KR20050017016A - Charge Transport Compositions Comprising Fluorinated Phenanthroline Derivatives - Google Patents

Charge Transport Compositions Comprising Fluorinated Phenanthroline Derivatives

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KR20050017016A
KR20050017016A KR10-2005-7000320A KR20057000320A KR20050017016A KR 20050017016 A KR20050017016 A KR 20050017016A KR 20057000320 A KR20057000320 A KR 20057000320A KR 20050017016 A KR20050017016 A KR 20050017016A
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잉 왕
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

본 발명은 화학식 (I)의 화합물을 포함하는 전하 이송 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 전하 이송 조성물을 포함하는 적어도 하나의 활성 층이 존재하는 전자 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a charge transfer composition comprising a compound of formula (I). The invention also relates to an electronic device having at least one active layer comprising said charge transfer composition.

Description

플루오르화된 페난트롤린 유도체를 포함하는 전하 이송 조성물 {Charge Transport Compositions Comprising Fluorinated Phenanthroline Derivatives}Charge Transport Compositions Comprising Fluorinated Phenanthroline Derivatives

본 발명은 전하 이송 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기 전하 이송 조성물을 포함하는 적어도 하나의 활성 층이 존재하는 광활성의 전자 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a charge transfer composition. The present invention also relates to a photoactive electronic device having at least one active layer comprising said charge transfer composition.

OLED 디스플레이를 구성하는 발광 다이오드("OLED")와 같은 유기 광활성 전자 장치에서, 유기 활성 층은 OLED 디스플레이 중 2 개의 전기적 접촉 층 사이에 끼여있다. OLED에서 상기 전기적 접촉 층에 전압을 인가하면, 유기 광활성 층이 상기 광-투과 전기 접촉 층을 통하여 빛을 방출한다. In organic photoactive electronic devices, such as light emitting diodes ("OLEDs") that make up an OLED display, the organic active layer is sandwiched between two electrical contact layers of the OLED display. When a voltage is applied to the electrical contact layer in the OLED, the organic photoactive layer emits light through the light-transmitting electrical contact layer.

발광 다이오드의 활성 성분으로서 유기 전장발광 화합물을 사용하는 것이 공지되어 있다. 단순한 유기 분자, 공역 중합체 및 유기금속 착물이 사용되어 왔다. It is known to use organic electroluminescent compounds as active components of light emitting diodes. Simple organic molecules, conjugated polymers and organometallic complexes have been used.

광활성의 물질을 사용하는 장치는 상기 광활성(예, 발광층) 층과 하나의 접촉 층 사이에 위치한 하나 이상의 전하 이송 층을 종종 포함한다. 정공 이송 층은 상기 광활성 층과 양극(anode)이라고도 불리우는 정공-주입 접촉 층의 사이에 위치할 수 있다. 전자 이송 층은 광활성 층과, 음극(cathode)이라고도 불리우는 전자-주입 접촉 층의 사이에 위치할 수 있다.Devices using photoactive materials often include one or more charge transfer layers located between the photoactive (eg light emitting layer) layer and one contact layer. A hole transport layer may be located between the photoactive layer and a hole-injecting contact layer, also called an anode. The electron transport layer can be located between the photoactive layer and the electron-injecting contact layer, also called the cathode.

전하 이송 물질 및 켄칭-방지 물질에 대한 계속적인 요구가 존재한다.There is a continuing need for charge transfer materials and anti-quenching materials.

발명의 요약Summary of the Invention

본 발명은 도 1에 나타낸 화학식 I을 갖는 페난트롤린 유도체를 포함하는 전하 이송 조성물에 관한 것이며, 상기 식에서:The present invention relates to a charge transfer composition comprising a phenanthroline derivative having Formula I shown in FIG. 1, wherein:

R1 및 R2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OCnH aFb, C6HcFd 및 OC6HcF d에서 선택되고;R 1 and R 2 are the same or different at each occurrence and are H, F, Cl, Br, alkyl, heteroalkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d ;

a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;a, b, c and d are 0 or an integer such that a + b = 2n + 1 and c + d = 5;

n은 정수이고;n is an integer;

x는 0 또는 1 내지 3의 정수이며;x is 0 or an integer from 1 to 3;

y는 0, 1 또는 2이고;y is 0, 1 or 2;

단, 방향족 기 상에 F, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되는 적어도 하나의 치환체가 존재한다.Provided that at least one substituent is selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d on the aromatic group.

또다른 구현예에서, 본 발명은 도 2에 나타낸 화학식 II(a) 또는 화학식 II(b)를 갖는 전하 이송 조성물에 관한 것이며, 상기 식에서:In another embodiment, the present invention is directed to a charge transfer composition having Formula II (a) or Formula II (b) shown in FIG. 2, wherein:

R1, R2, a 내지 d, n, x 및 y는 상기 정의된 바와 같고;R 1 , R 2 , a to d, n, x and y are as defined above;

R3는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며, 단일 결합, 및 알킬렌, 헤테로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌, 아릴렌알킬렌, 및 헤테로아릴렌알킬렌에서 선택된 기로부터 선택되며;R 3 is the same or different at each occurrence and is selected from a single bond and a group selected from alkylene, heteroalkylene, arylene, heteroarylene, arylenealkylene, and heteroarylenealkylene;

Q는 단일 결합 및 다가의 기에서 선택되고;Q is selected from a single bond and a multivalent group;

m은 2 이상의 정수이며;m is an integer of 2 or more;

p는 0 또는 1이다.p is 0 or 1.

또다른 구현예에서, 본 발명은 도 1 및 도 2의 각각에 나타낸 화학식 I, II(a) 및 II(b)에서 선택된 물질을 포함하는 적어도 하나의 활성 층을 갖는 전자 장치에 관한 것이며, 상기 식에서 R1 내지 R3, Q, a 내지 d, m, n, p, x 및 y는 상기 정의된 바와 같고, 단 화학식 I에서 방향족 기 상에는 F, CnHaFb, OC nHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되는 적어도 하나의 치환체가 존재한다.In another embodiment, the invention relates to an electronic device having at least one active layer comprising a material selected from formulas I, II (a) and II (b) shown in each of FIGS. 1 and 2, wherein Wherein R 1 to R 3 , Q, a to d, m, n, p, x and y are as defined above, provided that on the aromatic group in formula I are F, C n H a F b , OC n H a F at least one substituent is selected from b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d .

여기에서 사용되는 용어 "전하 이송 조성물"은 전극으로부터 전하를 수용하여 비교적 높은 효율 및 적은 전하 손실로써 상기 물질의 두께를 통하여 움직임을 촉진할 수 있는 물질을 의미하고자 한다. 정공 이송 조성물은 양극으로부터 양의 전하를 수용하여 그것을 이송할 수 있다. 전자 이송 조성물은 음극으로부터 음의 전하를 수용하여 그것을 이송할 수 있다. "켄칭-방지 조성물"이라는 용어는 광활성 층의 여기된 상태로부터 인접한 층으로의 에너지 전이 및 전자의 전이를 둘 다 방해하거나 지연시키거나 감소시키는 물질을 의미하고자 한다. "광활성"이라는 용어는 전장발광, 광발광 및/또는 광민감성을 나타내는 임의의 물질을 의미한다. "HOMO"는 화합물의 채워진 최고 분자 오비탈을 의미한다. "LUMO"라는 용어는 화합물의 채워지지 않은 최저 분자 오비탈을 의미한다. "기"라는 용어는 유기 화합물의 치환체와 같이 화합물의 일부분을 의미하고자 한다. "헤테로"라는 접두어는 하나 이상의 탄소 원자가 다른 원자로 대체된 것을 나타낸다. "알킬"이라는 용어는 하나의 부착 지점을 갖는 지방족 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로알킬"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자를 가지며 하나의 부착 지점을 갖는 지방족 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "알킬렌"이라는 용어는 지방족 탄화수소로부터 유래되고 둘 이상의 부착 지점을 갖는 기를 의미하고자 한다. "헤테로알킬렌"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자를 가지며 둘 이상의 부착 지점을 갖는 지방족 탄화수소로 부터 유래된 기를 의미하고자 한다. "알킬렌"이라는 용어는 지방족 탄화수소로부터 유래되고 둘 이상의 부착 지점을 갖는 기를 의미하고자 한다. "헤테로알킬렌"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자를 가지며 둘 이상의 부착 지점을 갖는 지방족 탄화수소로 부터 유래된 기를 의미하고자 한다. "알케닐"이라는 용어는 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 가지며 둘 이상의 부착 지점을 갖는 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "알키닐"이라는 용어는 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 가지며 하나의 부착 지점을 갖는 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "알케닐렌"이라는 용어는 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 가지며 둘 이상의 부착 지점을 갖는 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "알키닐렌"이라는 용어는 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 가지며 둘 이상의 부착 지점을 갖는 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로알케닐", "헤테로알케닐렌", "헤테로알키닐" 및 "헤테로알키닐렌"이라는 용어는 하나 이상의 헤테로원자를 갖는 동종의 기를 의미하고자 한다. "헤테로알케닐", "헤테로알케닐렌", "헤테로알키닐" 및 "헤테로알키닐렌"이라는 용어는 하나 이상의 헤테로원자를 갖는 동종의 기를 의미하고자 한다. "아릴"이라는 용어는 하나의 부착 지점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로아릴"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자를 가지며 하나의 부착 지점을 갖는 방향족 기에서 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "아릴알킬렌"이라는 용어는 아릴 치환체를 갖는 알킬기에서 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 더 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로아릴알킬렌"이라는 용어는 헤테로아릴 치환체를 갖는 알킬 기로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 더 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "아릴렌"이라는 용어는 두 개의 부착 지점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "헤테로아릴렌"이라는 용어는 적어도 하나의 헤테로원자를 가지며 두 개의 부착 지점을 갖는 방향족 기에서 유래된 기를 의미하고자 하며, 이는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. "아릴렌알킬렌"이라는 용어는 아릴 및 알킬 기를 둘 다 가지며 아릴 기 상에 하나의 부착 지점 및 알킬 기 상에 하나의 부착 지점을 갖는 기를 의미하고자 한다. "헤테로아릴렌알킬렌"이라는 용어는 아릴 및 알킬 기를 둘 다 가지며 아릴 기 상에 하나의 부착 지점 및 알킬 기 상에 하나의 부착 지점을 가지며, 그 안에 적어도 하나의 헤테로원자가 존재하는 기를 의미하고자 한다. 달리 지적되지 않는 한, 모든 기는 치환되지 않았거나 치환된 것일 수 있다. 장치 내의 층을 언급할 때 사용될 경우 "인접한"이라는 어구는 한 층이 또하나의 층에 바로 인접한 것을 반드시 의미하지는 않는다. 한편, "인접한 R 기"는 화학식(즉, 결합에 의해 연합된 원자 상에 있는 R 기)에서 서로 이웃하여 있는 R 기를 일컫도록 사용된다. "화합물"이라는 용어는 원자로 더 구성되는 분자로 만들어진 전기적으로 전하를 띠지 않은 물질을 의미하고자 하며, 여기에서 원자는 물리적 수단에 의해 분리될 수 없다. "리간드"라는 용어는 금속성 이온의 배위 구(sphere)에 부착된 분자, 이온 또는 원자를 의미하고자 한다. "착물"이라는 용어는 명사로 사용될 경우, 적어도 하나의 금속 이온 및 적어도 하나의 리간드를 갖는 화합물을 의미하고자 한다. 또한, IUPAC 번호 체계가 사용되며, 주기율표로부터의 족은 왼쪽에서부터 오른쪽으로 1 부터 18까지 번호가 매겨진다(CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition, 2000).As used herein, the term "charge transfer composition" is intended to mean a material that can receive charge from an electrode and promote movement through the thickness of the material with relatively high efficiency and low charge loss. The hole transport composition can receive a positive charge from the anode and transport it. The electron transport composition can receive negative charge from the cathode and transport it. The term "anti-quenching composition" is intended to mean a material that prevents, retards or reduces both energy transfer and electron transfer from the excited state of the photoactive layer to the adjacent layer. The term "photoactive" means any material that exhibits electroluminescence, photoluminescence and / or photosensitivity. "HOMO" means the filled highest molecular orbital of a compound. The term "LUMO" refers to the lowest unfilled molecular orbital of a compound. The term "group" is intended to mean a portion of a compound, such as a substituent of an organic compound. The prefix "hetero" indicates that one or more carbon atoms have been replaced with another atom. The term "alkyl" is intended to mean a group derived from an aliphatic hydrocarbon having one point of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The term "heteroalkyl" is intended to mean a group derived from an aliphatic hydrocarbon having at least one heteroatom and having one point of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The term "alkylene" is intended to mean a group derived from aliphatic hydrocarbon and having two or more points of attachment. The term "heteroalkylene" is intended to mean a group derived from an aliphatic hydrocarbon having at least one heteroatom and having two or more points of attachment. The term "alkylene" is intended to mean a group derived from aliphatic hydrocarbon and having two or more points of attachment. The term "heteroalkylene" is intended to mean a group derived from an aliphatic hydrocarbon having at least one heteroatom and having two or more points of attachment. The term "alkenyl" is intended to mean a group derived from a hydrocarbon having one or more carbon-carbon double bonds and two or more points of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The term "alkynyl" is intended to mean a group derived from a hydrocarbon having at least one carbon-carbon triple bond and having one point of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The term "alkenylene" is intended to mean a group derived from a hydrocarbon having one or more carbon-carbon double bonds and two or more points of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The term "alkynylene" is intended to mean a group derived from a hydrocarbon having at least one carbon-carbon triple bond and having at least two points of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The terms "heteroalkenyl", "heteroalkenylene", "heteroalkynyl" and "heteroalkynylene" are intended to mean homologous groups having one or more heteroatoms. The terms "heteroalkenyl", "heteroalkenylene", "heteroalkynyl" and "heteroalkynylene" are intended to mean homologous groups having one or more heteroatoms. The term "aryl" is intended to mean a group derived from an aromatic hydrocarbon having one point of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The term "heteroaryl" is intended to mean a group derived from an aromatic group having at least one heteroatom and having one point of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The term "arylalkylene" is intended to mean a group derived from an alkyl group having an aryl substituent, which may be further unsubstituted or substituted. The term "heteroarylalkylene" is intended to mean a group derived from an alkyl group having a heteroaryl substituent, which may be further unsubstituted or substituted. The term "arylene" is intended to mean a group derived from an aromatic hydrocarbon having two points of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The term “heteroarylene” is intended to mean a group derived from an aromatic group having at least one heteroatom and having two points of attachment, which may be unsubstituted or substituted. The term "arylenealkylene" is intended to mean a group having both aryl and alkyl groups and having one point of attachment on the aryl group and one point of attachment on the alkyl group. The term “heteroarylenealkylene” is intended to mean a group having both aryl and alkyl groups, having one point of attachment on the aryl group and one point of attachment on the alkyl group, at least one heteroatom present therein. . Unless otherwise indicated, all groups may be unsubstituted or substituted. The phrase “adjacent” when used when referring to a layer in a device does not necessarily mean that one layer is directly adjacent to another layer. On the other hand, "adjacent R groups" are used to refer to R groups that are adjacent to each other in the formula (ie, R groups on atoms associated by a bond). The term "compound" is intended to mean an electrically uncharged material made of molecules further composed of atoms, wherein the atoms cannot be separated by physical means. The term "ligand" is intended to mean a molecule, ion or atom attached to the coordination sphere of metallic ions. The term "complex", when used as a noun, is intended to mean a compound having at least one metal ion and at least one ligand. In addition, the IUPAC numbering system is used, and families from the periodic table are numbered from 1 to 18 from left to right (CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81 st Edition, 2000).

달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자에 의해 통상적으로 이해되는 것과 같은 의미를 갖는다. 달리 정의되지 않는 한, 도면의 모든 문자 기호는 그러한 원자 기호를 갖는 원자를 의미한다. 여기에 기재된 것들과 유사하거나 동등한 방법 및 물질이 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 물질을 이하에 기재한다. 여기에 언급된 모든 공보, 특허 출원, 특허 및 기타 참고문헌은 그 전체로서 참고문헌으로 도입된다. 서로 위배됨이 있을 경우, 본 명세서의 내용이, 그 정의를 포함하여 우선적일 것이다. 또한, 물질, 방법 및 실시예는 단지 예시적인 것이지 한정하고자 함이 아니다.Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Unless defined otherwise, all letter symbols in the figures refer to atoms having such atomic symbols. Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described below. All publications, patent applications, patents, and other references mentioned herein are incorporated by reference in their entirety. In case of inconsistency, the content of this specification, including its definition, will control. In addition, the materials, methods, and examples are illustrative only and not intended to be limiting.

본 발명의 기타 특징 및 장점은 이하의 상세한 설명 및 청구범위로부터 명백할 것이다.Other features and advantages of the invention will be apparent from the following detailed description, and from the claims.

도 1은 본 발명의 전하 이송 조성물에 대한 화학식 I을 나타낸다.1 shows Formula I for the charge transfer composition of the present invention.

도 2는 본 발명의 전하 이송 조성물에 대한 화학식 II(a) 및 II(b)를 나타낸다.2 shows Formulas II (a) and II (b) for the charge transfer composition of the present invention.

도 3은 본 발명의 전하 이송 조성물에 대한 화학식 I(a) 내지 I(i)를 나타낸다.3 shows Formulas I (a) -I (i) for the charge transfer composition of the present invention.

도 4는 다가의 결합 기에 대한 화학식 III(a) 내지 III(h)를 나타낸다.4 shows formulas III (a) to III (h) for multivalent bonding groups.

도 5는 전장발광성 이리듐 착물에 대한 화학식 IV(a) 내지 IV(e)를 나타낸다.5 shows Formulas IV (a) -IV (e) for the full-luminescent iridium complex.

도 6은 발광 다이오드(LED)의 개략도이다.6 is a schematic diagram of a light emitting diode (LED).

도 7은 공지의 전자 이송 조성물에 대한 화학식을 나타낸다.7 shows the chemical formula for known electron transport compositions.

도 8은 LED를 위한 시험 장치의 개략도이다.8 is a schematic diagram of a test apparatus for an LED.

도 1에 나타낸 화학식 I에 의해 표시되는 페난트롤린 유도체 화합물은 전자 이송 조성물로서 및 켄칭-방지제로서 (ET/AQ로 약칭되는) 특별한 유용성을 갖는다.The phenanthroline derivative compounds represented by formula (I) shown in FIG. 1 have particular utility (abbreviated ET / AQ) as electron transfer compositions and as quenching inhibitors.

하나의 구현예에서, R1은 페닐, 비페닐, 피리딜 및 비피리딜에서 선택되고, 이는 더 치환될 수 있다. 치환체의 예는 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, F, CnHaFb, OCnHaF b, C6HcFd 및 OC6HcFd(a 내지 d 및 n은 상기 정의된 바와 같다)를 포함하지만, 이에 국한되지는 않는다.In one embodiment, R 1 is selected from phenyl, biphenyl, pyridyl and bipyridyl, which may be further substituted. Examples of substituents include alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, arylalkylene, heteroarylalkylene, F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d (where a through d and n are as defined above), but are not limited thereto.

하나의 구현예에서, 적어도 하나의 R1은 페닐 및 비페닐에서 선택되고, F, CnHaFb, OCnHaFb, C6Hc Fd 및 OC6HcFd(a 내지 d 및 n은 상기 정의된 바와 같다)에서 선택되는 기로 더 치환된다.In one embodiment, at least one R 1 is selected from phenyl and biphenyl, F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d ( a to d and n are as defined above).

일반적으로, n은 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 20의 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 12의 정수이다.In general, n is an integer. In one embodiment n is an integer from 1 to 20. In one embodiment n is an integer from 1 to 12.

이러한 종류의 적합한 ET/AQ 화합물의 예로서 도 3의 화학식 I(a) 내지 I(i)로서 주어진 것들을 들 수 있지만, 이에 국한되지는 않는다.Examples of suitable ET / AQ compounds of this kind include, but are not limited to, those given as Formulas I (a) to I (i) of FIG. 3.

화학식 I로 표시되는 조성물은 실시예에 예시된 바와 같이 표준의 유기 합성 기술을 이용하여 제조될 수 있다. 상기 화합물은 증발 기술 또는 통상의 용액 가공 방법에 의해 얇은 막으로서 적용될 수 있다. 여기에서 사용되는 "용액 가공"이란 액체 매질로부터 막이 형성되는 것을 의미한다. 액체 매질은 용액, 분산액, 에멀션 또는 기타의 형태일 수 있다. 전형적인 용액 가공 기술은 예를 들면 용액 캐스팅, 적하(drop) 성형, 커튼(curtain) 캐스팅, 스핀-피복, 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 그라비어 인쇄 등을 포함한다.The composition represented by formula (I) can be prepared using standard organic synthesis techniques as illustrated in the examples. The compound may be applied as a thin film by evaporation techniques or conventional solution processing methods. As used herein, "solution processing" means that a film is formed from a liquid medium. The liquid medium may be in the form of a solution, dispersion, emulsion or other. Typical solution processing techniques include, for example, solution casting, drop molding, curtain casting, spin-coating, screen printing, inkjet printing, gravure printing and the like.

어떤 경우에는 안정성, 피복가능성 및 기타 성질을 개선하기 위해 화합물의 Tg를 증가시키는 것이 바람직하다. 이는 결합 기를 갖는 둘 이상의 화합물을 한데 결합시켜 도 2에 나타낸 화학식 II(a) 또는 화학식 II(b)를 갖는 화합물을 형성함으로써 수행될 수 있다. 이들 화학식에서, Q는 단일 결합 또는 둘 이상의 부착 지점을 갖는 다가의 결합 기일 수 있다. 다가의 결합 기는 둘 이상의 부착 지점을 갖는 탄화수소 기일 수 있고, 지방족 또는 방향족의 것일 수 있다. 다가의 결합기는 헤테로알킬 또는 헤테로방향족 기일 수 있고, 여기에서 헤테로원자는 예를 들면 N, O, S 또는 Si일 수 있다. 다가의 기 Q의 예로서, 알킬렌, 알케닐렌 및 알키닐렌 기, 및 헤테로원자를 갖는 동종의 화합물; 단일, 다중-고리 및 융합-고리의 방향족 및 헤테로방향족 화합물; 트리아릴아민과 같은 아릴아민; 실란 및 실록산을 들 수 있지만, 이에 국한되지는 않는다. 적합한 결합기 Q 기의 추가의 예가 도 4에 화학식 III(a) 내지 III(h)로서 주어진다. 화학식 III(f)에서, 임의의 탄소가 전하 이송 잔기에 결합될 수 있다. 화학식 III(h)에서, 임의의 Si 원자가 전하 이송 잔기에 결합될 수 있다. Ge 및 Sn과 같은 헤테로원자가 사용될 수도 있다. 결합 기는 -[SiMeR1-SiMeR1]n- 일 수도 있으며, 여기에서 R1 및 n은 상기 정의한 바와 같다.In some cases, it is desirable to increase the Tg of the compound to improve stability, coatability and other properties. This can be done by combining two or more compounds having a bonding group together to form a compound having Formula II (a) or Formula II (b) shown in FIG. 2. In these formulae, Q can be a single bond or a multivalent bond group having two or more points of attachment. Multivalent bonding groups can be hydrocarbon groups having two or more points of attachment, and can be aliphatic or aromatic. Multivalent bonding groups can be heteroalkyl or heteroaromatic groups, where the heteroatoms can be, for example, N, O, S or Si. Examples of the multivalent group Q include alkylene, alkenylene and alkynylene groups, and homogeneous compounds having heteroatoms; Single, multi- and fused-ring aromatic and heteroaromatic compounds; Arylamines such as triarylamines; Silanes and siloxanes, but are not limited to these. Further examples of suitable linking group Q groups are given in Figure 4 as formulas III (a) to III (h). In formula III (f), any carbon may be attached to the charge transfer moiety. In formula III (h), any Si atom can be bonded to a charge transfer moiety. Heteroatoms such as Ge and Sn may also be used. The bonding group may be-[SiMeR 1 -SiMeR 1 ] n- , wherein R 1 and n are as defined above.

일반적으로, m은 2 이상의 정수이다. 정확한 숫자는 Q 상의 수용가능한 결합 위치의 수, 및 페난트롤린 잔기 및 Q의 기하학에 의존한다. 하나의 구현예에서, m은 2 내지 10의 정수이다.In general, m is an integer of 2 or more. The exact number depends on the number of acceptable binding sites on Q and the geometry of the phenanthroline residues and Q. In one embodiment, m is an integer from 2 to 10.

일반적으로, n은 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 20의 정수이다. 하나의 구현예에서, n은 1 내지 12의 정수이다.In general, n is an integer. In one embodiment n is an integer from 1 to 20. In one embodiment n is an integer from 1 to 12.

하나의 구현예에서, R1은 페닐, 비페닐, 피리딜 및 비피리딜에서 선택되고, 이는 더 치환될 수 있다. 치환체의 예는 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, F, CnHaFb, OCnHaF b, C6HcFd 및 OC6HcFd(a 내지 d 및 n은 상기 정의된 바와 같다)를 포함하지만, 이에 국한되지는 않는다.In one embodiment, R 1 is selected from phenyl, biphenyl, pyridyl and bipyridyl, which may be further substituted. Examples of substituents include alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, arylalkylene, heteroarylalkylene, F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d (where a through d and n are as defined above), but are not limited thereto.

하나의 구현예에서, 적어도 하나의 R1은 페닐 및 비페닐에서 선택되고, F, CnHaFb, OCnHaFb, C6Hc Fd 및 OC6HcFd(a 내지 d 및 n은 상기 정의된 바와 같다)에서 선택되는 기로 더 치환된다.In one embodiment, at least one R 1 is selected from phenyl and biphenyl, F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d ( a to d and n are as defined above).

하나의 구현예에서, R3는 페닐렌 및 치환된 페닐렌에서 선택된다. 치환체의 예는 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, F, CnHaFb, OCnHaFb, C6Hc Fd 및 OC6HcFd(a 내지 d 및 n은 상기 정의된 바와 같다)를 포함하지만, 이에 국한되지는 않는다.In one embodiment, R 3 is selected from phenylene and substituted phenylene. Examples of substituents include alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, arylalkylene, heteroarylalkylene, F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d (where a through d and n are as defined above), but are not limited thereto.

하나의 구현예에서, R3는 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌 기에서 선택된다.In one embodiment, R 3 is selected from alkylene groups having 1 to 20 carbon atoms.

하나의 구현예에서는, 방향족 기 상에 F, CnHaFb, OCnHa Fb, C6HcFd 및 OC6HcFd 에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재한다.In one embodiment, there is at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d on the aromatic group.

화학식 II(a) 및 화학식 II(b)로 표시되는 조성물은 표준의 유기 합성 기술을 이용하여 제조될 수 있다.The compositions represented by formulas (II) and (II) can be prepared using standard organic synthesis techniques.

전자 장치Electronic device

본 발명은 또한 광활성 층과 하나의 전극 사이에 위치한 본 발명에 따르는 적어도 1종의 전하 이송 조성물을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다. 전형적인 장치 구조를 도 6에 나타낸다. 장치(100)는 양극 층(110) 및 음극 층(160)을 갖는다. 양극에 인접하여 정공 이송 물질을 포함하는 층(120)이 있다. 음극에 인접하여 전자 이송 및/또는 켄칭-방지 물질을 포함하는 층(140)이 있다. 정공 이송 층 및 전자 이송 및/또는 켄칭-방지 층 사이에 광활성 층(130)이 있다. 선택적으로, 장치는 종종 음극에 이웃하여 또하나의 전자 이송 층(150)을 사용한다. 상기 층들(120, 130, 140 및 150)은 개별적으로 및 총체적으로 활성 층이라고 불리운다.The invention also relates to an electronic device comprising at least one charge transfer composition according to the invention located between a photoactive layer and one electrode. A typical device structure is shown in FIG. 6. Device 100 has an anode layer 110 and a cathode layer 160. Adjacent to the anode is a layer 120 comprising a hole transport material. Adjacent to the cathode is a layer 140 comprising an electron transport and / or quench-proof material. There is a photoactive layer 130 between the hole transport layer and the electron transport and / or quenching layer. Optionally, the device often uses another electron transport layer 150 adjacent to the cathode. The layers 120, 130, 140 and 150 are individually and collectively called active layers.

장치(100)의 응용에 따라서, 광활성 층(130)은, 광검출기 등에서와 같이 방사 에너지에 반응하여 인가된 바이어스 전압의 존재 또는 부재 하에 신호를 생성하는 물질의 층인, 인가된 전압(발광 다이오드 또는 발광 전기화학 전지 등에서)에 의해 활성화되는 발광층일 수 있다. 광검출기의 예로서, 광전도성 전지, 포토레지스터, 포토스위치, 포토트랜지스터 및 포토튜브, 및 포토볼타 전지를 들 수 있으며, 상기 용어는 문헌[Markus, John, Electronics and Nucleonics Dictionary, 470 및 476 (McGraw-Hill, Inc. 1966)]에 기재되어 있는 바와 같다.Depending on the application of the device 100, the photoactive layer 130 is an applied voltage (light emitting diode or Light emitting layer activated by a light emitting electrochemical cell). Examples of photodetectors include photoconductive cells, photoresistors, photoswitches, phototransistors and phototubes, and photovoltaic cells, which are described in Markus, John, Electronics and Nucleonics Dictionary , 470 and 476 (McGraw). -Hill, Inc. 1966).

본 발명의 퀴녹살린 유도체 화합물은 층(140)에서 전자 이송 및/또는 켄칭-방지 조성물로서, 또는 층(150)에서 전자 이송 조성물로서 특히 유용하다. The quinoxaline derivative compounds of the present invention are particularly useful as electron transporting and / or quenching-preventing compositions in layer 140 or as electron transporting compositions in layer 150.

장치에서 다른 층은 그러한 층으로서 유용한 것으로 공지되어 있는 임의의 재료로 만들어질 수 있다. 양극(110)은 양의 전하 담체를 주입하기에 특히 효과적인 전극이다. 이는 예를 들면, 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합된-금속 산화물을 함유하는 물질로 만들어지거나, 전도성 중합체일 수 있고, 이들의 혼합물일 수도 있다. 적합한 금속으로서, 11족 금속, 4, 5 및 6 족의 금속, 및 8-10 족의 전이 금속을 들 수 있다. 양극이 광-투과성이어야 할 경우, 인듐-주석-산화물 같은 12, 13 및 14 족 금속의 혼합된 금속 산화물이 일반적으로 사용된다. 양극(110)은 문헌["Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer," Nature vol. 357, pp 477-479 (1992년 6월 11일)]에 기재된 바와 같이 폴리아닐린 같은 유기 물질을 또한 포함할 수 있다. 양극 및 음극의 적어도 하나는 적어도 부분적으로 투명하여 생성된 빛이 관찰될 수 있도록 해야 한다.The other layers in the device can be made of any material known to be useful as such layers. Anode 110 is a particularly effective electrode for injecting a positive charge carrier. It may be made of a material containing, for example, metals, mixed metals, alloys, metal oxides or mixed-metal oxides, or may be conductive polymers, or mixtures thereof. Suitable metals include Group 11 metals, metals of Groups 4, 5 and 6, and transition metals of Groups 8-10. If the anode is to be light-transmissive, mixed metal oxides of Group 12, 13 and 14 metals, such as indium-tin-oxide, are generally used. Anode 110 is described in "Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer," Nature vol. 357, pp 477-479 (June 11, 1992), may also include organic materials such as polyaniline. At least one of the anode and the cathode should be at least partially transparent so that the generated light can be observed.

층(120)으로 사용될 수 있는 정공 이송 물질의 예는 예를 들면 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, by Y. Wang]에 요약되어 있다. 정공 이송 분자 및 중합체가 둘 다 사용될 수 있다. 통상적으로 사용되는 정공 이송 분자는 N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민 (TPD), 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]시클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)비페닐]-4,4'-디아민 (ETPD), 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민 (PDA), a-페닐-4-N,N-디페닐아미노스티렌 (TPS), p-(디에틸아미노)벤즈알데히드 디페닐히드라존 (DEH), 트리페닐아민 (TPA), 비스[4-(N,N-디에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄 (MPMP), 1-페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]-5-[p-(디에틸아미노)페닐]피라졸린 (PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카바졸-9-일)시클로부탄 (DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (TTB) 및 구리 프탈로시아닌 같은 포르피린 화합물이다. 통상적으로 사용되는 정공 이송 중합체는 폴리비닐카바졸, (페닐메틸)폴리실란 및 폴리아닐린, 및 이들의 혼합물이다. 상기 언급된 것들과 같은 정공 이송 분자를 폴리스티렌 및 폴리카보네이트 같은 중합체 내로 도핑함으로써 정공 이송 중합체를 수득하는 것도 가능하다.Examples of hole transport materials that can be used as layer 120 are described, for example, in Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, by Y. Wang. Both hole transport molecules and polymers can be used. Commonly used hole transport molecules are N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD), 1, 1-bis [(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane (TAPC), N, N'-bis (4-methylphenyl) -N, N'-bis (4-ethylphenyl)-[1,1 ' -(3,3'-dimethyl) biphenyl] -4,4'-diamine (ETPD), tetrakis- (3-methylphenyl) -N, N, N ', N'-2,5-phenylenediamine ( PDA), a-phenyl-4-N, N-diphenylaminostyrene (TPS), p- (diethylamino) benzaldehyde diphenylhydrazone (DEH), triphenylamine (TPA), bis [4- (N , N-diethylamino) -2-methylphenyl] (4-methylphenyl) methane (MPMP), 1-phenyl-3- [p- (diethylamino) styryl] -5- [p- (diethylamino) Phenyl] pyrazoline (PPR or DEASP), 1,2-trans-bis (9H-carbazol-9-yl) cyclobutane (DCZB), N, N, N ', N'-tetrakis (4-methylphenyl) Porphyrin compounds such as-(1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine (TTB) and copper phthalocyanine. Commonly used hole transfer polymers are polyvinylcarbazole, (phenylmethyl) polysilane and polyaniline, and mixtures thereof. It is also possible to obtain hole transport polymers by doping hole transport molecules such as those mentioned above into polymers such as polystyrene and polycarbonate.

광활성 층(130)의 예로서 모든 공지의 전장발광성 물질을 들 수 있다. 유기금속성 전장발광 화합물이 바람직하다. 가장 바람직한 화합물로서 시클로금속화된 이리듐 및 플라티늄 전장발광 화합물 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 이리듐과 페닐피리딘, 페닐퀴놀린 또는 페닐피리미딘 리간드와의 착물이 PCT 공개 특허 출원 WO 02/02714(Petrov 등)에 전장발광성 화합물로 개시되어 있다. 기타 유기금속 착물은 예를 들면 공개된 출원 US 2001/0019782 호, EP 1191612 호, WO 02/15645 호 및 EP 1191614 호에 기재되어 있다. 이리듐의 금속 착물로 도핑된 폴리비닐 카바졸(PVK)의 활성 층을 갖는 전장발광 장치가 PCT 공개 출원 WO 00/70655 및 WO 01/41512(Burrows 및 Thompson)에 기재되었다. 전하 담지 호스트 물질 및 인광을 나타내는 플라티늄 착물을 포함하는 전장발광성 방사 층이 미국 특허 제 6,303,238 호(Thompson 등), 및 문헌[Bradley 등, Synth. Met. (2001), 116 (1-3), 379-383 및 Campbell 등, Phys. Rev. B, Vol. 65 085210]에 기재되어 있다. 몇 가지 적합한 이리듐 착물의 예가 도 5에 화학식 IV(a) 내지 IV(e)로 주어져 있다. 동종의 4가 플라티늄 착물이 사용될 수도 있다. 상기 전장발광성 착물은 단독으로 사용되거나 상기 지적한 바와 같이 전하-담지 호스트 내로 도핑될 수 있다. 본 발명의 조성물은 전자 이송 및/또는 켄칭-방지 층(140)에 유용할 뿐 아니라, 광활성 층(130)에서 방사성 도핑제를 위한 전하 담지 호스트로서 작용할 수도 있다.Examples of the photoactive layer 130 include all known electroluminescent materials. Organometallic electroluminescent compounds are preferred. Most preferred compounds include cyclometalated iridium and platinum electroluminescent compounds and mixtures thereof. Complexes of iridium with phenylpyridine, phenylquinoline or phenylpyrimidine ligands are disclosed as full length luminescent compounds in PCT published patent application WO 02/02714 (Petrov et al.). Other organometallic complexes are described, for example, in published applications US 2001/0019782, EP 1191612, WO 02/15645 and EP 1191614. Electroluminescent devices having an active layer of polyvinyl carbazole (PVK) doped with a metal complex of iridium have been described in PCT publications WO 00/70655 and WO 01/41512 (Burrows and Thompson). Electroluminescent emissive layers comprising charge bearing host materials and platinum complexes exhibiting phosphorescence are disclosed in US Pat. No. 6,303,238 (Thompson et al.), And Bradley et al., Synth. Met. (2001), 116 (1-3), 379-383 and Campbell et al., Phys. Rev. B, Vol. 65 085210. Examples of some suitable iridium complexes are given in Formulas IV (a) to IV (e). Homogeneous tetravalent platinum complexes may also be used. The electroluminescent complex can be used alone or doped into a charge-carrying host as pointed out above. The compositions of the present invention are not only useful for the electron transporting and / or quenching-preventing layer 140, but may also act as a charge bearing host for the radioactive dopant in the photoactive layer 130.

층(150)에 사용될 수 있는 추가의 전자 이송 물질의 예로서, 트리스(8-히드록시퀴놀레이토)알루미늄(Alq3)과 같은 금속 킬레이트화된 옥시노이드 화합물; 및 2-(4-비페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD) 및 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ) 같은 아졸 화합물, 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.Examples of additional electron transport materials that can be used in layer 150 include metal chelated oxynoid compounds such as tris (8-hydroxyquinolato) aluminum (Alq 3 ); And 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD) and 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 Azole compounds such as-(4-t-butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ), and mixtures thereof.

음극(160)은 전자 또는 음의 전하 담체를 주입하는 데 특히 효과적인 전극이다. 음극은 양극에 비하여 보다 낮은 작업 기능을 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 음극을 위한 재료는 1 족의 알칼리 금속(예, Li, Cs), 2 족(알칼리 토)금속, 희토류 원소 및 란탄계 및 악틴계를 포함하는 12 족 금속으로부터 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 물질, 뿐만 아니라 그 조합이 사용될 수 있다. Li-함유 유기금속 화합물, LiF 및 Li2O가 작동 전압을 낮추기 위해 유기 층과 음극 층 사이에 침착될 수도 있다.Cathode 160 is an electrode that is particularly effective for injecting electrons or negative charge carriers. The negative electrode can be any metal or nonmetal having a lower working function compared to the positive electrode. The material for the negative electrode may be selected from Group 1 alkali metals (eg, Li, Cs), Group 2 (alkaline earth) metals, rare earth elements and Group 12 metals including lanthanides and actins. Materials such as aluminum, indium, calcium, barium, samarium and magnesium, as well as combinations thereof can be used. Li-containing organometallic compounds, LiF and Li 2 O may be deposited between the organic layer and the cathode layer to lower the operating voltage.

유기 전자 장치 중에 여타의 층을 갖는 것이 알려져 있다. 예를 들면, 양의 전하 이송 및/또는 층의 밴드-간격 조화를 촉진하거나 보호 층으로서 작용하도록 양극(110)과 정공 이송 층(120)의 사이에 층(도시되지 않음)이 있을 수 있다. 당 분야에 공지된 층들이 사용될 수 있다. 또한, 전술한 층들 중 임의의 것은 둘 이상의 층으로 만들어질 수 있다. 그렇지 않으면, 양극 층(110), 정공 이송 층(120), 전자 이송 층(140 및 150) 및 음극 층(160)의 일부 또는 전부가 전하 담체 이송 효율을 증가시키기 위해 표면 처리될 수 있다. 각각의 성분 층을 위한 재료의 선택은 높은 장치 효율을 갖는 장치를 제공할 목적과 장치 작동 수명을 균형시킴으로써 바람직하게 결정된다.It is known to have other layers in organic electronic devices. For example, there may be a layer (not shown) between anode 110 and hole transport layer 120 to facilitate positive charge transfer and / or band-gap coordination of the layer or to act as a protective layer. Layers known in the art can be used. In addition, any of the foregoing layers may be made of two or more layers. Otherwise, some or all of the anode layer 110, the hole transport layer 120, the electron transport layers 140 and 150, and the cathode layer 160 may be surface treated to increase the charge carrier transport efficiency. The choice of material for each component layer is preferably determined by balancing the device operating life with the purpose of providing a device with high device efficiency.

각각의 작용 층은 둘 이상의 층으로 만들어질 수 있음이 이해된다.It is understood that each functional layer can be made of two or more layers.

장치는 적합한 기판 상에 개개의 층을 순차적으로 증착시키는 것을 포함하는 다양한 기술에 의해 제조될 수 있다. 유리 및 중합체 필름과 같은 기판이 사용될 수 있다. 열적 증발, 화학적 증착 등과 같은 통상의 증착 기술이 사용될 수 있다. 그렇지 않으면, 유기 층은 적합한 용매 중 용액 또는 분산액으로부터, 스핀-피복, 침지-피복 및 롤-대-롤 기술을 비제한적으로 포함하는 임의의 통상적인 피복 또는 인쇄 기술을 이용하여 적용될 수 있다. 일반적으로, 상이한 층이 다음 범위의 두께를 가질 수 있다: 양극(110), 500 내지 5000 Å, 바람직하게는 1000 내지 2000 Å; 정공 이송 층(120), 50 내지 2000 Å, 바람직하게는 200 내지 1000 Å; 광활성 층(130), 10 내지 2000 Å, 바람직하게는 100 내지 1000 Å; 전자 이송 층(140 및 150), 50 내지 2000 Å, 바람직하게는 100 내지 1000 Å; 음극(160), 200 내지 10000 Å, 바람직하게는 300 내지 5000 Å. 장치 내 전자-정공 재조합 영역의 위치, 및 따라서 장치의 방사 스펙트럼은 각 층의 상대적 두께에 의해 영향을 받을 수 있다. 따라서, 전자-이송 층의 두께는 전자-정공 재조합 영역이 발광층 내에 있도록 선택되어야 한다. 층 두께의 바람직한 비는 사용되는 재료의 정확한 성질에 의존할 것이다.The device can be manufactured by a variety of techniques including sequentially depositing individual layers on a suitable substrate. Substrates such as glass and polymer films can be used. Conventional deposition techniques such as thermal evaporation, chemical vapor deposition and the like can be used. Alternatively, the organic layer can be applied using any conventional coating or printing technique, including but not limited to spin-coating, dipping-coating and roll-to-roll techniques, from a solution or dispersion in a suitable solvent. In general, the different layers can have a thickness in the following range: anode 110, 500-5000 mm 3, preferably 1000-2000 mm 3; Hole transport layer 120, 50-2000 kPa, preferably 200-1000 kPa; Photoactive layer 130, 10-2000 kPa, preferably 100-1000 kPa; Electron transport layers 140 and 150, 50-2000 kPa, preferably 100-1000 kPa; Cathode 160, 200 to 10000 Hz, preferably 300 to 5000 Hz. The location of the electron-hole recombination region in the device, and thus the emission spectrum of the device, can be affected by the relative thickness of each layer. Therefore, the thickness of the electron-transport layer should be selected so that the electron-hole recombination region is in the light emitting layer. The preferred ratio of layer thickness will depend on the exact nature of the material used.

본 발명의 퀴녹살린 유도체 화합물은 OLEDs 이외의 응용에도 유용할 수 있다. 예를 들면, 상기 조성물은 태양 에너지 변환을 위한 광전압 장치에 사용될 수 있다. 이들은 또한 스마트 카드용 전장 효과 트랜지스터 및 박막 트랜지스터(TFT) 디스플레이 드라이버 응용에도 사용될 수 있다.The quinoxaline derivative compounds of the present invention may be useful for applications other than OLEDs. For example, the composition can be used in photovoltaic devices for solar energy conversion. They can also be used in field effect transistor and thin film transistor (TFT) display driver applications for smart cards.

다음 실시예는 본 발명의 어떤 특징과 장점을 설명한다. 이들은 본 발명을 설명하고자 함이지, 한정하는 것은 아니다. 모든 백분율은 달리 명시되지 않는 한 중량 기준이다.The following examples illustrate certain features and advantages of the present invention. These are intended to illustrate, but do not limit, the present invention. All percentages are by weight unless otherwise specified.

실시예 1-5Example 1-5

본 실시예들은 플루오르 치환을 갖는 페난트롤린 유도체 전하 이송 조성물의 제조를 예시한다.These examples illustrate the preparation of phenanthroline derivative charge transfer compositions with fluorine substitutions.

실시예 1Example 1

본 실시예는 도 3의 화합물 I(c)의 제조를 예시한다.This example illustrates the preparation of compound I (c) of FIG. 3.

2,9-디요오도-1,10-페난트롤린 (900 mg, 2.08 mmol, Toyota 등, Tetrahedron Letters 1998, 39, 2697-2700]에 따라 제조), 3-트리플루오로메틸벤젠보론산 (989 mg, 5.20 mmol, Aldrich Chemical Company, Milwaukee, WI), 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 (481 mg, 0.416 mmol, Aldrich Chemical Company) 및 탄산 나트륨 (882 mg, 8.32 mmol)의 혼합물을 물(20 mL)/톨루엔(50 mL) 중에서 질소 하에 15 시간 동안 환류시켰다. 이어서, 유기 층을 분리하고, 수 층을 3 x 25 mL의 클로로포름으로 추출하였다. 유기 층을 합하고, 황산 나트륨으로 건조시키고 증발 건고시켰다. 헥산/디클로로메탄(1:1, v:v)을 용리액으로 사용하는 실리카겔 플래쉬 크로마토그래피에 의해 정제하여(생성물 Rf = 0.25) 원하는 생성물을 1H NMR에 의한 >95% 순도로 담황색 고체(560 mg, 57%)로 수득하였다.2,9-diiodo-1,10-phenanthroline (900 mg, 2.08 mmol, manufactured according to Tetrahedron Letters 1998 , 39, 2697-2700), 3-trifluoromethylbenzeneboronic acid ( A mixture of 989 mg, 5.20 mmol, Aldrich Chemical Company, Milwaukee, WI), tetrakistriphenylphosphine palladium (481 mg, 0.416 mmol, Aldrich Chemical Company) and sodium carbonate (882 mg, 8.32 mmol) was mixed with water (20 mL ) / Toluene (50 mL) at reflux under nitrogen for 15 h. The organic layer was then separated and the aqueous layer was extracted with 3 x 25 mL of chloroform. The organic layers were combined, dried over sodium sulfate and evaporated to dryness. Purification by silica gel flash chromatography using hexanes / dichloromethane (1: 1, v: v) as eluent (product R f = 0.25) gave the desired product as pale yellow solid (560) with> 95% purity by 1 H NMR. mg, 57%).

유사한 방법을 이용하여 화합물 I(a), I(g), I(h) 및 I(i)를 제조하였다.Similar methods were used to prepare compounds I (a), I (g), I (h) and I (i).

실시예 2Example 2

본 실시예는 도 3의 화합물 I(b)의 제조를 예시한다.This example illustrates the preparation of compound I (b) of FIG. 3.

3,8-디브로모-1,10-페난트롤린(1.5 g, 4.4 mmol, Saitoh 등, Canadian Journal of Chemistry 1997, 75, 1336-1339에 따라 제조), 4-트리플루오로메틸벤젠보론산(2.11 g, 11.1 mmol, Lancaster Chemical Company, Windham, NH), 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐(513 mg, 0.444 mmol) 및 탄산 나트륨(1.41 g, 13.3 mmol), 물(20 mL) 및 톨루엔(100 mL)을 사용하여, 실시예 1에서 사용된 것과 같은 방법을 사용하였다. 실리카겔 플래쉬 크로마토그래피(디클로로메탄/메탄올, 9:1, v:v)를 통해 정제를 수행한 다음, 생성물을 차가운 메탄올로 세척하여 1H NMR에 의한 >95% 순도의 백색 고체(520 mg, 25%)를 수득하였다.3,8-dibromo-1,10-phenanthroline (1.5 g, 4.4 mmol, prepared according to Saitoh et al., Canadian Journal of Chemistry 1997 , 75, 1336-1339), 4-trifluoromethylbenzeneboronic acid (2.11 g, 11.1 mmol, Lancaster Chemical Company, Windham, NH), tetrakistriphenylphosphine palladium (513 mg, 0.444 mmol) and sodium carbonate (1.41 g, 13.3 mmol), water (20 mL) and toluene (100 mL) was used, the same method as used in Example 1 was used. Purification was carried out by silica gel flash chromatography (dichloromethane / methanol, 9: 1, v: v), and then the product was washed with cold methanol to give> 95% purity white solid (520 mg, 25 by 1 H NMR). %) Was obtained.

실시예 3Example 3

본 실시예는 도 3의 화합물 I(e)의 제조를 예시한다. This example illustrates the preparation of compound I (e) of FIG. 3.

2,9-디요오도-1,10-페난트롤린 (1.00 g, 2.31 mmol), 4-플루오로벤젠보론산 (972 mg, 6.96 mmol), 비스(디페닐포스피노)부탄 (92 mg, 0.23 mmol, Aldrich), 팔라듐 아세테이트(52 mg, 0.23 mmol, Aldrich) 및 플루오르화 칼륨(810 mg, 13.9 mmol, Aldrich)를 무수 디옥산(100 mL) 중에서 15 시간 동안 환류시킨 후, 디옥산을 감압 하에 제거하고, 조 잔류물을 실시예 1에서와 같이 물로 후-처리하였다. 실리카 겔 플래쉬 크로마토그래피로 정제를 수행하여(디클로로메탄, 100% 생성물 Rf = 0.57) 1H NMR에 의한 >95% 순도의 담황색 고체(567 mg, 67%)를 수득하였다.2,9-diiodo-1,10-phenanthroline (1.00 g, 2.31 mmol), 4-fluorobenzeneboronic acid (972 mg, 6.96 mmol), bis (diphenylphosphino) butane (92 mg, 0.23 mmol, Aldrich), palladium acetate (52 mg, 0.23 mmol, Aldrich) and potassium fluoride (810 mg, 13.9 mmol, Aldrich) were refluxed in anhydrous dioxane (100 mL) for 15 hours, after which the dioxane was depressurized Removed and the crude residue was post-treated with water as in Example 1. Purification was carried out by silica gel flash chromatography (dichloromethane, 100% product R f = 0.57) to give a pale yellow solid (567 mg, 67%) with> 95% purity by 1 H NMR.

실시예 4Example 4

본 실시예는 도 3의 화합물 I(d)의 제조를 예시한다.This example illustrates the preparation of compound I (d) of FIG. 3.

실시예 20 및 21에서와 같은 방법을 이용하고, 4,7-디클로로-1,10-페난트롤린 (300 mg, 1.20 mmol, J. Heterocyclic Chemistry 1983, 20, 681-6에 따라 제조), 3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠보론산 (0.930 mg, 3.60 mmol, Aldrich), 비스(디페닐포스피노)부탄 (154 mg, 0.361 mmol), 아세트산 팔라듐 (81 mg, 0.361 mmol), 탄산 나트륨(0.510 mg, 9.62 mmol), 물(5 mL) 및 톨루엔(30 mL)을 사용하여 목적하는 생성물을 백색 고체(410 mg, 56%)로 수득하였다.4,7-dichloro-1,10-phenanthroline (300 mg, 1.20 mmol, prepared according to J. Heterocyclic Chemistry 1983, 20, 681-6), using the same method as in Examples 20 and 21, 3 , 5-bis (trifluoromethyl) benzeneboronic acid (0.930 mg, 3.60 mmol, Aldrich), bis (diphenylphosphino) butane (154 mg, 0.361 mmol), palladium acetate (81 mg, 0.361 mmol), carbonic acid Sodium (0.510 mg, 9.62 mmol), water (5 mL) and toluene (30 mL) were used to give the desired product as a white solid (410 mg, 56%).

실시예 5Example 5

본 실시예는 도 3의 화합물 I(f)의 제조를 예시한다. This example illustrates the preparation of compound I (f) in FIG. 3.

2,9-디클로로-페난트롤린 (1.0 g, 4.01 mmol, Yamada 등, Bulletin of the Chemical Society of Japan 1990, 63, 2710-12에 따라 제조), 3,5-비스트리플루오로메틸벤젠-보론산 (2.59 g, 10.0 mmol), 비스(디페닐포스피노)부탄 (171 mg, 0.401 mmol), 아세트산 팔라듐 (90 mg, 0.401 mmol) 및 플루오르화 칼륨 (1.40 g, 24.1 mmol) 및 무수 디옥산(100 mL)을 사용하여 실시예 3에서와 같은 방법을 이용하였다. 조 생성물을 디에틸 에테르로 세척하여 생성물을 정제함으로써 백색 고체(345 mg, 14%)로서 목적하는 생성물을 수득하였다.2,9-dichloro-phenanthroline (1.0 g, 4.01 mmol, prepared according to Bulletin of the Chemical Society of Japan 1990 , 63, 2710-12), 3,5-bistrifluoromethylbenzene-boron Acid (2.59 g, 10.0 mmol), bis (diphenylphosphino) butane (171 mg, 0.401 mmol), palladium acetate (90 mg, 0.401 mmol) and potassium fluoride (1.40 g, 24.1 mmol) and dioxane anhydride ( 100 mL) was used as in Example 3. The crude product was washed with diethyl ether to purify the product to afford the desired product as a white solid (345 mg, 14%).

전자 이송 및/또는 켄칭-방지 조성물의 성질을 하기 표 1에 요약한다.The nature of the electron transfer and / or quench-proof composition is summarized in Table 1 below.

실시예 6Example 6

본 실시예는 도 5의 화학식 IV(a)로 나타낸 이리듐 전장발광성 착물의 제조를 예시한다. This example illustrates the preparation of an iridium electroluminescent complex represented by Formula IV (a) of FIG. 5.

페닐피리딘 리간드, 2-(4-플루오로페닐)-5-트리플루오로메틸피리딘Phenylpyridine ligand, 2- (4-fluorophenyl) -5-trifluoromethylpyridine

사용된 일반적인 방법은 문헌[O. Lohse, P. Thevenin, E. Waldvogel Synlett, 1999, 45-48]에 기재되어 있다. 200 ml의 탈기된 물, 20 g의 탄산 칼륨, 150 ml의 1,2-디메톡시에탄, 0.5 g의 Pd(PPh3)4, 0.05 mol의 2-클로로-5-트리플루오로메틸피리딘 및 0.05 mol의 4-플루오로페닐보론산의 혼합물을 16-30 시간 동안 환류시켰다(80 내지 90℃). 수득되는 반응 혼합물을 300 ml의 물로 희석하고 CH2Cl2(2 x 100 ml)로 추출하였다. 합쳐진 유기 층을 MgSO4로 건조시키고, 용매를 진공으로 제거하였다. 액체 생성물을 진공 분별 증류에 의해 정제하였다. 고형 물질을 헥산으로부터 재결정하였다. 분리된 재료의 전형적인 순도는 >98%였다.General methods used are described in O. Lohse, P. Thevenin, E. Waldvogel Synlett , 1999, 45-48. 200 ml of degassed water, 20 g of potassium carbonate, 150 ml of 1,2-dimethoxyethane, 0.5 g of Pd (PPh 3 ) 4 , 0.05 mol of 2-chloro-5-trifluoromethylpyridine and 0.05 The mixture of mol of 4-fluorophenylboronic acid was refluxed (80-90 ° C.) for 16-30 hours. The resulting reaction mixture was diluted with 300 ml of water and extracted with CH 2 Cl 2 (2 × 100 ml). The combined organic layers were dried over MgSO 4 and the solvent was removed in vacuo. The liquid product was purified by vacuum fractional distillation. Solid material was recrystallized from hexane. Typical purity of the separated material was> 98%.

이리듐 착물:Iridium Complex:

IrCl3·nH2O (54% Ir; 508 mg), 상기 수득된 2-(4-플루오로페닐)-5-트리플루오로메틸피리딘 (2.20 g), AgOCOCF3 (1.01 g) 및 물(1 mL)의 혼합물을 온도 185℃까지 (오일 욕) 서서히 (30 분) 상승시키면서 N2 유동 하에 격렬하게 교반하였다. 185 내지 190℃에서 2 시간 후 혼합물을 고체화시켰다. 상기 혼합물을 실온까지 식혔다. 추출액의 색이 없어질 때까지 상기 고체를 디클로로메탄으로 추출하였다. 합쳐진 디클로로메탄 용액을 짧은 실리카 컬럼으로 여과한 다음 증발시켰다. 메탄올(50 mL)을 잔사에 가한 후 플라스크를 -10℃에서 밤새 두었다. 트리스-시클로메탈화 착물인 도 5의 화합물 IV(a)의 황색 침전을 분리하고, 메탄올로 세척한 다음 진공 하에 건조시켰다. 수율: 1.07 g(82%). 그 따뜻한 용액을 1,2-디클로로에탄 중에서 서서히 냉각시켜 상기 착물의 X-선 품질 결정을 수득하였다.IrCl 3 nH 2 O (54% Ir; 508 mg), 2- (4-fluorophenyl) -5-trifluoromethylpyridine (2.20 g) obtained above, AgOCOCF 3 (1.01 g) and water (1 mL) was vigorously stirred under N 2 flow while slowly raising the temperature to 185 ° C. (oil bath) (30 min). The mixture was solidified after 2 hours at 185-190 ° C. The mixture was cooled to room temperature. The solid was extracted with dichloromethane until the color of the extract disappeared. The combined dichloromethane solution was filtered through a short silica column and then evaporated. Methanol (50 mL) was added to the residue and the flask was left at -10 ° C overnight. The yellow precipitate of tris-cyclometalated complex, compound IV (a) of FIG. 5, was isolated, washed with methanol and dried under vacuum. Yield: 1.07 g (82%). The warm solution was slowly cooled in 1,2-dichloroethane to obtain X-ray quality crystals of the complex.

실시예 7Example 7

본 실시예는 본 발명의 전하 이송 조성물을 이용하여 OLEDs를 형성하는 것을 예시한다.This example illustrates the formation of OLEDs using the charge transfer composition of the present invention.

정공 이송 층(HT 층), 전장발광 층(EL 층) 및 적어도 하나의 전자 이송 및/또는 켄칭-방지 층(ET/AQ 층)을 포함하는 박막 OLED 장치를 열 증발 기술에 의해 제조하였다. 오일 확산 펌프를 갖는 에드워드 오토(Edward Auto) 306 증발기를 사용하였다. 모든 박막 침착을 위한 기본 진공은 10-6 토르의 범위였다. 침착 쳄버는 진공을 해제할 필요없이 5 개의 상이한 필름을 침착시킬 수 있었다.Thin film OLED devices comprising a hole transport layer (HT layer), an electroluminescent layer (EL layer) and at least one electron transport and / or quenching prevention layer (ET / AQ layer) were fabricated by thermal evaporation techniques. Edward Auto 306 evaporator with oil diffusion pump was used. The basic vacuum for all thin film depositions was in the range of 10 -6 Torr. The deposition chamber could deposit five different films without the need to release the vacuum.

씬 필름 디바이시즈 사(Thin Film Devices, Inc)의 패턴을 가진 인듐 주석 산화물 피복된 유리 기판이 사용되었다. 상기 ITO는 30 옴/평방의 시트 저항 및 80% 광 투과율을 갖는, 1400 Å ITO 피복으로 피복된 코닝(Corning) 1737 유리를 기재로 한다. 상기 패턴을 가진 ITO 기판을 수성 세제 용액 중에서 초음파로 세척하였다. 상기 기판을 증류수에 이어 이소프로판올로 헹구고, 이어서 약 3 시간 동안 톨루엔 증기에서 그리스(grease)를 제거하였다.An indium tin oxide coated glass substrate with a pattern of Thin Film Devices, Inc. was used. The ITO is based on Corning 1737 glass coated with a 1400 kV ITO coating, having a 30 ohm / square sheet resistance and 80% light transmission. The ITO substrate with the pattern was cleaned ultrasonically in an aqueous detergent solution. The substrate was rinsed with distilled water followed by isopropanol and then grease was removed from toluene vapor for about 3 hours.

상기 세척된, 패턴을 가진 ITO 기판을 진공 쳄버 상에 올리고, 상기 쳄버를 10-6 토르까지 감압하였다. 다음, 기판을 약 5 내지 10 분 동안 산소 플라스마를 이용하여 더 세정하였다. 세정 후, 얇은 막의 다중 층을 열적 증발에 의해 상기 기판 상에 순차적으로 침착시켰다. 최종적으로, Al 또는 LiF 및 Al로 된 패턴을 가진 금속 전극을 마스크를 통하여 침착시켰다. 수정 결정 모니터(Sycon STC-200)를 이용하여 침착 도중 필름의 두께를 측정하였다. 실시예에 보고된 모든 필름 두께는 명목상의 두께이며, 침착된 재료의 밀도가 1임을 가정하여 계산된 것이다. 다음, 완성된 OLED 장치를 진공 쳄버에서 꺼내고 캡슐화 없이 즉각 특성화하였다.The washed, patterned ITO substrate was placed on a vacuum chamber and the chamber was depressurized to 10-6 Torr. The substrate was then further cleaned using oxygen plasma for about 5-10 minutes. After washing, multiple layers of thin film were deposited sequentially on the substrate by thermal evaporation. Finally, a metal electrode having a pattern of Al or LiF and Al was deposited through the mask. The thickness of the film was measured during deposition using a quartz crystal monitor (Sycon STC-200). All film thicknesses reported in the examples are nominal and were calculated assuming that the density of the deposited material is one. The finished OLED device was then taken out of the vacuum chamber and immediately characterized without encapsulation.

표 2는 본 발명의 페난트롤린 유도체 ET/AQ 조성물로 만들어진 장치를 요약한다. 모든 경우에, 양극은 전술한 바와 같이 ITO였고, 정공 이송 층은 도 15에 나타낸 바와 같이 MPMP였으며, 방사 층은 표시된 두께를 갖는 실시예 6에서 제조된 이리듐 착물이었다. 존재하는 경우, 전자 이송 층(150)은 주어진 두께를 갖는 트리스(8-히드록시퀴놀레이토)알루미늄(III), Alq였다. 음극은 주어진 두께를 갖는, Al 층 또는 LiF/Al의 이중 층이었다. Table 2 summarizes the devices made with the phenanthroline derivative ET / AQ compositions of the present invention. In all cases, the anode was ITO as described above, the hole transport layer was MPMP as shown in FIG. 15, and the emissive layer was an iridium complex prepared in Example 6 having the indicated thickness. If present, the electron transport layer 150 was tris (8-hydroxyquinolato) aluminum (III), Alq, with a given thickness. The cathode was an Al layer or a bilayer of LiF / Al, with a given thickness.

OLED 시료는 그들의 (1) 전류-전압 (I-V) 곡선, (2) 전장발광 휘도 대 전압, 그리고 (3) 전장 발광 스펙트럼 대 전압을 측정함으로써 특성화되었다. 사용된 장치(200)는 도 8에 나타낸다. OLED 시료의 I-V 곡선(220)은 케이슬리(Keithley) 광원-측정 단위 모델 237(280)로 측정하였다. 전장발광 휘도(cd/m2 단위의) 대 전압은 미놀타(Minolta) LS-110 발광 미터(210)로 측정하면서, 전압은 케이슬리 SMU를 이용하여 스캔하였다. 전자 셔터(240)를 통해 한 쌍의 렌즈(230)를 사용하여 빛을 수집함으로써 전장발광 스펙트럼을 수득하고, 스펙트럼 사진기(250)를 통해 분산시킨 다음, 다이오드 어레이 검출기(260)로 측정하였다. 3 개의 측정을 모두 동시에 수행하였고, 컴퓨터(270)로 제어하였다. 특정 전압에서 장치의 효율은 LED의 전장발광 휘도를, 상기 장치를 작동시키는 데 필요한 전류 밀도로 나누어 결정하였다. 단위는 cd/A이다.OLED samples were characterized by measuring their (1) current-voltage (IV) curves, (2) electroluminescence luminance versus voltage, and (3) electroluminescence spectrum versus voltage. The apparatus 200 used is shown in FIG. 8. The IV curve 220 of the OLED sample was measured with a Keithley light source-unit of measure model 237 (280). The full luminescence brightness (in cd / m 2 ) versus voltage was measured with a Minolta LS-110 luminescence meter 210, while the voltage was scanned using a Casley SMU. The full length emission spectrum was obtained by collecting light using a pair of lenses 230 through an electronic shutter 240, dispersed through a spectral camera 250, and then measured with a diode array detector 260. All three measurements were performed at the same time and controlled by computer 270. The efficiency of the device at a particular voltage was determined by dividing the electroluminescent brightness of the LED by the current density needed to operate the device. The unit is cd / A.

본 발명의 페난트롤린 유도체 ET/AQ 조성물을 이용하는 장치의 결과를 하기 표 3에 나타낸다:The results of the device using the phenanthroline derivative ET / AQ composition of the present invention are shown in Table 3 below:

관련 출원의 상호 인용Cross Citation of Related Application

본 출원은 2002년 7월 10일자로 출원된 미국 임시 특허 출원 제 60/394767 호 및 2003년 3월 28일자로 출원된 미국 임시 특허 출원 제 60/458277 호의 우선권을 주장한다.This application claims the priority of US Provisional Patent Application No. 60/394767, filed Jul. 10, 2002 and US Provisional Patent Application No. 60/458277, filed March 28, 2003.

Claims (39)

도 1에 나타낸 화학식 I을 갖는 페난트롤린 유도체를 포함하는 조성물:A composition comprising a phenanthroline derivative having Formula I shown in FIG. 1: 상기 식에서, R1 및 R2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OC nHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되고;Wherein R 1 and R 2 are the same or different at each occurrence and are H, F, Cl, Br, alkyl, heteroalkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d ; a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;a, b, c and d are 0 or an integer such that a + b = 2n + 1 and c + d = 5; n은 정수이고;n is an integer; x는 0 또는 1 내지 3의 정수이며;x is 0 or an integer from 1 to 3; y는 0, 1 또는 2이다. 단, 방향족 기 상에 F, CnHaFb, OCnH aFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재한다.y is 0, 1 or 2. Provided that at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d is present on the aromatic group. 제1항에 있어서, R1이 페닐, 치환된 페닐, 비페닐, 치환된 비페닐, 피리딜, 치환된 피리딜, 비피리딜 및 치환된 비피리딜에서 선택되는 조성물.The composition of claim 1, wherein R 1 is selected from phenyl, substituted phenyl, biphenyl, substituted biphenyl, pyridyl, substituted pyridyl, bipyridyl and substituted bipyridyl. 제2항에 있어서, R1이 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, CnHaFb 및 C6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 치환된 페닐, 치환된 비페닐, 치환된 피리딜, 치환된 비피리딜로부터 선택되는 조성물.The substituent of claim 2, wherein R 1 has at least one substituent selected from alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, arylalkylene, heteroarylalkylene, C n H a F b and C 6 H c F d Phenyl, substituted biphenyl, substituted pyridyl, substituted bipyridyl. 제1항에 있어서, 적어도 하나의 R1이 F, CnHaFb, OCn HaFb, C6HcFd 및 OC6Hc Fd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 치환된 페닐 및 치환된 비페닐로부터 선택되는 조성물.The substitution of claim 1, wherein at least one R 1 has at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d Phenyl and substituted biphenyl. 제1항에 있어서, 페난트롤린 유도체가 도 3의 화학식 I(b) 내지 I(f)에서 선택되는 조성물.The composition of claim 1 wherein the phenanthroline derivative is selected from formulas I (b) to I (f) of FIG. 3. 도 2의 화학식 II(a) 및 II(b)에서 선택된 화학식을 갖는 조성물:A composition having the formula selected from formulas II (a) and II (b) of FIG. 2: 상기 식에서, R1 및 R2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OC nHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되고;Wherein R 1 and R 2 are the same or different at each occurrence and are H, F, Cl, Br, alkyl, heteroalkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d ; R3는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하여, 단일 결합, 및 알킬렌, 헤테로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌, 아릴렌알킬렌, 및 헤테로아릴렌알킬렌에서 선택된 기로부터 선택되며;R 3 is the same or different at each occurrence and is selected from a single bond and a group selected from alkylene, heteroalkylene, arylene, heteroarylene, arylenealkylene, and heteroarylenealkylene; Q는 단일 결합 및 다가의 기에서 선택되고;Q is selected from a single bond and a multivalent group; m은 2 이상의 정수이며;m is an integer of 2 or more; n은 정수이고;n is an integer; p는 0 또는 1이며; p is 0 or 1; x는 0 또는 1 내지 3의 정수이고;x is 0 or an integer from 1 to 3; y는 0, 1 또는 2이다.y is 0, 1 or 2. 제6항에 있어서, Q가 지방족 기, 헤테로지방족 기, 방향족 기 및 헤테로방향족 기에서 선택된 적어도 2 개의 부착 지점을 갖는 탄화수소 기로부터 선택되는 조성물.The composition of claim 6 wherein Q is selected from hydrocarbon groups having at least two points of attachment selected from aliphatic groups, heteroaliphatic groups, aromatic groups and heteroaromatic groups. 제7항에 있어서, Q가 알킬렌 기, 헤테로알킬렌 기, 알케닐렌 기, 헤테로알케닐렌 기, 알키닐렌 기 및 헤테로알키닐렌 기로부터 선택되는 조성물.8. The composition of claim 7, wherein Q is selected from alkylene groups, heteroalkylene groups, alkenylene groups, heteroalkenylene groups, alkynylene groups, and heteroalkynylene groups. 제6항에 있어서, Q가 단일-고리 방향족 기, 다중-고리 방향족 기, 융합-고리 방향족 기, 단일-고리 헤테로방향족 기, 다중-고리 방향족 기, 융합-고리 방향족 기, 아릴아민, 실란 및 실록산에서 선택되는 조성물.The compound of claim 6, wherein Q is a mono-cyclic aromatic group, a multi-cyclic aromatic group, a fused-ring aromatic group, a single-cyclic heteroaromatic group, a multi-ring aromatic group, a fused-ring aromatic group, an arylamine, silane and Composition selected from siloxanes. 제6항에 있어서, Q가 도 4의 화학식 III(a) 내지 III(h)에서 선택되는 조성물.The composition of claim 6 wherein Q is selected from formulas III (a) to III (h) of FIG. 4. 제6항에 있어서, R1이 페닐, 치환된 페닐, 비페닐, 치환된 비페닐, 피리딜, 치환된 피리딜, 비피리딜 및 치환된 비피리딜에서 선택되는 조성물.7. The composition of claim 6, wherein R 1 is selected from phenyl, substituted phenyl, biphenyl, substituted biphenyl, pyridyl, substituted pyridyl, bipyridyl and substituted bipyridyl. 제11항에 있어서, R1이 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, F, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 치환된 페닐, 치환된 비페닐, 치환된 피리딜, 및 치환된 비피리딜로부터 선택되는 조성물.The compound of claim 11, wherein R 1 is alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, arylalkylene, heteroarylalkylene, F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d And substituted phenyl with at least one substituent selected from OC 6 H c F d , substituted biphenyl, substituted pyridyl, and substituted bipyridyl. 제6항에 있어서, 적어도 하나의 R1이 F, CnHaFb, OCn HaFb, C6HcFd 및 OC6Hc Fd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 치환된 페닐 및 치환된 비페닐로부터 선택되는 조성물.The substitution of claim 6, wherein at least one R 1 has at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d Phenyl and substituted biphenyl. 제6항에 있어서, R3가 페닐렌 및 치환된 페닐렌에서 선택되는 조성물.The composition of claim 6, wherein R 3 is selected from phenylene and substituted phenylene. 제14항에 있어서, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, F, CnHaFb, OCnHaFb, C 6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 조성물.The method of claim 14, wherein alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, arylalkylene, heteroarylalkylene, F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 A composition having at least one substituent selected from H c F d . 제6항에 있어서, R3가 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌 기에서 선택되는 조성물.The composition of claim 6, wherein R 3 is selected from alkylene groups having 1 to 20 carbon atoms. 제6항에 있어서, 방향족 기 상에 F, CnHaFb, OCnHaF b, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재하는 조성물.The composition of claim 6, wherein at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d is present on the aromatic group. 적어도 하나의 층이 도 1에 나타낸 화학식 I을 갖는 페난트롤린 유도체를 포함하는 전자 장치:An electronic device comprising at least one layer of a phenanthroline derivative having Formula I shown in FIG. 1: 상기 식에서, R1 및 R2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OC nHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되고;Wherein R 1 and R 2 are the same or different at each occurrence and are H, F, Cl, Br, alkyl, heteroalkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d ; a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;a, b, c and d are 0 or an integer such that a + b = 2n + 1 and c + d = 5; n은 정수이고;n is an integer; x는 0 또는 1 내지 3의 정수이며;x is 0 or an integer from 1 to 3; y는 0, 1 또는 2이다. 단, 방향족 기 상에 F, CnHaFb, OCnH aFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재한다.y is 0, 1 or 2. Provided that at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d is present on the aromatic group. 제18항에 있어서, R1이 페닐, 치환된 페닐, 비페닐, 치환된 비페닐, 피리딜, 치환된 피리딜, 비피리딜 및 치환된 비피리딜에서 선택되는 장치.The device of claim 18, wherein R 1 is selected from phenyl, substituted phenyl, biphenyl, substituted biphenyl, pyridyl, substituted pyridyl, bipyridyl and substituted bipyridyl. 제19항에 있어서, R1이 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, CnHaFb 및 C6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 치환된 페닐, 치환된 비페닐, 치환된 피리딜, 치환된 비피리딜에서 선택되는 장치.20. The substitution of claim 19, wherein R 1 has at least one substituent selected from alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, arylalkylene, heteroarylalkylene, C n H a F b and C 6 H c F d Phenyl, substituted biphenyl, substituted pyridyl, substituted bipyridyl. 제18항에 있어서, 적어도 하나의 R1이 F, CnHaFb, OCn HaFb, C6HcFd 및 OC6Hc Fd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 치환된 페닐 및 치환된 비페닐 기로부터 선택되는 장치.The substitution of claim 18, wherein at least one R 1 has at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d Phenyl and substituted biphenyl groups. 제18항에 있어서, 페난트롤린 유도체가 도 3의 화학식 I(a) 내지 I(i)에서 선택되는 장치.The device of claim 18, wherein the phenanthroline derivative is selected from formulas I (a) to I (i) of FIG. 3. 도 2의 화학식 II(a) 및 II(b)에서 선택된 화학식을 갖는 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 전자 장치:An electronic device comprising at least one layer comprising a composition having a formula selected from Formulas II (a) and II (b) of FIG. 2: 상기 식에서, R1 및 R2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, F, Cl, Br, 알킬, 헤테로알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OC nHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되고;Wherein R 1 and R 2 are the same or different at each occurrence and are H, F, Cl, Br, alkyl, heteroalkyl, alkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d ; R3는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하여, 단일 결합, 및 알킬렌, 헤테로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌, 아릴렌알킬렌, 및 헤테로아릴렌알킬렌에서 선택된 기로부터 선택되며;R 3 is the same or different at each occurrence and is selected from a single bond and a group selected from alkylene, heteroalkylene, arylene, heteroarylene, arylenealkylene, and heteroarylenealkylene; Q는 단일 결합 및 다가의 기에서 선택되고;Q is selected from a single bond and a multivalent group; m은 2 이상의 정수이며;m is an integer of 2 or more; n은 정수이고;n is an integer; p는 0 또는 1이며; p is 0 or 1; x는 0 또는 1 내지 3의 정수이고;x is 0 or an integer from 1 to 3; y는 0, 1 또는 2이다.y is 0, 1 or 2. 제23항에 있어서, Q가 지방족 기, 헤테로지방족 기, 방향족 기 및 헤테로방향족 기에서 선택된 적어도 2 개의 부착 지점을 갖는 탄화수소 기로부터 선택되는 장치.The device of claim 23, wherein Q is selected from hydrocarbon groups having at least two points of attachment selected from aliphatic groups, heteroaliphatic groups, aromatic groups and heteroaromatic groups. 제24항에 있어서, Q가 알킬렌 기, 헤테로알킬렌 기, 알케닐렌 기, 헤테로알케닐렌 기, 알키닐렌 기 및 헤테로알키닐렌 기에서 선택되는 장치.The device of claim 24, wherein Q is selected from alkylene groups, heteroalkylene groups, alkenylene groups, heteroalkenylene groups, alkynylene groups, and heteroalkynylene groups. 제23항에 있어서, Q가 단일-고리 방향족 기, 다중-고리 방향족 기, 융합-고리 방향족 기, 단일-고리 헤테로방향족 기, 다중-고리 방향족 기, 융합-고리 방향족 기, 아릴아민, 실란 및 실록산에서 선택되는 장치.The compound of claim 23, wherein Q is a mono-cyclic aromatic group, a multi-cyclic aromatic group, a fused-ring aromatic group, a single-cyclic heteroaromatic group, a multi-ring aromatic group, a fused-ring aromatic group, an arylamine, silane and Device selected from siloxanes. 제23항에 있어서, Q가 도 4의 화학식 III(a) 내지 III(h)에서 선택되는 장치.The device of claim 23, wherein Q is selected from formulas III (a) to III (h) of FIG. 4. 제23항에 있어서, R1이 페닐, 치환된 페닐, 비페닐, 치환된 비페닐, 피리딜, 치환된 피리딜, 비피리딜 및 치환된 비피리딜에서 선택되는 장치.The device of claim 23, wherein R 1 is selected from phenyl, substituted phenyl, biphenyl, substituted biphenyl, pyridyl, substituted pyridyl, bipyridyl and substituted bipyridyl. 제28항에 있어서, R1이 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, F, CnHaFb, OCnHaFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 치환된 페닐, 치환된 비페닐, 치환된 피리딜, 및 치환된 비피리딜로부터 선택되는 장치.The compound of claim 28, wherein R 1 is alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, arylalkylene, heteroarylalkylene, F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d And substituted phenyl with at least one substituent selected from OC 6 H c F d , substituted biphenyl, substituted pyridyl, and substituted bipyridyl. 제23항에 있어서, 적어도 하나의 R1이 F, CnHaFb, OCn HaFb, C6HcFd 및 OC6Hc Fd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 치환된 페닐 및 치환된 비페닐로부터 선택되는 장치.The substitution of claim 23, wherein at least one R 1 has at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d Phenyl and substituted biphenyl. 제23항에 있어서, R3가 페닐렌 및 치환된 페닐렌에서 선택되는 장치.The device of claim 23, wherein R 3 is selected from phenylene and substituted phenylene. 제31항에 있어서, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아릴알킬렌, 헤테로아릴알킬렌, F, CnHaFb, OCnHaFb, C 6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는 장치.32. The compound of claim 31, wherein alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, arylalkylene, heteroarylalkylene, F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 A device having at least one substituent selected from H c F d . 제23항에 있어서, R3가 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌 기에서 선택되는 조성물.The composition of claim 23, wherein R 3 is selected from alkylene groups having 1 to 20 carbon atoms. 제23항에 있어서, 방향족 기 상에 F, CnHaFb, OCnHaF b, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재하는 조성물.The composition of claim 23, wherein at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d is present on the aromatic group. 도 2에 나타낸 화학식 II를 갖는 페난트롤린 유도체를 포함하는 조성물:A composition comprising a phenanthroline derivative having Formula II shown in FIG. 2: 상기 식에서, R2 및 R3는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb , C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되고;Wherein R 2 and R 3 are the same or different at each occurrence and are H, alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d ; a, b, c 및 d는 0 또는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이며;a, b, c and d are 0 or an integer such that a + b = 2n + 1 and c + d = 5; x는 0 또는 1 내지 3의 정수이며;x is 0 or an integer from 1 to 3; y는 0, 1 또는 2이다. 단, 방향족 기 상에 F, CnHaFb, OCnH aFb, C6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택된 적어도 하나의 치환체가 존재한다.y is 0, 1 or 2. Provided that at least one substituent selected from F, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d is present on the aromatic group. 도 2의 화학식 II에서 선택되는 조성물:The composition selected from formula II in FIG. 상기 식에서, Where Q는 단일 결합 및 다가의 기에서 선택되고;Q is selected from a single bond and a multivalent group; m은 2 내지 10의 정수이며;m is an integer from 2 to 10; R3는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하여, 단일 결합, 및 알킬렌, 헤테로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌, 아릴렌알킬렌, 및 헤테로아릴렌알킬렌에서 선택된 기로부터 선택되며;R 3 is the same or different at each occurrence and is selected from a single bond and a group selected from alkylene, heteroalkylene, arylene, heteroarylene, arylenealkylene, and heteroarylenealkylene; R1 및 R2는 각각의 존재에서 동일 또는 상이하며 H, 알킬, 헤테로알킬, 아릴, 헤테로아릴, CnHaFb, OCnHaFb, C 6HcFd 및 OC6HcFd에서 선택되고;R 1 and R 2 are the same or different at each occurrence and are H, alkyl, heteroalkyl, aryl, heteroaryl, C n H a F b , OC n H a F b , C 6 H c F d and OC 6 H c F d is selected from; y는 0, 1 또는 2이며;y is 0, 1 or 2; a, b, c 및 d는 a + b = 2n + 1이고, c + d = 5가 되도록 하는 정수이다.a, b, c and d are integers such that a + b = 2n + 1 and c + d = 5. 제36항에 있어서, Q가 도 4의 화학식 III(a) 내지 III(h)에서 선택되는 조성물.The composition of claim 36 wherein Q is selected from formulas III (a) to III (h) of FIG. 4. 제35항 내지 제37항 중 어느 한 항의 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 전자 장치.38. An electronic device comprising at least one layer comprising the composition of any one of claims 35-37. 제35항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치가 발광 다이오드, 발광 전기화학 전지 또는 광검출기인 전자 장치.38. The electronic device according to any one of claims 35 to 37, wherein the device is a light emitting diode, a light emitting electrochemical cell or a photodetector.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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