KR20050001514A - 씨오티 구조 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (53)
- 서로 교차되게 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과;상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 형성되며, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와;상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 영역으로 정의되는 화소 영역 단위로, 상기 드레인 전극을 노출시키는 범위에서 아일랜드 패턴(island pattern) 구조로 형성된 컬러필터층과;상기 컬러필터층을 덮는 영역에서, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 포함하는 액정표시장치용 기판.
- 서로 교차되게 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선과;상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 형성되며, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와;상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 영역으로 정의되는 화소 영역 단위로, 상기 드레인 전극을 노출시키는 범위에서 아일랜드 패턴 구조로 형성된 컬러필터층과;상기 컬러필터층 상부에서, 상기 박막트랜지스터와, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선을 덮는 영역에 형성된 블랙매트릭스와;상기 블랙매트릭스 상부에서, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 포함하는 액정표시장치용 기판.
- 제 1 방향으로 형성되며, 게이트 전극, 스토리지 전극을 가지는 게이트 배선과;상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되며, 소스 전극을 가지는 데이터 배선과, 상기 소스 전극과 일정간격 이격되게 형성되는 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 일체형 패턴을 이루며, 상기 스토리지 전극과 중첩되는 위치에 형성된 보조 스토리지 전극과;상기 보조 스토리지 전극을 노출시키는 범위의 화소 영역에 아일랜드 패턴구조로 형성된 컬러필터층과;상기 컬러필터층을 덮는 영역에서, 상기 보조 스토리지 전극과 연결되는 화소 전극을 포함하며, 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극은 박막트랜지스터를 이루는 액정표시장치용 기판.
- 제 1 방향으로 형성되며, 게이트 전극, 스토리지 전극을 가지는 게이트 배선과;상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되며, 소스 전극을 가지는 데이터 배선과, 상기 소스 전극과 일정간격 이격되게 형성되는 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 일체형 패턴을 이루며, 상기 스토리지 전극과 중첩되는 위치에 형성된 보조 스토리지 전극과;상기 보조 스토리지 전극을 노출시키는 범위의 화소 영역에 아일랜드 패턴구조로 형성된 컬러필터층과;상기 컬러필터층 상부에서, 상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극으로 이루어진 박막트랜지스터와, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선을 덮는 영역에 형성된 블랙매트릭스와;상기 블랙매트릭스 상부에서, 상기 보조 스토리지 전극과 연결되는 화소 전극을 포함하는 액정표시장치용 기판.
- 제 1 방향으로 형성되며, 게이트 전극, 스토리지 전극을 가지는 게이트 배선과;상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되며, 소스 전극을 가지는 데이터 배선과, 상기 소스 전극과 일정간격 이격되게 형성된 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 일체형 패턴으로 형성된 보조 스토리지 전극과;상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차지점에 형성된 박막트랜지스터와;상기 박막트랜지스터와, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선을 덮는 영역에 형성된 블랙매트릭스와;상기 블랙매트릭스를 덮는 영역에 형성되며, 상기 보조 스토리지 전극과 연결되는 제 1 화소 전극 물질층과;상기 제 1 화소 전극 물질층 상부의 화소 영역에 아일랜드 패턴 구조로 형성된 컬러필터층과;상기 컬러필터층 상부에서, 상기 제 1 화소 전극 물질층과 연결되는 제 2 화소 전극 물질층을 포함하며, 상기 제 1, 2 화소 전극 물질층은 화소 전극을 이루는 액정표시장치용 기판.
- 상기 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 따른 제 1 기판과;상기 제 1 기판과 대향되게 배치된 제 2 기판과;상기 제 1, 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하는 액정표시장치.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 게이트 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에는, 액티브층(active layer), 오믹콘택층(ohmic contact layer)이 차례대로 적층된 구조의 반도체층을 포함하며, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에는 상기 오믹콘택층이 제거되고, 그 하부층을 이루는 액티브층이 노출된 영역으로 정의되는 채널부(channel part)가 위치하는 액정표시장치용 기판.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 컬러필터층는, 상기 화소 영역 별로 적, 녹, 청 컬러필터가 차례대로 반복 배열된 구조로 이루어지는 액정표시장치용 기판.
- 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 게이트 배선에 포함되는 영역에는 스토리지 전극이 형성되고, 상기 스토리지 전극과 중첩되는 영역에는 상기 데이터 배선과 동일 공정에서 동일 물질로 이루어지며, 상기 화소 전극과 연결되는 보조 스토리지 전극이 형성되는 액정표시장치용 기판.
- 제 9 항에 있어서,상기 스토리지 전극, 보조 스토리지 전극, 화소 전극이 중첩된 영역은 절연층이 개재된 상태에서 스토리지 캐패시턴스(storage capacitance)를 이루는 액정표시장치용 기판.
- 제 9 항에 있어서,상기 컬러필터층은, 상기 보조 스토리지 전극을 노출시키는 범위에서 형성되는 액정표시장치용 기판.
- 제 11 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 직접적으로 덮는 영역에 위치하며, 상기 드레인 전극 및 보조 스토리지 전극을 일부 노출시키는 제 1 드레인 콘택홀 및 제 1 스토리지 콘택홀을 가지는 제 1 보호층을 추가로 포함하는 액정표시장치용 기판.
- 제 12 항에 있어서,상기 화소 전극은, 상기 제 1 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되고, 상기 제 1 스토리지 콘택홀을 통해 보조 스토리지 전극과 연결되는 액정표시장치용 기판.
- 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 스토리지 전극, 보조 스토리지 전극, 화소 전극이 중첩된 영역은 절연층이 개재된 상태에서 스토리지 캐패시턴스(storage capacitance)를 이루는 액정표시장치용 기판.
- 제 4 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 직접적으로 덮는 영역에는, 상기 드레인 전극 및 보조 스토리지 전극을 일부 노출시키는 제 1 드레인 콘택홀 및 제 1 스토리지 콘택홀을 가지는 제 1 보호층을 포함하는 액정표시장치용 기판.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 보호층은 실리콘 절연물질에서 선택되는 액정표시장치용 기판.
- 제 15 항에 있어서,상기 블랙매트릭스와 화소 전극 사이에는, 상기 제 1 드레인 콘택홀 및 제 1 스토리지 콘택홀과 대응된 위치에서 제 2 드레인 콘택홀 및 제 2 스토리지 콘택홀을 가지는 제 2 보호층을 포함하는 액정표시장치용 기판.
- 제 17 항에 있어서,상기 화소 전극은, 상기 제 1, 2 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되고, 상기 제 1, 2 스토리지 콘택홀을 통해 보조 스토리지 전극과 연결되는 액정표시장치용 기판.
- 제 5 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 직접적으로 덮는 영역에는, 상기 보조 스토리지 전극을 일부 노출시키는 스토리지 콘택홀을 가지는 보호층이 추가로 포함되는 액정표시장치용 기판.
- 제 19 항에 있어서,상기 제 1 화소 전극 물질층은, 상기 스토리지 콘택홀을 통해 보조 스토리지 전극과 연결되는 액정표시장치용 기판.
- 제 1 항 또는 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 컬러필터층은, 이웃하는 게이트 배선 및 데이터 배선과 일정간격 중첩되게 형성되는 액정표시장치용 기판.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 컬러필터층은, 노광, 현상 공정을 포함한 패터닝 공정인 사진식각(photolithography)에 의해 형성되는 액정표시장치용 기판.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 2 기판 내부면에는, 공통 전극이 형성되는 액정표시장치.
- 기판 상에 제 1 방향으로, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로, 소스 전극을 포함하는 데이터 배선과, 상기 소스 전극과 이격되게 위치하는 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극은 박막트랜지스터를 이루고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차영역으로 정의되는 화소 영역에 아일랜드 패턴 구조로 컬러필터층을 형성하는 단계와;상기 컬러필터층 상부에, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 기판 상에 제 1 방향으로, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로, 소스 전극을 포함하는 데이터 배선과, 상기 소스 전극과 이격되게 위치하는 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극은 박막트랜지스터를 이루고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차영역으로 정의되는 화소 영역에 아일랜드 패턴 구조로 컬러필터층을 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터와, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선을 덮는 영역에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;상기 블랙매트릭스 상부에, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 기판 상에 제 1 방향으로 게이트 전극, 스토리지 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로, 소스 전극을 포함하는 데이터 배선과, 상기 소스 전극과 일정간격 이격되는 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 일체형 패턴을 이루며, 상기 스토리지 전극과 중첩되는 보조 스토리지 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극은 박막트랜지스터를 이루고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 영역으로 정의되는 화소 영역에, 아일랜드 패턴 구조를 이루며, 상기 보조 스토리지 전극을 노출시키는 컬러필터층을 형성하는 단계와;상기 컬러필터층 상부에, 상기 보조 스토리지 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 기판 상에 제 1 방향으로 게이트 전극, 스토리지 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로, 소스 전극을 포함하는 데이터 배선과, 상기 소스 전극과 일정간격 이격되는 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 일체형 패턴을 이루며, 상기 스토리지 전극과 중첩되는 보조 스토리지 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극은 박막트랜지스터를 이루고, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 영역으로 정의되는 화소 영역에, 아일랜드 패턴 구조를 이루며, 상기 보조 스토리지 전극을 노출시키는 컬러필터층을 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터와, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선을 덮는 영역에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;상기 블랙매트릭스 상부에, 상기 보조 스토리지 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 기판 상에, 제 1 방향으로, 게이트 전극, 스토리지 전극을 포함하는 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로, 소스 전극을 포함하는 데이터 배선과, 상기 소스 전극과 일정간격 이격되게 위치하는 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 일체형 패턴을 이루는 보조 스토리지 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극으로 이루어지는 박막트랜지스터와, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 중첩된 영역에 블랙매트릭스를 형성하는단계와;상기 블랙매트릭스를 덮는 영역에, 상기 보조 스토리지 전극과 연결되는 제 1 화소 전극 물질층을 형성하는 단계와;상기 제 1 화소 전극 물질층 상부에, 상기 블랙매트릭스를 컬러별 경계부로 하여 아일랜드 패턴 구조의 컬러필터층을 형성하는 단계와;상기 컬러필터층 상부에, 상기 제 1 화소 전극 물질층과 연결되는 제 2 화소 전극 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 24 항 내지 제 28 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 게이트 배선을 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선을 형성하는 단계 사이에는, 액티브층, 오믹콘택층이 차례대로 적층된 구조의 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 29 항에 있어서,상기 데이터 배선을 형성하는 단계에서는, 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이 구간에 위치하는 오믹콘택층을 제거하는 단계를 포함하여, 그 하부층에 노출된 액티브층 영역을 채널부로 구성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조방법.
- 제 24 항 또는 제 28 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 컬러필터층을 형성하는 단계는, 노광, 현상 공정을 이용한 패터닝 공정인 사진식각 공정을 이용하여 이루어지는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 24 항 또는 제 28 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 컬러필터층을 형성하는 단계에서는, 상기 화소 영역별로 적, 녹, 청 컬러필터를 차례대로 반복 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 게이트 배선을 형성하는 단계에서는, 상기 게이트 배선 영역에 포함되는 스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 33 항에 있어서,상기 데이터 배선을 형성하는 단계에서는, 상기 스토리지 전극과 중첩되게 위치하는 보조 스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 컬러필터층은, 상기 보조 스토리지 전극을 노출시키는 범위에서 형성되는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 직접적으로 덮는 영역에, 상기 드레인 전극 및 보조 스토리지 전극을 일부 노출시키는 제 1 드레인 콘택홀 및 제 1 스토리지 콘택홀을 가지는 제 1 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 직접적으로 덮는 영역에, 상기 드레인 전극 및 보조 스토리지 전극을 일부 노출시키는 제 1 드레인 콘택홀 및 제 1 스토리지 콘택홀을가지는 제 1 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 게이트 배선을 형성하는 단계에서는, 상기 게이트 배선에 포함되는 스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 38 항에 있어서,상기 데이터 배선을 형성하는 단계에서는, 상기 스토리지 전극과 중첩되는 영역에 보조 스토리지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 컬러필터층은, 상기 보조 스토리지 전극을 노출시키는 범위에서 형성되는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 직접적으로 덮는 영역에, 상기 드레인 전극 및 보조 스토리지 전극을 일부 노출시키는 제 1 드레인 콘택홀 및 제 1 스토리지 콘택홀을 가지는 제 1 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 37 항 또는 제 41 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1 보호층을 이루는 물질은 실리콘 절연물질에서 선택되는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 41 항에 있어서,상기 블랙매트릭스와 화소 전극 사이에는, 상기 제 1 드레인 콘택홀 및 제 1 스토리지 콘택홀과 대응된 위치의 제 2 드레인 콘택홀 및 제 2 스토리지 콘택홀을 가지는 제 2 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 43 항에 있어서,상기 화소 전극은, 상기 제 1, 2 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 연결되고, 상기 제 1, 2 스토리지 콘택홀을 통해 보조 스토리지 전극과 연결되는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 26 항 또는 제 28 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 직접적으로 덮는 영역에는, 상기 보조 스토리지 전극을 일부 노출시키는 제 1 스토리지 콘택홀을 가지는 제 1 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 45 항에 있어서,상기 화소 전극은, 상기 제 1 스토리지 콘택홀을 통해 보조 스토리지 전극과 연결되고, 상기 보조 스토리지 전극과의 연결을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 직접적으로 덮는 영역에는, 상기 보조 스토리지 전극을 일부 노출시키는 제 1 스토리지 콘택홀을 가지는 제 1 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 47 항에 있어서,상기 블랙매트릭스와 화소 전극 사이에는, 상기 제 1 스토리지 콘택홀과 대응된 위치에서 제 2 스토리지 콘택홀을 가지는 제 2 보호층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 48 항에 있어서,상기 화소 전극은, 상기 제 1, 2 스토리지 콘택홀을 통해 보조 스토리지 전극과 연결되며, 상기 화소 전극은 보조 스토리지 전극과의 연결을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 직접적으로 덮는 영역에는, 상기 보조 스토리지 전극을 일부 노출시키는 제 1 스토리지 콘택홀을 가지는 제 1 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 50 항에 있어서,상기 제 1 화소 전극 물질층은, 상기 제 1 스토리지 콘택홀을 통해 보조 스토리지 전극과 연결되며, 상기 제 1 화소 전극 물질층은 통해 제 2 화소 전극 물질층은 보조 스토리지 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 45 항 또는 제 47 항 또는 제 50 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 제 1 보호층은 실리콘 절연물질에서 선택되는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
- 제 24 항 또는 제 26 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 컬러필터층은, 이웃하는 게이트 배선 및 데이터 배선과 일정간격 중첩되게 형성하는 액정표시장치용 기판의 제조 방법.
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