KR20040092827A - 테스트 패턴을 구비한 시모스 이미지센서 및 테스트 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 시모스 이미지센서의 중요구성요소인 포토다이오드에 대한 각종 파라미터를 보다 정확히 모니터링할 수 있는 테스트 패턴을 구비한 시모스 이미지센서에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 실제 포토다이오드의 수직구조와 유사하도록 복수개의 층이 적층된 구조를 갖는 테스트 패턴을 형성하고, 각 층에 접속하는 패드를 구비함으로써 각각의 층에 대한 특성 측정뿐만 아니라, 인접 층 들간의 상호작용으로 인한 특성변화를 측정할 수 있어, 포토다이오드의 전기적 특성에 대한 보다 정확한 모니터링을 가능케 한 발명이다.
Description
본 발명은 테스트 패턴을 구비한 시모스 이미지센서(CMOS Image Sensor : 이하, CIS 라 한다)에 관한 것으로 특히, 포토다이오드의 각종 파라미터들을 좀더 정확히 모니터링할 수 있는 테스트 패턴을 구비한 시모스 이미지센서에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 이미지센서로서, 이중에서 전하결합소자(CCD : charge coupled device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스(Complementary MOS) 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
도1a는 통상의 시모스 이미지센서에서 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS트랜지스터로 구성된 단위화소(Unit Pixel)를 도시한 회로도로서, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(100)와, 포토다이오드(100)에서 모아진 광전하를 플로팅확산영역(102)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(101)와, 원하는 값으로 플로팅확산영역의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅확산영역(102)를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(103)와, 플로팅확산영역의 전압이 게이트로 인가되어 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(104)와, 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing) 역할을 수행하는 셀렉트 트랜지스터(105)로 구성된다. 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터(106)가 형성되어 있다.
도1b는 도1a에 도시된 단위화소에서 포토다이오드(100)와 트랜스퍼 트랜지스터(101)를 중심으로 그 단면구조를 도시한 도면으로, 포토다이오드를 p/n/p형 포토다이오드로 구성한 경우를 도시한 도면이다.
도1b를 참조하면 단위화소는 p형 기판(10)에 에피택셜 성장된 p형 에피층(11)과 필드산화막(12)을 구비하고 있으며, 에피층의 표면에는 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(13)이 형성되어 있다. 또한, 상기 p형 에피층(11) 내부에는 포토다이오드용 n형 이온주입영역(14)이 형성되고, 포토다이오드용 n형 이온주입영역(14)의 상부와 p형 에피층(11) 표면 하부에 포토다이오드용 p형 이온주입영역(16)이 형성되어 구성된다.
그리고 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트(13)는 그 측벽에 스페이서(15)를 구비하고 있으며, 상기 게이트(13)의 일측면에는 플로팅확산영역(Floating Diffusion :FD)(17)이 형성된다. 도1b에는 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 및 셀렉트 트랜지스터는 도시되어 있지 않는데, 통상적으로 트랜스퍼 트랜지스터와 리셋 트랜지스터는 p형 에피층 상에 형성되며, 드라이브 트랜지스터와 셀렉트 트랜지스터는 p형 웰 상에 형성된다.
상기한 구조의 단위화소에서 포토다이오드용 n형 이온주입영역(14)과 p영역[포토다이오드용 p형 이온주입영역(16), p형 에피층(11)] 간에 역바이어스가 걸리면, 포토다이오드용 n형 이온주입영역(14)과 포토다이오드용 p형 이온주입영역(16)의 이온주입 농도가 적절히 배합되었을 때 포토다이오드용 n형 이온주입영역(14)이 완전공핍(Fully Depletion) 되면서 p형 에피층(11)과 포토다이오드용 p형 이온주입영역(16)으로 공핍영역이 확장되는 바, 도펀트농도가 상대적으로 낮은 p형 에피층(11)으로 보다 많은 공핍층 확장이 일어난다. 이와같은 공핍영역은 입사하는 빛에 의해 생성된 광전하를 축적, 저장할 수 있어 이를 이용하여 이미지 재현에 사용하게 된다.
이와같은 구조를 갖는 시모스 이미지센서에서 포토다이오드는 CIS를 구성하는 핵심요소 중의 하나로, 포토다이오드에 대한 특성평가는 시모스 이미지센서의 광 특성 및 칩 품질에 직결되는 중요한 작업이다.
도2는 이온주입영역의 저항을 측정하기 위한 일반적인 테스트 패턴을 도시한 도면으로, 저항을 측정하고자 하는 n형 도핑영역과, 상기 n형 도핑영역과 반대되는 타입으로 도핑되어 포텐셜 배리어(potential barrier)를 형성하고 있는 p형 웰과, 기판 및 소자분리막이 도시되어 있으며, 또한, 전류를 측정하기 위한 콘택과 금속배선이 도시되어 있다.
도2에 도시된 테스트 패턴에서 금속배선 사이에 전압을 인가하고, n형 이온주입영역을 통하여 흐르는 전류를 측정하면 n형 이온주입영역의 저항특성을 측정할 수 있다.
이와같은 종래의 테스트 패턴을 포토다이오드의 성능평가에 적용하고자 할 경우에는, 포토다이오드를 구성하는 각각의 층(p형 에피층, 포토다이오드용 n형 이온주입영역, 포토다이오드용 p형 이온주입영역)에 대해 따로따로 테스트 패턴을 제작하여야 하는 어려움이 있었다.
또한, 각각의 층에 대해 따로따로 테스트 패턴을 제작하였다 하여도, 도1b에 도시된 바와같이 포토다이오드는, 서로 다른 타입의 도판트(dopant)로 도핑된 이온주입영역이 여러층 적층되어 형성되어 있기 때문에, 인접한 층 간의 상호작용에 대한 테스트는 불가능 하였다. 즉, 인접한 층간의 상호확산이나, 이온주입영역의 중첩, 또는 누설전류 등에 특성평가는 불가능하였다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 포토다이오드에 대한 각종 파라미터를 보다 정확히 모니터링할 수 있는 테스트 패턴을 구비한 시모스 이미지센서 및 테스트 방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
도1a는 통상적인 시모스 이미지센서의 단위화소의 구성을 도시한 회로도,
도1b는 통상적인 시모스 이미지센서의 단위화소의 단면을 포토다이오드를 중심으로 도시한 단면도,
도2는 이온주입영역의 특성을 평가하기 위한 통상적인 테스트 패턴의 단면을 도시한 단면도,
도3a는 본 발명의 일실시예에 따른 테스트 패턴의 단면도,
도3b는 본 발명의 일실시예에 따른 테스트 패턴의 평면도,
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
20 : p형 기판 21 : p형 에피층
22 : n형 배리어 23 : 소자분리막
24 : 포토다이오드용 n형 이온주입영역
25 : 포토다이오드용 p형 이온주입영역
26 : p형 이온주입영역
27 : n형 이온주입영역
31 : 제 1 패드 32 : 제 2 패드
33 : 제 3 패드 34 : 제 4 패드
35 : 제 5 패드 36 : 제 7 패드
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 테스트 패턴을 구비한 이미지센서에 있어서, 상기 테스트 패턴은 제 1 도전형의 기판; 상기 기판 상에 형성되되, 상기 기판보다 저농도이며 그 표면의 일정영역에 소자분리막이 형성된 제 1 도전형의 에피층; 상기 소자분리막의 하부 및 상기 기판 상에 형성되어 상기 기판과 상기 에피층을 전기적으로 격리시키기 위한 제 2 도전형의 배리어; 상기 배리어에 의해 상기 기판과 전기적으로 격리된 에피층 내부에 형성된 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역; 상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역의 표면으로부터 일정거리 확장되어 형성되되, 상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역 내부에 형성된 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역; 상기 기판과 전기적으로 격리된 상기 에피층과 접속하는 제 1 및 제 6 패드; 상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역과 접속하는 제 2 및 제 5 패드; 상기 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역과 접속하는 제 3 및 제 3 패드; 및 상기 배리어와 접속하는 제 7 패드를 포함하여 이루어진다.
본 발명은 테스트 패턴의 수직구조를 실제의 포토다이오드와 유사하게 형성하여, 포토다이오드를 구성하는 p형 에피층, 포토다이오드용 n형 이온주입영역 및 포토다이오드용 p형 이온주입영역의 저항특성, 누설전류, 인접한 층간의 상호확산 등 포토다이오드와 관련된 주요한 파라미터(parameter)를 추출하기 위한 테스트 패턴을 구비한 시모스 이미지센서에 관한 것이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도3a는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 테스트 패턴의 단면구조를 도시한 단면도로서 도3a를 참조하면, 테스트 패턴은 고농도의 p형 기판(20)과, 상기 기판(20)상에 형성된 저농도의 p형 에피층(21)과, 상기 p형 기판(20)과 상기 p형 에피층(21)을 전기적으로 격리시키기 위한 n형 배리어(22)와, 활성영역과 필드영역을 정의하기 위한 소자분리막(23)과, p형 에피층 내에 형성된 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24)과, 상기 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24)의 표면으로부터 일정깊이에 형성된 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)과, 콘택저항을 낮추기 위해 p형 에피층(21) 및 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)에 형성된 p형 이온주입영역(26), 콘택저항을 낮추기 위해 포토다이오드용 n형 이온주입영역(224)에 형성된 n형 이온주입영역(27), 및 제 1 내지 제 7 패드로 구성되어 있다. 도3a에는 제 1 내지 제 6 패드(31∼36)만 도시되어 있으며, 제 7 패드는 도시되어 있지 않다.
도1b와 도3a를 비교해 보면, 본 발명의 일실시예에 따른 테스트 패턴은, 실제 포토다이오드의 구조와 유사하게 구성되어 있으며, 각각의 층에는 픽업 패드(pick-up pad)가 연결되어 있다.
즉, 제 1 패드(31) 및 제 6 패드(36)는 p형 에피층(21)에 연결된 패드이며,제 2 패드(32) 및 제 5 패드(35)는 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24)에 연결된 패드이며, 제 3 패드(33) 및 제 4 패드(34)는 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)에 연결된 패드이며, 제 7 패드는 n형 배리어(22)에 연결된 패드이다.
이와같은 구조를 갖는 테스트 패턴은 복수개가 형성될 수 있으며, n형 배리어(22)에 의해 단위 테스트 패턴은 전기적으로 격리되어 있다. 또한, n형 배리어(22)는 고농도의 p형 기판(20)과 저농도의 p형 에피층(21)을 전기적으로 격리시키는 역할도 수행하는데, 이는 고농도의 p형 기판(20)에 의한 영향을 배제한 채로 p형 에피층(21)의 특성을 측정하기 위해서이다.
p형 에피층(21)은 암전류(dark current) 특성에 민감한 영향을 미치는 영역으로, 본 발명의 일실시예에 따른 테스트 패턴을 이용하면, 기판(20)의 영향을 배제한 채로 에피층(21)의 저항, 누설전류 등의 특성을 모니터링할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 테스트 패턴에서, p형 에피층(21) 대신에 p형 웰(well)이 형성될 수도 있는데 이에 대해서는 후술한다.
도3a에 도시된 구조에서 n형 배리어(22)는 다음과 같은 방법으로 형성될 수 있다. 먼저, p형 기판(20) 상에 p형 에피층(21)을 형성하고 난 후, 트렌치가 형성될 영역을 제외하고 이온주입공정을 진행하여 n형 배리어를 기판 깊숙히 형성한다. 이때는, 도3a에 도시된 n형 배리어 구조 중에서 가로 방향으로 기판 하부에 형성된 n형 이온주입영역이 형성된다.
다음으로 트렌치 소자분리막을 형성하기 위한, 트렌치 식각공정을 수행한다.이어서, 식각된 트렌치의 저면에만 선택적으로 n형 이온주입공정을 진행하면, 세로방향으로 n형 이온주입영역이 형성되므로, 도3a에 도시된 n형 배리어를 완성할 수 있다.
도3b는 본 발명의 일실시예에 따른 테스트 패턴에 대한 평면도로서, 가장 큰 면적을 갖고 있는 n형 배리어(22)와, n형 배리어 내부에 형성된 활성영역(21)과, 활성영역 내부에 형성된 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24)과, 포토다이오드용 n형 이온주입영역 내부에 형성된 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)과, 제 1 내지 제 6 패드(31 ∼ 36)가 도시되어 있다. 그리고 도3b에는 n형 배리어의 너비(W)와 길이(L)가 표시되어 있는데, 너비와 길이의 비는 테스트 종류에 따라 조절될 수 있으며 이에 대해서는 후술한다.
도3b에는 콘택저항을 낮추기 위한 이온주입영역과 소자분리막 및 제 7 패드는 도시되어 있지 않으나, 제 7 패드는 n형 배리어(22)와 연결된 패드임은 전술한 바와같다.
이하, 도3a 내지 도3b를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 테스트 패턴의 기능을 살펴본다.
먼저, 제 3 패드(33)와 제 4 패드(34) 사이에 일정전압을 인가하고 흐르는 전류를 측정하면, 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)의 저항특성(예를 들면 면저항, sheet resistance : Rs)을 측정할 수 있다.
마찬가지로, 제 2 패드(32)와 제 5 패드(35)를 이용하면 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24)의 저항특성을 측정할 수 있으며, 제 1 패드(31)와 제 6 패드(36)를 이용하면 p형 에피층(21)의 저항특성을 측정할 수 있으며, 이와같은 저항특성에 대한 측정을 통해, 이온주입 공정조건 변화에 따른 침투깊이(Projected Range : Rp)의 변화를 모니터링할 수 있다.
다음으로 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)에 연결된 패드(33 또는 34)와 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24)에 연결된 패드(32 또는 35)를 이용하면, 포토다이오드의 용량(capacity)에 대한 특성평가가 가능하다.
즉, 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24)을 형성하기 위한 이온주입공정과 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)을 형성하기 위한 이온주입공정의 공정변수에 따라 포토다이오드의 용량에 대한 모니터링이 가능하며, 이를 이용하면 공정조건을 셋업(set-up)하거나 또는 새로운 포토다이오드를 설계하는 경우에 유용하게 이용할 수 있다.
다음으로, 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)에 연결된 패드(33 또는 34)와 p형 에피층(21)에 연결된 패드(31 또는 36)를 이용하면, 두 영역간의 누설전류 특성을 측정할 수 있으며, 또한, 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24)에 연결된 패드(32 또는 35)와 n형 배리어(22)에 연결된 제 7 패드를 이용하면, 두 영역간의 누설전류 특성을 측정할 수 있다.
전술한 바와같은 인접한 영역간의 누설전류 측정은, 암전류 특성을 저하시키는 잡음특성에 대한 모니터링이 가능케하며, 시모스 이미지센서의 암전류 특성향상에 이용될 수 있다.
다음으로 도3a에 도시된 테스트 패턴에서, p형 에피층(21) 대신에 p형 웰을이용하여 테스트 패턴을 형성하는 경우에 대해 살펴본다.
이는, p형 에피층을 사용하는 경우의 전기적 특성과 p형 웰을 사용하는 경우의 전기적 특성에 대한 차이점을 모니터링하기 위한 것이다.
종래기술에서 설명한 바와같이, 트랜스퍼 트랜지스터와 리셋 트랜지스터는 p형 에피층 상에 형성되는 반면에, 드라이브 트랜지스터와 셀렉트 트랜지스터는 p형 웰 상에 형성되므로, p형 에피층의 전기적 특성과 p형 웰의 전기적 특성에 대한 정확한 측정이 필요한데, 본 발명을 이용하면, 전기적 특성에 대한 차이점을 측정할 수 있어 이를 공정조건 셋업시에 피드백 할 수 있다.
그리고 적절한 전압이 인가되면, 포토다이오드용 n형 이온주입영역은 공핍(depletion)되어 광전하를 저장하는 역할을 수행하는데, p형 에피층 내부에 포토다이오드용 n형 이온주입영역이 형성된 경우의 공핍영역의 크기과, p형 웰 내부에 포토다이오드용 n형 이온주입영역이 형성된 경우의 공핍영역의 크기를 각각 모니터링할 수 있다.
또한, p형 에피층 대신 p형 웰을 사용하는 경우에는, p형 웰 형성과 연관된 공정인 체인 이온주입공정(chain implantation)의 정상적인 진행여부에 대한 측정이 가능하다.
다음으로 도3b에 도시된 도면에서 n형 배리어(22)의 너비(W)와 길이(L)를 변화시키는 경우에 대해 살펴본다. 만일, n형 배리어(22)의 너비와 길이를 증가시키게 되면, 그 내부에 형성된 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24) 및 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)의 너비와 길이도 이에 상응하여 증가하게 된다.
그리고, n형 배리어(22)의 너비와 길이를 감소시키게 되면, 그 내부에 형성된 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24) 및 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)의 너비와 길이도 이에 상응하여 감소한다.
즉, n형 배리어(22)의 너비와 길이를 변화시킨다 것은, n형 배리어(22) 내부에 형성된 포토다이오드용 n형 이온주입영역(24) 및 포토다이오드용 p형 이온주입영역(25)의 너비와 길이도 이에 상응하여 변화시킴을 의미한다.
먼저, n형 배리어의 너비와 길이가 별 차이가 없는 경우(W ≒ L)에는, 포토다이오드는 정방형의 형태를 갖게 되며 이때는, 정방형의 형태를 갖는 포토다이오드의 용량에 대한 특성을 측정할 수 있다.(Area-type 포토다이오드의 특성 측정)
다음으로, n형 배리어의 너비 또는 길이 중 어느 한쪽이 매우 큰 경우(W ≪ L 또는 W ≫ L)에는, 포토다이오드는 기다란 변 형태를 갖게 되며 이때는, 변 형태를 갖는 포토다이오드의 용량에 대한 특성을 측정할 수 있다.(perimeter-type 포토다이오드의 특성 측정)
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.
본 발명을 적용하게 되면, 시모스 이미지센서의 광 특성과 직결되는 포토다이오드의 전기적 특성에 대한 모니터링이 보다 정확해지며, 결과적으로 시모스 이미지센서의 개발기간 및 개발비용을 단축시킬 수 있으며 효율성을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (9)
- 테스트 패턴을 구비한 이미지센서에 있어서, 상기 테스트 패턴은제 1 도전형의 기판;상기 기판 상에 형성되되, 상기 기판보다 저농도이며 그 표면의 일정영역에 소자분리막이 형성된 제 1 도전형의 에피층;상기 소자분리막의 하부 및 상기 기판 상에 형성되어 상기 기판과 상기 에피층을 전기적으로 격리시키기 위한 제 2 도전형의 배리어;상기 배리어에 의해 상기 기판과 전기적으로 격리된 에피층 내부에 형성된 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역;상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역의 표면으로부터 일정거리 확장되어 형성되되, 상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역 내부에 형성된 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역;상기 기판과 전기적으로 격리된 상기 에피층과 접속하는 제 1 및 제 6 패드;상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역과 접속하는 제 2 및 제 5 패드;상기 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역과 접속하는 제 3 및 제 3 패드; 및상기 배리어와 접속하는 제 7 패드를 포함하는 시모스 이미지센서.
- 테스트 패턴을 구비한 이미지센서에 있어서, 상기 테스트 패턴은제 1 도전형의 기판;상기 기판 상에 형성되되, 그 표면의 일정영역에 소자분리막이 형성된 제 1 도전형의 웰;상기 소자분리막의 하부 및 상기 기판 상에 형성되어 상기 기판과 상기 웰을 전기적으로 격리시키기 위한 제 2 도전형의 배리어;상기 배리어에 의해 상기 기판과 전기적으로 격리된 웰 내부에 형성된 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역;상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역의 표면으로부터 일정거리 확장되어 형성되되, 상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역 내부에 형성된 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역;상기 기판과 전기적으로 격리된 상기 에피층과 접속하는 제 1 및 제 6 패드;상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역과 접속하는 제 2 및 제 5 패드;상기 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역과 접속하는 제 3 및 제 3 패드; 및상기 배리어와 접속하는 제 7 패드를 포함하는 시모스 이미지센서.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역 및 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역은 평면적으로 정방형의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역 및 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역은 평면적으로 직사각형 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
- 상기 제 1 항의 이미지센서를 테스트 하는 테스트 방법에 있어서,상기 제 1 패드와 상기 제 6 패드를 이용하여 상기 에피층의 특성을 테스트 하는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 상기 제 1 항의 이미지센서를 테스트 하는 테스트 방법에 있어서,상기 제 2 패드와 상기 제 5 패드를 이용하여 상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역의 특성을 테스트 하는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 상기 제 1 항의 이미지센서를 테스트 하는 테스트 방법에 있어서,상기 제 3 패드와 상기 제 4 패드를 이용하여 상기 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역의 특성을 테스트 하는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 상기 제 1 항의 이미지센서를 테스트 하는 테스트 방법에 있어서,상기 제 3 패드 또는 제 4 패드와 상기 제 1 패드 또는 제 6 패드를 이용하여 상기 포토다이오드용 제 1 도전형의 이온주입영역과 상기 에피층 간의 누설전류 특성을 테스트 하는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
- 상기 제 1 항의 이미지센서를 테스트 하는 테스트 방법에 있어서,상기 제 2 패드 또는 제 5 패드와 상기 제 7 패드를 이용하여 상기 포토다이오드용 제 2 도전형의 이온주입영역과 상기 배리어 간의 누설전류 특성을 테스트 하는 것을 특징으로 하는 테스트 방법.
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|---|---|---|---|---|
| CN113497069A (zh) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 爱思开海力士有限公司 | 图像传感器装置 |
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