KR20050065164A - Inspection method for side profile of photo resist pattern - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일 검사방법에 관한 것으로, 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴의 린스 공정에서 기판의 회전 속도를 높여 정상 포토레지스트 패턴의 쓰러짐을 유발하는 단계와, 상기 쓰러진 정상 포토레지스트 패턴을 평면상에서 관측하여 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일을 검사하는 단계로 이루어진다. 이와 같은 구성에 의하여 본 발명은 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 린스 과정에서 기판의 회전속도를 높여 포토레지스트 패턴의 쓰러짐을 유발하고, 그 쓰러진 포토레지스트 패턴을 평면에서 관측하여 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일을 검사할 수 있게 됨으로써, 원하는 위치의 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일의 검사가 용이하며, 그 검사시간을 단축하는 효과가 있다. The present invention relates to a method for inspecting a side profile of a photoresist pattern, the method comprising: forming a photoresist pattern, increasing a rotational speed of a substrate in a rinsing process of the photoresist pattern, and causing a fall of a normal photoresist pattern; Observing the collapsed normal photoresist pattern on a plane to examine the side profile of the photoresist pattern. By the above configuration, the present invention forms a photoresist pattern, and then increases the rotational speed of the substrate in the rinsing process, causing the photoresist pattern to collapse, and observing the collapsed photoresist pattern in a plane to view the side profile of the photoresist pattern. By being able to inspect, the inspection of the side profile of the photoresist pattern at the desired position is easy, and the inspection time is shortened.
Description
본 발명은 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일 검사방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 절단하지 않고도 사이드 프로파일을 검사할 수 있는 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일 검사방법에 관한 것이다. The present invention relates to a side profile inspection method of a photoresist pattern, and more particularly, to a side profile inspection method of a photoresist pattern capable of inspecting a side profile without cutting a wafer.
일반적으로, 종래 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일을 검사하기 위해서는 포토레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼의 특정 부위를 일정한 각도로 잘라내고, 그 단면을 주사전자현미경(SEM)을 통해 관측하였다.In general, in order to inspect the side profile of the conventional photoresist pattern, a specific portion of the wafer on which the photoresist pattern is formed is cut out at a predetermined angle, and its cross section is observed through a scanning electron microscope (SEM).
그러나 이와 같은 종래 검사방법은 정확하게 원하는 부분을 자르기가 용이하지 않으며, 측정에 많은 시간이 소요되는 문제점이 있었다. However, such a conventional inspection method is not easy to cut exactly the desired portion, there was a problem that takes a lot of time to measure.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 웨이퍼를 자르지 않고도 정확하게 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일을 검사할 수 있는 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일 검사방법을 제공함에 그 목적이 있다. In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a side profile inspection method of a photoresist pattern that can accurately inspect the side profile of the photoresist pattern without cutting the wafer.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴의 린스 공정에서 기판의 회전 속도를 높여 정상 포토레지스트 패턴의 쓰러짐을 유발하는 단계와, 상기 쓰러진 정상 포토레지스트 패턴을 평면상에서 관측하여 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일을 검사하는 단계로 구성함에 그 특징이 있다. The present invention for achieving the above object is to form a photoresist pattern, to increase the rotational speed of the substrate in the rinsing process of the photoresist pattern to cause the collapse of the normal photoresist pattern, the collapsed normal photo It is characterized by observing the resist pattern on a plane to inspect the side profile of the photoresist pattern.
상기와 같이 구성되는 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to the accompanying drawings, the present invention configured as described above are as follows.
도 1은 린스 용액을 이용하여 포토레지스트 패턴을 강제로 쓰러트리는 과정의 모식도로서, 이에 도시한 바와 같이 포토레지스트 패턴을 린스 하는 과정은 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 회전시키며, 그 기판의 중앙부에 린스 용액을 올려, 기판의 원심력에 의해 린스 용액이 기판의 가장자리로 이동하여 잔존하는 포토레지스트 패턴을 린스 시킨다. 1 is a schematic diagram of a process of forcibly knocking down a photoresist pattern by using a rinse solution. As shown in the drawing, the process of rinsing the photoresist pattern rotates the substrate on which the photoresist pattern is formed, and rinses the center of the substrate. The solution is lifted and the rinse solution moves to the edge of the substrate by centrifugal force of the substrate to rinse the remaining photoresist pattern.
이와 같은 과정에서 상기 기판의 회전속도를 증가시키면, 상기 포토레지스트 패턴의 사이를 지나는 린스 용액에 의해 모세관 현상이 발생하며, 이에 따라 정상 적으로 형성된 포토레지스트 패턴도 쓰러짐(collapse)이 발생할 수 있다.In this process, when the rotational speed of the substrate is increased, a capillary phenomenon occurs due to a rinse solution passing between the photoresist patterns, and thus, a normally formed photoresist pattern may also collapse.
이와 같은 쓰거짐 현상과 관계있는 요소는 포토레지스트 패턴간의 비와 린스 공정에 사용하는 원심력이며, 기판의 회전속도를 증가시키면 원심력이 증가하여 정상 적으로 형성된 포토레지스트 패턴도 쓰러지게 된다.Factors related to such a collapse phenomenon are centrifugal forces used in the ratio between the photoresist patterns and the rinsing process. When the rotational speed of the substrate is increased, the centrifugal force increases to collapse the normally formed photoresist pattern.
이와 같이 포토레지스트 패턴을 쓰러트린 후에는 상기 기판을 절단하지 않고도, 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일을 검사할 수 있게 된다.After the photoresist pattern is knocked down in this manner, the side profile of the photoresist pattern can be inspected without cutting the substrate.
즉, 평면상에서 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일을 검사할 수 있게 된다.That is, the side profile of the photoresist pattern can be inspected on the plane.
또한, 포토레지스트의 사이드 프로파일 검사를 원하는 위치로의 이동이 용이하게 되며, 이는 포토레지스트의 패턴의 사이드 프로파일을 검사하는 시간을 단축할 수 있게 된다.In addition, it becomes easy to move the side profile inspection of the photoresist to a desired position, which can shorten the time for inspecting the side profile of the pattern of the photoresist.
상기 포토레지스트 패턴의 쓰러짐을 유발할 수 있는 기판의 회전수는 상기 포토레지스트 패턴의 형상과, 그 패턴간의 거리 등에 관계에 따라 변화될 수 있으며, 통상 2500rpm 이상이면 정상적인 포토레지스트 패턴의 강제 쓰러짐을 유발할 수 있다. The number of rotations of the substrate that may cause the photoresist pattern to fall may vary depending on the shape of the photoresist pattern, the distance between the patterns, and the like, and if it is 2500 rpm or more, a normal photoresist pattern may be forced to fall down. have.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예들을 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다. The present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above-described embodiments and has ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the concept of the present invention. Various changes and modifications are possible by the user.
상기한 바와 같이 본 발명은 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 린스 과정에서 기판의 회전속도를 높여 포토레지스트 패턴의 쓰러짐을 유발하고, 그 쓰러진 포토레지스트 패턴을 평면에서 관측하여 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일을 검사할 수 있게 됨으로써, 원하는 위치의 포토레지스트 패턴의 사이드 프로파일의 검사가 용이하며, 그 검사시간을 단축하는 효과가 있다.As described above, in the present invention, after forming the photoresist pattern, the rotational speed of the substrate is increased during the rinsing process to cause the photoresist pattern to collapse, and the side photo profile of the photoresist pattern is observed by observing the collapsed photoresist pattern in plan view. By being able to inspect, the side profile of the photoresist pattern of a desired position is easy to inspect, and the inspection time is shortened.
도 1은 본 발명에 적용되는 포토레지스트 패턴의 린스 과정을 보인 모식도. 1 is a schematic diagram showing a rinse process of a photoresist pattern applied to the present invention.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030096932A KR20050065164A (en) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | Inspection method for side profile of photo resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030096932A KR20050065164A (en) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | Inspection method for side profile of photo resist pattern |
Publications (1)
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|---|---|
| KR20050065164A true KR20050065164A (en) | 2005-06-29 |
Family
ID=37256692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030096932A KR20050065164A (en) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | Inspection method for side profile of photo resist pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050065164A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101454522B1 (en) * | 2009-11-12 | 2014-10-24 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | Photoresist simulation |
-
2003
- 2003-12-24 KR KR1020030096932A patent/KR20050065164A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101454522B1 (en) * | 2009-11-12 | 2014-10-24 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | Photoresist simulation |
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