KR20040079080A - 유기 전계 발광 표시 장치의 조립체 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 41
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 26
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 248
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 10
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100032986 CCR4-NOT transcription complex subunit 8 Human genes 0.000 description 1
- 101000942586 Homo sapiens CCR4-NOT transcription complex subunit 8 Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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Abstract
Description
청색 유기막 | 적색 유기막 | 녹색 유기막 | |
파장(nm) | 450 | 620 | 530 |
ITO 전극의 굴절율(n) | 2.01 | 1.76 | 1.93 |
글라스 기판의 굴절율(n) | 1.525 | 1.515 | 1.52 |
광취출율 | 29% | 37% | 34% |
Claims (42)
- 기판과,상기 기판의 상면에 각각 소정의 패턴으로 형성되어 적층된 제1전극층, 유기발광층 및 투명한 제2전극층을 포함하는 유기 전계 발광부와,상기 기판과 유기 전계 발광부를 이루는 층들 사이의 적어도 유기 발광부로부터 발생된 광의 취출효율을 높이기 위한 광손실 방지층과,상기 공손실 방지층과 대향되는 층의 사이에 형성되며 가스가 주입되거나 또는 진공으로 이루어진 미세공간층을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 조립체.
- 제1항에 있어서,상기 광손실 방지층은 기판의 상면에 다수의 돌기가 소정의 피치로 형성된 회절격자로 이루어진 것 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제2항에 있어서,상기 돌기가 상기 제2전극에 접촉된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 조립체.
- 제2항에 있어서,상기 돌기의 피치가 200 내지 2,000nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 조립체.
- 제 4항에 있어서,상기 돌기의 높이는 50 내지 5,000nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 1항에 있어서,상기 제2전극이 ITO로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제1항에 있어서,상기 광손실 방지층은 SiOx(x>1), SiNx, Si3N4, TiO2, MgO, ZnO, Al2O3,SnO2,In2O3,MGF2 CAF2로 이루어진 군으로부터 선택된 한 개 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 7항에 있어서,상기 광손실 방지층이 TiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제1항에 있어서,상기 미세공간층과 제2전극층의 사이에 상대적으로 굴절율이 높은 인덱스층을 더 구비하여 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 9항에 있어서,상기 인덱스층이 TiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 9항에 있어서,상기 인덱스층의 굴절율이 2.3 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 조립체.
- 제 9항에 있어서,상기 인덱스층의 두께는 2000㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 조립체.
- 기판과,상기 기판의 상면에 각각 소정의 패턴으로 형성되어 적층된 제1전극층, 유기발광층 및 투명한 제2전극층을 포함하는 유기 전계 발광 표시부와,유기전계 발광표시부와 결합되어 미세 공간층을 형성하며 광손실 방지를 위한 광손실 방지층을 가지는 포토닉 플레이트를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 조립체.
- 제13항에 있어서,상기 포토닉 플레이트의 광손실 방지층은 기판의 상면에 다수의 돌기가 소정의 피치로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제14항에 있어서,상기 돌기가 상기 유기전계 발광표시장치의 제2전극에 접촉된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 조립체.
- 제14항에 있어서,상기 포토닉 플레이트에 형성된 돌기의 피치가 200 내지 2,000nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 조립체.
- 제 14항에 있어서,상기 돌기의 높이는 50 내지 5,000nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제1항에 있어서,상기 회절격자 형성부는 SiOx(x>1), SiNx, Si3N4, TiO2, MgO, ZnO, Al2O3,SnO2,In2O3,MGF2 CAF2로 이루어진 군으로부터 선택된 한 개 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 18항에 있어서,상기 광손실 방지층이 TiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 13항에 있어서,상기 공간층과 제2전극층의 사이에 상대적으로 굴절율이 높은 인덱스층을 더 구비하여 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 20항에 있어서,상기 인덱스층의 굴절율이 2.3 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 조립체.
- 기판과;기판 상에 소정의 패턴으로 형성된 제1전극층과, 각 제1전극층의 상면에 소정패턴으로 형성된 유기발광층과, 상기 유기발광층이 노출되도록 기판의 상면에 형성된 절연층과, 상기 유기발광층과 절연층의 상면에 소정의 패턴으로 형성되며 투명한 제2전극층을 포함하는 화소형성부와;상기 기판상에 형성되어 제1전극을 스위칭 시키기 위한 박막트렌지스터들을 포함하는 구동부와;상기 투명한 제2전극층의 상면에 설치되어 불활성가스가 주입되거나 진공으로 이루어진 미세 공간층을 형성하며 광손실 방지층을 구비한 포토닉 플레이트를 구비하여 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치 조립체.
- 제22항에 있어서,상기 제1전극층의 상면에 평탄화막이 더 구비된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 조립체.
- 제22항에 있어서,상기 포토닉 플레이트의 광손실 방지층은 기판의 상면에 다수의 돌기가 소정의 피치로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제22항에 있어서,상기 돌기가 상기 유기전계 발광표시장치의 제2전극에 접촉된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 조립체.
- 제24항에 있어서,상기 포토닉 플레이트에 형성된 돌기의 피치가 200 내지 2,000nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 조립체.
- 제 24항에 있어서,상기 돌기의 높이는 50 내지 5,000nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제23항에 있어서,상기 회절격자 형성부는 SiOx(x>1), SiNx, Si3N4, TiO2, MgO, ZnO, Al2O3,SnO2,In2O3,MGF2 CAF2로 이루어진 군으로부터 선택된 한 개 이상으로 이루어진 것을특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 23항에 있어서,상기 공간층과 제2전극층의 사이에 상대적으로 굴절율이 높은 인덱스층을 더 구비하여 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 20항에 있어서,상기 인덱스층의 굴절율이 2.3 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 조립체.
- 기판과,상기 기판의 상면에 형성되는 제1전극층과, 상기 제1전극층의 상면에 형성된 유기발광층 및 상기 유기발광층의 상면에 형성된 제2전극층을 포함하며,상기 각 구성요소들 중 굴절율의 차이가 큰 층들의 사이에 서로 굴절율이 다른 영역들을 가지는 광손실 방지층과,상기 광손실 방지층과 대향되는 층의 사이에 가스가 주입되거나 진공으로 이루어진 공간층을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치 조립체.
- 제31항에 있어서,상기 광손실 방지층이 기판과 제1전극의 사이에 형성된 것을 특징으로 하는유기전계 발광 표시장치.
- 제31 또는 제32항에 있어서,상기 광손실 방지층의 굴절율이 서로 다른 영역중 한 영역의 피치가 50 내지 3,000nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 3항에 있어서,상기 광손실 방지층의 두께는 0.01 내지 50㎛ 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제31항에 있어서,상기 반사 광손실 방지층은 굴절율이 서로 다른 무기물로 이루어지며 상기 굴절율 차가 0.3 이상, 3 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치.
- 제35항에 있어서,상기 무기물이 SiOx(x>1), SiNx, Si3N4, TiO2, MgO, ZnO, Al2O3,SnO2,In2O3,MGF2 CAF2로 이루어진 군으로부터 선택된 두 개 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 제1항 또는 제 8항에 있어서,상기 광손실 방지층이 SiOx(x>1)층에 TiO2로 이루어져 서로 다른 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
- 기판과;기판 상에 소정의 패턴으로 형성된 제1전극층과, 각 제1전극층의 상면에 소정패턴으로 형성된 유기발광층과, 상기 유기발광층이 노출되도록 기판의 상면에 형성된 절연층과, 상기 유기발광층과 절연층의 상면에 소정의 패턴으로 형성되며 투명한 제2전극층을 포함하는 화소형성부와;상기 기판상에 형성되어 제1전극을 스위칭 시키기 위한 박막트렌지스터들을 포함하는 구동부와;상기 제2전극층의 상면에 형성된 평탄화막과,상기 평탄화막과 결합되어 가스가 주입되거나 진공인 공간층을 형성하는 하며 내면에 상호 굴절율이 다른 소정패턴의 영역들을 가지는 광손실 방지층이 형성된 포토닉 플레이트를 구비하여 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제38항에 있어서,상기 광손실 방지층의 굴절율이 서로 다른 영역중 한 영역의 피치가 50 내지 3,000nm 인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 38항에 있어서,상기 공간층과 제2전극층의 사이에 상대적으로 굴절율이 높은 인덱스층을 더 구비하여 된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 조립체.
- 제 40항에 있어서,상기 인덱스층의 굴절율이 2.3 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 조립체.
- 제 40항에 있어서,상기 제2전극층의 상면에 평탄화막이 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 조립체.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030014000A KR100563046B1 (ko) | 2003-03-06 | 2003-03-06 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
JP2003314798A JP4467931B2 (ja) | 2003-03-06 | 2003-09-05 | 有機電界発光表示装置の組立体 |
US10/784,192 US7084565B2 (en) | 2003-03-06 | 2004-02-24 | Assembly of organic electroluminescence display device |
CN2004100080125A CN1571595B (zh) | 2003-03-06 | 2004-03-05 | 有机电致发光显示器件组件 |
EP04251300.2A EP1471587B1 (en) | 2003-03-06 | 2004-03-05 | Organic electroluminescence display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030014000A KR100563046B1 (ko) | 2003-03-06 | 2003-03-06 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040079080A true KR20040079080A (ko) | 2004-09-14 |
KR100563046B1 KR100563046B1 (ko) | 2006-03-24 |
Family
ID=32960180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030014000A KR100563046B1 (ko) | 2003-03-06 | 2003-03-06 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7084565B2 (ko) |
EP (1) | EP1471587B1 (ko) |
JP (1) | JP4467931B2 (ko) |
KR (1) | KR100563046B1 (ko) |
CN (1) | CN1571595B (ko) |
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-
2003
- 2003-03-06 KR KR1020030014000A patent/KR100563046B1/ko active IP Right Grant
- 2003-09-05 JP JP2003314798A patent/JP4467931B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-02-24 US US10/784,192 patent/US7084565B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-05 CN CN2004100080125A patent/CN1571595B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-03-05 EP EP04251300.2A patent/EP1471587B1/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|
JP4467931B2 (ja) | 2010-05-26 |
US7084565B2 (en) | 2006-08-01 |
US20040183433A1 (en) | 2004-09-23 |
EP1471587A2 (en) | 2004-10-27 |
KR100563046B1 (ko) | 2006-03-24 |
JP2004273416A (ja) | 2004-09-30 |
EP1471587A3 (en) | 2006-12-06 |
EP1471587B1 (en) | 2015-07-29 |
CN1571595A (zh) | 2005-01-26 |
CN1571595B (zh) | 2010-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140303 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150227 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180302 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190304 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200227 Year of fee payment: 15 |