KR20050021662A - 쉘 형상의 탄소 미세입자를 이용하여 전계 방출을유도하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 쉘 형상의 탄소 미세입자를 이용하여 전계 방출 특성을 유도하는 방법에 관한 것으로, 쉘 형상의 탄소 미세입자를 금속 코팅 기판에 부착시킨 후 이를 고진공 챔버내에 장착되는 전극 구조체의 음전극(cathode)으로 사용함으로써 전계 방출을 유도하는 방법을 제공한다.

Description

쉘 형상의 탄소 미세입자를 이용하여 전계 방출을 유도하는 방법 {METHOD FOR CONDUCTING FIELD EMISSION USING SHELL-SHAPED CARBON NANO PARTICLE}

본 발명은 쉘 형상의 탄소 미세입자를 이용하여 기존의 탄소 계열 재료에 필적하는 고진공에서의 전계 방출을 유도하는 방법에 관한 것이다.

분자 또는 미세입자를 선택적으로 제어하여 마이크로 및 나노 사이즈의 구조물을 제조하거나 상기 구조물을 산업적으로 이용하는 기술은, 물리적 또는 화학적으로 새로운 물질의 개발 또는 차세대 산업에 주역이 될 양자소자(quantum device) 및 미래 광소자(future optoelectrionics) 등의 개발에 있어 핵심적인 역할을 할 것으로 주목받고 있다.

이러한 마이크로 및 나노 사이즈의 구조물은 전계 방출 특성을 이용한 디스플레이의 제조에도 사용되고 있다. 지금까지 전계 방출 특성을 이용한 디스플레이의 제조에는 많은 재료들이 사용되어 왔으며, 그 중 금속류의 재료들은 오랜 시간 동안의 전자 방출의 과정을 통하는 경우 재료 자체의 망가짐(break-down)으로 인하여 전자 방출체(electron emitter)로서 적합하지 못함이 밝혀졌다. 이로 인해 물리적, 화학적으로 안정한 탄소 계열의 재료가 전자 방출체의 새로운 대안으로 떠올랐으며, 이를 위하여 비정질 탄소(amorphous carbon), DLC(diamond-like carbon), 흑연(graphite), 탄소 나노튜브(carbon nanotube)등이 사용되었다. 이들 중 탄소 나노튜브가 가장 뛰어난 전계 방출 특성을 나타내었다.

그러나, 탄소 나노튜브는 생성 수율이 비교적 낮기 때문에 높은 수율로 제조되면서 탄소 나노튜브에 필적하는 특성을 갖는 새로운 물질을 개발하여 이를 디스플레이의 제조 등을 포함하는 차세대 산업에 이용하는 방안이 계속 연구중에 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 현재까지 보고된 탄소 계열의 재료, 특히 탄소 나노튜브를 대체하기 위해 비교적 간단하고 실용적인 방법으로 대량 제조할 수 있는 쉘 형상의 탄소 미세입자를 이용하여 탄소 나노튜브에 필적하는 전계 방출 특성을 유도하는 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명에서는, 전극 구조체를 고진공 챔버내에 삽입함으로써 전계 방출을 유도하는 방법에 있어서, 전극 구조체가 음전극(cathode)으로서 쉘 형상의 탄소 미세입자가 부착된 금속 코팅 기판을 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법을 제공한다.

또한, 상기 음전극은 화염중에서 쉘 형상의 탄소 미세입자를 금속 코팅 기판에 직접 부착시키거나, 쉘 형상의 탄소 미세입자를 유기 용매와 혼합하여 액적의 형태로 금속 코팅 기판상에 코팅한 후 건조시킴으로써 제조될 수 있다.

이하에서는 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

본 발명자들은 구조적 특이성에 기인하여 매우 우수한 전기적, 광학적, 기계적, 화학적 물성을 갖고 있는 쉘 형상의 탄소 미세입자를 이용하여 고진공에서 전계 방출 현상을 유도한 결과, 이를 FED(Field Emission Display) 제조에 이용할 수 있을 정도로 탄소 나노튜브에 필적하는 전계 방출 특성을 나타냄을 발견하였다. 따라서, 본 발명은 쉘 형상의 탄소 미세입자를 부착층 형태로 금속이 코팅되어 있는 기판 위에 부착시킴으로써 지금까지 알려진 가장 뛰어난 전계 방출 재료인 탄소 나노튜브의 전계 방출 특성에 필적하거나 더 우수한 전계 방출 특성을 유도하는 것을 특징으로 한다.

쉘 형상의 탄소 미세입자는 본 발명자들의 대한민국 특허 등록 제 385574호에 기재된 방법으로 제조될 수 있다. 구체적으로, 본 발명에 사용되는 쉘 형상의 탄소 미세입자는 화염, 바람직하게는 수소-산소 확산 화염 중에 아세틸렌(C₂H₂)을 흘려보내 매연 전구체를 형성한 후 이 전구체에 고출력의 레이저, 바람직하게는 CO₂ 레이저를 조사함으로써 제조된다. 이때, CO₂ 레이저의 출력과 조사위치 및 아세틸렌의 유량이 중요하며 이들에 따라서 제조되는 입자의 형태는 달라지게 된다. 일정 출력 이상, 바람직하게는 약 1800 W 이상의 CO₂ 레이저를 화염 중의 특정 부분에 조사하는 경우에만 쉘 형상의 탄소 미세입자가 제조될 수 있다. 또한 수소-산소 확산화염 이 아닌 아세틸렌(C₂H₂) 화염의 경우에도 고출력의 CO₂ 레이저를 특정 부분에 조사하는 경우에도 쉘 형상의 탄소 미세입자가 제조될 수 있다.

도 1a 및 1b는 각각 수소-산소 확산화염 및 아세틸렌(C₂H₂) 화염 중에서 제조된 쉘 형상의 탄소 미세입자의 투과전자현미경 (TEM) 사진을 도시한 것으로, 쉘 형상의 탄소 미세입자의 크기는 약 30 내지 50nm 정도이고, 외부는 흑연화 층상 구조(graphene sheet)이며 내부는 비어있는 형태를 나타내고 있다.

도 2는 본 발명에 따른 쉘 형상의 탄소 미세입자를 이용한 전계 방출 유도 시스템으로서, 진공 챔버와 그 주변 장치들을 도시한 것이다. P는 압력계이고 A는 전류계를 나타낸 것이다. 본 발명에 따라, 회전 펌프 및 터보 펌프를 이용하여 진공 챔버내의 진공도를 3 내지 5 x 10^-7 mbar 수준으로 유지하는 것이 바람직하며, 그 이유는 상기 범위의 진공도를 유지했을 때 진공 챔버내에서의 아크 발생 없이 안정하게 전계 방출을 유도할 수 있기 때문이다. 또한, 이러한 고진공 하에서 전력원으로 전극간에 걸어주는 전압을 변화시키면서 전자 방출을 유도하며, 이때 유도 방출된 전자의 흐름을 전류계(A)로 측정한다.

도 3은 전자 방출을 유도하기 위해, 도 2에 도시된 진공 챔버내에 삽입되는 전극 구조체를 상세하게 도시한 것이다. 먼저, 금속으로서 금(Au)이 코팅된 n 유형의 실리콘 웨이퍼(n-type Si wafer)를 기판으로 하여 그 위에 쉘 형상 탄소 미세입자를 화염 중에서 직접 부착시키거나 화학적으로 처리한 후 부착시킨 것을 음전극(cathode)로 하고, 구리판 위에 석영판을 부착시켜 양전극(anode)으로 사용한다. 음전극과 양전극은 절연성 간극체(spacer)를 이용하여 일정 간격을 유지하게 되며, 그 간격은 140 내지 420nm 까지 다양할 수 있다. 이러한 전극 구조체를 진공 챔버에 장착하였을 때 고진공 하에서 전계 방출을 유도할 수 있다.

구체적으로 전극 구조체는 다음과 같이 제조될 수 있다. 전도체인 진공 챔버와 기판의 직접적인 접촉을 막기 위해 테플론 절연체를 전극 구조체의 받침으로 사용하며, 전극으로 사용하기 위한 기판으로 스테인레스 스틸(20 x 20 mm)을 사용한다(도면상에 도시되어 있지 않음). 실리콘 웨이퍼와 금과의 접촉성을 좋게 하기 위하여 n 유형의 실리콘 웨이퍼를 크롬(Cr)으로 10nm 코팅한 후 금(Au)으로 100nm 코팅하며, 그 위에 쉘 형상의 탄소 미세입자를 화염 중에 노출시켜 부착시킨다. 쉘 형상의 탄소 미세입자가 부착된 실리콘 웨이퍼(10 x 10 mm)를 상기 스테인레스 스틸 기판 상에 적층시키며, 이때 은 부착제(silver paste)를 이용하여 실리콘 웨이퍼와 스테인레스 스틸 기판과의 접점을 만들어 줌으로써 같은 전위를 가지도록 한다. 양전극(anode)으로는 구리판 위에 석영판을 부착시켜 평활성을 가지도록 한 것을 사용한다. 음전극과 양전극의 사이는 알루미나(Al₂O_3, 100nm의 두께로 절삭 가공한 것, 20x20 mm)를 간극체(spacer)로서 사용하되, 이 간극체는 고진공용 테이프(Kepton tape)를 여러장 붙여서 이용함으로써 그 사이의 간격을 조정할 수 있다. 이와 같이 간격을 고정시킨 전극 구조체를 진공 챔버내에 넣고 전압을 가하면 방출되는 전자에 의해서 전류 측정이 가능해진다.

본 발명에 따라 쉘 형상의 탄소 미세입자를 금속 코팅 기판에 부착하는 경우, 우수한 전계 방출 특성을 유도하기 위해서는 기판상에 쉘 형상의 탄소 미세입자들의 균일한 코팅을 유지하는 것이 바람직하다.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 들어 보다 상세하게 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시적인 것에 불과한 것으로서 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.

실시예 1

도 2에 도시된 전계 방출 유도 시스템을 이용하여, 전계 방출 특성을 측정하였다. 수소-산소 확산 화염 중에 아세틸렌(C₂H₂)을 1lpm의 유량으로 공급하여 형성된 매연 전구체에 1800W의 강도를 갖는 CO₂ 레이저를 조사하여 쉘 형상의 탄소 미세입자를 수득하였다. 수득한 쉘 형상의 탄소 미세입자를 화염 중에서 10x10 mm의 실리콘 웨이퍼상에 직접 부착하여 음전극을 제조한 후 이를 3x10^-7 mbar로 진공도를 유지시킨 진공 챔버내에 삽입하였다. 도 2에 도시된 파워를 통해 전압을 가하여 전자를 방출시켰으며, 그 결과를 도 4a에 파울러-노드하임 (Fowler-Nordheim) 그래프로 도시하였다.

도 4a로부터 볼 수 있는 바와 같이, 1 μA/cm² 의 전류 밀도를 나타낼 때의 전기장의 세기(turn-on voltage)가 약 3V/μm 임을 알 수 있다. 이는 탄소 나노튜브를 사용했을 때의 전계 방출 특성에 가까운 것으로 재료 자체의 제조에 있어서의 용이함과 공정의 연속성 등의 여러 가지 점에서 탄소 나노튜브를 사용하는 것보다 쉘 형상의 탄소 미세입자를 사용하는 경우가 유리할 수 있음을 보여주는 것이다.

실시예 2

수득된 쉘 형상의 탄소 미세입자를 알코올에 분산시킨 후, 이 혼합액의 액적을 실리콘 웨이퍼 위에 떨어뜨리고 이를 건조시켜서 부착층의 형성하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 공정을 수행하여 전계 방출 특성을 측정하였다.

측정된 결과를 도 4b에 도시하였으며, 1 μA/cm² 의 전류 밀도를 나타낼 때의 전기장의 세기가 약 2.5 V/μm 임을 알 수 있다.

본 발명의 방법에 따라, 쉘 형상 탄소 미세입자를 이용하여 전계 방출 현상을 유도하는 경우 기존의 다른 재료, 특히 탄소 나노튜브를 사용한 경우에서 얻을 수 있는 전계 방출 특성을 보다 효율적이고 용이한 방법으로 얻을 수 있다.

도 1a 및 1b는 각각 수소-산소 확산화염 및 아세틸렌(C₂H₂) 화염 중에서 제조된 쉘 형상의 탄소 미세입자의 투과전자현미경(TEM) 사진이고,

도 2는 본 발명에 따른 쉘 형상의 탄소 미세입자를 이용한 전계 방출 유도 시스템을 개략적으로 도시한 것이고,

도 3은 도 2에 도시된 시스템중의 진공 챔버내에 삽입되는 전극 구조체의 상세도이며,

도 4a 및 4b는 각각 본 발명의 실시예 1 및 2에 의해, 쉘 형상의 탄소 미세입자를 이용하여 유도된 전계 방출 특성을 나타내는 그래프이다.

Claims (7)

1. 전극 구조체를 고진공 챔버내에 삽입함으로써 전계 방출을 유도하는 방법에 있어서, 전극 구조체가 음전극(cathode)으로서 쉘 형상의 탄소 미세입자가 부착된 금속 코팅 기판을 포함하는 것임을 특징으로 하는 방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 음전극이 화염중에서 쉘 형상의 탄소 미세입자를 금속 코팅 기판에 직접 부착시킴으로써 제조된 것임을 특징으로 하는 방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 음전극이 쉘 형상의 탄소 미세입자를 유기 용매와 혼합하여 액적의 형태로 금속 코팅 기판상에 코팅한 후 건조시킴으로써 제조된 것임을 특징으로 하는 방법.
4. 제 1항에 있어서, 쉘 형상의 탄소 미세입자가 화염중에서 탄화수소 물질로부터 형성된 매연 전구체에 레이저를 조사하여 제조된 것임을 특징으로 하는 방법.
5. 제 4항에 있어서, 쉘 형상의 탄소 미세입자 제조시에 사용되는 화염이 수소-산소 확산 화염 또는 아세틸렌(C₂H₂) 화염인 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제 1항에 있어서, 고진공 챔버 내의 진공도가 3 내지 5 x 10^-7 mbar로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제 1항에 있어서, 금속 코팅 기판이 금(Au)이 코팅된 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 방법.