KR20030006972A - 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법 - Google Patents

Abstract

반도체 소자를 제조하는 반도체 제조 장치의 구성 부재를 세정하기 위한 초음파 세정 방법에 있어서, 블라스트재에 의해 블라스트 처리한 상기 반도체 제조 장치의 구성 부재의 표면을 용존 가스 농도가 10 ppm 이하의 탈기된 세정수를 사용하고, 또한 초음파를 발신하는 초음파 발신 장치의 초음파 출력을 50 W 이상으로 하여 초음파 세정한다. 피세정물인 반도체 제조 장치 구성 부재를 세정수 속에서 요동시키면 좋다. 또한, 세정수를 세정조로부터 오버 플로우시키면서 세정을 행하면 좋다. 또한, 초음파에 주파수 변조를 가하면 좋다. 또, 전처리로서 피세정물에 에칭 처리나 전해 탈지 처리를 가하면 좋다. 피세정물인 반도체 제조 장치 구성 부재의 표면에 잔류하는 블라스트 처리의 잔류 블라스트재를 효율적으로 세정 제거하여 반도체 소자의 수율을 향상시키는 것이 가능하다.

Description

반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법 {ULTRASONIC CLEANING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 제조 장치의 세정에 관한 것으로, 특히 스패터 장치 구성 부재의 초음파 세정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 블라스트재에 의해 블라스트 처리한 구성 부재의 표면을 초음파 세정하는 방법에 관한 것이다.

반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 반도체 소자의 수율 향상을 실현하기 위해, 반도체 웨이퍼의 세정이 행해지고 있다. 또한, 반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 제조 장치(예를 들어 스패터 장치 등)에 대해, 그 구성 부재를 세정하여 반도체 제조 장치로부터의 발진을 방지하는 것이 행해지고 있다. 이들 세정 공정에 있어서, 일반적인 방법으로서 상기 부재를 순수(純水) 속에 침지한 상태에서 초음파를 부여하는 초음파 세정 방법이 취해지고 있다. 초음파 세정이라 함은 세정수에 전달한 초음파에 의해 발생하는 캐비테이션 등의 작용에 의해, 표면에 부착된 이물질을 제거하는 방법이다.

특히 최근에는, 초음파의 캐비테이션 효과(상세하게는, 초음파에 의한 캐비테이션의 발생 및 파열에 의한 충격파의 강약)와 세정액 속의 용존 산소량(용존 가스량)이 깊이 관련되어 있는 것이 명백해져 왔다. 즉, 용존 가스 농도를 억제하면 캐비테이션 효과가 높아지고, 이물질의 세정 능력이 높아지는 효과가 있다. 예를 들어 일본 특허 공개2000-77376호 공보에는, 세정수 내의 기체의 용해도를 저하시켜 반도체 웨이퍼를 초음파 세정함으로써 세정 능력이 상승하는 것이 기재되어 있다.

또한, 예를 들어 일본 특허 공개 평7-31942호 공보에는 복잡한 표면 구조를 갖는 공작물의 표면에 부착되어 있는 유분, 플럭스 등의 이물질이나 버어를 용이하게 제거할 수 있는 초음파 세정 방법이 기재되어 있다. 본 방법에서는 밀폐된 세정조 내의 중공에 공작물을 보유 지지하여 소정 기압으로 감압하고, 복잡한 표면 구조를 갖는 공작물의 좁은 간극 부분에 저류되는 이물질을 공작물 표면으로 취출하고 나서, 공작물을 탈기된 세정액 속에 침지한 상태에서, 세정액 속에 초음파를 방사하여 공작물을 세정한다. 이와 같은 세정 방법에서는 초음파 세정에 의해 용이하게 이물질을 제거할 수 있는 동시에, 세정조의 내압을 제어함으로써, 피세정물의 강도에 따른 세정이 가능하며, 피세정물을 파괴하는 일 없이 표면에 부착된 이물질을 제거하는 것이 가능해진다.

이상과 같이, 반도체 소자의 제조 공정에 있어서 반도체 웨이퍼를 탈기된 세정수를 이용하여 초음파 세정하거나, 반도체 제조 장치를 구성하고 있는 부재를 초음파 세정하거나 함으로써, 웨이퍼 상의 이물질을 제거하여 반도체 소자의 수율을 상승시켰다.

그런데, 특히 시스템 LSI이나 DRAM과 같이 다층 배선 구조를 갖는 반도체 소자에 있어서는, 층간 전기적 접속에 텅스텐 플러그가 사용된다. 텅스텐 플러그는 TiN 등의 배리어 메탈에 포위되어 있는 것이 바람직하다. 따라서, 텅스텐 플러그의 형성에 앞서서, TiN에 의한 배리어 메탈막을 스패터 장치를 이용하여 성막한다.

이 스패터 장치에 의한 TiN의 성막 공정에서는 스패터 장치에 있어서의 타겟과 웨이퍼 사이에 고전압을 인가하기 위해, 타겟이나 실드에 부착된 이물질이나 침전 피막이 박리되어 반도체 소자의 수율을 저하시키는 등의 문제가 발생하고 있다. 데포막 박리 방지를 위해 타겟 측면이나 실드에는 블라스트 처리가 실시되고 있지만, 최근 이 때에 이용하는 블라스트재가 잔류하여, 이 잔류 블라스트재가 박리되어 있는 것을 알 수 있으며, 잔류 블라스트재의 제거가 급한 과제가 되어 오고 있다.

현재, 이 블라스트재를 제거하는 일반적인 세정 방법으로서는 전술한 바와 같이, 부재를 순수 속에 침지한 상태에서 초음파를 부여하는 방법이 도입되고 있으나 충분하지는 않으며, 상기 잔류 블라스트재를 효율적으로 제거하는 방법은 없었다. 또한, 스패터 장치를 구성하는 타겟이나 실드 부재를 세정할 때에, 전술한 탈기된 세정수를 이용하여 초음파 세정하는 방법을 적용한 예는 없으며, 블라스트 처리된 상기 부재에 있어서의 유효성이나 세정 조건에 대해서는 전혀 언급되지 않았다.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로, 블라스트재에 의해 블라스트 처리한 스패터 장치의 구성 부재의 표면에 잔류하는 잔류 블라스트재를 효율적으로 세정 제거하여, 반도체 소자의 수율을 향상시키는 것이 가능한 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면.

도2는 본 발명의 제1 실시 형태의 초음파 세정 방법에 의한 채취 먼지량과 종래의 초음파 세정 방법에 의한 채취 먼지량을 비교한 도면.

도3은 본 발명의 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에 관한 탈기수 초음파 세정에 대해, 초음파 출력과 채취 먼지량과의 관계를 도시한 도면.

도4는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 탈기수 초음파 세정에 대해, 세정액 속의 용존 가스 농도와 채취 먼지량과의 관계를 도시한 도면.

도5는 본 발명의 제1 실시 형태의 초음파 세정 방법에 의해 스패터 장치의 구성 부재를 세정한 경우에 대해, 제조한 시스템 LSI의 수율을 조사한 결과를 도시한 도면.

도6은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면.

도7은 본 발명의 제2 실시 형태의 초음파 세정 방법에 의한 채취 먼지량을 제1 실시 형태의 초음파 세정 방법에 의한 채취 먼지량을 비교하여 도시한 도면.

도8은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면.

도9는 본 발명의 제6 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면.

도10은 본 발명의 제7 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면.

도11은 본 발명의 제10 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 케이스

2 : 탈기수 제조 장치

3 : 세정수(탈기수)

4, 16 : 초음파 진동자

5 : 배관

6 : 에칭조

7 : 피세정물

8 : 요동 장치

9 : 에칭액

12 : 전해조

13 : 전해 탈지액

14 : 전극 부재

15 : 플러스 전극

17 : 배관

18 : 샤워조

19 : 샤워 배관

20 : 탈기수 초음파 세정조

이들 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 스패터 장치 구성 부재의 블라스트 처리가 끝난 표면을 세정하기 위한 것으로서, 상기 구성 부재를 침지하는 탈기 세정수로서, 용존 가스 농도가 l0 ppm 이하의 탈기된 세정수를 사용하고, 또한 초음파를 발신하는 초음파 발신 장치의 초음파 출력을 50 W 이상으로 한 것이다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 초음파 세정 방법에 있어서 탈기된 세정수를 오버 플로우시키면서 초음파 세정을 행하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 초음파 세정 방법에 있어서 구성 부재를 요동시키면서 초음파 세정을 행하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 초음파 세정 방법에 있어서 초음파에 FM 변조를 가하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 초음파 세정 전에 상기 구성 부재를 에칭액에 침지하여 에칭 처리를 행하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 에칭 처리에 있어서 에칭액에 초음파를 가하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 에칭 처리에 있어서 에칭액을 오버 플로우시키면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 에칭 처리에 있어서 세정 대상의 구성 부재를 요동시키면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 에칭처리에 있어서 초음파에 FM 변조를 가하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 초음파 세정 전에 상기 구성 부재를 액에 침지하여, 구성 부재의 표면으로부터 가스를 발생시키는 전처리를 행하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 전처리에 있어서 전처리액에 초음파를 가하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 전처리에 있어서 전처리액을 오버 플로우시키면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 전처리에 있어서 세정 대상의 구성 부재를 요동시키면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 상기 전처리에 있어서 초음파에 FM 변조를 가하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 초음파 세정 전에 세정 대상의 구성 부재에 에칭액을 샤워형으로 방사하면 좋다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법에 따르면, 에칭액을 샤워형으로 방사할 때에 세정 대상 구성 부재를 요동시키면 좋다.

이상과 같이, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 반도체 소자를 제조하는 반도체 제조 장치가 스패터 장치이며, 블라스트재에 의해 블라스트 처리한 상기 반도체 제조 장치의 구성 부재의 표면을 초음파 세정할 때에, 상기 구성 부재를 침지하는 세정수로서, 용존 가스 농도가 10 ppm 이하의 탈기된 세정수를사용하고, 또한 초음파를 발신하는 초음파 발신 장치의 초음파 출력을 50 W 이상으로 했으므로, 초음파의 캐비테이션 효과를 높여, 탈기하지 않은 물에서는 제거 불가능했던 구성 부재 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 제거할 수 있어, 반도체 소자 상의 이물질 수를 저감할 수 있고, 또한 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 초음파 세정 방법에 있어서, 탈기된 세정수(탈기수)를 오버 플로우시키면서 초음파 세정을 행하므로, 구성 부재 표면의 탈기수가 오버 플로우에 의해 항상 교환되므로, 초음파에 의한 캐비테이션 효과를 저하시키는 일 없이 잔류 블라스트재를 제거하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 초음파 세정 방법에 있어서, 구성 부재를 요동시키면서 초음파 세정을 행하므로, 초음파의 효과를 높일 수 있고, 구성 부재 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 제거하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 초음파 세정 방법에 있어서, FM 변조를 행하면서 탈기된 세정수에 초음파를 가하므로, 초음파의 효과를 높일 수 있어, 구성 부재 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 제거하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 초음파 세정 방법에 있어서, 블라스트재에 의해 블라스트 처리한 반도체 제조 장치 구성 부재의 표면을 탈기된 세정수에 의해 초음파 세정하기 전에, 에칭액으로 에칭하는 전처리공정을 구비했으므로, 블라스트 처리에 의해 구성 부재 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 효율적으로 제거하는 것이 가능해진다. 그 결과, 반도체 소자 상의 이물질 수를 대폭으로 저감할 수 있고, 또한 수율을 보다 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 전처리 공정에 의해 에칭을 행할 때에, 에칭액에 초음파를 가하므로, 구성 부재로의 어택력을 높여, 파묻힌 잔류 블라스트재와 구성 부재와의 계면 간극을 확대시키므로, 상기 잔류 블라스트재가 쉽게 제거된다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 전처리 공정에 의해 에칭을 행할 때에, 에칭액을 오버 플로우시키므로, 항상 구성 부재 표면의 에칭액이 교환되어 에칭의 활성력 저하가 방지되므로, 파묻힌 잔류 블라스트재와 구성 부재와의 계면 간극이 확대되어, 상기 잔류 블라스트재가 쉽게 제거된다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 전처리 공정에 의해 에칭을 행할 때에, 구성 부재를 요동시키므로, 항상 구성 부재 표면의 에칭액이 교환되어 에칭의 활성력 저하가 방지되므로, 파묻힌 잔류 블라스트재와 구성 부재와의 계면 간극이 확대되어, 상기 잔류 블라스트재가 쉽게 제거된다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 전처리 공정에 의해 에칭을 행할 때에, FM 변조를 행하면서 에칭액에 초음파를 가하므로, 항상 구성 부재 표면의 에칭액이 교환되어 에칭의 활성력 저하가 방지되므로, 파묻힌 잔류 블라스트재와 구성 부재와의 계면 간극이 확대되어, 상기 잔류 블라스트재가 쉽게 제거된다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 초음파 세정 방법에 있어서, 블라스트재에 의해 블라스트 처리한 반도체 제조 장치의 구성 부재의 표면을 탈기된 세정수에 의해 초음파 세정하기 전에, 상기 구성 부재를 액에 침지하여 구성 부재의 표면으로부터 가스를 발생시키는 처리를 행하는 전처리 공정을 구비하였으므로, 상기 가스의 힘에 의해 블라스트 처리에 의해 구성 부재 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재가 쉽게 박리되어, 상기 잔류 블라스트재를 효율적으로 제거하는 것이 가능해진다. 그 결과, 반도체 소자 상의 이물질 수를 대폭 저감할 수 있고, 또한 수율을 보다 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 전처리 공정에 의해 처리를 행할 때에, 상기 처리에 이용하는 전처리액에 초음파를 가하므로, 구성 부재로의 어택력을 높여, 구성 부재 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재가 쉽게 박리되어, 상기 잔류 블라스트재를 효율적으로 제거하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 전처리 공정에 의해 처리를 행할 때에, 상기 처리에 이용하는 전처리액을 오버 플로우시키므로, 항상 구성 부재 표면의 전처리액이 교환되어, 구성 부재 표면으로부터의 가스 발생 저하가 방지되므로, 잔류 블라스트재가 쉽게 제거된다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 전처리 공정에 의해 처리를 행할 때에, 구성 부재를 요동시키므로, 항상 구성 부재 표면의 전처리액이 교환되어, 구성 부재 표면으로부터의 가스 발생 저하가 방지되므로, 잔류 블라스트재가 쉽게 제거된다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 전처리 공정에 의해 처리를 행할 때에, FM 변조를 행하면서 상기 처리에 이용하는 전처리액에 초음파를 가하므로, 항상 구성 부재 표면의 전처리액이 교환되어, 구성 부재 표면으로부터의 가스의 발생 저하가 방지되므로, 잔류 블라스트재가 쉽게 제거된다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 초음파 세정 방법에 있어서, 블라스트재에 의해 블라스트 처리한 반도체 제조 장치의 구성 부재 표면을 탈기된 세정수에 의해 초음파 세정하기 전에, 상기 구성 부재의 표면을 향해 에칭액을 샤워형으로 방사하는 전처리 공정을 구비하였으므로, 블라스트 처리에 의해 구성 부재 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 효율적으로 제거하는 것이 가능해진다. 그 결과, 반도체 소자 상의 이물질 수를 대폭으로 저감할 수 있고, 또한 수율을 보다 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법은 상기 전처리 공정에 의해 에칭액을 샤워형으로 방사할 때에, 구성 부재를 요동시키므로, 항상 구성 부재 표면의 에칭액이 교환되어, 에칭의 활성력 저하가 방지되므로, 파묻힌 잔류 블라스트재와 구성 부재와의 계면 간극이 확대되어, 상기 잔류 블라스트재가 쉽게 제거된다.

본 발명의 이들의 특징 및 효과, 및 또 다른 특징과 효과가, 이하의 설명 및 첨부한 도면에 의해 보다 명백해질 것이다.

<제1 실시 형태>

이하, 본 발명의 제1 실시 형태를 도면을 이용하여 설명한다. 도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면이다. 도면에 있어서, 부호 20은 탈기수 초음파 세정조, 부호 2는 탈기수 제조 장치, 부호 3은 탈기시킨 세정수(탈기수)이며, 부호 7은 피세정물이다. 도1에 도시한 바와 같이, 초음파 세정조(20)는 탈기수 제조 장치(2)에서 만들어진 탈기수(3)로 충족되어 있고, 예를 들어 스패터링 장치의 프로세스 챔버 속에서 사용되는 타겟이나 실드 등의 피세정물(7)이 탈기수(3)에 침지되어 있다. 물론, 프로세스 챔버 이외의 구성 부재를 본 제1 실시 형태에서 도시한 세정 방법으로 세정해도 상관없다. 탈기수(3)의 온도는 피세정물이 변형되거나, 파괴되지 않을 정도의 온도가 좋고, 25도 정도의 상온이 좋다.

또 도1에 있어서, 부호 4는 피세정물의 표면에 부착된 이물질을 제거하기 위해 필요한 초음파를 발신하는 초음파 진동자이다. 부호 5는 탈기수를 탈기수 제조 장치(2)로부터 세정층(20)으로 공급하기 위한 배관이다. 탈기수 제조 장치(2)에서 만들어진 탈기수를 배관(5)으로부터 공급하고, 과잉 탈기수를 공급하여 도1에 화살표 F로 나타낸 바와 같이 탈기수를 초음파 세정조(20)로부터 흘러 넘치게 함으로써, 피세정물(7) 주위의 탈기수가 교환되어, 세정조(20) 내의 탈기수의 용존 가스 농도가 증가하는 일 없이 일정하게 유지된다. 또, 부호 8은 피세정물(7)을 도1에 화살표 S로 나타낸 바와 같이 세정조(20) 내에서 요동하기 위한 장치이다.

본 실시 형태에 있어서는, 이와 같은 탈기수 초음파 세정 장치를 이용하여, 스패터 장치를 구성하는 타겟이나 실드 부재 등의 구성 부재를 세정한다.

본 실시 형태의 효과를 확인하기 위해, 면적 50 ㎟, 두께 3 ㎜의 Ti판을 피세정물(7)로서 이용하여 실험을 행하였다. Ti판의 재질은 스패터 장치로 사용하는 Ti 타겟과 같게 하고, 그 편면에 SiC#24의 블라스트 처리를 실시한 것을 사용했다. 초음파 출력은 1.2 ㎾로 하고, 세정 시간은 10분으로 하였다. 채취 먼지량의 측정은 세정액을 0.2 ㎛ 내지 1 ㎛의 여과지로 여과하여, 그 중량을 측정함으로써 행하였다. 또, 여기서는 초음파 세정할 때에, 세정수(3)는 오버 플로우시키지 않았다.

도2에, (1) 탈기되어 있지 않은 순수를 사용하는 종래 기술의 세정 방법, (2) 탈기수를 사용하는 본 실시 형태의 세정 방법, (3) 탈기수를 사용하고, 또 초음파 세정시에 피세정물(7)을 장치(8)에 의해 요동시키는 본 실시 형태의 세정 방법, 및 (4) 탈기수를 사용하고, 또 초음파 세정시에 초음파에 주파수 변조를 가하는 본 실시 형태의 세정 방법의 4개의 초음파 세정 방법에 대해 채취 먼지량을 도시한다.

도2로부터 알 수 있는 바와 같이, 탈기수 초음파 세정은 탈기되지 않은 통상의 순수 초음파 세정에 비해 약 2배의 세정 능력이 있는 것을 알 수 있다. 또, 탈기수 초음파 세정을 하면서 피세정물(7)을 요동시키면, 또 세정 능력이 향상되는 것을 알 수 있다. 마찬가지로, 탈기수 초음파 세정에 있어서 초음파에 FM 변조를 가하면, 세정 능력이 향상되는 것을 알 수 있다. 이 도면에서는 도시하지 않았지만, 탈기수 초음파 세정을 행하면서 피세정물(7)의 요동과 초음파의 FM 변조를 동시에 가하면, 더욱 세정 능력이 향상되는 효과가 있다.

이상으로부터, 블라스트재에 의해 블라스트 처리한 구성 부재의 표면을 탈기된 세정수를 이용하여 초음파 세정하면, 통상의 순수 초음파 세정으로는 제거할 수없는, 피세정물에 부착된 블라스트재를 제거할 수 있다.

또, 블라스트재가 알루미나일지라도, 또한 그 사이즈가 다르더라도, 마찬가지인 제거 효과를 발휘하는 것은 물론이다.

또한, 상술한 실험에 있어서는 탈기수를 오버 플로우시키지 않았지만, 탈기수 초음파 세정시에, 탈기수(3)를 세정조(20)로부터 흘러 넘치게 하면 세정 능력은 더욱 향상된다. 예를 들어, 탈기수를 오버 플로우시키면서 초음파 세정을 행하면, 탈기수 초음파 세정 ＋ 요동, 또는 탈기수 초음파 세정 ＋ FM 변조한 것과 동등한 세정 효과를 볼 수 있다. 또 탈기수(3)를 오버 플로우시키면서, 탈기수 초음파 세정 ＋ 요동 및/또는 탈기수 초음파 세정 ＋ FM 변조를 행하면, 또 다른 세정 효과를 얻을 수 있다.

다음에, 탈기수 초음파 세정의 세정 조건에 대해, 도3 및 도4를 이용하여 설명한다. 도3의 흰 원으로 나타낸 곡선(L1)은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 탈기수 초음파 세정[탈기수 초음파 세정(요동 없음)만]에 있어서의 초음파 출력과 채취 먼지량과의 관계를 나타낸 도면이다. 샘플로는, 면적 50 ㎟, 두께 3 ㎜의, Ti 타겟과 동일한 재질의 Ti판을 사용하고, 그 편면에 SiC#24의 블라스트 처리를 실시한 것을 사용했다. 세정 시간은 10분으로 하였다. 초음파 출력은 0 내지 2.4 ㎾의 범위로 했다. 도3의 곡선(L1)으로부터, 초음파 출력의 증가와 함께 세정 능력이 향상되고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 초음파의 출력이 작을 때, 초음파 세정의 효과는 안정적이지는 않지만, 초음파 출력이 0.05 ㎾ 이상이 되면, 안정되어 있는 일정 이상의 세정 효과를 발휘할 수 있는 것을 알 수 있다. 또, 이미 도2에서설명한 바와 같이, 탈기되어 있지 않은 세정수를 이용하여, 출력 1.2 ㎾에서 초음파 세정을 행한 경우, 채취 먼지량은 0.5 ㎎이었다. 이 결과 도3의 그래프로부터, 초음파 출력이 0.05 ㎾ 이상이면, 이 탈기되어 있지 않은 세정수를 이용한 종래의 초음파 세정을 넘는 세정 능력을 얻을 수 있는 것도 알 수 있다.

도4는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 탈기수 초음파 세정에 대해서, 세정액 속의 용존 산소량과 채취 먼지량과의 관계를 도시한 도면이다. 샘플로는 면적 50 ㎟, 두께 3 ㎜의, Ti 타겟과 동일한 재질의 Ti판을 사용하고, 그 편면에 SiC#24의 블라스트 처리를 실시한 것을 사용했다. 초음파 출력은 1.2 ㎾로 하였다. 초음파 세정 시간은 10분, 30분, 60분으로 하였다. 도4로부터 알 수 있는 바와 같이, 용존 산소량이 증가하면 채취 먼지량이 감소하는 경향을 나타냈다. 또한, 세정 시간을 증가시키면, 채취 먼지량이 증가하는 것을 알 수 있다. 또, 탈기되어 있지 않은 세정수의 용존 산소 농도는 15 ppm이었다. 도4로부터 알 수 있는 바와 같이, 탈기수의 용존 산소 농도가 10 내지 15 ppm 사이인 경우, 채취 먼지량은 탈기되어 있지 않은 세정수와 거의 변하지 않는다. 탈기수의 용존 가스 농도를 10 ppm 이하로 하면, 탈기되어 있지 않은 세정수를 사용하는 종래의 초음파 세정에 비해, 세정 능력이 향상되는 것을 알 수 있다.

본 실시 형태의 초음파 세정에 의해 세정한 타겟 및 실드를 스패터 장치에 구비하여, 시스템 LSI의 제조를 행하였다. 도5는 본 제1 실시 형태에 의한 탈기수 초음파 세정 방법에 의해 스패터 타겟과 실드를 초음파 세정하고, 그것을 스패터 장치에 부착하여 제조한 시스템 LSI의 수율을 조사한 결과를 도시한 도면이다. 사선부가 본 실시 형태에 의한 세정 방법에 의한 결과, 흰색부가 종래 세정 방법(탈기되어 있지 않은 세정수를 이용하여 스패터 타겟과 실드를 초음파 세정)이고, 그것을 스패터 장치에 부착하여 제조한 시스템 LSI의 수율을 조사한 결과이다. 도5로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 실시 형태에 의한 세정 방법으로 세정된 스패터 장치로 제조된 실리콘 웨이퍼의 수율은 종래의 세정 방법으로 세정된 스패터 장치로 제조된 실리콘 웨이퍼의 수율과 비교하여 5 내지 10 포인트 정도 향상하고 있는 것을 알 수 있다.

<제2 실시 형태>

블라스트 처리 후의 반도체 제조 장치 구성 부재에 있어서의 잔류 블라스트재와, 웨이퍼 상의 이물질을 조사해 본 결과, 본 발명자들은 구성 부재 표면에 부착된 잔류 블라스트재뿐만 아니라, 구성 부재 중에 파묻힌 블라스트재가 스패터 속의 온도 변화나 프로세스시 챔버의 진공도 변화, 스패터링에 의한 타겟 측면으로의 어택 등에 의해 박리되고, 그것이 웨이퍼 상의 이물질로 되어 있는 것을 알아냈다. 또한, 이와 같은 부재에 파묻힌 잔류 블라스트재가 웨이퍼의 수율에 크게 영향을 주고 있는 것도 알 수 있었다.

이와 같은 부재 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 제거하기 위해서는, 제1 실시 형태에 나타낸 탈기된 세정수에 의한 초음파 세정만으로는 불충분하다. 따라서, 웨이퍼의 수율을 더욱 향상시키기 위해서는 파묻힌 잔류 블라스트재를 효율적으로 제거할 수 있는 초음파 세정 방법이 필요하다. 본 제2 실시 형태는 이와 같은 세정 방법을 제공하는 것이다.

이하, 본 발명의 제2 실시 형태를 도면을 이용하여 설명한다. 도6은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면이며, 도6의 (a)에 도시한 에칭액을 넣은 전처리조와, 도6의 (b)에 도시한 제1 실시 형태의 탈기수 초음파 세정조가 조합된 구성으로 되어 있다. 도6의 (a)에 있어서, 부호 6은 피세정물(7)을 에칭하기 위한 에칭조이다. 부호 8은 피세정물(7)을 에칭조 내에서 요동하기 위한 요동 장치이다. 부호 9는 에칭조(6)에 저장된 에칭액이다. 이 에칭액(9)은 피세정물(7)의 표면을 에칭하기 위한 것이며, 예를 들어 피세정물(7)이 알루미늄이면, 과산화수소수를 에칭액으로서 넣을 수 있고, 스테인레스이면 황산을 넣을 수 있다. 에칭액의 농도는 특별히 지정되지 않았으나, 피세정물(7)에 손상을 부여하는 일 없이, 그 표면을 가볍게 부식시킬 수 있고, 또한 피세정물(7)에 박힌 블라스트재와 피세정물(7)과의 계면을 넓힐 수 있는 농도이면 좋다. 또한, 에칭액의 온도도 특별히 지정되지 않았으며, 피세정물(7)에 파묻힌 블라스트재와 피세정물(7)과의 계면을 피세정물(7)의 표면을 현저히 부식시키는 일 없이, 어느 정도 넓힐 수 있는 온도이면 좋다. 바람직하게는 상온(25도 정도)이 좋다.

본 실시 형태에 있어서는, 탈기수 초음파 세정조(20)에 의해 제1 실시 형태와 같은 초음파 세정을 행하기 전에, 에칭조(6)로 피세정물(스패터 장치를 구성하는 타겟이나 실드 부재 등의 구성 부재)(7)을 요동시키지 않고, 에칭 처리한다.

본 실시 형태의 효과를 조사하기 위해, 2개의 케이스에 대해 초음파 세정을 행하였다. 본 제2 실시 형태에 대응하는 케이스(1)에서는 피세정물(7)을 에칭조(6)에서 10분간 에칭 처리하고, 그 후에 탈기수를 충족시킨 세정조(20)에서10분간 초음파 세정을 행하였다. 제1 실시 형태에 대응하는 케이스(2)에서는 에칭에 의한 전처리는 행하지 않고, 탈기수를 충족시킨 세정조(20)에 의해 10분간 초음파 세정을 행하였다.

상술한 2개의 케이스에 있어서, 샘플로는 면적 50 ㎟, 두께 3 ㎜의, Ti 타겟과 동일한 재질의 Ti판을 사용하고, 그 편면에 SiC#24의 블라스트 처리를 실시한 것을 사용했다. 케이스(1)에 있어서의 에칭액에는 10 % 황산을 이용하였다. 초음파 세정시에 피세정물(7)을 요동시키고, 에칭시에는 요동은 행하지 않았다.

도7은 본 발명의 제1 실시 형태의「탈기수 초음파 세정 ＋ 요동」에 의한 세정을 행한 경우의 채취 먼지량과, 제2 실시 형태의「에칭(요동 없음) ＋ 탈기수 초음파 세정(요동 있음)」에 의한 세정을 행한 경우의 채취 먼지량을 비교한 도면이다. 도7로부터 알 수 있는 바와 같이,「에칭(요동 없음) ＋ 탈기수 초음파 세정(요동 있음)」을 행하면,「탈기수 초음파 세정 ＋ 요동」만(즉 에칭 없음)으로 세정한 경우에 비해, 세정 능력이 1.2배 정도로 향상하여, 보다 블라스트재가 제거될 수 있는 것을 알 수 있다.

도3의 검은 원으로 나타내는 곡선은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 탈기수 초음파 세정에 대해, 초음파 출력과 채취 먼지량과의 관계를 도시한 도면이다. 초음파 출력은 0 내지 2.4 ㎾의 범위로 했다. 도3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 흰 원으로 나타낸 제1 실시 형태와 같은 초음파 출력의 증가와 함께, 블라스트재의 세정 능력이 향상되어 있는 것을 알 수 있다. 또 본 제2 실시 형태에 의한「에칭(요동 없음) ＋ 탈기수 초음파 세정(요동 있음)」의 세정 능력은 제1 실시 형태에의한「탈기수 초음파 세정(요동 없음)만」의 경우와 비교하여 약 1.5배로 향상하고 있는 것을 알 수 있다.

또, 상기 실시 형태에 있어서는 탈기 초음파 세정을 행하기 전에 전처리로서, 피세정물(7)을 요동하지 않고 에칭 처리했지만, 피세정물(7)을 요동시켜 에칭 처리를 행해도 좋다. 피세정물(7)을 요동시키면서 에칭 처리를 행하면, 전처리인 에칭조에서 피세정물을 요동시키지 않은 상기 실시 형태의 피세정물 표면에 파묻힌 잔류 블라스트를 보다 많이 제거할 수 있다.

<제3 실시 형태>

이하, 본 실시 형태를 도8을 이용하여 설명한다. 도8은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면이다. 도8의 (a)에 도시한 전처리조와, 도8의 (b)에 도시한 제1 실시 형태의 탈기수 초음파 세정조가 조합된 구성으로 되어 있다. 도8의 (a)에 도시한 바와 같이, 도6의 (a)에 도시한 제2 실시 형태의 전처리조에, 에칭액을 공급하기 위한 배관(10)과, 초음파를 인가하기 위한 초음파 진동자(11)가 추가되어 있다.

본 실시 형태에 있어서는, 탈기수 초음파 세정조(20)로 제1 실시 형태와 같은 초음파 세정을 행하기 전에, 배관(10)으로부터 과잉 에칭액(9)을 공급하여 에칭액(9)을 에칭조(6)로부터 오버 플로우시키면서, 에칭액(9)에 초음파를 가하고, 또한 피세정물(스패터 장치를 구성하는 타겟이나 실드 부재 등의 구성 부재)(7)을 요동시키면서, 상기 피세정물(7)을 에칭 처리한다.

본 실시 형태의 효과를 확인하기 위해, 샘플의 세정을 행하였다. 샘플로는면적 50 ㎟, 두께 31 ㎜의, Ti 타겟과 동일한 재질의 Ti판을 사용하고, 그 편면에 SiC#24의 블라스트 처리를 실시한 것을 사용했다. 에칭액은 10 % 황산으로 하였다. 침지 시간은 탈기수 초음파 세정조(20) 및 에칭조(6), 모두 10분으로 하였다. 제1 실시 형태와 마찬가지로, 본 제3 실시 형태의 세정 방법으로 처리한 샘플의 채취 먼지량을 측정하였다.

그 결과, 본 제3 실시 형태의 세정 방법으로 처리하면, 채취 먼지량이 제1 실시 형태의「탈기수 초음파 세정(요동 있음)」에 의한 세정을 행한 경우와 비교하여 약 1.5배로 채취 먼지량이 증가하고 있는 것을 알 수 있다. 이상으로부터, 에칭조(6) 내의 에칭액(9)에 초음파를 가하고, 또한 에칭액(9)을 오버 플로우시키고, 또 피세정물(7)을 요동시킴으로써, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 보다 많이 제거할 수 있다.

또, 피세정물(7)을 요동시키지 않고, 에칭액을 오버 플로우시키면서 초음파를 가하는 것만으로도, 또한 에칭액에 초음파를 가하는 것만으로도, 혹은 에칭액을 오버 플로우시키는 것만으로도, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태의 세정 방법과 비교하여, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트를 보다 많이 제거할 수 있다.

또한, 에칭액에 초음파를 가하지 않고, 피세정물(7)을 요동시키면서 에칭액을 오버 플로우시키는 것만으로도, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태의 세정 방법과 비교하여, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트를 보다 많이 제거할 수 있다. 또한, 에칭액을 오버 플로우시키지 않고, 피세정물(7)을 요동시키면서 에칭액에 초음파를 가하는 것만으로도, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태의 세정 방법과 비교하여, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트를 보다 많이 제거할 수 있다.

<제4 실시 형태>

제3 실시 형태에서 나타낸 세정 방법에 있어서, 에칭조(6)에서 초음파를 이용하여 전처리를 실시할 때에, 초음파 진동자(11)로부터 발생하는 초음파의 주파수를 변화시키면서 세정함으로써, 즉 FM 변조한 초음파를 가하면서 세정함으로써, 제3 실시 형태의 전처리인 에칭에 있어서 피세정물을 요동시킨 경우와 거의 동등, 혹은 그 이상의 세정 효과를 나타낸다.

<제5 실시 형태>

또한, 에칭조(6)에서 전처리를 실시할 때에, 제3 실시 형태 또는 제4 실시 형태에서 나타낸 세정 방법을 조합함으로써, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재의 제거 효과를 보다 증가시킬 수 있다.

<제6 실시 형태>

이하, 본 실시 형태를 도9를 이용하여 설명한다. 도9는 본 발명의 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면이다. 도9의 (a)에 도시한 전처리조와, 도9의 (b)에 도시한 제1 실시 형태의 탈기수 초음파 세정조가 조합된 구성으로 되어 있다. 도면에 있어서, 부호 12는 전기 분해에 의해 피세정물(7)의 탈지 처리를 행하는 전해조, 부호 13은 전해 탈지액이다. 이 전해 탈지액(13)은 일반적으로 시판되고 있는 철강 재료용 전해 탈지액이면 좋다. 부호 14는 피세정물(7)을 고정하기 위한 지그의 역할을 담당하는 동시에, 전해 탈지를 행할 때의 마이너스 전극으로서의 기능을 갖는 전극 부재이다. 또, 이 전극 부재(14)는 피세정물(7)을 요동시키는 기능도 갖는다. 부호 15는 전해 탈지를 행할 때의 플러스 전극이다. 부호 16은 전해 탈지액용 초음파 진동자이다. 전해 탈지액(13)에 전압을 인가함으로써, 전기 분해 등의 전기 화학 반응에 의해 피세정물의 표면으로부터 가스가 발생하여, 피세정물의 표면에 파묻힌 블라스트재가 쉽게 제거된다. 또, 도9의 (a)에 도시한 바와 같이, 조(12) 내에는 전해 탈지액에 초음파를 인가하기 위해 초음파 진동자(16)가 배치되어 있다.

본 실시 형태에 있어서는, 탈기수 초음파 세정조(20)로 제1 실시 형태와 같은 초음파 세정을 행하기 전에, 전해조(12)에 의해 전해 탈지액(13)에 초음파를 가하고, 또한 피세정물(스패터 장치를 구성하는 타겟이나 실드 부재 등의 구성 부재)(7)을 요동시키면서, 상기 피세정물(7)을 전해 탈지 처리한다.

본 실시 형태의 효과를 나타내기 위해, 샘플의 세정을 행하였다. 샘플로는 면적 50 ㎟, 두께 3 ㎜의, Ti 타겟과 동일한 재질의 Ti판을 사용하고, 그 편면에 SiC#24의 블라스트 처리를 실시한 것을 사용했다. 전해 탈지액(13)으로서는 수산화나트륨 : 75 %, 3인산나트륨 : 10 %, 탄산나트륨 : 14 %, 계면 활성제 : 1 %의 각각의 액을 혼합한 혼합액을, 80 g/L의 농도로 조정한 것을 이용하였다. 침지 시간은 탈기수 초음파 세정조(20) 및 전해조(12) 모두 10분으로 했다. 제1 실시 형태와 같은 방법으로, 본 실시 형태의 세정 방법으로 처리한 샘플의 채취 먼지량을 측정하였다.

본 제6 실시 형태의 세정 방법으로 처리하면, 채취 먼지량은 제1 실시 형태인 것(탈기 초음파 세정 ＋ 요동)과 비교하여 1.2배 정도 증가하고 있는 것을 알수 있었다. 이상으로부터, 전처리조에 있어서 전해 탈지 처리하는 것이 피세정물에 부착된 잔류 블라스트재를 효율적으로 제거하는 것을 알 수 있었다.

또, 상기 실시 형태에 있어서 피세정물을 요동시키지 않고서, 초음파를 부여하지 않고 전해 탈지하는 것만으로도, 제1 실시 형태의 세정 방법과 비교하여, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 보다 많이 제거할 수 있다. 또한, 피세정물(7)을 요동시키지 않고, 전해 탈지액에 초음파를 가하는 것만으로도, 혹은 전해 탈지액에 초음파를 가하지 않고, 피세정물(7)을 요동시키는 것만으로도, 제1 실시 형태의 세정 방법과 비교하여, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 보다 많이 제거할 수 있다.

<제7 실시 형태>

제6 실시 형태에서 나타낸 세정 방법에 있어서, 전해조(12)로 초음파를 이용하여 전처리를 실시할 때에, 초음파 진동자(10)로부터 발생하는 초음파의 주파수를 변화시키면서, 피세정물을 요동시키지 않고 세정함으로써, 즉 FM 변조한 초음파를 가하면서 세정함으로써, 채취 먼지량은 제6 실시 형태와 비교하여 약 1.2배로 채취 먼지량이 증가하고 있는 것을 알 수 있었다.

<제8 실시 형태>

이하, 본 실시 형태를 도10을 이용하여 설명한다. 도10은 본 발명의 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면이다. 도10의 (a)에 도시한 전처리조와, 도10의 (b)에 도시한 제1 실시 형태의 탈기수 초음파 세정조가 조합된 구성으로 되어 있다. 도10의 (a)에 도시한 본 실시 형태의 세정 장치에서는, 도9의 (a)에 도시한 제6 실시 형태의 초음파 진동자(16) 대신에, 전해 탈지액(13)을 공급하기 위한 배관(17)이 구비되어 있다.

본 실시 형태에 있어서는, 탈기수 초음파 세정조(20)로 제1 실시 형태와 같은 초음파 세정을 행하기 전에, 배관(17)으로부터 과잉 전해 탈지액을 공급하고, 전해조(12)로부터 전해 탈지액(13)을 오버 플로우시키면서, 또한 피세정물(스패터 장치를 구성하는 타겟이나 실드 부재 등의 구성 부재)(7)을 요동시키면서, 상기 피세정물(7)을 전해 탈지 처리한다.

본 실시 형태의 효과를 나타내기 위해, 샘플의 세정을 행하였다. 샘플로는 상기 실시 형태와 같은 것을 사용했다. 전해 탈지액의 조성이나, 침지 시간 등, 세정 조건은 제6 실시 형태와 같은 조건으로 했다. 물론, 본 실시 형태에서는 전해 탈지액에 초음파를 인가하는 대신에, 전해 탈지액을 오버 플로우시켰다.

본 제8 실시 형태의 세정 방법으로 처리하면, 채취 먼지량은 제1 실시 형태인 것(탈기 초음파 세정 ＋ 요동)과 비교하여 1.2배 정도 채취 먼지량이 증가하고 있는 것을 알 수 있었다. 이상으로부터, 전처리조에 있어서 전해 탈지액을 오버 플로우시키면서 전해 탈지 처리함으로써, 보다 효율적으로 피세정물에 부착된 잔류 블라스트재를 제거할 수 있는 것을 알 수 있었다.

또, 상기 실시 형태에 있어서 피세정물(7)을 요동시키지 않고, 전해 탈지액을 오버 플로우시키는 것만으로도 제1 실시 형태의 세정 방법과 비교하여, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 보다 많이 제거할 수 있다.

<제9 실시 형태>

제6 실시 형태에서 나타낸 세정 방법에 제8 실시 형태에서 나타낸 세정 방법을 조합함으로써, 또는 제7 실시 형태에서 나타낸 세정 방법에 제8 실시 형태에서 나타낸 세정 방법을 조합함으로써, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재의 제거 효과를 보다 늘릴 수 있다.

또, 상기 제6 실시 형태 내지 제9 실시 형태에 있어서는, 전처리조로 전해 탈지 처리하는 것을 나타내었지만, 피세정물의 표면으로부터 가스를 발생시켜, 발생하는 가스의 힘에 의해 피세정물의 표면에 파묻힌 블라스트재를 제거하기 쉽게 하는 것이면, 전해 탈지 처리를 행하는 것이 아니어도 좋다.

<제10 실시 형태>

이하, 본 실시 형태를 도11을 이용하여 설명한다. 도11은 본 발명의 실시 형태에 관한 초음파 세정 장치를 도시한 도면이다. 도11의 (a)에 도시한 전처리조와, 도11의 (b)에 도시한 제1 실시 형태의 탈기수 초음파 세정조가 조합된 구성으로 되어 있다. 도면에 있어서, 부호 18은 피세정물이 배치되는 샤워조, 부호 19는 피세정물에 에칭액의 샤워를 방사하는 샤워 배관이다.

본 실시 형태에 있어서는, 탈기수 초음파 세정조(20)로 제1 실시 형태와 같은 초음파 세정을 행하기 전에, 샤워조(18)에서 피세정물(스패터 장치를 구성하는 타겟이나 실드 부재 등의 구성 부재)(7)을 요동시키면서 상기 피세정물(7)에 에칭액을 샤워형으로 방사하고, 상기 피세정물을 에칭 처리한다.

본 실시 형태의 효과를 나타내기 위해, 샘플의 세정을 행하였다. 샘플로는 면적 50 ㎟, 두께 3 ㎜의, Ti 타겟과 동일한 재질의 Ti판을 사용하고, 그 편면에SiC#24의 블라스트 처리를 실시한 것을 사용했다. 에칭액은 10 % 황산으로 하였다. 샤워조(18)에 있어서의 처리 및 탈기수 초음파 세정조(20)에 있어서의 세정도 모두 10분간으로 했다. 제1 실시 형태와 마찬가지로, 본 실시 형태의 세정 방법으로 처리한 샘플의 채취 먼지량을 측정하였다.

본 실시 형태의 세정 방법으로 처리하면, 채취 먼지량은 제1 실시 형태의 것(탈기 초음파 세정 ＋ 요동)과 비교하여 1.2배 정도 채취 먼지량이 증가하고 있는 것을 알 수 있었다. 이상으로부터, 전처리조에서 에칭액을 피세정물에 대해 샤워형으로 방사함으로써, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트를 보다 많이 제거할 수 있다.

또, 상기 실시 형태에 있어서 샤워조로 피세정물을 요동시키지 않고, 에칭액에 의한 샤워 세정만으로도, 제1 실시 형태의 세정 방법과 비교하여, 피세정물의 표면에 파묻힌 잔류 블라스트재를 보다 많이 제거할 수 있다.

피세정물(7)을 요동시키면서 샤워 세정을 행하는 경우는, 얼룩 없이 피세정물의 표면을 에칭할 수 있는 효과가 있다.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명을 행하였지만, 이들 설명은 예시에 지나지 않으며, 본 발명의 정신이나 범주로부터 벗어나지 않고서 다양한 변형이나 개량이 가능한 것은 물론이다.

Claims (3)

1. 반도체 제조 장치 구성 부재의 초음파 세정 방법으로서, 상기 구성 부재 표면은 블라스트재에 의해 미리 처리되어 있고,

   상기 구성 부재를 침지하는 탈기 세정수의 용존 산소 농도가 10 ppm 이하이며, 상기 세정수에 초음파를 인가하는 초음파 진동자의 초음파 출력이 50 W 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법.
2. 제1항에 있어서, 초음파 세정하기 전에, 상기 구성 부재를 에칭액에 침지하여 에칭 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법.
3. 제1항에 있어서, 초음파 세정하기 전에 처리액에 침지한 구성 부재의 표면에 가스를 발생시키는 전처리를 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 초음파 세정 방법.