KR20040000634A - 열자기 자발 홀 효과를 이용한 자기 램 및 이를 이용한데이터 기록 및 재생방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 절연막을 사이에 두고 MOS 트랜지스터의 소오스와 연결되도록 상기 MOS 트랜지스터 상에 형성된 히팅 수단;일부가 상기 히팅 수단 상에 형성되어 있고 상기 일부에 데이터가 기록되는 메모리 층;상기 메모리 층의 상기 데이터가 기록되는 부분을 지나도록 형성된 비트라인;상기 비트 라인 및 메모리 층을 덮는 층간 절연막; 및적어도 상기 메모리 층의 상기 데이터가 기록되는 부분에 데이터 기록에 필요한 자기장을 발생시키도록 상기 층간 절연막 상에 형성된 데이터 기록 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 자발 홀 효과를 이용한 자기 램.
- 제 1 항에 있어서, 상기 히팅 수단은 MOS 트랜지스터의 게이트 바로 위쪽에 구비된 것을 특징으로 하는 자발 홀 효과를 이용한 자기 램.
- 제 1 항에 있어서, 상기 히팅 수단은 전류에 의해 히팅되는 물질층으로써, 니켈과 크롬을 포함하는 합금층 또는 티타늄 알루미늄 나이트라이드(TiAlN)층인 것을 특징으로 하는 자발 홀 효과를 이용한 자기 램.
- 제 1 항에 있어서, 상기 메모리 층은 비정질 희토류 전이 금속층(Amorphous rare earth(ER)-transition metal(TM))인 것을 특징으로 하는 자발 홀 효과를 이용한 자기 램.
- 데이터가 기록되는 메모리 층이 구비된 메모리 셀을 선택하는 단계; 및상기 메모리 층의 자화 상태가 상자성이 될 때까지 상기 메모리 층을 가열하여 데이터를 기록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 메모리 층은 그 하부에 구비된 히팅 수단을 이용하여 가열하는 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 히팅 수단에 전류를 통과시켜 상기 메모리 층을 가열하는 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 제 5항 내지 제 7 항 중 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리 층은 비정질 희토류 전이 금속층인 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 히팅 수단은 니켈과 크롬을 포함하는 합금층 또는 티타늄 알루미늄 나이트라이드(TiAlN)층인 것을 특징으로 하는 데이터기록 방법.
- 데이터가 기록되는 메모리 층을 구비하는 메모리 셀을 선택하는 단계;상기 메모리 층의 자화 상태가 상자성이 될 때까지 상기 메모리 층을 가열하여 데이터를 기록하는 단계; 및상기 메모리 층의 자화 상태를 강자성으로 바꾸어 데이터를 기록하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 메모리 층은 그 하부에 구비된 히팅 수단을 이용하여 가열하는 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 히팅 수단에 전류를 통과시켜 상기 메모리 층을 가열하는 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 제 10항 내지 제 12 항 중 선택된 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리 층은 비정질 희토류 전이 금속층인 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 히팅 수단은 니켈과 크롬을 포함하는 합금층 또는 티타늄 알루미늄 나이트라이드(TiAlN)층인 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 메모리 층 위로 상기 메모리 층과 평행하게 전류를 통과시켜 상기 메모리 층의 자화 상태를 상자성에서 강자성으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 데이터 기록 방법.
- 데이터가 기록된 메모리 층을 포함하는 메모리 셀을 선택하는 단계;상기 선택된 셀의 상기 메모리 층에 재생 전류를 인가하는 단계; 및상기 메모리 층의 자발 홀 전압(VH)을 측정하여 상기 메모리 층에 기록된 데이터를 읽는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 재생 방법.
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