KR200224426Y1 - Structure of inner tube of furnace for lpcvd process in fabrication semiconductor device - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체제조를 위한 저압화학기상 증착 공정용 퍼니스의 인너튜브 구조에 관한 것으로서, 특히, 스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정에 사용되는 인너튜브의 구조를 개선하여 인너튜브 내부에 로딩되는 웨이퍼들의 증착 균일도가 향상되도록 한 것이다. 본 고안은 스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정용 퍼니스의 석영재질로 된 인너튜브(1)에 있어서; 상기 인너튜브(1)의 중간 일측에 내측으로 라운드진 라운드부(3)를 두는 한편, 상기 라운드부(3) 상부측의 직경이 그 하부측의 직경에 비해 소정 크기로 줄어들도록 한 것을 특징을 하는 반도체 제조를 위한 저압화학기상 증착 공정용 퍼니스의 인너튜브 구조를 제공한다.The present invention relates to an inner tube structure of a furnace for a low pressure chemical vapor deposition process for semiconductor manufacturing, and in particular, to improve the structure of an inner tube used in an oxide film deposition process for forming a spacer, and to deposit wafers loaded inside the inner tube. Uniformity is to be improved. The present invention relates to an inner tube (1) made of a quartz material of a furnace for an oxide film deposition process for forming a spacer; While having a round part 3 rounded inward on the middle one side of the inner tube 1, the diameter of the upper side of the round part 3 is reduced to a predetermined size compared to the diameter of the lower side. To provide an inner tube structure of the furnace for low pressure chemical vapor deposition process for semiconductor manufacturing.

Description

반도체제조를 위한 저압화학기상 증착 공정용 퍼니스의 인너튜브 구조{STRUCTURE OF INNER TUBE OF FURNACE FOR LPCVD PROCESS IN FABRICATION SEMICONDUCTOR DEVICE}STRUCTURE OF INNER TUBE OF FURNACE FOR LPCVD PROCESS IN FABRICATION SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 고안은 반도체제조를 위한 저압화학기상 증착 공정용 퍼니스(furnace)의 인너튜브 구조에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스페이서(spacer) 형성을 위한 산화막 증착 공정에 사용되는 인너튜브의 구조를 개선하여 로딩되는 웨이퍼들의 증착 균일도가 향상되도록 한 것이다.The present invention relates to an inner tube structure of a furnace for a low pressure chemical vapor deposition process for semiconductor manufacturing, and more particularly, to improve the structure of an inner tube used for an oxide film deposition process for forming a spacer. The deposition uniformity of the wafers to be improved.

종래의 저압화학기상증착(LPCVD) 공정용 퍼니스의 인너튜브(inner tube)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 중공 실린더형으로서 수직방향을 따라 전체적으로 동일한 직경을 갖도록 형성된다.The inner tube of the furnace for a conventional low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, as shown in FIG. 1, is formed as a hollow cylinder type so as to have the same diameter as a whole along the vertical direction.

그리고, 상기 인너튜브(1)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 히터챔버에 안착된 상태에서 반응가스의 증착이 원할하게 이루어질수 있도록 커버(2)가 일체로 형성되어 있다.In addition, the inner tube 1, as shown in Figure 2, the cover 2 is integrally formed so that the deposition of the reaction gas can be made smoothly in a state seated in the heater chamber.

한편, 상기 인너튜브(1) 내로는 웨이퍼가 로딩된 커버형 보트(도시는 생략함)가 삽입되며, 커버형 보트 상부는 인너튜브(1) 내측에 형성된 커버(2)에 의해 차폐된다.Meanwhile, a covered boat (not shown) in which a wafer is loaded is inserted into the inner tube 1, and the upper portion of the covered boat is shielded by a cover 2 formed inside the inner tube 1.

이 때, 상기 인너튜브(1) 및 커버(2)는 석영(quartz)재질로 이루어져 있다.At this time, the inner tube 1 and the cover 2 is made of a quartz (quartz) material.

이와 같은 종래에는 인너튜브(1) 내측 하단부로 공급된 공정가스가 인너튜브(1) 상단부측으로 유동하면서 웨이퍼 상에 증착되며, 공정에 쓰이지 않고 남은 가스는 상기 인너튜브(1)와 그 외측에 이격 설치된 아웃터튜브(도시는 생략함) 사이의 갭을 통해 다시 아래쪽으로 유동한 다음, 아웃터튜브 하단부에 연결된 배기포트를 통해 배출된다.In the related art, the process gas supplied to the inner lower end of the inner tube 1 is deposited on the wafer while flowing toward the upper end of the inner tube 1, and the remaining gas not used in the process is spaced apart from the inner tube 1. It flows downward again through the gap between the installed outer tubes (not shown) and then is discharged through the exhaust port connected to the lower end of the outer tube.

그러나, 이와 같은 종래의 커버(2) 일체형 인너튜브(1)를 이용하여 스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정 진행시에는, 인너튜브(1)의 직경이 상부나 하부나 전체적으로 동일한 직경이어서, 공정가스의 유동 특성이 상부측과 하부측이 달라 웨이퍼의 증착 균일도가 저하되는 문제점이 있었다.However, when the oxide film deposition process for forming a spacer is performed using the conventional inner cover 2 integrated inner tube 1, the diameter of the inner tube 1 is the upper, lower, or the same diameter as a whole, so that the process gas There was a problem that the deposition uniformity of the wafer is lowered because the flow characteristics are different from the upper side and the lower side.

즉, 종래에는 인너튜브(1) 내측의 상하부 지점에 따라 공정가스의 유동특성이 동일하지 않아, 공정가스의 흐름상 상류측인 아래쪽에 위치한 웨이퍼와 하류측인 윗쪽에 위치한 웨이퍼간의 스페이서 증착 상태에 편차가 심하여 공정의 수율이 떨어지게 되는 등의 문제점이 있었다.That is, in the related art, the flow characteristics of the process gas are not the same according to the upper and lower points inside the inner tube 1, so that the spacer deposition state between the wafer located on the upstream side and the wafer located downstream on the downstream side of the process gas flows. There was a problem that the deviation is so severe that the yield of the process falls.

본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정에 사용되는 인너튜브의 구조를 개선하여 로딩되는 웨이퍼들의 증착 균일도가 향상되도록 한 반도체 제조를 위한 저압화학기상 증착 공정용 퍼니스의 인너튜브 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, for improving the structure of the inner tube used in the oxide film deposition process for forming a spacer for low pressure chemical vapor deposition process for semiconductor manufacturing to improve the deposition uniformity of the loaded wafers The purpose is to provide an inner tube structure of the furnace.

도 1은 종래의 인너튜브를 나타낸 정면도1 is a front view showing a conventional inner tube

도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선을 따른 종단면도FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view along the line II of FIG. 1. FIG.

도 3은 본 고안의 인너튜브를 나타낸 정면도3 is a front view showing the inner tube of the present invention

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1:인너튜브 2:커버1: inner tube 2: cover

3:라운드부 4:소경부3: round part 4: small diameter part

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 고안은 스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정용 퍼니스의 석영재질로 된 인너튜브에 있어서, 상기 인너튜브의 중간 일측에 내측으로 라운드진 라운드부를 두는 한편, 상기 라운드부 상부측의 직경이 그 하부측의 직경에 비해 줄어들도록 한 것을 특징을 하는 반도체 제조를 위한 저압화학기상 증착 공정용 퍼니스의 인너튜브 구조를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, in the inner tube of the quartz material of the furnace for the oxide film deposition process for forming a spacer, the round portion rounded inward on the middle one side of the inner tube, while the upper portion of the round portion An inner tube structure of a furnace for low pressure chemical vapor deposition process for semiconductor production, characterized in that the diameter of the side is reduced compared to the diameter of the lower side.

이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 도 3을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 고안에 따른 인너튜브를 나타낸 정면도로서, 스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정용 퍼니스의 석영재질로 된 인너튜브(1)에 있어서; 상기 인너튜브(1)의 중간 일측에 내측으로 라운드진 라운드부(3)를 두는 한편, 상기 라운드부(3) 상부측의 직경이 그 하부측의 직경에 비해 소정 크기로 줄어들도록 한 것이다.Figure 3 is a front view showing the inner tube according to the present invention, in the inner tube (1) of the quartz material of the furnace for the oxide film deposition process for forming a spacer; The round part 3 rounded inward is placed on the middle one side of the inner tube 1, while the diameter of the upper part of the round part 3 is reduced to a predetermined size compared to the diameter of the lower part.

이와 같이 구성된 본 고안의 작용은 다음과 같다.The operation of the present invention configured as described above is as follows.

스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정 진행시, 인너튜브(1) 내측 하단부로 공급된 공정가스는 인너튜브(1) 상단부측으로 유동하면서 웨이퍼 상에 증착되며, 공정에 쓰이지 않고 남은 가스는 상기 인너튜브(1)와 그 외측에 이격 설치된 아웃터튜브(도시안됨) 사이의 갭(gap)을 통해 다시 아래쪽으로 유동한 다음, 아웃터튜브 하단부에 연결된 배기포트를 통해 배출된다.During the oxide film deposition process for forming the spacer, the process gas supplied to the inner lower end of the inner tube 1 is deposited on the wafer while flowing toward the upper end of the inner tube 1, and the remaining gas not used in the process is the inner tube 1. ) Flows downward again through the gap between the outer tube (not shown) and spaced outwardly, and then is discharged through the exhaust port connected to the lower end of the outer tube.

이 때, 본 고안의 인너튜브(1)를 이용한 스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정 진행시에는, 인너튜브(1)의 직경이 상부와 하부가 서로 다르고, 상기 직경이 달라지는 부분은 공정가스의 흐름이 방해받지 않도록 라운드부(3)로 처리되므로써, 공정가스의 흐름이 전체적으로 원할하게 이루어지게 되며, 이에 따라 인너튜브(1) 상부측 웨이퍼와 하부측의 웨이퍼의 증착 균일도가 향상된다.At this time, when the oxide film deposition process for forming a spacer using the inner tube (1) of the present invention, the diameter of the inner tube (1) is different from the upper and lower portions, the portion where the diameter is different is the flow of the process gas By being processed by the round part 3 so as not to be disturbed, the flow of the process gas is made smoothly as a whole, thereby improving the uniformity of deposition of the wafer on the upper side and the lower side of the inner tube 1.

즉, 종래와는 달리, 본 고안에서는 공정가스의 흐름 상태를 고려하여, 공정가스의 흐름상 상류측인 아래쪽의 인너튜브(1) 직경은 기존의 직경 그대로 두는 한편, 공정 가스의 흐름상 하류측인 윗쪽의 인너튜브(1) 직경은 기존의 직경에 비해 소정 크기 만큼 작은 소경부(4)로 형성한다.That is, unlike the prior art, in the present invention, in consideration of the flow state of the process gas, the inner diameter of the lower inner tube 1 upstream of the flow of the process gas is left as it is, while the flow downstream of the process gas The inner tube 1 diameter of the upper portion of the phosphorus is formed of a small diameter portion 4 smaller by a predetermined size than the existing diameter.

이에 따라, 본 고안은 스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정에 사용되는 인너튜브의 구조 개선을 통해 인너튜브(1) 내부에 로딩되는 웨이퍼들의 증착 균일도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, the present invention can improve the deposition uniformity of the wafers loaded in the inner tube 1 by improving the structure of the inner tube used in the oxide film deposition process for forming the spacer.

이상에서와 같이, 본 고안은 반도체제조를 위한 저압화학기상 증착 공정용 퍼니스의 인너튜브 구조 개선에 관한 것이다.As described above, the present invention relates to the improvement of the inner tube structure of the furnace for low pressure chemical vapor deposition process for semiconductor manufacturing.

즉, 본 고안은 스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정에 사용되는 인너튜브의 구조를 개선하여 인너튜브 내부에 로딩되는 웨이퍼들의 균일도를 향상시키므로써 반도체 제조 공정의 수율을 높일 수 있는 효과를 가져오게 된다.That is, the present invention improves the uniformity of the wafers loaded in the inner tube by improving the structure of the inner tube used in the oxide film deposition process for forming the spacer, thereby increasing the yield of the semiconductor manufacturing process.

Claims (1)

스페이서 형성을 위한 산화막 증착 공정용 퍼니스의 석영재질로 된 인너튜브에 있어서;An inner tube of quartz material of a furnace for an oxide film deposition process for forming a spacer; 상기 인너튜브의 중간 일측에 내측으로 라운드진 라운드부를 두는 한편, 상기 라운드부 상부측의 직경이 그 하부측의 직경에 비해 줄어들도록 한 것을 특징을 하는 반도체 제조를 위한 저압화학기상 증착 공정용 퍼니스의 인너튜브 구조.In the inner one of the inner tube round the rounded portion rounded, while the diameter of the upper side of the round portion is reduced compared to the diameter of the lower side of the furnace for low-pressure chemical vapor deposition process for semiconductor manufacturing Inner tube structure.