KR20060000745A

KR20060000745A - Electroluminescence display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR20060000745A
Application number: KR1020040049709A
Authority: KR
Inventors: 정창용; 조유성; 강태욱; 김창수
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2004-06-29
Filing date: 2004-06-29
Publication date: 2006-01-06
Also published as: KR100615227B1

Abstract

본 발명은 화소 정의막으로부터의 아웃 개스량을 감소시키고 상기 아웃 개스에 의한 발광부의 열화를 방지할 수 있도록 복수개의 경화층을 구비한 화소 정의막을 구비하고, 또한 열전사법을 이용한 후공정을 용이하도록 하기 위해 두께가 충분히 얇은 화소 정의막을 구비하는 전계발광 디스플레이 장치를 위하여, 기판과, 상기 기판 상에 구비된 복수의 화소 전극들 및 상기 화소 전극들 사이에 구비되는 화소 정의막들을 구비하고, 상기 각 화소 정의막은 적어도 하나의 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공한다.The present invention includes a pixel defining film having a plurality of hardened layers so as to reduce the amount of out gas from the pixel defining film and to prevent deterioration of the light emitting portion caused by the out gas, and to facilitate post-processing using a thermal transfer method. In order to provide an electroluminescent display device having a pixel definition layer having a sufficiently thin thickness, a substrate, a plurality of pixel electrodes provided on the substrate, and pixel definition layers provided between the pixel electrodes are provided. The pixel defining layer includes at least one cured layer, and provides a light emitting display device and a method of manufacturing the same.

Description

전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법{Electroluminescence display device and method of manufacturing the same}Electroluminescent display device and method of manufacturing the same {Electroluminescence display device and method of manufacturing the same}

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치의 회로를 개략적으로 도시하는 회로도.1 is a circuit diagram schematically showing a circuit of an active matrix type electroluminescent display device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A 부분을 도시하는 회로도.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating portion A of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1 및 도 2의 A 부분을 개략적으로 도시한 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치의 평면도.3 is a plan view of an active matrix type electroluminescent display device schematically showing part A of FIGS. 1 and 2.

도 4는 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치의 부화소부를 도 3의 P1 내지 P7 을 따라 취하여 도시한 단면도.FIG. 4 is a cross-sectional view of the subpixel unit of the active matrix type electroluminescent display device taken along the lines P1 to P7 of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치를 도시하는 단면도.5 is a cross-sectional view showing an active matrix electroluminescent display device according to another preferred embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치를 도시하는 단면도.6 is a cross-sectional view showing an active matrix electroluminescent display device according to another preferred embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치를 도시하는 단면도.7 is a sectional view showing an active matrix electroluminescent display device according to another preferred embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치를 도시하는 단면도.8 is a sectional view showing an active matrix electroluminescent display device according to another preferred embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치를 도시하는 단면도.9 is a cross-sectional view showing an active matrix electroluminescent display device according to another preferred embodiment of the present invention.

도 10, 도 11 및 도 13 내지 도 15는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법을 도시하는 단면도들. 10, 11, and 13 to 15 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an active matrix type electroluminescent display device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 12는 화소 정의막 재료를 소성하여 그 표면에 경화층이 형성된 것을 보여주는 사진.12 is a photograph showing that a cured layer is formed on a surface of the pixel defining layer material by firing.

도 16 내지 도 20은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법을 도시하는 단면도들.16 to 20 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an active matrix electroluminescent display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

101 : 콘트롤러 102 : 데이터 드라이버 101: controller 102: data driver

103 : 스캔 드라이버 110 : 제 1 박막 트랜지스터 103: scan driver 110: first thin film transistor

111 : 제 1 게이트 전극 112 : 제 1 소스 전극 111: first gate electrode 112: first source electrode

113 : 제 1 드레인 전극 120 : 제 1 도선 113: first drain electrode 120: first conductive line

130 : 제 2 도선 140 : 스토리지 커패시터 130: second lead 140: storage capacitor

150, 250, 350, 450, 550 : 제 2 박막 트랜지스터 150, 250, 350, 450, 550: second thin film transistor

151, 251, 351, 451, 551 : 제 2 게이트 전극 151, 251, 351, 451, 551: second gate electrode

152, 252, 352, 452, 552 : 제 2 소스 전극 152, 252, 352, 452, 552: second source electrode

153, 253, 353, 453, 553 : 제 2 드레인 전극 153, 253, 353, 453, 553: second drain electrode

160, 260, 360, 460, 560 : 표시부 161, 261, 361, 461, 561 : 화소 전극160, 260, 360, 460, 560: display unit 161, 261, 361, 461, 561: pixel electrode

162, 262, 362, 462, 562 : 대향 전극 170: 제 3 도선162, 262, 362, 462, 562: counter electrode 170: third conductive wire

180, 280, 380, 480, 580 : 반도체층 180, 280, 380, 480, 580: semiconductor layer

181, 281, 381, 481, 581 : 기판 181, 281, 381, 481, 581: substrate

182, 282, 382, 482, 582 : 버퍼층182, 282, 382, 482, 582: buffer layer

183, 283, 383, 483, 583 : 게이트 절연막 183, 283, 383, 483, 583: gate insulating film

184, 284, 384, 484, 584 : 층간 절연막 184, 284, 384, 484, 584: interlayer insulation film

185, 285, 385, 485, 585 : 제 1 보호막 185, 285, 385, 485, 585: first protective film

186, 286, 386, 486, 586 : 화소 정의막 186, 286, 386, 486, 586: pixel defining layer

187, 287, 387, 487, 587 : 중간층187, 287, 387, 487, 587: middle layer

189, 289, 389, 489, 589 : 제 2 보호막189, 289, 389, 489, 589: second protective film

본 발명은 전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 화소 정의막으로부터의 아웃 개스량을 감소시키고 상기 아웃 개스에 의한 발광부의 열화를 방지할 수 있도록 복수개의 경화층을 구비한 화소 정의막을 구비하고, 또한 열전사법을 이용한 후공정을 용이하도록 하기 위해 두께가 충분히 얇은 화소 정의막을 구비하는 전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent display device and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to an electroluminescent display device and a method of manufacturing the same. The present invention relates to an electroluminescent display device having a pixel definition film and having a pixel definition film having a sufficiently thin thickness to facilitate a post-process using a thermal transfer method, and a method of manufacturing the same.

전계발광 소자, 특히 유기 전계발광 소자는 전극으로 사용되는 ITO로부터의 산소에 의한 발광층의 열화, 발광층-계면간의 반응에 의한 열화, 화소 정의막으로부터의 아웃 개스에 의한 발광층의 열화 등 내적 요인에 의한 열화가 있는 동시에 외부의 수분, 산소, 자외선 및 소자의 제작 조건 등 외적 요인에 의해 쉽게 열화가 일어나는 단점을 가지고 있다. Electroluminescent devices, in particular organic electroluminescent devices, are caused by internal factors such as deterioration of the light emitting layer by oxygen from ITO used as electrodes, deterioration by reaction between the light emitting layer-interface, and deterioration of the light emitting layer by outgas from the pixel defining layer. At the same time, there is a deterioration easily due to external factors such as external moisture, oxygen, ultraviolet rays, and fabrication conditions of the device.

이러한 열화 요인 중 외부의 산소와 수분에 의한 열화는 유기 전계발광 소자 등으로 구비된 표시부 상으로 유기물 또는 무기물을 이용하여 형성된 보호막을 구비함으로써 방지할 수 있다. 이 경우 유기막만으로 또는 무기막만으로 보호막을 형성할 경우에는 상기 막 내부에 형성된 미세한 통로를 통해 외부로부터 산소나 수분 등이 침투할 수 있으므로 유기막과 무기막을 교대로 증착한 유무기 복합막을 이용한 다중 박막 보호막이 구비되도록 하여 이를 방지한다.Among these deterioration factors, deterioration due to external oxygen and moisture can be prevented by providing a protective film formed by using an organic material or an inorganic material on a display part provided with an organic electroluminescent device or the like. In this case, in the case of forming the protective film using only the organic film or only the inorganic film, oxygen or moisture may penetrate from the outside through the minute passage formed in the inside of the film. A thin film protective film is provided to prevent this.

그러나 상기 열화 요인 중 화소 정의막으로부터의 아웃 개스에 의한 발광층의 열화는 이러한 보호막 등으로 방지할 수 없다는 문제점이 있다.However, the deterioration of the light emitting layer due to the out gas from the pixel defining layer is one of the deterioration factors.

또한, 유기 전계발광 디스플레이 장치를 제조함에 있어서 화소 정의막들을 형성한 후 상기 화소 정의막들 사이에 발광층 등으로 구비되는 중간층을 형성하는 바, 이러한 중간층을 형성하는 방법은 여러 가지가 있으나 그 중 열전사를 이용한 방법인 리티(LITI : Laser induced thermal image) 방법을 이용하기 위해서는 상기 화소 정의막의 두께가 5000Å 이하인 것이 좋다. 그러나 현재의 화소 정의막의 두께는 대략 1.5㎛ 내지 2㎛이므로 상기 열전사법을 이용하기 어렵다는 문제점이 있다.Further, in manufacturing an organic electroluminescent display device, after forming pixel defining layers, an intermediate layer formed as a light emitting layer or the like is formed between the pixel defining layers. There are various methods of forming such an intermediate layer, among which thermoelectrics are used. In order to use a laser induced thermal image (LITI) method, it is preferable that the thickness of the pixel defining layer is 5000 Å or less. However, since the thickness of the current pixel defining layer is approximately 1.5 µm to 2 µm, it is difficult to use the thermal transfer method.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 화소 정의막으로부터의 아웃 개스량을 감소시키고 상기 아웃 개스에 의한 발광부의 열화를 방지할 수 있도록 복수개의 경화층을 구비한 화소 정의막을 구비하고, 또한 열전사법을 이용한 후공정을 용이하도록 하기 위해 두께가 충분히 얇은 화소 정의막을 구비하는 전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve various problems including the above problems, and includes a pixel having a plurality of hardened layers to reduce the amount of out gas from the pixel defining layer and to prevent deterioration of the light emitting portion by the out gas. It is an object of the present invention to provide an electroluminescent display device having a positive definition film and a pixel definition film having a sufficiently thin thickness in order to facilitate a post-process using a thermal transfer method and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판과, 상기 기판 상에 구비된 복수의 화소 전극들 및 상기 화소 전극들 사이에 구비되는 화소 정의막들을 구비하고, 상기 각 화소 정의막은 적어도 하나의 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치를 제공한다. In order to achieve the above object and various other objects, the present invention includes a substrate, a plurality of pixel electrodes provided on the substrate, and pixel defining layers provided between the pixel electrodes. The pixel defining layer provides at least one cured layer.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 각 화소 정의막은 적어도 그 표면에는 경화층을 구비하는 것으로 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, each pixel defining layer may be provided with a cured layer on at least its surface.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 각 화소 정의막은 2 이상의 경화층들을 구비한 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, each pixel defining layer may be provided with two or more cured layers.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 각 화소 정의막에 구비된 경화층들은 서로 대략 평행한 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, the cured layers provided in the pixel defining layers may be substantially parallel to each other.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 각 화소 정의막에 구비된 경화층들은 그 단부들이 서로 접해있는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, the cured layers provided in the pixel defining layers may be in contact with end portions thereof.

본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 경화층이 구비된 화소 정의막을 구비하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법으로서, 기판 상에 소정 패턴의 화소 전극을 구비하는 단계와, 상기 기판의 전면에 화소 정의막 재료를 도포하는 단계와, 상기 화소 정의막 재료를 패터닝하여 상기 화소 전극의 일부분을 노출시키는 단계와, 상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계와, 상기 노출된 화소 전극의 상부에 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계 및 상기 중간층의 상부에 대향 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention also provides a method of manufacturing an electroluminescent display device having a pixel defining layer having a cured layer, comprising the steps of: providing a pixel electrode of a predetermined pattern on a substrate; Applying a pixel defining layer material to the substrate; patterning the pixel defining layer material to expose a portion of the pixel electrode; forming a cured layer on a surface of the pixel defining layer material; It provides a method for manufacturing an electroluminescent display device comprising the step of forming an intermediate layer including at least an emitting layer on the electrode and the opposite electrode on the upper layer.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계와, 상기 노출된 화소 전극의 상부에 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계 사이에는, 상기 기판의 전면에 화소 정의막 재료를 도포하는 단계, 상기 화소 정의막 재료를 패터닝하여 상기 화소 전극의 일부분을 노출시키는 단계 및 상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계가 순차적으로 적어도 1회 이상 더 구비되는 것으로 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, between the step of forming a cured layer on the surface of the pixel defining layer material and the step of forming an intermediate layer including at least a light emitting layer on the exposed pixel electrode, the front surface of the substrate Applying a pixel definition layer material to the substrate, patterning the pixel definition layer material to expose a portion of the pixel electrode, and forming a cured layer on the surface of the pixel definition layer material at least once more sequentially It can be provided.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판의 전면에 화소 정의막 재료를 도포하는 단계들은 상기 화소 정의막 재료를 대략 2000Å의 두께로 도포하는 단계들인 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, the step of applying the pixel defining layer material to the entire surface of the substrate may be a step of applying the pixel defining layer material to a thickness of approximately 2000Å.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계들은 상기 화소 정의막 재료를 소성하는 단계들인 것으로 할 수 있다.According to still another feature of the present disclosure, the forming of the cured layer on the surface of the pixel defining layer material may be performed by baking the pixel defining layer material.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소 정의막 재료를 소성하는 것은 상기 화소 정의막 재료의 두께가 대략 1000Å이 될 때까지 행하는 것으로 할 수 있다.According to still another feature of the present invention, the firing of the pixel defining film material may be performed until the thickness of the pixel defining film material is approximately 1000 mW.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계 이후, 상기 화소 정의막 재료를 패터닝하여 상기 화소 전극의 일부분을 노출시키는 단계들은, 패터닝된 상기 화소 정의막 재료가 그 이전에 형성된 화소 정의막 재료의 표면의 경화층을 덥도록 행해지는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, after forming the cured layer on the surface of the pixel defining layer material, the steps of patterning the pixel defining layer material to expose a portion of the pixel electrode, the patterned pixel defining layer The material may be made to cover the cured layer of the surface of the pixel defining film material formed previously.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계 이후, 상기 화소 정의막 재료를 패터닝하여 상기 화소 전극의 일부분을 노출시키는 단계들은, 그 이전에 형성된 화소 정의막 재료의 표면의 경화층의 단부가 노출되도록 하는 것으로 할 수 있다.According to yet another aspect of the present invention, after forming the cured layer on the surface of the pixel defining layer material, the steps of patterning the pixel defining layer material to expose a portion of the pixel electrode may include the previously defined pixel definitions. The end of the cured layer on the surface of the film material may be exposed.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계들은 열처리 방법을 이용하는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the step of forming a cured layer on the surface of the pixel defining layer material may be a heat treatment method.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 액티브 매트릭스형(Active matrix type, 능동 구동형) 전계발광 디스플레이 장치의 기판 상에 배치된 복수의 부화소부(sub-pixel)들의 회로를 개략적으로 도시하는 회로도이며, 도 2는 도 1의 A 부분을 도시하는 회로도이고, 도 3은 도 1 및 도 2의 A 부분을 개략적으로 도시한 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치의 평면도이며, 도 4는 액티브 매 트릭스형 전계발광 디스플레이 장치의 부화소부를 도 3의 P1 내지 P7 을 따라 취하여 도시한 단면도이다.1 schematically shows a circuit of a plurality of sub-pixels disposed on a substrate of an active matrix type electroluminescent display device according to a first preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing part A of FIG. 1, FIG. 3 is a plan view of an active matrix electroluminescent display device schematically showing part A of FIGS. 1 and 2, and FIG. 4 is an active sheet. FIG. 3 is a cross-sectional view of the sub-pixel portion of the trick-type electroluminescent display device taken along the lines P1 to P7 of FIG. 3.

전계발광 디스플레이 장치는 발광층에서의 발광 색상에 따라 다양한 화소 패턴을 구비하는데, 예컨대 적색, 녹색 및 청색의 부화소들을 포함하는 화소를 구비한다. 상기 전계발광 소자는 전류구동 방식의 발광 소자로서, 상기 소자를 구성하는 양 전극간의 전류 흐름에 따라 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상을 구현한다. The electroluminescent display device includes various pixel patterns according to the color of light emitted from the light emitting layer. For example, the electroluminescent display device includes pixels including red, green, and blue subpixels. The electroluminescent device is a light emitting device of a current driving method, and emits red, green, or blue light according to the flow of current between both electrodes constituting the device to implement a predetermined image.

상기 전계발광 소자의 구성을 간략히 설명하자면, 화소 전극과, 상기 화소 전극 상부로 구비되는 적어도 발광층을 포함하는 중간층과, 상기 중간층의 상부로 구비되는 대향 전극으로 구성된다. 본 발명은 반드시 상기와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며 다양한 전계발광 소자의 구조가 그대로 적용될 수 있음은 물론이다. To briefly describe the configuration of the electroluminescent device, the electroluminescent device includes a pixel electrode, an intermediate layer including at least a light emitting layer disposed above the pixel electrode, and an opposite electrode disposed above the intermediate layer. The present invention is not necessarily limited to the above structure, and the structure of various electroluminescent devices can be applied as it is.

전계발광 소자를 이용한 평판 디스플레이 장치는 휘도, 콘트라스트 및 시야각 등의 면에서 다른 종래의 디스플레이 장치보다 뛰어나다는 장점이 있어 연구개발이 활발한 바, 특히 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 각 화소마다 트랜지스터들을 구비하여 각 화소의 발광 여부 또는 각 화소에 인가되는 신호를 제어하게 하는 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치가 주목받고 있다.A flat panel display device using an electroluminescent element has an advantage of being superior to other conventional display devices in terms of brightness, contrast, and viewing angle, and thus is actively researched and developed. In particular, as shown in FIGS. 1 to 4, each pixel Attention has been paid to an active matrix type electroluminescent display device having transistors to control whether each pixel emits light or a signal applied to each pixel.

도 1 및 도 2를 참조하면, 각 부화소부는 구동회로에 의하여 구동되는 제 1 박막 트랜지스터(110), 상기 제 1 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 제 2 박막 트랜지스터(150), 및 상기 제 2 박막 트랜지스터에 의해 구동되는 표시부(160)를 구비한다.Referring to FIGS. 1 and 2, each subpixel unit may include a first thin film transistor 110 driven by a driving circuit, a second thin film transistor 150 driven by the first thin film transistor, and the second thin film transistor. The display unit 160 is driven by.

상기 제 1 박막 트랜지스터(110)의 제 1 소스 전극(112)은 제 1 도선(120)에 의하여 구동 회로에 연결되고, 제 1 박막 트랜지스터의 제 1 게이트 전극(111)은 제 2 도선(130)에 의하여 구동 회로에 연결되며, 제 1 박막 트랜지스터의 제 1 드레인 전극(113)은 스토리지 커패시터의 제 1 커패시터 전극(141) 및 제 2 박막 트랜지스터(150)의 제 2 게이트 전극(151)과 연결된다.The first source electrode 112 of the first thin film transistor 110 is connected to the driving circuit by the first conductive line 120, and the first gate electrode 111 of the first thin film transistor is the second conductive line 130. The first drain electrode 113 of the first thin film transistor is connected to the first capacitor electrode 141 of the storage capacitor and the second gate electrode 151 of the second thin film transistor 150. .

상기와 같은 구성에 있어서, 상기 제 1 도선(120)이 데이터를 전송하는 데이터 라인(data line), 제 2 도선(130)이 스캔 라인(scan line)에 해당하는 것으로 할 수 있으며, 이 경우 상기 제 1 트랜지스터(110)가 스위칭 트랜지스터(switching TR) 역할을, 상기 제 2 트랜지스터(150)가 드라이빙 트랜지스터(driving TR) 역할을 하게 된다. 물론 상기 선택 구동 회로에 있어서 두개 이상의 트랜지스터를 사용할 수도 있다. 이하에서는 스위칭 트랜지스터와 드라이빙 트랜지스터 두개의 트랜지스터가 사용된 경우에 대해 설명하겠다.In the above configuration, the first data line 120 transmits data, the second data line 130 may correspond to a scan line. The first transistor 110 serves as a switching transistor and the second transistor 150 serves as a driving transistor. Of course, two or more transistors may be used in the selection driving circuit. Hereinafter, a case in which two transistors, a switching transistor and a driving transistor, are used will be described.

상기 스토리지 커패시터(140)의 제 2 커패시터 전극(142)과 상기 제 2 박막 트랜지스터(150)의 제 2 소스 전극(152)은 제 3 도선(170)과 연결되고, 상기 제 2 박막 트랜지스터(150)의 제 2 드레인 전극(153)은 표시부(160)의 화소 전극(161)과 연결된다. 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 표시부의 대향 전극(162)은 상기 화소 전극(161)과 소정의 간극을 두고 대향 배치되고, 상기 화소 전극(161)과 상기 대향 전극(162) 사이에는 적어도 발광층을 포함하는 중간층(287)이 구비된다.The second capacitor electrode 142 of the storage capacitor 140 and the second source electrode 152 of the second thin film transistor 150 are connected to a third conductive line 170 and the second thin film transistor 150 The second drain electrode 153 is connected to the pixel electrode 161 of the display unit 160. As can be seen from FIG. 4, the counter electrode 162 of the display unit is disposed to face the pixel electrode 161 with a predetermined gap, and at least a light emitting layer between the pixel electrode 161 and the counter electrode 162. An intermediate layer 287 is provided.

도 3 및 도 4에는 도 1 및 도 2의 A부분의 물리적인 구조가 개략적으로 도시되어 있다. 참고적으로, 도 3에는 도 4에 도시되지 않은 제 1 도선(120), 제 1 소 스 전극(112), 제 1 게이트 전극(111), 제 1 드레인 전극(113) 및 제 2 도선(130)이 도시되어 있고, 도 4에는 도 3에 도시되지 않은 구성요소, 즉 기판(181), 버퍼층(182), 게이트 절연막(183), 층간 절연막(184), 제 1 보호막(185), 대향 전극(162) 및 제 2 보호막(189)이 도시되어 있다.3 and 4 schematically show the physical structure of part A of FIGS. 1 and 2. For reference, FIG. 3 illustrates a first conductive line 120, a first source electrode 112, a first gate electrode 111, a first drain electrode 113, and a second conductive line 130, which are not illustrated in FIG. 4. 4, components not shown in FIG. 3, that is, the substrate 181, the buffer layer 182, the gate insulating layer 183, the interlayer insulating layer 184, the first passivation layer 185, and the counter electrode 162 and second passivation film 189 are shown.

구동회로에 의하여 제 1 게이트 전극(111)에 전압이 인가되면 제 1 소스 전극(112)과 제 1 드레인 전극(113)을 연결하는 반도체층(180)에 도전 채널이 형성되는데, 이 때 제 1 도선(120)에 의하여 상기 제 1 소스 전극(112)에 전하가 공급되면 그 전하가 상기 제 1 드레인 전극(113)으로 이동된다. 상기 구동회로에 의하여 발광층을 포함하는 중간층(187)에서 발생하는 광량을 결정하는 전하량이 제 3 도선(170)에 공급되고, 상기 제 1 드레인 전극(113)에 의하여 제 2 게이트 전극(151)에 전하가 공급되면 제 2 소스 전극(152)의 전하가 제 2 드레인 전극(153)을 거쳐서 화소 전극(161)으로 이동한다.When a voltage is applied to the first gate electrode 111 by the driving circuit, a conductive channel is formed in the semiconductor layer 180 connecting the first source electrode 112 and the first drain electrode 113. When charge is supplied to the first source electrode 112 by the conductive line 120, the charge is transferred to the first drain electrode 113. The amount of charge that determines the amount of light generated in the intermediate layer 187 including the light emitting layer is supplied to the third conductive line 170 by the driving circuit, and is supplied to the second gate electrode 151 by the first drain electrode 113. When the charge is supplied, the charge of the second source electrode 152 moves to the pixel electrode 161 via the second drain electrode 153.

도 4를 참조하여 상기 부화소부의 구체적인 구성에 대하여 설명한다. P1 내지 P2 에는 부화소부의 표시부(160)가 도시되어 있고, P2 내지 P3 에는 제 2 박막 트랜지스터(150)가 도시되어 있으며, P3 내지 P7 에는 스토리지 커패시터(140)가 도시되어 있다.A detailed configuration of the subpixel unit will be described with reference to FIG. 4. P1 to P2 show the display unit 160 of the subpixel unit, P2 to P3 show the second thin film transistor 150, and P3 to P7 show the storage capacitor 140.

도 4에 도시된 기판(181) 상에는 상기 기판(181)으로부터 반도체층(180)으로 불순물이 침투하는 것을 방지하고 상기 기판(181)의 평활성을 위해 전면적으로 버퍼층(182)이 형성되며, 상기 버퍼층(182) 상에 제 2 박막 트랜지스터(150)가 구비되어 있다. 그리고 상기 제 2 박막 트랜지스터(150)를 전면적으로 덮도록 제 1 보 호막(185)이 형성되고, 상기 제 1 보호막(185)의 제 2 드레인 전극(153)에 대응하는 부분에는 콘택홀이 형성되며, 상기 콘택홀이 형성된 영역을 포함하는 소정의 영역에 화소 전극(161)이 형성된다. 상기 화소 전극(161)은 상기 제 1 보호막(185)에 형성된 컨택홀을 통하여 상기 제 2 박막 트랜지스터(150)의 제 2 드레인 전극(153)과 연결된다.The buffer layer 182 is formed on the entire surface of the substrate 181 to prevent impurities from penetrating into the semiconductor layer 180 from the substrate 181 and to smooth the substrate 181. The second thin film transistor 150 is provided on the 182. A first protective layer 185 is formed to cover the second thin film transistor 150 entirely, and a contact hole is formed in a portion of the first passivation layer 185 corresponding to the second drain electrode 153. The pixel electrode 161 is formed in a predetermined area including a region where the contact hole is formed. The pixel electrode 161 is connected to the second drain electrode 153 of the second thin film transistor 150 through a contact hole formed in the first passivation layer 185.

상기 화소 전극(161) 상에는 적어도 발광층을 포함하는 중간층(187)이 형성되고, 상기 중간층(187) 상에는 대향 전극(162)이 전면적으로 형성된다. 상기 대향 전극(162) 상에는 필요에 따라서 제 2 보호막(189)이 형성될 수 있다.An intermediate layer 187 including at least a light emitting layer is formed on the pixel electrode 161, and an opposite electrode 162 is formed on the entire surface of the intermediate layer 187. A second passivation layer 189 may be formed on the counter electrode 162 as necessary.

전계발광 소자가 배면 발광형인 경우에는 상기 기판(181), 버퍼층(182), 게이트 절연막(183), 층간 절연막(184), 제 1 보호막(185) 및 화소 전극(161)이 투명한 소재로 형성되고, 대향 전극(162)은 광반사율이 좋은 금속 소재로 형성된다. 전계발광 소자가 전면 발광형인 경우에는 상기 화소 전극(161)이 광반사율이 좋은 금속 소재로 형성되고, 대향 전극(162) 및 제 2 보호막(189)이 투명한 소재로 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 전계발광 소자는 배면 발광형일 수도 있고 전면 발광형 또는 양면 발광형일 수도 있는 등, 전계발광 소자에서 생성된 빛은 화소 전극(161) 및 대향 전극(162) 중 적어도 어느 하나 이상의 방향을 통하여 출사될 수 있다.When the electroluminescent device is a bottom emission type, the substrate 181, the buffer layer 182, the gate insulating layer 183, the interlayer insulating layer 184, the first passivation layer 185, and the pixel electrode 161 are formed of a transparent material. The counter electrode 162 is formed of a metal material having good light reflectance. When the electroluminescent device is a top emission type, the pixel electrode 161 may be formed of a metal material having good light reflectance, and the opposite electrode 162 and the second passivation layer 189 may be formed of a transparent material. The electroluminescent device according to the present invention may be a bottom emission type, a top emission type or a double-sided emission type, and the light generated from the electroluminescent element may be directed to at least one of the pixel electrode 161 and the counter electrode 162. Can be emitted through.

상기 화소 전극(161)이 투명한 소재로 형성될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃로 구비될 수 있다. 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃로 구비될 수 있다. 상기 화소 전극의 패턴은 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같은 액티브 매트릭스형의 경우에는 화소에 대응되는 형태로 형성될 수 있다. 물론 본 발명은 본 실시예와는 다른 패시브 매트릭스형(passive matrix type, 수동 구동형)의 경우에도 적용될 수 있는 바, 이 경우에는 포토리소그래피 방법 등을 이용하여 서로 소정 간격 떨어진 스트라이프 상의 라인들로 형성될 수 있다.When the pixel electrode 161 is formed of a transparent material, the pixel electrode 161 may be formed of ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ . When used as a reflective electrode, a reflective film is formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof, and then ITO, IZO, ZnO or In ₂ O ₃ thereon. It may be provided. The pattern of the pixel electrode may be formed in a form corresponding to the pixel in the case of the active matrix type as shown in FIGS. 1 to 4. Of course, the present invention can also be applied to the case of a passive matrix type different from the present embodiment (passive matrix type, passive drive type), in this case formed by lines on the stripe spaced apart from each other by using a photolithography method, etc. Can be.

상기 대향 전극(162)이 투명 소재로 형성될 때에는, 상기 대향 전극(162)이 캐소드 전극으로 사용될 수 있으므로, 일함수가 작은 금속, 즉 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 또는 이들의 화합물을 후술하는 중간층을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인이 구비되도록 할 수 있다. 그리고 반사형 전극으로 사용될 때에는 상기 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 또는 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 화소 전극 및 대향 전극으로 전도성 폴리머 등 유기물을 사용할 수도 있다.When the counter electrode 162 is formed of a transparent material, since the counter electrode 162 may be used as a cathode, a metal having a small work function, that is, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag After depositing Mg or a compound thereof toward an intermediate layer to be described later, an auxiliary electrode or a bus electrode line may be provided on the transparent electrode forming material such as ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ . When used as a reflective electrode, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, or a compound thereof is formed by full deposition. However, the present invention is not limited thereto, and organic materials such as a conductive polymer may be used as the pixel electrode and the counter electrode.

상기 대향 전극(162)은 본 실시예에서와 같은 능동 구동형의 경우에는 전체 화소들을 덮도록 또는 각 화소에 대응되도록 구비될 수 있다. 물론 본 발명은 본 실시예와는 다른 패시브 매트릭스형의 경우에도 적용될 수 있는 바, 그와 같은 경우에는 스트라이프 상의 라인들로 형성된 화소 전극의 패턴에 직교하는 스트라이프 상의 라인으로 구비될 수 있다.In the case of the active driving type as in the present embodiment, the counter electrode 162 may be provided to cover all pixels or to correspond to each pixel. Of course, the present invention can also be applied to a passive matrix type different from the present embodiment, in which case it may be provided with a line on the stripe orthogonal to the pattern of the pixel electrode formed of the lines on the stripe.

한편, 상기 표시부(160)는 상기 제 2 박막 트랜지스터(150)의 제 2 드레인 전극(153)으로부터 전하를 공급받는 화소 전극(161), 제2전극(162), 그리고 상기 화소 전극(161)과 대향 전극(162) 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층(187)을 가지며, 상기 중간층의 종류에 따라서 전계발광 소자가 유기 전계발광 소자 또는 무기 전계발광 소자로 구분될 수 있다.The display unit 160 may include a pixel electrode 161, a second electrode 162, and the pixel electrode 161 that receive charges from the second drain electrode 153 of the second thin film transistor 150. An intermediate layer 187 including at least a light emitting layer interposed between the opposite electrodes 162 may be classified into an organic electroluminescent device or an inorganic electroluminescent device according to the type of the intermediate layer.

유기 전계발광소자의 경우에는 저분자 유기막 또는 고분자 유기막으로 구비될 수 있다.In the case of the organic electroluminescent device, it may be provided as a low molecular organic film or a polymer organic film.

저분자 유기막을 사용할 경우, 상기 중간층은 홀 주입층(HIL: hole injection layer), 홀 수송층(HTL: hole transport layer), 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능한데, 상기 화소 전극 및 대향 전극에 전하를 공급하면 홀(hole)과 전자가 결합함으로써 여기자(exiton)가 생성되고, 이 여기자가 여기상태에서 기저상태로 변화됨에 따라서 상기 발광층이 발광한다.When using a low molecular organic film, the intermediate layer may include a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection. A layer (EIL: electron injection layer) may be formed by stacking a single or a complex structure, and the usable organic materials may be copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl)- N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum aluminum (Alq3), and the like, and when applied to the pixel electrode and the counter electrode, an exciton is generated by combining holes and electrons, and the exciton is excited from the excited state to the ground state. The light emitting layer emits light as it changes.

이러한 저분자 유기막은 진공 중에서 유기물을 가열하여 증착하는 방식으로 형성될 수 있다. 물론 상기 중간층의 구조는 반드시 위에 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 다양한 층으로서 구성할 수 있다. The low molecular weight organic film may be formed by heating and depositing an organic material in a vacuum. Of course, the structure of the intermediate layer is not necessarily limited to the above, and may be configured as various layers as necessary.

고분자 유기막을 사용할 경우에는 상기 중간층은 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비될 수 있다. 상기 고분자 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT : poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI : polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 고분자 유기 발광층은 PPV, Soluble PPV's, Cyano-PPV, 폴리플루오렌(Polyfluorene) 등으로 구비될 수 있으며, 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅 또는 레이저를 이용한 열전사방식 등의 통상의 방법으로 컬러 패턴을 형성할 수 있다. 물론 이러한 고분자 유기층의 경우에도 상기 중간층의 구조는 반드시 위에 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 다양한 층으로서 구성할 수 있다. In the case of using a polymer organic film, the intermediate layer may be provided as a hole transport layer (HTL) and an emission layer (EML). The polymer hole transport layer may be formed by ink jet printing or spin coating using polyethylene dihydroxythiophene (PEDOT: poly- (2,4) -ethylene-dihydroxy thiophene) or polyaniline (PANI: polyaniline). Can be. The polymer organic light emitting layer may be formed of PPV, Soluble PPV's, Cyano-PPV, polyfluorene, or the like, and may form a color pattern by a conventional method such as inkjet printing, spin coating, or thermal transfer using a laser. Can be. Of course, in the case of such a polymer organic layer, the structure of the intermediate layer is not necessarily limited to the above, and may be configured as various layers as necessary.

무기 전계발광 소자의 경우에는 상기 중간층은 무기막으로 구비되며, 이는 발광층 및 상기 발광층과 전극 사이에 개재된 절연층으로 구비될 수 있다. 물론 상기 중간층의 구조는 반드시 위에 한정되는 것은 아니고, 필요에 따라 다양한 층으로서 구성할 수 있다.In the case of an inorganic electroluminescent device, the intermediate layer may be provided as an inorganic layer, which may be provided as a light emitting layer and an insulating layer interposed between the light emitting layer and the electrode. Of course, the structure of the said intermediate | middle layer is not necessarily limited to above, It can comprise as various layers as needed.

무기 전계발광 소자의 경우, 상기 발광층은 ZnS, SrS, CaS 등과 같은 금속황화물 또는 CaGa₂S₄, SrGa₂S₄ 등과 같은 알카리 토류 칼륨 황화물, 및 Mn, Ce, Tb, Eu, Tm, Er, Pr, Pb 등을 포함하는 천이 금속 또는 알카리 희토류 금속들과 같은 발광중심원자들로 구비될 수 있다.In the case of the inorganic electroluminescence device, the light-emitting layer is ZnS, SrS, metal sulfide or _{_{_{CaGa 2 S 4, SrGa 2 S}}} 4 alkaline-earth potassium sulfide such as such as CaS, and Mn, Ce, Tb, Eu, Tm, Er, Pr Light emitting core atoms such as transition metals or alkali rare earth metals including Pb, and the like.

한편, 스토리지 커패시터(140)는 하측 전극(141)과 상측 전극(142)을 구비하 는데, 하측 전극(141)은 제 2 게이트 전극(151)과 일체로 형성될 수 있고, 상측 전극(142)은 제 2 소스 전극(152)과 일체로 형성될 수 있다. 스토리지 커패시터(140)는 화소 전극(161)에의 전류를 유지하거나 또는 구동속도를 향상시키는 기능을 한다.Meanwhile, the storage capacitor 140 includes a lower electrode 141 and an upper electrode 142. The lower electrode 141 may be integrally formed with the second gate electrode 151 and the upper electrode 142. May be integrally formed with the second source electrode 152. The storage capacitor 140 maintains a current to the pixel electrode 161 or improves a driving speed.

상기와 같은 구조에 있어서, 상기 표시부들(160)은 화소 정의막들(186)에 의해 구분된다. 화소 정의막(186)은 도 4에 도시된 바와 같이 상기 화소 전극들(161) 사이에 구비되는 것으로서, 발광 영역을 정의해주는 역할 외에, 상기 화소 전극(161)의 에지 부분에서 상기 발광층을 포함하는 중간층(187)이 끊어지거나 전계가 집중되는 현상을 방지함으로써 상기 화소 전극(161)과 상기 대향 전극(162)의 단락을 방지하는 역할을 한다. In the above structure, the display units 160 are divided by the pixel defining layers 186. As illustrated in FIG. 4, the pixel defining layer 186 is provided between the pixel electrodes 161 and includes a light emitting layer at an edge of the pixel electrode 161 in addition to defining a light emitting area. It prevents the intermediate layer 187 from breaking or concentration of an electric field, thereby preventing a short circuit between the pixel electrode 161 and the counter electrode 162.

그러나 상기 화소 정의막(186)은 단기적 또는 장기적인 화학 분해로 말미암아 아웃 개스를 발생시킬 수 있으며, 이러한 아웃 개스가 상기 표시부(160)에 유입되어 전계발광 소자를 열화시킴으로써, 화소 수축(pixel shrinkage) 현상 또는 수명 저하 등을 유발할 수 있다. 또한, 상기 화소 정의막(186)은 고온에서 발생될 수 있는 작용기에 의해 발광층을 이루는 분자를 발광 기능이 없는 구조로 변성시켜 휘도를 저하시키고 색상을 크게 변하게 할 수도 있다.However, the pixel defining layer 186 may generate an out gas due to short term or long term chemical decomposition, and the out gas flows into the display unit 160 to deteriorate the electroluminescent element, thereby causing a pixel shrinkage phenomenon. Or may cause a decrease in lifespan. In addition, the pixel defining layer 186 may denature the molecules constituting the light emitting layer into a structure having no light emitting function by a functional group that may be generated at a high temperature, thereby lowering luminance and greatly changing color.

따라서 본 발명에서는 상기 화소 정의막(186) 내에 아웃 개스를 발생시키지 않는 경화층(186b)이 구비되도록 함으로써, 상기 화소 정의막(186) 내에서 아웃 개스를 유발할 수 있는 영역의 크기를 상대적으로 줄여 궁극적으로 아웃 개스량을 감소시킬 수 있도록 한다. 또한 상기 화소 정의막(186)에 경화층(186b)이 구비되도록 함으로써, 상기 화소 정의막(186) 내에서 발생하는 아웃 개스가 상기 화소 정의막(186) 외부로 배출되어 상기 표시부(160)에 영향을 미치는 것을 막을 수 있다. 특히 후자의 경우, 상기 화소 정의막(186) 내에서 발생하는 아웃 개스가 상기 화소 정의막(186) 외부로 배출되기 위해서는 상기 경화층(186b)을 돌아가야만 하기에, 상기 아웃 개스의 배출 경로를 길게 함으로써 상기 아웃 개스의 배출을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. Accordingly, in the present invention, the pixel defining layer 186 includes a cured layer 186b that does not generate outgas, thereby relatively reducing the size of an area in the pixel defining layer 186 that may cause outgas. Ultimately, the amount of out gas can be reduced. In addition, by providing the cured layer 186b in the pixel defining layer 186, outgassing generated in the pixel defining layer 186 is discharged to the outside of the pixel defining layer 186, and thus, the display unit 160 is disposed on the display unit 160. It can be prevented from affecting. In particular, in the latter case, since the out gas generated in the pixel defining layer 186 must be returned to the cured layer 186b in order to be discharged to the outside of the pixel defining layer 186, the discharge path of the out gas is changed. By lengthening, the effect which prevents discharge of the said outgas can be acquired.

또한 상기와 같은 구조에 있어서, 상기 경화층(186b)이 상기 화소 정의막(186)의 표면에 구비되도록 함으로써 상기 화소 정의막(186)의 내부에서 발생한 아웃 개스가 상기 화소 정의막(186)의 외부로 배출되지 않도록 할 수 있다.Also, in the above structure, the hardened layer 186b is provided on the surface of the pixel defining layer 186 so that outgassing generated inside the pixel defining layer 186 may occur. Can be discharged to the outside.

도 5는 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치를 도시하는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing an active matrix electroluminescent display device according to a second preferred embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 화소 정의막들(286)이 표시부들(260) 사이, 더 정확히 말하자면 화소 전극들(261) 사이에 구비되어 있다. 본 실시예와 상기 제 1 실시예에 있어서 다른 점은, 본 실시예에 따른 전계발광 디스플레이 장치에서는 각 화소 정의막(286)이 이중의 경화층들(286b1, 286b2)을 구비하고 있다는 점이다. Referring to FIG. 5, pixel defining layers 286 are provided between the display units 260, more specifically, between the pixel electrodes 261. The difference between the present embodiment and the first embodiment is that in the electroluminescent display device according to the present embodiment, each pixel defining layer 286 includes dual hardened layers 286b1 and 286b2.

본 실시예에 따른 전계발광 디스플레이 장치에 따르면 상기 화소 정의막(286) 내에 아웃 개스를 발생시키지 않는 이중의 경화층들(286b1, 286b2)이 구비되도록 함으로써, 상기 화소 정의막(286) 내에서 아웃 개스를 유발할 수 있는 영역의 크기를 상대적으로 더 많이 줄여 궁극적으로 아웃 개스량을 감소시킬 수 있도록 할 수 있다. According to the electroluminescent display device according to the present exemplary embodiment, dual hardened layers 286b1 and 286b2 which do not generate an out gas are provided in the pixel defining layer 286, thereby making it out in the pixel defining layer 286. By reducing the size of the area that can cause gas, the amount of out gas can be reduced.

또한 상기 화소 정의막(286)에 이중의 경화층들(286b1, 286b2)이 구비되도록 함으로써, 상기 화소 정의막(286) 내에서 발생하는 아웃 개스가 상기 화소 정의막(286) 외부로 배출되어 상기 표시부(260)에 영향을 미치는 것을 막을 수 있다. 특히, 상기 화소 정의막(286) 내에서 발생하는 아웃 개스가 상기 화소 정의막(286) 외부로 배출되기 위해서는 상기 이중의 경화층들(286b1, 286b2)을 돌아가야만 하기에, 상기 아웃 개스의 배출 경로를 길게 함으로써 상기 아웃 개스의 배출을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. In addition, dual pixel layers 286b1 and 286b2 are provided in the pixel defining layer 286 so that outgassing generated in the pixel defining layer 286 is discharged to the outside of the pixel defining layer 286. The influence on the display unit 260 can be prevented. In particular, the out gas generated in the pixel defining layer 286 has to travel through the double cured layers 286b1 and 286b2 in order to be discharged to the outside of the pixel defining layer 286. By lengthening the path, the effect of preventing the discharge of the outgas can be obtained.

물론 도 5에 도시된 것과 달리 상기 화소 정의막(286)에 구비된 경화층들의 개수가 3개 이상일 수도 있다.5, the number of hardened layers provided in the pixel defining layer 286 may be three or more.

도 6은 본 발명의 바람직한 제 3 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치를 도시하는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing an active matrix electroluminescent display device according to a third preferred embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 화소 정의막들(386)이 표시부들(360) 사이, 더 정확히 말하자면 화소 전극들(361) 사이에 구비되어 있다. 본 실시예가 상기 실시예들과 다른 점은, 각 화소 정의막(386)이 3개 이상의 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5)을 구비하고 있다는 점이다. 특히 도 6에 도시된 바와 같이 상기 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5)은 서로 대략 평행하도록 구비됨으로써 양파의 구조와 같은 형태를 취하도록 할 수 있다.Referring to FIG. 6, pixel defining layers 386 are provided between the display units 360, more specifically, between the pixel electrodes 361. The present embodiment differs from the above embodiments in that each pixel defining layer 386 includes three or more hardened layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5. In particular, as shown in FIG. 6, the hardened layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 may be provided to be substantially parallel to each other to take the form of an onion.

본 실시예에 있어서도 다층의 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5)이 상기 화소 정의막(386) 내에 구비되도록 함으로써, 상기 화소 정의막(386) 내에서 아웃 개스를 유발할 수 있는 영역의 크기를 상대적으로 더 많이 줄여 궁극적으 로 아웃 개스량을 감소시킬 수 있도록 할 수 있다. Also in this embodiment, a plurality of hardened layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 are provided in the pixel defining layer 386, thereby causing an outgas in the pixel defining layer 386. The size of the can be reduced relatively more to ultimately reduce the amount of gas out.

또한 상기 화소 정의막(386)에 다층의 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5)이 구비되도록 함으로써, 상기 화소 정의막(386) 내에서 발생하는 아웃 개스가 상기 화소 정의막(386) 외부로 배출되어 상기 표시부(360)에 영향을 미치는 것을 막을 수 있다. 특히, 상기 화소 정의막(386) 내에서 발생하는 아웃 개스가 상기 화소 정의막(386) 외부로 배출되기 위해서는 상기 다층의 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5)을 돌아가야만 하기에, 상기 아웃 개스의 배출 경로를 길게 함으로써 상기 아웃 개스의 배출을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. In addition, the pixel defining layer 386 includes a plurality of hardened layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 so that the out gas generated in the pixel defining layer 386 is out of the pixel defining layer 386. Discharged to the outside may be prevented from affecting the display unit 360. In particular, in order for the out gas generated in the pixel defining layer 386 to be discharged to the outside of the pixel defining layer 386, the multilayer cured layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 must be rotated. By lengthening the discharge path of the out gas, the effect of preventing the discharge of the out gas can be obtained.

도 7은 본 발명의 바람직한 제 4 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치를 도시하는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing an active matrix electroluminescent display device according to a fourth preferred embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 화소 정의막들(486)이 표시부들(460) 사이, 더 정확히 말하자면 화소 전극들(461) 사이에 구비되어 있다. 본 실시예가 상기 실시예들과 다른 점은, 각 화소 정의막(486)이 3개 이상의 경화층들(486b1, 486b2, 486b3, 486b4, 486b5)을 구비하고 있다는 점이다. 특히 도 7에 도시된 바와 같이 상기 경화층들(486b1, 486b2, 486b3, 486b4, 486b5)의 단부들이 서로 접해있도록 함으로써 도 7에 도시된 바와 같은 구조를 취하도록 할 수 있다. Referring to FIG. 7, pixel defining layers 486 are provided between the display units 460, more specifically, between the pixel electrodes 461. The present embodiment differs from the above embodiments in that each pixel defining layer 486 includes three or more hardened layers 486b1, 486b2, 486b3, 486b4, and 486b5. In particular, as shown in FIG. 7, the ends of the hardened layers 486b1, 486b2, 486b3, 486b4, and 486b5 may be in contact with each other to take a structure as shown in FIG. 7.

본 실시예에 있어서도 다층의 경화층들(486b1, 486b2, 486b3, 486b4, 486b5)이 상기 화소 정의막(486) 내에 구비되도록 함으로써, 상기 화소 정의막(486) 내에서 아웃 개스를 유발할 수 있는 영역의 크기를 상대적으로 더 많이 줄여 궁극적으로 아웃 개스량을 감소시킬 수 있도록 할 수 있다. Also in the present exemplary embodiment, a plurality of hardened layers 486b1, 486b2, 486b3, 486b4, and 486b5 are provided in the pixel defining layer 486, thereby causing an outgas in the pixel defining layer 486. The size of the can be reduced relatively more to ultimately reduce the amount of gas out.

또한 상기 화소 정의막(486)에 다층의 경화층들(486b1, 486b2, 486b3, 486b4, 486b5)이 구비되도록 함으로써, 상기 화소 정의막(486) 내에서 발생하는 아웃 개스가 상기 화소 정의막(486) 외부로 배출되어 상기 표시부(460)에 영향을 미치는 것을 막을 수 있다. 그리고 상기 화소 정의막(486) 내에서 발생하는 아웃 개스가 상기 화소 정의막(486) 외부로 배출되기 위해서는 상기 다층의 경화층들(486b1, 486b2, 486b3, 486b4, 486b5)을 돌아가야만 하기에, 상기 아웃 개스의 배출 경로를 길게 함으로써 상기 아웃 개스의 배출을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the pixel defining layer 486 includes a plurality of hardened layers 486b1, 486b2, 486b3, 486b4, and 486b5, so that outgassing generated in the pixel defining layer 486 may occur. Discharged to the outside may prevent the display unit 460 from affecting. In addition, in order for the out gas generated in the pixel defining layer 486 to be discharged to the outside of the pixel defining layer 486, the multilayer cured layers 486b1, 486b2, 486b3, 486b4, and 486b5 must be rotated. By lengthening the discharge path of the out gas, the effect of preventing the discharge of the out gas can be obtained.

한편, 본 실시예에서는 상술한 바와 같이 상기 경화층들(486b1, 486b2, 486b3, 486b4, 486b5)의 단부들이 서로 접해있도록 되어 있는 바, 이를 통해 상기 화소 정의막(486)의 영역 중 상기 표시부(460)에 인접한 부분은 경화층들(486b1, 486b2, 486b3, 486b4, 486b5)로만 구비되도록 하여 상기 화소 정의막(486) 내부에서 아웃 개스가 발생하더라도 상기 표시부(460)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, as described above, the ends of the hardened layers 486b1, 486b2, 486b3, 486b4, and 486b5 are in contact with each other. Thus, the display unit (480) of the pixel defining layer 486 is formed. The portion adjacent to the 460 may be provided only with the hardened layers 486b1, 486b2, 486b3, 486b4, and 486b5 to prevent the outgassing from occurring in the pixel defining layer 486. Can be.

도 8은 본 발명의 바람직한 제 5 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치를 도시하는 단면도이다. 8 is a cross-sectional view showing an active matrix electroluminescent display device according to a fifth preferred embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 화소 정의막들(586)이 표시부들(560) 사이, 더 정확히 말하자면 화소 전극들(561) 사이에 구비되어 있다. 본 실시예가 상기 실시예들과 다른 점은, 각 화소 정의막(586)이 3개 이상의 경화층들(586b1, 586b2, 586b3, 586b4, 586b5)을 구비하고 있다는 점이다. 특히 도 8에 도시된 바와 같이 상기 경 화층들(586b1, 586b2, 586b3, 586b4, 586b5)의 단부들이 서로 접해있도록 함으로써 도 8에 도시된 바와 같은 구조를 취하도록 할 수 있다. Referring to FIG. 8, pixel defining layers 586 are provided between the display units 560, more specifically, between the pixel electrodes 561. The present embodiment differs from the above embodiments in that each pixel defining layer 586 includes three or more hardened layers 586b1, 586b2, 586b3, 586b4, and 586b5. In particular, as shown in FIG. 8, the ends of the hardened layers 586b1, 586b2, 586b3, 586b4, and 586b5 may be in contact with each other to take a structure as shown in FIG. 8.

본 실시예가 상기 제 4 실시예와 다른 점은, 상기 화소 정의막(586) 내에 구비된 상기 경화층들(586b1, 586b2, 586b3, 586b4, 586b5)의 단부의 형태이다. 상기 제 4 실시예에 따른 전계발광 디스플레이 장치에 있어서는 표시부 주위의 화소 정의막이 경화층들로만 구비되어 있지만, 상기 경화층들의 단부가 인접함에 따라 상기 표시부와 접하는 부분의 경화층들의 총 두께가 두꺼워지게 되고, 이로 인하여 표시부의 영역이 좁아질 수 있다는 문제점이 있었다. The present embodiment differs from the fourth embodiment in the form of an end portion of the cured layers 586b1, 586b2, 586b3, 586b4, and 586b5 provided in the pixel defining layer 586. In the electroluminescent display device according to the fourth embodiment, the pixel defining layer around the display unit is provided only with the cured layers. However, as the ends of the cured layers are adjacent to each other, the total thickness of the cured layers in contact with the display unit becomes thicker. As a result, there is a problem that the area of the display portion can be narrowed.

그러나 본 실시예에 따른 전계발광 디스플레이 장치에 있어서는 상기 경화층들(586b1, 586b2, 586b3, 586b4, 586b5)의 단부들이 서로 중첩되어 접하도록 되어 있는 바, 이를 통해 상기 화소 정의막(586)의 영역 중 상기 표시부(560)에 인접한 부분은 경화층들(586b1, 586b2, 586b3, 586b4, 586b5)로만 구비되도록 하여 상기 화소 정의막(586) 내부에서 아웃 개스가 발생하더라도 상기 표시부(560)에 영향을 미치는 것을 방지하면서도, 상기 표시부(560)와 접하는 부분의 경화층들(586b1, 586b2, 586b3, 586b4, 586b5)의 총 두께가 일정하게 유지되도록 하여 상기 표시부(560)의 영역이 좁아질 수 있는 문제를 방지할 수 있다.However, in the electroluminescent display device according to the present exemplary embodiment, ends of the cured layers 586b1, 586b2, 586b3, 586b4, and 586b5 overlap each other so that the regions of the pixel defining layer 586 overlap with each other. The portion adjacent to the display unit 560 is provided only with the hardened layers 586b1, 586b2, 586b3, 586b4, and 586b5 so that the display unit 560 is affected even if an out gas is generated inside the pixel defining layer 586. While preventing the impact, the total thickness of the hardened layers 586b1, 586b2, 586b3, 586b4, and 586b5 in contact with the display unit 560 may be kept constant so that the area of the display unit 560 may be narrowed. Can be prevented.

한편, 전술한 실시예들에 있어서 상기 경화층을 포함하는 화소 정의막의 두께를 적절히 조절하는 것이 중요한 바, 이에 대해 설명한다.Meanwhile, in the above-described embodiments, it is important to properly adjust the thickness of the pixel defining layer including the cured layer, which will be described.

전술한 제 3 실시예에 따른 전계발광 디스플레이 장치를 도시한 도 9를 참조하면, 각 화소 정의막에 구비된 경화층들 사이의 거리와 하나의 경화층의 두께를 합한 값들(l1, l2, l3, l4, l5)은 대략 1000Å이 되도록 하는 것이 좋다. When showing an electroluminescent display device according to the above-described third example 9, the cured layer in the sum of the thickness of the distance and a cured layer values between having each of the pixel defining layer (l 1, l2, l3 , l4 , l5 ) should be approximately 1000Å.

각 화소 정의막(386)에 구비된 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5) 사이의 거리와 하나의 경화층의 두께를 합한 값들(l1, l2, l3, l4, l5)이 1000Å 보다 현저히 클 경우에는 다층의 경화층을 구비한 화소 정의막(386)의 최종 두께가 지나치게 두꺼워져서 후술하는 바와 같은 후공정을 수행하는 데 어려움이 있을 수 있으므로, 각 화소 정의막(386)에 구비된 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5) 사이의 거리와 하나의 경화층의 두께를 합한 값들(l1, l2, l3, l4, l5)은 대략 1000Å이 되도록 하는 것이 좋다. 또한, 상기 값이 1000Å 보다 현저히 작게 형성될 경우에는 각 경화층이 끊어진다든지 제대로 형성이 되지 않는 등의 문제점이 발생할 수 있으며, 이로 인하여 상기 화소 정의막에서 발생하는 아웃 개스가 배출되어 표시부 등에 영향을 주는 것을 방지한다는 본 발명의 목적을 달성하지 못할 수 있으므로, 상기 값이 대략 1000Å이 되도록 하는 것이 좋다.The sum of the distance between the cured layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 and the thickness of one cured layer included in each pixel defining layer 386 ( l 1, l2 , l3 , l4 , l5 ) is If it is significantly larger than 1000 mV, the final thickness of the pixel defining layer 386 having the multilayered cured layer may be too thick, which may make it difficult to perform a post-process as described below. It is preferable that the sum of the thicknesses of one cured layer and the distance between the hardened layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 provided is l 1, l2 , l3 , l4 , l5 . In addition, when the value is formed to be significantly smaller than 1000 kHz, problems may occur such that each hardened layer is broken or not formed properly. As a result, the outgas generated in the pixel defining layer is discharged to affect the display unit. Since the object of the present invention to prevent giving may not be achieved, it is preferable to make the value approximately 1000 mW.

한편, 전계발광 디스플레이 장치의 제조에 있어서 상기와 같은 화소 정의막(386)이 구비된 후에는, 화소 전극과 대향 전극 사이에 개재되는, 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 구비하는 공정이 수행된다. 이러한 공정은 상기 중간층이 저분자 유기물로 구비되는 경우에는 진공 증착에 의해 각 층을 도입할 수 있다. 그러나 고분자 유기물로 구비되는 경우에도 마스크를 이용한 진공 증착법을 이용하면 물리적인 갭의 최소화에 한계가 있으며 마스크의 변형 등으로 인해 수십 ㎛ 수준의 미세패턴을 갖는 전계발광 디스플레이 장치에는 적용이 어렵고 대형화에 한계가 있다는 문제점이 있다. Meanwhile, in the manufacture of the electroluminescent display device, after the pixel defining layer 386 as described above is provided, a process of providing an intermediate layer including at least an emission layer interposed between the pixel electrode and the counter electrode is performed. In this process, when the intermediate layer is formed of a low molecular weight organic material, each layer may be introduced by vacuum deposition. However, even when the polymer organic material is used, there is a limitation in minimizing the physical gap by using a vacuum deposition method using a mask, and it is difficult to apply to an electroluminescent display device having a micro pattern of several tens of micrometers due to the deformation of the mask and limited in size. There is a problem that there is.

이러한 문제점을 극복하기 위해 스핀 코팅 공정을 이용하여 유기막을 도포한 후 상기 유기막 상에 포토리지스트를 코팅, 노광 및 현상하여 상기 유기막을 미세 패터닝을 하는 리소그래피 방법을 이용하는 시도가 있으나, 상기 리소그래피 방법을 이용하면 상기 방법을 실시하여 형성된 유기막들이 상기 리소그래피 공정에서 사용된 유기 용매 및 현상액 잔류물들에 의해 변형되기 때문에 실질적으로 적용하기가 거의 불가능하다는 문제점이 있다.In order to overcome this problem, an attempt has been made to use a lithography method of applying an organic layer using a spin coating process and then finely patterning the organic layer by coating, exposing and developing a photoresist on the organic layer. With this problem, there is a problem that the organic films formed by performing the method are substantially impossible to apply because they are deformed by the organic solvent and developer residues used in the lithography process.

상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 열전사법(LITI : laser induced thermal image)을 이용하여 유기막으로 구비되는 표시부를 형성하는 방법이 개발되었다. In order to solve the above problems, a method of forming a display part provided with an organic layer using a laser induced thermal image (LITI) has been developed.

열전사법을 간략히 설명하자면, 먼저 기재 필름 상에 광-열 변환층 및 전사층을 순차적으로 도포한 도너 필름을 준비한다. 상기 전사층은 표시부 등을 구성하는 유기막 형성용 물질 등을 코팅한 것을 말한다. 그리고 나서 상기 전사층과 상기 전사층이 도포될 영역이 서로 마주보도록 상기 도너 필름을 상기 유기막 등을 도포할 위치에 배치한 후, 상기 도너 필름을 라미네이팅 시키고 상기 도너 필름에 에너지원을 조사한다. 상기 에너지원은 상기 기재필름을 통과하여 상기 광-열 변환층을 활성화시키고 이에 의해 열이 방출된다. 그리고 상기 방출된 열에 의하여 상기 전사층이 상기 도너 필름에서 분리되고, 그 맞은편에 배치된 영역에 도포[전사]된다. 그 후 상기 전사된 물질을 고형화, 고착화시키기 위한 열처리 공정을 거치게 되면, 상기 유기물의 도포가 완료되는 것이다.To briefly describe the thermal transfer method, a donor film in which a light-to-heat conversion layer and a transfer layer are sequentially applied onto a base film is prepared. The transfer layer refers to a coating of a material for forming an organic film constituting the display unit or the like. Then, the donor film is disposed at a position at which the organic film or the like is to be applied so that the transfer layer and the region to which the transfer layer is to be applied to each other are laminated, and the donor film is laminated and an energy source is irradiated to the donor film. The energy source passes through the base film to activate the light-to-heat conversion layer, whereby heat is released. The transfer layer is separated from the donor film by the released heat, and is applied (transferred) to a region disposed opposite the donor film. Thereafter, when the transferred material undergoes a heat treatment process for solidifying and solidifying, the coating of the organic material is completed.

상기와 같은 열전사법에 있어서, 상기 도너 필름에 조사되는 에너지원으로서 레이저를 사용할 경우, 소정의 값으로 포커스 조절된 레이저 빔을 상기 도너 필름 위로 원하는 패턴에 따라 스캐닝하여 유기물의 도포 등이 이루어지게 되는 바, 상기 레이저의 포커싱 등을 통해 원하는 미세 패터닝을 할 수 있다.In the thermal transfer method as described above, when a laser is used as an energy source irradiated onto the donor film, an organic material is applied by scanning a laser beam focused to a predetermined value on the donor film according to a desired pattern. The desired fine patterning may be performed by focusing the laser beam.

문제는 상술한 바와 같이 유기물 등이 도포될 위치와 상기 도너 필름의 전사층이 서로 마주보도록 배치하고 라미네이팅을 시키는 단계에 있어서, 상기 유기물 등이 도포될 표면에 돌출부가 있을 경우 정확한 얼라인 및 정확한 유기물 등의 전사 등이 어렵다는 것이다.As described above, in the step of arranging the lamination of the donor film and the transfer layer of the donor film to face each other and laminating as described above, if the protrusions are provided on the surface to be applied, the correct alignment and the correct organic matter It is difficult to transfer the back.

상술한 바와 같이, 상기 중간층을 열전사법을 이용하여 구비하는 공정은 화소 정의막이 구비된 후에 이루어지는 바, 도 9에 도시된 바와 같이 화소 정의막(386)은 표시부(360) 보다 돌출되어 있으므로, 상술한 문제점을 해결하기 위해서는 상기 화소 정의막(386)의 두께를 5000Å 이하로 형성하는 것이 좋다.As described above, the process of providing the intermediate layer by thermal transfer is performed after the pixel defining layer is provided. As illustrated in FIG. 9, the pixel defining layer 386 protrudes from the display unit 360. In order to solve the problem, it is preferable to form the thickness of the pixel defining layer 386 to be 5000 μm or less.

현재 일반적으로 구비되는 화소 정의막은 그 두께가 대략 1.5㎛ 내지 2㎛ 정도인 바, 상기와 같은 두께의 화소 정의막을 구비할 경우에는 중간층을 상술한 열전사법을 이용하여 정확히 형성할 수 없게 된다. 따라서 상기 화소 정의막(386)의 두께(l _p)는 대략 5000Å 이하가 되도록 하는 것이 좋다. Since the pixel definition layer which is generally provided has a thickness of about 1.5 μm to 2 μm, the intermediate layer cannot be accurately formed by the above-described thermal transfer method when the pixel definition layer having the above thickness is provided. Therefore, it is preferable that the thickness l _p of the pixel defining layer 386 is about 5000 kPa or less.

이 경우, 전술한 바와 같이 각 화소 정의막(386)에 구비된 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5) 사이의 거리와 하나의 경화층의 두께를 합한 값들(l1, l2, l3, l4, l5)은 대략 1000Å인 바, 결과적으로 상기 각 화소 정의막(386)에 구비된 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5)의 개수는 5개 이하가 되도록 하는 것이 좋다.In this case, as described above, the sum of the distance between the cured layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 provided in each pixel defining layer 386 and the thickness of one cured layer ( l 1, l2 , l3 , l4 , and l5 are approximately 1000 μs, so that the number of hardened layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 included in each pixel defining layer 386 may be 5 or less. .

도 10, 도 11 및 도 13 내지 도 15는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법, 특히 경화층을 구비한 화소 정의막의 제조공정을 도시하는 단면도들이다.10, 11, and 13 to 15 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an active matrix type electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present invention, in particular, a process of manufacturing a pixel defining layer having a cured layer.

도 10을 참조하면, 상기 전계발광 디스플레이 장치를 제조하는 공정은, 먼저 기판(381) 상에 소정 패턴의 화소 전극(361)을 구비하고, 상기 기판(381)의 전면에 화소 정의막 재료(3861)를 도포하며, 상기 화소 정의막 재료(3861)를 패터닝하여 상기 화소 전극(361)의 일부분을 노출시키는 것으로 시작된다. 물론 상기 기판(381) 상에 소정 패턴의 화소 전극(361)을 구비하기 전에 상기 기판(381) 상에 박막 트랜지스터(350), 스토리지 커패시터 등을 구비하는 단계를 거칠 수 있으며, 상기 대향 전극을 형성한 후 보호막 또는 전면 기판 등을 구비하는 단계 등도 거칠 수 있음은 물론이다. Referring to FIG. 10, in the manufacturing of the electroluminescent display device, first, a pixel electrode 361 having a predetermined pattern is provided on a substrate 381, and a pixel defining layer material 3861 is disposed on the entire surface of the substrate 381. ), And patterning the pixel defining layer material 3861 to expose a portion of the pixel electrode 361. Of course, before the pixel electrode 361 of the predetermined pattern is provided on the substrate 381, the thin film transistor 350 and the storage capacitor may be provided on the substrate 381, and the counter electrode may be formed. After that, the step of providing a protective film or a front substrate may be rough.

상기와 같은 단계를 거친 후, 도 11에 도시된 바와 같이 상기 화소 정의막 재료(3861)의 표면에 경화층(386b1)을 형성하고, 상기 노출된 화소 전극(361)의 상부에 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 형성하며, 상기 중간층의 상부에 대향 전극을 형성하는 단계를 구비한다. After the above steps, as shown in FIG. 11, a hardened layer 386b1 is formed on the surface of the pixel defining layer material 3861, and at least a light emitting layer is disposed on the exposed pixel electrode 361. Forming an intermediate layer, and forming a counter electrode on an upper portion of the intermediate layer.

상기와 같은 공정에 있어서 상기 화소 정의막 재료(3861)의 표면에 구비되는 상기 경화층(386b1)은 상기 화소 정의막 재료(3861)를 소성함으로써 자연스럽게 형성되며, 상기 소성은 진공 오븐(vacuum oven)이나 화로(furnace) 등에서 열처리를 실시하여 행할 수 있다. 상기 화소 정의막 재료(3861)로는 아크릴계 수지, 벤조사 이클로부틴계 수지 및 그 밖의 유기물 등 다양한 재료가 사용될 수 있다. In the above process, the cured layer 386b1 provided on the surface of the pixel defining layer material 3861 is naturally formed by firing the pixel defining layer material 3861, and the firing is performed in a vacuum oven. Or heat treatment in a furnace or the like. As the pixel defining layer material 3861, various materials such as an acrylic resin, a benzo irradiation chlorobutin resin, and other organic materials may be used.

도 12는 상기와 같이 열처리를 통해 2층의 경화층이 구비된 화소정의막의 단면을 도시하는 사진이다. 도 12를 참조하면, 하부 경화층의 경우 두께는 대략 500Å 내지 1000Å이고, 상부 경화층의 경우 두께는 대략 1000Å 내지 1500Å이며, 화소 정의막 전체 두께는 대략 1.5㎛정도 이다.FIG. 12 is a photograph showing a cross section of a pixel definition film having two hardened layers through heat treatment as described above. Referring to FIG. 12, the thickness of the lower cured layer is about 500 mW to 1000 mW, the thickness of the upper cured layer is about 1000 mW to 1500 mW, and the total thickness of the pixel defining layer is about 1.5 μm.

한편, 다층 경화층을 구비한 화소 정의막을 형성하기 위해서, 상술한 단계에서, 상기 화소 정의막 재료(3861)의 표면에 경화층(386b1)을 형성하는 단계와, 상기 노출된 화소 전극(361)의 상부에 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계 사이에는, 도 13에 도시된 바와 같이 상기 기판(381)의 전면에 화소 정의막 재료(3862)를 도포하고, 상기 화소 정의막 재료(3862)를 패터닝하여 상기 화소 전극(361)의 일부분을 노출시킨 후, 도 14에 도시된 바와 같이 상기 화소 정의막 재료(3862)의 표면에 경화층(386b2)을 형성하는 단계가 순차적으로 더 구비되게 할 수 있으며, 상기와 같은 단계를 거침으로서 도 14에 도시된 바와 같이 2개의 경화층(386b1, 386b2)을 구비한 화소 정의막을 형성할 수 있다. On the other hand, in order to form a pixel defining film having a multi-layer cured layer, in the above-described step, forming a cured layer 386b1 on the surface of the pixel defining film material 3861 and the exposed pixel electrode 361 Between the steps of forming an intermediate layer including at least a light emitting layer on top of the substrate, a pixel defining layer material 3862 is applied to the entire surface of the substrate 381 as shown in FIG. 13, and the pixel defining layer material 3386 is formed. And exposing a portion of the pixel electrode 361 to form a hardened layer 386b2 on the surface of the pixel defining layer material 3386 as shown in FIG. 14. As shown in FIG. 14, the pixel defining layer having two hardened layers 386b1 and 386b2 may be formed as described above.

그리고 상기 노출된 화소 전극(361)의 상부에 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계 이전에 상술한 바와 같은 단계를 반복함으로써 도 15에 도시된 바와 같이 다층의 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5)을 구비한 화소 정의막(386)을 형성할 수 있다.By repeating the above-described steps before forming the intermediate layer including at least the light emitting layer on the exposed pixel electrode 361, as shown in FIG. 15, the plurality of hardened layers 386b1, 386b2, and 386b3. , A pixel defining layer 386 having 386b4 and 386b5 may be formed.

상기와 같은 공정에 있어서, 상기 기판(381)의 전면에 화소 정의막 재료(3861, 3862)를 도포하는 단계들에 있어서 상기 화소 정의막 재료(3861, 3862) 의 두께(l5', l4')는 대략 2000Å가 되도록 도포하는 것이 좋다. 즉 상기 화소 정의막 재료(3861, 3862)의 표면에 경화층(386b1, 386b2)을 형성하는 단계는 전술한 바와 같이 소성, 즉 열처리를 통해 이루어지는 바, 상기 열처리 과정에서 상기 화소 정의막 재료(3861, 3862)의 두께가 얇아지게 된다. 따라서 전술한 바와 같이 경화층들 사이의 거리와 하나의 경화층의 두께를 합한 값(l5, l4)이 대략 1000Å의 두께가 되도록 하기 위해서는 상기 화소 정의막 재료(3861, 3862)의 두께(l5', l4')를 대략 2000Å가 되도록 도포한 후 상기 화소 정의막 재료(3861, 3862)의 두께가 대략 1000Å이 될 때까지 소성하는 것이 좋다.In the process as described above, over the pixel defining layer material thickness (l 5 'in (3861, 3862) step of the pixel defining layer material (3861, 3862) according to the application of the a, l 4 of the substrate (381) ') Is good to apply to approximately 2000Å. That is, the step of forming the cured layers 386b1 and 386b2 on the surfaces of the pixel defining layer materials 3861 and 3862 is performed by baking, that is, heat treatment as described above. In the heat treatment process, the pixel defining layer material 3861 is formed. , 3862 becomes thinner. Therefore, in order to make the sum of the distance between the cured layers and the thickness of one cured layer l 5 and l 4 as described above, the thickness of the pixel defining layer materials 3861 and 3862 is approximately 1000 μs. l 5 ', l 4') a good to firing until approximately 1000Å thickness of the pixel defining film material (3861, 3862) was applied to approximately 2000Å.

한편 도 15에 도시된 화소 정의막(386)은 상기 화소 정의막(386) 내에 구비된 각 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5)이 서로 대략 평행하도록 구비된 것이다. 상기와 같은 구조의 경화층들(386b1, 386b2, 386b3, 386b4, 386b5)이 구비되도록 하기 위해서는, 상기 화소 정의막 재료(3861)의 표면에 경화층(386b1)을 형성하는 단계 이후, 상기 화소 정의막 재료(3862)를 패터닝하여 상기 화소 전극(361)의 일부분을 노출시키는 단계는, 패터닝된 상기 화소 정의막 재료(3862)가 그 이전에 형성된 화소 정의막 재료의 표면의 경화층(386b1)을 덥도록 행해지게 하면 된다.In the pixel defining layer 386 illustrated in FIG. 15, the cured layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 provided in the pixel defining layer 386 are substantially parallel to each other. In order to provide the cured layers 386b1, 386b2, 386b3, 386b4, and 386b5 having the above structure, after the forming of the cured layer 386b1 on the surface of the pixel defining layer material 3861, the pixel definition is performed. Patterning a film material 3862 to expose a portion of the pixel electrode 361 may include forming a cured layer 386b1 on the surface of the pixel defining film material on which the patterned pixel defining film material 3386 was formed previously. You can do it hot.

한편 전술한 바와 같이 화소 정의막에 구비된 경화층들은 그 단부들이 서로 접해있게 할 수도 있는데, 도 16 내지 도 20에 도시된 단면도들은 그와 같은 구조의 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법을 도시하는 단면도들이다.Meanwhile, as described above, the cured layers provided in the pixel defining layer may allow the ends thereof to be in contact with each other, and the cross-sectional views illustrated in FIGS. 16 to 20 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electroluminescent display device having such a structure. admit.

먼저 도 16에 도시된 바와 같이 상기 기판(581)의 전면에 화소 정의막 재료(5861)를 그 두께(l5')가 대략 2000Å가 되도록 도포하고, 상기 화소 정의막 재료(5861)를 패터닝하여 화소 전극(581)의 일부가 노출되도록 하며, 그 후 상기 화소 정의막 재료(5861)를 소성하여 도 17에 도시된 바와 같이 상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층(586b1)이 구비되도록 한다. 이때 전술한 바와 같이 화소 정의막 재료의 두께가 대략 1000Å이 될 때까지 소성한다. First, as illustrated in FIG. 16, the pixel defining layer material 5801 is coated on the entire surface of the substrate 581 so that the thickness l 5 ′ is approximately 2000 μs, and the pixel defining layer material 5586 is patterned. A portion of the pixel electrode 581 is exposed, and then the pixel defining layer material 5586 is fired so that the cured layer 586b1 is provided on the surface of the pixel defining layer material as shown in FIG. 17. At this time, firing is performed until the thickness of the pixel defining layer material is approximately 1000 mW as described above.

그 후 도 18에 도시된 바와 같이 상기 기판(581)의 전면에 화소 정의막 재료(5862)를 다시 도포하고 이를 패터닝하여 상기 화소 전극(561)의 일부분을 노출시키며, 상기와 같은 패터닝 단계에 있어서 상기 단계 이전에 형성된 화소 정의막 재료의 표면의 경화층(586b1)의 단부가 노출되도록 한다. 그리고 상기 화소 정의막 재료(5862)를 소성하여 도 19에 도시된 바와 같이 상기 화소 정의막 재료의 표면에 두 번째 경화층(586b2)이 구비되도록 한다. 상기와 같은 단계들을 반복하여 도 20에 도시된 바와 같이 다층의 경화층들(586b1, 586b2, 586b3, 586b4, 586b5)이 구비되면서, 상기 경화층들(586b1, 586b2, 586b3, 586b4, 586b5)의 단부들이 서로 접해있는 화소 정의막(586)을 형성할 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIG. 18, the pixel defining layer material 5586 is coated on the entire surface of the substrate 581 and patterned to expose a portion of the pixel electrode 561. In the patterning step as described above, An end portion of the cured layer 586b1 of the surface of the pixel defining layer material formed before the step is exposed. The pixel defining layer material 5586 is fired so that a second cured layer 586b2 is provided on the surface of the pixel defining layer material as shown in FIG. 19. By repeating the above steps, as shown in FIG. The pixel defining layer 586 may be formed such that ends thereof contact each other.

한편, 상기 실시예들에 있어서는 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치에 본 발명의 적용된 예들을 설명하였으나, 액티브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치 외에도 패시브 매트릭스형 전계발광 디스플레이 장치 등, 화소 정의막이 구비되는 전계발광 디스플레이 장치라면 어떤 장치에도 본 발명이 적용될 수 있음은 물론이다. Meanwhile, in the above embodiments, examples of the present invention have been described in an active matrix type electroluminescent display device, but in addition to the active matrix type electroluminescent display device, an electroluminescent display having a pixel defining layer, such as a passive matrix type electroluminescent display device, is provided. As a matter of course, the present invention can be applied to any device.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. According to the electroluminescent display device and the manufacturing method of the present invention made as described above, the following effects can be obtained.

첫째, 화소 정의막 내에 아웃 개스를 유발시키지 않는 적어도 하나 이상의 경화층들이 구비되도록 함으로써 화소 정의막으로부터의 아웃 개스량을 감소시킬 수 있다.First, the amount of out gas from the pixel defining layer may be reduced by providing at least one cured layer that does not cause the out gas in the pixel defining layer.

둘째, 화소 정의막 내에 적어도 하나 이상의 경화층들을 구비함으로써 상기 화소 정의막에서 발생한 아웃 개스들이 상기 화소 정의막으로부터 배출되는 것을 방지하여, 상기 아웃 개스가 발광층 등의 표시부에 영향을 주어 표시부를 열화시키는 것을 방지할 수 있다.Second, by providing at least one cured layer in the pixel defining layer, outgassing generated in the pixel defining layer is prevented from being discharged from the pixel defining layer so that the out gas affects a display unit such as a light emitting layer to deteriorate the display unit. Can be prevented.

셋째, 화소 정의막 내에 적어도 하나 이상의 경화층들을 구비함으로써, 상기 화소 정의막에서 발생한 아웃 개스들이 상기 화소 정의막으로부터 배출되는 패스의 길이를 늘림으로써 아웃 개스의 방출량을 감소시킬 수 있다.Third, by providing at least one cured layer in the pixel defining layer, the amount of outgas emitted from the pixel defining layer may be reduced by increasing the length of the paths emitted from the pixel defining layer.

넷재, 화소 정의막의 두께가 5000Å 이하가 되도록 형성함으로써, 상기 화소 정의막을 형성한 후 표시부를 구성하는 발광층 등을 형성하는 단계에서 열전사법을 사용할 수 있다.By forming the net material and the pixel defining layer so as to have a thickness of 5000 kPa or less, the thermal transfer method can be used in the step of forming the light emitting layer constituting the display unit after forming the pixel defining layer.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims

기판;Board;

상기 기판 상에 구비된 복수의 화소 전극들; 및A plurality of pixel electrodes provided on the substrate; And

상기 화소 전극들 사이에 구비되는 화소 정의막들;을 구비하고,And pixel defining layers disposed between the pixel electrodes.

상기 각 화소 정의막은 적어도 하나의 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치.And each pixel defining layer comprises at least one cured layer.

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 각 화소 정의막은 적어도 그 표면에는 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치.And each pixel defining layer has a cured layer on at least a surface thereof.

제 1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 각 화소 정의막은 2 이상의 경화층들을 구비한 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치.And each pixel defining layer comprises at least two cured layers.

제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein

상기 각 화소 정의막에 구비된 경화층들은 서로 대략 평행한 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치.And the cured layers provided in the pixel defining layers are substantially parallel to each other.

제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein

상기 각 화소 정의막에 구비된 경화층들은 그 단부들이 서로 접해있는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치.Electroluminescent display device, characterized in that the end of the cured layer provided in each pixel defining layer is in contact with each other.

경화층이 구비된 화소 정의막을 구비하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법으로서,A method of manufacturing an electroluminescent display device having a pixel defining layer having a cured layer,

기판 상에 소정 패턴의 화소 전극을 구비하는 단계;Providing a pixel electrode of a predetermined pattern on the substrate;

상기 기판의 전면에 화소 정의막 재료를 도포하는 단계;Applying a pixel defining layer material to the entire surface of the substrate;

상기 화소 정의막 재료를 패터닝하여 상기 화소 전극의 일부분을 노출시키는 단계;Patterning the pixel defining layer material to expose a portion of the pixel electrode;

상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계;Forming a cured layer on a surface of the pixel definition layer material;

상기 노출된 화소 전극의 상부에 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및Forming an intermediate layer including at least an emission layer on the exposed pixel electrode; And

상기 중간층의 상부에 대향 전극을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법.And forming a counter electrode on the upper portion of the intermediate layer.

제 6항에 있어서,The method of claim 6,

상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계와, 상기 노출된 화소 전극의 상부에 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계 사이에는, 상기 기판의 전면에 화소 정의막 재료를 도포하는 단계, 상기 화소 정의막 재료를 패 터닝하여 상기 화소 전극의 일부분을 노출시키는 단계 및 상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계가 순차적으로 적어도 1회 이상 더 구비되는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법.Applying a pixel defining layer material to the entire surface of the substrate between the step of forming a cured layer on the surface of the pixel defining layer material and forming an intermediate layer including at least a light emitting layer on the exposed pixel electrode. And patterning the pixel defining layer material to expose a portion of the pixel electrode and forming a cured layer on the surface of the pixel defining layer material at least one or more times in sequence. Method of manufacturing a display device.

제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein

상기 기판의 전면에 화소 정의막 재료를 도포하는 단계들은 상기 화소 정의막 재료를 대략 2000Å의 두께로 도포하는 단계들인 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법.And applying the pixel defining layer material to the entire surface of the substrate is applying the pixel defining layer material to a thickness of approximately 2000 microseconds.

제 8항에 있어서,The method of claim 8,

상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계들은 상기 화소 정의막 재료를 소성하는 단계들인 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법.Forming the cured layer on the surface of the pixel defining layer material is baking the pixel defining layer material.

제 9항에 있어서,The method of claim 9,

상기 화소 정의막 재료를 소성하는 것은 상기 화소 정의막 재료의 두께가 대략 1000Å이 될 때까지 행하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법.The firing of the pixel defining layer material is performed until the thickness of the pixel defining layer material is approximately 1000 GPa.

제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein

상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계 이후, 상기 화소 정의막 재료를 패터닝하여 상기 화소 전극의 일부분을 노출시키는 단계들은, 패터닝된 상기 화소 정의막 재료가 그 이전에 형성된 화소 정의막 재료의 표면의 경화층을 덥도록 행해지는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법.After forming the cured layer on the surface of the pixel defining layer material, the steps of patterning the pixel defining layer material to expose a portion of the pixel electrode may include: forming a pixel defining layer on which the patterned pixel defining layer material is formed. A method of manufacturing an electroluminescent display device, characterized in that it is performed to warm the cured layer of the surface of the material.

제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein

상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계 이후, 상기 화소 정의막 재료를 패터닝하여 상기 화소 전극의 일부분을 노출시키는 단계들은, 그 이전에 형성된 화소 정의막 재료의 표면의 경화층의 단부가 노출되도록 하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법.After forming the cured layer on the surface of the pixel defining layer material, the step of patterning the pixel defining layer material to expose a portion of the pixel electrode may comprise an end portion of the cured layer on the surface of the pixel defining layer material previously formed. Method of manufacturing an electroluminescent display device, characterized in that to expose.

제 6항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 6 to 12,

상기 화소 정의막 재료의 표면에 경화층을 형성하는 단계들은 열처리 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디스플레이 장치의 제조방법.And forming the cured layer on the surface of the pixel defining layer material using a heat treatment method.