KR20040075233A - In plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method threrof - Google Patents

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KR20040075233A
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Abstract

PURPOSE: An in-plane switching mode LCD element and a fabrication method thereof are provided to dispose sub pixels having 6-block optical transmission areas in 2x2 array while maintaining a distance between two electrodes of an LCD element having 4-block optical transmission areas, thereby improving brightness. CONSTITUTION: The first and fourth electrodes(306a,306d) adjacent to data lines(303) are formed on the first transparent substrate(310). A gate insulating film(308b) is deposited on the first transparent substrate(310). The data lines(303) for defining each sub pixel are formed on the gate insulating film(308b). A protective film(311) is applied to an upper part of the data lines(303). The second and third common electrodes(306b,306c) and pixel electrodes(307a-307c) are disposed on the protective film(311) by turns. The second and third common electrodes(306b,306c) and the pixel electrodes(307a-307c) except the first and fourth common electrodes(306a,306d) are made of transparent conductive materials.

Description

횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법{IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD THREROF}Transverse electric field type liquid crystal display device and manufacturing method therefor {IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND FABRICATION METHOD THREROF}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 2×2 배열을 갖는 Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), White(화이트)의 서브화소를 단위 화소로 구성하여 휘도를 향상 시킬 수 있는 횡전계방식 액정표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device. In particular, the luminance can be improved by configuring subpixels of red (red), green (green), blue (blue), and white (white) having a 2 × 2 array. The present invention relates to a transverse electric field liquid crystal display device.

고화질, 저전력의 평판표시소자(flat panel display device)로서 주로 사용되는 트위스트네마틱방식(twisted nematic mode) 액정표시소자(liquid crystal display device)는 시야각이 좁다는 단점이 있다. 이것은 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 기인하는 것으로, 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 액정패널(liquid crystal display panel)에 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직방향으로 배향되기 때문이다.The twisted nematic mode liquid crystal display device, which is mainly used as a high-definition, low power flat panel display device, has a narrow viewing angle. This is due to the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules, because the liquid crystal molecules oriented horizontally with the substrate are oriented almost perpendicular to the substrate when a voltage is applied to the liquid crystal display panel.

따라서, 액정분자를 기판과 거의 수평한 방향으로 배향하여 시야각 문제를 해결하는 횡전계방식 액정표시소자(In Plane Switching mode LCD)가 최근에 활발하게 연구되고 있다.Accordingly, in-plane switching mode LCD (LCD), which solves the viewing angle problem by aligning liquid crystal molecules in a substantially horizontal direction with a substrate, has been actively studied in recent years.

도 1은 일반적인 횡전계방식 액정표시소자의 단위 화소를 개략적으로 도시한 것으로, 도 1a는 평면도이고, 도 1b는 도 1a에서 I-I'선의 단면도이다.FIG. 1 schematically illustrates a unit pixel of a general transverse electric field type liquid crystal display device. FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line II ′ in FIG. 1A.

도면에 도시한 바와 같이, 각각의 서브화소는 투명한 제 1기판(10) 상에 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)이 종횡으로 배열되어 화소 영역을 정의한다. 실제의 액정표시소자에서는 n개의 게이트라인(1)과 m개의 데이터라인(3)이 교차하여 n×m개의 화소가 존재하지만, 도면에는 설명을 간단하게 하기 위해 단지 Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), 서브화소로 이루어진 한 화소만을 나타내었다.As shown in the figure, each sub-pixel has a gate line 1 and a data line 3 arranged vertically and horizontally on a transparent first substrate 10 to define a pixel region. In an actual liquid crystal display device, n gate lines 1 and m data lines 3 intersect, and there are n × m pixels. However, in the drawing, only Red (Green) and Green (Green) are used to simplify the description. ), Only one pixel consisting of blue (blue) and sub-pixels is shown.

상기 화소 영역 내에는 상기 게이트라인(1)과 데이터라인(3)의 교차점에는 게이트 전극(1a), 반도체층(5) 및 소스/드레인 전극(2a, 2b)으로 구성된 박막트랜지스터(thin film transistor;9)가 배치되어 있으며, 상기 게이트 전극(1a) 및 소스/드레인 전극(2a, 2b)은 각각 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)에 접속된다. 또한, 게이트 절연막(8)은 기판 전체에 걸쳐서 적층되어 있다.A thin film transistor including a gate electrode 1a, a semiconductor layer 5, and source / drain electrodes 2a and 2b at an intersection point of the gate line 1 and the data line 3 in the pixel area; 9 is disposed, and the gate electrode 1a and the source / drain electrodes 2a and 2b are connected to the gate line 1 and the data line 3, respectively. The gate insulating film 8 is stacked over the entire substrate.

화소 영역 내에는 상기 게이트라인(1)과 평행하게 공통전극라인(4)이 배열되고, 액정분자를 스위칭 시키는 적어도 한쌍의 전극 즉, 공통전극(6a∼6c)과 화소전극(7a,7b)이 데이터라인과 평행하게 배열되어 있다. 상기 공통전극(6a∼6c)은 게이트라인(1)과 동시에 형성되어 공통전극라인(4)에 접속되며, 화소전극(7a,7b)은 소스/드레인 전극(2a, 2b)과 동시에 형성되어 박막트랜지스터(9)의 드레인전극(2b)과 접속된다. 그리고, 상기 소스 및 드레인전극(2a, 2b)을 포함하는 기판 전체에 걸쳐서 보호막(11) 및 제 1배향막(12a)이 도포되어 있다. 또한, 상기 공통전극(6)은 화소 영역 외곽에 형성된 화소전극(7)과 데이터라인(3) 사이에 발생하는 횡전계를 차폐시키기 위하여 화소영역의 외곽에 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 공통전극라인(4)과 중첩되어 형성되며, 화소전극(7)과 접속하는 화소전극라인(14)은 그 사이에 개재된 절연막(8)을 사이에 두고 축적 용량을 형성한다.The common electrode line 4 is arranged in parallel with the gate line 1 in the pixel region, and at least one pair of electrodes for switching the liquid crystal molecules, that is, the common electrodes 6a to 6c and the pixel electrodes 7a and 7b It is arranged parallel to the data line. The common electrodes 6a to 6c are formed at the same time as the gate line 1 and connected to the common electrode line 4, and the pixel electrodes 7a and 7b are formed at the same time as the source / drain electrodes 2a and 2b to form a thin film. It is connected to the drain electrode 2b of the transistor 9. The protective film 11 and the first alignment film 12a are applied over the entire substrate including the source and drain electrodes 2a and 2b. In addition, the common electrode 6 may be formed outside the pixel area to shield the transverse electric field generated between the pixel electrode 7 and the data line 3 formed outside the pixel area. In addition, the pixel electrode line 14 overlapping the common electrode line 4 and connected to the pixel electrode 7 forms a storage capacitor with an insulating film 8 interposed therebetween.

또한, 제 2기판(20)에는 박막트랜지스터(9), 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스(21)와 각각의 서브화소들에 대응하는 R,G,B 칼라필터(23a∼23c)가 형성되어 있으며, 그 위에는 제 2배향막(12b)이 도포되어 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2기판(10,20) 사이에는 액정층(13)이 형성된다.In addition, the second substrate 20 has a black matrix 21 that prevents light from leaking to the thin film transistor 9, the gate line 1, and the data line 3, and R and G corresponding to the respective subpixels. And B color filters 23a to 23c are formed, and a second alignment film 12b is coated thereon. In addition, a liquid crystal layer 13 is formed between the first and second substrates 10 and 20.

상기한 구조의 종래 횡전계방식 액정표시소자는 공통전극 및 화소전극이 동일평면 상에 배치되어 횡전계를 발생시키기 때문에 시야각을 향상시킬 수 있는 장점을 가진다. 반면에, 화면이 표시되는 화소영역 내에 불투명한 금속으로 이루어진 공통전극(6a∼6c) 및 화소전극(7a,7b)이 형성되어 있기 때문에 개구율(aperture ratio)이 저하되어 휘도가 떨어지는 문제점이 있었다.The conventional transverse electric field type liquid crystal display device having the above structure has an advantage of improving the viewing angle because the common electrode and the pixel electrode are disposed on the same plane to generate a transverse electric field. On the other hand, since the common electrodes 6a to 6c and the pixel electrodes 7a and 7b made of opaque metal are formed in the pixel region where the screen is displayed, there is a problem that the aperture ratio is lowered and the luminance is lowered.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, Red, Green, Blue, White의 네 개의 서브화소를 하나의 화소로 구성하여 화면의 휘도를 향상된 횡전계방식 액정표시소자를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and provides a transverse electric field type liquid crystal display device having four subpixels of red, green, blue, and white as one pixel to improve the brightness of the screen. There is a purpose.

본 발명의 다른 목적은 Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), White(화이트)의 네 개의 서브화소를 쿼드타입(2×2배열)으로 배치하여 개구율을 효과적으로 향상시킬 수 있는 횡전계방식 액정표시소자를 제공하는데 그 목적이 있다.Another object of the present invention is to arrange four sub-pixels of red (red), green (blue), white (white) in a quad type (2 × 2 array), so that the aperture ratio can be effectively improved. It is an object of the present invention to provide an electric field type liquid crystal display device.

본 발명의 또 다른 목적은 상하로 배치된 서브화소들 사이에 공통전극라인을 배치하여, 상기 두 서브화소들이 공통전극라인을 공유하도록 함으로써, 개구율을 더욱 향상시킬 수 있는 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is still another object of the present invention to arrange a common electrode line between subpixels arranged up and down, so that the two subpixels share a common electrode line, thereby increasing the aperture ratio. Its purpose is to provide its manufacturing method.

본 발명의 또 다른 목적은 상하로 배치된 서브화소들이 게이트라인을 공유하도록 배침하여, 개구율을 더욱 향상시킬 수 있는 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a transverse electric field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, in which subpixels arranged up and down share a gate line, thereby further improving an aperture ratio.

기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in detail in the configuration and claims of the following invention.

도 1은 일반적인 횡전계방식 액정표시소자의 구조를 도시한 도면.1 is a view showing the structure of a general transverse electric field type liquid crystal display device.

도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자를 도시한 도면.2 illustrates a transverse electric field type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 2실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자를 도시한 도면.3 illustrates a transverse electric field type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 3실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자를 도시한 도면.4 is a view showing a transverse electric field type liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 4실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자를 도시한 도면.5 is a view showing a transverse electric field type liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법을 도시한 도면.6 is a view showing a method of manufacturing a transverse electric field type liquid crystal display device according to the present invention.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

101,201,301: 게이트라인 103,203,303: 데이터라인101,201,301: gate lines 103,203,303: data lines

104,204,304: 공통전극라인 308b: 게이트절연막104, 204, 304: common electrode line 308b: gate insulating film

110,210,310a: 스토리지전극라인 311:보호막110, 210, 310a: storage electrode line 311: protective film

108,208,308: 화소전극라인108,208,308: pixel electrode line

109.209,309: 박막트랜지스터109.209,309: thin film transistors

206a∼206d,306a∼306d: 제 1∼4공통전극206a to 206d and 306a to 306d: first to fourth common electrodes

207a∼206c,307a∼307c: 제 1∼3공통전극207a to 206c and 307a to 307c: first to third common electrodes

100a∼100d,200a∼200d,300a∼300d: Red(적색),Green(녹색),Blue(청색),White(화이트)서브화소100a to 100d, 200a to 200d, 300a to 300d: Red (Green), Green (Blue), White (White) Subpixel

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자는 제 1 및 제 2기판과; 상기 제 1기판에 종횡으로 배치된 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인에 의해서 정의되며 2×2 배열을 가지는 Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), White(화이트)의 서브화소로 구성된 복수의 화소들과; 상기 게이트라인 및 데이터라인과 전기적으로 접속하며, 각각의 서브화소에 형성된 스위칭소자를 포함하여 구성된다. 이때, 상기 각각의 서브화소내에는 서로 평행하게 배치되어 서브화소내에서 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극이 형성되어 있으며, 상기 공통전극 및 화소전극은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명한 전도성 물질로 이루어져 있다.In accordance with one aspect of the present invention, a transverse electric field type liquid crystal display device includes: first and second substrates; Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first substrate; A plurality of pixels defined by the gate line and the data line and composed of subpixels of red, green, blue, and white having a 2 × 2 arrangement; And a switching element electrically connected to the gate line and the data line and formed in each subpixel. In this case, a common electrode and a pixel electrode are formed in each subpixel in parallel to each other to generate a transverse electric field in the subpixel, and the common electrode and the pixel electrode are indium tin oxide (ITO) or indium (IZO). transparent conductive material such as zinc oxide).

상기 게이트라인과 평행하고, 상하로 이웃하는 서브화소를 정의하며, 상기상하로 이웃하는 서브화소들에 의해서 공유되는 공통전극라인을 추가로 포함하며, 상기 공통전극라인은 서브화소내에 배치된 각각의 공통전극과 접속되고, 상기 공통전극라인은 상하로 배치된 두개의 서브화소에 공유되어 있다.A sub-pixel parallel to the gate line and defining a vertically neighboring subpixel, and further including a common electrode line shared by the vertically neighboring subpixels, wherein the common electrode line is formed in each of the subpixels. The common electrode line is connected to the common electrode and is shared by two sub-pixels arranged up and down.

상기 공통전극 및 화소전극에 의해서 정의되는 광투과 영역은 6블럭으로 이루어져 있다.The light transmission area defined by the common electrode and the pixel electrode is composed of six blocks.

상기 스위칭소자는 공통전극라인으로 이루어진 게이트전극과; 상기 게이트전극 위에 적층된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 반도체층과; 상기 반도체층 위에 형성된 오믹콘택층과; 상기 오믹콘택층 위에 형성되어 데이터라인과 접속되는 소스 및 드레인전극으로 구성되어 있으며, 상기 게이트라인 위에 형성된다. 아울러, 상기 스위칭소자는 게이트라인의 수를 줄이기 위하여 상하로 이웃하는 서브화소들에 대하여 번갈아 형성되어, 상기 게이트라인은 상하로 이웃하는 서브화소들에 의해서 공유된다.The switching device comprises a gate electrode consisting of a common electrode line; A gate insulating film stacked on the gate electrode; A semiconductor layer formed on the gate insulating film; An ohmic contact layer formed on the semiconductor layer; A source and drain electrode is formed on the ohmic contact layer and connected to the data line, and is formed on the gate line. In addition, the switching element is alternately formed with respect to the neighboring subpixels up and down in order to reduce the number of gate lines, so that the gate line is shared by the neighboring subpixels up and down.

상기 스위칭소자가 형성된 기판 상부전면에는 보호막이 추가로 형성되어 있으며, 상기 공통전극 및 화소전극은 보호막 상에 형성되어 있다.A passivation layer is further formed on the upper surface of the substrate on which the switching element is formed, and the common electrode and the pixel electrode are formed on the passivation layer.

또한, 본 발명에 의한 고개구율 횡전계방식 액정표시소자는 제 1 및 제 2기판과; 상기 제 1기판에 종횡으로 배치된 게이트라인 및 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인에 의해서 구획되며 2×2 형태로 배열되어 단위화소를 정의하는 Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), White(화이트)의 서브화소들과; 상기 서브화소내에 서로 평행하게 배치되어 서브화소내에서 6블럭의 광투과영역을 정의하며, 상기 광투과영역내에 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극과; 상기 게이트라인과 평행하고, 상하로 이웃하는 서브화소들 사이에 배치되며, 상기 서브화소들에 의해서 공유되는 공통전극라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인과 전기적으로 접속하며, 각각의 서브화소에 형성된 스위칭소자와; 상기 제 1 및 제 2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다. 제 16항에 있어서, 상기 공통전극은 제 1∼4공통전극으로 이루어지며, 제 2, 3공통전극은 투명한 전도성 물질로 이루진다.In addition, the high-aperture transverse electric field type liquid crystal display device according to the present invention comprises: first and second substrates; Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first substrate; Subpixels of red (red), green (green), blue (blue), and white (white) defined by the gate line and the data line and arranged in a 2x2 shape to define unit pixels; A common electrode and a pixel electrode arranged in parallel to each other in the subpixel to define a six block light transmission region in the subpixel, and generating a transverse electric field in the light transmission region; A common electrode line parallel to the gate line and disposed between upper and lower neighboring subpixels and shared by the subpixels; A switching element electrically connected to the gate line and the data line and formed in each subpixel; And a liquid crystal layer formed between the first and second substrates. The method of claim 16, wherein the common electrode is made of a first to fourth common electrode, the second, third common electrode is made of a transparent conductive material.

이때, 상기 제 1, 4공통전극은 상기 데이터라인과 인접한다. 그리고, 상기 화소전극은 제 1∼3화소전극으로 구성되며, ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명한 전도성 물질로 이루어진다. 아울러, 상기 화소전극 및 공통전극은 동일한 평면상에 형성되어 있으며, 상기 스위칭소자 위에 형성된 보호막 상에 형성된다.In this case, the first and fourth common electrodes are adjacent to the data line. The pixel electrode includes first to third pixel electrodes and is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). In addition, the pixel electrode and the common electrode are formed on the same plane and are formed on the passivation layer formed on the switching element.

또한, 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자는 제 1 및 제 2기판을 준비하는 단계와; 상기 제 1기판 상에 게이트라인과 상기 게이트라인과 평행하며, 게이트라인과 함께 서브화소를 구획하며, 이웃하는 상하부 서브화소에 의해서 공유되는 공통전극라인과 상기 공통전극라인과 수직으로 연결된 제 1, 4공통전극 및 상기 공통전극라인과 평행한 스토리지전극라인을 형성하는 단계와; 상기 게이트라인과 수직으로 배열되며, 상기 공통전극라인과 함께 서브화소를 구획하는 데이터라인 및 상기 스토리지전극라인과 중첩하며, 상기 스토리지전극라인과 함께 스토리지커패시터를 발생시키는 화소전극라인을 형성하는 단계와; 상기 서브화소내에 횡전계를 발생시키는 제 2∼3공통전극 및 제 1∼3화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 제 2∼3공통전극 및 제 1∼3화소전극은 개구율 향상을 위하여ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명한 전도성물질로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the transverse electric field type liquid crystal display device according to the present invention comprises the steps of preparing a first and a second substrate; A first electrode parallel to the gate line and the gate line on the first substrate, and partitioning the subpixels together with the gate line, and connected to the common electrode line shared by the neighboring upper and lower subpixels and vertically connected to the common electrode line; Forming a storage electrode line parallel to the common electrode and the common electrode line; Forming a pixel electrode line arranged perpendicular to the gate line and overlapping the data line and the storage electrode line to define a sub-pixel together with the common electrode line and generating a storage capacitor together with the storage electrode line; ; And forming second to third common electrodes and first to third pixel electrodes to generate a transverse electric field in the subpixel. In this case, the second to third common electrodes and the first to third pixel electrodes are preferably formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) to improve the aperture ratio.

상기한 바와 같이, 본 발명은 화이트 서브화소를 추가하고 공통전극 및 화소전극을 투명한 물질로 형성함으로써 개구율 증가를 통한 화면의 휘도 향상을 꾀할 수가 있다. 아울러, Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), White(화이트)의 서브화소들 2×2 형태로 배열하고, 상하로 배치된 서브화소들 사이에 공통전극라인을 배치시키고 상기 두 서브화소들이 상기 공통전극라인을 공유하도록 함으로써, 개구율을 더욱 효과적으로 증가시킬 수가 있다.As described above, the present invention can improve the brightness of the screen by increasing the aperture ratio by adding a white subpixel and forming the common electrode and the pixel electrode with a transparent material. In addition, the red, green, blue, and white subpixels are arranged in a 2 × 2 form, and a common electrode line is disposed between the subpixels arranged up and down. By allowing the subpixels to share the common electrode line, the aperture ratio can be increased more effectively.

이하, 첨부한 도면을 통하여 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 대하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the transverse electric field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3은 본 발명의 제 1 및 2실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자를 나타낸 것으로써, 도 2는 4블럭 광투과영역을 가지는 횡전계방식 액정표시소자를 나타낸 것이고, 도 3은 2블럭 광투과영역을 가지는 횡전계방식 액정표시소자를 나타낸 것이다.2 and 3 illustrate a transverse electric field type liquid crystal display device according to the first and second embodiments of the present invention, and FIG. 2 illustrates a transverse electric field type liquid crystal display device having a four block light transmission region, and FIG. 3. Shows a transverse electric field type liquid crystal display device having a two-block light transmission region.

본 발명의 제 1 및 제 2실시예는 화소내에 배치되는 공통전극 및 화소전극을 투명물질로 형성하고, 화이트 서브화소(white sub-pixel)를 별도로 추가하여 개구율을 향상시킨 것으로, 광투과영역을 제외한 모든 구성요소가 동일하다. 따라서, 동일한 구성요소에 대하여 동일부호를 사용하여 설명하도록 한다.In the first and second embodiments of the present invention, a common electrode and a pixel electrode disposed in a pixel are formed of a transparent material, and white sub-pixels are added separately to improve the aperture ratio. All except components are identical. Therefore, the same components will be described with the same reference numerals.

먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자는 Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), White(화이트)의서브화소들(100a, 100b, 100c, 100d)이 단위화소를 형성한다.First, as shown in FIG. 2, the transverse electric field type liquid crystal display device according to the first exemplary embodiment of the present invention includes subpixels of red (red), green (green), blue (blue), and white (white). 100a, 100b, 100c, and 100d) form unit pixels.

상기 서브화소(100a, 100b,100c,100d)는 종횡으로 배열된 게이트라인(101) 및 데이터라인(103)에 의해 정의되고, 각각의 서브화소(100a,100b,100c,100d)내에는 공통전극라인(104) 및 화소전극라인(108)으로부터 수직 분기되어 화소내에서 횡전계를 발생시키는 화소전극(107a,107b) 및 공통전극(106a∼106c)이 교대로 배치되어 있다. 이때, 데이터라인(103)에 인접하는 제 1,3공통전극(106a,106c)을 제외한 모든 화소전극(107a,107b) 및 제 2공통전극(106b)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명한 전도성물질로 형성되어 있으며, 상기 제 2공통전극(106b)은 제 1콘택홀(104a)을 통하여 공통전극라인(104)과 접속되고, 상기 화소전극(107a,107b)은 제 2콘택홀(108a)을 통하여 화소전극라인(108)과 접속되어 있다. 상기 데이터라인(103)과 인접하는 제 1,3공통전극(106a,106c)은 공통전극라인(104) 형성시 함께 형성되기 때문에 불투명 금속으로 형성된다. 아울러, 상기 공통전극라인(104) 및 공통전극(106a∼106c)과 연결된 스토리지전극(110)은 그 상부에 형성된 화소전극라인(108)과 게이트절연막(미도시)를 사이에 두고 스토리지 커패시터(Cst)를 형성한다.The subpixels 100a, 100b, 100c, and 100d are defined by gate lines 101 and data lines 103 arranged vertically and horizontally, and a common electrode in each of the subpixels 100a, 100b, 100c, and 100d. The pixel electrodes 107a and 107b and the common electrodes 106a to 106c which are vertically branched from the line 104 and the pixel electrode line 108 to generate a transverse electric field in the pixel are alternately arranged. At this time, all of the pixel electrodes 107a and 107b and the second common electrode 106b except for the first and third common electrodes 106a and 106c adjacent to the data line 103 are indium tin oxide (ITO) and indium (IZO). The second common electrode 106b is connected to the common electrode line 104 through the first contact hole 104a, and the pixel electrodes 107a and 107b are formed of a transparent conductive material such as zinc oxide. It is connected to the pixel electrode line 108 through the second contact hole 108a. The first and third common electrodes 106a and 106c adjacent to the data line 103 are formed of an opaque metal because they are formed together when the common electrode line 104 is formed. In addition, the storage electrode 110 connected to the common electrode line 104 and the common electrodes 106a to 106c has a storage capacitor Cst with the pixel electrode line 108 formed thereon and a gate insulating layer (not shown) interposed therebetween. ).

그리고, 상기 게이트라인(101) 상에는 스위칭소자로써 박막트랜지스터(109)가 배치되어 있다. 상기 박막트랜지스터(109)는 게이트라인(101) 위에 패턴형태로 형성된 반도체층(105)과 상기 반도체층(105) 위에 형성되고 데이터라인(103)으로부터 인출된 소스전극(102a) 및 상기 소스전극(102a)과 대향하며, 화소전극라인(108)과 전기적으로 연결된 드레인전극(102a, 102b)으로 구성되어 있다. 또한, 도면에상세하게 도시하진 않았지만, 상기 게이트라인(101)이 형성된 기판 전면에는 게이트절연막(미도시)이 도포되어 있으며, 상기 게이트절연막은 게이트라인(101)과 반도체층(105)을 절연시켜 준다.The thin film transistor 109 is disposed on the gate line 101 as a switching device. The thin film transistor 109 is a semiconductor layer 105 formed in a pattern shape on the gate line 101 and the source electrode 102a and the source electrode 102 formed on the semiconductor layer 105 and drawn out from the data line 103. Opposed to 102a and composed of drain electrodes 102a and 102b electrically connected to the pixel electrode line 108. Although not illustrated in detail, a gate insulating film (not shown) is coated on the entire surface of the substrate on which the gate line 101 is formed, and the gate insulating film insulates the gate line 101 from the semiconductor layer 105. give.

이하, 종래 도면(도1a)을 인용하여 본 발명의 제 1실시예와 종래와의 차이점을 비교하도록 한다. 종래 4블럭 광투과영역을 가지는 횡전계방식 액정표시소자에서 화소전극(7a,7b)과 공통전극(6a∼6c) 간의 이격거리를 d1이라 정의하고, 화이트 서브화소(100d)가 추가된 제 1실시예에서 화소전극(7a,7b)과 공통전극(6a∼6c) 간의 이격거리를 d2라 할 때, 화이트 서브화소(100d)가 추가됨에 따라 d2=0.5d1이 된다. 즉, 휘도를 향상시키기 위하여 화이트 서브화소(100d)를 추가 하였으나, 화이트 서브화소(100d)의 추가로 인하여 광투과영역(여기에서 광투과영역은 화소전극과 공통전극에 의해서 구획된 영역을 의미한다.)이 줄어들게 된다.Hereinafter, referring to the conventional drawing (FIG. 1A), the difference between the first embodiment of the present invention and the prior art will be compared. In a transverse electric field type liquid crystal display having a four-block light transmission region, a distance between the pixel electrodes 7a and 7b and the common electrodes 6a to 6c is defined as d1, and the first subpixel 100d is added. In the embodiment, when the separation distance between the pixel electrodes 7a and 7b and the common electrodes 6a to 6c is d2, d2 = 0.5d1 as the white subpixel 100d is added. That is, the white subpixel 100d is added to improve luminance, but due to the addition of the white subpixel 100d, the light transmissive region (here, the light transmissive region means a region partitioned by the pixel electrode and the common electrode). .) Will be reduced.

상기와 같이 화이트 서브화소(100d)를 추가함에 따라 발생되는 휘도의 상승분은 아래의 수식에 의해서 계산할 수 있다.As described above, an increase in luminance generated by adding the white subpixel 100d may be calculated by the following equation.

휘도(brightness)=개구율 감소비 ×(RGB서브화소면적비 + W서브화소면적비 × 화이트레진투과율/칼라필터투과율화이트)Brightness = opening ratio reduction ratio × (RGB subpixel area ratio + W subpixel area ratio × white resin transmittance / color filter transmittance white)

여기에서, 화이트투과레진투과율은 0.95이고, 칼라필터투과율은 0.3이다. 또한, 게이트/데이터라인 및 두화소(공통전극,화소전극)폭의 변경없이 그대로 사용할 경우, 두화소간(106,107) 개구율 감소비는 66%이다. 개구율 감소비는 다음과 같은 계산에 의해서 얻어진 것이다. 즉, 종래(도 1a)에서 R,G,B각각의 서브화소가 4블럭의 광투과영역을 구성하고 있으며, 단일광투과영역을 a1이라 정의할때, 주화소의 총광투과영역은 12a1이 된다. 반면, R,G,B,W로 이루어진 본 실시예에서는 두전극간의 이격거리 d2=0.5d1이고, 주화소는 총 16개의 광투과영역을 가지기 때문에 총광투과영역은 8a1이 된다. 따라서, 개구율의 감소비는 8a1/12a1=66% 가 된다.Here, the white transmission resin transmittance is 0.95 and the color filter transmittance is 0.3. In addition, when the gate / data line and the two pixels (common electrode, pixel electrode) are used without change in width, the aperture ratio reduction ratio between the two pixels 106 and 107 is 66%. The aperture ratio reduction ratio is obtained by the following calculation. That is, in the prior art (FIG. 1A), each subpixel of R, G, and B constitutes four blocks of light transmission regions, and when the single light transmission region is defined as a1, the total light transmission region of the main pixel is 12a1. . On the other hand, in the present embodiment consisting of R, G, B, and W, the distance between the two electrodes d2 = 0.5d1, and since the main pixel has a total of 16 light transmitting areas, the total light transmitting area becomes 8a1. Therefore, the reduction ratio of the aperture ratio is 8a1 / 12a1 = 66%.

따라서, 상기 수식 1에 각각의 값들을 대입하여 본 실시예의 휘도 상승분을 계산해 보면 다음과 같다.Therefore, the luminance rise of the present embodiment is calculated by substituting the respective values into Equation 1 as follows.

휘도1 = 0.66 ×(0.75 + 0.25 ×0.95/0.3)=1.02Luminance 1 = 0.66 × (0.75 + 0.25 × 0.95 / 0.3) = 1.02

살펴본 바와 같이, 본 실시예에서는 W서브화소를 추가하여 약 2%의 휘도상승효과를 볼 수가 있다. 그러나, 트위스트네마틱방식 액정표시소자에서는 화이트 서브화소를 추가할 경우, 공통전극과 화소전극이 서로 다른 기판 상에 별도로 배치되어 있기 때문에 30% 이상 휘도가 향상되는 반면에 횡전계방식 액정표시방식에서는 언급한 바와 같이, 화소전극과 공통전극이 같은 기판 상에 배치되어 있기 때문에 광투과영역의 감소로 인하여 휘도향상의 효과를 크게 기대할 수가 없다.As described above, in this embodiment, the W subpixel can be added to achieve a luminance increase of about 2%. However, in the twisted nematic liquid crystal display device, when the white subpixel is added, the brightness is improved by 30% or more because the common electrode and the pixel electrode are separately disposed on different substrates. As mentioned, since the pixel electrode and the common electrode are disposed on the same substrate, the effect of brightness enhancement cannot be expected due to the reduction of the light transmission area.

도 3에 도시된 본 발명의 제 2실시예는 이러한 문제점을 해결할 수 있는 2블럭 횡전계방식 액정표시소자이다. 도면에 도시된 바와 같이, 서브화소내에 2블럭 광투과영역을 정의하는 화소전극(107') 및 공통전극(106a',106b')이 배치되어 있으며. 이들은 광투과영역내에서 횡전계를 발생시켜 액정분자를 스위칭하게 된다. 상기와 같은 2블럭 횡전계방식 액정표시소자는 화소내에 일정한 면적을 차지하는 공통전극 및 화소전극을 줄임에 따라, 상대적으로 개구율이 향상되어 휘도상승효과를 볼 수가 있다. 즉, 종래 횡전계방식 액정표시소자에 비해 화소전극(107')과 공통전극(106a',106b') 간의 이격거리 d3은 약 1.7d1이 되어 광투과영역이 증가하게 된다. 그러나, 2블럭 횡전계방식 액정표시소자는 개구율을 증가시킬 수 있는 장점이 있으나, 두 전극(106a'∼106b',107) 간의 이격거리가 너무 크기 때문에 전압 인가시 정상적으로 액정분자를 스위칭하지 못하여 액정이 구동하는데 문제점이 있다.The second embodiment of the present invention shown in FIG. 3 is a two-block transverse electric field type liquid crystal display device which can solve this problem. As shown in the figure, pixel electrodes 107 'and common electrodes 106a' and 106b 'defining two-block light transmission regions are arranged in the subpixels. They generate a transverse electric field in the light transmissive region to switch the liquid crystal molecules. In the two-block transverse electric field type liquid crystal display device as described above, as the common electrode and the pixel electrode occupying a predetermined area in the pixel are reduced, the aperture ratio is relatively improved, and thus the luminance increase effect can be seen. That is, the distance d3 between the pixel electrode 107 'and the common electrodes 106a' and 106b 'becomes about 1.7d1, compared to the conventional transverse type liquid crystal display device, thereby increasing the light transmission area. However, the two-block transverse electric field type liquid crystal display device has an advantage of increasing the aperture ratio. However, since the separation distance between the two electrodes 106a 'to 106b' and 107 is too large, the liquid crystal molecules cannot be switched normally when voltage is applied. There is a problem in driving this.

본 발명은 특히 이러한 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), White(화이트)로 이루어진 서브화소들을 2×2 형태로 배열하고, 종래 4블럭 횡전계방식에서 공통전극 및 화소전극의 이격거리를 그대로 유지하면서 6블럭 광투과영역을 갖도록 구성하여 개구율향상 및 액정의 정상적인 구동을 가능하게 할 수 있다.The present invention has been made in particular to solve this problem, the sub-pixel consisting of Red (red), Green (green), Blue (blue), White (white) arranged in a 2 × 2 form, the conventional 4-block transverse electric field In this method, the block has six light transmission regions while maintaining the separation distance between the common electrode and the pixel electrode, thereby improving aperture ratio and driving the liquid crystal.

도 4는 본 발명의 제 3실시예로써 2×2 형태의 R,G,B,W서브화소들로 배열된 횡전계방식 액정표시소자를 나타낸 것이다.FIG. 4 shows a transverse electric field type liquid crystal display device arranged as R, G, B, and W subpixels having a 2x2 shape as a third embodiment of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자는 6블럭 광투과영역을 가지는 R,G,B,W서브화소들(200a∼200d)이 2×2 배열되어 화소(P)를 이루고 있다. 서브화소(200a∼200d)는 종횡으로 배열된 게이트라인(201) 및 데이터라인(203)에 의해 정의되고, 각각의 서브화소(200a∼200d)내에는 공통전극라인(204) 및 화소전극라인(208)으로부터 수직 분기되어 화소내에서 횡전계를 발생시키는 제 1∼3화소전극(207a∼207c) 및 제 1∼4공통전극(206a∼206d)이 교대로 배치되어 있다. 이때, 데이터라인(203)에 인접하는 제 1 및 제 4공통전극(206a,206d)을 제외한 모든 화소전극(207a∼207c) 및 제 2 및 3공통전극(206b,206c)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide)와 같은투명한 전도성물질로 형성되어 있으며, 하나의 서브화소내에 6블럭의 광투과영역을 정의한다. 그리고, 상기 제 2 및 제 3공통전극(206a,206c)은 제 1콘택홀(204a)을 통하여 공통전극라인(204)과 접속되고, 상기 제 1 및 3화소전극(207a, 207c)은 제 2콘택홀(208a)을 통하여 화소전극라인(208)과 접속되어 있다. 상기 데이터라인(203)과 인접하는 제 1 및 제 4공통전극(206a,206d)은 공통전극라인(204) 형성시 함께 형성되기 때문에 불투명 금속으로 형성되어 있으며, 데이터라인(203)에 인가된 전압이 제 1 및 제 3화소전극(207a, 207c)에 미치는 영향을 차폐시켜준다. 아울러, 상기 공통전극라인(204) 및 공통전극(206a,206d)과 연결된 스토리지전극(210)은 그 상부에 형성된 화소전극라인(208)과 게이트절연막(미도시)를 사이에 두고 스토리지 커패시터(Cst)를 형성한다.As shown in the figure, in the transverse electric field type liquid crystal display device according to the present embodiment, the R, G, B, and W sub-pixels 200a to 200d each having a six-block light transmission region are arranged 2x2 so that the pixel P ) The subpixels 200a to 200d are defined by the gate lines 201 and the data lines 203 arranged vertically and horizontally, and the common electrode lines 204 and the pixel electrode lines (each) in each of the subpixels 200a to 200d. The first to third pixel electrodes 207a to 207c and the first to fourth common electrodes 206a to 206d that are vertically branched from 208 to generate a transverse electric field in the pixel are alternately arranged. At this time, all of the pixel electrodes 207a to 207c and the second and third common electrodes 206b and 206c except for the first and fourth common electrodes 206a and 206d adjacent to the data line 203 are indium tin oxide. It is formed of transparent conductive material such as indium zinc oxide (IZO) and defines 6 blocks of light transmission area in one subpixel. The second and third common electrodes 206a and 206c are connected to the common electrode line 204 through the first contact hole 204a, and the first and third pixel electrodes 207a and 207c are connected to the second electrode. It is connected to the pixel electrode line 208 through the contact hole 208a. The first and fourth common electrodes 206a and 206d adjacent to the data line 203 are formed of an opaque metal because they are formed together when the common electrode line 204 is formed, and a voltage applied to the data line 203. The influence on the first and third pixel electrodes 207a and 207c is shielded. In addition, the storage electrode 210 connected to the common electrode line 204 and the common electrodes 206a and 206d may include a storage capacitor Cst having a pixel electrode line 208 formed thereon and a gate insulating layer (not shown) interposed therebetween. ).

그리고, 상기 게이트라인(201) 상에는 스위칭소자로써 박막트랜지스터(209)가 배치되어 있다. 상기 박막트랜지스터(209)는 게이트라인(201) 위에 패턴형태로 형성된 반도체층(205)과 상기 반도체층(205) 위에 형성되고 데이터라인(203)으로부터 인출된 소스전극(202a) 및 상기 소스전극(202a)과 대향하며, 화소전극라인(208)과 전기적으로 연결된 드레인전극(202b)으로 구성되어 있다. 또한, 도면에 상세하게 도시하진 않았지만, 상기 게이트라인(201)이 형성된 기판 전면에는 게이트절연막(미도시)이 도포되어 있으며, 상기 게이트절연막은 게이트라인(201)과 반도체층(205)을 전기적으로 절연시켜 준다.A thin film transistor 209 is disposed on the gate line 201 as a switching device. The thin film transistor 209 is a semiconductor layer 205 formed in a pattern shape on the gate line 201 and a source electrode 202a and a source electrode 202a formed on the semiconductor layer 205 and drawn out from the data line 203. It is composed of a drain electrode 202b facing the 202a and electrically connected to the pixel electrode line 208. Although not shown in detail, a gate insulating film (not shown) is coated on the entire surface of the substrate on which the gate line 201 is formed, and the gate insulating film electrically connects the gate line 201 and the semiconductor layer 205. Insulate.

상기한 바와 같은 구조를 가지는 본 발명의 제 3실시예에서 화소전극(207a∼207c)과 공통전극(206a∼206d)간의 이격거리 D1은 종래에 도시된(도 1a) 4블럭 액정표시소자의 d1과 동일하다. 반면에, 각각의 서브화소들(200a∼200d)을 2×2 구조로 배열함에따라 상하로 배치된 서브화소들 사이에 게이트라인 및 공통전극라인이 추가되어 수직방향으로 H만큼의 개구율이 줄어들게 된다. 이때, H는 대략 종래 도면(도 1a)의 수직길이 h에 대하여 약 15%정도 감소되었다.In the third embodiment of the present invention having the structure as described above, the separation distance D1 between the pixel electrodes 207a to 207c and the common electrodes 206a to 206d is d1 of the four-block liquid crystal display shown in the related art (Fig. 1A). Is the same as On the other hand, as the subpixels 200a to 200d are arranged in a 2 × 2 structure, a gate line and a common electrode line are added between the subpixels arranged up and down, thereby reducing the aperture ratio by H in the vertical direction. . At this time, H was reduced by about 15% with respect to the vertical length h of the conventional drawing (Fig. 1A).

따라서, 수식 1을 통하여 따라 본 실시예에 따른 휘도상승분을 계산해 보면 다음과 같다.Therefore, the luminance increase according to the present embodiment is calculated through Equation 1 as follows.

휘도2 = 0.85 ×(0.75 + 0.25 ×0.95/0.3) = 1.31Luminance 2 = 0.85 × (0.75 + 0.25 × 0.95 / 0.3) = 1.31

살펴본 바와 같이, 본 실시예에서는 화이트서브화소를 추가하고, R,G,B,W 각각의 서브화소들을 2×2구조로 배열함으로써, 31%의 휘도상승효과를 볼 수가 있다.As described above, in the present embodiment, a white subpixel is added, and subpixels of R, G, B, and W are arranged in a 2x2 structure, whereby a 31% luminance increase effect can be obtained.

그러나, 상기와 같은 제 3실시예의 구조는 하나의 서브화소에 각각 공통전극라인 및 게이트라인이 형성되어 있기 때문에 개구율을 더욱더 향상시키는데 한계가 있다.However, the structure of the third embodiment as described above has a limitation in further improving the aperture ratio since the common electrode line and the gate line are formed in one subpixel, respectively.

도 5는 본 발명의 제 4실시예로써 공통전극라인 및 게이트라인을 위아래로 배치된 서브화소들이 공유하도록 설계하여, 개구율을 더욱 향상시킬 수 있는 횡전계방식 액정표시소자를 나타낸 것으로, 도 5a는 평면도이고, 도 5b는 도 5a의 II-II'의 단면도이다. 본 실시예는 박막트랜지스터 및 공통전극라인, 게이트라인의 배치를 제외한 모든 구성요소가 이전 실시예(도 4)와 동일하다. 따라서, 본 실시예에서는 이전실시예와의 차이점만을 설명하도록 한다.FIG. 5 is a view illustrating a transverse electric field type liquid crystal display device in which a common electrode line and a gate line are shared by subpixels arranged up and down, thereby further improving an aperture ratio, according to a fourth embodiment of the present invention. 5B is a sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 5A. In this embodiment, all the components except the arrangement of the thin film transistor, the common electrode line, and the gate line are the same as in the previous embodiment (Fig. 4). Therefore, in this embodiment, only the difference from the previous embodiment will be described.

먼저, 도 5a에 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 횡전계방식 액정표시소자는 R,G,B,W서브화소들(300a∼300d)이 2×2 구조로 배치되어 단위화소(P)를 이루고 있으며, 단일화소(P)에는 상하로 배치된 서브화소들을 정의하며, 상기 서브화소들에 의해서 공유되는 게이트라인(301)이 배치되어 있다. 이때, 게이트라인(301) 상에는 상하부로 배치된 서브화소들을 구동시키기 위한 박막트랜지스터(309)가 번갈아 형성되어 있다. 또한, 공통전극(306a,306b)과 전기적으로 접속하며, 인접하는 화소(P')의 서브화소들과 공유하는 공통전극라인(304)이 배치되어 있다.First, as shown in FIG. 5A, in the transverse electric field type liquid crystal display device according to the present exemplary embodiment, R, G, B, and W subpixels 300a to 300d are disposed in a 2 × 2 structure to form a unit pixel ( And a gate line 301 shared by the sub-pixels is defined in the single pixel P. The sub-pixels are arranged up and down. In this case, thin film transistors 309 are alternately formed on the gate lines 301 to drive the subpixels arranged up and down. In addition, a common electrode line 304 electrically connected to the common electrodes 306a and 306b and shared with the subpixels of the adjacent pixel P 'is disposed.

상기와 같이 구성된 본 실시예는 게이트라인(301) 및 공통전극라인(304)을 상하로 배치된 두개의 서브화소들이 공유하고 있기 때문에 이전 실시예(도 4)에 비하여 개구율을 더욱 향상시킬 수가 있다.In the present exemplary embodiment configured as described above, since the two subpixels arranged above and below the gate line 301 and the common electrode line 304 are shared, the aperture ratio can be further improved as compared with the previous embodiment (Fig. 4). .

또한, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 게이트라인(301)과 공통전극라인(304) 및 상기 공통전극라인(304)과 연결되며, 데이터라인(303)에 인접하는 제 1,4공통전극(306a,306d)이 투명한 제 1기판(310)상에 형성되고, 그 위에는 게이트절연막(308b)이 적층되어 있다. 그리고, 상기 게이트절연막(308b) 상에는 각각의 서브화소들을 정의하는 데이터라인(303)이 형성되고, 그 상부에는 보호막(311)이 도포되어 있다. 상기 보호막(311) 상에는 화소내에 횡전계를 발생시키는 제 2, 3공통전극(306b∼306c) 및 화소전극(307a∼307c)이 교대로 배치되어 있으며, 상기 데이터라인에 인접하는 제 1 및 4공통전극(306a, 306d)을 제외한 제 2,3공통전극(306b, 306c) 및 화소전극(307a∼307c)은 ITO, IZO와 같은 투명한 전도성 물질로 이루어져 형성되어 있다. 그리고, 이들은 각각의 제 1, 2콘택홀(304a,308a)을 통하여 공통전극라인(304) 및 화소전극라인(308)과 접속되어 있다. 이때, 상기 화소전극라인(308) 게이트절연막(308b)을 사이에 두고 그 하부에 형성된 스토리지전극라인(310a)과 함께 스토리지커패시터를 발생시킨다. 또한, 공통전극 및 화소전극을 포함하는 기판 전면에는 제 1배향막(312a)이 도포되어 있다.In addition, as illustrated in FIGS. 5A and 5B, the gate lines 301, the common electrode lines 304, and the common electrode lines 304 are connected to the first and fourth commons adjacent to the data lines 303. Electrodes 306a and 306d are formed on the transparent first substrate 310, and a gate insulating film 308b is stacked thereon. A data line 303 defining each subpixel is formed on the gate insulating layer 308b, and a protective layer 311 is coated on the data line 303. On the passivation layer 311, second and third common electrodes 306b to 306c and pixel electrodes 307a to 307c for generating a transverse electric field are alternately arranged in the pixel, and the first and fourth common electrodes adjacent to the data line are alternately arranged. The second and third common electrodes 306b and 306c and the pixel electrodes 307a to 307c except for the electrodes 306a and 306d are formed of a transparent conductive material such as ITO and IZO. Then, they are connected to the common electrode line 304 and the pixel electrode line 308 through the respective first and second contact holes 304a and 308a. In this case, a storage capacitor is generated together with the storage electrode line 310a formed under the pixel electrode line 308 with the gate insulating layer 308b therebetween. In addition, a first alignment layer 312a is coated on the entire surface of the substrate including the common electrode and the pixel electrode.

또한, 도 5b에 도시된 바와 같이, 투명한 제 2기판(320)에는 박막트랜지스터(309), 게이트라인(301) 및 데이터라인(303)으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스(321)와 칼라를 구현하기 위한 R,G,B,W칼라필터(323)가 형성되어 있으며, 그 위에는 제 2배향막(312b)이 도포되어 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2기판(310,320) 사이에는 상기 화소전극 및 공통전극에 인가되는 전압에 의해 발생된 횡전계에 의해서 구동이 이루어지는 액정층(313)이 형성되어 있다.In addition, as shown in FIG. 5B, the transparent second substrate 320 includes a black matrix 321 and a color that prevent light from leaking to the thin film transistor 309, the gate line 301, and the data line 303. An R, G, B, and W color filter 323 is formed to implement, and a second alignment layer 312b is coated thereon. In addition, a liquid crystal layer 313 is driven between the first and second substrates 310 and 320 by a transverse electric field generated by a voltage applied to the pixel electrode and the common electrode.

상기한 바와 같이, 본 발명의 제 4실시예에서는 4블럭 액정표시소자의 전극(화소전극, 공통전극)의 이격 거리(d1)와 동일한 거리(D1)를 유지시키고, R,G,BW서브화소들을 2×2형태로 배열하고, 공통전극라인(304) 및 게이트라인(301)을 상하로 배치된 두개의 서브화소들이 공유하도록 배치함으로써, 휘도를 더욱 향상시킬 수 있다. 아울러, 상기 공통전극 및 화소전극이 투명한 전도성물질로 형성함으로써, 종래에 비하여 개구율을 더욱 향상시킬 수 있다. 화소의 광투과영역을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.As described above, in the fourth embodiment of the present invention, the distance D1 equal to the separation distance d1 of the electrodes (pixel electrode, common electrode) of the 4-block liquid crystal display device is maintained, and the R, G, BW subpixels are maintained. By arranging them in a 2 × 2 form and arranging the common electrode line 304 and the gate line 301 to be shared by two subpixels arranged up and down, the luminance can be further improved. In addition, since the common electrode and the pixel electrode are formed of a transparent conductive material, the aperture ratio may be further improved as compared with the related art. There is an advantage that can increase the light transmission area of the pixel.

한편, 상기 공통전극 및 화소전극은 동일한 평면상(보호막)에 형성되어 있기 때문에 두 전극 사이의 액정층에 인가되는 전계가 종래에 비하여 더욱 강하게 생성된다. 이러한, 강한 전계에 의해 액정층 내의 액정분자가 더욱 빠른 속도로 스위칭되기 때문에 동화상 등의 구현이 용이해진다.On the other hand, since the common electrode and the pixel electrode are formed on the same plane (protective film), an electric field applied to the liquid crystal layer between the two electrodes is generated more strongly than in the prior art. Since the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer are switched at a higher speed by the strong electric field, it is easy to implement a moving image.

이하, 상기 제 4실시예(도 5)에 도시된 액정표시소자의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of the liquid crystal display device shown in the fourth embodiment (Fig. 5) will be described.

도 6은 상기 제 4실시예에 도시된 액정표시소자의 제조방법을 나타낸 공정순서도로써, 평면도를 나타낸 것이다.6 is a process flowchart showing a method of manufacturing the liquid crystal display device shown in the fourth embodiment, showing a plan view.

먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연기판(310)을 준비한 다음, 그 위에 Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al 합금과 같은 금속을 스퍼터링 방법을 통하여 증착한 후, 패터닝하여 게이트라인(301), 스토리지전극라인(310a), 공통전극라인(304) 및 제 1, 4공통전극(306a,306d)을 형성한다. 이후, 상기 게이트라인(301) 및 공통전극라인(304)을 포함하는 기판(310) 전면에 SiNx 또는 SiOx 등을 플라즈마 CVD 방법으로 증착하여 게이트절연막(미도시)을 형성한다.First, as shown in Figure 6a, after preparing a transparent insulating substrate 310, such as glass, and then depositing a metal such as Cu, Ti, Cr, Al, Mo, Ta, Al alloy on the sputtering method The gate line 301, the storage electrode line 310a, the common electrode line 304, and the first and fourth common electrodes 306a and 306d are formed by patterning. Thereafter, SiNx or SiOx is deposited on the entire surface of the substrate 310 including the gate line 301 and the common electrode line 304 by a plasma CVD method to form a gate insulating film (not shown).

그리고, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트절연막(미도시) 상부에 비정질 실리콘, n+ 비정질 실리콘을 적층하고 패터닝하여 게이트라인(301) 상에 반도체층(305)을 형성한다. 그 다음, 상기 반도체층(305) 및 게이트절연막(미도시) 상에 Cu, Mo, Ta, Al, Cr, Ti, Al 합금과 같은 금속을 스퍼터링 방법을 통하여 증착한 후, 이를 패터닝하여 게이트라인(301)과 수직으로 배치되며, 상기 게이트라인(301)과 함께 서브화소영역을 정의하는 데이터라인(303)과, 상기 스토리지전극라인(310a)과 중첩하는 화소전극라인(308) 및 상기 반도체층(305) 상에 소정간격 이격하는 소스/드레인 전극(302a/302b)을 형성한다. 이때, 상기 소스전극(302a)은 데이터라인(303)으로부터 인출되며, 상기 드레인전극(302b)은 화소전극라인(308)으로부터 인출된다. 그리고, 상기 게이트라인(301), 반도체층(305) 및 소스/드레인전극(302a/302b)으로 이루어진 박막트랜지스터(309)는 게이트라인(301)상에 상하부 서브화소들에 대하여 번갈아 형성되고 상기 상하부 서브화소들은 게이트라인(301)을 공유하게 된다.6B, the semiconductor layer 305 is formed on the gate line 301 by laminating and patterning amorphous silicon and n + amorphous silicon on the gate insulating layer (not shown). Next, a metal such as Cu, Mo, Ta, Al, Cr, Ti, Al alloy is deposited on the semiconductor layer 305 and the gate insulating film (not shown) by a sputtering method, and then patterned to form a gate line ( A data line 303 disposed perpendicularly to 301 and defining a sub-pixel region together with the gate line 301, a pixel electrode line 308 and the semiconductor layer overlapping the storage electrode line 310a. Source / drain electrodes 302a / 302b spaced a predetermined distance apart are formed on 305. In this case, the source electrode 302a is drawn out from the data line 303, and the drain electrode 302b is drawn out from the pixel electrode line 308. The thin film transistor 309 including the gate line 301, the semiconductor layer 305, and the source / drain electrodes 302a and 302b is alternately formed on the upper and lower subpixels on the gate line 301. The subpixels share the gate line 301.

이어서, 박막트랜지스터(309)가 형성된 기판 상에 SiNx나 SiOx와 같은 무기물 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)나 아크릴과 같은 유기물을 도포하여 보호막(미도시)을 형성한다. 그 후에, 상기 보호막(미도시)을 패터닝하여 상기 공통전극라인(304) 및 화소전극라인(308)의 일부를 노출시키는 제 1 및 2콘택홀(304a,308a)을 형성한다.Subsequently, a protective film (not shown) is formed by coating an inorganic material such as SiNx or SiOx or an organic material such as benzocyclobutene or acryl on a substrate on which the thin film transistor 309 is formed. Thereafter, the passivation layer (not shown) is patterned to form first and second contact holes 304a and 308a exposing portions of the common electrode line 304 and the pixel electrode line 308.

그 다음, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(미도시) 전면에 ITO나 IZO와 같은 투명한 물질을 스퍼터링 방법으로 증착한 후, 이를 패터닝하여 제 2,3공통전극(306b,306c)과 화소전극(307a∼307d)을 형성한다. 이때, 상기 제 2,3공통전극(306b,306c)은 제 1콘택홀(304a)을 통하여 공통전극라인(304)과 접속하고, 상기 화소전극(307a∼307d)은 제 2콘택홀(308a)을 통하여 화소전극라인(308)과 접속한다. 그리고, 상기 공통전극라인(304)은 이웃하는 상하부서브화소들에 의해서 공유된다.Next, as shown in FIG. 6C, a transparent material such as ITO or IZO is deposited on the entire surface of the passivation layer (not shown) by sputtering, and then patterned to form the second and third common electrodes 306b and 306c and the pixel. Electrodes 307a to 307d are formed. In this case, the second and third common electrodes 306b and 306c are connected to the common electrode line 304 through the first contact hole 304a, and the pixel electrodes 307a to 307d are connected to the second contact hole 308a. It is connected to the pixel electrode line 308 through. The common electrode line 304 is shared by neighboring upper and lower subpixels.

상기한 바와 같이 본 발명은 고개구율 및 고휘도를 갖는 액정표시소자를 제공한다. 특히, 종래 4블럭 액정표시소자의 전극(공통전극, 화소전극) 간의 간격을 유지하면서, 6블럭 액정표시소자를 구현하고, R,G,B,W서브화소들을 2×2 구조로 배열하고, 공통전극라인 및 게이트라인을 이웃하는 상하서브화소들이 서로 공유하도록 함으로써, 광투과영역을 넓혀 개구율을 향상시킨다.As described above, the present invention provides a liquid crystal display device having high opening ratio and high brightness. In particular, while maintaining the interval between the electrodes (common electrode, pixel electrode) of the conventional four-block liquid crystal display device, and implements a six-block liquid crystal display device, and arranged the R, G, B, W sub-pixels in a 2 × 2 structure, By sharing the common electrode line and the gate line with neighboring upper and lower sub-pixels, the light transmission area is widened to improve the aperture ratio.

본 발명의 상세한 설명(제 3 및 4실시예)에서는 6블럭 액정표시소자만을 설명하였으나, 본 발명의 기본 개념은 주어진 공간(서브화소를 배치할 수 있는 영역)내에서 기존의 4블럭 액정표시소자의 전극(공통전극, 화소전극) 간의 거리를 유지하고, R,G,B,W 서브화소를 구성하여 개구율감소를 최소화하면서 휘도를 향상시킬 수 있는 횡전계방식 액정표시소자를 제공하는 것으로, 상세한 설명에서 기술된 6블럭 액정표시소자에만 한정하지 않으며, 4블럭 설계시 두 전극(공통전극, 화소전극)간의 거리를 유지하여 R,G,B,W서브화소를 구성할 수 있다면, 광투과영역의 블럭수에 상관없이 모든 횡전계방식 액정표시소자를 모두 포함할 수 있다. 또한, 기존의 4블럭 액정표시소자의 전극간 간격을 유지할 수 있다면, 2×2 배열이 아닌 R,G,B,W서브화소들이 일렬로 나열된 스트립배열도 가능하다.In the detailed description of the present invention (third and fourth embodiments), only the six-block liquid crystal display device has been described. However, the basic concept of the present invention is a conventional four-block liquid crystal display device within a given space (area in which sub-pixels can be arranged). To provide a transverse electric field type liquid crystal display device that can maintain the distance between the electrodes (common electrode, pixel electrode), and to improve the luminance while minimizing the aperture ratio reduction by configuring the R, G, B, W sub-pixel, It is not limited to the six-block liquid crystal display device described in the description, and in the four-block design, if the R, G, B, and W sub-pixels can be constructed by maintaining the distance between two electrodes (common electrode and pixel electrode), the light transmissive region All of the transverse electric field type liquid crystal display elements may be included regardless of the number of blocks. In addition, if the inter-electrode spacing of the conventional 4-block liquid crystal display device can be maintained, a strip array in which R, G, B, and W subpixels are arranged in a line, rather than a 2 × 2 array, may be used.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 횡전계방식 액정표시소자에서 종래 4블럭 광투과영역을 가지는 액정표시소자의 두전극(공통전극, 화소전극)간의 거리를 유지하면서, 6블럭 광투과영역을 가지는 R,G,B,W 서브화소들을 2×2 배열로 배치하여 휘도를 향상시킨다.As described above, according to the present invention, in the transverse electric field type liquid crystal display device, a six block light transmission area is maintained while maintaining the distance between two electrodes (common electrode, pixel electrode) of the liquid crystal display device having a conventional four block light transmission area. Branches have R, G, B, and W subpixels arranged in a 2x2 array to improve luminance.

또한, 본 발명은 상기와 같은 구조를 가지는 횡전계방식 액정표시소자에서 공통전극라인 및 게이트라인이 상하로 이웃하는 서브화소들에 의해서 공유되도록 함으로써 개구율을 더욱 향상시킨다.In addition, the present invention further improves the aperture ratio by allowing the common electrode line and the gate line to be shared by neighboring subpixels up and down in the transverse electric field type liquid crystal display device having the above structure.

Claims (24)

제 1 및 제 2기판과;First and second substrates; 상기 제 1기판에 종횡으로 배치된 게이트라인 및 데이터라인과;Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first substrate; 상기 게이트라인 및 데이터라인에 의해서 정의되며 2×2 배열을 가지는 Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), White(화이트)의 서브화소로 구성된 복수의 화소들과;A plurality of pixels defined by the gate line and the data line and composed of subpixels of red, green, blue, and white having a 2 × 2 arrangement; 상기 게이트라인 및 데이터라인과 전기적으로 접속하며, 각각의 서브화소에 형성된 스위칭소자와;A switching element electrically connected to the gate line and the data line and formed in each subpixel; 상기 제 1 및 제 2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된 횡전계방식 액정표시소자.A transverse electric field liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer formed between the first and second substrates. 제 1항에 있어서, 상기 각각의 서브화소내에는 서로 평행하게 배치되어 서브화소내에서 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 1, wherein a common electrode and a pixel electrode are formed in each of the sub-pixels in parallel to each other to generate a transverse electric field in the sub-pixels. 제 2항에 있어서, 상기 공통전극 및 화소전극은 투명한 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device of claim 2, wherein the common electrode and the pixel electrode are made of a transparent conductive material. 제 3항에 있어서, 상기 투명한 전도성 물질은 ITO(indium tin oxide) 또는IZO(indium zinc oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device of claim 3, wherein the transparent conductive material is indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). 제 1항에 있어서, 상기 게이트라인과 평행하고, 상하로 이웃하는 서브화소를 정의하며, 상기 상하로 이웃하는 서브화소들에 의해서 공유되는 공통전극라인을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field method of claim 1, further comprising a common electrode line parallel to the gate line and defining a vertically neighboring subpixel, and shared by the vertically neighboring subpixels. Liquid crystal display device. 제 5항에 있어서, 상기 공통전극라인은 서브화소내에 배치된 각각의 공통전극과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.6. The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 5, wherein the common electrode line is connected to each common electrode arranged in the subpixel. 제 2항에 있어서, 상기 공통전극 및 화소전극에 의해서 정의되는 광투과영역은 6블럭으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 2, wherein the light transmission region defined by the common electrode and the pixel electrode is composed of six blocks. 제 1항에 있어서, 상기 스위칭소자는 게이트라인으로 이루어진 게이트전극과;The switching device of claim 1, further comprising: a gate electrode formed of a gate line; 상기 게이트전극 위에 적층된 게이트 절연막과;A gate insulating film stacked on the gate electrode; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 반도체층과;A semiconductor layer formed on the gate insulating film; 상기 반도체층 위에 형성된 오믹콘택층과;An ohmic contact layer formed on the semiconductor layer; 상기 오믹콘택층 위에 형성되어 데이터라인과 접속되는 소스 및 드레인전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.And a source and a drain electrode formed on the ohmic contact layer and connected to the data line. 제 1항에 있어서, 상기 스위칭소자는 게이트라인 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 1, wherein the switching element is formed on a gate line. 제 9항에 있어서, 상기 스위칭소자는 동일 게이트라인 위에 상하로 이웃하는 서브화소들에 대하여 번갈아 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display of claim 9, wherein the switching elements are alternately formed on sub-pixels adjacent to each other up and down on the same gate line. 제 1항에 있어서, 상기 게이트라인은 상하로 이웃하는 서브화소들에 의해서 공유되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display of claim 1, wherein the gate lines are shared by subpixels adjacent to each other vertically. 제 1항에 있어서, 상기 제 2기판에는 칼라필터 및 블랙매트릭스가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 1, wherein a color filter and a black matrix are formed on the second substrate. 제 1항에 있어서, 상기 스위칭소자를 보호하는 보호막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a protective film for protecting the switching device. 제 13항에 있어서, 상기 화소전극 및 공통전극은 보호막 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 13, wherein the pixel electrode and the common electrode are formed on a protective film. 제 1 및 제 2기판과;First and second substrates; 상기 제 1기판에 종횡으로 배치된 게이트라인 및 데이터라인과;Gate lines and data lines arranged vertically and horizontally on the first substrate; 상기 게이트라인 및 데이터라인에 의해서 구획되며 2×2 형태로 배열되어 단위화소를 정의하는 Red(적색), Green(녹색), Blue(청색), White(화이트)의 서브화소들과;Subpixels of red (red), green (green), blue (blue), and white (white) defined by the gate line and the data line and arranged in a 2x2 shape to define unit pixels; 상기 서브화소내에 서로 평행하게 배치되어 서브화소내에서 6블럭의 광투과영역을 정의하며, 상기 광투과영역내에 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극과;A common electrode and a pixel electrode arranged in parallel to each other in the subpixel to define a six block light transmission region in the subpixel, and generating a transverse electric field in the light transmission region; 상기 게이트라인과 평행하고, 상하로 이웃하는 서브화소들 사이에 배치되어 상기 서브화소들을 정의하며, 이들에 공유되는 공통전극라인과;A common electrode line parallel to the gate line and disposed between upper and lower neighboring subpixels to define the subpixels, the common electrode line being shared between the subpixels; 상기 게이트라인 및 데이터라인과 전기적으로 접속하며, 각각의 서브화소에 형성된 스위칭소자와;A switching element electrically connected to the gate line and the data line and formed in each subpixel; 상기 제 1 및 제 2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된 횡전계방식 액정표시소자.A transverse electric field liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer formed between the first and second substrates. 제 15항에 있어서, 상기 공통전극은 제 1∼4공통전극으로 이루어지며, 제 2, 3공통전극은 투명한 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display of claim 15, wherein the common electrode comprises first to fourth common electrodes, and the second and third common electrodes comprise a transparent conductive material. 제 16항에 있어서, 상기 제 1, 4공통전극은 상기 데이터라인과 인접하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display of claim 16, wherein the first and fourth common electrodes are adjacent to the data line. 제 15항에 있어서, 상기 화소전극은 제 1∼3화소전극으로 이루어지며, 이들은 투명한 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 15, wherein the pixel electrode is formed of first to third pixel electrodes, and they are made of a transparent conductive material. 제 16 및 18항에 있어서, 상기 투명한 전도성 물질은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device of claim 16, wherein the transparent conductive material is indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). 제 15항에 있어서, 상기 화소전극 및 공통전극은 동일한 평면상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 15, wherein the pixel electrode and the common electrode are formed on the same plane. 제 20항에 있어서, 상기 화소전극 및 공통전극은 상기 스위칭소자 위에 형성된 보호막 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.21. The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 20, wherein the pixel electrode and the common electrode are formed on a passivation layer formed on the switching element. 제 1 및 제 2기판을 준비하는 단계와;Preparing first and second substrates; 상기 제 1기판 상에 게이트라인과 상기 게이트라인과 평행하며, 게이트라인과 함께 서브화소를 구획하며, 이웃하는 상하부 서브화소에 의해서 공유되는 공통전극라인과 상기 공통전극라인과 수직으로 연결된 제 1, 4공통전극 및 상기 공통전극라인과 평행한 스토리지전극라인을 형성하는 단계와;A first electrode parallel to the gate line and the gate line on the first substrate, and partitioning the subpixels together with the gate line, and connected to the common electrode line shared by the neighboring upper and lower subpixels and vertically connected to the common electrode line; Forming a storage electrode line parallel to the common electrode and the common electrode line; 상기 게이트라인과 수직으로 배열되며, 상기 공통전극라인과 함께 서브화소를 구획하는 데이터라인 및 상기 스토리지전극라인과 중첩하며, 상기 스토리지전극라인과 함께 스토리지커패시터를 발생시키는 화소전극라인을 형성하는 단계와;Forming a pixel electrode line arranged perpendicular to the gate line and overlapping the data line and the storage electrode line to define a sub-pixel together with the common electrode line and generating a storage capacitor together with the storage electrode line; ; 상기 서브화소내에 횡전계를 발생시키는 제 2∼3공통전극 및 제 1∼3화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 횡전계방식 액정표시소자.And forming a second to third common electrode and a first to third pixel electrode to generate a transverse electric field in the sub-pixel. 제 22항에 있어서, 상기 제 2∼3공통전극 및 제 1∼3화소전극은 투명한 전도성물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.23. The transverse electric field liquid crystal display device according to claim 22, wherein the second to third common electrodes and the first to third pixel electrodes are formed of a transparent conductive material. 제 23항에 있어서, 상기 투명한 전도성 물질은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.24. The transverse electric field liquid crystal display of claim 23, wherein the transparent conductive material is indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
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