KR20030068262A - 엠보싱 제조 방법과, 그 방법에 의해 제조된 액정 표시 장치 - Google Patents

엠보싱 제조 방법과, 그 방법에 의해 제조된 액정 표시 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 무기 절연 박막을 이용한 엠보싱 제조 방법과, 엠보싱 제조 방법에 의해 제조된 엠보싱을 갖는 액정 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 따른 엠보싱 제조 방법은, 서로 다른 치밀도를 갖는 2개 이상의 무기 절연 박막을 기판상에 순차 도포하고, 도포된 무기 절연 박막상에 형성하고자 하는 엠보싱에 대응하는 PR 층을 도포하며, 도포된 PR층을 마스크로 하여 무기 절연 박막을 에칭하여 엠보싱을 형성한 후 PR 층을 제거한다. 이어 무기절연박막으로 형성된 엠보싱상에 반사 전극을 형성하여 반사형 액정 표시 장치나 반투과형 액정 표시 장치를 구현한다.
그 결과, 유기절연박막을 이용하여 형성한 반사 전극간의 골단차보다 박막의 치밀도가 서로 다른 무기 절연 박막을 이용하므로써 서로 다른 층에 대해 서로 다른 에칭율에 의해 낮은 골의 단차를 유지할 수 있으므로 엠보싱 공정 후 세정 공정에서 옵션 설정이나, 셀 갭 유지, 주입구 얼룩, 배향 등의 후속 액정 공정시 마진을 넓힐 수 있다.

Description

엠보싱 제조 방법과, 그 방법에 의해 제조된 액정 표시 장치{METHOD FOR FABRICATING AN EMBOSSING AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY FABRICATED THEREOF}
본 발명은 엠보싱 제조 방법과, 그 방법에 의해 제조된 액정 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 무기 절연 박막을 이용한 엠보싱 제조 방법과, 상기 엠보싱 제조 방법에 의해 제조된 엠보싱을 갖는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 외부 광원을 이용하여 화상을 표시하는 투사형 액정 표시 장치와, 외부 광원 대신에 자연광을 이용하는 반사형 액정 표시 장치와, 상기한 투사형 액정 표시 장치와 반사형 액정 표시 장치를 결합한 반투과형 액정 표시 장치로 구분될 수 있다.
도 1은 일반적인 반사형 액정 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 반사형 액정 표시 장치는 화소가 형성되어 있는 제1 기판(110), 제1 기판(110)에 대향하여 배치된 제2 기판(120), 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이에 형성된 액정층(130) 그리고 제1 기판(110)과 액정층(130) 사이에 형성된 화소(pixel) 전극인 반사 전극(135)을 포함한다.
제1 기판(110)은 제1 절연 기판(140)과 제1 절연 기판(140)에 형성된 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT)(145)를 포함한다. 박막 트랜지스터(145)는 게이트 전극(150), 게이트 절연박막(155), 반도체층(160), 오믹(ohmic) 콘택층(165), 소오스 전극(170) 및 드레인 전극(175)을 포함한다.
상기 박막 트랜지스터(145)가 형성된 제1 절연 기판(140) 상에는 레지스트(resist)와 같은 물질로 이루어진 유기 절연박막(180)이 적층되며, 이러한유기 절연박막(180)에는 박막 트랜지스터(145)의 드레인 전극(175)의 일부를 노출시키는 콘택홀(185)이 형성된다.
상기 콘택홀(185) 및 유기 절연박막(180) 상에는 반사 전극(135)이 형성된다. 반사 전극(135)은 콘택홀(185)을 통하여 드레인 전극(175)에 접속됨으로써, 박막 트랜지스터(145)와 반사 전극(135)이 전기적으로 연결된다.
상기 반사 전극(135)의 상부에는 제1 배향박막(orientation film)(200)이 적층된다.
제1 기판(110)에 대향하는 제1 기판(120)은 제2 절연 기판(205), 컬러 필터(210), 공통 전극(215), 제2 배향박막(220), 위상차판(225) 및 편광판(230)을 구비한다.
제2 절연 기판(205)은 제1 절연 기판(140)과 동일한 물질은 유리 또는 세라믹으로 이루어지며, 상기 위상차판(225) 및 편광판(230)은 제2 절연 기판(205)의 상부에 순차적으로 형성된다. 컬러 필터(210)는 제2 절연 기판(205)의 하부에 배치되며, 컬러 필터(210)의 하부에는 공통 전극(215) 및 제2 배향박막(220)이 차례로 형성되어 제2 기판(120)을 구성한다. 제2 배향박막(220)은 제1 기판(110)의 제1 배향박막(200)과 함께 액정층(130)의 액정 분자들을 소정의 각도로 프리틸팅시키는 기능을 수행한다.
상기 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이에는 스페이서(235, 236)가 개재되어 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이에 소정의 공간이 형성되며, 이와 같은 제1 기판(110)과 제2 기판(120) 사이의 공간에는 액정층(130)이 형성되어 있다.
도 2는 일반적인 반투과형 액정 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 일반적인 반투과형 액정 표시 장치는 제1 기판(340)의 상면에는 박막 트랜지스터(320)가 박막 트랜지스터 제조 공정에 의하여 수행된다. 미설명 도면부호 322는 게이트 전극, 328b는 소오스 전극, 328a는 드레인 전극 및 324,326은 액티브 패턴이다.
이후, 박막 트랜지스터(320)의 상면에는 투명하면서 후박한 아크릴계 유기 절연박막(330)이 소정 두께로 도포된다. 이때, 아크릴계 유기 절연박막(330)의 상면에는 광을 산란시켜 휘도를 향상시키기 위하여 불규칙한 요철 패턴이 형성되고, 아크릴계 유기 절연박막(330) 중 드레인 전극(328a)에 해당하는 부분은 개구된다.
이후, 아크릴계 유기 절연박막(330)의 상면에는 액정을 제어하는데 필요한 투과/반사 전극(340,360)이 형성된다. 이때, 투과/반사 전극(340,360)은 광을 투과시키는 투과 전극(340) 및 광을 반사시키는 반사 전극(360)으로 구성되며, 반사 전극(360)의 일부가 개구(365)되어 이 부분을 통하여 광이 투과되도록 한다. 여기서, 반사/투과 전극(340,360)의 투과 전극(340)은 ITO 또는 IZO 물질이 사용되며, 반사 전극(360)으로는 반사율이 뛰어난 알루미늄이나 알루미늄-네오디뮴 합금 등이 주로 사용된다.
이후, 제1 기판(340)의 상면에는 다시 공통 전극(380)이 형성된 제2 기판(390)이 위치하고, 그 사이에는 액정(370)이 주입되어 반사/투과형 액정표시장치가 제작된다.
이처럼, 반사형 또는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 공정에서는 유기박막을 사용하여 엠보싱을 형성하는 공정이 사용되어지는 것이 일반적이다. 즉, 감광성 유기 물질을 사용하여 현상액에서 일부를 현상시키고, 열처리 공정을 통해 리플로우(Reflow)를 시킨 후 금속 반사박막을 증착시켜 엠보싱을 완성하는 공정을 필수적으로 구비하고 있다.
그러나, 이처럼 현상액에서 일부를 현상시키는 공정을 사용하고, 유기박막 자체의 불안정성 때문에 엠보싱의 불균일성이 증가되므로 액정 패널의 광특성을 저감시키는 요소로 작용한다.
또한 반사형 또는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 공정에서 유기박막을 사용할 경우 후속 공정 진행시 고온 공정을 사용할 수 없는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술과 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 유기박막 자체의 불안정성에 기인한 엠보싱의 불균일성에 의해 저감되는 액정 패널의 광특성을 보상하기 위한 엠보싱 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은 상기한 엠보싱 제조 방법에 의해 제조된 엠보싱을 갖는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 반사형 액정 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 일반적인 반투과형 액정 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 패턴 디자인에 따른 엠보싱의 다양한 각도 형성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110, 120, 340, 390 : 기판130, 370 : 액정층
135, 360 : 반사 전극320 : 박막 트랜지스터
330 : 유기절연박막340 : 투과 전극
380 : 공통 전극410 : 기판
422, 424, 426, 428 : 무기 절연 박막430 : 포토 레지스터
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 엠보싱 제조 방법은,
(a) 서로 다른 치밀도를 갖는 2 이상의 무기 절연 박막을 기판상에 순차 도포하는 단계;
(b) 형성하고자 하는 엠보싱에 대응하는 PR 층을 상기 무기 절연 박막상에 도포하는 단계;
(c) 상기 도포된 PR 층을 마스크로 하여 상기 무기 절연 박막을 에칭하는 단계; 및
(d) 상기 단계(c)에 의해 형성된 엠보싱상에 구비되는 PR 층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기한 무기 절연 박막은 산화박막 또는 질화박막 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 기판에 최근접하는 무기 절연 박막은 최대 치밀도를 갖고, 상기 기판에 원접할수록 상기 무기 절연 박막의 치밀도는 감소하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기한 에칭은 등방성 에칭인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 엠보싱 제조 방법에 의해 제조된 액정 표시 장치는,
제1 기판;
상기 제1 기판에 대향하여 형성된 제2 기판;
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 형성된 액정층;
상기 제1 기판에 형성되고, 광산란을 위해 상대적인 고저로 형성된 다수의 엠보싱을 포함하는 반사전극; 및
상기 제1 기판과 상기 반사 전극 사이에 상기 반사 전극과 동일한 표면 구조를 갖고, 상기 표면 구조는 상기 화소들의 화소 경계선의 외부로 연장되도록 형성된 무기 절연 박막을 포함하고, 상기 무기 절연 박막은 서로 다른 치밀도를 갖는 2개 이상의 무기절연층을 구비하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기한 기판에 최근접하는 무기 절연 박막은 최대 치밀도를 갖고, 상기 기판에 원접할수록 상기 무기 절연 박막의 치밀도는 감소하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 다른 하나의 특징에 따른 엠보싱 제조 방법에 의해 제조된 액정 표시 장치는,
제1 기판;
상기 제1 기판상의 제1 영역에 게이트 전극, 액티브 패턴, 소오스 전극, 드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터가 형성된 제1 기판의 제1 영역과 상기 박막트랜지스터가 미형성된 제1 기판의 제2 영역에 형성되고, 서로 다른 치밀도를 갖는 2개 이상의 무기절연층을 구비하며, 상대적인 고저로 형성된 다수의 엠보싱을 포함하는 무기 절연 박막;
상기 무기 절연 박막에서 상기 드레인 전극이 노출되도록 형성된 콘택홀;
상기 엠보싱의 상면과 상기 드레인 전극과 접촉되도록 형성된 투명한 투과 전극;
상기 투과 전극의 상면에 형성되고, 상기 제2 영역의 투과 전극이 노출되도록 개구부를 갖는 반사 전극;
상기 제1 기판의 반사전극과 대향하는 공통 전극을 갖는 제2 기판; 및
상기 무기 절연 박막 및 상기 공통 전극의 사이에 주입된 액정층을 포함하여이루어진다. 여기서, 상기한 기판에 최근접하는 무기 절연 박막은 최대 치밀도를 갖고, 상기 기판에 원접할수록 상기 무기 절연 박막의 치밀도는 감소하는 것이 바람직하다.
이러한 엠보싱 제조 방법과, 그 방법에 의해 제조된 액정 표시 장치에 의하면, 유기절연박막을 이용하여 형성한 반사 전극간의 골단차보다 박막의 치밀도가 서로 다른 무기 절연 박막을 이용하므로써 서로 다른 층에 대해 서로 다른 에칭율에 의해 낮은 골의 단차를 유지할 수 있으므로 엠보싱 공정 후 세정 공정에서 옵션 설정이나, 셀 갭 유지, 주입구 얼룩, 배향 등의 후속 액정 공정시 마진을 넓힐 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치용 엠보싱 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
먼저 도 3a에 도시한 바와 같이, 기판(410)상에 산화박막 또는 질화박막 등의 무기 절연 박막(422, 424, 426, 428)을 수 천Å 내지 수㎛까지 순차적으로 증착시킨다. 즉, 제1 무기 절연 박막(422)을 증착시킬 때는 치밀한 박막을 형성시키고, 점차 치밀도가 떨어지는 성박막 조건으로 제2 내지 제4 무기 절연 박막(424, 426, 428)을 형성시켜 에칭율이 서로 다른 박막을 형성한다.
예를 들어, 실리콘질화박막(SiNx)의 경우에는 n이 1.9이상의 박막을 먼저 형성시킨 후 점차 치밀도가 떨어지는 성박막 조건으로 n이 1.9이하의 박막을 순차적으로 증착시킨다. 여기서, 일반적으로 질화박막(SiNx)의 경우에는 n값에 따라서 에쳔트(Etchant)에 분당 수십Å에서 수백Å까지 에칭율이 다르게 나타난다.
이처럼 에쳔트를 이용하면 등방성 에치로 형성되고, 에칭 시간을 고려할 때 실리콘질화박막(SiNx)이 바람직하다.
이어, 도 3b에 도시한 바와 같이, 실리콘질화박막(SiNx) 위에 포토 레지스터(PR) 마스크(430)를 증착한다.
이어, 도 3c에 도시한 바와 같이, PR 마스크를 매개로 하여 에칭 공정, 바람직하게는 등방성 에칭 공정을 수행하여 엠보싱을 형성한다. 즉, 기판으로부터 이격될수록 치밀도가 서서히 감소하는 방식의 복수의 실리콘질화박막을 형성시켰기 때문에 에칭율이 서로 달라 PR 마스크 밑으로 오버 에치되는 양이 다르다.
이어, 도 3d에 도시한 바와 같이, PR 마스크를 제거하여 성박막 조건에 따라 서로 다른 기울기를 갖는 엠보싱의 제조 공정을 완료한다.
이상의 본 발명의 일 실시예에 따르면, 엠보싱 공정시 유기박막 대신에 산화박막 또는 질화박막 등의 무기 절연 박막을 이용하고, 박막의 치밀도가 다른 무기 절연 박막을 연속 증착시킨 후 각각의 공정 조건이 다른 층에 대해 에칭율(Etch rate)이 다른 점을 이용하여 엠보싱을 형성할 수 있다.
또한 무기 절연 박막의 형성시, 치밀도가 서로 다른 다층박막을 통해 구현할 수도 있을 것이다. 즉, 다층박막을 이용할 경우, 실리콘산화박막(SiO2)을 증착하고, 그 위에 실리콘질화박막(SiNx)을 증착하는 방식을 통해 에칭율이 서로 다른 2 이상의 물질 또는 여러 층을 적층하여 엠보싱을 형성할 수 있을 것이다.
또한, 종래의 유기박막을 이용하여 엠보싱을 제조하는 공정에서는 유기박막의 특성상 엠보싱이 크다는 단점이 있으나, 본 발명에 따르면 무기 절연 박막을 이용하기 때문에 엠보싱의 크기를 줄일 수 있고, 이에 따라 엠보싱내에서 골의 단차를 낮게 유지할 수 있다.
이처럼, 낮은 골 단차를 유지할 수 있기 때문에 엠보싱 공정 후의 세정 공정에서 옵션 설정(US/MS skip)이나, 셀 갭 유지, 주입구 얼룩, 배향 등의 후속 액정 공정에서 마진을 충분히 넓게 할 수 있다.
일반적으로 유기박막 공정을 이용하여 엠보싱을 형성시킬 경우 렌즈의 크기는 7 내지 10㎛ 이상의 크기로 형성되게 되는데, 본 발명에서 언급한 바와 같이 유기박막 대신에 산화박막이나 질화박막 등의 무기 절연 박막으로 형성할 경우에는 유기박막에 의한 렌즈의 크기보다 작은 크기로 형성시키면서 동일한 반사 특성을 얻을 수 있다. 이러한 이유는 다음과 같다.
도 4는 패턴 디자인에 따른 엠보싱의 다양한 각도 형성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4의 (a)는 유기박막에 의해 형성된 엠보싱 형태를 단순화시킨 것으로서 반사에 효과적인 부분은 일정 각도의 경사면을 얼마나 많이 구비하는 것이 반사 특성의 관건이다. 즉, 반사형 액정 표시 장치나 반투과형 액정 표시 장치에서 실제적으로 반사 효율을 향상시킬 수 있는 엠보싱의 각도 분포는 10도 부근의 각도 분포를 많이 형성시킬 수록 반사율이 최대가 되어 반사 특성이 효율적이다.
하지만 굳이 이와 같이 엠보싱을 크게 형성시키지 않아도 도 4의 (b)에서 보는 바와 같이 작은 패턴으로도 일정 각도의 경사면을 동일하게 형성시킬 수 있다.
즉, 엠보싱의 탑(Top)과 바텀(Bottom) 부분에 대한 단차는 낮게 형성하면서도 엠보싱간의 간격을 줄이게되면 경사면의 총합은 (a)의 엠보싱 각도 분포와 동일하게 형성되어 동일한 반사 효과를 얻을 수 있다.
부가적으로, 종래의 유기박막을 이용할 경우에는 그 단차가 1 내지 2㎛까지도 발생하게 되기 때문에 액정 주입(LC) 공정에서 셀 갭 유지에 대한 불균일성이 초래되었으나, 본 발명에 의한 무기 절연 박막을 이용할 경우에는 엠보싱의 단차를 낮게 형성시킬 경우에는 형성된 낮은 단차에 의해 셀 갭을 균일하게 유지할 수 있다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 엠보싱 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
먼저 도 5a에 도시한 바와 같이, 기판(410)상에 산화박막 또는 질화박막 등의 무기 절연 박막(422, 424, 426, 428)을 수 천Å 내지 수㎛까지 순차적으로 증착시킨다.
이어, 도 5b에 도시한 바와 같이, 실리콘질화박막(SiNx) 위에 엠보싱의 골부분에 해당하는 부분에 대해서 1 내지 2㎛ 정도의 패턴 갭을 가지도록 포토 레지스터(PR) 마스크(430)를 증착한다.
이어, 도 5c에 도시한 바와 같이, PR 마스크(430)가 증착되지 않은 부분, 즉 엠보싱의 골부분에 해당하는 부분에 건식 에칭 공정을 통해 트렌치(Trench)를 형성한다. 이처럼 건식 에칭 공정을 이용한 트렌치의 형성을 통해 엠보싱 골을 깊이 방향으로 먼저 형성시키게 되면, 슬릿 노광 등을 이용하여 잔류 PR 두께를 변화시켜PR 패턴의 에지 부분에 대해 건식 에치되는 양의 변화를 가져옴으로써 기울기를 약간 형성시켜 액정 표시 장치의 프로필 제작에 보조를 가할 수 있다.
이어, 도 5d에 도시한 바와 같이, PR 마스크(430)를 매개로 하여 에칭 공정, 바람직하게는 등방성 에칭 공정을 수행하여 엠보싱을 형성한다. 즉, 기판으로부터 이격될수록 치밀도가 서서히 감소하는 방식의 복수의 실리콘질화박막을 형성시켰기 때문에 에칭율이 서로 다르고, PR 마스크 밑으로 오버 에치되는 양도 역시 다르다. 이처럼 상이한 에칭율로 인해 엠보싱 형상을 형성할 수 있다.
이어, 도 5e에 도시한 바와 같이, PR 마스크를 제거하여 성박막 조건에 따라 서로 다른 기울기를 갖는 엠보싱의 제조 공정을 완료한다.
이상의 본 발명의 다른 실시예에서는 엠보싱 깊이에 대한 조절 방법으로 순수한 습식 에쳔트(Wet etchant)로써는 깊이 방향에 대한 에칭 공정에 무리가 따를 수 있다. 그러므로 건식 에치(Dry etch)의 이방성 에치와 습식 에치의 등방성 에치를 이용한다.
또한, 이상에서는 트렌치를 형성한 후 에칭 공정을 수행한 후 PR 스트립 공정을 진행하는 일례를 설명하였으나, 필요에 따라서는 트렌치를 형성한 후 PR 스트립을 진행하고 습식 에치를 진행할 수도 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 종래에는 반사 전극 형성시 유기박막을 사용할 경우 200℃ 이하의 낮은 후속 공정을 진행하여야 하기 때문에 TFT의 접촉 저항을 낮게 형성시키는데 매우 불리하였으나, 본 발명에 따르면 균일한 공정을 통해 안정적으로 공정을 확보함과 함께 공정 온도에 제약을 받지 않기 때문에 픽셀부와의 접촉 저항에 매우 유리할 뿐만 아니라 액정 공정에서도 균일한 셀갭 유지 등 TFT 공정과 액정 공정에 대한 마진 확보에 매우 유리하다.
한편, 본 발명의 실시예들에서는 반사형 액정 표시 장치나 반투과형 액정 표시 장치에 채용되는 엠보싱의 제조 방법에 대해서만 설명하였으나, 이러한 엠보싱의 제조 방법을 채용한 액정 표시 장치나 이러한 액정 표시 장치의 제조 방법에도 당업자라면 용이하게 적용할 수 있을 것이다.
즉, 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 상기한 도 1에서 설명한 바와 같이, 제1 기판과 제2 기판과의 사이에 액정층이 형성되고, 제1 기판과 액정층과의 사이에 반사 전극이 구비되며, 제1 기판과 반사 전극과의 사이에 반사 전극과 동일한 표면 구조를 갖고서 무기 절연 박막이 형성되는데, 이때 형성되는 무기 절연 박막을 서로 다른 치밀도를 갖는 2개 이상의 무기절연층으로 형성할 수 있을 것이다.
한편, 반투과형 액정 표시 장치의 경우에는 상기한 도 2에서 설명한 바와 같이, 제1 기판상의 제1 영역에 게이트 전극, 액티브 패턴, 소오스 전극, 드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터가 형성되고, 박막트랜지스터가 형성된 제1 기판의 제1 영역과 박막트랜지스터가 미형성된 제1 기판의 제2 영역에 형성되고, 서로 다른 치밀도를 갖는 2개 이상의 무기절연층을 구비하며, 상대적인 고저로 형성된 다수의 엠보싱을 포함하는 무기 절연 박막이 형성된다. 물론 이때 무기 절연 박막에서 상기 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀이 형성되고, 엠보싱의 상면과 드레인 전극과 접촉되도록 투명한 투과 전극이 형성되며, 투과 전극의 상면에서 제2 영역의 투과 전극이 노출되도록 개구부를 갖는 반사 전극이 형성된다.
이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반사형 액정 표시 장치나 반투과형 액정 표시 장치의 반사 전극 형성시 산화박막 또는 질화박막 등의 무기 절연 박막을 이용하여 치밀도가 서로 다른 박막을 연속 증착시키고, 치밀도가 서로 다르게 증착된 무기 절연 박막의 에칭율이 다른 점을 이용하여 엠보싱을 형성하므로써, 패턴을 줄일 수 있고, 이에 따라 반사 전극간의 골의 단차를 낮게 유지할 수 있다.
부가적으로, 반사 전극간의 골의 단차를 낮게 유지하므로써, 엠보싱 공정 후 세정 공정에서 옵션 설정이나, 셀 갭 유지, 주입구 얼룩, 배향 등의 후속 액정 공정시 마진을 넓힐 수 있다.

Claims (7)

  1. (a) 서로 다른 치밀도를 갖는 2 이상의 무기 절연 박막을 기판상에 순차 도포하는 단계;
    (b) 형성하고자 하는 엠보싱에 대응하는 PR 층을 상기 무기 절연 박막상에 도포하는 단계;
    (c) 상기 도포된 PR 층을 마스크로 하여 상기 무기 절연 박막을 에칭하는 단계; 및
    (d) 상기 단계(c)에 의해 형성된 엠보싱상에 구비되는 PR 층을 제거하는 단계를 포함하는 엠보싱 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 무기 절연 박막은 산화박막 또는 질화박막 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판에 최근 접하는 무기 절연 박막은 최대 치밀도를 갖고, 상기 기판에 원접할수록 상기 무기 절연 박막의 치밀도는 감소하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 단계(c)의 에칭은 등방성 에칭인 것을 특징으로 하는 엠보싱 제조 방법.
  5. 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하여 형성된 제2 기판;
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 형성된 액정층;
    상기 제1 기판에 형성되고, 광산란을 위해 상대적인 고저로 형성된 다수의 엠보싱을 포함하는 반사전극; 및
    상기 제1 기판과 상기 반사 전극 사이에 상기 반사 전극과 동일한 표면 구조를 갖고, 상기 표면 구조는 상기 화소들의 화소 경계선의 외부로 연장되도록 형성된 무기 절연 박막을 포함하고, 상기 무기 절연 박막은 서로 다른 치밀도를 갖는 2개 이상의 무기절연층을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 제1 기판;
    상기 제1 기판상의 제1 영역에 게이트 전극, 액티브 패턴, 소오스 전극, 드레인 전극을 구비하는 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터가 형성된 제1 기판의 제1 영역과 상기 박막트랜지스터가 미형성된 제1 기판의 제2 영역에 형성되고, 서로 다른 치밀도를 갖는 2개 이상의 무기절연층을 구비하며, 상대적인 고저로 형성된 다수의 엠보싱을 포함하는 무기 절연 박막;
    상기 무기 절연 박막에서 상기 드레인 전극이 노출되도록 형성된 콘택홀;
    상기 엠보싱의 상면과 상기 드레인 전극과 접촉되도록 형성된 투명한 투과전극;
    상기 투과 전극의 상면에 형성되고, 상기 제2 영역의 투과 전극이 노출되도록 개구부를 갖는 반사 전극;
    상기 제1 기판의 반사전극과 대향하는 공통 전극을 갖는 제2 기판; 및
    상기 무기 절연 박막 및 상기 공통 전극의 사이에 주입된 액정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시 장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 기판에 최근접하는 무기 절연 박막은 최대 치밀도를 갖고, 상기 기판에 원접할수록 상기 무기 절연 박막의 치밀도는 감소하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
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