KR20060010768A - 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 - Google Patents

반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 Download PDF

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KR20060010768A
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스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤
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Abstract

에폭시 수지, 페놀 수지, 무기 충전재, 경화 촉진제 및 1×102Ω·㎝ 이상, 1×107Ω·㎝ 미만의 반도체 영역에 전기 비저항값을 갖는 탄소 전구체를 필수 성분으로 하여, 전체 에폭시 수지 조성물 중에 상기 무기 충전재를 65∼92중량%, 상기 탄소 전구체를 0.1∼5.0중량% 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하면, 우수한 YAG 레이저 마킹성을 얻을 수 있는 동시에, 배선의 쇼트나 리크 전류의 발생 등의 전기 불량이나 금선 변형을 발생하지 않는다.

Description

반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 레이저 마킹성 및 전기 특성이 우수한 반도체 봉지(封止)용 에폭시 수지 조성물, 및 이것을 이용한 반도체 장치에 관한 것이다.
종래, 주로 에폭시 수지 조성물로 봉지된 반도체 장치는, 그 조성에 착색제로서 도전성을 갖는 카본블랙을 포함하고 있다. 착색제로서 카본블랙을 함유하는 에폭시 수지 조성물을 사용하면, 반도체 소자의 차폐성이 우수한 동시에, 반도체 장치에 품명이나 로트 번호 등을 흰 글자로 마킹할 때, 배경이 검기 때문에 보다 선명한 인자(印字)를 얻을 수 있다. 특히, 최근에는 취급이 용이한 YAG 레이저 마킹을 채용하는 전자 부품 메이커가 증가하고 있어, YAG 레이저의 파장을 흡수하는 카본블랙은, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에서의 필수의 성분으로 되어 있다.
YAG 레이저 마킹에 적합한 에폭시 수지 조성물로서는, 카본 함유량이 99.5중량% 이상, 수소 함유량이 0.3중량% 이하인 카본블랙을 조성물 중, 0.1∼3중량% 함유하는 열 경화성 수지 조성물이 알려져 있다(일본국 특개평 2-127449호 공보).
그러나, 최근의 반도체 장치의 파인피치화에 따라서, 도전성 착색제인 카본블랙 등이 거칠고 큰 입자로서 인너 리드 사이, 금선 사이에 존재하는 경우, 배선 의 쇼트 및 리크 전류의 발생과 같은 전기 특성 불량을 발생하는 경우가 있다. 또 카본블랙 등의 거칠고 큰 입자가 좁아진 금선 사이에 끼워짐으로써 금선이 응력을 받아, 이것도 전기 특성 불량의 원인이 된다.
이들의 문제를 해결하는 것으로서, 일본국 특개 2001-335677호 공보에는, 카본블랙의 대체품으로서, 전기 저항이 107Ω 이상인 비도전 카본을 함유하는 봉지용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 상기 봉지용 에폭시 수지 조성물에 의해 봉지된 소자를 구비한 전자 부품 장치는, YAG 레이저 마크성이 양호하고, 리크 전류가 발생하지 않으며, 성형성 및 패키지 표면의 외관이 우수한 것이다.
그러나, 전기 저항이 107Ω 이상인 비도전성 카본을 함유하는 봉지용 에폭시 수지 조성물로 봉지된 소자를 구비한 전자 부품 장치는, 배선의 쇼트나 리크 전류의 발생을 방지할 수 있지만, 절연성이 높기 때문에 정전기에 의해 입경 약 80㎛ 이상의 재응집물이 생성되어 버려, 상기 재응집물이 금선 사이에 끼워져 금선 변형이나 금선 흐름을 발생하기 때문에, 전기 특성이 충분하지 않다는 문제가 있다. 이와 같이, 전기 비저항값이 높고 또한 정전기에 의한 재응집물이 발생하지 않는 에폭시 수지 조성물은 아직 보고된 예가 없고, 개발이 강하게 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 우수한 YAG 레이저 마킹성을 얻을 수 있는 동시에, 배선의 쇼트나 리크 전류의 발생이 일어나지 않고, 금선 변형 등을 발생하지 않는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물, 및 이것을 이용한 반도체 장치를 제공하는 것이다.
이러한 실정에서, 본 발명자는 예의 검토를 행한 결과, 착색제로서, 1×102Ω·㎝ 이상, 1×107Ω·㎝ 미만의 반도체 영역에 전기 비저항값을 갖는 탄소 전구체를 함유시킨 에폭시 수지 조성물이, 우수한 YAG 레이저 마킹성을 얻을 수 있는 동시에, 배선의 쇼트나 리크 전류의 발생이 일어나지 않고, 금선 변형 등을 발생하지 않는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하는 데에 이르렀다.
즉, 본 발명은 에폭시 수지, 페놀 수지, 무기 충전재, 경화 촉진제, 1×102Ω·㎝ 이상, 1×107Ω·㎝ 미만의 반도체 영역에 전기 비저항값을 갖는 탄소 전구체를 필수 성분으로 하는 에폭시 수지 조성물로서, 전체 에폭시 수지 조성물 중에 상기 무기 충전재를 65∼92중량%, 상기 탄소 전구체를 0.1∼5.0중량% 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
또, 본 발명은, 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 봉지하여 이루어지는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 반도체 소자의 봉지에 이용한 경우, 흑색의 배경에 YAG 레이저로 마킹한 부분이 희고, 선명한 콘트라스트를 얻을 수 있다. 또, YAG 레이저에 의한 양호한 인자자 고속, 또한 저전압으로 얻어지기 때문에, 생산 효율이 향상한다. 또 착색제로서 카본블랙 등의 도전성 입자를 이용할 필요가 없기 때문에, 최근의 반도체 장치의 파인피치화에 따라서, 도전성 입자가 배선 사이에 채워지는 것에 의한 배선의 쇼트나 리크 전류의 발생을 회피할 수 있다. 또한 반도체 영역의 전기 비저항값을 갖는 탄소 전구체를 사용함으로써, 정전기에 의한 재응집을 방지하여, 상기 재응축물이 금선 사이에 끼워져 금선 변형을 발생할 위험성도 회피할 수 있다.
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지, 페놀 수지, 무기 충전재, 경화 촉진제, 및 탄소 전구체를 필수 성분으로서 함유한다. 본 발명에 이용하는 에폭시 수지로서는, 특별히 제한되지 않고, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것으로, 예를 들면, 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 스틸벤젠형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 및 나프톨형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들의 에폭시 수지는, 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 또, 상기 에폭시 수지는, 에폭시 당량이 150∼300인 것이, 에폭시 수지 조성물의 경화성의 점에서 바람직하다.
본 발명에 이용하는 페놀 수지로서는, 특별히 제한되지 않고, 분자 중에 페놀성 수산기를 갖는 것으로, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 페놀 아랄킬 수지, 트리페놀메탄형 수지 및 테르펜 변성 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들의 페놀 수지는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다. 또 상기 페놀 수지는, 수산기 당량이 80∼250인 것이, 에폭시 수지 조성물의 경화성의 점에서 바람직하다.
본 발명에 이용하는 무기 충전재로서는, 특별히 제한은 없고, 일반적으로 봉 지 재료에 이용되고 있는 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 용융 파쇄 실리카, 용융 구상 실리카, 결정 실리카, 알루미나, 티탄화이트, 수산화알루미늄, 탈크, 클레이 및 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들의 무기 충전재의 입도 분포로서는, 특별히 제한되지 않지만, 입경 150㎛ 이하, 바람직하게는 0.1∼75㎛의 것이, 성형시, 금형의 세부로의 충전이 가능한 점에서 바람직하다.
무기 충전재의 첨가량은, 전체 에폭시 수지 조성물 중, 65∼92중량%, 바람직하게는 70∼91중량%이다. 상기의 하한값 미만이면 수지 성분이 많아져 YAG 레이저 마킹에 의해 열 변색을 받기 쉽게 되어, 선명한 콘트라스트를 얻기 위해서는, 수지 성분의 열 변색 방지제 등의 별도의 첨가제의 첨가가 필요해진다. 또 에폭시 수지 조성물의 경화물의 흡습률이 높아지기 때문에, 내납땜크랙성이나 내습성 등의 특성이 불충분하게 되는 점에서 바람직하지 않다. 또, 상기의 상한값을 넘으면, 유동성이 불충분해지기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명에 이용하는 경화 촉진제로서는, 에폭시기와 페놀성 수산기의 반응을 촉진하는 것이면 특별히 제한되지 않고, 일반적으로 봉지 재료에 사용되고 있는 것을 이용할 수 있다. 상기 경화 촉진제를 예시하면, 1,8-디아자비시클로(5, 4, 0) 운데센-7, 트리페닐포스핀, 벤질디메틸아민 및 2-메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 이들의 경화 촉진제는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다.
본 발명에 이용하는 탄소 전구체는, 1×102Ω·㎝ 이상, 1×107Ω·㎝ 미만, 바람직하게는 1×104Ω·㎝∼1×107Ω·㎝의 반도체 영역에 전기 비저항값을 갖는 것이다. 또, 상기 탄소 전구체는, H/C중량% 비가, 2/97∼4/93, 바람직하게는 2/97∼4/94이다. 전기 비저항값이 1×102Ω·㎝ 미만 또는 H/C중량% 비가 2/97 미만에서는, 도전성이 높아져 리크 전류의 원인이 되는 점에서 바람직하지 않다. 또 전기 비저항값이 1×107Ω·㎝를 넘거나 또는 H/C중량% 비가 4/93을 넘으면, 절연 영역으로 근접하기 때문에, 탄소 전구체 입자가 정전기에 의해서 재응집을 일으키기 쉬워져, 봉지 성형시에 금선 변형 등을 발생할 우려가 있으므로 바람직하지 않다. H/C중량% 비가 2/97∼4/93이란, 원소 분석에 의한 탄소 전구체의 카본 함유량이 97∼93중량%이고, 수소 원자 함유량이 2∼4중량%인 것을 말한다. 또, 탄소 전구체는 평균 입경이 0.5∼50㎛, 바람직하게는 0.5∼20㎛의 미립자이다. 탄소 전구체의 평균 입경이 0.5㎛ 미만이면, YAG 레이저 마킹성이 저하하여 바람직하지 않고, 평균 입경이 50㎛를 넘으면 착색력이 떨어져 외관을 손상시키는 점에서 바람직하지 않다. 봉지 성형물 중, 약 80㎛를 넘는 응집물이 존재하면 금선 변형이 생기기 쉬워지지만, 본 발명의 탄소 전구체를 함유하는 봉지용 수지 조성물을 이용하면 이와 같은 응집물이 발생하지 않기 때문에, 금선에 응력이 가해지지 않고 전기 특성이 우수한 것이 된다.
상기 전기 비저항값은, 공지의 방법으로 구할 수 있다. 구체적으로는 JISZ3197에 준거한 방법으로 측정할 수 있다. 즉, 빗살형 패턴이 있는 유리 천(布) 기재 에폭시 수지 구리 피복(銅張) 적층판의 G-10 또는 SE-4를 기재(其材)로 하여, 상기 기재에 플럭스를 도포한 후, 납땜을 행하여, 온도 25℃, 상대 습도 60% 하, 저항계에 의해 직류 100V에서의 저항값을 측정한다.
본 발명에 이용하는 탄소 전구체의 제조 방법으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 레졸 수지, 페놀 수지, 폴리아크릴로니트릴 등의 방향족 폴리머를 예를 들면 600℃ 이상, 650℃ 이하의 소성 온도로 적절한 시간 소성하여 탄화한 것을 들 수 있다. 상기 제조 방법에서 얻어진 탄소 전구체는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 이용해도 된다.
탄소 전구체의 첨가량은, 전체 에폭시 수지 조성물 중에 0.1∼5.0중량%, 바람직하게는 0.3∼5.0중량%이다. 탄소 전구체의 첨가량이 0.1중량% 미만이면 경화물의 흑색도가 저하하여, 경화물 자체의 색이 연회색이 되어 버리기 때문에, 인자의 백색과 배경의 흑색이 선명한 콘트라스트를 얻을 수 없는 점에서 바람직하지 않다. 또, 5.0중량%을 넘으면, 반도체 봉지용 에폭시 수지의 유동성이 저하하는 점에서 바람직하지 않다.
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 상기 필수의 성분 외, 필요에 따라서 커플링제, 난연제, 이형제, 저응력제, 산화 방지제 등의 각종 첨가제를 적절히 배합해도 된다.
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 상기 필수의 성분 및 그 외의 첨가제 등을 믹서 등으로 균일하게 상온 혼합한 후, 가열 롤, 반죽기(kneader) 또는 압출기 등의 혼련기로 용융 혼련하여, 상기 혼련물을 냉각한 후 분쇄하여 얻어진다.
본 발명의 반도체 장치는, 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하 여 반도체 등의 전자 부품을 봉지함으로써 제조된다. 본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 전자 부품을 봉지하는 방법으로서는, 예를 들면 트랜스퍼 몰드, 컴프레션 몰드, 인젝션 몰드 등의 성형 방법을 들 수 있다.
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 이것은 단지 예시로서, 본 발명을 제한하는 것이 아니다.
실시예 1
제1표의 배합 성분을 믹서로 상온 혼합하여, 80∼100℃의 가열 롤로 용융 혼련하여, 상기 혼련물을 냉각한 후, 분쇄하여 에폭시 수지 조성물을 얻었다. 얻어진 에폭시 수지 조성물은 이하의 평가 방법으로 평가하였다. 그 결과를 제2표에 나타낸다.
(제1표)
Figure 112005061872913-PCT00001
<평가 방법>
(스파이럴 플로우)
EMMI-1-66에 준한 금형을 이용하여, 금형 온도 175℃, 주입 압력 6.9㎫, 보압(保壓) 시간 120초 하의 유동 거리를 측정(㎝)하였다. 스파이럴 플로우 판정의 기준은, 100㎝ 미만을 불합격, 100㎝ 이상을 합격으로 하였다.
(YAG 레이저 마킹성)
저압 트랜스퍼 성형기를 이용하여, 금형 온도 175℃, 주입 압력 6.9㎫, 보압 시간 120초로 80pQFP(2.7㎜ 두께)를 성형하고, 또한 175℃, 8시간으로 포스트 큐어하였다. 다음에, 마스크 타입의 YAG 레이저 날인기(닛폰덴키사제)를 이용하여, 인가 압력 2.4㎸, 펄스폭 120㎲의 조건으로 마킹하여, 인자의 시인성(視認性)(YAG 레이저 마킹성)을 평가하였다. 인자가 선명한 것을 합격으로 하였다.
(외관 관찰)
저압 트랜스퍼 성형기를 이용하여, 금형 온도 175℃, 주입 압력 6.9㎫, 경화 시간 70초로 80pQFP(14×20×2.0㎜ 두께)를 성형하여, 12개의 패키지를 얻었다. 외관(경화물의 색)을 눈으로 관찰하였다. 흑색을 합격으로 하고, 회색을 불합격으로 하였다.
(내납땜 크랙성)
저압 트랜스퍼 성형기를 이용하여, 금형 온도 175℃, 주입 압력 6.9㎫, 보압 시간 120초로 80pQFP(2.7㎜ 두께)를 22개 성형하고, 또한 175℃, 8시간으로 포스트 큐어하였다. 다음에, 150℃에서 20시간 건조시킨 후, 항온 항습조(85℃, 상대 습도 60%)에 168시간 가습 처리 후, JEDEC 조건의 피크 온도 235℃에서 IR 리플로우 처리하여, 외부 크랙의 유무를 광학 현미경으로 관찰하였다. 불량품의 개수가 n개 일 때, n/22로 표시하였다. 또 흡습 전후의 중량 변화로부터 흡습률을 중량%로 산출하였다.
(고온 리크 특성)
저압 트랜스퍼 성형기를 이용하여, 금형 온도 175℃, 주입 압력 7.8㎫, 보압 시간 90초에서 금선 접합 사이가 60㎛ 피치인 테스트용 칩에 직경 30㎛의 금선을 배치한 144pTQFP를 100개 봉지 성형하였다. 다음에, ADVANTEST제의 미소 전류계 8240A를 이용하여 리크 전류를 측정하였다. 판단 기준은 175℃에서 리크 전류가 그 중간(median)값보다 2오더 높아진 경우를 불량으로 하였다. 불량품의 개수가 n개일 때, n/100으로 표시하였다.
(응집물 평가)
저압 트랜스퍼 성형기를 이용하여, 금형 온도 175℃, 주입 압력 6.9㎫, 보압 시간 120초에서 100㎜Ø의 원판을 성형하였다. 이 표면을 연마하여, 연마면을 형광 현미경(「BX51M-53MF」올림푸스사제)으로 관찰하여, 80㎛ 이상의 응집물 개수를 측정하였다.
(금선 변형 평가)
저압 트랜스퍼 성형기를 이용하여, 금형 온도 175℃, 주입 압력 7.8㎫, 보압 시간 90초에서 금선 접합 사이가 60㎛ 피치인 테스트용 칩에 길이 3㎜, 직경 25㎛의 금선을 배치한 144pTQFP를 봉지 성형하였다. 다음에, X선을 조사하여 패키지 내부의 금선을 비파괴로 관찰할 수 있는 연(軟)X선 장치 PRO-TEST-100(소프텍사제)을 이용하여 금선 흐름을 측정하였다. 금선의 길이 방향에 대해서 수직인 방향에 서의 변형의 최대 변형량을 a로 하고, 금선 길이를 b로 하였을 때, a/b×100(%)를 최대 금선 흐름률로 하였다. 판단 기준은 최대 금선 흐름이 3% 이상이 된 경우를 불량으로 하였다.
실시예 2∼실시예 4
탄소 전구체 A의 배합량 1.0 중량부 대신에, 1.8 중량부(실시예 2), 3.0중량부(실시예 3), 0.5중량부(실시예 4)로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 행하였다. 또한, 탄소 전구체 A의 배합량의 변화에 따라서, 구상(球狀) 용융 실리카의 배합량을 조정하였다.
실시예 5
탄소 전구체 A 대신에, 하기 탄소 전구체 B를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 그 결과를 제2표에 나타낸다.
탄소 전구체 B ; 평균 입경 15㎛의 구상 페놀 수지를 건조시킨 후, 650℃에서 4시간 소성하여 탄소 전구체 B를 수율 99%로 얻었다. 얻어진 탄소 전구체 B의 물성은 수소/탄소 중량% 비=2/97, 평균 입경 10㎛, 최대 입경 30㎛, 전기 비저항값 1×104Ω·㎝이었다.
실시예 6
탄소 전구체 A 1.0중량부 대신에, 하기 탄소 전구체 C 3.0중량부를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 또한, 탄소 전구체 A의 배합량의 변화에 따라서, 구상 용융 실리카의 배합량을 조정하였다. 그 결과를 제2표에 나타낸다.
탄소 전구체 C ; 평균 입경 65㎛의 구상 페놀 수지를 건조시킨 후, 600℃에서 4시간 소성하여 탄소 전구체 C를 수율 99%로 얻었다. 얻어진 탄소 전구체 C의 물성은 수소/탄소 중량% 비=3/96, 평균 입경 45㎛, 최대 입경 60㎛, 전기 비저항값 1×106Ω·㎝이었다.
실시예 7
탄소 전구체 A 대신에, 하기 탄소 전구체 D를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 그 결과를 제2표에 나타낸다.
탄소 전구체 D ; 평균 입경 1.5㎛의 구상 페놀 수지를 건조시킨 후, 600℃에서 4시간 소성하여 탄소 전구체 D를 수율 99%로 얻었다. 얻어진 탄소 전구체 D의 물성은 수소/탄소 중량% 비=3/96, 평균 입경 1㎛, 최대 입경 10㎛, 전기 비저항값 1×106Ω·㎝이었다.
비교예 1
배합 성분의 첨가량을 제2표에 나타내는 값으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 행하였다. 즉, 비교예 1은 구상 용융 실리카의 배합량을 에폭시 수지 조성물 중, 92중량부를 넘는 93중량부로 한 것이다. 그 결과를 제3표에 나타낸다.
비교예 2
탄소 전구체 A의 배합량 1.0중량부 대신에, 배합량 7.0중량부로 한 것 이외 에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 행하였다. 또한, 탄소 전구체 A의 배합량의 변화에 따라서, 구상 용융 실리카의 배합량을 조정하였다. 그 결과를 제3표에 나타낸다.
비교예 3
탄소 전구체 A의 배합량 1.0 중량부 대신에, 배합량 0.1중량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 행하였다. 또한, 탄소 전구체 A의 배합량의 변화에 따라서, 구상 용융 실리카의 배합량을 조정하였다. 그 결과를 제3표에 나타낸다.
비교예 4
탄소 전구체 A 대신에, 하기 탄소 전구체 E를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 그 결과를 제3표에 나타낸다.
탄소 전구체 E ; 평균 입경 80㎛의 페놀 수지를 건조시킨 후, 500℃에서 4시간 소성하여 탄소 전구체 E를 수율 99%로 얻었다. 얻어진 탄소 전구체 E의 물성은 수소/탄소 중량% 비=6/92, 평균 입경 55㎛, 최대 입경 70㎛, 전기 비저항값 1×1010Ω·㎝이었다.
비교예 5
탄소 전구체 A 대신에, 하기 탄소 전구체 F를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 그 결과를 제3표에 나타낸다.
탄소 전구체 F ; 평균 입경 4.5㎛의 페놀 수지를 건조시킨 후, 520℃에서 4 시간 소성하여 탄소 전구체 F를 수율 99%로 얻었다. 얻어진 탄소 전구체 F의 물성은 수소/탄소 중량% 비=5/92, 평균 입경 3㎛, 최대 입경 15㎛, 전기 비저항값 1×109Ω·㎝이었다.
비교예 6
탄소 전구체 A 대신에, 하기 탄소 전구체 G를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 그 결과를 제3표에 나타낸다.
탄소 전구체 G ; 평균 입경 4.5㎛의 페놀 수지를 건조시킨 후, 550℃에서 4시간 소성하여 탄소 전구체 G를 수율 99%로 얻었다. 얻어진 탄소 전구체 G의 물성은 수소/탄소 중량% 비=5/93, 평균 입경 3㎛, 최대 입경 15㎛, 전기 비저항값 1×108Ω·㎝이었다.
비교예 7
탄소 전구체 A 1.0 중량부 대신에, 하기 카본블랙 A 0.5중량부를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 행하였다. 또한, 탄소 전구체 A의 배합량의 변화에 따라서, 구상 용융 실리카의 배합량을 조정하였다. 그 결과를 제3표에 나타낸다.
카본블랙 A ;「MA(600)」,(미츠비시화학사제, 수소/탄소 중량% 비=1.5/98, 합계(aggregate) 사이즈 300㎚, 덩어리(agglomerate) 사이즈 100㎛, 전기 비저항값 4×10-1Ω·㎝)
(제2표)
Figure 112005061872913-PCT00002
(제3표)
Figure 112005061872913-PCT00003
본 발명의 반도체 장치는, 반도체 장치 제조 분야 및 상기 반도체 장치를 사용하는 전자 부품에 유용하고, 특히 금선 사이가 좁고 또한 YAG 레이저 마킹을 채용하는 반도체 장치에 적합하다. 또, 본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은, 특히 금선 사이가 좁고 또한 YAG 레이저 마킹을 채용하는 반도체 장치를 봉지하는 에폭시 수지를 제조할 때에 유용하다.

Claims (8)

  1. 에폭시 수지, 페놀 수지, 무기 충전재, 경화 촉진제, 및 1×102Ω·㎝ 이상, 1×107Ω·㎝ 미만의 반도체 영역에 전기 비저항값을 갖는 탄소 전구체를 필수 성분으로 하는 에폭시 수지 조성물로서, 전체 에폭시 수지 조성물 중에 상기 무기 충전재를 65∼92중량%, 상기 탄소 전구체를 0.1∼5.0중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 탄소 전구체는, 원소 분석에 의한 H/C 중량% 비가, 2/97∼4/93인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 탄소 전구체는, 평균 입경이 0.5∼50㎛의 미립자인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 탄소 전구체는, 평균 입경이 0.5∼20㎛의 미립자인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 탄소 전구체의 전기 비저항값은, 1×104Ω·㎝ 이상, 1×107Ω·㎝ 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 전체 에폭시 수지 조성물 중에 상기 무기 충전재를 70∼91중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 탄소 전구체는, 페놀 수지를 600℃ 이상, 650℃ 이하의 소성 온도로 소성하여 탄화한 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 봉지하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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