KR20030017303A - 반도체 기억 소자, 반도체 기억 장치 및 그 제어 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
소스 전압 | 드레인 전압 | 게이트 전압 | |
"1" 기입 | 0V | 5V | 5V |
"0" 기입(정보 소거) | 0V | 0V | 10V |
판독 | 0V | 2V | 2V |
소스 전압 | 드레인 전압 | 제1 게이트 전압 | 제2 게이트 전압 | 비고 | |
"1" 기입 | 0V | 5V | 7V | 2V | ---- |
"0" 기입(정보 소거) | 0V | 0V | 12V | 0V | A18로의 방전 |
0V | 0V | 0V | 12V | A20으로의 방전 | |
판독 | 0V | 2V | 2V | 3.5V | ---- |
Claims (10)
- 소스 영역,드레인 영역 - 상기 소스 영역과 드레인 영역은 반도체로 이루어지는 채널 영역에 의해 접속됨 -,상기 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 게이트 전극, 및상기 채널 영역 근방의 복수의 전하 축적 영역을 구비하며,정보의 기입 시에 상기 게이트 전극에 인가되는 전위와, 정보의 소거 시에 상기 게이트 전극에 인가되는 전위가 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자.
- 반도체로 이루어지는 채널 영역,상기 채널 영역 근방의 복수의 전하 축적 영역,상기 채널 영역의 일부인 제1 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제1 게이트 전극, 및상기 채널 영역의 일부이며, 제1 채널 영역과는 다른 제2 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제2게이트 전극을 구비하며,정보의 기입 시에 상기 제1 게이트 전극에 인가되는 전위와, 정보의 소거 시에 상기 제1 게이트 전극에 인가되는 전위가 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자.
- 반도체로 이루어지는 채널 영역,상기 채널 영역 근방의 복수의 전하 축적 영역,상기 채널 영역의 일부인 제1 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제1 게이트 전극, 및상기 채널 영역의 일부이며, 제1 채널 영역과는 다른 제2 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제2 게이트 전극을 구비하며,정보의 기입 시에 상기 제1 게이트 전극에 인가되는 전위와, 정보의 소거 시에 상기 제2 게이트 전극에 인가되는 전위가 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자.
- 소스 영역,드레인 영역 - 상기 소스 영역과 드레인 영역은 반도체로 이루어지는 채널 영역에 의해 접속됨 -,상기 채널 영역 근방의 복수의 전하 축적 영역,상기 채널 영역의 일부인 제1 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제1 게이트 전극, 및상기 채널 영역의 일부이며, 제1 채널 영역과는 다른 제2 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제2 게이트 전극을 구비하고,정보의 기입 시에 상기 제1 게이트 전극에 인가되는 전위와, 정보의 소거 시에 상기 제1 게이트 전극에 인가되는 전위가 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자.
- 소스 영역,드레인 영역 - 상기 소스 영역과 드레인 영역은 반도체로 이루어지는 채널 영역에 의해 접속됨 -,상기 채널 영역 근방의 복수의 전하 축적 영역,상기 채널 영역의 일부인 제1 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제1 게이트 전극, 및상기 채널 영역의 일부이며, 제1 채널 영역과는 다른 제2 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제2 게이트 전극을 구비하고,정보의 기입 시에 상기 제1 게이트 전극에 인가되는 전위와, 정보의 소거 시에 상기 제2 게이트 전극에 인가되는 전위가 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자.
- 소스 영역,드레인 영역 - 상기 소스 영역과 드레인 영역은 반도체로 이루어지는 채널 영역에 의해 접속됨 -,상기 채널 영역 근방의 복수의 전하 축적 영역,상기 채널 영역의 일부인 제1 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제1 게이트 전극 및,상기 채널 영역의 일부이며, 제1 채널 영역과는 다른 제2 채널 영역의 전위를 제어하는 금속 또는 반도체로 이루어지는 제2 게이트 전극을 구비하는 반도체 기억 소자를 복수개 배열하고,데이터선과 제1 워드선과 제2 워드선으로 구동되는 메모리 셀 어레이를 포함하며,복수의 반도체 기억 소자의 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속되며,상기 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속된 복수의 반도체 기억 소자의 제2 게이트 전극이 상호 다른 제2 워드선에 접속되고,상기 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속된 복수의 반도체 기억 소자의 제1 게이트 전극이 상호 다른 제1 워드선에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 기재된 반도체 기억 소자를 복수개 배열한 데이터선과 워드선으로 구동되는 메모리 셀 어레이를 포함하며,복수의 반도체 기억 소자의 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속되고,상기 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속된 복수의 반도체 기억 소자의 게이트 전극이 상호 다른 워드선에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 기억 소자를 복수개 배열하고,제1 반도체 기억 소자와 제2 반도체 기억 소자의 채널 전류가 직렬로 흐르도록 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제4 또는 제5항에 기재된 반도체 기억 소자를 복수개 배열한 데이터선과 제1 워드선으로 구동되는 메모리 셀 어레이를 포함하며,복수의 반도체 기억 소자의 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속되고,상기 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속된 복수의 반도체 기억 소자의 제2 게이트 전극이 상호 접속되며,상기 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속된 복수의 반도체 기억 소자의 제1 게이트 전극이 상호 다른 제1 워드선에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제4항 또는 제5항에 기재된 반도체 기억 소자를 복수개 배열한 데이터선과 제1 워드선으로 구동되는 메모리 셀 어레이를 포함하며,복수의 반도체 기억 소자의 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속되고,상기 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속된 복수의 반도체 기억 소자의 제2 게이트 전극이 상호 다른 제2 워드선에 접속되며,상기 드레인 영역이 동일한 데이터선에 접속된 복수의 반도체 기억 소자의 제1 게이트 전극이 상호 다른 제1 워드선에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
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