KR20050054454A - 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및반도체 장치 - Google Patents

반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 보이드 발생 등을 유발하지 않고 신뢰성이 우수한 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지 및 (C) 경화촉진제를 함유하는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법으로서, (A) 내지 (C)성분을 함유하는 성분들 중 (A)성분을 제외한 성분중 전부 또는 일부를 1.333 내지 66.65 kPa의 감압하 및 100 내지 230℃의 가열 조건하에 예비 혼합한 후, 생성된 혼합물과 (A)성분 및 잔여 성분을 혼합하는 것을 포함한다.

Description

반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에 의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치{METHOD FOR PRODUCING EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION AND EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDOCTOR ENCAPSULATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED THEREBY}
본 발명은 성형성 및 신뢰성이 우수한 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에 의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치에 관한 것이다.
통상적으로, 트랜지스터, IC, LSI 등의 반도체 소자는 외부 환경으로부터의 보호 및 소자의 취급을 가능하게 하는 관점에서 반도체 장치로서 이들을 예컨대 에폭시 수지 조성물을 사용하여 플라스틱 포장으로 캡슐화시킴에 의해 제조된다. 이러한 에폭시 수지 조성물은 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 경화촉진제, 및 실레인 커플링제 등과 같은 다른 성분을 혼합 롤러, 혼합 포트(pot), 니더 등에 의해 혼합하고 혼련함으로써 수득된다. 각각의 성분의 분산성 및 습윤성을 개선시키기 위해, 성분의 특정 부분을 미리 예비혼합한 후 생성된 혼합물과 성분의 나머지 부분을 혼합하는 제조 방법이 채용된다.
이러한 제조 방법의 예로서, 노볼락(novolak)형 페놀 수지 경화제를 가열하에 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트와 혼합함으로써 에폭시 수지 경화제를 제조하고 사용하는 것이 제안되었다(JP-B-56-45491호 참조). 상기 제조 방법에 의해 수득된 에폭시 수지 조성물은 양호한 저장 안정성을 갖고 경화물이 우수한 내습성을 갖는다는 효과가 발휘된다.
한편, 페놀 수지 성분의 일부 또는 전부를 에폭시 실레인 커플링제 및 아민 경화촉진제와 함께 용융혼합한 후, 이를 잔여 성분과 용융혼합하는 방법이 제안되었다(JP-B-7-35432호 참조).
그러나, 상기 제조 방법들에 의해 수득된 에폭시 수지 조성물은 예비 혼합시에 시스템에 존재하거나 생성되는 휘발성 성분이 최종적으로 수득된 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물에 남기 때문에 보이드(void)의 발생과 같은 문제점을 가지며, 이러한 문제점을 초래하지 않는 경화물을 수득하는 것은 곤란했다.
본 발명은 이러한 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 보이드 발생 등을 초래하지 않고 신뢰성이 우수한 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법, 및 그에 의해 수득된 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은
(1) (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지 및 (C) 경화촉진제를 함유하는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조방법으로서, (A) 내지 (C)성분을 함유하는 성분중 (A)성분을 제외한 성분 전체 또는 일부를 1.333 내지 66.65kPa의 감압하 및 100 내지 230℃의 가열 조건하에 미리 혼합한 후, (A)성분 및 잔여 성분을 생성된 혼합물과 혼합하는 것을 포함하는 방법;
(2) 상기 (C)성분으로서의 경화촉진제가 테트라-치환된 포스포늄 테트라-치환된 보레이트인 상기 (1)에 따른 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법;
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 따른 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법에 의해 수득할 수 있는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물; 및
(4) 반도체 소자 및 상기 반도체 소자를 밀봉하는 상기 (3)에 따른 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 포함하는 반도체 장치를 제공한다.
즉, 본 발명자들은 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 장치를 제조할 때 형성되는 보이드의 발생과 같은 다수의 문제점을 제어할 수 있고 우수한 성형성을 갖는 캡슐화 물질로서 사용될 수 있는 에폭시 수지 조성물을 얻을 목적으로 예의 연구하였다. 따라서, 종래의 성분 자체의 검토로부터 관점을 바꾸어 다른 해결수단에 대해 연구를 거듭했다. 그 결과, 에폭시 수지 조성물의 구성 성분으로서, 종래부터 경화제로서 사용되고 있는 페놀 수지, 경화촉진제 및 실레인-커플링제가, 혼합시에 분해되어 반응 생성물로서 소위 휘발성 성분을 형성하고, 이것이 상기 문제의 요인이 된다는 것이 밝혀졌다. 상기 사실을 기초로 더욱 연구한 결과, 에폭시 수지 조성물을 제조할 때 에폭시 수지를 제외한 성분의 전부 또는 일부를 감압하에 특정 범위의 가열 조건에서 미리 혼합한 후, 생성된 혼합물과 상기 에폭시 수지 및 잔여 성분을 혼합하는 단계를 통해 에폭시 수지 조성물을 제조하는 경우, 상기 휘발성 성분이 상기 조건하에서 제거되고, 그 결과 성형 동안 결함이 억제됨으로써 높은 신뢰성을 갖는 상기 반도체 장치가 수득될 수 있다는 것을 발견하여 본 발명에 도달했다.
예시적으로 설명을 더욱 명료하게 하기 위해, 도면을 참조한다.
전술한 바와 같이, 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물은 본 발명에서 에폭시 수지((A)성분)를 제외한 성분의 전부 또는 일부를 특정 범위 내의 감압 및 가열 조건하에 예비 혼합한 후, 상기 혼합물과 상기 에폭시 수지((A)성분) 및 잔여 성분을 혼합함으로써 제조된다. 따라서, 휘발성 성분은 생성된 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물로부터 상기 조건하에서의 예비 혼합시에 제거된다. 상기 조성물을 캡슐화용 수지 조성물로서 사용할 경우, 패키지 성형 동안 보이드 등의 발생이 제어되어 높은 신뢰도의 반도체 장치가 수득된다.
또한, 테트라-치환된 포스포늄 테트라-치환된 보레이트를 경화촉진제로서 사용할 경우, 경화성 및 성형체의 신뢰성이 한층 더 향상된다.
본 발명의 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지(A 성분), 페놀 수지(B 성분) 및 경화촉진제(C 성분)를 사용하여 수득되며 일반적으로 분말 형태이거나 그로부터 제조된 정제(tablet) 형태이다.
상기 에폭시 수지(A 성분)는 특별히 한정되지 않으며 다양한 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 트라이페닐메탄형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 에폭시 수지는 단독으로 또는 둘 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 상기 에폭시 수지중에서, 바이페닐형 에폭시 수지 또는 페닐 고리에 하나 이상의 저급 알킬기가 부가된 저 흡습형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 에폭시 수지로서, 150 내지 250의 에폭시 당량 및 50 내지 130℃의 연화점을 갖는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지(A 성분)와 함께 사용되는 페놀 수지(B 성분)는 상기 에폭시 수지(A 성분)의 경화제로서 기능하며 특별히 한정되지 않는다. 페놀 노볼락, 크레졸 노볼락, 바이페닐형 노볼락, 트라이페닐메탄형, 나프톨 노볼락, 페놀 아르알킬 수지 등을 예로 들 수 있다. 페놀 수지는 단독으로 또는 둘 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들중에서, 페놀 아르알킬 수지와 같은 저 흡습성 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지(A 성분) 및 페놀 수지(B 성분)의 비율에 대해서는, 이들을 페놀 수지중의 하이드록실기 당량이 에폭시 수지중의 에폭시기 1당량당 0.5 내지 2.0이 되도록 하는 비율로 혼합하는 것이 바람직하다. 바람직하게는 0.8 내지 1.2 당량이다.
상기 에폭시 수지(A 성분) 및 페놀 수지(B 성분)와 함께 사용되는 경화촉진제(C 성분)는 에폭시 기와 하이드록실 기의 반응을 촉진시키는 한 특별히 한정되지 않는다. 통상적으로 공지된 화합물, 예를 들어 트라이페닐포스핀 등의 3급 인 화합물, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트(이후 "TPP-K"라 지칭함), 테트라페닐포스포늄 테트라키스(4-메틸페닐)보레이트(이후 "TPP-MK"라 지칭함) 등의 4급 포스포늄 화합물, 1,8-다이아자바이사이클로(5,4,0)운데칸-7 등의 다이아자바이사이클로알켄 화합물, 트라이에틸렌다이아민 등의 3급 아민 및 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸이 단독으로 또는 둘 이상을 조합하여 사용될 수 있다. 이들중에서, TPP-K 등의 포스포늄 염 경화촉진제가 경화성 및 성형물의 신뢰성의 관점에서 바람직하다.
상기 경화촉진제(C 성분)의 비율을 상기 페놀 수지(B 성분) 100중량부(이후 "부"라 지칭함)를 기준으로 1 내지 20부로 설정하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 2 내지 10부이다. 전술한 에폭시 수지(A 성분)와 페놀 수지(B 성분)의 의도된 경화 반응은 비율이 1부 미만일 경우 진행되지 않고, 20부를 초과할 경우 반응 속도가 너무 빨라져서 반응이 에폭시 수지 조성물 제조 공정 동안 진행되거나 캡슐화 물질로서의 저장 안정성이 불량하게 되는 경향을 나타낸다.
일반적으로, 상기 A 내지 C 성분과 함께 실레인 커플링제를 임의적인 배합 성분으로서 사용한다. 실레인 커플링제로서, 특별한 제한 없이 다양한 커플링제가 사용될 수 있으며, 둘 이상의 알콕시기를 갖는 것이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인, γ-글라이시독시프로필트라이메톡시실레인, γ-머캅토프로필트라이메톡시실레인, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트라이메톡시실레인, γ-머캅토프로필다이메톡시실레인, γ-아닐리노프로필트라이메톡시실레인, 헥사메틸다이실라제인 등을 들 수 있다. 실레인 커플링제는 단독으로 또는 둘 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다.
실레인 커플링제의 양을 전체 에폭시 수지 조성물을 기준으로 0.1 내지 2중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 0.3 내지 1.5중량%가 더욱 바람직하다. 상기 양이 0.1중량% 미만일 경우 경화물의 강도가 저하되는 문제점이 발생할 우려가 있고, 2중량%를 초과할 경우 경화물의 탄성률이 저하되는 문제점이 발생하는 경향이 있다.
또한, 상기 A 내지 C 성분과 함께, 통상적으로 무기질 충전제를 배합 성분으로서 사용할 수 있다. 상기 무기질 충전제로서는, 다양한 공지의 충전제를 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 용융 실리카 분말, 결정질 실리카 분말 등의 실리카 분말, 알루미나 분말 등을 사용한다. 상기 무기질 충전제는 파쇄상, 구상 또는 마쇄 처리된 것 등의 형태로 사용될 수 있다. 특히, 구상 용융 실리카 분말을 사용하는 것이 바람직하다. 무기질 충전제는 단독으로 또는 둘 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다. 또한, 5 내지 40㎛의 평균 입경을 갖는 무기질 충전제를 사용하는 것이 유동성 개선의 관점에서 바람직하다. 평균 입경 측정에 있어서, 이를 레이저 회절 산란식 입도 분포 분석기로 측정하는 것이 바람직하다.
상기 무기질 충전제의 양을 에폭시 수지 조성물을 기준으로 80 내지 92중량%, 특히 바람직하게는 87 내지 92중량%로 설정하는 것이 바람직하다. 무기질 충전제의 양이 80중량% 미만일 경우 성형 후의 패키지의 수분 흡수량이 증가하고 패키징 후의 신뢰성이 저하되는 경향이 있다. 또한, 92중량%를 초과할 경우 점도가 높아지고 그에 따라 유동성이 불량해지는 경향이 있다.
이와 관련하여, 본 발명의 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물에 따르면, 난연제, 난연보조제, 이형제, 카본블랙 등의 안료 또는 착색제, 저응력화제, 점착부여제 등을 상황에 따라 임의적으로 상기 A 내지 C 성분에 부가하여 혼합할 수 있다.
상기 난연제로서는, 노볼락형 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 삼산화이안티몬, 오산화이안티몬 등을 난연보조제로서 사용한다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다.
상기 이형제로서는, 고급 지방산, 고급 지방산 에스터, 고급 지방산 칼슘염 등의 화합물을 들 수 있으며, 예를 들어 카노바(carnauba) 왁스 및 폴리에틸렌 왁스를 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 둘 이상의 혼합물로서 사용된다.
또한, 상기 저응력화제의 예는 메틸 아크릴레이트-부타다이엔-스티렌 공중합체, 메틸 메타크릴레이트-부타다이엔-스티렌 공중합체 등의 부타다이엔 시스템 고무 및 실리콘 화합물을 포함한다. 또한, 하이드로탈사이트 화합물, 수산화비스무트 등의 이온 트래핑제를 내습 신뢰성 시험에서의 신뢰성을 향상시킬 목적으로 혼합할 수 있다.
본 발명의 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물은 예를 들어 하기 방법으로 제조될 수 있다. 먼저, 에폭시 수지(A 성분)를 제외한 성분의 전부 또는 일부를 미리 혼합 포트에서 대기압하에 가열하면서 혼합한 후, 이들을 감압 조건하에서 충분히 예비혼합하여 예비 혼합물을 제조한다. 다음에, 상기 예비 혼합물과 에폭시 수지(A 성분) 및 잔여 성분을 혼합하고, 대기압하에서 믹서 등을 사용하여 충분히 혼합한 후, 상기와 유사하게 혼합 롤러, 혼합 포트, 니더 등을 사용하여 용융-혼련한다. 이를 실온으로 냉각시킨 후, 공지의 수단을 사용하여 파쇄하고 이를 필요에 따라 정제로 만드는 일련의 단계를 경유하여 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 제조할 수 있다.
상기 감압 조건하에 예비 혼합을 위해 사용되는 혼합 장치는 감압 기구를 구비한 혼합 포트인 한 특별히 한정되지 않으며 진공 혼합 포트 등이 사용된다.
상기 예비 혼합을 위한 감압 조건에 대해서는, 압력을 1.333 내지 66.65 kPa, 특히 바람직하게는 4 내지 40 kPa로 설정할 필요가 있다. 66.65 kPa를 초과하는 압력하에서는 휘발성 성분이 제거되기 곤란할 것이다. 1.333 kPa 미만의 감압 조건일 경우, 설비상, 대량 생산성을 확보하기 힘들고, 필요한 배합 성분이 휘발될 수 있어 결과적으로 수지 특성에 나쁜 영향을 미칠 수 있다.
상기 감압 조건하의 예비 혼합시의 가열 온도 조건으로서는, 휘발성 성분을 효율적으로 증발시킬 목적으로 온도를 100 내지 230℃, 더욱 바람직하게는 130 내지 200℃로 설정할 필요가 있다. 100℃ 미만일 경우 성분의 균일한 교반 및 휘발성 성분의 제거를 수행하기 곤란하고, 230℃를 초과할 경우, 성분들의 반응 및 분해 가능성의 문제가 있을 수 있다.
또한, 감압 조건하의 예비 혼합의 시간은 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 30분 내지 2시간의 범위내에서 행하여진다.
상기 감압 조건하의 예비 혼합에 의해 제거되는 휘발성 성분은 특별히 한정되지 않으나, 그의 예는 페놀 화합물(B 성분) 및 경화촉진제(C 성분)의 분해 및 반응 생성물이라 생각되는 방향족 화합물 및 임의적 성분으로서 실레인 커플링제의 분해 생성물이라 생각되는 알콜 등을 포함한다. 상기 휘발성 성분이 잔존하는 에폭시 수지 조성물을 캡슐화 물질로서 사용할 경우, 반도체 장치의 제조시에 보이드의 발생과 같은 문제를 발생시키는 요인이 된다.
반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 사용한 반도체 소자의 캡슐화는 특별히 한정되지 않으며 통상의 트랜스퍼 성형 등의 공지의 성형 방법에 의해 수행될 수 있다.
다음에, 실시예를 비교예와 함께 설명한다.
<실시예 1>
페놀 노볼락 수지(하이드록실기 당량 110, 연화점 75℃) 56부, 테트라페닐포스포늄 테트라페닐보레이트 3부 및 에폭시 실레인 커플링제(γ-글라이시독시프로필트라이메톡시실레인) 0.6부를 진공 혼합 포트에서 대기압하에 170℃에서 1시간 동안 혼합한 후, 동일한 온도 조건하에 30분 동안 20 kPa의 감압 조건하에 혼합했다. 이후, 대기압 분위기로 돌아가, 카노바 왁스 2.5부를 첨가하여 예비 혼합물을 제조했다.
이어서, 상기 예비 혼합물 전량과, 바이페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 195, 융점 107℃) 100부, 용융 실리카 분말(평균 입경 30㎛) 1200부, 삼산화이안티몬 18부, 카본블랙 6부, 에폭시 실레인 커플링제(3-머캅토프로필트라이메톡시실레인) 3부를 100℃에서 2분 동안 혼련한 후, 냉각하고 분쇄함에 의해 목적하는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 제조했다.
<실시예 2 내지 8, 비교예 1 및 2>
예비 혼합물을 제조할 때 감압 조건, 온도 조건 및 감압 시간을 하기의 표 1 및 표 2에 나타낸 설정 조건으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 제조했다.
실시예 및 비교예에서 이렇게 얻어진 분말상 에폭시 수지 조성물을 사용하여, 반도체 장치를 하기 방법으로 제조했다. 즉, 상기 분말상 에폭시 수지 조성물 각각을 정제화하고, TOWA사의 자동성형기(CPS-40L)를 사용하여 트랜스퍼 성형(성형 조건: 175℃×90초 + 175℃×5시간의 후경화)을 통해 반도체 소자를 몰드 성형하여 반도체 장치를 제조했다. 이 반도체 장치는, 114핀 4방향 플랫 패키지(LQFP-144, 크기: 20 mm×20 mm×두께 1.4 mm)이다. 이러한 방식으로 수득된 반도체 장치를 사용하여, 금속 와이어 유동 및 보이드 발생 수를 측정하고 평가했다.
금속 와이어 유동:
금속 와이어(와이어 직경 23 ㎛, 와이어 길이 6 mm)가 매달린 LQFP-144(크기: 20 mm ×20 mm ×두께 1.4 mm)를 상기와 같이 제조했다. 상기 반도체 장치를 제조할 때, 금속 와이어(2)를 도 1에 도시된 바와 같이 다이 패드(1)를 갖는 LQFP의 패키지 프레임 상에 매달고, 전술한 바와 같이 이를 사용하여 반도체 장치(패키지)를 제조했다. 도 1에서, 3은 반도체 칩이고 4는 리드 핀이다. 이렇게 제조된 패키지를 사용하여, 금속 와이어 유동량을 연(軟)X선 해석장치로 측정했다. 측정에 대해, 정면 방향으로부터의 금속 와이어(2)의 유동량을 도 2에 도시된 바와 같이 각각의 패키지로부터 10개의 금속 와이어를 선정하고 측정함으로써 측정했다. 이후, 금속 와이어 유동률[(d/L)×100]을 산출했다. 이와 관련하여, L은 금속 와이어(2) 사이의 거리(mm)를 나타낸다. 그리고, 상기 금속 와이어 유동률이 6% 이상인 것을 XX, 6% 미만인 것을 OO로 하여 표시했다.
보이드 발생수:
상기 제조된 패키지(LQFP-144)를 연X선 해석장치를 사용하여 관찰하여 직경 0.2mm 이상의 보이드를 세었고, 보이드가 발생한 패키지의 개수를 나타냈다. 이 경우, 각각의 실시예 및 비교예에 대해 10개의 패키지가 제조되었다.
상기 결과로부터, 에폭시 수지를 제외한 성분들을 상기 지정된 범위의 감압 및 가열 조건하에 예비 혼합한 후 이 예비 혼합물을 잔여 성분과 혼합함으로써 수득되는 에폭시 수지 조성물을 사용하여 제조된 실시예 물품은, 보이드가 발생하지 않거나 매우 적은 수의 보이드만이 발생했으며 금속 와이어 유동에 대해 양호한 결과를 나타냈다. 이와는 대조적으로, 예비 혼합시에 66.65 kPa를 초과하는 감압 조건하에 제조된 에폭시 수지 조성물을 사용하여 수득된 비교예 1의 물품은 금속 와이어 유동에 대한 기능불량을 일으켰고 보이드의 발생이 확인되었기 때문에 신뢰성이 불량했다. 또한, 상기 비교예 1의 물품과 유사하게, 예비 혼합시에 100℃ 미만의 가열 온도 조건하에 제조된 에폭시 수지 조성물을 사용하여 수득된 비교예 2의 제품도 금속 와이어 유동에 관한 기능불량을 일으켰고 보이드의 발생이 확인되었기 때문에 신뢰성이 불량했다.
그의 특정한 실시양태를 참고하여 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위를 벗어나지 않은 다양한 변화 및 변경이 당업자에게는 명백할 것이다.
본 출원은 2004년 12월 4일자로 출원된 일본 특허출원 제2003-406213호를 기초로 하며, 그 전체 내용은 본원에 참고로 인용된다.
이상과 같이, 본 발명에 따라 제조된 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 캡슐화용 수지 조성물로서 사용할 경우, 패키지 성형 동안 보이드 등의 발생이 제어되어 높은 신뢰도의 반도체 장치가 수득된다.
또한, 테트라-치환된 포스포늄 테트라-치환된 보레이트를 경화촉진제로서 사용할 경우, 경화성 및 성형체의 신뢰성이 한층 더 향상된다.
도 1은 반도체 장치의 금속 와이어 유동량을 측정하는데 사용되는 패키지의 평면도이다.
도 2는 반도체 장치의 금속 와이어 유동량을 측정하는 방법을 나타낸 개념도이다.

Claims (6)

  1. (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지 및 (C) 경화촉진제를 함유하는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법으로서, (A) 내지 (C)성분을 함유하는 성분들 중 (A)성분을 제외한 성분중 전부 또는 일부를 1.333 내지 66.65 kPa의 감압하 및 100 내지 230℃의 가열 조건하에 예비 혼합한 후, 생성된 혼합물과 (A)성분 및 잔여 성분을 혼합하는 것을 포함하는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (C)성분으로서의 경화촉진제가 테트라-치환 포스포늄 테트라-치환 보레이트인, 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 따른 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법에 의해 수득되는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물.
  4. 제 2 항에 따른 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법에 의해 수득되는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물.
  5. 반도체 소자 및 상기 반도체 소자를 밀봉하는 제 3 항에 따른 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 포함하는 반도체 장치.
  6. 반도체 소자 및 상기 반도체 소자를 밀봉하는 제 4 항에 따른 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물을 포함하는 반도체 장치.
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