KR20040052459A - 표시장치 및 반사방지용 기체 - Google Patents

표시장치 및 반사방지용 기체 Download PDF

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KR20040052459A
KR20040052459A KR10-2003-7009031A KR20037009031A KR20040052459A KR 20040052459 A KR20040052459 A KR 20040052459A KR 20037009031 A KR20037009031 A KR 20037009031A KR 20040052459 A KR20040052459 A KR 20040052459A
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소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

본 발명은, 저투습특성을 가지며 고품질, 고신뢰성의 반사방지용 필름 등의 반사방지용 기체 및 이 반사방지용 기체를 가진 표시장치를 제공한다. 본 발명의 반사방지용 기체는, 투명지지체 상에 밀착개선층이 되는 제 1층막, 수분의 배리어층이 되는 제 2층막, 제 3층막, 제 2층막 및 제 5층막을 이 순서로 적층한 적층막으로 이루고, 제 2층막 및 제 4층막의 굴절율을, 각각 제 3층막 및 제 5층막의 굴절율보다 높게 설정한 반사방지막이 형성되어서 이룬다. 본 발명의 표시장치는, 이 반사방지용 기체를 표시면에 가지고 이룬다.

Description

표시장치 및 반사방지용 기체{Display device and reflection preventing substrate}
예를 들면 음극선관 등을 갖춘 표시장치에 있어서는, 주위의 비쳐지는 것을 저감하거나, 콘트라스트를 개선하는 등, 고화질을 실현하기 위해서 표시면 상에 반사방지용 필름을 첩착하도록 하고 있다. 반사방지용 필름은, 투명지지체 상에 반사방지막을 형성하여 구성된다.
종래의 반사방지막으로서는, 산화실리콘과 산화티탄의 적층체로 구성하는 것이 잘 알려져 있다. 도 1은, 종래의 일반적인 반사방지막용 필름을 나타낸다. 이 반사방지용 필름(1)은, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등의 수지기판(필름형체)으로 이루는 투명지지체(2)의 일면 상에, 제 1층막인 고굴절율의 산화티탄(TiO2)막(3), 제 2층막인 저굴절율의 산화실리콘(SiO2)막(4), 제 3층막인 고굴절율의 산화티탄(TiO2)막(5) 및 제 4층막인 저굴절율의 산화실리콘(SiO2)막(6)을 순차 적층한 4층막 구조의 반사방지막(7)을 형성하여 구성된다. 제 1 층막의 산화티탄막(3)의 막 두께는 13nm, 제 2층막의 산화실리콘막(4)의 막 두께는 20nm, 제 3층막의 산화티탄막(5)의 막 두께는 98nm, 제 4층막의 산화실리콘막(6)의 막 두께는 92nm이다. 이 반사방지막(7)의 광학특성은, 평균 반사율(Rave)이 0.28%, 최대 반사율(Rmax)이 1.19%(어느 것도 파장 450nm∼650nm의 파장영역에 있어서)이다.
반사방지막(7)은, 금속산화물, 금속질화물의 타깃에 의한 스퍼터링, 혹은 금속타깃에 의한 반응성 스퍼터링 등의 성막장치를 이용하여 성막할 수 있다.
반응성 스퍼터링에 의한 성막장치를 이용한 경우, 산화실리콘의 성막속도가 60nm×m/min, 산화티탄의 성막속도가 12nm×m/min일 때, 투명지지체가 되는 필름의 주행속도 0.5m/min를 얻기 위해 필요한 캐소드(이른바 타깃)수는 8쌍으로 된다. 산화티탄의 성막속도는 늦고, 높은 성막속도에서 투명막을 얻는 것이 곤란하기 때문에, 막 두께를 두껍게 하는 데는 타깃을 늘릴 필요가 있으며, 이하의 구성으로 된다.
캐소드 수의 내역은, SiO2(1캐소드)/TiO2(5캐소드)/SiO2(1캐소드)/TiO2(1캐소드)이다.
그런데, 상술한 바와 같이 산화티탄막, 산화실리콘막은, 금속산화물, 금속질화물의 타깃에 의한 스퍼터링, 혹은 금속타깃에 의한 반응성 스퍼터링을 이용하여 성막할 수 있지만, 그 중에서도 고굴절율의 투명산화 티탄막은 성막속도가 작기 때문에, 반사방지막의 생산성이 낮다. 또한, 금속산화물, 금속질화물의 성막에서는, 스퍼터링 보다도 반응성 스퍼터링 쪽이 성막속도가 올라간다. 따라서, 공업적으로는, 성막속도가 낮은 고굴절율 층을 가능한 얇게 할 수 있는 광학설계와 막구조가 소망된다.
덧붙여서, 전형적인 산화티탄의 성막속도는, 티탄재에 의한 반응성 스퍼터링의 경우, 산화실리콘막의 약 15%정도이다. 예를 들면, 지지체인 수지필름을 1m/min의 주행속도로 주행시켜서 산화티탄을 구성했을 때, 7∼12nm의 막 두께가 얻어진다. 이 때, 산화티탄의 성막속도는, 7∼10nm×m/min가 된다. 한편, 저굴절율층으로서 이용되는 산화실리콘막은, 반응성 스퍼터링에 의하여 45∼60nm정도의 성막속도가 얻어진다. 이 때문에, 반사방지용 필름의 생산성은, 성막속도가 작은 고굴절율의 산화티탄막의 막 두께에 의존한다.
또, 반사방지막을 구성하는 광학막은, 공업적으로는, 상술한 금속타깃을 이용한 반응성 스퍼터링으로 형성된다. 그러나, 이 반응성 스퍼터링방법은, 지지체로부터의 방출가스가 있는 경우, 성막이 불안정하게 된다. 예를 들면, 산화티탄 형성시의 산소량은 10sc㎝ 전후이지만, 지지체로부터의 방출가스(이른바 아웃가스)에 의해 활성가스의 공급이 과잉하게 된 경우에는, 성막속도의 변화나 광학정수의 변화를 일으키기 때문에, 소망의 막 두께나 광학특성을 얻는 것이 어렵다. 반사방지막의 투명지지체로서 수지기판을 이용했을 때, 스퍼터링 시에 다량의 수분방출을 수반하는 경우가 있다. 이 수분에 의거한 가스방출로 성막실내의 잔류가스가 늘어나면 성막속도가 저하하고, 또 성막에 악영향을 미친다.
한편, 종래의 반사방지용 필름은, 예를 들면 PET필름에 의한 지지체 상에 산화실리콘막과 산화티탄막의 4층막에 의한 반사방지막을 형성한 구성에서는, 반사방지용 필름 자체의 내수분 투과성이 나쁘다. 따라서, CRT패널면에 첩착하여 고온,고습도 환경하에서 반사방지막 혹은 반사방지용 필름 자체의 열화, 박리, 탈락이 생긴다.
본 발명은, 표시면에 반사방지용 필름 혹은 반사방지용 기판 등의 이른바 반사방지용 기체를 가진 표시장치 및 그 반사방지용 기체에 관한 것이다.
도 1은 종래의 반사방지용 필름의 예를 나타내는 구성도이다.
도 2는, 본 발명에 관계되는 반사방지용 기체의 실시형태를 나타내는 구성도이다.
도 3은, 본 실시형태에 관계되는 반사방지용 기체의 분광투과율을 나타내는 특성도이다.
도 4는, 본 발명에 관계되는 표시장치의 일 실시형태를 나타내는 구성도이다.
도 5는, 본 발명에 관계되는 표시장치의 다른 실시형태를 나타내는 구성도이다.
도 6은, 본 발명에 관계되는 표시장치의 다른 실시형태를 나타내는 구성도이다.
도 7은, 본 발명에 관계되는 표시장치의 다른 실시형태를 나타내는 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1. 반사방지용 필름 2. 투명지지체
3. 제 1층막의 산화티탄 4. 제 2층막의 저굴절율 산화실리콘
5. 제 3층막의 고굴절율 산화티탄
6. 제 4층막의 저굴절율 산화실리콘
7. 반사방지막
11. 반사방지용 기체(반사방지용 필름, 반사방지용 기판)
12. 투명지지체 13. 밀착개선층이 되는 제 1층막
14. 수분의 배리어층이 되는 고굴절율의 제 2층막
15. 저굴절율의 제 3층막 16. 고굴절율의 제 4층막
17. 저굴절율의 제 5층막 18. 반사방지막
21. 음극선관 24. 프라즈마 디스플레이
25. 유리기판 26, 33. 틀형태의 흑색인쇄층
27. 적외선 차단필름 28. 전자실드메시
32. 스크린 본체 22, 29, 34. 접착층
35. 리어프로젝터용 콘트라스트 스크린
41. 반응성 스퍼터링장치 42 [42A, 42B, 42C]…드럼
43. 타깃 44. 구분부재
45. 투명필름 46. 스퍼터링실
47. 가이드롤러
본 발명은, 고온 고습도 환경하에서 뛰어난 신뢰성을 가지는 반사방지용 기체를 갖춘 표시장치 및 반사방지용 기체를 제공하는 것이다.
본 발명은, 생산성이 뛰어난 반사방지용 기체를 갖춘 표시장치 및 반사방지용 기체를 제공하는 것이다.
본 발명은, 정밀한 광학설계가 가능한 반사방지용 기체를 갖춘 표시장치 및 반사방지용 기체를 제공하는 것이다.
본 발명에 관계되는 반사방지용 기체는, 투명지지체 상에, 밀착개선층이 되는 제 1층막, 수분의 배리어층이 되는 제 2층막, 제 3층막, 제 4층막 및 제 5층막을 이 순서로 적층한 적층막으로 이루며, 제 2층막 및 제 4층막의 굴절율을, 각각 제 3층 및 제 5층막의 굴절율보다 높게 설정한 반사방지막이 형성되어서 이룬다.
본 발명에 관계되는 표시장치는, 투명지지체 상에, 밀착개선층이 되는 제 1층막, 수분의 배리어층이 되는 제 2 층막, 제 3층막, 제 4층막 및 제 5층막을 이 순서로 적층한 적층막으로 이루며, 제 2층막 및 제 4층막의 굴절율을 각각 제 3층막 및 제 5층막의 굴절율보다 높게 설정한 반사방지막이 형성되어서 이루는 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이룬다.
반사방지용 기체에 있어서, 제 2층막은, 가시광영역에서의 굴절율을1.7∼2.4로 하고, 물리막 두께를 10nm∼50nm로 한 막에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 제 2층막은, 파장 450nm∼650nm의 파장영역에서의 감쇠계수를 0.1 이하로 한 막에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
제 2층막은, 반응성 물리기상 성막법에 의한 실리콘 질화물 혹은 실리콘 산질화물에 의해 형성할 수 있다. 제 2층막의 수분투과율은 0.6g/㎡/day 이하인 것이 바람직하다.
투명지지체와 반사방지막을 포함하는 기체는, 파장 450nm∼650nm의 파장영역에서의 반사율이 4.0% 이하, 중심파장 550nm의 광투과율이 90.0% 이상, 또한 파장 450nm과 파장 650nm에서의 광투과율이 90.0% 이상이 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 반사방지막의 표면저항은 109Ω/?이상인 것이 바람직하다.
제 4층막은, 가시광역의 굴절율을 0.9∼2.4로 하고, 물리막 두께를 18nm∼50nm로 한 금속산화물 또는 금속질화물에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 제 4층막은, 제 2층막과는 다른 광학막이며, 산화티탄, 산화니오브, 산화탄탈, 질화니오브, 산화지르코늄으로부터 선택된 1종류의 재료막을 이용할 수 있다.
투명지지체와 상기 반사방지막을 포함하는 기체의 수분투과율은, 1g㎡/day 미만인 것이 바람직하다.
밀착개선층이 되는 제 1층막은, 물리막 두께를 3nm∼10nm로 하고, 가시광영역에서의 광투과율을 86%∼92%로 한 금속산화물, 금속질화물 혹은 금속산질화물에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 반사방지용 기체에 있어서는, 수분의 배리어층이 되는 제 2층막을가지므로, 제 2층막 이후의 성막에서는 투명지지체로부터의 수분방출이 억제되며, 수분방출에 의거한 방출가스가 억제되어, 안정한 막 두께, 광학특성이 얻어지는 동시에, 성막속도도 올라간다. 제 2층막과 제 4층막의 고굴절막이 서로 다른 재료막으로 형성되므로, 제 4층막의 박막화를 할 수 있고, 반사방지막의 박막화가 도모된다. 본 발명의 반사방지용 기체는, 투습(透濕)특성이 낮으므로, 표시장치에 적용한 경우에, 반사방지막 혹은 반사방지용 기체자체의 열화, 박리 탈락이 생기기 어렵다.
본 발명에 관계되는 반사방지용 기체에 의하면, 투명지지체 상에 고굴절율로 수분투과율이 낮은 배리어층이 되는 제 2층막을 가지므로, 고온, 고습도 환경하에서도 신뢰성을 향상할 수 있다. 반응성 스퍼터링에 의한 광학막의 성막시에, 배리어층인 제 2층막에 의해 투명지지체로부터의 수분방출을 억제할 수 있고, 소망의 막 두께, 광학특성이 얻어지는 동시에, 안정하게 고속성막을 실현할 수 있다. 제 2층막의 고굴절율 배리어층을 형성하는 것으로, 안정한 다층광학 박막을 형성할 수 있고, 정밀한 광학설계가 가능한 반사방지용 기체를 제공할 수 있다. 제 2층막과 제 4층막의 고굴절율막이 서로 다른 재료막으로 형성되므로, 제 4층막을 박막화할 수 있고, 반사방지막의 박막화를 도모할 수 있다. 본 발명의 반사방지용 기체는, 성막속도를 높게 할 수 있으므로, 종래의 반사방지용 필름에 비하여 생산성을 향상할 수 있다. 반사방지막의 표면저항이 고저항이므로, 차지업해도 전하가 축적되지 않고, 어스접지 기능을 설치하지 않아도 감전하지 않는다.
본 발명에 관계되는 표시장치에 의하면, 고굴절율로 수분투과율이 낮은 배리어층을 포함하는 반사방지막을 가지는 반사방지용 기체가 표시면에 설치되므로, 고온, 고습도 환경하에서도 반사방지막 혹은 반사방지용 기체자체의 열화, 박리 탈락을 방지할 수 있고, 표시장치로서의 신뢰성을 향상할 수 있다. 반사방지막이 고저항막으로 형성되므로, 전하의 축적을 억제하여 인체감전의 발생이 저감할 수 있고, 표시장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 또한 어스 접지기능을 생략할 수 있고 제조코스트의 저감을 도모할 수 있다. 또한, 흡습(吸濕)에 의한 성능열화가 현저한 재료를 사용하고 있는 표시장치에 있어서도, 본 발명의 반사방지용 기체가 저(低)투습(透濕)특성을 갖추고 있으므로, 사용재료의 성능열화를 방지할 수 있고, 신뢰성이 높은 표시장치를 제공할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다.
도 2는, 본 발명에 관계되는 반사방지용 기체의 실시형태를 나타낸다.
본 실시형태에 관계되는 반사방지용 기체(11)는, 투명지지체(12) 상에 밀착개선층이 되는 제 1층막(13)과, 수분의 배리어층으로 되고 제 1굴절율(고굴절율)을 가지는 제 2층막(14)과, 제 2굴절율(저굴절율)을 가지는 제 3층막(15)과, 제 3굴절율(고굴절율)을 가지는 제 4층막(16)과, 제 4굴절율(저굴절율)을 가지는 제 5층막(17)을 이 순서로 적층한 적층막으로 이루는 반사방지막(18)을 형성하여 이룬다. 제 2층막(14)의 굴절율 및 제 4층막(16)의 굴절율은, 제 3층막(15)의 굴절율 및 제 5층막(17)의 굴절율보다 높게 설정된다. 배리어층인 제 2층막(14) 및 제 4층막(16)은, 고굴절율이고 또한 고저항을 가진 막으로 형성된다. 또, 제 2층막(14)과 제 4층막(16)은, 서로 다른 광학막에서 형성된다.
투명지지체(12)로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 아크릴, 폴리메틸펜탄(PMP), 폴리카보네이트(PC), 유리 등을 이용할 수 있다. 유리의 경우는, 박판, 유리코트막 등을 이용할 수 있다. 밀착개선층이 되는 제 1층막(13)으로서는, 예를 들면 산화실리콘(SiOX:X+0.2∼2.0)막을 이용할 수 있다. 배리어층이 되는 고굴절율, 고저항의 제 2층막(14)으로서는, 예를 들면 질화실리콘(SiN)막, 산질화실리콘(SiON)막 등을 이용할 수 있다. 저굴절율의 제 3층막(15)으로서는, 예를 들면 산화실리콘(SiO2)막 등을 이용할 수 있다. 고굴절율, 고저항의 제 4층막(16)으로서는, 예를 들면 산화티탄, 산화니오브, 질화니오브, 산화탄탈, 산화지르코늄으로부터 선택된 1종류의 재료를 이용할 수 있다. 예를 들면, TiO2, TiOX(X=0.4∼2.0), Nb2O5, NbN, Ta2O5또는 ZrO2등의 막으로 형성할 수 있다. 저굴절율의 제 5층막(17)으로서는, 예를 들면 산화실리콘(SiO2)막을 이용할 수 있다.
반사방지용 기체(11)는, 투명지지체(12)로서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 아크릴, 폴리메틸펜탄, 폴리카보네이트 등의 수지필름을 이용했을 때에는 반사방지용 필름으로서 구성되며, 투명지지체(12)로서 유리 등의 필름의 범주에 들어가지 않는 재료, 형태를 이용할 때는 반사방지용 기판으로서 구성된다.
이하, 반사방지용 필름(11)에 적용하여 설명한다.
밀착개선층인 제 1층막(13)은, 광흡수가 극력 작은 것이 바람직하고, 물리막 두께를 10nm 이하로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 제 1층막(13)은, 물리막 두께가 3∼10nm의 금속산화물, 금속질화물 혹은 금속산질화물의 막으로 형성하고, 가시광영역에서의 광투과율이 86%∼92%의 범위가 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 제 1층막(13)에 적용할 수 있는 재료는, 예를 들면, Zr, Nb, Ti, Al, Cr 등의 산화물, 질화물, 산질화물을 이용할 수 있다.
배리어층인 제 2층막(14)은, 가시광영역의 굴절율이 1.7∼2.4이고, 물리막 두께가 10nm∼50nm정도의 막으로 형성하는 것이 바람직하다. 가시광영역에서의 굴절율이 1.7∼2.4를 벗어나면, 필요한 광학특성이 얻어지지 않는다. 제 2층막(14)의 굴절율은, 순수한 재료일 때 2.4까지 얻어지지만, 재료조성의 불균일을 고려하면 상기의 범위로 된다. 물리막 두께가 10nm보다 얇게 되면 광반사율이 높게 되며, 50nm을 넘으면 성막속도의 영향으로 높은 생산성이 얻어지기 어렵다. 배리어층인 제 2층막(14)은, 투명하게 하기 위해 파장 450nm∼650nm의 파장영역에서, 감쇠계수를 0.1 이하로 하는 것이 바람직하다. 0.1을 넘으면, 광흡수가 크게 되며, 광투과율 90% 이상 얻기 어렵다. 제 2층막(14)의 수분투과율은, 1일당 0.6g/㎡(즉 0.6g/㎡/day)이하로 한다. 이 값이면, 반사방지용 필름(11)을 표시장치의 표시면에 접착하여 고온, 고습 환경시험을 실시한 경우에도 광학막, 혹은 반사방지용 필름자체가 박리하지 않고 충분히 견딜 수 있고, 또, 광학막의 성막시에도 지지체(12)로부터의 수분방출이 억제되며, 성막속도, 광학특성에 악영향을 주지않고, 높은 신뢰성이 얻어진다.
제 3층막(15)의 물리막 두께는, 4nm∼80nm로 할 수 있고, 굴절율은 1.4∼1.5로 할 수 있다. 제 4층막(16)은, 가시광영역의 굴절율이 1.9∼2.4이고 물리막 두께가 18nm∼50nm정도의 막으로 형성하는 것이 바람직하다. 가시광영역에서의 굴절율이 1.9∼2.4를 벗어나면, 제 2층막(14)과 동일하게 필요한 광학특성이 얻어지지 않는다. 물리막 두께가 18nm 보다 얇게 되면 광반사율이 높아지며, 50nm를 넘으면 광흡수가 높아져서 광투과율이 내려간다. 제 5층막(17)의 물리막 두께는, 80nm∼131로 할 수 있고, 굴절율은 1.4∼1.5로 할 수 있다.
투명지지체(12)와 반사방지막(18)을 포함하는 반사방지용 필름(11)은, 투과색을 투명하게 하기 위해, 파장 450nm∼650nm의 파장영역에서의 광반사율을 4% 이하로 하고, 중심파장 550nm에서의 광투과율을 90% 이상으로 하고, 또한 450nm∼650nm의 파장영역에서의 광투과율을 90% 이상이 되도록 형성한다. 투명지지체(12)와 반사방지막(18)을 포함하는 반사방지용 필름(11)의 수분투과율은, 1g㎡/day 미만으로 설정하는 것이 바람직하다. 이 값이면, 반사방지용 필름(11)을 표시장치의 표시면에 첩착하여 고온, 고습 환경시험을 실시한 경우에도 광학막, 혹은 반사방지용 필름 자체가 박리하지 않고 충분히 견딜 수 있다.
반사방지막(18)의 표면저항, 즉 반사방지막(18) 전체(5층분)의 저항치는, 109Ω/?이상으로 설정하는 것이 바람직하다. 제 2층막(14)의 표면저항은 1011Ω/?이상으로 할 수 있고, 제 4층막(16)의 표면저항은 109Ω/?이상으로 할 수 있다. 제 3층막(15), 제 5층막(17)은, 유전체막(예를 들면 SiO2)이며, 필연적으로 고저항막으로 된다. 제 1층막(13)은, 접착층이고 완전한 산화물은 아니지만, 막 두께가 상당히 얇게 고저항막으로 된다. 표면저항(이른바 시트저항)이 109Ω/?이상으로 하면, 반사방지용 필름에 전하의 축적이 억제되며, 어스 접지기능을 설치하지 않아도 인체로의 감전이 생기기 어렵다.
투명지지체(12) 상에 형성하는 반사방지막(18)의 각 광학박막은, 반응성 스퍼터링법, 스퍼터링법, 진공증착법, CVD(화학기상성장)법 등으로 형성할 수 있다. 그 중에서도 마그네트론 반응성 스퍼터링 등의 반응성 물리기상 성막법에 의해 성막하는 것이, 생산성의 점에서도 바람직하다.
반사방지용 필름(11)의 작성법의 일 예를 나타낸다. 투명지지체(12)의 표면을 O2, Ar, N2의 분위기중, 혹은 O2, Ar, N2로부터 선택된 1종 혹은 2종의 분위기중에서 글로방전처리를 행하고, 지지체(12) 표면을 활성화시킨다. 계속하여, 지지체(12)와 반사방지막(18)과의 강한 부착력을 얻기 위해, 제 1층막(13)으로서 예를 들면 SiOX막을 성막한다. SiOX막(13)은, 약간 광학흡수가 있기 때문에, 투명광학막으로서는 막 두께 10nm 이하로 하는 것이 바람직하다. 제 1층막(13)의 광학흡수는 극력 작은 것이 바람직하다. 제 1층막(13)을 단층막으로 형성한 경우의 적정조건 범위는, 고투과율로서 실현 가능한 광투과율 56%∼92%를 나타내는 영역이 바람직하다.
배리어층이 되는 고굴절율, 고저항의 제 2층막(14)은, 반응성 스퍼터링으로 성막한다. 구성재료는, 붕소(B) 도프의 실리콘타깃을 아르곤(Ar)과 질소(N2)의 분위기 중에서 반응성 스퍼터링하여 성막한 질화실리콘막이 바람직하다. 질화실리콘막은, 도입질소가스 유량의 변화에 대하여 광학정수의 변동이 작기 때문에, 넓은 성막조건으로 고투명, 고굴절율, 고저항을 안정하게 나타내는 광학막으로서 기능한다. 질화실리콘막은, 배리어성을 가지는 것으로, 지지체(12) 표면으로부터의 방출가스의 영향을 억제할 수 있으므로, 안정하게 그 후의 광학막을 성막할 수있다.
저굴절율의 제 3층막(15)은, 저굴절율재료로서 붕소(B) 도프의 실리콘타깃을 아르곤(Ar)과 산소(O2)의 분위기 중에서 반응성 스퍼터링하여 성막한 산화실리콘(SiO2)막으로 형성한다. 제 4층막(16)은, 고굴절율, 고저항의 막으로 형성한다. 제 4층막(16)으로서는, 티탄(Ti)타깃, 산화티탄(TiOX:X=0.4∼2.0)타깃을 이용하여 아르곤(Ar)과 산소(O2)의 분위기 중에서 반응성 스퍼터링에 의해 성막한 산화티탄막이 바람직하다. 저급산화물(TiOX)의 타깃을 이용하여 반응성 스퍼터링으로 완전 산화물로 한 막은, 광학특성이 좋은 경우도 있다. 금속타깃을 이용하지 않고, 산화물 타깃을 이용한 경우에는 성막속도가 낮기 때문에, 높은 생산성을 기대할 수 없다. 제 5층막(17)은, 저굴절율막에서 형성한다. 제 5층막(17)은, 제 3층막(15)과 동일하게 붕소(B) 도프의 실리콘타깃에 의한 반응성 스퍼터링으로 성막한 산화실리콘(SiO2)막으로 형성하는 것이 바람직하다. 공업적으로는, 반응성 스퍼터링법을 이용하는 것으로, 고생산성을 기대할 수 있다.
표 1은, 본 실시형태에 관계되는 반사방지용 필름(11)의 성막조건의 일 예를 나타낸다. 단, 광학막의 성막조건은, 각각 1캐소드(타깃)일 때이다. 표 1중, 프라즈마처리란 지지체가 되는 수지기판의 표면을 프라즈마 처리로 세정, 활성화하고, 광학막의 피착을 양호하게 하기 위한 처리이다. 주행속도는 수지기판(필름 형체)의 주행속도이다.
본 실시형태의 일 구체예로서, 투명지지체(12) 상에, 제 1층막(13)으로서 막 두께 5nm의 SiOx막, 제 2층막(14)으로서 막 두께 20nm의 SiN막, 제 3층막(15)으로서 막 두께 41nm의 SiO2막, 제 4층막(16)으로서 막 두께 25nm의 TiO2막 및 제 5층막(17)으로서 막 두께 110nm의 SiO2막을 성막하여, 반사방지용 필름(11)을 구성한다. 이 구성의 반사방지용 필름(11)에서는, 파장 450nm∼650nm의 파장영역에 있어서, 평균 반사율(Rave)이 0.28%, 최대 반사율(Rmax)이 0.98%의 광학특성이 얻어진다. 상술의 캐소드(타깃) 조건에서, 당해 광학막을 작성하면, 질화실리콘의 성막조건이 13nm×m/min일 때, 8쌍의 캐소드로 주행속도 1.0m/min가 얻어진다.
캐소드의 내역은, SiO2(2캐소드)/TiO2(2캐소드)/SiO2(2캐소드)/SiN(1캐소드)/SiOX(1캐소드)/지지체가된다. 이상에서, 본 실시형태의 반사방지용 필름(11)을 이용함으로써, 종래의 생산성이 낮다는 문제를 해결할 수 있다.
표 2는, 이 구체예의 반사방지용 필름(11)의 광학특성, 각 광학막의 굴절율을 정리하여 나타낸다.
도 3은, 상기 구체예에 관계되는 반사방지용 필름(11)의 분광투과율을 나타낸다.
파장 450nm∼650nm의 파장영역에서 투과효율이 90%이상, 중심파장의 550nm에서 95%의 광투과율이 얻어지고 있다.
반응성 스퍼터링의 경우, 성막시의 잔류가스 성분은 물리적으로 중요한 의미를 가진다. 산화티탄과 같은 산소농도에 의해 성막속도나 광학정수가 변화하는 것에 대해서는, 잔류가스를 적게 할 필요가 있다. 다량의 잔류가스는 성막속도가 현저한 저하를 생기게 한다. 또, 역으로 적은 경우에는, 광학적으로 광흡수가 발생하고, 투명막을 형성하는 것이 어렵다. 특히, 투명지지체(12)로서 플라스틱기판을 이용했을 때에는, 스퍼터링시에 다량의 수분방출을 수반하는 경우가 있다. 이 때의 대책으로서는, 미리 수지기판을 건조시키는 것으로 가스방출을 어느 정도 억제할 수 있다. 그러나, 스퍼터링 프로세스 중의 프라즈마 복사에 의한 온도상승 및의 영향을 받은 가스방출은, 억제하는 것이 어렵다. 그 중에서도, 필름기판의 경우에는 연속하여 기판이 프로세스에 투입되기 때문에, 스퍼터링중의 잔류가스의 변동이 연속적으로 발생한다.
번 실시형태의 반사방지용 필름(11)에서 사용되는 각 광학막의 수분투명성을 표 3에 나타낸다.
표 3에서는, 투명지지체용의 소위 하드코트(PET)(HC-PET)기판, 광학막의 SiN막, TiO2막, TiOX막, SiOX막의 각 투습도(g/㎡/day)를 측정했다. 각 광학막은 하드코트(PET)기판 상에 형성한 상태에서의 투습도이다. 하드코트(PET)기판은, 두께 188㎛의 PET기판의 표면에 두께 6㎛의 하드코트막을 형성하여 구성된다. SiN막,TiO2막 및 TiOX막의 각 막 두께는, 40nm이다. SiOX막의 막 두께는, 5nm이다. 표 3중의 σ는 분산(이른바 불균일의 값), n은 측정 포인트수이다.
표 3에 표시되는 바와 같이, 일반적으로 사용되는 산화티탄막의 수분투과율은, PET기판에 가까운 특성을 가지고 수분투과율이 높다.
이것에 대하여, 본 실시형태에서 이용되는 질화실리콘막은, 수분투과율이 산화티탄막의 10분의 1 이하로 낮고, 기판(투명지지체)으로부터의 가스방출을 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 있어서는, 배리어층인 제 2층막(14)을 형성한 후의 다층막의 형성에 있어서 반응성 스퍼터링을 안정화, 고속화시킬 수 있다. 또한, 제 2층막(14)에 배리어층을 형성하는 것으로, 고온, 고습도 환경하에서 뛰어난 신뢰성을 가지는 반사방지막이 얻어진다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에 관계되는 반사방지용 필름(11)에 의하면, 고투명, 고저항특성을 반사방지막에 부여하여, 수분배리어성을 부가하는 것으로, 고품질의 반사방지용 필름을 제공할 수 있다.
본 실시형태의 반사방지용 필름(11)에서는, 투명지지체(12) 상에 각 광학막을 형성하여 구성되지만, 특히 제 2층막에 고굴절율이고 수분투과율이 낮은 배리어층(14)을 형성함으로써, 고온, 고습도 환경하에서 뛰어난 신뢰성을 가지는 반사방지막이 얻어진다. 또, 반응성 스퍼터링에 의한 광학막의 성막시에, 배리어층인 제 2층막(14)에 의해, 투명지지체(12)로부터의 수분방출이 억제되어서 방출가스가 억제되고, 소망의 막두께, 광학특성을 얻을 수 있는 동시에, 안정하게 고속성막을 실현할 수 있다. 제 2층막(14)의 고굴절율 배리어층을 형성함으로써, 안정한 다층 광학박막을 형성할 수 있고, 정밀한 광학설계가 가능한 반사방지용 필름을 제공할 수 있다.
각각 고굴절율인 제 2층막(14)과 제 4층막(16)은, 서로 다른 재료로 형성되므로, 제 4층막(16)의 예를 들면 TiO2막을, 종래예의 제 3층막(5)의 TiO2막(제 7참조)보다 얇게 형성할 수 있고, 반사방지막(18)의 박막화가 가능하게 된다.
또, 본 실시형태의 반사방지용 필름(11)은, 성막속도가 높음으로, 종래의 반사방지용 필름에 비하여 생산성을 높일 수 있다. 예를 들면, 종래의 6층 이상의 다층막 구조의 반사방지용 필름에 비하여 생산성의 개선이 도모된다.
상술한 본 실시형태의 반사방지용 필름(11)은, 표시장치에 적용하여 호적하다. 적용될 수 있는 표시장치로서는, 음극선관을 갖춘 텔레비전 수상기, 투사형 표시장치(이른바, 프로젝터), 프라즈마 디스플레이(PDP), 컴퓨터 디스플레이, 노트 퍼스널컴퓨터나 휴대단말 용도의 TFT액정 디스플레이, 유기EL 디스플레이, 필드이미션 디스플레이(FED), 예를 들면, 유기EL 혹은 무기EL 등을 사용한 필름 디스플레이, 기타 등의 표시장치를 들 수 있다.
상술한 바와 같이, 표시장치의 표면은, 주위의 비쳐지는 것을 저감하거나 콘트라스트개선 등, 고화질을 실현하기 위해 반사방지막이 필요하다. 상기의 어느 표시장치에 대해서도, 반사방지 코트라고 불리는 표면처리를 실시하는 것으로 화질을 개선하는 것이 가능하다. 근래에는, 가반성에 적합한 디스플레이가 상품화되어, 소형화, 경량화된 표시장치를 옥내, 옥외에서 사용하는 장면이 상정된다. 화면의 시인성을 향상시키기 위해, 불요산란(不要散亂) 반사광을 저감하고, 또한영상신호를 열화시키지 않고, 시인자에게 전달하는 것이 중요하다.
저반사와 신호열화 억제를 동시에 실현하기 위해서는, 가시광영역에서 저반사특성을 갖고, 플랫한 고투과특성을 실현하는 것과 등가(等價)이다. 부가하여, 공업적으로는 고생산성, 고신뢰성을 실현하는 것이 반사방지막에 요구되는 성능이다. 신뢰성이 낮은 반사방지막은, 포인팅디바이스, 청소도구 등과의 물리적 접촉에 의해, 지지체 상에 형성된 광학막의 적층체의 파괴, 박리탈락이 생겨서, 불요산란광의 증가와 영상신호의 열화의 원인이 되고, 표시장치의 품질열화를 야기한다.
반사방지막을 구성하는 광학박막은, 상술한 바와 같이 스퍼터링법, 진공증착법, CVD법 등으로 형성된다. 광학박막의 형성은, 막형성 프로세스, 구성하는 재료형성방법, 성막장치의 구성·성능에 의해 제약을 받는다. 구성하는 재료와 그 조합은, 생산성, 신뢰성에 관한 퍼포먼스를 좌우한다. 반사방지용 필름에 이용되는 투명지지체에는, 상술한 바와 같이 PET, PEN, 아크릴, PMP, PC, 유리 등이 있으나, 그 중에서도 PET, PC, PEN 등의 수지기판을 사용한 경우, 그 위에 형성되는 각 광학막이 갖는 역할은, 반사방지용 필름의 성능을 결정한다.
상술한 바와 같이, 광학막의 지지체로서 수지기판을 이용한 경우, 수분에 대표되는 환경분위기 중의 성분의 흡수, 방출현상, 온도변화 등에 의해 수지기판이 변질하고, 그 것에 수반하여 반사방지용 필름의 열화가 진행한다. 수지기판으로의 수분 등의 흡착현상은, 표면의 배리어층을 형성함으로써 억제할 수 있다. 표시장치가 흡습에 의한 성능열화가 현저한 재료를 사용하고 있는 경우, 반사방지용필름에는 저투습도 특성을 갖추는 것이 바람직하다.
각 광학막은, 고저항막으로 구성되는 것이 중요하다. 광학막이 저저항막인 경우에는, 도전막 중에 유기된 전하를 어스로 인도하는 기능이 불가결하게 된다. 어스접지가 불충분한 경우에는, 도전체에 축적한 전하에 의해 감전이 발생할 가능성이 발생한다. 고저항체의 경우에는, 전하의 축적, 이동은 억제되기 때문에, 표시장치 표면과 인체 사이에서 순간적으로 대량의 전하이동에서 생기는 감전이 발생할 가능성은 낮게 된다. 광학막이 고저항막인 경우에는, 어스접지를 생략하는 것이 가능하게 되고, 표시장치로서 코스트 저감효과가 발생한다.
상술한 바와 같이, 상술한 본 실시형태에 관계되는 반사방지용 필름(11)은, 이 것들의 요구를 갖추고 있다. 본 반사방지용 필름(11)을 첩착한 표시장치에서는, 가시광영역에서 저반사특성을 가지며, 또한 플랫한 광투과특성을 얻고, 고품질의 화상을 표시할 수 있다.
도 4는, 본 발명의 표시장치의 일 실시형태를 나타낸다. 본 실시형태에 관계되는 표시장치는, 음극선관(21)을 갖춘 표시장치에 적용한 경우이다. 본 실시형태에 있어서는, 컬러용 혹은 단색용 등의 음극선관(21)의 표시면이 되는 패널표면에, 예를 들면 자외선 경화수지(이하, UV수지라고 한다), 점착재 등에 의한 접착층(22)을 거쳐서 상술한 투명지지체(12) 상에 배리어층을 포함하는 5층막 구조의 반사방지막(18)을 성막하여 이루는 본 발명의 반사방지용 필름(11)을 첩착하여 이룬다. 이 음극선관(21)이 세트로 짜 넣어져서 표시장치가 구성된다.
도 5는, 본 발명의 표시장치를 프라즈마 디스플레이에 적용한 경우의 다른실시형태를 나타낸다. 프라즈마 디스플레이는 각종의 구성이 있고, 도 5는 그 하나의 예이다. 본 실시형태에 관계되는 프라즈마 디스플레이(24)는, 프라즈마 디스플레이 패널(PDP)을 구성하는 표시측의 패널유리, 즉 유리기판(25)의 내면에 틀형의 흑색인쇄층(26)을 형성하는 동시에, 적외선 차단필름(27) 및 전자파 실드메시(28)를 형성하고, 유리기판(25)의 외면에, 예를 들면 UV수지, 점착재 등에 의한 접착층(29)을 거쳐서 상술한 투명지지체(12) 상에 배리어층을 포함하는 5층막 구조의 반사방지막(18)을 성막하여 이루는 본 발명의 반사방지용 필름(11)을 첩착하여 이룬다. 또한, 전자파 실드메시(28)는, 예를 들면 동, 철, 니켈합금, 페라이트 등으로 형성된다. 이 프라즈마 디스플레이 패널이 세트로 짜 넣어져서 표시장치, 이른바 프라즈마 디스플레이가 구성된다.
도 6은, 본 발명의 표시장치를 리어프로젝터(rear projector)에 적용한 경우의 다른 실시형태를 나타낸다. 또한, 동도면은 리어프로젝터를 구성하는 표시면이 되는 콘트라스트 스크린을 나타낸다.
본 실시형태에 있어서는, 리어프로젝터용의 스크린 본체가 되는 플라스틱기판(32)의 일면(보는 측의 면)에 틀형의 흑색인쇄층(33)을 형성하는 동시에, UV수지, 점착재 등에 의한 접착층(34)을 거쳐서 상술한 투명지지체(12) 상에 배리어층을 포함하는 5층막 구조의 반사방지막(18)을 성막하여 이루는 본 발명의 반사방지용 필름(11A)을 첩착하고, 플라스틱기판(32)의 타면(영상이 투사되는 측의 면)에 동일하게 접착층(34)을 거쳐서 본 발명의 반사방지용 필름(11B)을 첩착하여 리어프로젝터용의 콘트라스트 스크린(35)이 구성된다. 이 콘트라스트 스크린(35)이 프로젝터 본체에 짜 넣어져서 표시장치, 이른바 리어프로젝터가 구성된다.
또한, 도시하지 않았으나, 동일하게 하여 컴퓨터 디스플레이, 노트 퍼스널컴퓨터나 휴대단말 용도의 TFT액정 디스플레이, 유기EL 디스플레이, 필드이미션 디스플레이(FED), 필름 디스플레이 등의 표시장치의 표시면에 본 발명의 반사방지용 필름(11)을 첩착하여 고화질이 얻어지는 표시장치를 구성할 수 있다.
본 실시형태에 관계되는 표시장치에 의하면, 고투명, 고저항, 저투습특성을 가지는 반사방지용 필름(11)이 표시면에 첩착되므로, 고품질, 고신뢰성을 가지는 표시장치를 제공할 수 있다. 특히, 고온, 고습도 환경하에서도 반사방지막(18) 혹은 반사방지용 필름(11) 자체의 열화, 박리, 탈락을 방지할 수 있고, 또, 반사방지막이 고저항막으로 형성되므로, 전하의 축적을 억제하여 인체감전의 발생이 저감할 수 있고, 표시장치의 신뢰성을 향상할 수 있다. 또한, 어스접지가 생략되므로, 제조코스트의 저감을 도모할 수 있다. 또한, 예를 들면 유기EL층 등의 흡습에 의한 성능열화가 현저한 재료를 사용하고 있는 표시장치에 있어서도, 본 발명의 반사방지용 필름(11)이 저투습특성을 갖추고 있음으로, 사용재료의 성능열화를 방지할 수 있고, 신뢰성이 높은 표시장치를 제공할 수 있다.
도 7은, 반사방지용 필름의 광학막의 연속성막을 가능하게 한 반응성 스퍼터링장치의 요부를 나타낸다. 본 실시형태의 반응성 스퍼터링장치(41)는, 스퍼터링실(46) 내에 복수, 본 예에서는 3개의 캔(42)[42A, 42B, 42C]을 배치하고, 각 캔(42A, 42B, 42C)에 각각 대향하도록 광학막의 성막에 필요한 복수의 타깃(43)을 배치하여 이룬다. 타깃(43)은, 캔(42)[42A, 42B, 42C]에 있어서 필요에 따라서같은 재료의 타깃을 복수개, 예를 들면 4∼5개, 다른 재료의 타깃 등을 선택적으로 배치할 수 있다. 각 캔(42) 사이에는 기밀적인 구분부재(44)를 설치하고, 구분부재(44)로 둘러싸인 영역에 선택적으로 불활성가스, 반응가스를 공급할 수 있도록 한다. 그리고, 투명지지체가 되는 투명필름(45)을 롤상태에서 가이드롤러(47)를 거쳐서 각 캔(42A, 42B, 42C)에 따라서 연속 주행시켜, 각 타깃(43)에 대향한 위치에서 소요의 광학막을 성막하고, 순차 다른 광학막을 적층하여 반사방지막을 형성하도록 한다. 또한, 기타의 구성은, 통상의 반응성 스퍼터링장치와 동일함으로, 설명을 생략한다. 본 예에서는 3캔·시스템으로 하였으나, 2캔·시스템도 바람직하다. 이 장치(41)에 의하면, 연속하여 반사방지용 필름(11)을 작성할 수 있다.
상기 예에서는, 반사방지용 기체를 반사방지용 필름(11)에 적용한 경우에 대하여는 상술하였으나, 투명지지체(12)로서 예를 들면 유리를 이용한 반사방지용 기판에도 적용할 수 있다. 유리 등의 투명기판 상에 반사방지막(18)을 성막하여 이루는 반사방지용 기판은, 예를 들면 표시장치를 구성하는 유리 등의 투명패널에 겸용하는 것도 가능하게 된다.

Claims (22)

  1. 투명지지체 상에, 밀착개선층이 되는 제 1층막, 수분의 배리어층이 되는 제 2층막, 제 3층막, 제 4층막 및 제 5층막을 이 순서로 적층한 적층막으로 이루고, 상기 제 2층막 및 제 4층막의 굴절율, 각각 상기 제 3층막 및 제 5층막의 굴절율보다 높게 설정한 반사방지막이 형성되어서 이루는 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2층막이, 가시광역에서의 굴절율을 1.7∼2.4로 하고, 물리막 두께를 10nm∼50nm으로 한 막에 의해 형성되어서 이루는 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2층막이, 파장 450nm∼650nm의 파장영역에서의 감쇠계수를 0.1이하로 한 막에 의해 형성되어서 이루는 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2층이, 반응성 물리기상 성막법에 의한 실리콘 질화물 혹은 실리콘 산 질화물에 의해 형성되어서 이루는 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2층막의 수분투과율이 0.6g/㎡/day 이하인 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 투명지지체와 상기 반사방지막을 포함하는 기체의 파장 450nm∼650nm의 파장영역에서의 반사율이 4.0% 이하, 중심파장 550nm의 광투과율이 90.0% 이상, 또한 파장 450nm와 파장 650nm에서의 광투과율이 90.0% 이상인 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 반사방지막의 표면저항이 109Ω/?이상인 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 4막층이, 가시광영역의 굴절율을 1.9∼2.4로 하고, 물리막 두께를 18nm∼50nm로 한 금속산화물 또는 금속질화물에 의해 형성되어서 이루는 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제 4층막이, 상기 제 2층막과는 다른 광학막이며, 산화티탄, 산화니오브, 산화탄탈, 질화니오브, 산화지르코늄으로부터 선택된 1종류의 재료로 형성되어서 이루는 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 투명지지체와 상기 반사방지막을 포함하는 기체의 수분투과율이 1g/㎡/day 미만인 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 밀착개선층이 되는 제 1층막이, 물리막 두께를 3nm∼10nm로 하고, 가시광영역에서의 광투과율을 86%∼92%로 한 금속산화물, 금속질화물 혹은 금속산질화물에 의해 형성되어서 이루는 것을 특징으로 하는 반사방지용 기체.
  12. 투명지지체 상에, 밀착개선층이 되는 제 1층막, 수분의 배리어층이 되는 제 2층막, 제 3층막, 제 4층막 및 제 5층막을 이 순서로 적층한 적층막으로 이루고, 상기 제 2층막 및 제 4층막의 굴절율을, 각각 상기 제 3층막 및 제 5층막의 굴절율보다 높게 설정한 반사방지막이 형성되어서 이루는 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2층막이 가시광영역의 굴절율을 0.7∼2.4로 하고, 물리막 두께를 10nm∼50nm로 한 막에 의해 형성되어서 이루는 상기 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2층막이 파장 450nm∼650nm의 파장영역에서의 감쇠계수를 0.1 이하로 한 막에 의해 형성되어서 이루는 상기 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2층막이 반응성 물리기상성막법에 의한 실리콘 질화물 혹은 실리콘 산질화물에 의해 형성되어서 이루는 상기 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2층막의 수분투과율이 0.6g/㎡/day 이하인 상기 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 투명지지체와 상기 반사방지막을 포함하는 기체의 파장 450nm∼650nm의 파장영역에서의 반사율이 4.0% 이하, 중심파장 550nm의 광투과율이 90.0% 이상, 또한 파장 450nm와 파장 650nm에서의 광투과율이 90.0% 이상인 상기 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  18. 제 12항에 있어서,
    상기 반사방지막의 표면저항이 109Ω/? 이상인 상기 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  19. 제 12항에 있어서,
    상기 제 4막층이, 가시광영역의 굴절율을 1.9∼2.4로 하고, 물리막 두께를 18nm∼50nm로 한 금속산화물 또는 금속질화물에 의해 형성되어서 이루는 상기 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  20. 제 12항에 있어서,
    상기 제 4층막이, 상기 제 2층막과는 다른 광학막이며, 산화티탄, 산화니오브, 산화탄탈, 질화니오브, 산화지르코늄으로부터 선택된 1종류의 재료에 의해 형성된 상기 반사방지용 기판을, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  21. 제 12항에 있어서,
    상기 투명지지체와 상기 반사방지막을 포함하는 기체의 수분투과율이 1g/㎡/day 미만인 상기 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  22. 제 12항에 있어서,
    상기 밀착개선층이 되는 제 1층막이, 물리막 두께를 3nm∼10nm로 하고, 가시광영역에서의 광투과율을 86%∼92%로 한 금속산화물, 금속질화물 혹은 금속산질화물에 의해 형성되어서 이루는 상기 반사방지용 기체를, 표시면에 가지고 이루는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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