KR20040098102A - Designing method of photomask for forming mesh type metal thin film for electromagnetic interference filter - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전자파 차폐필터용 메시형 금속박막을 형성하기 위한 포토마스크의 설계방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of designing a photomask for forming a mesh metal thin film for an electromagnetic shielding filter.
다양한 방식의 디스플레이(Display)가 상용화되는 추세에 비례하여 디스플레이로부터 발생되는 전자기적인 노이즈(Noise)의 방해현상(Electromagnetic Interference:EMI)으로 인한 인체의 유해성 및 기기의 오작동 등이 큰 문제점으로 대두되고 있다. 도체를 타고 전파되는 노이즈는 필터를 이용하여 제거하고, 디스플레이의 전면을 통하여 복사되어 나오는 전자파는 디스플레이의 전면에 도전성 차폐(Shielding)막을 형성하여 전자파의 진행 방향을 왜곡시킨후, 접지하여 방출시킨다.In proportion to the trend of the commercialization of various types of displays, the harmful effects of the human body caused by electromagnetic interference (EMI) generated from the display and the malfunction of the devices are emerging as big problems. . Noise propagated through the conductor is removed using a filter, and electromagnetic waves radiated through the front surface of the display form a conductive shielding film on the front surface of the display to distort the traveling direction of the electromagnetic wave, and then ground and emit it.
도전성 차폐막의 차폐효율 및 개구율은 도전성 소재의 종류와 형상에 따라 달라진다. 현재 사용되는 도전성 소재로는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전성 산화물계열과 동, 니켈 및 알루미늄 등과 같은 금속계열이 있다. ITO는 투명하므로 별도의 패터닝 공정이 필요 없는 장점이 있으나, 표면저항의 수치가 높아 차폐효율에서 금속계열 보다 낮은 단점이 있다. 금속계열은 개구율 확보를 위한 기하학적 형상의 패턴 형성 공정이 필수적으로 요구된다.The shielding efficiency and aperture ratio of the conductive shielding film vary depending on the type and shape of the conductive material. Current conductive materials include transparent conductive oxides such as indium tin oxide (ITO) and metals such as copper, nickel, and aluminum. ITO is transparent, so there is no need for a separate patterning process, but it has a disadvantage in that the shielding efficiency is higher than that of the metal series due to the high surface resistance. For metal series, a geometric pattern forming process for securing an aperture ratio is required.
전자파를 차폐하기 위한 도전성 금속박막은 개구율 확보를 위하여 메시(Mesh)구조로 형성된다. 메시형 금속박막을 형성하는 종래의 방법은 패턴이 형성된 투명기재의 면에 금속을 진공증착시키는 증착법, 형성하고자 하는 메시구조의 역상을 레지스트를 이용하여 금속박막에 인쇄한 후 노출된 금속 부위를 에칭으로제거하는 인쇄법, 패턴이 형성된 도전막을 전해액에 침적한 후 전류를 인가하여 제조하는 전해도금법, 패턴의 요철부가 형성된 금형을 이용하여 패턴을 찍어내는 금형법 및 금속 섬유를 직물 형태로 짜서 제조하는 직조법 등이 있다. 그러나, 상기 증착법, 인쇄법, 전해도금법, 금형법 및 직조법은 그 특성상 각각 단점을 가지고 있으므로 인하여, 포토리소그라피법(Photolithography) 및 에칭으로 금속박막을 메시구조로 형성하는데, 이를 도 1을 참조하여 설명한다.The conductive metal thin film for shielding electromagnetic waves is formed in a mesh structure to secure the aperture ratio. The conventional method of forming a mesh-type metal thin film is a vapor deposition method in which a metal is vacuum deposited on a surface of a transparent substrate on which a pattern is formed, and the reversed phase of the mesh structure to be formed is printed on the metal thin film by using a resist and then the exposed metal parts are etched. Printing method to remove the pattern by forming a conductive film deposited on the electrolytic solution, and then applying an electric current. Weaving method. However, the deposition method, the printing method, the electroplating method, the mold method, and the weaving method each have disadvantages in their characteristics, and thus, the metal thin film is formed into a mesh structure by photolithography and etching. Explain.
도시된 바와 같이, 투명기재(10)의 상면에 흑화층(21)이 형성된 금속박막(20)을 접착하고 금속박막(20)의 상면에 감광막(30)을 형성한다. 그후, 메시구조의 패턴이 형성된 포토마스크(50)를 투명기재(10)의 상측에 놓고, 감광막(30)을 노광한 후 현상하고, 외부로 노출된 금속박막(20)을 에칭한 후 잔존하는 감광막(30)을 박리하면 스페이스(23)가 형성된 메시구조의 금속박막(20a)이 형성된다.As illustrated, the metal thin film 20 having the blackening layer 21 formed thereon is adhered to the upper surface of the transparent substrate 10 and the photosensitive film 30 is formed on the upper surface of the metal thin film 20. Thereafter, the photomask 50 having the mesh structure pattern formed thereon is placed on the upper side of the transparent substrate 10, the photoresist film 30 is exposed and developed, and the metal thin film 20 exposed to the outside is left after etching. When the photosensitive film 30 is peeled off, a metal thin film 20a having a mesh structure having a space 23 is formed.
그러나, 상기와 같은 종래의 방법은 포토마스크(50)의 패턴을 통과하여 감광막(30)에 조사되는 빛이 포토마스크(50)의 패턴이 교차하는 부위의 엣지부에서 특히 산란되므로 인하여, 감광필름(30)에 형성되는 잠상의 메시라인이 교차하는 부위의 엣지부의 곡률(r1)이 10㎛을 초과한다. 이로인해, 메시형 금속박막(20a)의 메시라인(25)이 교차하는 부위의 엣지부의 곡률(r2)이 10㎛을 초과한다. 이는 메시형 금속박막(20a)의 메시라인(25)이 교차하는 부위의 엣지부가 에칭되지 않은 것을 의미하는데, 이로인해 메시형 금속박막(20a)의 개구율(開口率) 및 비시인성(非視認性)이 저하되는 단점이 있다.However, the conventional method as described above is because the light irradiated to the photosensitive film 30 through the pattern of the photomask 50 is scattered in particular at the edge portion of the cross section of the pattern of the photomask 50, the photosensitive film The curvature r1 of the edge part of the site | part which the latent flaw mesh line formed in (30) intersects exceeds 10 micrometers. As a result, the curvature r2 of the edge portion of the portion where the mesh line 25 of the mesh metal thin film 20a intersects exceeds 10 μm. This means that the edge portion of the portion where the mesh line 25 of the mesh metal thin film 20 intersects is not etched, and thus the opening ratio and invisibility of the mesh metal thin film 20a are not etched. ) Has a disadvantage of deterioration.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창작된 것으로, 본 발명의 목적은 포토마스크에 설계된 패턴의 메시라인이 교차하는 부위의 엣지부에 다양한 기하학적 형상을 덧붙여 메시형 금속박막의 메시라인이 교차하는 부위의 엣지부의 곡률을 0∼10㎛로 제조하므로써 메시형 금속박막의 개구율(開口率) 및 비시인성(非視認性)을 향상시킬 수 있는 전자파 차폐필터용 메시형 금속박막을 형성하기 위한 포토마스크의 설계방법을 제공함에 있다.The present invention was created to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to add a variety of geometric shapes to the edge portion of the mesh line of the pattern designed on the photomask mesh of the mesh metal thin film By forming the curvature of the edge portion of the portion where the lines cross each other from 0 to 10 µm, a mesh metal thin film for an electromagnetic shielding filter can be formed to improve the aperture ratio and invisibility of the mesh metal thin film. The present invention provides a method for designing a photomask.
도 1은 종래의 메시형 금속박막을 형성하는 방법을 보인 도.1 is a view showing a method of forming a conventional mesh metal thin film.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐필터를 제조하는 공정을 보인 도.2A and 2B illustrate a process of manufacturing an electromagnetic shielding filter according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 메시형 금속박막을 형성하는 방법을 보인 도.Figure 3 shows a method of forming a mesh metal thin film according to an embodiment of the present invention.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크에 설계된 패턴을 보인 도.4A and 4B show a pattern designed on a photomask according to another embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
110 : 투명기재 130 : 금속박막110: transparent substrate 130: metal thin film
130a : 메시형 금속박막 131 : 스페이스130a: mesh metal thin film 131: space
133 : 메시라인 140 : 감광막133: mesh line 140: photosensitive film
150 : 투명수지층 200 : 포토마스크150: transparent resin layer 200: photo mask
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전자파 차폐필터용 메시형 금속박막을 형성하기 위한 포토마스크의 설계방법은 투명기재에 접착되어 전자파를 차폐하는 전자파 차폐필터용 금속박막의 상면에 감광막을 형성하고 포토리소그라피법 및 에칭으로 상기 금속박막을 메시형 금속박막으로 형성하기 위한 패턴을 포토마스크에 설계하는 방법에 있어서,The method of designing a photomask for forming a mesh metal thin film for an electromagnetic wave shielding filter according to the present invention for achieving the above object is to form a photosensitive film on the upper surface of the electromagnetic shielding filter metal thin film is bonded to a transparent substrate to shield the electromagnetic wave In the method of designing a pattern on a photomask for forming the metal thin film into a mesh metal thin film by photolithography and etching,
상기 메시형 금속박막의 메시라인이 교차하는 부위의 엣지부의 곡률을 보정하기 위하여 상기 포토마스크의 패턴의 메시라인이 교차하는 부위의 엣지부에 돌기를 설계한다.In order to correct the curvature of the edge portion of the mesh line of the mesh-shaped metal thin film intersecting, a protrusion is designed at the edge portion of the portion where the mesh line of the pattern of the photomask intersects.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐필터용 메시형 금속박막을 형성하기 위한 포토마스크의 설계방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of designing a photomask for forming a mesh metal thin film for an electromagnetic wave shielding filter according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐필터를 제조하는 공정을 보인 도이다.2A and 2B illustrate a process of manufacturing an electromagnetic shielding filter according to an exemplary embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 단계(S100)에서는 투명기재(110)의 상면에 접착제(120)를 도포하고, 단계(S110)에서는 접착제(120)를 매개로 도전성 금속박막(130)을 투명기재(110)에 압착하여 접착한다.As shown, in step (S100) the adhesive 120 is applied to the upper surface of the transparent substrate 110, in step (S110) the conductive metal thin film 130 via the adhesive 120, the transparent substrate 110 Press to adhere.
디스플레이(Display)용 전자파 차폐필터의 투명기재(110)는 금속박막(130)을 지지하는 기능을 하는데, 그 용도상 가시광의 투과성이 우수해야 하고 습식 에칭 공정에 대한 내약품성 및 취급성이 좋아야 한다. 이를 위하여, 투명기재(110)로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트 등과 같은 폴리에스테르계, 에틸비닐아세테이트, 폴리프로필렌 및 폴리스틸렌 등과 같은 폴리올레핀계, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 등과 같은 비닐계, 그리고 폴리카보네이트, 아크릴수지, 트리아세틸 셀룰로오스 및 폴리이미드 등과 같은 고분자 필름 및 수지가 사용된다. 그리고, 취급성 및 가시광의 투과성을 고려할 때, 투명기재(110)의 두께는 10㎛∼250㎛이 바람직하다.The transparent base 110 of the electromagnetic wave shielding filter for a display serves to support the metal thin film 130. For this purpose, the transparent base 110 should have excellent transmittance of visible light and good chemical resistance and handleability to a wet etching process. . To this end, the transparent substrate 110 is a polyester-based, such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyolefin-based, such as ethyl vinyl acetate, polypropylene and polystyrene, vinyl-based, such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and poly Polymeric films and resins such as carbonate, acrylic resin, triacetyl cellulose, polyimide and the like are used. In consideration of handleability and transmittance of visible light, the thickness of the transparent substrate 110 is preferably 10 μm to 250 μm.
전자파를 차폐하는 기능을 하는 금속박막(130)으로는 동, 철, 니켈, 알루미늄, 금, 은 또는 백금 등과 같은 박막이 단독으로 사용되거나, 동-니켈합금, 스테인리스 등과 같은 2종 이상의 합금박이 사용된다. 전자파를 차폐하는 효율을 결정하는 주요 인자인 금속박막(130)의 표면저항 값, 금속박막(130)에 미세 패턴을 용이하게 구현할 수 있는 정도 및 디스플레이의 시야각의 면에서 볼때 금속박막(130)의 두께는 5㎛∼20㎛이 바람직하다. 금속박막(130)의 두께가 5㎛ 이하이면, 대체으로 금속박막(130)의 표면저항 값이 높아 전자파를 차폐하는 효율이 떨어진다. 그리고, 금속박막(130)의 두께가 20㎛ 이상이면, 금속박막(130)에 미세한 메시(Mesh)의선폭을 구현하기가 어렵고, 높은 개구율 및 높은 비시인성을 얻기가 어려우며, 디스플레이의 시야각이 좁아진다.As the metal thin film 130 that shields electromagnetic waves, a thin film such as copper, iron, nickel, aluminum, gold, silver or platinum may be used alone, or two or more alloy foils such as copper-nickel alloy or stainless steel may be used. do. In view of the surface resistance value of the metal thin film 130, which is a major factor determining the efficiency of shielding electromagnetic waves, the degree of easily implementing a fine pattern in the metal thin film 130, and the viewing angle of the display, As for thickness, 5 micrometers-20 micrometers are preferable. When the thickness of the metal thin film 130 is 5 μm or less, the surface resistance value of the metal thin film 130 is generally high, so that the efficiency of shielding electromagnetic waves is inferior. In addition, when the thickness of the metal thin film 130 is 20 μm or more, it is difficult to realize fine line width of the mesh in the metal thin film 130, it is difficult to obtain high aperture ratio and high invisibility, and the viewing angle of the display is narrow. Lose.
투명기재(110)와 금속박막(130)을 접합하는 접착제(120)는 투명성을 가지고, 가시광의 투과율이 저하되지 않도록 투명기재(110)의 굴절율과 동일하여야 하며, 열과 압력 또는 적외선(UV)과 같은 외부 에너지원에 의해 물리화학적 변화가 일어나는 물성을 가진 수지가 바람직하다. 이러한 접착제(120)로는 아크릴계, 우레탄계, 폴리에스테르계 및 에폭시계 수지류 단독, 2종 이상을 혼용한 혼합물 또는 이들의 변성수지가 사용된다.The adhesive 120 for bonding the transparent substrate 110 and the metal thin film 130 has transparency and should be the same as the refractive index of the transparent substrate 110 so that the transmittance of visible light is not lowered. Preferred are resins with physical properties that cause physicochemical changes by the same external energy source. As the adhesive 120, acrylic, urethane, polyester, and epoxy resins alone, mixtures of two or more thereof, or modified resins thereof are used.
단계(S120)에서는 금속박막(130)이 접착된 투명기재(110)를 세정한 후, 금속박막(130)의 상면에 감광막(140)을 형성한다. 감광막(140)으로는 감광액과 감광필름이 있다. 상기 감광액은 침적, 분무, 스핀코팅(Spin Coating)방식에 의하여 금속박막(130)에 도포되는데, 그 종류로는 카세인, 폴리비닐알콜, 폴리메타아크릴산메틸 등과 같은 네거티브형 감광액과 아지드(Azide) 계열의 포지티브형 감광액이 있다. 상기 감광필름으로는 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist:DFR)가 사용되는데, 금속박막(130)과의 밀착력의 향상을 위하여 60℃∼100℃로 예열된 금속박막(130)에 상기 드라이 필름 레지스트가 접착된다.In operation S120, the transparent substrate 110 to which the metal thin film 130 is adhered is cleaned, and then the photosensitive film 140 is formed on the upper surface of the metal thin film 130. The photosensitive film 140 includes a photosensitive liquid and a photosensitive film. The photoresist is applied to the metal thin film 130 by immersion, spraying, or spin coating, and the types thereof include negative photoresist such as casein, polyvinyl alcohol, polymethyl methacrylate, and azide. There is a series of positive photoresists. Dry film resist (DFR) is used as the photosensitive film, and the dry film resist is applied to the metal thin film 130 preheated to 60 ° C. to 100 ° C. in order to improve adhesion to the metal thin film 130. Are glued.
단계(S130)∼단계(S150)에서는 포토리소그래피(photolithography)법과 에칭으로 메시(Mesh)형 금속박막(130)을 형성하는데, 이를 도 2a, 도 2b 및 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 메시형 금속박막을 형성하는 방법을 보인 도이다.In steps S130 to S150, a mesh-type metal thin film 130 is formed by photolithography and etching, which will be described with reference to FIGS. 2A, 2B, and 3. 3 is a view showing a method of forming a mesh metal thin film according to an embodiment of the present invention.
단계(S130)에서는 금속박막(130)에 형성하고자 하는 메시구조와 대응되는 메시구조의 패턴이 형성된 포토마스크(Photomask)(200)(도 3참조)를 감광막(140)의 상측에 놓고 빛을 조사하여 감광막(140)을 노광한다. 단계(S140)에서는 빛에 의하여 경화된 감광막(140)의 부위를 제외한 나머지 부위를 현상액으로 현상하고, 단계(S150)에서는 감광막(140)의 외부로 노출된 금속박막(130)을 에칭하여 스페이스(131)를 형성한다. 그러면, 메시형 금속박막(130a)이 제조되는 것이다.In operation S130, a photomask 200 (see FIG. 3) on which the pattern of the mesh structure corresponding to the mesh structure to be formed on the metal thin film 130 is formed is placed on the upper side of the photosensitive layer 140 and irradiated with light. The photosensitive film 140 is exposed. In step S140, the remaining parts except for the part of the photosensitive film 140 cured by light are developed with a developer, and in step S150, the metal thin film 130 exposed to the outside of the photosensitive film 140 is etched to obtain a space ( 131 is formed. Then, the mesh metal thin film 130a is manufactured.
이때, 엣지 부분에서 산란되는 광의 특성상, 감광막(140)에는 포토마스크(200)의 패턴의 폭(D1) 보다 큰 노광 반응 부위가 형성된다. 특히, 포토마스크(200)의 패턴의 메시라인(210)이 교차하는 부위의 엣지부에서 가장 큰 산란이 발생되어 포토마스크(200)의 패턴의 메시라인(210)이 교차하는 부위의 엣지부와 대응하는 감광막(140)의 부위가 가장 큰 영향을 받는다. 이로인해, 메시형 금속박막(130a)의 메시라인(133)의 폭(D2)도 포토마스크(200)의 패턴의 폭(D1) 보다 넓게 형성된다. 이때, 메시형 금속박막(130a)의 메시라인(133)의 폭(D2) 부위는 에칭펙터(Etching Factor) 및 에칭속도(Etching Rate) 등을 조절하여 원하는 폭(D2)으로 형성할 수 있으나, 감광막(140) 및 메시형 금속박막(130a)의 메시라인(143,133)의 교차부위는 현상 및 에칭의 특성상 곡률(R1,R2)을 0∼10㎛로 만들기가 어렵다. 그러면, 형성된 곡률부의 크기에 비례하여 개구율이 저하되므로 비시인성이 저하된다. 이를 해소하기 위하여, 본 실시예에서는 포토마스크(200)의 패턴을 설계할 때, 패턴의 메시라인(210)이 교차하는 부위의 엣지부에 원형의 돌기(213)를 설계하여 보정한다. 그러면, 에칭에 의하여 제조된 메시형 금속박막(130a)의 메시라인(133)의 교차부위의 곡률(R2)은 메시라인(133)의 폭(D2)의 2배 이하로 형성된다. 더욱 바람직하게는 메시라인(133)의 교차부위의 곡률(R2)은 0∼10㎛로 형성된다.At this time, due to the characteristics of the light scattered at the edge portion, the photosensitive film 140 is formed with an exposure reaction portion larger than the width D1 of the pattern of the photomask 200. In particular, the largest scattering occurs at the edge portion of the portion where the mesh line 210 of the pattern of the photomask 200 intersects with the edge portion of the portion where the mesh line 210 of the pattern of the photomask 200 intersects. The portion of the corresponding photosensitive film 140 is most affected. As a result, the width D2 of the mesh line 133 of the mesh metal thin film 130a is also wider than the width D1 of the pattern of the photomask 200. In this case, the width D2 portion of the mesh line 133 of the mesh metal thin film 130a may be formed to a desired width D2 by adjusting an etching factor and an etching rate. The intersection of the photosensitive film 140 and the mesh lines 143 and 133 of the mesh metal thin film 130a makes it difficult to make the curvatures R1 and R2 to 0 to 10 μm due to development and etching characteristics. As a result, the opening ratio decreases in proportion to the size of the formed curvature, so that the invisibility decreases. In order to solve this problem, in the present embodiment, when designing the pattern of the photomask 200, the circular protrusion 213 is designed and corrected at the edge portion of the portion where the mesh line 210 of the pattern intersects. Then, the curvature R2 of the intersection portion of the mesh line 133 of the mesh metal thin film 130a manufactured by etching is formed to be twice or less than the width D2 of the mesh line 133. More preferably, the curvature R2 of the intersection portion of the mesh line 133 is formed to be 0 to 10 μm.
감광막(140)을 제거하는 현상방식에는 분무식 및 침적식이 있고, 현상액으로는 순수 또는 1∼3wt%의 Na2CO3수용액 등이 주로 사용된다. 금속박막(130)을 에칭하기 위한 에칭액으로는 FeCl3이 주로 사용되는데, 순수로 에칭액의 비중을 조절하고 염산으로 유리산도를 조절한다. 에칭시 FeCl3의 비중을 42Be'∼50Be'로 관리하고, 유리산도는 0.1%∼2.0%로 관리하며, FeCl3의 온도를 30℃∼100℃로 관리하는 것이 바람직하다.The developing method of removing the photosensitive film 140 includes spraying and depositing, and a pure water or an aqueous solution of Na 2 CO 3 of 1 to 3 wt% is mainly used as the developing solution. FeCl 3 is mainly used as an etchant for etching the metal thin film 130, and the specific gravity of the etchant is adjusted with pure water and the free acidity is adjusted with hydrochloric acid. It is preferable to control the specific gravity of FeCl 3 at 42Be 'to 50Be' during etching, to control the free acidity to 0.1% to 2.0%, and to control the temperature of FeCl 3 at 30 ° C to 100 ° C.
단계(S160)에서는 잔존하는 감광막(140)을 제거하고, 단계(S170)에서는 메시형 금속박막(130a)의 적어도 일면에 콘트라스트(Contrast)를 향상시키기 위한 흑화층(135)을 형성한다. 흑화층(135)은 금속박막(130)을 투명기재(110)에 접착하기 전에 형성할 수 도 있는데, 금속박막(130)을 아염소산나트륨과 수산화나트륨 및 인산3나트륨의 혼합용액에 50℃∼130℃의 온도로 1∼10분 침적하면 흑화층(135)이 형성된다.In operation S160, the remaining photoresist layer 140 is removed, and in operation S170, a blackening layer 135 is formed on at least one surface of the mesh metal thin film 130a to improve contrast. The blackening layer 135 may be formed before the metal thin film 130 is adhered to the transparent substrate 110. The metal thin film 130 may be 50 ° C. to a mixed solution of sodium chlorite, sodium hydroxide and trisodium phosphate. When it deposits for 1 to 10 minutes at the temperature of 130 degreeC, the blackening layer 135 will be formed.
단계(S180)에서는 메시형 금속박막(130a)에 투명수지를 도포한 후 평탄화시켜 투명수지층(150)을 형성한다. 즉, 메시형 금속박막(130a)에 자외선(UV)에 의해 경화되는 롤(Roll) 또는 시트(Sheet)형 투명수지를 도포한 후 평탄화한다. 단계(S190)에서는 투명수지층(150)에 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 실리콘처리 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 왁스처리 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 코팅종이, 실리콘처리 종이, 왁스함침 종이, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌+에틸비닐아세테이트, 폴리에틸렌+에틸렌비닐알콜 공중합체 및 폴리올레핀 필름 등과 같은 보호필름(160)이 형성된다.In step S180, the transparent resin layer 150 is formed by applying a transparent resin to the mesh metal thin film 130a and then flattening the same. That is, a roll or sheet-type transparent resin cured by UV light is applied to the mesh metal thin film 130a and then flattened. In step S190, polyethylene terephthalate, siliconized polyethylene terephthalate, waxed polyethylene terephthalate, polyethylene terephthalate coated paper, siliconized paper, wax-impregnated paper, polyethylene, polyethylene + ethyl vinyl acetate, A protective film 160, such as polyethylene + ethylene vinyl alcohol copolymer and polyolefin film, is formed.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크에 설계된 패턴을 보인 도로써, 도 4a는 포토마스크(200)의 패턴의 메시라인(210)이 교차하는 부위의 엣지부에 삼각형의 돌기(215)가 형성된 것을 보이고, 도 4b는 사각형의 돌기(217)가 형성된 것을 보인다. 이 외에, 상기 돌기는 타원형으로 형성될 수 도 있다.4A and 4B illustrate a pattern designed on a photomask according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4A illustrates a triangle formed at an edge portion of an area where a mesh line 210 of the pattern of the photomask 200 intersects. It is shown that the projection 215 is formed, Figure 4b shows that a rectangular projection 217 is formed. In addition, the protrusion may be formed in an elliptical shape.
이상에서 설명하듯이, 본 발명에 따른 전자파 차폐필터용 메시형 금속박막을 형성하기 위한 포토마스크의 설계방법은 포토마스크에 설계된 패턴의 메시라인이 교차하는 부위의 엣지부를 보정하여 메시형 금속박막의 메시라인이 교차하는 부위의 엣지부의 곡률을 0∼10㎛로 형성하므로, 메시형 금속박막의 개구율(開口率) 및 비시인성(非視認性)이 향상된다.As described above, the design method of the photomask for forming the mesh-type metal thin film for electromagnetic wave shielding filter according to the present invention by correcting the edge portion of the intersection portion of the mesh line of the pattern designed on the photomask of the mesh metal thin film Since the curvature of the edge part of a part where a mesh line cross | intersects is formed to 0-10 micrometers, the opening ratio and invisibility of a mesh type metal thin film improve.
이상에서는, 본 발명의 일 실시예에 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 변형한 것도 본 발명에 속함은 당연하다.In the above, the present invention has been described in accordance with one embodiment of the present invention, but those skilled in the art to which the present invention pertains have been changed and modified without departing from the spirit of the present invention. Of course.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0030179A KR100490029B1 (en) | 2003-05-13 | 2003-05-13 | Designing method of photomask for forming mesh type metal thin film for electromagnetic interference filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0030179A KR100490029B1 (en) | 2003-05-13 | 2003-05-13 | Designing method of photomask for forming mesh type metal thin film for electromagnetic interference filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040098102A true KR20040098102A (en) | 2004-11-20 |
| KR100490029B1 KR100490029B1 (en) | 2005-05-17 |
Family
ID=37376042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0030179A KR100490029B1 (en) | 2003-05-13 | 2003-05-13 | Designing method of photomask for forming mesh type metal thin film for electromagnetic interference filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100490029B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060065305A (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-14 | 삼성코닝 주식회사 | Photo mask and method for emi filter thereby |
| US9083972B2 (en) | 2005-07-20 | 2015-07-14 | Humax Holdings Co., Ltd. | Encoder and decoder |
| WO2023014017A1 (en) * | 2021-08-03 | 2023-02-09 | 주식회사 볼트크리에이션 | Electromagnetic wave shielding sheet and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101632346B1 (en) * | 2014-03-28 | 2016-06-21 | 금호전기주식회사 | Mesh type conductive film and method of fabricating the same |
-
2003
- 2003-05-13 KR KR10-2003-0030179A patent/KR100490029B1/en active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060065305A (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-14 | 삼성코닝 주식회사 | Photo mask and method for emi filter thereby |
| US9083972B2 (en) | 2005-07-20 | 2015-07-14 | Humax Holdings Co., Ltd. | Encoder and decoder |
| WO2023014017A1 (en) * | 2021-08-03 | 2023-02-09 | 주식회사 볼트크리에이션 | Electromagnetic wave shielding sheet and manufacturing method thereof |
| KR20230020207A (en) * | 2021-08-03 | 2023-02-10 | 주식회사 볼트크리에이션 | Electromagnetic wave shielding sheet and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100490029B1 (en) | 2005-05-17 |
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