KR20050058410A - 티타늄 옥시드 표면을 위한 에칭 페이스트 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화학 조성물 TixOy 의 티타늄 옥시드 표면을 에칭하기 위한 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트 형태의 신규 에칭 매질, 및 티타늄 옥시드 표면의 에칭 방법에서 상기 에칭 페이스트의 용도에 관한 것이다.
Description
본 발명은 일반 조성물 TixOy 의 티타늄 옥시드 표면을 에칭하기 위해 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트 형태의 신규 에칭 매질, 및 상기 에칭 페이스트의 용도에 관한 것이다.
용어 티타늄 옥시드 표면은 티타늄 및 산소 TixOy 로 구성된 표면을 의미하며, 특히 티타늄 옥시드 TiO (x, y = 1), 티타늄 디옥시드 TiO2 (x = 1, y = 2), 디티타늄 트리옥시드 Ti2O3 (x = 2, y = 3) 의 화합물 및 비-화학양론적 티타늄-산소 화합물로 구성된 표면을 의미한다. 티타늄의 산화 물성 화합물은 유리와 유사한 (=비정질) 형태 또는 결정질 또는 부분 결정질 형태일 수 있다.
이후에 사용되는 용어 유리는 비-결정화 고체의 비정질 응집 상태이며, 장-범위 규격의 부재로 인해 미세구조 내에서 무질서도가 높은 티타늄- 및 산소-함유 재료를 의미한다. 이 유형의 비정질 재료층은, 예를 들어, APCVD 방법 [1], 또는 저-압 또는 플라즈마-지지 CVD 방법 (LP- 또는 PE-CVD) [2] 에서 TiCl4 와 같은 티타늄 할라이드의 가수분해, 테트라이소프로필 오르소티타네이트와 같은 오르가노티타늄 전구체의 가수분해 또는 열분해에 의해 생성될 수 있다. 부분 결정층도 여기에서 형성될 수 있다.
결정질 화합물은 TiO2 변형 루타일, 아나타제 및 브루키트이며, TiO 변형은 암염의 동형이며, Ti2O3 는 코런덤 격자 구조로 결정화된다.
본 발명은 균일한 고체 비-다공성 및 다공성 고체의 티타늄- 및 산소-함유 결정질, 부분 결정질 또는 비정질 표면 TixOy 의 에칭 및 당업자에 공지된 다양한 방법 (예를 들어 CVD, PVD, Ti-O-함유 전구체의 분무/스핀-온/오프) 에 의해 다른 기판 (예를 들어 세라믹, 금속 시팅, 규소 웨이퍼) 상에 생성된 다양한 두께의 비-다공성 및 다공성 TixOy 층 표면의 에칭 모두에 관한 것이다.
> 16% 의 효율을 갖는 고효율의 결정질 규소 태양 전지는 통상 반사방지 코팅 및 2-단계 전자방출원을 갖는 구조화되고, 부동화된 전면 및 반사적 후-표면 접촉 및 국소 역표면장 (BSF) 을 갖는 부동화된 역면을 가지고 있다.
2-단계 전자방출원 또는 국소 BSF 를 생성하기 위해, 전면 또는 역면 상에 반사방지층을 개방하고 이어서 개방된 영역을 도핑하는 것이 필요하다. 이 반사방지층은, 예를 들어 티타늄 옥시드 - 일반적으로 TixOy (예를 들어 반사율 n = 2.3 을 갖는 TiO2) - 질화규소 또는 이산화규소로 구성될 수 있다.
이산화규소 및 질화규소 층의 개방은 DE10101926 에 상세히 기술되어 있다.
종래 기술의 현 상태에 따라, 임의의 목적 구조는 레이저-지지 에칭 방법 [3] 또는 마스킹 후에 습식-화학 방법 [4, 5] 또는 건식 에칭 방법 [6] 에 의해 직접 표면 및 층에서 선택적으로 에칭될 수 있다.
그러나, 상기 방법들은 일반적으로 태양 전지의 다량 생산을 위해서는 너무 복잡하고 비용이 많이 들므로, 지금까지 이용되지 못했다.
레이저-지지 에칭 방법에서, 레이저 광선은 표면상에서 전체 에치 패턴 도트 바이 도트에 걸쳐 스캔되며, 높은 정확도 외에 상당한 조정 노력 및 시간을 필요로 한다. 더 최근의 실험적 개발에서, 어레이 형태로 배열된 광학 미세렌즈가 레이저 광선을 분산하고 어레이에 해당하는 배열로 반사방지층에서 일련의 점형태 (punctiform) 천공을 생성하는 데 이용된다 [7].
습식-화학 및 건식 에칭 방법은 재료-집약적, 시간-소모적 및 고비용의 공정 단계를 포함한다 :
A. 예를 들어 하기에 의한, 에칭되지 않을 영역의 마스킹 :
ㆍ 광평판인쇄 : 네가티브 또는 포지티브 에치 구조 (레지스트에 의존해서) 의 생산, 기판 표면에 레지스트 적용 (예를 들어 액체 포토레지스트로 스핀 코팅을 함으로써), 포토레지스트의 건조, 레지스트-코팅된 기판 표면의 노출, 현상, 헹굼, 임의로 건조.
B. 하기에 의한 구조의 에칭 :
ㆍ 침지 방법 (예를 들어 습식-화학 뱅크에서 습식 에칭) : 기판을 에칭조에 침지, 에칭 조작, H2O 캐스캐이드 배진 (basin) 에서 반복해서 헹굼, 건조.
ㆍ 스핀-온 또는 분무 방법 : 에칭 용액을 회전하는 기판에 적용 또는 기판에 분무, 에너지의 투입이 없이/있으면서 에칭 조작 (예를 들어 포토에칭, 헹굼, 건조).
ㆍ 예를 들어, 고비용의 진공 설비 내에서 플라즈마 에칭 또는 유동 반응기 내에서 반응성 기체로 에칭하는 것과 같은 건식 에칭 방법.
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실제로, 에칭 페이스트를 이용하여 수행한 방법은 질화규소 또는 이산화규소 층의 에칭에 대한 태양 기술에서 성공적임이 입증되었다. 특허 출원 DE 101 01 926 A1 에 기술된 바와 같이 이용되는 페이스트는 인쇄가능하며 분배가능하고 균질한 무입자 에칭 페이스트로 비-뉴튼 유동 거동을 가지고 있다. 그러나, 이 페이스트는 에칭률, 선택성 및 경계선 선예도에 관해서 티타늄 옥시드 층의 에칭에 적절하지 않은 것으로 입증되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 고효율로 일어나며, 기술적으로 수행하기 간단한 방법에 적용될 수 있는 티타늄 옥시드 층의 선택적 에칭을 위한 신규 에칭 매질을 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 티타늄 옥시드 층의 에칭을 위한 간단한 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 비-뉴튼성 ; 바람직하게는 15 - 50℃ 에서 효과적이며/이거나 에너지 투입에 의해 활성화될 수 있으며 하기 성분을 포함하는 티타늄 옥시드의 비정질, 결정질 또는 부분 결정질 표면의 에칭을 위한 요변성 유동 거동을 가진 에칭 페이스트 형태의 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 매질에 의해 달성된다 :
a) 에칭 성분으로서, 전체 양을 기준으로 8.5 - 9.5 중량% 농도의 암모늄 히드로겐 디플루오라이드
b) 임의로, 매질의 전체 양을 기준으로, 24 - 26 중량% 의 함량을 가지는 하나 이상의 무기 및/또는 유기산 (여기에서, 존재하는 유기산은 예를 들어, 포름산, 아세트산, 디클로로아세트산, 락트산 및 옥살산과 같은 카르복실산으로 구성된 군으로부터 선택된 0 내지 5 의 pKa 값을 가지는 유기산일 수 있음),
c) 에칭 매질의 전체 양을 기준으로 52 - 57 중량% 양의, 물, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르와 같은 에테르, 프로필렌 카르보네이트와 같은 탄산의 에스테르, 1-메틸-2-피롤리돈과 같은 케톤 자체 또는 이것의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 용매,
d) 에칭 매질의 전체 양을 기준으로 10.5 - 11.5 중량% 인, 증점제로서 셀룰로스 유도체 및/또는 폴리비닐피롤리돈과 같은 중합체,
e) 임의로, 전체 양을 기준으로, 0 - 0.5 중량% 인, 소포제, 요변제, 유동-조절제, 탈기제 및 접착촉진제로 구성된 군으로부터 선택된 첨가제.
따라서 본 발명은 또한 산화 물성 표면에 대한 에칭 성분으로서 암모늄 히드로겐 디플루오라이드, 용매로서 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 카르보네이트 및 물, 유기산으로서 포름산 및 증점제로서 폴리비닐피롤리돈을 포함하는 에칭 매질에 관한 것이다.
티타늄 옥시드의 비정질, 결정질 또는 부분 결정질 표면은 에칭될 표면에 상기 유형의 에칭 매질을 적용하고, 0.1 - 15 분의 노출 시간 후에 다시 그것을 제거함으로써 수행하기 간단한 방법으로 본 발명에 따라 에칭될 수 있다.
상기 목적을 위해 에칭 매질을 전체 표면에 걸쳐 또는 에칭이 필요한 영역에만 에치 구조 마스크에 따라서 특정하게 적용하며, 에칭이 완료되면, 용매 또는 용매 혼합물을 이용해 헹궈내거나 용광로 내에서 점화시킬 수 있다.
특히, 에칭 매질을 스크린, 주형, 패드, 스탬프, 잉크-젯 및 수동 인쇄 방법 및 분배 기술에 의해 에칭될 표면에 적용할 수 있다.
이 방법에서, 본 발명에 따른 에칭 매질을 표시 및 라벨을 생성하기 위해 및, TixOy 유리, 세라믹 및 다른 TixOy -기재 시스템을 조압에 의해 다른 재료에 접착하는 것을 향상시키는 데 이용할 수 있다.
본 발명에 따른 에칭 매질을 균일한 고체 비-다공성 및 다공성 고체 또는 다른 기판에서 생성된 다양한 두께의 대응 비-다공성 및 다공성 층의 형태로, 비정질, 부분 결정질 및 결정질 TixOy 시스템의 에칭에 유리하게 이용할 수 있다.
본 발명에 따른 에칭 페이스트를 비정질, 부분 결정질 및 결정질 TixOy 층의 제거, 2-단계 선택적 전자방출원 및/또는 국소 p+ 후표면장의 생성을 위한 TixOy 시스템을 포함하는 반사방지층의 선택적 개방을 위한 태양 전지의 생산 방법에 특히 우수한 결과로 적용할 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기-언급된 조성의 본 발명에 따른 신규 에칭 매질로 처리된 티타늄 옥시드의 비정질, 부분 결정질 및 결정질 표면에 관한 것이다.
[설명]
본 발명은 화학식 TixOy 의 다양한 두께 층의 티타늄 옥시드 표면의 에칭에 적합한 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트, 및 - 종래 습식 및 건식 에칭 방법과 비교했을 때 - 고효율에 적합한 저비용의, 연속적이며 기술적으로 간단한 인쇄 또는 분배/에칭 방법에 있어서의 용도에 관한 것이다.
본 발명에 따라 기술된 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트는 -무기 미네랄 산 (불화수소산, 고온 농축 황산) 및 부식성 용해/염기성 에칭액 (용융 알칼리 금속 히드록시드 및 카르보네이트) 와 같은 TixOy 기재 시스템에 대한 액체 에칭액과 비교했을 때- 에칭액을 덜 사용하고도 취급하기가 유의미하게 더 간단하며 더 안전하다.
본 발명에 따라 기술된 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트를 단일 방법 단계로 에칭될 TixOy 표면에 적용한다. 에칭 페이스트를 에칭될 표면에 옮기는 데 적합한 고도의 자동화 및 고효율의 기술은 인쇄 및 분배 기술이다. 특히, 스크린, 주형, 패드, 스탬프 및 잉크-젯 인쇄 방법은 당업자에게 공지된 인쇄 방법이다.
스크린, 주형, 클리시 (klischee) 또는 스탬프 디자인 또는 카트리지 및 분배 어드레싱에 따라, 에칭이 필요한 영역만 에치 구조 마스크에 따라 선택적으로 또는 이와 달리 전체 표면에 걸쳐 본 발명에 따라 기술된 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트를 적용하는 것이 가능하다. 하기 A) 에 기술된 바와 같이 모든 마스킹 및 평판인쇄 단계는 선택적 적용에 의해 불필요하게 된다. 에칭 조작은, 예를 들어 열 조사 (IR 램프를 사용하여, 램프 온도 약 300℃ 까지) 의 형태로 에너지를 추가로 투입하거나 하지 않고 일어난다. 에칭이 완료된 후, 인쇄가능하며 분배 가능한 에칭 페이스트를 적합한 용매를 사용하여 에칭된 표면을 헹궈내거나 점화로 제거한다.
하기 변수의 변화를 통해, TixOy - 기재 시스템에서의 에치 깊이 및 다양한 두께로 있는 이것의 층 및 선택적 구조 에칭에서, 추가로 에치 구조의 경계선 선예도가 세팅될 수 있다 :
ㆍ 에칭 성분의 농도 및 조성
ㆍ 이용되는 용매의 농도 및 조성
ㆍ 증점제 시스템의 농도 및 조성
ㆍ 추가되는 임의의 산의 농도 및 조성
ㆍ 소포제, 요변제, 유동-조절제, 탈기제 및 접착촉진제와 같은 추가되는 임의의 첨가제의 농도 및 조성
ㆍ 본 발명에 따라 기술된 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트의 점성도
ㆍ 에너지의 투입이 있거나 없으면서 각각의 에칭 페이스트로 인쇄된 표면에 대한 에칭 기간
에칭 기간은 에치 구조의 적용, 바람직한 에치 깊이 및/또는 경계선 선예도에 따라 수 초 내지 수 분일 수 있다.
인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트는 하기의 조성을 가진다 :
ㆍ TixOy 시스템을 위한 에칭 성분(들) 및 이것의 층
ㆍ 용매
ㆍ 증점제
ㆍ 임의로 유기 및/또는 무기산
ㆍ 예를 들어 소포제, 요변제, 유동-조절제, 탈기제 및 접착촉진제와 같은 임의 첨가제
본 발명에 따라 기술된 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트의 TixOy - 기재 시스템의 표면상 에칭 작용은 산의 추가가 있거나 없이 암모늄 히드로겐 디플루오라이드 용액의 사용을 기반으로 한다. 이 에칭 페이스트는 실온에서조차 효과적이거나 에너지의 추가 투입 (예를 들어, IR 램프를 통해 열 조사하여 램프 온도 약 300℃ 까지) 을 통해 효과적이게 된다.
적용되는 에칭 성분의 비율은 에칭 페이스트 전체 양을 기준으로 8.5 - 9.5 중량% 의 농도 범위 내에 있다.
적절한 무기 및/또는 유기 용매 및/또는 이것의 혼합물은 하기일 수 있다 :
ㆍ 물
ㆍ 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르와 같은 에테르
ㆍ 프로필렌 카르보네이트와 같은 탄산의 에스테르
ㆍ 포름산, 아세트산, 락트산 등과 같은 유기산.
용매의 비율은 에칭 페이스트 전체 양을 기준으로 52 - 57 중량% 의 범위 내에 있다.
본 발명에 따라 기술된 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트의 점성도는 액상에서 팽창하는 네트워크-형성 증점제를 통해 달성되며 적용이 필요한 영역에 따라 변할 수 있다.
본 발명에 따라 기술된 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트는 다른 전단율에서 일정한 점성도를 가지고 있지 않는 모든 에칭 페이스트, 특히 전단-박층화 작용을 가진 에칭 페이스트를 포함한다. 증점제에 의해 생성된 네트워크는 전단 부하하에 붕괴된다. 네트워크의 복원은 시간이 지연되지 않으면서 (플라스틱 또는 슈도플라스틱 유동 거동을 가지는 비-뉴튼 에칭 페이스트) 또는 시간이 지연되면서 (요변성 유동 거동을 가지는 에칭 페이스트) 일어날 수 있다.
증점제 폴리비닐피롤리돈 (PVP) 또는 다양한 셀룰로스를 개별로 및/또는 각각의 조합으로 적용할 수 있다. 목적하는 점성도 범위 설정 및 기본적으로 인쇄가능하며 분배가능한 페이스트의 형성에 필요한 증점제의 비율은 에칭 페이스트 전체 양을 기준으로 10.5 - 11.5 중량% 의 범위 내이다.
pKa 값이 0 - 5 사이인 유기 및 무기산을 본 발명에 따라 기술된 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트에 첨가할 수 있다. 예를 들어, 염화수소산, 인산, 황산, 질산과 같은 무기산 및 특히 포름산과 같은 유기산도 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트의 에칭 작용을 개선시킨다. 산의 첨가시, 산(들) 의 비율은 에칭 페이스트 전체 양을 기준으로 24 - 26 중량% 이다.
의도하는 목적을 위해 유리한 특성을 가진 첨가제는 소포제 (예를 들어 TEGO Foamex N), 요변제 (예를 들어 BYK 410, Borchigel Thixo2), 유동-조절제 (예를 들어 TEGO Glide ZG 400), 탈기제 (예를 들어 TEGO Airex 985) 및 접착촉진제 (예를 들어 Bayowet FT 929) 이다. 이것들은 에칭 페이스트의 인쇄성에 긍정적 효과를 가질 수 있다. 첨가제의 비율은 에칭 페이스트 전체 양을 기준으로 0 - 0.5 중량% 의 범위이다.
본 발명에 따른 에칭 페이스트의 적용 영역은 태양-전지 산업, 특히 태양 전지와 같은 광전기력 성분 또는 광다이오드의 생성에 있다.
본 발명에 따른 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 페이스트를 특히, TixOy - 기재 시스템의 표면의 전체 영역 및/또는 구조화된 에칭이 필요한 모든 경우에 적용할 수 있다.
따라서, 전체 표면, 그러나 균일하게 고체인 비-다공성 및 다공성 TixOy - 기재 시스템에서의 선택적 개별 구조 또한 목적 깊이로 에칭될 수 있다. 적용 영역은 하기를 위한 TixOy - 기재 시스템의 특정 표면 에칭이다 :
ㆍ 표시 및 라벨링 목적
ㆍ 조압에 의한 TixOy 유리, 세라믹 및 다른 TixOy -기재 시스템의 다른 재료에 대한 접착 개선
본 발명에 따라 인쇄가능한 에칭 페이스트를 특히, TixOy 층의 전체-영역 및/또는 구조화된 에칭이 필요한 모든 경우에 적용할 수 있다.
추가 적용 영역은 태양 전지, 광다이오드 등과 같은 광전기력 성분을 생성하는 TixOy 층 상 모든 에칭 단계 특히, 하기의 생성을 위한 TixOy 층의 선택적 개시이다 :
ㆍ 2 - 단계 선택적 전자방출원 (n++ 층의 개방 생성 후) 및/또는
ㆍ 국소 p+ 후표면장 (p+ 층의 개방 생성 후) 및/또는
ㆍ 개방된 구조에서 전도성 접촉 구조 (예를 들어 무전해 석출에 의해)
특히, 스크린, 주형, 패드 및 잉크-젯 인쇄 방법 및 분배 기술은 목적하는 방식으로 에칭 페이스트를 적용하기 위한 적합한 기술이다. 일반적으로, 수동 적용 또한 가능하다.
상기 발명의 더 나은 이해 및 예시를 위해, 에칭 페이스트의 실시예가 하기에 주어진다. 본 발명의 광범위한 여러 변형을 수행하고 조성물의 각 성분을 동일한 작용을 가진 것으로 대체하는 것이 당업자에게 쉽게 가능하기 때문에, 이들 실시예는 단순히 본 출원의 보호 영역을 여기에 제한하는 데는 적합하지 않다. 또한, 당업자가 주어진 실시예를 적합한 방식으로 변형시킨 형태에서 수행하는 것 뿐만 아니라 바람직한 결과를 초래하는 것이 쉽게 가능하다.
실시예 1
5 g 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
15 g 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르
15 g 프로필렌 카르보네이트
7 g 물
27 g 35% NH4HF2 용액
28 g 포름산
12 g 폴리비닐피롤리돈
용매 혼합물 및 산을 PE 비커에 넣었다. 이어서 NH4HF2 용액을 첨가했다. 그런 다음, 교반 (약 900 rpm) 하면서 증점제를 연속적으로 첨가했다. 짧은 방치 시간 후 용기 내로 이동시켰다. 이 방치 시간은 에칭 페이스트에 형성된 기포를 용해시킬 수 있도록 하기 위해 필요하였다.
상기 혼합물은 TixOy -기재 시스템 및 이것의 층을 에너지의 투입이 있고/있거나 없으면서 구조 내 또는 전체 표면에 걸쳐 목적 깊이로 특정하게 에칭할 수 있는 에칭 페이스트를 수여하였다.
APCVD 에 의해 생성된 TixOy 층 상에서 측정된 에칭율은 염 및 산 농도에 의존하며 선형으로 적용하려면 20 - 150 ㎚/분이었다. 상기는 예를 들어, 실시예 1 에 기술된 바와 같은 선택적 적용 (250 ㎛ 의 선 폭) 을 위해서는, 실온에서 70 ㎚/분, 50℃ 의 에칭 온도에서 140 ㎚/분 이었다.
생성 에칭 페이스트는 저장시 안정하며, 취급 및 인쇄가 용이하였다. 인쇄된 재료 또는 페이스트 지지체 (스크린, 닥터 블레이드, 주형, 스탬프, 클리시, 카트리지, 분배기 등) 로부터 예를 들어, 물을 이용해 또는 오븐 내에서 점화에 의해 제거될 수 있었다.
하기 에칭 페이스트를 실시예 1 에서 기술된 에칭 페이스트와 유사하게 제조할 수 있었다 :
실시예 2
35.6 g 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
142.4 g 락트산
12 g NH4HF2
10 g 에틸셀룰로스
실시예 3
10 g 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르
50 g 20% NH4HF2 용액
50 g 1% Deuteron XG 스톡 페이스트 (음이온계 헤테로폴리사카라이드를 기반으로 한 페이스트 또는 잔탄 칼락토만난을 기반으로 한 고분자량 중합체 화합물의 페이스트)
실시예 4
24 g 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르
50 g 20% NH4HF2 용액
8 g 포름산
1.5 g Tylose 4000 (히드록시에틸셀룰로스)
실시예 5
8 g 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르
14 g 프로필렌 카르보네이트
14 g 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르
34 g 20% NH4HF2 용액
28 g 디클로로아세트산
10 g 폴리비닐피롤리돈 K90
Claims (9)
15 - 50℃ 에서 효율적이며/이거나 에너지의 투입에 의해 활성화될 수 있으며 하기 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는, 티타늄 옥시드의 비정질, 결정질 또는 부분 결정질 표면의 에칭을 위한 비-뉴튼성, 바람직하게는 요변성 유동 거동을 가지는 에칭 페이스트 형태의 인쇄가능하며 분배가능한 에칭 매질 :
a) 에칭 성분으로서, 전체 양을 기준으로 8.5 - 9.5 중량% 농도의 암모늄 히드로겐 디플루오라이드
b) 임의로, 매질의 전체 양을 기준으로, 24 - 26 중량% 의 함량을 가지는 하나 이상의 무기 및/또는 유기산 (여기에서 존재하는 유기산은 포름산, 아세트산, 디클로로아세트산, 락트산 및 옥살산과 같은 카르복실산으로 구성된 군으로부터 선택된 0 내지 5 의 pKa 값을 가지는 유기산일 수 있음),
c) 에칭 매질의 전체 양을 기준으로 52 - 57 중량% 양의 물, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르와 같은 에테르, 프로필렌 카르보네이트와 같은 탄산의 에스테르, 1-메틸-2-피롤리돈과 같은 케톤 자체 또는 이것의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 용매,
d) 에칭 매질의 전체 양을 기준으로 10.5 - 11.5 중량% 인, 증점제로서 셀룰로스 유도체 및/또는 폴리비닐피롤리돈과 같은 중합체,
e) 임의로 전체 양을 기준으로 0 - 0.5 중량% 인, 소포제, 요변제, 유동-조절제, 탈기제 및 접착촉진제로 구성된 군으로부터 선택된 첨가제.
제 1 항에 있어서, 산화 표면에 대한 에칭 성분으로서 암모늄 히드로겐 디플루오라이드, 용매로서 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 카르보네이트 및 물, 유기산으로서 포름산 및 증점제로서 폴리비닐피롤리돈을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 매질.
제 1 항 또는 제 2 항에 따른 에칭 매질을 에칭될 표면에 적용하고 0.1 - 15 분의 노출 시간 후에 다시 제거하는 것을 특징으로 하는, 티타늄 옥시드의 비정질, 결정질 또는 부분 결정질 표면의 에칭 방법.
제 3 항에 있어서, 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 에칭 매질을 전체 표면에 걸쳐 또는 에칭이 필요한 영역에만 에치 구조 마스크에 따라 특정하게 적용하며, 에칭이 완료되면, 용매 또는 용매 혼합물을 이용해 헹궈내거나 용광로 내에서 점화하는 것을 특징으로 하는 방법.
표시 및 라벨을 생성하고, TixOy 유리, 세라믹 및 다른 TixOy -기재 시스템을 조압에 의해 다른 재료에 접착하는 것을 개선시키기 위해 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 에칭 매질의 용도.
스크린, 주형, 패드, 스탬프, 잉크-젯 및 수동 인쇄 방법 및 분배 기술에서 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 에칭 매질의 용도.
균일한 고체 비-다공성 및 다공성 고체 또는 다른 기판상에서 생성된 다양한 두께의 대응 비-다공성 및 다공성 층으로서, 비정질, 부분 결정질 및 결정질 TixOy 시스템의 에칭을 위한 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 에칭 매질의 용도.
비정질, 부분 결정질 및 결정질 TixOy 층의 제거, 2-단계 선택적 전자방출원 및/또는 태양 전지 내 국소 p+ 후표면장의 생성을 위한 TixOy 시스템을 포함하는 반사방지층의 선택적 개방을 위한 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 에칭 매질의 용도.
제 1 항 또는 제 2 항에 따른 에칭 매질로 처리된 티타늄 옥시드의 비정질, 부분 결정질 또는 결정질 표면.
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