KR20060020844A - Equipment for spinner semiconductor device - Google Patents

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KR20060020844A
KR20060020844A KR1020040069543A KR20040069543A KR20060020844A KR 20060020844 A KR20060020844 A KR 20060020844A KR 1020040069543 A KR1020040069543 A KR 1020040069543A KR 20040069543 A KR20040069543 A KR 20040069543A KR 20060020844 A KR20060020844 A KR 20060020844A
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백종기
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Abstract

본 발명은 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 포토 스피너 설비에 대하여 개시한다. 그의 설비는, 웨이퍼 카세트를 로딩하는 웨이퍼 카세트 로더; 상기 웨이퍼 카세트 로더에 로딩되는 상기 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼를 취출하는 얼라인먼트 스테이지 및 인덱스 암; 상기 취출된 웨이퍼에 대하여 포토레지스트를 도포, 사이드 린스 및 베이킹하는 공정을 수행하는 복수개의 스피너 유닛; 상기 스피너 유닛에서 각각의 공정을 수행된 웨이퍼를 이송하기 위해 각 상기 스피너 유닛의 외부에서 내부로 유출입되는 메인 암을 구비하고, 상기 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 트랜스퍼; 상기 스피너 유닛의 내부에 설치되고, 상기 메인 암에 의해 상기 스피너 유닛의 내부에 로딩되는 웨이퍼를 감지하는 적어도 하나 이상의 센서; 및 상기 센서에서 감지된 상기 웨이퍼의 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼의 티칭 정도를 파악하고, 상기 스피너 유닛 또는 상기 웨이퍼 트랜스퍼를 제어하는 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함하여 이루어진다.
The present invention discloses a semiconductor photo spinner installation capable of increasing or maximizing production yield. Its facilities include a wafer cassette loader for loading a wafer cassette; An alignment stage and an index arm for taking out a wafer from the wafer cassette loaded into the wafer cassette loader; A plurality of spinner units performing a process of applying, side-rinsing and baking the photoresist to the taken out wafer; A wafer transfer unit having a main arm flowing in and out of each of the spinner units to transfer wafers on which each process has been performed in the spinner unit; At least one sensor installed in the spinner unit and configured to sense a wafer loaded into the spinner unit by the main arm; And a controller configured to determine a teaching degree of the wafer by using a detection signal of the wafer detected by the sensor, and output a control signal for controlling the spinner unit or the wafer transfer.

웨이퍼(wafer), 메인 암(main arm), 센서(sensor), 입사부, 수집부Wafer, Main Arm, Sensor, Incident, Collector

Description

반도체 포토 스피너 설비{Equipment for spinner semiconductor device} Semiconductor photo spinner facility {Equipment for spinner semiconductor device}             

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 포토 스피너 설비를 나타내는 사시도.1 is a perspective view showing a semiconductor photo spinner facility according to the prior art.

도 2a 내지 도 2c는 도 1의 각 구성요부를 상세히 나타낸 도면.2A to 2C are detailed views of the main components of FIG. 1;

도 3은 본 발명에 따른 반도체 포토 스피너 설비를 개략적으로 나타낸 사시도.3 is a perspective view schematically showing a semiconductor photo spinner installation according to the present invention.

도 4는 도 3의 센서를 나타내는 구성 단면도.4 is a cross-sectional view illustrating a sensor of FIG. 3.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

200 : 반도체 포토 스피너 설비 210 : 스핀 코터200: semiconductor photo spinner facility 210: spin coater

220 : 사이드 린스 장치 230 : 웨이퍼 카세트 로더220: side rinse unit 230: wafer cassette loader

240 : 얼라인먼트 스테이지 250 : 웨이퍼 트랜스퍼240: alignment stage 250: wafer transfer

251 : 메인 상부암 252 : 메인 하부암251: main upper arm 252: main lower arm

253 : 메인 암 260 : 베이크 장치253: main arm 260: baking device

270 : 웨이퍼 280 : 센서
270: wafer 280: sensor

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 특히 스피너 유닛에 위치되는 웨이퍼의 수평 상태를 감지하는 센서(sensor)를 구비한 반도체 포토 스피너 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly to a semiconductor photo spinner installation having a sensor for sensing a horizontal state of a wafer located in a spinner unit.

일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위하여, 웨이퍼에 반도체 회로를 형성하는 단계를 수차례 반복하며, 각 단계는 막질의 성장 및 증착 공정, 포토레지스트(photoresist)의 도포, 상기 포토레지스트 상에 해당하는 반도체 회로를 색인하는 포토 리소그래피(photo lithography) 공정, 상기 반도체 회로에 해당되지 않는 부분을 제거하는 에칭(etching) 공정 및 각 단계에서 원하는 불순물을 주입하는 이온주입(implant) 공정 등을 포함한다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, the steps of forming a semiconductor circuit on a wafer are repeated several times, each step of the growth and deposition process of the film, the application of photoresist, the corresponding semiconductor on the photoresist A photolithography process for indexing a circuit, an etching process for removing portions not applicable to the semiconductor circuit, and an ion implantation process for implanting desired impurities in each step.

상기 포토 리소그래피 공정에서 상기 포토레지스트를 도포하기 위하여 주로 반도체 포토 스피너 (spinner)설비를 사용한다. 상기 반도체 포토 스피너 설비의 그 구체적인 형상은 제조업체 별로 다르나 기본적으로, 상기 포토레지스트를 도포하기 위한 스핀 코터(spin coater), 상기 포토레지스트의 도포 후에 웨이퍼의 에지(edge) 부근에 대한 클리닝 공정을 수행하는 사이드 린스 장치, 및 상기 사이드 린스 후에 상기 포토레지스트를 경화하기 위한 베이크 장치 및 상기 각 장치 사이에 상기 웨이퍼를 전송하는 웨이퍼 트랜스퍼(wafer transfer)를 구비한다.In order to apply the photoresist in the photolithography process, a semiconductor photo spinner facility is mainly used. The specific shape of the semiconductor photo spinner facility varies depending on the manufacturer, but basically, a spin coater for applying the photoresist, and a cleaning process near the edge of the wafer after the photoresist is applied. And a side rinse apparatus, and a baking apparatus for curing the photoresist after the side rinse, and a wafer transfer transferring the wafer between the respective apparatuses.

상기 포토레지스트 도포 공정의 스핀 코터(spin coater)와 사이드 린스(side rinse) 공정의 사이드 린스 장치는 기본적으로 동일한 구조이므로 동일한 스핀 코터에서 포토레지스트를 도포하고 사이드 린스 공정을 수행할 수 있다. 여기서는 설 명의 편의를 위하여 상기 두 개의 공정을 분리하여 수행하는 장비에 대하여 언급한다.Since the spin coater of the photoresist coating process and the side rinse apparatus of the side rinse process are basically the same structure, the photoresist may be applied and the side rinse process may be performed in the same spin coater. Here, for the sake of explanation, reference is made to equipment for performing the two processes separately.

이외에 웨이퍼 카세트를 로딩 및 언로딩하는 웨이퍼 카세트 로더, 및 웨이퍼를 상기 웨이퍼 카세트에서 추출 및 적재하고 상기 웨이퍼에 대한 얼라인(align) 공정을 수행하는 얼라인먼트 스테이지(alignment Stage) 등을 추가로 구비한다.In addition, a wafer cassette loader for loading and unloading a wafer cassette, and an alignment stage for extracting and loading a wafer from the wafer cassette and performing an alignment process for the wafer, is further provided.

이를 도 1 및 도 2a 내지 도 2c를 참조로 하여 상기 포토레지스트 도포 공정의 각 장치를 상기 공정을 진행하는 순서에 의하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.1 and 2A to 2C, each device of the photoresist coating process will be described in more detail by the procedure of proceeding the process as follows.

먼저, 상기 웨이퍼 카세트 로더(130)에 웨이퍼(170)를 적재한 웨이퍼 카세트(131)를 로딩하고, 반도체 포토 스피너 설비(100)가 상기 포토레지스트 도포 공정을 진행하기 시작하면, 상기 얼라인먼트 스테이지(alignment Stage, 140)의 인덱스 암(index arm, 141)이 상기 웨이퍼 카세트(131)에서 웨이퍼(170)를 추출하여 상기 얼라인먼트 스테이지(140)에 로딩하고 상기 얼라인먼트 스테이지(140)는 상기 로딩된 웨이퍼(170)에 대하여 얼라인을 수행한다. 상기 얼라인을 완료한 웨이퍼(170)는 상기 웨이퍼 트랜스퍼(150)에 장착된 메인 상부암(151) 및 메인 하부암(152)으로 이루어진 메인 암에 의해 탑재되어 베이크 장치(160)에 로딩되고 베이크 공정이 끝난 웨이퍼(170)는 다시 상기 메인 상부암(151) 또는 메인 하부암(152)이 상기 스핀 코터(110)에 로딩한다. 상기 웨이퍼(170)가 로딩이 완료되면 상기 스핀 코터(110)는 포토레지스트를 상기 웨이퍼(170)의 상부에 도포하고 상기 스핀 코터(110)는 상기 도포 공정 시 상기 포토레지스트의 도포 균일도(uniformity)를 향상시키기 위하 여 스핀척(spin chuck, 121)이 상기 웨이퍼(170)를 회전시킨다.First, when the wafer cassette 131 loaded with the wafer 170 is loaded on the wafer cassette loader 130, and the semiconductor photo spinner facility 100 starts the photoresist coating process, the alignment stage is aligned. The index arm 141 of the stage 140 extracts the wafer 170 from the wafer cassette 131 and loads the wafer 170 on the alignment stage 140, and the alignment stage 140 loads the loaded wafer 170. Align). The completed alignment of the wafer 170 is mounted by the main arm consisting of the main upper arm 151 and the main lower arm 152 mounted on the wafer transfer 150, loaded into the baking apparatus 160, and baked. After the process is completed, the main upper arm 151 or the main lower arm 152 is loaded on the spin coater 110 again. When the wafer 170 is finished loading, the spin coater 110 coats the photoresist on the wafer 170 and the spin coater 110 applies uniformity of the photoresist during the coating process. A spin chuck 121 rotates the wafer 170 to improve the speed.

다음, 상기 포토레지스트의 도포 공정이 완료되면, 상기 메인 암은 상기 웨이퍼(170)를 다시 사이드 린스(side rinse) 장치(120)에 로딩하여 상기 도포 시에 웨이퍼(170)의 에지(edge)에 형성된 불균일한 포토레지스트를 제거한다.Next, when the application process of the photoresist is completed, the main arm loads the wafer 170 back to the side rinse apparatus 120 to the edge of the wafer 170 during the application. Remove the nonuniform photoresist formed.

그 다음, 상기 사이드 린스를 완료한 웨이퍼(170)는 다시 상기 메인 암에 의해 상기 베이크 장치(160)에 로딩되고, 상기 베이크 장치는 상기 웨이퍼 상에 도포된 상기 포토레지스트를 경화한다. 이후, 상기 웨이퍼는 스테퍼(stepper) 또는 스캐너(scanner)장치에 로딩되어 노광 공정이 수행된다. 그리고, 상기 노광 공정이 완료된 상기 웨이퍼는 다시 상기 베이크 장치(160)로 로딩되어 노광 후 베이크 공정이 수행된다. Then, the wafer 170 having completed the side rinse is again loaded into the baking device 160 by the main arm, and the baking device cures the photoresist applied on the wafer. Thereafter, the wafer is loaded on a stepper or scanner device to perform an exposure process. In addition, the wafer, in which the exposure process is completed, is loaded into the baking apparatus 160 to perform a post-exposure bake process.

다음, 상기 노광 후 베이크 공정이 완료된 웨이퍼는 상기 메인 암에 의해 현상액 분사 장치에 로딩되어 현상 공정이 수행된다. Next, the wafer after the post-exposure bake process is completed is loaded into the developer injection device by the main arm to perform a development process.

마지막으로, 상기 현상 공정이 완료된 상기 웨이퍼는 상기 메인 암에 의해 또 다시 상기 베이크 장치로 로딩되어 하드 베이크 공정이 수행됨으로서 포토 공정을 완료할 수 있다. Finally, the wafer, in which the developing process is completed, may be loaded into the baking apparatus by the main arm again to complete the photo process by performing a hard bake process.

상기한 바와 같은 각 공정이 상기 로딩된 웨이퍼(170) 전체에 대하여 반복 진행되어 상기 도포 공정이 완료되면, 웨이퍼 카세트(131)는 상기 웨이퍼 카세트 로더(130)에서 언로딩되어 포토 공정에 대한 소정의 검사가 수행된 후, 식각 장치 또는 이온주입장치로 로딩된다. 이때, 상기 전체 도포 공정은 일반적으로 상기 반도체 포토 스피너 설비(100)가 구비한 컨트롤 시스템(미도시)에 의하여 제어된다. When each process as described above is repeatedly performed for the entire loaded wafer 170 and the coating process is completed, the wafer cassette 131 is unloaded from the wafer cassette loader 130 to predetermine a photo process. After the test is performed, it is loaded into the etching apparatus or ion implanter. In this case, the entire application process is generally controlled by a control system (not shown) included in the semiconductor photo spinner facility 100.                         

하지만, 종래 기술에 따른 반도체 포토 스피너 설비는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the semiconductor photo spinner facility according to the prior art has the following problems.

종래 기술에 따른 반도체 포토 스피너 설비는 메인 암에 의해 베이크 장치(160), 사이드 린스 장치(120) 및 스핀 코터(110)등으로 이루어진 스피너 유닛에 로딩되는 웨이퍼가 정상적으로 위치되지 않고 기울어지는 웨이퍼의 티칭 불량이 발생될 경우, 상기 웨이퍼의 상에 형성되는 포토레지스트가 유동되거나, 상기 웨이퍼를 로딩하는 메인 암에 의해 상기 웨이퍼(170)가 스크래치 또는 파손되는 포토 공정 불량을 유발시킬 수 있기 때문에 생산 수율이 떨어지는 단점이 있었다.
In the semiconductor photo spinner installation according to the prior art, the wafer loaded into the spinner unit including the baking device 160, the side rinse device 120, the spin coater 110, etc. by the main arm is not normally positioned, but the teaching of the inclined wafer is performed. If a defect occurs, the photoresist formed on the wafer may flow, or the photoresist may cause a photo process defect in which the wafer 170 may be scratched or broken by the main arm loading the wafer. There was a downside.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 스피너 유닛에 로딩되는 웨이퍼의 티칭 불량에 따른 포토 공정 불량을 방지하여 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 포토 스피너 설비를 제공하는 데 있다. An object of the present invention for solving the above problems is to provide a semiconductor photo spinner facility that can increase or maximize the production yield by preventing a photo process failure due to the teaching failure of the wafer loaded in the spinner unit.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따라, 반도체 포토 스피너 설비는, 웨이퍼 카세트를 로딩하는 웨이퍼 카세트 로더; 상기 웨이퍼 카세트 로더에 로딩되는 상기 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼를 취출하는 얼라인먼트 스테이지 및 인덱스 암; 상기 취출된 웨이퍼에 대하여 포토레지스트를 도포, 사이드 린스 및 베이킹하는 공정을 수행하는 복수개의 스피너 유닛; 상기 스피너 유닛에서 각각의 공정을 수행된 웨이퍼를 이송하기 위해 각 상기 스피너 유닛의 외부에서 내부로 유출입되는 메인 암을 구비하고, 상기 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 트랜스퍼; 상기 스피너 유 닛의 내부에 설치되고, 상기 메인 암에 의해 상기 스피너 유닛의 내부에 로딩되는 웨이퍼를 감지하는 적어도 하나 이상의 센서; 및 상기 센서에서 감지된 상기 웨이퍼의 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼의 티칭 정도를 파악하고, 상기 스피너 유닛 또는 상기 웨이퍼 트랜스퍼를 제어하는 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함함을 특징으로 한다.
According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a semiconductor photo spinner facility comprises: a wafer cassette loader for loading a wafer cassette; An alignment stage and an index arm for taking out a wafer from the wafer cassette loaded into the wafer cassette loader; A plurality of spinner units performing a process of applying, side-rinsing and baking the photoresist to the taken out wafer; A wafer transfer unit having a main arm flowing in and out of each of the spinner units to transfer wafers on which each process has been performed in the spinner unit; At least one sensor installed inside the spinner unit and configured to sense a wafer loaded into the spinner unit by the main arm; And a controller configured to determine a teaching degree of the wafer by using the detection signal of the wafer detected by the sensor, and to output a control signal for controlling the spinner unit or the wafer transfer.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 포토 스피너 설비를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 도 4는 도 3의 센서를 나타내는 구성 단면도이다.3 is a perspective view schematically illustrating a semiconductor photo spinner facility according to the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a sensor of FIG. 3.

도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 포토 스피너 설비(200)는, 웨이퍼 카세트를 로딩하는 웨이퍼 카세트 로더(230)와, 상기 웨이퍼 카 세트 로더(230)에 로딩되는 상기 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼(270)를 취출하는 얼라인먼트 스테이지(240) 및 인덱스 암과, 상기 웨이퍼(270)에 포토레지스트를 도포하는 스핀 코터(210)와, 상기 포토레지스트를 도포한 웨이퍼(270)에 대하여 상기 웨이퍼(270) 에지의 포토레지스트를 제거하는 사이드 린스 장치(220)와, 상기 웨이퍼(270)에 대한 베이크 공정을 진행하는 베이크 장치(260)와, 상기 스핀 코터(210), 사이드 린스 장치(220) 및 베이크 장치(260)에서 각각의 공정을 수행되거나 각 공정이 완료된 웨이퍼(270)를 전송하기 위해 상기 스핀 코터(210), 사이드 린스 장치(220) 및 베이크 장치(260)의 외부에서 내부로 유출입되는 메인 상부암(251) 및 메인 하부암(252)을 구비고, 상기 웨이퍼 얼라인먼트 스테이지(240), 상기 스핀 코터(210), 사이드 린스 장치(220) 또는 베이크 장치(260)에서 상호간에 상기 웨이퍼(270)를 이송하는 웨이퍼 트랜스퍼(250)와, 스핀 코터(210), 사이드 린스 장치(220) 또는 베이크 장치(260)에서 각각의 내부에 설치되어 상기 메인 상부암(251) 또는 메인 하부암(252)에 의해 상기 스피너 유닛의 내부에 로딩되는 웨이퍼(270)를 감지하는 적어도 하나 이상의 센서(280)를 포함하여 구성된다. 도시되지는 않았지만, 상기 센서(280)에서 감지된 웨이퍼(270)의 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼(270)의 티칭 정도를 파악하고, 상기 스핀 코터(210), 사이드 린스 장치(220), 베이크 장치(260) 또는 상기 웨이퍼 트랜스퍼(250)를 제어하는 제어 신호를 출력하는 제어부를 더 포함하여 구성된다.3 to 4, the semiconductor photo spinner facility 200 according to the present invention includes a wafer cassette loader 230 for loading a wafer cassette, and the wafer loaded on the wafer cassette loader 230. The alignment stage 240 and the index arm which take out the wafer 270 from a cassette, the spin coater 210 which apply | coats a photoresist to the said wafer 270, and the wafer 270 which apply | coats the photoresist to the said Side rinse apparatus 220 for removing photoresist at the edge of wafer 270, Bake apparatus 260 for baking process for wafer 270, Spin coater 210, Side rinse apparatus 220 And the outside of the spin coater 210, the side rinse apparatus 220, and the baking apparatus 260 to transfer the wafer 270 having each process performed in the baking apparatus 260 or each process completed. outflow And a main upper arm 251 and a main lower arm 252 to be inserted therein, and the wafer alignment stage 240, the spin coater 210, the side rinse apparatus 220, or the bake apparatus 260 are mutually provided. The main upper arm 251 or the main lower arm installed inside the wafer transfer 250, the spin coater 210, the side rinse apparatus 220, or the baking apparatus 260, respectively, for transferring the wafer 270. And at least one sensor 280 for sensing the wafer 270 loaded into the spinner unit by 252. Although not shown, the teaching degree of the wafer 270 is determined using the detection signal of the wafer 270 detected by the sensor 280, and the spin coater 210, the side rinse apparatus 220, and the bake are detected. And a control unit for outputting a control signal for controlling the apparatus 260 or the wafer transfer 250.

여기서, 상기 스핀 코터(210), 사이드 린스 장치(220) 및 베이크 장치(260)는 스피너 유닛이라 일컬어지며, 상기 웨이퍼 트랜스퍼(250)에 의해 로딩되는 웨이 퍼(270)의 각 포토레지스트 도포 및 베이킹 공정이 진행된다. 이때, 상기 메인 상부암(251) 및 메인 하부암은 상기 스핀 코터(210), 사이드 린스 장치(220) 또는 베이크 장치(260) 내부에서 소정의 공정이 수행되거나, 상기 공정이 완료된 상기 웨이퍼(270)를 서로 번갈아서 로딩 또는 언로딩한다. Here, the spin coater 210, the side rinse apparatus 220, and the baking apparatus 260 are referred to as spinner units, and each photoresist coating and baking of the wafer 270 loaded by the wafer transfer 250 is performed. The process proceeds. In this case, the main upper arm 251 and the main lower arm have a predetermined process performed in the spin coater 210, the side rinse apparatus 220, or the baking apparatus 260, or the wafer 270 in which the process is completed. ) Alternately load or unload each other.

또한, 설명의 편의 상 상기 메인 상부암(251) 또는 메인 하부암(252)은 메인 암(253)으로 설명하며, 상기 메인 암(253)에 의해 로딩되어 상기 스피너 유닛 중에 하나인 상기 베이크 장치(260)에 위치되는 웨이퍼(270)의 티칭에 대한 설명으로 상기 스피너 유닛의 스핀 코터(210), 사이드 린스 장치에 위치되는 웨이퍼(270)의 티칭에 대한 설명을 대신하기로 한다.In addition, for convenience of description, the main upper arm 251 or the main lower arm 252 is described as a main arm 253, and the baking device loaded by the main arm 253 is one of the spinner units ( Description of the teaching of the wafer 270 positioned in the 260 will replace the teaching of the spin coater 210 of the spinner unit and the teaching of the wafer 270 positioned in the side rinse apparatus.

또한, 상기 베이크 장치(260)는 상기 스핀 코터(210)에 의해 도포된 포토레지스트에 함유된 솔벤트 또는 수분을 증발시켜 상기 포토레지스트를 상기 웨이퍼(270)에 고착시키는 장치로서, 상기 메인 암(253)에 의해 로딩 또는 언로딩되는 상기 웨이퍼(270)가 유출입될 수 있다. 물론, 상기 베이크 장치(260)는 외부광(예를 들어, 자외선)에 의한 상기 포토레지스트의 반응을 방지하기 위해 외부에 밀폐된 구조를 갖도록 설계되어 있다. In addition, the baking device 260 is a device for fixing the photoresist to the wafer 270 by evaporating solvent or moisture contained in the photoresist applied by the spin coater 210, and the main arm 253. The wafer 270 that is loaded or unloaded by) may flow in and out. Of course, the baking device 260 is designed to have an externally sealed structure to prevent the photoresist from reacting with external light (for example, ultraviolet light).

도시되지는 않았지만, 상기 베이크 장치(260)는 상기 메인 암(253)에 의해 로딩되는 상기 웨이퍼(270)를 수평하게 위치시키기 위해 적어도 3개 이상의 지지 핀이 형성되어 있고, 상기 지지 핀에 의해 하강되는 상기 웨이퍼(270)를 소정의 온도로 가열(heat) 또는 베이킹(baking)하는 베이크 플레이트가 형성되어 있다. 이때, 상기 지지 핀에 의해 지지되는 웨이퍼(270)는 수평으로 위치되어야만, 상기 웨 이퍼(270) 상에 도포되는 포토레지스트가 일측으로 쏠리지 않고 균일한 두께를 갖고 상기 웨이퍼(270) 상에 고착될 수 있다. Although not shown, the baking device 260 is formed with at least three support pins to horizontally position the wafer 270 loaded by the main arm 253, and is lowered by the support pins. A baking plate is formed to heat or bake the wafer 270 to a predetermined temperature. At this time, the wafer 270 supported by the support pin should be positioned horizontally, so that the photoresist applied on the wafer 270 is fixed to the wafer 270 with a uniform thickness without being squeezed to one side. Can be.

따라서, 본 발명에 따른 포토 스피너 설비는 상기 웨이퍼(270)를 감지하는 센서(280)를 이용하여 상기 지지 핀에 의해 수평으로 위치되는 웨이퍼(270)의 상태를 감지하고, 상기 웨이퍼(270)가 일측으로 기울어질 경우 상기 제어부는 상기 센서(280)의 감지신호를 입력받아 설비 전체에 인터락(inter lock) 신호를 출력하여 후속 공정을 중지시킬 수 있기 때문에 포토 공정에서의 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다. Therefore, the photo spinner device according to the present invention senses the state of the wafer 270 horizontally positioned by the support pin by using the sensor 280 that detects the wafer 270, and the wafer 270 is When tilted to one side, the control unit receives the detection signal of the sensor 280 and outputs an interlock signal to the entire facility to stop the subsequent process, thereby increasing or maximizing the production yield in the photo process. can do.

예컨대, 센서(280)는 상기 베이크 장치(260) 내에 위치되는 상기 웨이퍼(270)의 상하부 중 적어도 어느 한 곳에 설치되어 상기 웨이퍼(270)의 전면 또는 복수개의 특정 부분에서 각각의 거리를 측정함으로서 웨이퍼(270)의 수평 상태를 감지할 수 있다. For example, the sensor 280 is installed in at least one of the upper and lower portions of the wafer 270 located in the baking device 260 to measure the respective distances in front of the wafer 270 or a plurality of specific portions thereof. A horizontal state of 270 may be detected.

이때, 상기 센서(280)는 거리 측정에 필요한 소정의 주파수를 갖는 입사 전파(예를 들어, 가시광 이하의 주파수를 갖는 전파)를 생성하는 전파원과, 상기 전파원에서 생성된 입사 전파를 상기 웨이퍼(270)에 입사하는 입사부와, 상기 입사부에서 입사된 상기 전파가 상기 웨이퍼(270)에 의해 반사된 반사 전파를 수집하는 수집부를 포함하는 비 접촉방식의 센서(280)(예를 들어, 가시광 센서, 적외선 센서 또는 초음파 센서)뿐만 아니라, 상기 웨이퍼(270)의 표면에 직접 접촉되는 접촉방식의 센서(280)로 이루어질 수 있다.In this case, the sensor 280 is a radio wave source for generating an incident radio wave having a predetermined frequency (for example, a radio wave having a frequency of visible light or less) and the incident radio wave generated from the radio wave source to the wafer A non-contact sensor 280 (eg, including an incidence part incident to 270 and a collecting part collecting the reflected radio wave reflected by the wafer 270 from the radio wave incident from the incidence part) (eg, Visible light sensor, infrared sensor, or ultrasonic sensor), as well as a contact sensor 280 in direct contact with the surface of the wafer 270.

상기 비 접촉방식의 센서(280)는 상기 웨이퍼(270)의 상하면에 서 상기 웨이 퍼(270)의 수평 상태를 감지할 수 있지만, 상기 접촉방식의 센서(280)는 상기 포토레지스트가 도포되지 않은 웨이퍼(270)의 하부표면에 직접 접촉하여 상기 웨이퍼(270)의 수평 상태를 감지할 수 있다.The non-contact sensor 280 may detect a horizontal state of the wafer 270 on the upper and lower surfaces of the wafer 270, but the contact sensor 280 may not be coated with the photoresist. The horizontal state of the wafer 270 may be detected by directly contacting the lower surface of the wafer 270.

그리고, 상기 제어부는 상기 센서(280)에서 출력되는 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼(270)의 수평 상태를 파악할 수 있다. The controller may determine the horizontal state of the wafer 270 using the sensing signal output from the sensor 280.

한편, 이와 같이 구성된 본 발명의 반도체 포토 스피너 설비(200)의 동작에 대하여 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the operation of the semiconductor photo spinner facility 200 of the present invention configured as described above will be described.

먼저, 상기 포토레지스트가 도포된 웨이퍼(270)가 메인 암(253)에 의해 베이크 장치(260) 내의 지지 핀 상에 로딩되면, 상기 센서(280)는 상기 웨이퍼(270)의 상태를 감지하고, 상기 제어부는 상기 센서(280)에서 출력되는 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼(270)의 상태를 확인하여 상기 웨이퍼(270)가 수평 상태인지를 파악한다. 이때, 상기 제어부는 상기 웨이퍼(270)가 수평 상태를 유지하고 있을 경우 후속 공정을 진행시킬 수 있지만, 상기 웨이퍼(270)가 수평 상태를 유지하지 않고 일측으로 기울어질 경우, 반도체 포토 스피너 설비(200) 전체 또는 상기 베이크 장치(260)에 인터락 신호를 출력하여 후속 공정이 진행되지 않도록 제어 신호를 출력한다.First, when the photoresist-coated wafer 270 is loaded onto the support pin in the baking apparatus 260 by the main arm 253, the sensor 280 detects the state of the wafer 270, The controller checks the state of the wafer 270 by using the detection signal output from the sensor 280 to determine whether the wafer 270 is in a horizontal state. In this case, the controller may proceed to a subsequent process when the wafer 270 maintains the horizontal state, but when the wafer 270 is inclined to one side without maintaining the horizontal state, the semiconductor photo spinner facility 200 ) The control signal is output to prevent the subsequent process from proceeding by outputting the interlock signal to the whole or the baking apparatus 260.

예컨대, 상기 베이크 장치(260)에서 상기 웨이퍼(270)가 수평 상태를 유지하지 못하는 이유는 상기 베이크 장치(260)에 웨이퍼(270)를 로딩하는 메인 암(253)이 정상적인 위치에 웨이퍼(270)를 티칭시키지 못하는 것이 상기 웨이퍼(270)가 수평 상태를 유지하지 못하는 주된 원인일 수 있고, 상기 베이크 장치(260)에 충격이 가해져 상기 웨이퍼(270)가 이탈됨에 의한 상기 웨이퍼(270)가 기울어지도록 위치되는 원인이 될 수 있다. For example, the reason why the wafer 270 is not horizontal in the baking device 260 is that the main arm 253 loading the wafer 270 into the baking device 260 is in a normal position. Failure to teach may cause the wafer 270 not to maintain a horizontal state, and the wafer 270 is tilted due to an impact on the baking device 260 and the wafer 270 is separated. Can cause it to be located.

이후, 작업자는 상기 베이크 장치(260)에서 상기 웨이퍼(270)가 수평 상태를 유지하지 못하고 일측으로 기울어지도록 위치되는 원인을 해소하고, 상기 제어부에 의한 상기 베이크 장치(260)에서의 베이킹 공정을 진행시킬 수 있다. Thereafter, the worker eliminates the cause of the wafer 270 being positioned to be inclined to one side without maintaining the horizontal state in the baking apparatus 260, and proceeds the baking process in the baking apparatus 260 by the controller. You can.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 포토 스피너 설비(200)는 웨이퍼(270)의 수평 상태를 감지하는 센서(280)를 이용하여 스피너 유닛에 로딩되는 웨이퍼(270)의 티칭 불량에 따른 포토 공정 불량을 방지하여 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.Therefore, the semiconductor photo spinner device 200 according to the present invention prevents a photo process failure due to a teaching failure of the wafer 270 loaded in the spinner unit by using a sensor 280 that detects a horizontal state of the wafer 270. To increase or maximize production yield.

또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다. 예컨대, 베이크 장치(260) 내에 설치되는 센서(280)는 스피너 유닛의 어느 곳에서 설치되어 웨이퍼(270)의 수평 상태를 감지할 수 있다.
In addition, the description of the above embodiment is merely given by way of example with reference to the drawings in order to provide a more thorough understanding of the present invention, it should not be construed as limiting the present invention. In addition, for those skilled in the art, various changes and modifications may be made without departing from the basic principles of the present invention. For example, the sensor 280 installed in the baking apparatus 260 may be installed at any place of the spinner unit to detect a horizontal state of the wafer 270.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 수평 상태를 감지하는 센서를 이용하여 스피너 유닛에 로딩되는 웨이퍼의 티칭 불량에 따른 포토 공정 불량을 방지하여 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention as described above, by using a sensor for detecting the horizontal state of the wafer to prevent the photo process failure due to the teaching failure of the wafer loaded on the spinner unit has the effect of increasing or maximizing the production yield.

Claims (7)

웨이퍼 카세트를 로딩하는 웨이퍼 카세트 로더;A wafer cassette loader for loading a wafer cassette; 상기 웨이퍼 카세트 로더에 로딩되는 상기 웨이퍼 카세트에서 웨이퍼를 취출하는 얼라인먼트 스테이지 및 인덱스 암;An alignment stage and an index arm for taking out a wafer from the wafer cassette loaded into the wafer cassette loader; 상기 취출된 웨이퍼에 대하여 포토레지스트를 도포, 사이드 린스 및 베이킹하는 공정을 수행하는 복수개의 스피너 유닛; A plurality of spinner units performing a process of applying, side-rinsing and baking the photoresist to the taken out wafer; 상기 스피너 유닛에서 각각의 공정을 수행된 웨이퍼를 이송하기 위해 각 상기 스피너 유닛의 외부에서 내부로 유출입되는 메인 암을 구비하고, 상기 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 트랜스퍼;A wafer transfer unit having a main arm flowing in and out of each of the spinner units to transfer wafers on which each process has been performed in the spinner unit; 상기 스피너 유닛의 내부에 설치되고, 상기 메인 암에 의해 상기 스피너 유닛의 내부에 로딩되는 웨이퍼를 감지하는 적어도 하나 이상의 센서; 및 At least one sensor installed in the spinner unit and configured to sense a wafer loaded into the spinner unit by the main arm; And 상기 센서에서 감지된 상기 웨이퍼의 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼의 티칭 정도를 파악하고, 상기 스피너 유닛 또는 상기 웨이퍼 트랜스퍼를 제어하는 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 포토 스피너 설비.And a controller configured to determine a teaching degree of the wafer by using the detection signal of the wafer sensed by the sensor and to output a control signal for controlling the spinner unit or the wafer transfer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서는, 상기 웨이퍼의 전면 또는 복수개의 특정 부분에서 상기 웨이퍼의 거리를 측정함을 특징으로 하는 반도체 포토 스피너 설비.The sensor is a semiconductor photo spinner facility, characterized in that for measuring the distance of the wafer on the front surface or a plurality of specific portions of the wafer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서는, 상기 웨이퍼 비 접촉 방식 또는 접촉 방식을 사용함을 특징으로 하는 반도체 포토 스피너 설비.The sensor is a semiconductor photo spinner facility, characterized in that using the wafer non-contact method or contact method. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 비 접촉 방식의 센서는, 상기 웨이퍼의 상하부 중에서 적어도 어느 하나 이상에 설치됨을 특징으로 하는 반도체 포토 스피너 설비.The non-contact sensor is a semiconductor photo spinner facility, characterized in that installed on at least one of the upper and lower portions of the wafer. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 비 접촉 방식의 센서는, The non-contact sensor, 소정의 주파수를 갖는 입사 전파를 생성하는 전파원과, 상기 전파원에서 생성된 입사 전파를 상기 웨이퍼에 입사하는 입사부와, A radio wave source for generating incident radio waves having a predetermined frequency, an incidence portion that enters the incident radio waves generated by the radio wave sources into the wafer, 상기 입사부에서 입사된 입사 전파에 의해 상기 웨이퍼에서 반사된 반사 전파를 감지하는 수집부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 포토 스피너 설비.And a collector configured to detect the reflected radio wave reflected from the wafer by the incident radio wave incident from the incident part. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 입사 전파 및 반사 전파는 가시광 영역 이하의 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 포토 스피너 설비.And said incident and reflected radio waves have a frequency below the visible light region. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 접촉 방식의 센서는 상기 웨이퍼의 하부표면에 직접 접촉하여 상기 웨이퍼의 수평 상태를 감지함을 특징으로 하는 반도체 포토 스피너 설비.The contact type sensor is a semiconductor photo spinner facility, characterized in that the direct contact with the lower surface of the wafer to detect the horizontal state of the wafer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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