17
Filing date: 2004-09-17
Publication date: 2006-03-22

Abstract

본 발명은 기판을 세정하는 장치에 관한 것으로, 장치는 기판을 지지하는 지지부와 기판의 상부면을 세정하는 상부면 세정부, 그리고 기판의 하부면을 세정하는 하부면 세정부를 가진다. 상술한 구조로 인해 기판을 세정하는데 소요되는 시간을 단축할 수 있다.The present invention relates to an apparatus for cleaning a substrate, the apparatus having a support for supporting the substrate, an upper surface cleaning portion for cleaning the upper surface of the substrate, and a lower surface cleaning portion for cleaning the lower surface of the substrate. The above structure can shorten the time required for cleaning the substrate.

세정, 상부면 세정부, 하부면 세정부, 매엽식Washing, upper cleaning part, lower cleaning part, single leaf type

Description

기판 세정 장치 및 기판 세정 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATES}Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method {APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 기판 세정 장치를 개략적으로 보여주는 도면;1 schematically shows a substrate cleaning apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;

도 2는 상부면 세정부의 이동경로를 보여주는 도면;2 is a view showing a moving path of the upper surface cleaning unit;

도 3은 하부면 세정부의 이동경로를 보여주는 도면'3 is a view showing the movement path of the lower surface cleaning unit;

도 4는 상부면 세정부의 다른 예를 보여주는 도면; 그리고4 shows another example of the upper surface cleaning unit; And

도 5는 하부면 세정부의 다른 예를 보여주는 도면이다.5 is a view illustrating another example of the lower surface cleaning unit.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 지지부 200 : 상부면 세정부100: support portion 200: upper surface cleaning portion

260 : 상부노즐 280 : 초음파 발생기260: upper nozzle 280: ultrasonic generator

300 : 하부면 세정부 340 : 하부노즐300: lower surface cleaning unit 340: lower nozzle

362 : 초음파 발생기362: Ultrasonic Generator

본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하 게는 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for manufacturing a semiconductor substrate, and more particularly, to an apparatus and method for cleaning a semiconductor substrate.

반도체 웨이퍼를 집적 회로로 제조할 때 제조공정 중에 발생하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정이 요구된다. 세정 장치로는 크게 복수매의 웨이퍼들을 세정액이 수용된 세정조에 담가 공정을 수행하는 배치식 장치와 하나의 웨이퍼에 세정액을 분사하면서 각각 세정공정을 수행하는 매엽식 장치가 사용된다.When fabricating a semiconductor wafer into an integrated circuit, a process of cleaning the semiconductor wafer is required to remove residual chemicals, small particles, contaminants, and the like, which occur during the manufacturing process. As a cleaning apparatus, a batch type apparatus for dipping a plurality of wafers into a cleaning tank containing a cleaning liquid and performing a cleaning process while spraying the cleaning liquid onto one wafer are used.

배치식 장치는 웨이퍼의 상부면 뿐만 아니라 하부면에 대해서도 동시에 세정이 가능하고 복수매의 웨이퍼들을 동시에 세정하므로 세정공정이 빠르게 수행되는 장점이 있다. 그러나 한 그룹의 웨이퍼들에 대해서 공정이 수행되면, 처리조 내에 오염물질이 잔류하게 되고, 이들 오염물질은 처리조 내에서 다음에 공정이 수행되는 다른 그룹의 웨이퍼들을 오염시키는 문제점이 있다. 특히 하나의 처리조에서 약액 처리 공정, 린스 공정, 건조 공정을 모두 수행되는 경우 상술한 문제는 더욱 커진다. The batch type device is capable of simultaneously cleaning not only the top surface but also the bottom surface of the wafer, and simultaneously cleaning the plurality of wafers, so that the cleaning process is performed quickly. However, when a process is performed on a group of wafers, contaminants remain in the treatment tank, and these contaminants have a problem of contaminating other groups of wafers to be processed next in the treatment tank. In particular, the above-described problem is further increased when a chemical treatment process, a rinse process, and a drying process are all performed in one treatment tank.

매엽식 장치는 처리조의 사용 없이 웨이퍼에 직접 세정액을 분사하면서 공정을 수행하므로 후속웨이퍼에 대해 재오염되는 문제는 없다. 그러나 일반적으로 사용되고 있는 매엽식 장치에서 웨이퍼의 후면은 지지부에 의해 지지되고, 지지부의 상부면에만 웨이퍼로 세정액을 분사하는 노즐이 배치된다. 따라서 웨이퍼의 하부면을 세정하기 위해서는 웨이퍼를 반전시키는 반전장치로 이송하여 반전시킨 후 웨이퍼를 세정장치로 이송하여 웨이퍼의 하부면을 세정한다. 즉, 웨이퍼의 하부면을 세 정하기 위해서, 카세트로부터 웨이퍼 언로딩, 반전장치로 웨이퍼 이송, 반전장치에서 웨이퍼 반전, 세정장치로 웨이퍼 이송, 웨이퍼의 하부면 세정, 반전장치로 웨이퍼 이송, 반전장치에서 웨이퍼 반전, 그리고 카세트로 웨이퍼 로딩 단계를 순차적으로 거쳐야 하고, 웨이퍼 상부면과 하부면을 각각 세정하여야 하므로 세정 공정에 매우 많은 시간이 소요된다.The single sheet type apparatus performs the process while spraying the cleaning liquid directly onto the wafer without using a treatment tank, so that there is no problem of recontamination of the subsequent wafer. However, in the single-leaf type apparatus which is generally used, the back side of the wafer is supported by the support portion, and a nozzle for spraying the cleaning liquid onto the wafer is disposed only on the upper surface of the support portion. Therefore, in order to clean the lower surface of the wafer, the wafer is transferred to an inverting device which inverts the wafer, the wafer is transferred to the cleaning device, and the lower surface of the wafer is cleaned. That is, in order to clean the lower surface of the wafer, the wafer is unloaded from the cassette, the wafer is transferred to the inverting device, the wafer is inverted at the inverting device, the wafer is transferred to the cleaning device, the wafer is cleaned at the bottom, the wafer is transferred to the inverting device, Since the wafer reversal and the wafer loading step into the cassette must be performed sequentially, and the upper and lower surfaces of the wafer must be cleaned, the cleaning process is very time consuming.

본 발명은 웨이퍼의 하부면 세정에 소요되는 시간을 크게 단축할 수 있는 기판 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate cleaning apparatus and method capable of greatly shortening the time required for cleaning the lower surface of a wafer.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명인 세정 장치는 기판의 가장자리와 접촉하여 상기 기판을 지지하는 지지부와 상기 지지부에 의해 지지된 기판의 아래에 위치되어 상기 기판의 하부면을 세정하는 하부면 세정부를 가진다. 일 예에 의하면, 상기 하부면 세정부는 기판의 하부면을 세정하는 공정 수행시 상기 지지부에 의해 지지된 기판의 아래에 위치되어 기판의 하부면으로 세정액을 분사하고, 이동가능한 하부 노즐을 포함한다. 상기 하부 노즐에는 상기 하부 노즐로 공급되는 세정액에 초음파를 인가하는 초음파 발생기를 장착될 수 있다. In order to achieve the above object, the cleaning apparatus of the present invention is in contact with the edge of the substrate to support the substrate and the lower surface cleaning portion which is located under the substrate supported by the support to clean the lower surface of the substrate Has In example embodiments, the lower surface cleaning part may include a lower nozzle positioned below the substrate supported by the support part to spray the cleaning liquid onto the lower surface of the substrate when the process of cleaning the lower surface of the substrate is performed. . The lower nozzle may be equipped with an ultrasonic generator for applying ultrasonic waves to the cleaning liquid supplied to the lower nozzle.

상기 장치에는 상기 지지부에 의해 지지된 기판의 상부에 위치되어 상기 기판의 상부면을 세정하는 상부면 세정부가 더 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 상기 상부면 세정부는 기판의 상부면을 세정하는 공정 진행시 상기 지지부에 의해 지지된 기판의 상부에 위치되어 상기 기판의 상부면으로 세정액을 분사하고, 이동가 능한 상부 노즐을 포함한다. 상기 상부노즐에는 상기 상부 노즐로 공급되는 세정액에 초음파를 인가하는 초음파 발생기가 장착될 수 있다. 다른 예에 의하면, 상기 상부면 세정부는 기판의 상부면을 세정하는 공정 수행시 상기 지지부에 의해 지지된 기판의 아래에 위치되며 이동가능한 지지로드와 상기 지지로드 상에 장착되는 상부 브러시를 가진다.The apparatus may further be provided with an upper surface cleaning portion positioned above the substrate supported by the support portion to clean the upper surface of the substrate. In example embodiments, the upper surface cleaning unit includes a movable upper nozzle positioned at an upper portion of the substrate supported by the support unit during the process of cleaning the upper surface of the substrate and spraying the cleaning liquid onto the upper surface of the substrate. do. The upper nozzle may be equipped with an ultrasonic generator for applying ultrasonic waves to the cleaning liquid supplied to the upper nozzle. In another example, the upper surface cleaning part has a support rod positioned below the substrate supported by the support part and mounted on the support rod when performing the process of cleaning the upper surface of the substrate.

또한, 본 발명의 기판을 세정하는 방법은 기판의 가장자리가 지지부에 의해 지지되는 단계와 상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 아래에 제공되는 하부면 세정부를 사용하여 기판의 하부면을 세정하는 단계를 포함한다. 상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 아래에 제공되는 하부면 세정부를 사용하여 기판의 하부면을 세정하는 단계는 초음파가 인가된 세정액을 기판의 하부면으로 분사하는 단계를 포함할 수 있다. In addition, the method for cleaning a substrate of the present invention comprises the steps of the edge of the substrate is supported by the support portion and the step of cleaning the lower surface of the substrate using a lower surface cleaning portion provided under the substrate supported by the support portion Include. The cleaning of the lower surface of the substrate by using the lower surface cleaner provided under the substrate supported by the support may include spraying the cleaning liquid to which the ultrasonic wave is applied to the lower surface of the substrate.

또한, 상기 방법은 상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 상부에 제공되는 상부면 세정부를 사용하여 기판의 상부면을 세정하는 단계를 더 포함한다. 일 예에 의하면, 상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 상부에 제공되는 상부면 세정부를 사용하여 기판의 상부면을 세정하는 단계는 초음파가 인가된 세정액을 기판의 상부면으로 분사하거나 브러시를 사용하여 기판의 상부면을 세정하는 단계를 포함한다. 상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 아래에 제공되는 하부면 세정부를 사용하여 기판의 하부면을 세정하는 단계와 상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 상부에 제공되는 상부면 세정부를 사용하여 기판의 상부면을 세정하는 단계는 동시에 이루어지는 것이 바람직하다. The method further includes cleaning the top surface of the substrate using a top surface cleaning portion provided on top of the substrate supported by the support. According to one example, the step of cleaning the upper surface of the substrate using the upper surface cleaning portion provided on the upper portion of the substrate supported by the support portion spraying the ultrasonic wave applied cleaning liquid to the upper surface of the substrate or using a brush Cleaning the top surface of the substrate. Cleaning the bottom surface of the substrate using a bottom surface cleaning portion provided under the substrate supported by the support portion and using the top surface cleaning portion provided on the top of the substrate supported by the support portion The step of washing the cotton is preferably carried out simultaneously.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 5를 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 5. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 세정 장치를 개략적으로 보여주는 정면도이다. 도 1을 참조하면, 세정 장치(1)는 웨이퍼(10)를 지지하는 지지부(100) 및 웨이퍼의 상부면(12)을 세정하는 상부면 세정부(200)와 웨이퍼의 하부면(14)을 세정하는 하부면 세정부(300)를 가진다. 지지부(100)는 원통형의 지지판(120)을 가지며, 지지판(120)의 하부면에는 모터(140)에 의해 회전가능한 지지축(140)이 결합된다. 지지부(100)의 상부면 가장자리에는 지지핀(180)들이 균등하게 배치된다. 지지핀(180)은 지지판(120)의 상부면에 회전 가능하게 설치되며 웨이퍼(10)의 가장자리가 놓여지는 받침부(184)와 이로부터 수직하게 상부로 돌출되어 지지판(120)이 회전되는 동안 웨이퍼가 지지부(100)로부터 이탈되는 것을 방지하는 돌기(182)를 가진다.1 is a front view schematically showing a cleaning device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the cleaning apparatus 1 may include a support 100 supporting the wafer 10, an upper surface cleaner 200 for cleaning the upper surface 12 of the wafer, and a lower surface 14 of the wafer. It has a lower surface cleaning unit 300 to clean. The support part 100 has a cylindrical support plate 120, and a support shaft 140 rotatable by the motor 140 is coupled to the lower surface of the support plate 120. Support pins 180 are evenly disposed on the upper edge of the support part 100. The support pin 180 is rotatably installed on the upper surface of the support plate 120 and protrudes upwardly from the support portion 184 on which the edge of the wafer 10 is placed and vertically therefrom, while the support plate 120 is rotated. It has a protrusion 182 that prevents the wafer from being separated from the support 100.

상부면 세정부(200)는 지지핀(180) 상에 놓여진 웨이퍼의 상부면(12)을 세정하는 상부노즐(260)을 가진다. 지지판(120)의 일측에는 공정진행시 일정각도 회전 가능한 회전축(220)이 배치된다. 회전축(220)의 상단에는 회전축(220)에 고정 결합되는 지지로드(240)가 배치되고, 상부노즐(260)은 지지로드(240)의 끝단에 아래를 향하도록 설치된다. 상부노즐(260)은 웨이퍼의 상부면으로 세정액을 분사하며, 세정액으로는 탈이온수가 사용될 수 있다. 비록 도시되지는 않았으나 상부노즐(260)에는 세정액을 공급하는 세정액 공급관이 연결된다. 세정효과를 향상하기 위해 상부노즐(260)에는 상부노즐(260)로 공급되는 탈이온수에 초음파를 인가하는 초음파 발생기(280)가 설치될 수 있다.The upper surface cleaning part 200 has an upper nozzle 260 for cleaning the upper surface 12 of the wafer placed on the support pin 180. One side of the support plate 120 is disposed a rotating shaft 220 that can be rotated at a predetermined angle during the process. A support rod 240 fixedly coupled to the rotation shaft 220 is disposed at an upper end of the rotation shaft 220, and the upper nozzle 260 is installed to face down at the end of the support rod 240. The upper nozzle 260 sprays the cleaning liquid onto the upper surface of the wafer, and deionized water may be used as the cleaning liquid. Although not shown, the upper nozzle 260 is connected to a cleaning liquid supply pipe for supplying a cleaning liquid. In order to improve the cleaning effect, the upper nozzle 260 may be provided with an ultrasonic generator 280 for applying ultrasonic waves to the deionized water supplied to the upper nozzle 260.

도 2는 상부면 세정부(200)를 사용하여 웨이퍼의 상부면(12)이 세정되는 것을 개략적으로 보여주는 도면이다. 웨이퍼(10)가 지지핀(180) 상에 놓여지면 지지판(120)은 회전된다. 지지축(140)의 회전에 의해 상부노즐(260)은 웨이퍼(10)의 중심 상부로부터 웨이퍼(10)의 가장자리 상부까지 왕복 회전된다.FIG. 2 is a diagram schematically illustrating that the top surface 12 of the wafer is cleaned using the top surface cleaning unit 200. When the wafer 10 is placed on the support pin 180, the support plate 120 is rotated. The upper nozzle 260 is reciprocated from the upper center of the wafer 10 to the upper edge of the wafer 10 by the rotation of the support shaft 140.

하부면 세정부(300)는 지지핀(180) 상에 놓여진 웨이퍼의 하부면(14)을 세정한다. 도 1을 다시 참조하면, 지지판(120)의 상부면 중앙에는 고정체(320)가 삽입되는 홀(도 3의 122)이 형성되고, 고정체(320)의 중심에는 하부노즐(340)이 삽입된다. 하부노즐(340)의 끝단에는 분사구(360)가 형성되고, 하부노즐(340)은 고정체(320)에 형성된 홀을 따라 수평 이동된다. 하부노즐(340)은 웨이퍼의 하부면(14)으로 세정액을 분사하며, 세정액으로는 탈이온수가 사용될 수 있다. 비록 도시되었지는 않았지만 하부노즐(340)에는 하부노즐(340)으로 세정액을 공급하는 세정액 공급관이 연결된다. 세정효과를 향상하기 위해 하부노즐(340) 또는 공급관 상에는 하부노즐(340)로 공급되는 탈이온수에 초음파를 인가하는 초음파 발생기(362)가 설치될 수 있다.The lower surface cleaning unit 300 cleans the lower surface 14 of the wafer placed on the support pin 180. Referring back to FIG. 1, a hole (122 in FIG. 3) is formed in the center of the upper surface of the support plate 120, and the lower nozzle 340 is inserted into the center of the fixture 320. do. An injection hole 360 is formed at an end of the lower nozzle 340, and the lower nozzle 340 is horizontally moved along a hole formed in the fixed body 320. The lower nozzle 340 sprays the cleaning liquid onto the lower surface 14 of the wafer, and deionized water may be used as the cleaning liquid. Although not shown, the lower nozzle 340 is connected to a cleaning liquid supply pipe for supplying a cleaning liquid to the lower nozzle 340. In order to improve the cleaning effect, an ultrasonic generator 362 may be installed on the lower nozzle 340 or the supply pipe to apply ultrasonic waves to deionized water supplied to the lower nozzle 340.

도 3은 하부면 세정부(300)를 사용하여 웨이퍼의 하부면(14)이 세정되는 것 을 개략적으로 보여주는 도면이다. 웨이퍼(10)가 지지핀(180) 상에 놓여지면 지지판(120)은 회전된다. 하부노즐(340)은 고정체(320)를 통해 웨이퍼(10)의 중심 하부로부터 가장자리까지 직선이동된다. 도 1에서 하부노즐(340)을 수평이동하기 위한 구동수단은 도시되지 않았으나, 구동수단은 노즐을 직선이동시키기 위해 사용되는 다양한 메카니즘이 사용될 수 있다.3 is a diagram schematically illustrating that the lower surface 14 of the wafer is cleaned using the lower surface cleaning unit 300. When the wafer 10 is placed on the support pin 180, the support plate 120 is rotated. The lower nozzle 340 is linearly moved from the lower center to the edge of the wafer 10 through the fixture 320. Although the driving means for horizontally moving the lower nozzle 340 is not shown in FIG. 1, various mechanisms used to linearly move the nozzle may be used.

상술한 예에서는 웨이퍼의 상부면(12)과 하부면(14)이 초음파가 인가된 탈이온수에 의해 세정되는 것으로 예를 들었다. 그러나 공정에 따라 웨이퍼의 상부면(12)과 하부면(14)은 브러시에 의해 세정이 이루어질 수 있다. 도 4는 상부면 세정부(200)의 다른 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 상부면 세정부(200)는 상부 브러시(290)를 가진다. 상부 브러시(290)는 상술한 상부노즐(260)이 결합된 위치에 상부노즐(260) 대신 장착된다. 상부 브러시(290)는 자신의 중심축을 기준으로 회전된다. 도 5는 하부면 세정부(300)의 다른 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 하부면 세정부(300)는 하부 브러시(380)를 가진다. 고정체(320)에 지지로드(370)가 수평 이동가능하게 삽입되고, 지지로드(370)의 끝단부에는 하부 브러시(380)가 삽입된다. 하부 브러시(380)는 자신의 중심축을 기준으로 회전될 수 있다. 상술한 예에서는 세정 장치(1)가 상부면 세정부(200)와 하부면 세정부(300)를 모두 구비하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 세정 장치(1)는 하부면 세정부(300)만을 구비할 수도 있다. In the above-described example, the upper surface 12 and the lower surface 14 of the wafer are exemplified as being cleaned by deionized water to which ultrasonic waves are applied. However, depending on the process, the upper surface 12 and the lower surface 14 of the wafer may be cleaned by a brush. 4 is a diagram illustrating another example of the upper surface cleaning part 200. Referring to FIG. 4, the upper surface cleaner 200 has an upper brush 290. The upper brush 290 is mounted in place of the upper nozzle 260 at the position where the upper nozzle 260 described above is coupled. The upper brush 290 is rotated about its central axis. 5 is a view illustrating another example of the lower surface cleaning unit 300. Referring to FIG. 5, the lower surface cleaner 300 has a lower brush 380. The support rod 370 is inserted into the fixed body 320 so as to be movable horizontally, and the lower brush 380 is inserted into the end of the support rod 370. The lower brush 380 may be rotated about its central axis. In the above-described example, it has been described that the cleaning device 1 includes both the upper surface cleaning part 200 and the lower surface cleaning part 300. However, the cleaning device 1 may alternatively include only the lower surface cleaning part 300.

본 발명에 의하면 웨이퍼의 하부면(14)이 아래를 향하도록 지지부(100)에 장착된 상태에서 하부면(14)의 세정이 이루어지므로 웨이퍼(10)를 반전시키는 장치가 불필요하고, 웨이퍼(10) 반전이 필요 없으므로 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면 웨이퍼(10)가 지지부(100)에 장착된 상태에서 웨이퍼의 상부면(12)과 하부면(14)의 세정이 동시에 이루어지므로, 일반적인 매엽식 장치에 비해 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.According to the present invention, since the lower surface 14 is cleaned while the lower surface 14 of the wafer is mounted on the support 100 so that the lower surface 14 faces downward, an apparatus for inverting the wafer 10 is unnecessary, and the wafer 10 This eliminates the need for reversal, reducing the time required for the process. In addition, according to the present invention, since the top surface 12 and the bottom surface 14 of the wafer are cleaned at the same time while the wafer 10 is mounted on the support part 100, the process required for the process is compared to a general sheet type device. It can save time.

다음에는 본 발명의 장치를 사용하여 웨이퍼를 세정하는 방법을 순차적으로 설명한다. 여기에서는 상부면 세정부(200)와 하부면 세정부(300)가 각각 초음파가 인가된 세정액을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 경우는 예로 들어 설명한다. 처음에 웨이퍼가 지지부(100)에 놓여진다. 상부노즐(260)이 웨이퍼의 상부면(12) 중심 상부에 위치되도록 회전축(220)이 회전되고, 하부노즐(340)이 웨이퍼의 하부면(14) 중심 아래에 위치되도록 이동된다. 지지판(120)이 회전되고, 상부노즐(260)은 일정각도 왕복 회전하면서 세정액을 웨이퍼의 상부면(12)으로 공급하고, 하부노즐(340)은 일정거리 직선 왕복하면서 세정액을 웨이퍼의 하부면(14)으로 공급한다. Next, a method of cleaning a wafer using the apparatus of the present invention will be described sequentially. Here, the case where the upper surface cleaning unit 200 and the lower surface cleaning unit 300 clean the wafer using the cleaning solution to which ultrasonic waves are applied will be described as an example. Initially, the wafer is placed on the support 100. The rotating shaft 220 is rotated so that the upper nozzle 260 is positioned above the center of the upper surface 12 of the wafer, and the lower nozzle 340 is moved to be positioned below the center of the lower surface 14 of the wafer. The support plate 120 is rotated, the upper nozzle 260 rotates the reciprocating angle at a predetermined angle, and supplies the cleaning liquid to the upper surface 12 of the wafer, and the lower nozzle 340 reciprocates the predetermined distance linearly to lower the surface of the wafer ( 14).

본 발명에 의하면, 웨이퍼를 반전시키는 장치가 불필요하고, 웨이퍼 반전이 필요 없으므로 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.According to the present invention, the device for inverting the wafer is unnecessary, and since the wafer inversion is not necessary, the time required for the process can be shortened.

또한, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 상부면과 하부면의 세정이 동시에 이루어지므로, 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.In addition, according to the present invention, since the upper and lower surfaces of the wafer are cleaned at the same time, the time required for the process can be shortened.

Claims

집적회로 제조에 사용되는 기판을 세정하는 장치에 있어서,An apparatus for cleaning a substrate used in integrated circuit fabrication,

기판의 가장자리와 접촉하여 상기 기판을 지지하는 지지부와; A support for supporting the substrate in contact with an edge of the substrate;

상기 지지부에 의해 지지된 기판의 아래에 위치되어 상기 기판의 하부면을 세정하는 하부면 세정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.And a lower surface cleaning portion positioned below the substrate supported by the support portion to clean the lower surface of the substrate.

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 하부면 세정부는 기판의 하부면을 세정하는 공정 수행시 상기 지지부에 의해 지지된 기판의 아래에 위치되어 기판의 하부면으로 세정액을 분사하고, 이동가능한 하부 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The lower surface cleaning part includes a lower nozzle which is positioned below the substrate supported by the support part and sprays the cleaning liquid onto the lower surface of the substrate when the process of cleaning the lower surface of the substrate is performed. Cleaning device.

제 2항에 있어서,The method of claim 2,

상기 하부면 세정부는 상기 하부 노즐에 장착되어 상기 하부 노즐로 공급되는 세정액에 초음파를 인가하는 초음파 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The lower surface cleaning unit further includes an ultrasonic generator mounted on the lower nozzle to apply ultrasonic waves to the cleaning liquid supplied to the lower nozzle.

제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3,

상기 장치는 상기 지지부에 의해 지지된 기판의 상부에 위치되어 상기 기판의 상부면을 세정하는 상부면 세정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.And the apparatus further comprises an upper surface cleaning portion positioned above the substrate supported by the support portion to clean the upper surface of the substrate.

제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein

상기 상부면 세정부는 기판의 상부면을 세정하는 공정 진행시 상기 지지부에 의해 지지된 기판의 상부에 위치되어 상기 기판의 상부면으로 세정액을 분사하고, 이동가능한 상부 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The upper surface cleaning unit includes an upper nozzle which is positioned above the substrate supported by the support unit and sprays the cleaning liquid onto the upper surface of the substrate during the process of cleaning the upper surface of the substrate, and is movable. Substrate cleaning apparatus.

제 5항에 있어서,The method of claim 5,

상기 상부면 세정부는 상기 상부 노즐에 장착되어 상기 상부 노즐로 공급되는 세정액에 초음파를 인가하는 초음파 발생기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The upper surface cleaning unit further comprises an ultrasonic generator mounted on the upper nozzle to apply ultrasonic waves to the cleaning liquid supplied to the upper nozzle.

제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein

상기 상부면 세정부는,The upper surface cleaning unit,

기판의 상부면을 세정하는 공정 수행시 상기 지지부에 의해 지지된 기판의 아래에 위치되며 이동가능한 지지로드와;A support rod movable under the substrate supported by the support during the process of cleaning the upper surface of the substrate;

상기 지지로드 상에 장착되는 상부 브러시를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.And an upper brush mounted on the support rod.

기판을 세정하는 방법에 있어서,In the method of cleaning a substrate,

기판의 가장자리가 지지부에 의해 지지되는 단계와;The edge of the substrate is supported by the support;

상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 아래에 제공되는 하부면 세정부를 사용하여 기판의 하부면을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.Cleaning the bottom surface of the substrate using a bottom surface cleaning portion provided below the substrate supported by the support portion.

제 8항에 있어서,The method of claim 8,

상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 아래에 제공되는 하부면 세정부를 사용하여 기판의 하부면을 세정하는 단계는,Cleaning the lower surface of the substrate using a lower surface cleaner provided under the substrate supported by the support,

초음파가 인가된 세정액을 기판의 하부면으로 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.And spraying the cleaning solution to which the ultrasonic wave is applied to the lower surface of the substrate.

제 8항 또는 제 9항에 있어서,The method according to claim 8 or 9,

상기 방법은 상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 상부에 제공되는 상부면 세정부를 사용하여 기판의 상부면을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.And the method further comprises cleaning the top surface of the substrate using a top surface cleaning portion provided on top of the substrate supported by the support.

제 10항에 있어서,The method of claim 10,

상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 상부에 제공되는 상부면 세정부를 사용하여 기판의 상부면을 세정하는 단계는,Cleaning the upper surface of the substrate using an upper surface cleaning unit provided on the upper portion of the substrate supported by the support,

초음파가 인가된 세정액을 기판의 상부면으로 분사하거나 브러시를 사용하여 기판의 상부면을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.Spraying a cleaning solution applied with ultrasonic waves to the upper surface of the substrate or cleaning the upper surface of the substrate using a brush.

제 11항에 있어서,The method of claim 11,

상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 아래에 제공되는 하부면 세정부를 사용하여 기판의 하부면을 세정하는 단계와 상기 지지부에 의해 지지되는 기판의 상부에 제공되는 상부면 세정부를 사용하여 기판의 상부면을 세정하는 단계는 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.Cleaning the bottom surface of the substrate using a bottom surface cleaning portion provided under the substrate supported by the support portion and using the top surface cleaning portion provided on the top of the substrate supported by the support portion And cleaning the surface is carried out simultaneously.