KR20030010707A - 자기 기록 매체 및 그 제조 방법 - Google Patents
자기 기록 매체 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030010707A KR20030010707A KR1020027017003A KR20027017003A KR20030010707A KR 20030010707 A KR20030010707 A KR 20030010707A KR 1020027017003 A KR1020027017003 A KR 1020027017003A KR 20027017003 A KR20027017003 A KR 20027017003A KR 20030010707 A KR20030010707 A KR 20030010707A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- ferromagnetic
- magnetic
- magnetic recording
- ferromagnetic film
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 200
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 169
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 52
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 17
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 11
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 21
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 21
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 199
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 7
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 238000002465 magnetic force microscopy Methods 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Co].[Pt].[Pt].[Pt] GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002527 ion beam patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005316 antiferromagnetic exchange Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 102000045222 parkin Human genes 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/743—Patterned record carriers, wherein the magnetic recording layer is patterned into magnetic isolated data islands, e.g. discrete tracks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
자기 기록 디스크는 자기 영역이 자기 기록 데이터 비트로 기능하는, 개별 자기 영역 및 개별 비자기 영역으로 패터닝된다. 자기 기록 층(20)은 비강자성 스페이서 막(26)에 의해 분리되는 두 개의 강자성 막(22,24)을 포함한다. 이 스페이서 막(26)의 물질 성분 및 두께는 상기 제 1 강자성 막(22) 및 상기 제 2 강자성 막(26)이 이 스페이서 막(26) 양단에서 반강자성적으로 결합되도록 선택된다. 이 자기 기록 층(20)이 상기 디스크 기판(11) 상에서 형성된 후에, 이온(62)이 패터닝된 마스크(60)를 통해 상기 자기 기록 층(20) 상에 방사된다. 이온은 스페이서 막(26)의 화학적 배열을 깨뜨려 상기 두 강자성 막들 간의 반강자성 결합을 파괴한다. 이로써, 이온이 방사된 상기 자기 기록 층의 영역(22) 내에서는, 제 1 및 제 2 강자성 막들(22,24)이 상기 강자성 막들로부터의 자기 모멘트들이 평행하도록 필수적으로 강자성적으로 결합되어, 필수적으로 두 막(22,24)으로부터의 모멘트들의 합이 되는 자기 모멘트를 생성한다. 이온이 방사되지 않은 자기 기록 층의 영역(52,54)에서는, 제 1 및 제 2 강자성 막들(22,24)은 이들의 자기 모멘트가 서로 반평행하게 배향되도록 반강자성적 결합이 유지된다. 상기 제 1 강자성 막(22) 및 상기 제 2 강자성 막(24)의 물질 성분 및 두께는 자기 기록 헤드가 위치할 높이에 대응하는 자기 기록 층(20) 상으로부터 사전결정된 거리로 떨어진 위치에서 필수적으로 어떤 자계도 검출되지 않도록 선택된다.
Description
하드 디스크 드라이브 내의 자기 기록 디스크와 같은 통상적인 자기 기록 매체는 통상적으로 자기 매체로서 스퍼터 증착된 코발트-백금(CoPt) 합금과 같은 입상 강자성 층(a granular ferromagnetic layer)을 사용한다. 상기 강자성 층 내의 각 자화된 도메인은 다수의 작은 자기 그레인(small magnetic grains)으로 구성된다. 자화된 도메인 간의 전이는 기록된 데이터의 "비트(bits)"를 나타낸다. IBM의 미국 특허 4,789,598 및 5,523,173은 이러한 타입의 통상적인 강성 자기 기록 디스크(rigid magnetic recording disk)를 개시한다.
면적 저장 밀도가 점점 높아지는 추세에 따라 자기 매체와 같은 연속적인 입상 막을 생성하는 기술에 대한 도전이 증가하고 있다. 만족할만한 신호 대 잡음 비를 유지하면서 자기 비트의 크기(the size of the magnetic bits)를 줄이는 것은가령 그레인의 크기(the size of the grains)를 줄이는 것을 요구한다. 불행하게도, 약하게 자기적으로 결합된 자기 그레인의 크기를 크게 감소시키게 되면 이들의 자화는 통상적인 동작 온도에서도 불안정하게 된다. 이러한 근본적인 "초상자성(superparamagnetic)" 한계점에 도달하는 것을 연기하고 연속적인 입상 매체를 연장시키는 것과 관련된 다른 문제점을 방지하기 위해, 패터닝된 자기 매체에 대한 관심이 새로워지고 있다.
패터닝된 매체에 있어서, 디스크 기판을 피복하는 연속적인 입상 자기 막(continuous granular magnetic film)은 각각이 단일 자기 비트로 기능하는, 공간적으로 분리된 개별 자기 영역 또는 고립영역(islands)의 어레이로 대체된다. 패터닝된 매체를 생성하는 기본적인 방법은, 자기 영역이 서로 분리되고 비자기 물질 구역에 의해 둘러싸이도록, 기판 상에 자기 물질을 선택적으로 증착하거나 자기층으로부터 자기 물질을 제거하는 리소그래피 프로세스를 사용하는 것이다. 이러한 타입의 리소그래피 프로세스로 제조된 패터닝된 자기 매체의 실례는 미국 특허 5,587,223 및 5,768,075 및 5,820,769에 개시된다.
제조의 측면에서 볼 때, 물질의 증착 또는 제거를 요하는, 매체 패터닝 프로세스에 있어서의 바람직하지 않은 측면은, 상기 프로세스가 자기 매체를 적소에 두면서 잠재적인 파괴 처리(potentially disruptive processing)를 필요로 한다는 것이다. 레지스트의 효과적인 제거 및 큰면적에 걸쳐 정밀한 금속 피처의 신뢰할만한 제거를 위해 필요한 프로세스는 나중에 남겨지는 물질에 손상을 입힐 수 있어 생산 수율이 보다 낮아진다. 또한, 이러한 프로세스는, 디스크 드라이브의 에어-베어링 슬라이더(air-bearing slider) 상에서 유지되는 자기 판독/기록 헤드가 디스크 표면 상에서 통상적으로는 30 nm 보다 작게 매우 낮은 부상 높이로 부상할 수 있도록, 충분하게 정제된 표면을 남겨야 한다.
자기 물질의 선택적인 증착 또는 제거는 하지 않지만, 특별한 타입의 수직형 자기 기록 매체를 사용하는 이온 방사 패터닝 기술(an ion-irradiation patterning technique)이 Chappert 등에 의한 문헌 "Planar patterned magnetic media obtained by ion irradiation", Science, Vol. 280, 19 June 1998, pp. 1919-1922에 개시된다. 이 기술에서 수직 자기결정질 이방성(perpendicular magnetocrystalline anisotropy)를 나타내는 Pt-Co-Pt 다중층 샌드위치는 리소그래픽적으로 패터닝된 마스크를 통해 이온을 방사받는다. 그 이온은 층 계면에서 코발트 원자와 백금 원자를 혼합하며 방사를 받은 영역이 더 이상 수직 자기결정질 이방성을 가지지 않도록 자화되기 용이한 축(the easy axis of magnetization)이 동일 평면(in-plane)에 위치하도록 재배향한다.
1999년 6월 9일에 출원된 IBM의 계류중인 출원 일련 번호 09/350,803은 정방 정계 결정 구조를 갖는 화학적인 순서로 배치된 Co(또는 Fe) 및 Pt(또는 Pd) 합금의 연속적인 자기막을 사용하는 이온 방사 패터닝된 디스크를 개시한다. 이온은 상기 막에서의 화학적인 배열 순서를 깨뜨리며, 낮은 보자력을 갖거나 자기적으로 "연성(soft)"이며 어떤 자기결정질 이방성도 가지지 않는 막 내부의 영역을 생성한다.
Chappert 등에 의한 특허 출원의 잠재적 단점 및 IBM의 이온 방사 패터닝된디스크의 단점은 개별 자기 영역을 서로 분리시키는 영역이 완전하게 비자기적이 아니면서 여전히 어느 정도의 자기적 특성을 갖는다는 것이다. 이로써, 디스크 드라이브 내의 자기저항성 판독 헤드는 상기 영역으로부터 잡음 및/또는 여러 타입의 신호를 검출할 것이다. 또한, 상기 이온 방사 기술은 제조하기 어려운 마스크의 사용을 필요로 하는데, 그 이유는 상기 마스크 내의 홀이 디스크 상의 대응하는 비자기 영역을 생성하는데 사용되며, 디스크 상의 형성된 자기 비트와 동일한 홀 패턴을 갖는 마스크를 사용하는 것이 바람직하기 때문이다.
발명의 개요
본 발명은 목적은 오직 자기 영역만이 판독 신호에 기여하도록 완전하게 비자기적 영역에 의해 분리되는 개별 자기 영역을 갖는 패터닝된 자기 기록 디스크를 제공하는 것이며, 이는 마스크의 홀 패턴이 상기 디스크의 개별 자기 영역의 패턴과 일치하는 패터닝 기술에 의해 제조된다.
본 발명의 제 1 측면에 따라 자기 기록 매체가 제공되는데, 이 자기 기록 매체는 기판과, 기판 상에서 제 1 강자성 막, 제 2 강자성 막, 상기 제 1 강자성 막과 제 2 강자성 막 간의 비강자성 막을 포함하는 자기층을 포함하며, 상기 자기층은 상기 제 1 강자성 막과 상기 제 2 강자성 막이 상기 비강자성 막 양단에서 반강자성적으로 결합되는 제 1 영역과, 상기 제 1 강자성 막과 상기 제 2 강자성 막이 강자성적으로 결합되는 제 2 영역으로 패터닝된다.
바람직하게는, 상기 제 1 영역 내의 상기 제 1 강자성 막은 두께 t1 및 자화도 M1을 가지며, 상기 제 1 영역 내의 상기 제 2 강자성 막은 두께 t2 및 자화도 M2를 가지며, 단위 면적당 자기 모멘트(magnetic moment)(M2*t2)가 단위 면적당 자기 모멘트(M1*t1)보다 크며, 이로써 상기 제 1 영역으로부터의 자계는 자기층 상으로 사전결정된 거리로 떨어진 곳에서 필수적으로 제로가 된다. 상기 제 1 강자성 막 및 제 2 강자성 막은 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있으며, t2는 t1보다 클 수 있다.
비강자성 막은 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리(Cu) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 강자성 막 및 상기 제 2 강자성 막은 Co, Fe, Ni 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 구성될 수 있다.
상기 제 1 강자성 막은 필수적으로는 제 1 강자성 막과 스페이서 막의 계면에 위치한 코발트로 구성되는 계면 막을 포함할 수 있다.
상기 제 2 강자성 막은 필수적으로는 제 2 강자성 막과 스페이서 막의 계면에 위치한 코발트로 구성되는 계면 막을 포함할 수 있다.
자기 매체는 기판과 자기층 간에서 상기 기판 상에 위치하는 비강자성 하부층을 가질 수 있다. 자기 매체는 또한 상기 자기층 상에 형성되는 보호성 오버코트층을 가질 수 있다.
본 발명의 제 2 측면에 따라, 패터닝된 자기 기록 매체를 제조하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판 상에 제 1 강자성 막을 증착하는 단계와, 상기 제 1 강자성 막 상에 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 로듐(Rh),이리듐(Ir), 구리(Cu) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 형성되며 사전결정된 두께를 갖는 비강자성 스페이서 막을 증착하는 단계와, 상기 스페이서 막 상에 제 2 강자성 막을 증착하는 단계━상기 제 2 강자성 막은 상기 스페이서 막이 상기 선택된 물질과 선택된 두께로 구성됨으로써 상기 제 1 강자성 막에 대해 반강자성적으로 교환 결합됨━와, 패터닝된 마스크를 통하는 방향으로 이온을 상기 강자성 막들 및 스페이서 막에 방사하는 단계━상기 이온은 상기 스페이서 막의 화학적 배열을 실질적으로 깨뜨려 이로써 상기 제 1 강자성 막과 상기 제 2 강자성 막 간의 상기 반강자성 결합을 파괴함으로써 상기 제 1 및 제 2 강자성 막들은 상기 이온 방사된 영역에서는 강자성적으로 결합됨━를 포함한다.
패터닝된 마스크를 통해 이온을 방사하는 단계는 패터닝된 비컨택트 마스크를 통해 이온을 방사하는 단계를 포함한다.
패터닝된 마스크를 통해 이온을 방사하는 단계는 상기 자기 막 상에 포토레지스터 물질 층을 증착하는 단계와, 상기 포토레지스트 층 내에 개구를 규정하도록 상기 포토레지스트 층을 패터닝하는 단계와, 상기 포토레지스트 층 내의 상기 개구를 통해 이온을 상기 자기 막에 방사하는 단계를 포함한다.
상기 이온 방사 단계는 N, He, Ar, Ne, Kr, Xe의 이온들로 구성된 그룹으로부터 선택된 이온을 방사하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제 3 측면에 따라, 자기 기록 디스크가 제공되는데, 상기 디스크는 기판과, 상기 기판 상의 비강자성 하부층과, 상기 하부층 상의 제 1 코발트 합금 강자성 막 및 상기 제 1 강자성 막 상에서 이 막과 접촉하여 루테늄(Ru),크롬(Cr), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리(Cu) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 형성된 비강자성 스페이서 막 및 상기 스페이서 막 상에서 이 막과 접촉하여 형성되는 제 2 코발트 합금 강자성 막을 포함하는 자기 기록 층을 포함하며, 상기 자기 기록 층은 상기 스페이서 막 양단에서 상기 제 2 강자성 막이 상기 제 1 강자성 막에 대해 반강자성적으로 교환 결합되도록 유도하기에 충분한 두께를 상기 스페이서 막이 갖는 제 1 영역과, 상기 제 1 강자성 막 및 상기 제 2 강자성 막이 강자성적으로 결합되는 제 2 영역으로 패터닝되며, 이로써 상기 제 2 영역은 상기 자기 층 상으로 사절결정된 거리만큼 떨어진 위치에서 상기 제 1 영역으로부터의 자계보다 실질적으로 큰 자계를 생성하며, 마지막으로 상기 자기 기록 층 상에 보호성 오버코트층이 형성된다.
상기 자기 기록 층의 제 1 강자성 막 및 제 2 강자성 막은 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 제 1 강자성 막 및 상기 제 2 강자성 막은 Co, Fe, Ni 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 구성될 수 있다.
상기 호스트 층의 상기 제 1 강자성 막은 필수적으로는 제 1 강자성 막과 스페이서 막의 계면에 위치한 코발트로 구성되는 계면 막을 포함할 수 있다.
상기 호스트 층의 상기 제 2 강자성 막은 필수적으로는 제 2 강자성 막과 스페이서 막의 계면에 위치한 코발트로 구성되는 계면 막을 포함할 수 있다.
본 발명은 자기 영역이 자기 기록 데이터 비트로 기능하는, 개별 자기 영역 및 개별 비자기 영역으로 패터닝되는 자기 기록 디스크이다. 자기 기록 층은 비강자성 스페이서 막에 의해 분리되는 두 개의 강자성 막을 포함한다. 이 스페이서 막의 물질 성분 및 두께는 상기 제 1 강자성 막 및 상기 제 2 강자성 막이 이 스페이서 막 양단에서 반강자성적으로 결합되도록 선택된다. 이 자기 기록 층이 상기 디스크 기판 상에서 형성된 후에, 이온이 패터닝된 마스크를 통해 상기 자기 기록 층 상에 방사된다. 이온은 스페이서 막의 화학적 배열을 깨뜨려 상기 두 강자성 막들 간의 반강자성 결합을 파괴한다. 이로써, 이온이 방사된 상기 자기 기록 층의 영역 내에서는, 제 1 및 제 2 강자성 막들이 상기 강자성 막들로부터의 자기 모멘트들이 평행하도록 필수적으로 강자성적으로 결합되어, 필수적으로 두 막으로부터의 모멘트들의 합이 되는 자기 모멘트를 생성한다. 이온이 방사되지 않은 자기 기록 층의 영역에서는, 제 1 및 제 2 강자성 막들은 이들의 자기 모멘트가 서로 반평행하게 배향되도록 반강자성적 결합이 유지된다. 상기 제 1 강자성 막 및 상기 제 2 강자성 막의 물질 성분 및 두께는 자기 기록 헤드가 위치할 높이에 대응하는 자기 기록 층 상으로부터 사전결정된 거리로 떨어진 위치에서 필수적으로 어떤 자계도 검출되지 않도록 선택된다.
본 발명의 특성 및 장점의 보다 완전한 설명을 위해, 다음과 같은 상세한 설명을 첨부 도면을 참조하여 행할 것이다.
본 출원의 실시예는 첨부 도면을 참조하여 오직 예시적으로만 기술될 것이다.
본 발명은 전반적으로 자기 기록 매체(magnetic recording media)에 관한 것이며, 특히 개별 자기 영역을 갖는 패터닝된 자기 기록 디스크에 관한 것이다.
도 1은 패터닝되기 이전에 본 발명에 따른 반강자성적(AF)으로 결합된 층을나타내는 자기 기록 디스크의 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 스텐실 마스크를 통한 이온 방사에 의해 AF 결합된 층을 패터닝하는 프로세스의 도면,
도 3은 개별 연장된 형상(oblong-shape) 자기 영역을 나타내는 본 발명에 따른 패터닝된 AF 결합된 층의 MFM(a magnetic force microscopy) 이미지,
도 4a-4b는 대응하는 신호 프로파일을 갖는 상이한 자기 비트 상태를 나타내는 본 발명의 디스크 구조물의 도면.
본 발명의 자기 기록 매체는 하나 이상의 비강자성 스페이서 막에 의해 자신의 이웃하는 강자성 막에 반강자성적(AF)으로 교환 결합되는 두 개 이상의 강자성 막의 연속하는 (비패터닝된) 자기층을 형성함으로써 제조된다. 도 1은 패터닝하기 이전의 AF 결합된 자기층(20)을 갖는 디스크(10)의 단면 구조를 도시한다.
디스크 기판(11)은 유리, SiC/Si, 세라믹, 석영 또는 NiP 표면 코팅을 갖는 AlMg 합금 베이스와 같은 임의의 적합한 물질로 구성될 수 있다. 시드 층(seed layer)(12)은 하부층(13)의 성장을 향상시키는데 사용될 수 있는 선택사양적인 층이다. 시드층(12)은 기판(11)이 유리와 같이 비금속성일 때 가장 통상적으로 사용된다. 시드층(12)은 대략 0.5 내지 5nm 범위의 두께를 가지며 Ta, CrTi, NiAl와 같은 물질 중 하나로 구성되며, 상기 물질들은 종래 기술에서 소정의 바람직한 결정 배향으로 이후에 증착되는 층의 성장을 촉진시키는 시드 물질로 사용되는 것으로 알려져 있다. 하부층(13)은 시드층이 존재한다면 시드층 상에 증착되며 시드층이 존재하지 않는다면 기판(11) 상으로 바로 증착되며 상기 하부층은 CrV, CrTi와 같은 크롬 합금 또는 크롬과 같은 비자기 물질이다. 하부층(13)은 5 내지 1000nm 범위의 두께를 가지며 통상적으로는 대략 50nm의 두께를 갖는다.
AF 결합된 자기층(20)은 비강자성 스페이서 막(26)에 의해 분리되는 두 개의 강자성 막(22,24)으로 구성된다. 비강자성 스페이서 막(26)의 물질 성분과 두께는 서로 인접하는 막(22,24)의 자기 모멘트가 상기 비강자성 막(26)을 통해 각기 AF 결합되고 어떤 자계도 인가되지 않을 시에 반평행하게 배향되도록 선택된다. 상술된 실시예에서, 층(20)의 두 AF 결합된 막(22,24)은, AF 결합된 층(20)의 순 자계가 디스크 상으로 떨어져서 위치한 기록 헤드에서 거의 제로가 되도록, 보다 아래 존재하는 막(24)이 보다 큰 자기 모멘트를 갖게 반평행하게 배향된다. 각 강자성 막(22,24)은 바람직하게는 4 내지 20의 원자 퍼센트(at.%)의 백금과, 10 내지 23의 원자 퍼센트의 크롬과, 2 내지 20의 원자 퍼센트의 붕소의 CoPtCrB와 같은 Co 합금이며, 비강자성 스페이서 막(26)은 바람직하게는 루테늄(Ru)이다.
AF 결합된 자기층(20)의 제 1 강자성 막(24)을 증착하기 이전에, 매우 얇은 (통상적으로는 1 내지 5nm 두께의) Co 합금 세트 또는 핵생성 층(14)이 통상적으로 하부층(13) 상에 증착된다. 이 핵생성 층(14)은 육방정계 조밀 충진된(HCP) 코발트 합금 막(24)이 그의 C-축이 층과 동일 평면에서 배향되도록 상기 막(24)의 성장을 증진시키기 위해 선택된 조성물이다. 이 핵생성 층(14)은 층(14)이 비강자성 또는 매우 근소한 강자성이 되도록 선택된 Cr 조성물을 갖는 CoCr 합금이다. 이와 달리, 핵생성 층(14)은 강자성 Co 합금일 수 있는데, 이 경우에는 핵생성 층(14)은 막(24)의 자기 특성에 영향을 줄 것이다. 막(24)이 CoPtCrB일 경우, 핵생성 층(14)은 CoPtCr이거나 6 원자 퍼센트보다 낮은 원자 퍼센트를 갖는 붕소를 갖는 CoPtCrB일 수 있다. 시드층(12)에서부터 상부 강자성 막(22)까지의 상술된 모든 층들은 인-라인 스퍼터링 시스템(in-line sputtering system)에서 또는 다중 스퍼터링 타겟 용량을 갖는 상업적으로 입수가능한 단일 디스크 시스템에서 연속적인 프로세스로 스퍼터링될 수 있다. 각 층에 대한 스퍼터링 증착은 상술된 수정 사항들과 함께 본 기술 분야에서 잘 알려진 표준 타겟 및 기술을 사용하여 성취될 수 있다.
도 1의 층(20)의 구조물과 같은, 비강자성 전이 금속 스페이서 막을 통한 강자성 막들의 AF 결합은 광범위하게 연구되었으며 문헌 상에서 기술되었다. 일반적으로, 교환 결합은 스페이서 막 두께가 증가하면서 강자성에서 반강자성으로 진동한다. 선택된 물질 조합에 대한 이러한 진동성 결합 관계는 Parkin 등의 문헌 "Oscillations in Exchange Coupling and Magnetoresistance in Metallic Superlattice Structures: Co/Ru, Co/Cr and Fe/Cr" Phys. Rev. Lett., Vol. 64, p. 2034(1990)에 개시된다. 이 물질 조합들은 Co, Fe, Ni 및 Ni-Fe, Ni-Co, Fe-Co와 같은 합금으로 구성된 강자성 막과, Ru, Cr, Rh, Ir, Cu 및 이들의 합금으로 구성된 비강자성 스페이서 막을 포함한다. 이러한 각 물질 조합에 있어서, 진동성 교환 결합 관계는 이미 알려지지 않았으면 상기 비강자성 스페이서 막의 두께가 상기 두 강자성 막들 간의 반강자성 결합을 보장하게 선택되도록 결정되어야 한다.진동의 주기는 비강자성 스페이서 물질에 의존하지만, 진동성 결합의 강도 및 상태는 강자성 물질 및 계면의 질에 의존한다. 강자성 막의 진동성 반강자성 결합은 스핀 밸브 타입 거대 자기저항(GMR) 기록 헤드에서 헤드의 동작 동안 서로 반평행하게 강하게 결합된 자기 모멘트를 갖는 연속적인 자화된 반강자성적으로 결합된 막(continuous magnetized antiferromagnetically coupled films)을 설계하는데 사용되었다. 이러한 타입의 스핀 밸브 구조물은 가령 IBM 특허 번호 5,408,377 및 5,465,185에서 개시된다. 상기 5,465,185 특허는 수많은 상업적으로 입수가능한 스핀 밸브 GMR 헤드에서 사용되는 구조물, 말하자면 헤드의 동작 동안 서로 강하게 결합되며 정지 상태로 유지되는 자기 모멘트를 갖는 강자성 막들을 갖는 래미네이트된 반평행 고정 강자성 층(a laminated antiparallel pinned ferromagnetic layer)을 개시한다. 도 1의 AF 결합된 자기층(20)으로 도시되며 스핀 밸드 헤드 내에서 사용되는, 매우 얇은 비강자성 스페이서 막 양단에서 반강자성적으로 결합된 두 강자성 막의 자기 구조물은 "합성 반강자성체(synthetic antiferromagnet)"로 지칭된다. 이 구조물이 개별 강자성 막으로부터의 자기 모멘트가 상쇄되기 때문에 어떤 순 자기 모멘트도 가지지 않는 경우, 이 구조물은 "보상된" 합성 반강자성체로 지칭될 수 있다.
이 AF 결합된 층 구조물(20)에 있어서, 인접하는 막(22,24)의 자기 모멘트(32,34)의 배향은 각기 반평행하게 정렬되며 이로써 서로 상쇄한다. 화살표(32,34)는 AF 결합 막(26) 양단에서 서로 위 아래에 존재하는 개별 자기 도메인의 모멘트 배향을 나타낸다. 인가된 자계가 존재하지 않는 경우, 하부 강자성막(24)이 핵생성 층(14) 상에 증착될 때, 상기 막(24)은 다중 인접하는 그레인들이 서로 결합되어 개별 자기 도메인을 형성하는 입상 구조물을 가질 것이다. 인가된 자계가 없는 경우, 막(24) 내의 상기 도메인의 모멘트는 필수적으로 임의적으로 배향된다. 이어서, 스페이서 막 또는 AF 결합 막(26)이 강자성 막(24) 상에서 올바른 두께로 직접적으로 집적된다. 다음에, 제 2 또는 상부 강자성 막(22)이 AF 결합 막(26) 상에 바로 증착된다. 강자성 막(22)의 그레인이 성장함에 따라, AF 결합 막(26) 양단에 바로 존재하는 강자성 막(24)의 자기 모멘트 배향에 대해 반평행한 자기 모멘트 배향을 갖는 자기 도메인을 형성할 것이다.
강자성 막(22,24)의 강자성 물질의 타입 및 두께 t1,t2는 기록 헤드가 위치될 높이에서 디스크 상의 자계 강도가 필수적으로 두 막에 대해서 동일하게 되도록 선택된다. 층(20)에 대한 Mrt는 Mr1t1-Mr2t2로 주어진다. 기술된 실시예에서, Mr1t1은 Mr2t2보다 작아야 하는데, 그 이유는 막(22)이 헤드에 보다 가깝기 때문이다. 이는 두 막(22,24)에 있어서 동일한 강자성 물질을 사용하고 t1및 t2를 조절함으로써 성취될 수 있다. 두 강자성 막의 자화도(물질의 단위 체적당 자기 모멘트)가 상이하게 되도록 상이한 강자성 물질 성분이 두 막(22,24)에 대해 사용되는 경우, 이에 따라 두께가 조절된다. 다른 실시예에서, 두 막(22,24)은 층(20)이 실질적으로 제로인 순 자기 모멘트를 갖도록 Mr1t1이 Mr2t2와 동일하게 될 수 있다. 이 경우에는, 상부 막(22)이 헤드에 보다 가깝기 때문에 헤드에서 어느 정도 소량의 자계가 검출될 수 있다.
도 1은 두 개의 강자성 막 구조물 및 단일 스페이서 막을 갖는 AF 결합된 자기층(20)에 대해 도시되었지만, 본 발명은 다중 스페이서 막 및 다중 강자성 막을 갖는 구조물로 확장될 수 있다.
도 1의 비강자성 스페이서 막(26)은 0.6 nm Ru 막이다. Ru 스페이서 막 두께는 진동성 결합 관계에서 제 1 강자성 피크에서 존재하도록 선택되었다. CoPtCrB 강자성 막(22,24) 각각이 Ru 스페이서 막(26)과의 계면에서 필수적으로 코발트로 구성되는 0.5nm의 계면막을 포함하는 것이 바람직하다. 이 코발트 초박막은 강자성 막들과 스페이서 막간의 계면 모멘트를 증가시키며, 이로써 반강자성 결합이 증진된다. 그러나, 반강자성 교환 결합은 CoPtCrB 강자성 막(22,24)에서는 코발트 계면막을 포함할 필요 없이 발생할 수 있다.
AF 결합된 자기층(20)이 형성된 후에, 필수적으로 헤드에서 어떤 자계도 생성하지 않는 "비자기" 영역에 의해 서로 분리된 개별 분리 자기 영역을 형성하도록 상기 층(20)은 패터닝된다. 개별 자기 영역의 크기는 상기 영역이 개별 자기 도메인 또는 비트로 기능하도록 조절된다. 이러한 패터닝은 자기 물질의 선택적 증착 또는 제거를 필요로 하지 않고 수행된다. AF 결합된 층(20)의 영역은 이온 방사에 의해 Ru 스페이서 막(26) 양단에서 AF 결합된 두 개의 강자성 막에서 자신의 자기 모멘트들이 서로 평행하도록 강자성적으로 결합되는 두 개의 강자성 막으로 변형된다.
상술된 패터닝 방법에 있어서, 스텐실 마스크는 일정 도즈량의 질소이온(N+)으로 방사되며 이 이온은 마스크 내의 홀을 통해 선택적으로 투과된다. 마스크 내의 홀을 통해 이온이 통과하여 AF 결합된 층(20) 중 마스크 내의 홀의 패턴에 대응하는 선택된 영역에 충돌한다. 이온은 Ru 스페이서 막(26)과 강자성 막(22,24) 간의 계면을 파괴하여 강자성 막(22,24)의 AF 결합을 파괴한다. 이는 필수적으로는 강자성 막(22,24)의 자기 특성에는 방해를 주지 않으면서 발생할 수 있으며 두 강자성 막들이 자신들의 자기 모멘트가 평행하게 배향되게 서로 강자성적으로 결합되는 영역을 생성한다. N+이온과 충돌하지 않는 영역은 AF 결합 상태로 유지되며 이로써 필수적으로는 헤드에서 측정되는 어떤 순 자기 모멘트도 가지지 않는다. 이로써, 자기 영역들은 어떤 자화도도 가지지 않는 비자기 영역에 의해 서로 분리된다. 이로써, 마스크 내의 홀의 패턴은 디스크 상의 자기 비트 영역의 패턴에 대응한다.
도 2는 패터닝 프로세스를 도식적으로 설명한다. 층(20)은 실리콘 스텐실 마스크(60) 내의 홀(56)에 정렬되지 않은 영역(52,54)에서는 스페이서 막(빗금친 막(26)) 양단에서 AF 결합되게 유지된다. 마스크(60) 내의 홀(56)에 정렬된 층의 영역(55)에서는, Ru 스페이서 막과 강자성 막(22,24) 간의 계면의 화학적 순서 배열이 깨지며(막(26)에서 점으로 표시된 구역), 두 막(22,24)의 자기 모멘트는 강자성적으로 결합된다.
스텐실 마스크(60)는 실리콘과 같은 웨이퍼를 포함하는 비컨택트 마스크이며, 이 마스크를 통해 홀이 에칭된다. 화살표(62)로 표시된 이온은 웨이퍼 내의홀을 통해 투과된다. 실리콘 스텐실 마스크는 10㎛ 두께를 갖는 상부측 실리콘 층, 0.5㎛ 두께를 갖는 SOI 산화물, 500㎛ 두께의 실리콘 캐리어 기판의 상업용 SOI(실리콘 온 인슐레이터) 웨이퍼로부터 제조된다. 스텐실 홀은 먼저 광학 리소그래피에 의해 패터닝되고 이어서 신뢰할만한 에칭 정지층으로 기능하는 SOI 산화물과 함께 SF6기반 높은 외관 비율 반응성 이온 에칭(SF6-based, high aspect ratio reactive ion etching)에 의해 10 ㎛ 두께의 Si 층으로 전사된다(transferred). 이어서, 유사한 반응성 이온 에칭 프로세스를 이용하여 윈도우가 캐리어 기판을 통해 후방 측면으로부터 에칭되며, 잔여 SOI 산화물은 습식 HF 에칭으로 제거된다. 결과적으로 형성된 실리콘 박막은 대략 10㎛ 두께이며 1mm*1mm 면적을 피복한다. 이 박막 내의 홀은 공칭적으로는 직경이 1 ㎛이지만, 형상은 어느 정도 불규칙적이며, 상기 박막 구역 전체에 걸쳐 1 내지 10 ㎛의 간격으로 복제된다. 패터닝된 매체를 제조할 시에 두 개의 상기 스텐실 마스크가 이들의 홀이 중첩되도록 정렬되어 100nm의 범위의 효율적인 직경을 갖는 홀을 생성할 수 있다. 그러나, 바람직한 면적 밀도를 갖는 패터닝된 매체를 생성하기 위해, 100 nm 아래의 범위의 보다 작은 홀를 갖는, 단일 스텐실 마스크를 상기 방식으로 제조할 수 있다. 이온 빔 패터닝을 위해 스텐실 마스크를 사용하는 것에 대한 상세한 설명은 본 명세서에서 참조로서 인용되는, B. D. Terris 등의 문헌 "Ion-beam patterning of magnetic films using stencil masks", Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 3, 19 July 1999에 개시된다. 상술된 실시예에서, 마스크는 동심 원형트랙을 갖는 자기 기록 디스크를 형성하는 패턴으로 형성되는 홀을 가지며, 상기 각 트랙은 이 트랙을 따라 떨어진 개별 자기 영역을 가지며 이 영역은 개별적으로 기록가능한 자기 비트로 기능한다.
질소 이온이 사용되었지만, He, Ar, Ne, Kr, Xe의 이온을 포함하는 다른 이온 종류가 사용될 수 있다. Ru 스페이서 막(26)과 강자성 막(22,24) 간의 계면의 바람직한 파괴를 위해 필요한 이온 방사의 전압 및 도즈량은 실험적으로 결정될 수 있다.
이온 방사로 매체를 패터닝하는 상술된 방법은 상술된 실리콘 스텐실 마스크와 같은 비컨택트 마스크에 의해 수행된다. 그러나, 포토레지스트가 AF 결합된 층 상에 형성되고 이어서 상기 층의 일부가 비자기 영역에 의해 분리되는 자기 비트 영역이 되도록 상기 층의 일부에 정렬되는 개구를 노출시키도록 패터닝되는, 통상적인 리소그래피를 사용할 수도 있다.
AF 결합된 층이 패터닝된 후에, 통상적인 보호성 오버코트층(도 1에 도시되지 않음)이 상기 패터닝된 층 상에 형성됨으로써 패터닝된 자기 디스크의 제조가 완료된다. 보호성 오버코트층은 스퍼터 증착되고 선택사양적으로 수소 및/또는 질소로 도핑되는 필수적으로는 비정질 탄소인 통상적인 오버코트층이다. 이 오버코트층의 두께는 통상적으로 15nm 보다 작다.
실험 결과
CoPtCrB/Co/Ru/Co/CoPtCrB의 AF 결합된 구조물이 50nm Cr 금속 기판 상에 준비되었다. CoPtCrB의 강자성 막은 5 원자 퍼센트(at.%) 붕소로 도핑된 Co68Pt12Cr20이었다. 두 강자성 막들 간에 CoPtCrB 막들을 반강자성적으로 결합시키는 Co(0.5nm)/Ru(0.6nm)/Co(0.5nm)의 삼중층이 삽입되어, 이 막들의 모멘트는 반평행하게 배향된다. CoPtCrB 막의 두께는 자기층 상으로 사절결정된 위치만큼 떨어진 위치에서 자계가 필수적으로 전혀 존재하지 않도록 선택된다. 상기 자기층 상으로 사전결정된 위치만큼 떨어진 거리는 판독 헤드가 위치할 디스크 상의 높이(즉, 판독 헤드의 공칭 이동 높이)이다. 상부막(22)(도 1참조)이 판독 헤드에 보다 가깝기 때문에, 이 상부막으로부터의 자계는 하부막(24)으로부터의 자계보다 높을 것이다. 그래서, 하부막(24)의 두께를 상부막의 두께보다 크게 하여 자계를 상호 보상하여 헤드에서 순 자계가 실질적으로 제로가 된다.
이 구조물의 자화도가 외부적으로 인가되는 자계의 범위에 대해 커 루퍼(a Kerr lopper)로 측정되었다. 두 강자성 막의 반강자성 결합을 극복하기에 충분한 매우 높은 자계(가령 8 KOe)가 먼저 음방향으로 인가되었으며, 커 데이터는 강자성 막이 인가된 자계 방향과 평행하게 정렬된 모멘트를 가짐을 나타내었다. 다음에, 자계가 감소되었으며 커 데이터는 강자성 막 중의 하나가 반강자성 결합 자계에 대응하는 자계 강도 근방에서 자신의 자화 방향을 전환하였으며 이어서 두 강자성 막들은 서로 반평행하게 정렬된 모멘트를 가졌음을 나타내었다. 인가된 자계가 점점 제로를 통해 양방향으로 증가할 때, 상기 강자성 막의 모멘트는 인가된 양 자계(positive field)가 반강자성 결합 자계를 초과할 때까지 반평행하게 유지되었으며, 이어서 강자성 막의 모멘트들은 서로 평행하게 배향되었으며 인가된 양의 자계 방향으로 정렬되었다. 이로써, 커 데이터는 상기 막 구조물이 합성 반강자성체임을 나타내었다.
다음에, 상기 구조물이 700 Kev 에너지에서 2*1016이온/cm2의 도즈량으로 N+이온 방사를 받았다. 구조물이 다시 한번 동일한 외부 인가 자계에 노출되었을 때, 커 데이터는 강자성 막들의 어떤 AF 결합도 존재하지 않음을 보였다. 대신에 구조물은 단일 강자성 층과 같이 동작했으며, 이는 이온 방사가 Ru 스페이서 막 양단의 반강자성 결합을 파괴하였음을 나타낸다. 이로써, 이온 방사가 Ru 스페이서 막과 강자성 막들 간의 계면을 파괴하고 Ru와 인접하는 강자성 막을 상호혼합시켜버렸음이 결론으로 드러났다. 이 구조물은 완전한 잔류 자기(full remanence) 및 약 1500 Oe의 보자력을 가졌다.
이어서, 상기와 동일한 타입의 AF 결합된 구조물의 패터닝이 N+이온을 사용하여 수행되었다. 이 구조물의 10㎛*10㎛ 면적에 마이크로 크기의 연장 형상 홀(micro size oblong-shaped holes)을 갖는 Si 스텐실 마스크를 통해 6*1015N+이온/cm2의 도즈량을 방사하였다. 패터닝 후에, 상기 구조물은 먼저 한 방향으로 큰 자계(20 KOe)로 자화되었다. 이 자계 강도는 방사를 받지 않는 영역의 자화 배향을 정렬시키고 이 방사되지 않은 영역에서의 AF 결합 자계를 극복하기에 충분하기 때문에, 이 영역에서의 강자성 막의 자화 배향은 서로 평행하게 그리고 인가된 자계와도 평행하게 정렬된다. 인가된 자계가 제거되면, 방사를 받지 않은 영역의 두 강자성 막은 AF 결합된다. 다음에, 2 KOe의 자계가 다른 방향으로 인가되었다. 이 2 KOe 자계 강도는 방사되지 않은 영역의 AF 결합 자계보다는 작지만, 방사된 영역에서는 강자성 막들의 자화 방향을 이 막들이 강자성적으로 결합되도록 전환시키기에 충분하게 크다. 도 3은 패터닝된 구조물의 MFM(a magnetic force microscopy) 이미지이며, 여기서 연장 형상 영역은 방사된 영역이며, 이 영역에서는 구조물 내의 Ru 스페이서 막의 화학적 배열이 깨져서 이 연장 형상 영역에서의 강자성 막들은 강자성적으로 결합된다. 이 연장 형상 영역의 긴 에지 상의 명암 콘트래스트 라인(light and dark contrast line)은 방사되지 않은 AF 결합 영역의 상부(또는 하부) 강자성 막과 연장 형상의 방사된 영역의 강자성적으로 결합된 막 간의 자기 전이로부터 발생한 것이다.
디스크 상으로의, 자기 헤드가 위치할 높이에서의 자계 강도가 필수적으로 두 막(22,24)에 대해 동일하게 되는, 본 발명에 따른 기록 매체에서의 두 개의 비트 상태가 도 4a, 도 4b에 도시된다. 자기 전이 영역은 참조 부호(80,82)로 표시된다. 도 4a에서, 오직 상부 막 자기 상태(70-72, 72-74) 간의 전이만이 신호 S1에 기여하는데, 그 이유는 하부 막 자기 상태(71-73, 73-75)는 영역(80,82)에서 자기 전이를 가지지 않기 때문이다. 도 4b에서는, 오직 하부 막 자기 상태(71-73, 73-75) 간의 전이만이 신호 S2에 기여하는데, 그 이유는 상부 막 자기 상태(70-72, 72-74)는 영역(80,82)에서 자기 전이를 가지지 않기 때문이다. 도 4a에서, AF 결합된 비방사된 영역(70,74)의 상부 강자성 막(22)의 자화 배향은 강자성 결합된 방사 영역(72-73)에서의 자화 배향과 반대로 정렬되며, 이로써 신호 S1으로 표시된 바와 같은 통상적인 자계 프로파일을 생성한다. 이는 하나의 기록 상태 "1"을 나타낸다. 반대로, 다른 기록 상태 "0"은 강자성 결합 영역(72,73)의 보자력보다는 크지만 AF 결합된 영역에서의 상부 막 및 하부 막(70-71),(74-75) 간의 AF 결합 자계보다는 작은 자계를 인가함으로써 성취된다. 이러한 방식으로, 오직 강자성 결합 영역(72,73)만이 그의 자화 방향을 전환하여, 상부막(70,74)에 대해 평행하게 정렬시킨다. 이 결과가 바로 반전된 신호 S2이다. 전이 영역(80,82) 상에서 도시된 신호 S1(도 4a) 및 신호 S2(도 4b)은 전이로부터의 신호의 부호는 다르며, 진폭은 전이의 방향과 상관없이 동일함을 나타낸다. 이는 강자성 막(22,24) 각각이 헤드에서 검출되는 이 막들로부터 자계가 막(24)이 헤드로부터 보다 멀리 떨어져 있을 지라도 동일하도록 자기 모멘트를 가지기 때문이다.
층(20)이 실질적으로 제로인 순 자기 모멘트를 갖도록 Mr1t1과 Mr2t2이 동일한 경우의 다른 실시예가 사용된다면, S1 및 S2는 상이한 진폭을 가질 것이다. 이는 두 막(22,24)이 동일한 자기 모멘트를 가지지만, 막(24)이 헤드로부터 보다 멀리 떨어져 있기 때문이다. 이로써, 하부 막(24)에서의 전이로부터의 신호 S2는 신호 S1보다 작은 진폭을 가질 것이다.
본 발명은 상기 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 본 기술의 당업자에게는 형태 및 세부 사항에서 다양한 변경 및 수정 및 개선이 본 발명의 범위 내에서 가능할 것이다. 따라서, 개시된 본 발명은 단지 예시적으로 고려되어야 하며 첨부된청구 범위에서 명시된 바와 같은 범위 내로 한정된다.
Claims (13)
- 자기 기록 매체(10)에 있어서,기판(11)과,상기 기판(11) 상에서 제 1 강자성 막(22), 제 2 강자성 막(24), 상기 제 1 강자성 막(22) 및 상기 제 2 강자성 막(24) 간의 비강자성 막(26)을 포함하는 자기층(20)을 포함하며,상기 자기층(20)은 상기 제 1 강자성 막(22) 및 상기 제 2 강자성 막(24)이 상기 비자기성 막(26) 양단에서 반강자성적으로 결합되는 제 1 영역(52,54)과, 상기 제 1 강자성 막(22) 및 상기 제 2 강자성 막(24)이 강자성적으로 결합되는 제 2 영역(55)으로 패터닝되는자기 기록 매체.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역(52,54) 내의 상기 제 1 강자성 막(22)은 두께 t1 및 자화도 M1을 가지며, 상기 제 1 영역(52,54) 내의 상기 제 2 강자성 막(24)은 두께 t2 및 자화도 M2를 가지며, 단위 면적당 자기 모멘트(magnetic moment)(M2*t2)가 단위 면적당 자기 모멘트(M1*t1)보다 크며, 이로써 상기 제 1 영역(52,54)으로부터의 자계는 상기 자기층(20) 상으로 사전결정된 거리로 떨어진 곳에서 필수적으로 제로가되는자기 기록 매체.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 강자성 막(22) 및 제 2 강자성 막(24)은 실질적으로 동일한 물질로 형성되며, 상기 t2는 상기 t1보다 큰자기 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비강자성 막(26)은 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리(Cu) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 형성되는자기 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 강자성 막(22) 및 상기 제 2 강자성 막(24)은 Co, Fe, Ni 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 구성되는자기 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어는 한 항에 있어서,상기 제 1 강자성 막(22)은 필수적으로는 상기 제 1 강자성 막(22)과 상기 비강자성 막(26)의 계면에 위치한 코발트로 구성되는 계면 막을 포함하는자기 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 강자성 막(24)은 필수적으로는 상기 제 2 강자성 막(24)과 상기 비강자성 막(26)의 계면에 위치한 코발트로 구성되는 계면 막을 포함하는자기 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판(11)과 상기 자기층(20) 간에서 상기 기판(11) 상에 위치하는 비강자성 하부층(13)을 더 포함하는자기 기록 매체.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 자기층(20) 상에 형성되는 보호성 오버코트층을 포함하는자기 기록 매체.
- 패터닝된 자기 기록 매체를 제조하는 방법에 있어서,기판(11)을 제공하는 단계와,상기 기판(11) 상에 제 1 강자성 막(24)을 증착하는 단계와,상기 제 1 강자성 막(24) 상에 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리(Cu) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 형성되며 사전결정된 두께를 갖는 비강자성 스페이서 막(26)을 증착하는 단계와,상기 스페이서 막(26) 상에 제 2 강자성 막(22)을 증착하는 단계━상기 제 2 강자성 막(22)은 상기 스페이서 막(26)이 상기 선택된 물질과 선택된 두께로 구성됨으로써 상기 제 1 강자성 막(24)에 대해 반강자성적으로 교환 결합됨━와,패터닝된 마스크(26)를 통하는 방향으로 이온(62)을 상기 강자성 막들(22,24) 및 상기 스페이서 막(26)에 방사하는 단계━상기 이온(62)은 상기 스페이서 막(26)의 화학적 배열을 실질적으로 깨뜨려 이로써 상기 제 1 강자성 막(24)과 상기 제 2 강자성 막(22) 간의 상기 반강자성 결합을 파괴함으로써 상기 제 1 및 제 2 강자성 막들(22,24)은 상기 이온 방사된 영역에서는 강자성적으로 결합됨━를 포함하는자기 기록 매체 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 패터닝된 마스크를 통해 이온(62)을 방사하는 단계는 패터닝된 비컨택트 마스크(60)를 통해 이온을 방사하는 단계를 포함하는자기 기록 매체 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 패터닝된 마스크를 통해 이온을 방사하는 단계는 상기 자기 막(20) 상에 포토레지스터 물질 층을 증착하는 단계와, 상기 포토레지스트 층 내에 개구를 규정하도록 상기 포토레지스트 층을 패터닝하는 단계와, 상기 포토레지스트 층 내의 상기 개구를 통해 이온을 상기 자기 막(20)에 방사하는 단계를 포함하는자기 기록 매체 제조 방법.
- 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이온 방사 단계는 N, He, Ar, Ne, Kr, Xe의 이온들로 구성된 그룹으로부터 선택된 이온을 방사하는 단계를 포함하는자기 기록 매체 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/602,609 US6391430B1 (en) | 2000-06-21 | 2000-06-21 | Patterned magnetic recording media with discrete magnetic regions separated by regions of antiferromagnetically coupled films |
| US09/602,609 | 2000-06-21 | ||
| PCT/GB2001/002445 WO2001099100A1 (en) | 2000-06-21 | 2001-06-01 | Magnetic recording medium and method for fabricating a magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030010707A true KR20030010707A (ko) | 2003-02-05 |
| KR100488034B1 KR100488034B1 (ko) | 2005-05-06 |
Family
ID=24412044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-7017003A KR100488034B1 (ko) | 2000-06-21 | 2001-06-01 | 자기 기록 매체 및 그 제조 방법 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6391430B1 (ko) |
| EP (1) | EP1297526B1 (ko) |
| JP (1) | JP3706103B2 (ko) |
| KR (1) | KR100488034B1 (ko) |
| CN (1) | CN1217320C (ko) |
| AU (1) | AU2001260493A1 (ko) |
| CA (1) | CA2392487A1 (ko) |
| DE (1) | DE60113841T2 (ko) |
| MY (1) | MY127088A (ko) |
| TW (1) | TW508571B (ko) |
| WO (1) | WO2001099100A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445741B1 (ko) * | 2000-06-21 | 2004-08-25 | 히다치 글로벌 스토리지 테크놀로지스 네덜란드 비.브이. | 이온 조사에 의해 비자성이 부여된 영역을 갖는 패터닝된 자기 기록 매체 |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001076330A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US6737172B1 (en) * | 2000-12-07 | 2004-05-18 | Seagate Technology Llc | Multi-layered anti-ferromagnetically coupled magnetic media |
| US7166375B2 (en) * | 2000-12-28 | 2007-01-23 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium utilizing a multi-layered soft magnetic underlayer, method of producing the same and magnetic recording and reproducing device |
| US20070111035A1 (en) * | 2000-12-28 | 2007-05-17 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of producing the same and magnetic recording and reproducing device |
| JP2002367165A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 高密度磁気記録媒体に対する磁気転写方法 |
| WO2003036626A1 (en) * | 2001-10-22 | 2003-05-01 | Klemmer Timothy J | Magnetic films having magnetic and non-magnetic regions and method of producing such films by ion irradiation |
| WO2004001725A1 (en) * | 2002-06-21 | 2003-12-31 | Seagate Technology Llc | Multilayer magnetic recording media |
| WO2004003945A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Seagate Technology Llc | Increased packing density in self-organized magnetic array |
| US6999279B2 (en) * | 2002-10-29 | 2006-02-14 | Imation Corp. | Perpendicular patterned magnetic media |
| US7183120B2 (en) * | 2002-10-31 | 2007-02-27 | Honeywell International Inc. | Etch-stop material for improved manufacture of magnetic devices |
| US6878460B1 (en) | 2002-11-07 | 2005-04-12 | Seagate Technology Llc | Thin-film magnetic recording media with dual intermediate layer structure for increased coercivity |
| US7050251B2 (en) * | 2003-06-25 | 2006-05-23 | Imation Corp. | Encoding techniques for patterned magnetic media |
| JP2005085338A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体、磁気記憶装置、及び記録方法 |
| US7611911B2 (en) * | 2003-10-08 | 2009-11-03 | International Business Machines Corporation | Method and system for patterning of magnetic thin films using gaseous transformation to transform a magnetic portion to a non-magnetic portion |
| US7102839B2 (en) * | 2003-10-31 | 2006-09-05 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording channel utilizing control fields for timing recovery, equalization, amplitude and amplitude asymmetry |
| US6882488B1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-04-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for magnetic recording on patterned multilevel perpendicular media using variable write current |
| US6865044B1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-03-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for magnetic recording on patterned multilevel perpendicular media using thermal assistance and fixed write current |
| US6947235B2 (en) * | 2003-12-03 | 2005-09-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Patterned multilevel perpendicular magnetic recording media |
| US6906879B1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording system with patterned multilevel perpendicular magnetic recording |
| US7158346B2 (en) * | 2003-12-23 | 2007-01-02 | Seagate Technology Llc | Heat assisted magnetic recording film including superparamagnetic nanoparticles dispersed in an antiferromagnetic or ferrimagnetic matrix |
| JP4263133B2 (ja) * | 2004-04-12 | 2009-05-13 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| US7927724B2 (en) * | 2004-05-28 | 2011-04-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording media with orthogonal anisotropy enhancement or bias layer |
| US20060228586A1 (en) * | 2005-04-06 | 2006-10-12 | Seagate Technology Llc | Ferromagnetically coupled magnetic recording media |
| JP2006331578A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
| US7713591B2 (en) * | 2005-08-22 | 2010-05-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Longitudinal patterned media with circumferential anisotropy for ultra-high density magnetic recording |
| US7876529B1 (en) * | 2005-11-03 | 2011-01-25 | Seagate Technology Llc | Recording disk with antiferromagnetically coupled multilayer ferromagnetic island disposed in trench between discrete tracks |
| TWI303443B (en) * | 2006-01-18 | 2008-11-21 | Ind Tech Res Inst | Fabricating method of magnetoresistance multi-layer |
| US7488545B2 (en) * | 2006-04-12 | 2009-02-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with laminated recording layers formed of exchange-coupled ferromagnetic layers |
| US8673466B2 (en) | 2006-09-25 | 2014-03-18 | Seagate Technology Llc | CoPtCr-based bit patterned magnetic media |
| US20080085424A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-10 | Seagate Technology Llc | Single-pass recording of multilevel patterned media |
| US7704614B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-04-27 | Seagate Technology Llc | Process for fabricating patterned magnetic recording media |
| JP5242109B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-07-24 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録装置 |
| FR2924261A1 (fr) * | 2007-11-26 | 2009-05-29 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement magnetique |
| US8535766B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions |
| US20090199768A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Steven Verhaverbeke | Magnetic domain patterning using plasma ion implantation |
| US8551578B2 (en) * | 2008-02-12 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation |
| US20090201722A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Kamesh Giridhar | Method including magnetic domain patterning using plasma ion implantation for mram fabrication |
| JP5117895B2 (ja) | 2008-03-17 | 2013-01-16 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP4968591B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2012-07-04 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US8107194B2 (en) | 2008-09-24 | 2012-01-31 | International Business Machines Corporation | Writing and reading multi-layer continuous magnetic recording media |
| US7911739B2 (en) * | 2008-09-25 | 2011-03-22 | International Business Machines Corporation | Writing and reading multi-level patterned magnetic recording media |
| US8228636B2 (en) * | 2008-10-30 | 2012-07-24 | The Regents Of The University Of California | Apparatus, system and method for magnetic recording |
| JP2010170600A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Hoya Corp | 磁気記録媒体 |
| US8031425B2 (en) * | 2009-11-10 | 2011-10-04 | International Business Machines Corporation | Writing and reading multi-layer continuous magnetic recording media, with more than two recording layers |
| US8085502B2 (en) * | 2009-11-10 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Writing and reading multi-level patterned magnetic recording media, with more than two recording levels |
| US8435399B2 (en) * | 2010-01-11 | 2013-05-07 | Seagate Technology Llc | Formation of patterned media by selective anodic removal followed by targeted trench backfill |
| TWI595691B (zh) * | 2010-07-28 | 2017-08-11 | 應用材料股份有限公司 | 用於磁性媒材圖案化之阻劑強化 |
| JP5214691B2 (ja) | 2010-09-17 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ及びその製造方法 |
| US20120308847A1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Seagate Technology, Llc | Method for fabricating high contrast stacks |
| JP5535161B2 (ja) | 2011-09-20 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
| US20140093747A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic recording medium with anti-ferromagnetically coupled magnetic layers |
| US9653104B2 (en) | 2012-11-16 | 2017-05-16 | University Of Houston | System and method for selectively removing atoms and uses thereof |
| CN103308671B (zh) * | 2013-05-22 | 2016-02-03 | 北京康彻思坦生物技术有限公司 | 一种检测膜及检测*** |
| US9123879B2 (en) | 2013-09-09 | 2015-09-01 | Masahiko Nakayama | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
| US9368717B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element and method for manufacturing the same |
| US9385304B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-07-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory and method of manufacturing the same |
| US9231196B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-01-05 | Kuniaki SUGIURA | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
| CN104167275B (zh) * | 2014-07-25 | 2016-08-17 | 同济大学 | 一种柔性磁薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5147732A (en) * | 1988-09-28 | 1992-09-15 | Hitachi, Ltd. | Longitudinal magnetic recording media and magnetic memory units |
| US5768075A (en) | 1991-12-17 | 1998-06-16 | Baradun R&D Ltd. | Disk medium w/magnetically filled features aligned in rows and columns |
| US5587223A (en) | 1992-10-19 | 1996-12-24 | Board Of Trustees Leland Stanford, Jr. University | High density magnetic information storage medium |
| US5408377A (en) | 1993-10-15 | 1995-04-18 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic sensing layer and magnetic recording system using the sensor |
| US5465185A (en) | 1993-10-15 | 1995-11-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive spin valve sensor with improved pinned ferromagnetic layer and magnetic recording system using the sensor |
| US5820769A (en) | 1995-05-24 | 1998-10-13 | Regents Of The University Of Minnesota | Method for making magnetic storage having discrete elements with quantized magnetic moments |
| US5756236A (en) * | 1997-01-29 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Fabrication of high resolution aluminum ablation masks |
| US6077586A (en) * | 1997-07-15 | 2000-06-20 | International Business Machines Corporation | Laminated thin film disk for longitudinal recording |
| EP0994465B1 (en) * | 1998-10-12 | 2003-01-08 | International Business Machines Corporation | Patterning of the magnetic structure of magnetic media |
| JP2001076330A (ja) | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US6280813B1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-08-28 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording media with antiferromagnetically coupled ferromagnetic films as the recording layer |
-
2000
- 2000-06-21 US US09/602,609 patent/US6391430B1/en not_active Ceased
-
2001
- 2001-06-01 AU AU2001260493A patent/AU2001260493A1/en not_active Abandoned
- 2001-06-01 CN CN018115500A patent/CN1217320C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-01 CA CA002392487A patent/CA2392487A1/en not_active Abandoned
- 2001-06-01 KR KR10-2002-7017003A patent/KR100488034B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-06-01 EP EP01934189A patent/EP1297526B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-01 DE DE60113841T patent/DE60113841T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-01 WO PCT/GB2001/002445 patent/WO2001099100A1/en active IP Right Grant
- 2001-06-01 JP JP2002503864A patent/JP3706103B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-14 MY MYPI20012791 patent/MY127088A/en unknown
- 2001-06-18 TW TW090114723A patent/TW508571B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-07-29 US US10/630,818 patent/USRE40726E1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445741B1 (ko) * | 2000-06-21 | 2004-08-25 | 히다치 글로벌 스토리지 테크놀로지스 네덜란드 비.브이. | 이온 조사에 의해 비자성이 부여된 영역을 갖는 패터닝된 자기 기록 매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW508571B (en) | 2002-11-01 |
| AU2001260493A1 (en) | 2002-01-02 |
| JP2003536199A (ja) | 2003-12-02 |
| CN1437748A (zh) | 2003-08-20 |
| EP1297526A1 (en) | 2003-04-02 |
| MY127088A (en) | 2006-11-30 |
| DE60113841T2 (de) | 2006-06-22 |
| EP1297526B1 (en) | 2005-10-05 |
| US6391430B1 (en) | 2002-05-21 |
| CN1217320C (zh) | 2005-08-31 |
| USRE40726E1 (en) | 2009-06-09 |
| DE60113841D1 (de) | 2005-11-10 |
| CA2392487A1 (en) | 2001-12-27 |
| JP3706103B2 (ja) | 2005-10-12 |
| KR100488034B1 (ko) | 2005-05-06 |
| WO2001099100A1 (en) | 2001-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100488034B1 (ko) | 자기 기록 매체 및 그 제조 방법 | |
| KR100470772B1 (ko) | 이온 조사에 의해 패터닝된 자성 비트 영역을 갖는 자기 기록 매체 | |
| JP4469774B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録装置 | |
| US6331364B1 (en) | Patterned magnetic recording media containing chemically-ordered FePt of CoPt | |
| US6881495B2 (en) | Magnetic recording medium including functional and recording layers orthogonally exchange coupled | |
| US8795790B2 (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording medium manufacturing method | |
| US7141317B2 (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
| US7846565B2 (en) | Perpendicular magnetic recording disk drive with patterned disk having capping layer for suppression of surface diffusion of trench material | |
| KR100445741B1 (ko) | 이온 조사에 의해 비자성이 부여된 영역을 갖는 패터닝된 자기 기록 매체 | |
| US7586830B2 (en) | Magnetic recording medium and manufacturing method therefor | |
| US20070026265A1 (en) | Patterned substrate having patterns of protrusions and recesses, method of manufacturing the same, magnetic recording media, and magnetic recording apparatus | |
| JP4968591B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP4381444B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録装置 | |
| KR20020084220A (ko) | 자기 기록 매체 | |
| JP2002151757A (ja) | 薄膜磁気素子及びその製造方法 | |
| US20070002481A1 (en) | Magnetic recording apparatus | |
| WO2010125950A1 (ja) | 磁気記録媒体、情報記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP5245734B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2002092839A (ja) | 磁気記録媒体及びそれを備える磁気記録装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090417 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |