KR20030058040A - Method of manufacturing metal layer having high degree of purity - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a metal film having high degree of purity is provided to be capable of easily obtaining the high pure metal film by CVD or ALD(Atomic Layer Deposition) using disproportionation of precursor having +1 of oxidation state. CONSTITUTION: A precursor substance(2) of metal is vaporized, wherein the oxidation state of the precursor substance(2) is +1. The vaporized precursor substance(2) is adsorbed on a substrate(1) heated at the temperature of 100-900°C. Reaction products(4) are removed, thereby forming a high pure metal film(3) is formed. At the time, the vaporized precursor substance(2) is formed on the substrate(1) by applying no reaction gas.

Description

고순도의 금속막 제조방법{Method of manufacturing metal layer having high degree of purity}Method of manufacturing metal layer having high degree of purity

본 발명은 고순도의 금속막 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반응기체를 사용하지 않는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : 이하 "CVD"라 함) 방법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition : 이하 "ALD"라 함) 방법을 이용하여 낮은 증착 온도에서 코발트막, 로듐막 또는 이리듐막을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a high purity metal film, and more particularly, to a chemical vapor deposition (hereinafter referred to as "CVD") method or an atomic layer deposition (hereinafter referred to as "CVD") without using a reactive gas. ALD "method to produce a cobalt film, a rhodium film or an iridium film at a low deposition temperature.

일반적으로 반도체 장치를 제조함에 있어서, 층을 형성하기 위해 필요에 따라 적합한 여러 가지 공정을 사용하는데, 특히 형성된 막의 스텝 커버리지(stepcoverage; 단차피복성)가 우수할 뿐만 아니라 증착 속도가 높고 균일한 박막을 얻게 하는 공정으로서 CVD 방법이 사용될 수 있다.In general, in the manufacture of semiconductor devices, various processes suitable for forming a layer are used as necessary. Particularly, the formed film has a high step coverage and a high deposition rate and a uniform thin film. As the obtaining process, a CVD method can be used.

반도체 공정에 사용되는 상기한 CVD 방법은 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판 위에 박막이나 에피층을 형성하는 것으로, 박막을 형성하는 과정은 실리콘 웨이퍼에 있는 물질을 이용하지 않고 주로 반응 기체를 외부로부터 반응실로 인입하여 이루어지도록 한다.The CVD method used in the semiconductor process is to form a thin film or epi layer on the semiconductor substrate by chemical reaction after decomposing the gaseous compound, and the process of forming the thin film is mainly performed without using the material in the silicon wafer. The reaction gas is introduced into the reaction chamber from the outside.

일반적으로 CVD 방법은 기체 상태인 소스를 이용하여 박막을 성장시키고, 강유전체 재료나 배선용 재료를 사용하고자 할 때에는, 이들 재료의 기체 상태로의 소스 형성이 어렵기 때문에 금속 선구물질 형태의 고체 또는 액체 상태의 소스를 사용하여 박막을 증착한다.In general, the CVD method grows a thin film using a gaseous source, and when a ferroelectric material or a wiring material is used, it is difficult to form a source in the gaseous state of these materials. The thin film is deposited using a source of.

이러한 공정은 소스 공급기, 기화기 및 반응기로 구성되는 장치에 의해 이루어지는 것으로, 소스 공급기에서 유출된 소스들은 기화기에 유입되는데, 통상의 기화기는 소스들의 기화온도보다 높고, 반응온도 또는 증착온도보다 낮은 온도로 유지되어 있다. 따라서 유입된 금속 선구물질 형태의 고체 또는 액체 상태의 소스는 높은 온도로 유지되어 있는 기화기에서 순간 증발을 일으켜 기체상태로 변하게 된다. 이어서 기화기에 의해서 기체 상태로 된 소스는 운반 기체에 의해서 반응기로 유입되어 반응 기체와 함께 반응기에서 반응을 일으켜 가열된 기판 위에 원하는 박막을 증착하게 된다.This process is achieved by a device consisting of a source feeder, a vaporizer and a reactor. Sources exiting the source feeder flow into the vaporizer, which is a conventional vaporizer that is higher than the vaporization temperature of the sources and lower than the reaction or deposition temperature. Maintained. Thus, the solid or liquid source in the form of the introduced metal precursor is instantaneously evaporated in the vaporizer, which is maintained at a high temperature, to become gaseous. The vaporized source is then introduced into the reactor by the carrier gas, which reacts with the reactant gas in the reactor to deposit the desired thin film on the heated substrate.

한편, ALD 방법은 CVD 방법처럼 화학반응을 사용하는 증착법이지만 각각의 소스 기체가 챔버 내에서 혼합되지 않고 한 개씩 펄스로 흘려진다는 점에서 CVD와는 다르다.On the other hand, the ALD method is a deposition method using a chemical reaction like the CVD method, but is different from CVD in that each source gas flows in pulses one by one without being mixed in the chamber.

예컨대, 기체 A와 B를 사용하는 경우, 먼저 A만을 흘리게 되고 이때 기판에 A 분자가 화학흡착(chemisorption)된다. 챔버에 잔류한 A는 아르곤이나 질소 같은 불활성 기체로 퍼지시킨다. 이후 B만을 흘리면 A와 B간의 반응은 화학흡착된 A가 있는 표면에서만 일어나 원자층의 박막이 증착된다. 이 때문에 어떠한 토폴로지를 가진 표면이라 해도 항상 100%의 단차도포성이 얻어진다. 챔버에 잔존하는 B와 A, B 반응의 부산물을 퍼지시키고 다시 A를 흘림으로써 반복하는 싸이클의 수에 따라 박막의 두께를 원자층 단위로 조절할 수 있게 된다.For example, in the case of using gases A and B, only A flows first. At this time, A molecules are chemisorbed onto the substrate. A remaining in the chamber is purged with an inert gas such as argon or nitrogen. After flowing only B, the reaction between A and B occurs only at the surface of the chemisorbed A, and a thin film of the atomic layer is deposited. Therefore, even if the surface has any topology, 100% step coverage is always obtained. By purging the byproducts of the B, A and B reactions remaining in the chamber and flowing A again, the thickness of the thin film can be controlled in atomic layer units according to the number of cycles to be repeated.

종래에는 코발트, 이리듐 또는 로듐의 금속막을 제조하기 위해 CVD 방법을 사용하는데 있어서, 금속의 산화상태가 +1 또는 +3인 선구물질 MX 또는 MX3을 사용하고 반응 기체로 산소나 수소를 사용하였다. 여기서, M은 코발트, 이리듐 또는 로듐이고, X는 음이온성 리간드를 말한다.Conventionally, in the CVD method for producing a metal film of cobalt, iridium, or rhodium, precursor metal MX or MX 3 having an oxidation state of metal of +1 or +3 was used, and oxygen or hydrogen was used as a reaction gas. Where M is cobalt, iridium or rhodium and X refers to the anionic ligand.

그 작용기전을 보면, 금속막 증착시 산소는 금속 선구물질 MX 또는 MX3과 반응하게 되고, 산화 상태인 금속을 환원시킨다. 또한 산소는 음이온성 리간드인 X와 반응하여 반응 생성물을 만들게 된다. 이때 산화, 환원 반응을 통해 중성으로 만들어진 반응 생성물은 진공으로 제거되지만, 음이온 또는 양이온성 반응 생성물은 제거되기 어렵기 때문에 막 내에 불순물로 남게 되는 문제점이 있다.In view of its mechanism of action, the oxygen reacts with the metal precursor MX or MX 3 during metal film deposition, reducing the metal in the oxidized state. Oxygen also reacts with X, the anionic ligand, to produce a reaction product. At this time, the reaction product made neutral through the oxidation and reduction reaction is removed by vacuum, but the anion or cationic reaction product is difficult to remove, there is a problem that remains as impurities in the film.

또한 산소와 리간드의 분해 반응이 매우 복잡할 뿐만 아니라 짧은 시간에 일어나므로 불순물로 탄소, 수소 및 산소가 금속막 내에 잔류하게 된다. 이러한 불순물은 후속 열공정이나 후속 증착공정시 막 사이에서 확산되면서 막 특성을 저하시키는 문제점이 있다.In addition, since the decomposition reaction of oxygen and ligand is not only very complicated but also occurs in a short time, impurities such as carbon, hydrogen and oxygen remain in the metal film. Such impurities have a problem of deteriorating film characteristics while being diffused between the films in a subsequent thermal process or a subsequent deposition process.

그 외에도 산소를 사용하는 종래의 CVD 방법에 의해서는 기상에서 산소와 금속 선구물질 MX 또는 MX3가 만나 분해 반응을 일으키기 때문에, 이 반응에 의해 비활성 물질인 탄산염(carbonate) 또는 산화염(oxide)이 형성되어 막 위에 덩어리 형태로 존재하면서 파티클 발생의 주원인으로 작용하는 문제점이 있다.In addition, in the conventional CVD method using oxygen, since oxygen and the metal precursors MX or MX 3 meet and decompose in the gas phase, the reaction forms carbonate or oxide, which is an inert substance. There is a problem that acts as the main cause of particle generation while being present in the form of agglomerates on the film.

따라서 상기 산소를 사용하는 CVD 방법에 의해 발생하는 문제점을 해결하기 위하여 산소 대신 환원성 기체인 수소를 사용하게 되면, 수소를 활성화시키기 위하여 증착온도를 700℃ 이상으로 높여야 하므로 금속 선구물질 MX 또는 MX3스스로 분해가 일어나 탄산염을 형성하여 여전히 막 내에 불순물이 존재하는 문제점이 발생한다.Therefore, when a reducing gas is hydrogen instead of oxygen be used to solve the problems caused by the CVD method using the oxygen, increase the deposition temperature above 700 ℃ to activate hydrogen, so the metal precursor MX or MX 3 itself Decomposition occurs to form carbonates, which leads to the problem that impurities are still present in the film.

만약 금속막이 산화물막 특히 TaO5, BST, PZT 또는 SBT등의 상부전극으로 적용될 경우에는 고온에서 수소를 사용하면 산화물막을 환원시키게 되어 원하는 전기적 특성을 얻을 수 없는 문제점이 있다.If the metal film is applied to an oxide film, in particular, an upper electrode such as TaO 5 , BST, PZT, or SBT, when hydrogen is used at a high temperature, the oxide film is reduced to obtain desired electrical characteristics.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하고자 산소 또는 수소와 같은 반응 기체를 사용하지 않는 상태에서 금속의 산화상태가 +1인 선구물질의 불균등화 반응을 이용하여 낮은 증착온도에서 CVD 방법에 의해 고순도의 코발트막, 로듐막 또는 이리듐막 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a high purity by CVD method at a low deposition temperature using a disproportionation reaction of a precursor whose metal oxidation state is +1 without using a reaction gas such as oxygen or hydrogen. It is an object to provide a cobalt film, a rhodium film or an iridium film production method.

또한 본 발명의 목적은 CVD 방법 뿐만 아니라 ALD 방법에 의해서도 고순도의 코발트막, 로듐막 또는 이리듐막 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a high purity cobalt film, rhodium film or iridium film production method not only by the CVD method but also by the ALD method.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 금속막의 증착 과정을 보여주는 단면도.1A and 1B are cross-sectional views showing a deposition process of a metal film according to the present invention.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

1 : 기판 2 : 금속 선구물질1 substrate 2 metal precursor

3 : 금속 4 : 반응 생성물3: metal 4: reaction product

5 : 중성 리간드5: neutral ligand

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 금속막 특히 코발트막, 로듐막 또는 이리듐막을 제조함에 있어서, 금속의 산화상태가 +1인 선구물질의 불균등화(disproportionation) 반응을 이용하여 낮은 증착온도에서 형성되는 고순도의 금속막 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, in the present invention, in preparing a metal film, particularly a cobalt film, a rhodium film or an iridium film, the metal is formed at a low deposition temperature by using a disproportionation reaction of a precursor having an oxidation state of +1. Provided is a high purity metal film production method.

이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

우선, 본 발명에 따른 금속의 산화상태가 +1인 M(L)X의 구조식을 가지는 금속 선구물질에 대해 살펴본다. 여기서 M은 금속으로 특히, 코발트, 로듐 및 이리듐 중에서 선택되는 것이고, L은 중성 리간드이며, X는 음이온성 리간드이다.First, a metal precursor having a structural formula of M (L) X having an oxidation state of +1 according to the present invention will be described. Wherein M is a metal, in particular selected from cobalt, rhodium and iridium, L is a neutral ligand and X is an anionic ligand.

이러한 금속 선구물질로는 순수한 상태의 M(L)X 또는 0.05-10M의 M(L)X 용액을 사용하는데, M(L)X 용액을 사용하는 경우의 용매는 C1-C20알칸, C2-C20알켄, C2-C20알킨, C1-C20알코올, C2-C20에테르, C2-C20카르복실산, C3-C20에스테르, C3-C20β-디케톤, C1-C20아민, C6-C20아렌, C4-C20사이클릭 알칸, C3-C20사이클릭 에테르 및 상기의 물질들에 할로겐이 치환된 유도체들 중에서 선택되는 어느 하나이다.These metal precursors are pure M (L) X or 0.05-10M M (L) X solution, and the solvent when using M (L) X solution is C 1 -C 20 alkanes, C 2 -C 20 alkenes, C 2 -C 20 alkynes, C 1 -C 20 alcohols, C 2 -C 20 ethers, C 2 -C 20 carboxylic acids, C 3 -C 20 esters, C 3 -C 20 β- Diketone, C 1 -C 20 amine, C 6 -C 20 arene, C 4 -C 20 cyclic alkanes, C 3 -C 20 cyclic ethers and any of the derivatives substituted by halogen in these materials One.

상기 중성 리간드 L은 CO, CS, CS2, RCN, RNC, OR2, SR2, NR3, PR3, NR2R', PR2P', ROR', RSR', C2-C20알킬리덴, C2-C20알킬리딘, C4-C20사이클릭 알킬리덴, C4-C20디엔, C6-C20트리엔, C4-C20사이클릭 디엔, C2-C20사이클릭 트리엔, C6-C20아렌, C2-C20에테르, C1-C20아민, C3-C20사이클릭 에테르 및 상기의 물질들에 할로겐이 치환된 유도체들 중에서 선택되는 어느 하나이다. 이때 R 및 R'는 각각 H, C1-C10알킬 및 상기의 물질들에 할로겐이 치환된 유도체들 중에서 선택되는 어느 하나이다.The neutral ligand L is CO, CS, CS 2 , RCN, RNC, OR 2 , SR 2 , NR 3 , PR 3 , NR 2 R ', PR 2 P', ROR ', RSR', C 2 -C 20 alkyl Lidene, C 2 -C 20 alkylidene, C 4 -C 20 cyclic alkylidene, C 4 -C 20 diene, C 6 -C 20 triene, C 4 -C 20 cyclic diene, C 2 -C 20 Cyclic triene, C 6 -C 20 arene, C 2 -C 20 ether, C 1 -C 20 amine, C 3 -C 20 cyclic ether, and derivatives in which halogen is substituted for these materials . Wherein R and R 'are each one selected from H, C 1 -C 10 alkyl and derivatives in which halogen is substituted for the above materials.

상기 음이온성 리간드 X는 H, F, Cl, Br, I, C1-C10알킬, C2-C10알케닐, C1-C8알콕시, C6-C12아릴, β-디케토네이트, 사이클로펜타디에닐, C1-C8알킬사이클로펜타디에닐 및 상기의 물질들에 할로겐이 치환된 유도체들 중에서 선택되는 어느 하나이다.The anionic ligand X is H, F, Cl, Br, I, C 1 -C 10 alkyl, C 2 -C 10 alkenyl, C 1 -C 8 alkoxy, C 6 -C 12 aryl, β-diketonate , Cyclopentadienyl, C 1 -C 8 alkylcyclopentadienyl, and derivatives in which halogen is substituted for the above materials.

또한 금속 선구물질 M(L)X를 안정화시키기 위한 목적으로 0.1∼50중량%의 상기 중성 리간드 L을 첨가시켜 사용할 수 있고, 역시 금속 선구물질을 안정화시키기 위한 목적으로 0.1∼50중량%의 HX를 첨가시켜 사용할 수 있다. 이때 X는 전술한 음이온성 리간드를 말한다.In addition, 0.1 to 50% by weight of the neutral ligand L may be added to stabilize the metal precursor M (L) X, and 0.1 to 50% by weight of HX is also used to stabilize the metal precursor. It can be added and used. X is the anionic ligand described above.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 금속 선구물질 M(L)X은 하기와 같은 불균등화 반응에 의해 금속막으로 쉽게 증착될 수 있다. 또한 동일 금속간 전자 교환이 이루어지기 때문에 비교적 낮은 온도에서 증착이 가능하다.The metal precursor M (L) X according to the present invention described above can be easily deposited into the metal film by the disproportionation reaction as follows. In addition, electron exchange between the same metals allows deposition at relatively low temperatures.

금속 반응식 : 3M+-----------> 2M + M3+ Metal reaction scheme: 3M + -----------> 2M + M 3+

전체 반응식 : 3M(L)X --------> 2M + MX3+ 3LOverall Reaction: 3M (L) X --------> 2M + MX 3 + 3L

상기에서 언급한 반응 원리에 의해 이루어지는 CVD 방법을 도 1a 및 도 1b를참조하여 살펴보면, 아르곤 또는 질소 등의 운반기체를 사용하여 소스 공급기로부터 금속 선구물질(2)인 순수한 상태의 M(L)X 또는 0.05-10M의 M(L)X 용액을 기화기로 보낸다. 금속 선구물질(2)은 기화기에서 기화되어 반응기 내로 공급되고 미리 100∼900℃의 온도로 가열되고 있는 기판(10) 표면에 흡착된다. 흡착된 금속 선구물질(2)은 100∼900℃의 온도로 가열된 기판(1) 표면에서 열을 공급받아 상기에서 전술한 반응식과 같이 분해하면서 금속막(3)이 증착된다.Referring to FIGS. 1A and 1B, a CVD method based on the above-mentioned reaction principle is shown in a pure state M (L) X which is a metal precursor 2 from a source feeder using a carrier gas such as argon or nitrogen. Or 0.05-10 M of M (L) X solution to the vaporizer. The metal precursor 2 is vaporized in a vaporizer and supplied to the reactor and adsorbed onto the surface of the substrate 10 which is previously heated to a temperature of 100 to 900 ° C. The adsorbed metal precursor 2 receives heat from the surface of the substrate 1 heated to a temperature of 100 to 900 ° C., and the metal film 3 is deposited while decomposing as described above.

이 과정에서 생성되는 반응 생성물인 MX3(4) 및 중성 리간드인 L(5)은 증기압이 높기 때문에 진공으로 쉽게 제거된다.The reaction product MX 3 (4) and the neutral ligand L (5) produced in this process are easily removed by vacuum because of the high vapor pressure.

이러한 금속막(3) 증착시에는 할로겐을 포함하는 물질을 첨가하게 되면 촉매 반응이 일어나 반응속도가 증가하게 된다.In the deposition of the metal film 3, when a material containing halogen is added, a catalytic reaction occurs to increase the reaction rate.

이때 사용할 수 있는 촉매는 HF, HCl, HBr, HI, F2, Cl2, Br2및 I2중에서 선택되는 어느 하나의 할로겐화물과 C1-C10알칸, C2-C10알켄, C1-C8알콕사이드, C6-C12아렌, β-디케토네이트, 사이클로펜타디엔 및 C1-C8알킬사이클로펜타디엔에 할로겐이 치환된 유도체 중에서 선택되는 어느 하나이다.The catalyst can be used at any one halide selected from HF, HCl, HBr, HI, F 2 , Cl 2 , Br 2 and I 2 and C 1 -C 10 alkanes, C 2 -C 10 alkenes, C 1 Any one selected from -C 8 alkoxides, C 6 -C 12 arenes, β-diketonates, cyclopentadiene and derivatives in which halogen is substituted for C 1 -C 8 alkylcyclopentadiene.

한편, 본 발명에 따른 고순도의 금속막은 전술한 바와 같이 CVD 방법에 의해 제조할 수 있지만, 아울러 ALD 방법에 의해서도 동일한 고순도의 금속막을 제조할 수 있다.On the other hand, although the high purity metal film according to the present invention can be produced by the CVD method as described above, the same high purity metal film can also be produced by the ALD method.

이러한 ALD에 의한 금속막의 제조는 제 1 금속선구 물질 공급, 퍼지 기체 공급, 제 2 금속 선구물질 공급 및 퍼지 기체 공급에 의한 챔버 내의 잔류물 배기를하나의 싸이클로 하여 이루어진다.The production of the metal film by the ALD consists of a cycle of residue exhaust in the chamber by the first metal precursor material supply, the purge gas supply, the second metal precursor material supply, and the purge gas supply.

상기 제 1 금속선구 물질 및 제 2 금속선구 물질은 동일 또는 상이할 수 있다.The first metal precursor material and the second metal precursor material may be the same or different.

이를 도 1a 및 도 1b를 참조하여 살펴보면, 먼저 금속 선구물질(2)인 순수한 상태의 M(L)X 또는 0.05-10M의 M(L)X 용액을 기체상태로 소스화한 다음, 이를 증착 챔버 내의 100∼900℃로 가열된 기판(1)에 흘려 줌으로써 상기의 불균등화 반응이 일어나도록 하여 금속막(3)을 형성시킨다. 다음, 불균등화 반응에 의해 생성되어 챔버 내에 잔류하는 반응 생성물인 MX3(4) 및 중성 리간드인 L(5)는 불활성 기체를 이용하여 퍼지시키고 나서, 다시 한번 상기의 과정을 더 반복한다. 이때 금속 선구물질 및 퍼지 기체를 공급하는 시간은 각각 0.1∼5초로 조절하고, 상기 퍼지 기체로는 질소, 헬륨, 네온, 아르곤 또는 이들의 혼합기체를 사용한다.Referring to FIGS. 1A and 1B, first, a source of a pure metal M (L) X or 0.05-10M M (L) X, which is a metal precursor 2, is sourced in a gaseous state, and then a deposition chamber is used. The metal film 3 is formed by flowing the substrate 1 heated at 100 to 900 占 폚 in the interior so that the disproportionation reaction occurs. Next, MX 3 (4), which is a reaction product generated by the disproportionation reaction, and L (5), which is a neutral ligand, are purged using an inert gas, and then the above process is repeated again. At this time, the time for supplying the metal precursor and the purge gas is adjusted to 0.1 to 5 seconds, and the purge gas is nitrogen, helium, neon, argon or a mixed gas thereof.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 낮은 온도에서 일어나는 불균등화 반응을 이용함으로써, 반응 생성물(L, MX3)이 기화압이 높은 중성물질이어서 막 내에 포함되지 않고 진공 배기로 반응기로부터 쉽게 제거되기 때문에 탄소, 수소 또는 산소 등의 불순물이 거의 없는 높은 순도의 금속막을 증착할 수 있다. 또한 반응기체를 전혀 사용하지 않기 때문에 파티클이 거의 발생하지 않는 장점이 있다.As described above, in the present invention, by using the disproportionation reaction occurring at a low temperature, since the reaction product (L, MX 3 ) is a neutral material having a high vapor pressure, it is not included in the membrane and is easily removed from the reactor by vacuum exhaust. It is possible to deposit a high purity metal film containing little impurities such as carbon, hydrogen or oxygen. In addition, since the reactor is not used at all, there is an advantage that little particles are generated.

Claims (16)

(a) 금속(M)의 산화상태가 +1인 선구물질 M(L)X (M; 금속, L; 중성 리간드, X; 음이온성 리간드)을 기화시키는 단계;(a) vaporizing the precursor M (L) X (M; metal, L; neutral ligand, X; anionic ligand), wherein the oxidation state of the metal (M) is +1; (b) 상기 기화된 금속 선구물질을 100∼900℃의 온도로 가열된 기판 상부에 공급함으로써 기판에 흡착시키는 단계; 및(b) adsorbing the vaporized metal precursor onto the substrate by supplying the vaporized metal precursor to an upper portion of the substrate heated to a temperature of 100 to 900 캜; And (c) 반응생성물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.(c) removing the reaction product. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (b) 단계는 반응기체 없이 수행되는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The step (b) is a method for producing a metal film, characterized in that is carried out without a reactor body. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속은 코발트, 로듐 및 이리듐 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The metal is a method of manufacturing a metal film, characterized in that selected from cobalt, rhodium and iridium. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 선구물질은 순수한 상태의 M(L)X 또는 0.05-10M의 M(L)X 용액인 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The metal precursor is a M (L) X or 0.05-10M M (L) X solution in a pure state. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 M(L)X 용액에 사용된 용매는 C1-C20알칸, C2-C20알켄, C2-C20알킨, C1-C20알코올, C2-C20에테르, C2-C20카르복실산, C3-C20에스테르, C3-C20β-디케톤, C1-C20아민, C6-C20아렌, C4-C20사이클릭 알칸, C3-C20사이클릭 에테르 및 상기의 물질들에 할로겐이 치환된 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The solvent used in the M (L) X solution is C 1 -C 20 alkanes, C 2 -C 20 alkenes, C 2 -C 20 alkynes, C 1 -C 20 alcohols, C 2 -C 20 ethers, C 2- C 20 carboxylic acid, C 3 -C 20 ester, C 3 -C 20 β-diketone, C 1 -C 20 amine, C 6 -C 20 arene, C 4 -C 20 cyclic alkanes, C 3 -C 20. A method for producing a metal film, characterized in that it is selected from the group consisting of cyclic ethers and derivatives substituted with halogen in the above materials. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 중성 리간드는 CO, CS, CS2, RCN, RNC, OR2, SR2, NR3, PR3, NR2R', PR2P', ROR', RSR', C2-C20알킬리덴, C2-C20알킬리딘, C4-C20사이클릭 알킬리덴, C4-C20디엔, C6-C20트리엔, C4-C20사이클릭 디엔, C2-C20사이클릭 트리엔, C6-C20아렌, C2-C20에테르, C1-C20아민, C3-C20사이클릭 에테르 및 상기의 물질들에 할로겐이 치환된 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 R 및 R'는 각각 H, C1-C10알킬 및 상기의 물질들에 할로겐이 치환된 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The neutral ligand is CO, CS, CS 2 , RCN, RNC, OR 2 , SR 2 , NR 3 , PR 3 , NR 2 R ', PR 2 P', ROR ', RSR', C 2 -C 20 alkylidene , C 2 -C 20 alkylidene, C 4 -C 20 cyclic alkylidene, C 4 -C 20 diene, C 6 -C 20 triene, C 4 -C 20 cyclic diene, C 2 -C 20 cyclic Triene, C 6 -C 20 arene, C 2 -C 20 ether, C 1 -C 20 amine, C 3 -C 20 cyclic ether and derivatives in which halogen is substituted for the above materials, Wherein R and R 'are each selected from the group consisting of H, C 1 -C 10 alkyl and a derivative in which halogen is substituted for the above materials. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 음이온성 리간드는 H, F, Cl, Br, I, C1-C10알킬, C2-C10알케닐, C1-C8알콕시, C6-C12아릴, β-디케토네이트, 사이클로펜타디에닐, C1-C8알킬사이클로펜타디에닐 및 상기의 물질들에 할로겐이 치환된 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The anionic ligands are H, F, Cl, Br, I, C 1 -C 10 alkyl, C 2 -C 10 alkenyl, C 1 -C 8 alkoxy, C 6 -C 12 aryl, β-diketonate, And cyclopentadienyl, C 1 -C 8 alkylcyclopentadienyl, and derivatives in which halogen is substituted for the above materials. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 선구물질에 0.1∼50중량%의 상기 중성 리간드를 첨가시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.0.1 to 50% by weight of the neutral ligand is added to the metal precursor, characterized in that the manufacturing method of the metal film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속 선구물질에 0.1∼50중량%의 HX (X; 음이온성 리간드)를 첨가시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.0.1 to 50% by weight of HX (X; anionic ligand) is added to the metal precursor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (b) 단계에서 HF, HCl, HBr, HI, F2, Cl2, Br2, I2; 및 C1-C10알칸, C2-C10알켄, C1-C8알콕사이드, C6-C12아렌, β-디케토네이트, 사이클로펜타디엔 및 C1-C8알킬사이클로펜타디엔에 할로겐이 치환된 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 촉매를 첨가하는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.In step (b) HF, HCl, HBr, HI, F 2 , Cl 2 , Br 2 , I 2 ; And halogen to C 1 -C 10 alkane, C 2 -C 10 alkene, C 1 -C 8 alkoxide, C 6 -C 12 arene, β-diketonate, cyclopentadiene and C 1 -C 8 alkylcyclopentadiene A method for producing a metal film, comprising adding a catalyst selected from the group consisting of these substituted derivatives. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속막은 화학증착기상 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The metal film is produced by a chemical vapor deposition method. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속막은 원자층증착 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The metal film is a method of manufacturing a metal film, characterized in that formed by the atomic layer deposition method. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 원자층증착 방법은 제 1 금속선구 물질 공급, 퍼지 기체 공급, 제 2 금속 선구물질 공급 및 퍼지 기체 공급을 하나의 싸이클로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The atomic layer deposition method includes a first metal precursor material supply, a purge gas supply, a second metal precursor material supply and a purge gas supply as one cycle. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 하나의 싸이클을 이루는 각각의 공급 단계는 0.1∼5초 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.Each supplying step constituting the cycle is performed for 0.1 to 5 seconds. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 퍼지 기체는 질소, 헬륨, 네온, 아르곤 또는 이들의 혼합기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 금속막의 제조방법.The purge gas is nitrogen, helium, neon, argon or a method for producing a metal film, characterized in that using a mixed gas thereof. 금속(M)의 산화상태가 +1인 선구물질 M(L)X (M; 금속, L; 중성 리간드, X; 음이온성 리간드)을 소스로 하는 화학증착기상 방법 또는 원자층증착 방법에 의한 금속막의 제조방법.Metal by chemical vapor deposition method or atomic layer deposition method using the precursor M (L) X (M; metal, L; neutral ligand, X; anionic ligand) whose oxidation state is +1 Method of Making Membranes.
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