KR20020096577A - 반도체 건조 장치 - Google Patents

반도체 건조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020096577A
KR20020096577A KR1020010035256A KR20010035256A KR20020096577A KR 20020096577 A KR20020096577 A KR 20020096577A KR 1020010035256 A KR1020010035256 A KR 1020010035256A KR 20010035256 A KR20010035256 A KR 20010035256A KR 20020096577 A KR20020096577 A KR 20020096577A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bath
supplied
particles
vaporization
pressure
Prior art date
Application number
KR1020010035256A
Other languages
English (en)
Inventor
성노영
박진구
이재화
Original Assignee
뉴영엠테크 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 뉴영엠테크 주식회사 filed Critical 뉴영엠테크 주식회사
Priority to KR1020010035256A priority Critical patent/KR20020096577A/ko
Publication of KR20020096577A publication Critical patent/KR20020096577A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 건조 장치에 관한 것으로, 특히 배스 내에 공급되어 상기 배스 내에 잔존하는 초순수를 치환 반응하여 제거시키기 위한 액체 상태의 휘발성 물질을 공급하는 제 1 물질 공급부와, 소정의 압력을 갖는 고온의 기체를 공급하는 제 1 압력 공급부와, 제 1 압력 공급부로부터 공급되는 소정의 압력을 갖는 상온의 기체에 의해서 휘발성 물질을 기화시켜 분자 상태의 입자를 생성하고, 생성된 입자를 배스 내로 공급하여 상기 반도체 웨이퍼가 건조되게 하는 제 1 기화부를 포함하는 반도체 건조 장치를 이용하여 클리닝 공정 후 배스 내부에 잔존하는 초순수를 제거함으로써, 초순수의 완벽하게 건조하지 못하여 발생하는 산화막 형성을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 휘발성 물질인 IPA를 액체 상태가 아닌 기체 상태로 공급함으로써, 금속 제품인 소닉 제품에 비하여 금속에 영향이 없으므로 화공 약품을 사용하는 공정에서도 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 금속 제품의 장시간 사용에 따른 오염과 성능 저하를 막을 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 건조 장치{APPARATUS FOR DRYING SEMICONDUCTOR}
본 발명은 반도체 건조 장치에 관한 것으로서, 특히 액체 상태의 휘발성 물질을 기화시켜 배스 내부에 공급하여 배스 내부에 잔존하는 초순수를 제거시키는 반도체 건조 장치에 관한 것이다.
집적 회로(Integrated Circuit)의 집적도가 증가함과 동시에 다층 배선 공정(Multilayer Interconnection Process)이 실용화됨에 따라 층간 절연막(Interlayer Dielectric)의 글로벌 평탄화(global Planarization)가 반드시 필요하다. 글로벌 평탄화를 위해서 개발된 연마 공정이 CMP(Chemical Mechanical Polishing)이다. CMP는 기계적 제거 가공과 화학적인 제거 가공을 하나의 가공 방법으로 혼합한 연마 공정이다. CMP는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 RIE(Reactive Ion Etching) 공정과 함께 submicron scale의 칩 제조에 있어서 반드시 필요한 공정이다. ILD(Interlayer Dielectric) CMP와 메탈 CMP는 디바이스 층의 모든 표면에서 계속적으로 적용되어야 하며 3차원의 형상 정도를 얻기 위해서 각 층에 광역적인 평탄화를 형성하는 것이 CMP의 주된 역할이다.
이러한 CMP 장비를 이용하여 초미세 패턴 가공 후에 클린 및 건조 공정이 필요하다.
반도체가 더욱더 고집적화 되면서 기존의 사용중인 HF 및 H2SO4 등 화학 물질을 일정량 초순수(DIW : Deionized Water)에 희석하여 웨이퍼 상에 남아있는 유기 또는 비 유기 오염 물질을 클리닝 또는 건조하여 주는 공정 이외에도 최근에는 CMP 장비를 이용하여 웨이퍼를 평탄화시켜 주는 공정 등이 새로이 사용된다.
이러한 CMP 공정은 자체의 웨이퍼 평탄화를 얼마나 잘할 수 있는가 하는 문제만이 아니라 웨이퍼 평탄화 공정 후에 생성된 미세 패턴 및 챔버 내에 잔류하는 초순수를 클리닝 및 건조하는 공정이 필요하다.
이러한 클리닝 및 건조 공정은 미국 특허 제 5,653,045 호에 개시된 바와 같이 고가의 소닉 제품을 이용하여 IPA(알코올) 등과 같은 강한 휘발성 물질을 챔버 내에 공급하여 챔버 및 미세 패턴을 클리닝 및 건조시킨다.
그러나, 상기와 같은 소닉 제품은 소닉 발생 부품이 금속인 관계로 화공 약품을 사용하는 공정에서는 소닉 제품을 사용할 수 없으며 장시간 사용 시에 오염과 성능 저하를 초래하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 액체 상태의 휘발성 물질인 상온의 기체를 이용하여 기화시켜 배스 내부에 공급함으로써, 배스에 잔존하는 초순수를 건조시키는 반도체 건조 장치를 제공하고자 한다.
이러한 목적을 달성하기 위해 실시예에 따른 본 발명은, 배스 내의 반도체 웨이퍼를 건조시키는 장치에 있어서, 상기 배스 내에 공급되어 상기 배스 내에 잔존하는 초순수를 치환 반응하여 제거시키기 위한 액체 상태의 휘발성 물질을 공급하는 제 1 물질 공급부와, 소정의 압력을 갖는 상온의 기체를 공급하는 제 1 압력공급부와, 상기 제 1 압력 공급부로부터 공급되는 소정의 압력을 갖는 상온의 기체에 의해서 상기 휘발성 물질을 기화시켜 분자 상태의 입자를 생성하고, 상기 생성된 입자를 상기 배스 내로 공급하여 상기 반도체 웨이퍼가 건조되게 하는 제 1 기화부를 포함한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 다른 실시예에 따른 본 발명은, 배스 내의 반도체 웨이퍼를 건조시키는 장치에 있어서, 상기 배스 내에 공급되어 상기 배스 내에 잔존하는 초순수를 치환 반응하여 제거시키기 위한 액체 상태의 휘발성 물질을 공급하는 제 2 물질 공급부와, 상기 공급된 휘발성 물질을 기화시켜 분자 상태의 입자를 생성하는 제 2 기화부와, 소정의 압력을 갖는 기체를 상기 제 2 기화부에 공급하고, 상기 공급된 기체에 의해서 상기 입자를 상기 배스에 공급하여 상기 반도체 웨이퍼가 건조되게 하는 제 2 압력 공급부를 포함한다.
도 1은 본 발명에 따라 반도체 건조 장치를 나타내는 블록 도이다.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
1000 : 제 1 건조부 2000 : 제 2 건조부
100 : 제 2 압력 공급부 110 : 제 2 유량 조절기
120 : 질량 유량계 130 : 제 4 밸브
200 : 제 2 물질 공급부 250 : 제 6 밸브
300 : 제 2 기화부 350 : 제 5 밸브
400 : 제 1 물질 공급부 410 : 제 2 유량계
420 : 제 3 밸브 500 : 제 1 압력 조절부
510 : 제 1 유량 조절기 520 : 제 1 밸브
530 : 제 2 밸브 600 : 제 1 기화부
640 : 단일 배관 650 : 메쉬
660 : 제 7 밸브 670 : 제 8 밸브
700 : 배스 750 : 추진기
800 : 질소 공급부 810 : 제 9 밸브
820 : 제 3 유량계
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체의 건조 장치를 나타내는 블록 도이다.
이에 도시된 바와 같이, 반도체 건조 장치는 제 1 압력 공급부(500), 제 1 물질 공급부(400) 및 제 1 기화부(600)를 포함하는 제 1 건조부(1000)와, 제 2 물질 공급부(200), 제 2 압력 공급부(100), 제 2 기화부(300)를 포함하는 제 2 건조부(2000)와, 배스(700), 질소 공급부(800)로 구성된다.
제 1 압력 공급부(500)는, 제 1 물질 공급부(400)로부터 공급되는 미세한 물질(알코올) 입자를 배스(700)에 분사시키는 분사 압력을 조절하는 캐리어(Carrier) 가스를 공급하는 압력 공급 수단으로써, 소정의 압력을 갖는 질소 가스를 제 1 기화부(600)에 공급하고, 공급된 질소 가스는 휘발성 물질인 IPA를 기화시켜 분자 상태의 입자로 상태 변화시켜 배스(700)로 공급할 것이다.
제 1 압력 공급부(500)와 제 1 기화부(600)를 연결하는 연결 배관에는 제 1 압력 공급부(500)에서 공급되는 질소 가스의 양을 조절하는 제 1 유량 조절기(510)와, 제 1 기화부(600)에 유입되는 정확한 가스 량을 측정하는 제 1 유량계(540) 및 제 1 압력 공급부(500)에서 공급되는 질소 가스의 배출 또는 차단시키는 제 1, 2 밸브(520, 530)가 설치된다.
제 1 물질 공급부(400)는 제 1 기화부(600) 내에 설치된 메쉬(650)에 액체 상태의 휘발성 물질인 IPA를 공급한다. 이때 공급된 알코올은 제 1 기화부(600)의 메쉬(650)에 적셔지고, 제 1 압력 공급부(500)에 의해서 공급되는 질소 가스에 의해서 기화되어 분자 형태의 입자로 변환되고, 변환된 분자 형태의 입자는 제 1 압력 공급부(500)에서 공급된 기체(질소 가스)의 압력에 따라서 배스(700)에 분사될 것이다.
이때, 유입되는 입자는 배스(700) 내의 반도체 웨이퍼 상에 존재하는 초순수와 치환 반응하여 초순수를 제거한다.
제 1 물질 공급부(400)와 제 1 기화부(600) 사이의 배관에는 제 1 물질 공급부(400)에서 공급되는 액체 상태의 휘발성 물질인 IPA의 정확한 양을 측정하는 제 2 유량계(410) 및 제 1 물질 공급부(400)에서 공급되는 물질의 배출 또는 차단시키는 제 3 밸브(420)가 설치된다.
제 1 기화부(600)는 제 1 물질 공급부(400)에서 공급되는 액체 상태의 휘발성 물질(IPA)에 의해서 적시어지는 메쉬(650)를 포함하며, 메쉬(650)에 적셔진 IPA는 제 1 압력 공급부(500)로부터 공급되는 질소 가스에 의해서 기화되어 소정의 크기를 갖는 분자 상태인 IPA 입자로 변환된다.
제 1 압력 공급부(500)에서 공급되는 질소 가스의 압력에 따라 생성된 분자 상태의 IPA 입자의 양을 결정하여 배스(700) 내에 공급한다.
메쉬(650)는 0.1μm 정도 크기의 다수의 홀(Hole)을 가지며, 엔지니어링 스폰지(Engineering sponge) 또는 테프론(Teflon)과 같은 재질로 되어 있다.
제 2 물질 공급부(200)는 배스(700) 내에 웨이퍼 건조를 위한 액체 상태의 휘발성 물질인 IPA(알코올)를 제 2 기화부(300)에 공급하며, 공급된 액체 상태의 IPA는 제 2 기화부(300) 내부의 압전 효과에 의해서 기화되어 소정의 크기를 갖는 분자 형태의 입자로 변환될 것이다.
제 2 압력 공급부(100)는 소정의 압력을 갖는 기체(질소 가스)를 제 2 기화부(300)에 공급하여 제 2 기화부(300) 내에서 생성된 입자를 제 1 기화부(600)를 통해서 배스(700)로 공급하거나 배스(700)로 직접 공급하고, 공급된 입자에 의해서 배스(700) 내의 웨이퍼는 건조될 것이다.
제 2 압력 공급부(100)에서 공급되는 질소 가스의 압력은 배스(700) 내에 유입되는 입자의 양에 따라 결정한다.
제 2 기화부(300)는 제 2 물질 공급부(200)에서 공급되는 액체 상태의 IPA를기체 상태의 분자 형태인 입자로 변환하며, 변환된 입자는 제 2 압력 공급부(100)에서 공급되는 질소 가스의 압력에 따라 제 1 기화부(600)를 통하여 배스(700) 내에 분사되거나, 직접 배스(700)로 분사된다.
제 2 압력 공급부(100)와 제 2 기화부(300) 사이의 배관 상에는 제 2 압력 공급부(100)에서 공급되는 질소 가스의 양을 조절하는 제 2 유량 조절기(110)와, 배관을 통해서 제 2 기화부(300)로 유입되는 질소 가스의 정확한 양을 측정하는 질량 유량계(MFC : Mass Flow Control, 120) 및 제 2 압력 공급부(100)에서 공급되는 질소 가스의 배출 및 차단시키는 제 4 밸브(130)가 설치되어 있다.
또한, 제 2 기화부(300)와 제 1 기화부(600) 사이의 배관에는 제 2 기화부(300)에서 공급되는 입자를 차단 및 배출시키는 제 5 밸브(350)가 설치되고, 제 1 물질 공급부(200)와 제 2 기화부(300) 사이의 배관에는 제 2 물질 공급부(200)로부터 공급되는 액체 상태의 휘발성 물질인 IPA 배출 또는 차단시키는 제 6 밸브(250)가 설치된다.
배스(700)는 로봇 암에 의해서 고정된 웨이퍼를 업 시키는 추진기(750)와, 클리닝 공정을 위해서 외부에서 공급된 초순수를 포함하며, 제 1 건조부(1000)와 제 2 건조부(2000)로부터 입자들이 이송될 때, 배스(700) 내부에 설치된 추진기(750)는 로봇 암에 의해서 고정된 웨이퍼들을 초순수 영역으로부터 업 시킴과 동시에 배스(700)내에 공급된 초순수를 외부로 배출하며, 웨이퍼 상에 초순수의 표면 장력에 의해서 생성된 초순수 막과 제 1 기화부(600) 또는(및) 제 2 기화부(300)로부터 이송된 입자들의 표면 장력에 의해서 생성된 IPA 막이 형성된다. 이렇게 형성된 초순수 막과 IPA 막은 서로 치환 반응하여 웨이퍼 상에 존재하는 초순수를 건조시킨다.
질소 공급부(800)는, 배스(700) 내의 웨이퍼 상에 존재하는 초순수를 제거한 후, 웨이퍼의 이송과 동시에 질소 가스를 공급하여 배스(700) 내부를 건조시킨다.
질소 공급부(800)와 배스(700) 사이의 배관에는 질소 공급부(800)로부터 공급되는 질소 가스를 차단 또는 배출시키는 제 9 밸브(810) 및 배스(700) 내로 유입되는 질소 가스 양을 정확히 측정하는 제 3 유량계(820)가 설치된다.
배스(700)와 제 1 기화부(600) 사이의 배관 상에는 제 1 기화부(600) 및(또는) 제 2 기화부(300)에서 공급된 입자들의 배출 또는 차단시키는 제 7, 8 밸브(660, 670)가 설치된다.
상기와 같은 구성을 갖는 반도체 건조 장치의 동작 과정을 아래와 같다.
먼저, 25장씩 반도체 웨이퍼가 들어있는 카세트는 건조 공정을 진행하기 위하여 2개의 카세트 스테이지에 로딩(Loading)된다. 추진기(Pusher)는 로딩된 웨이퍼를 업(up) 시키고, 척킹(Chucking) 기구는 짝수 척킹 슬롯(Slot)에 있는 웨이퍼들만 잡아두 후에, 척킹 로봇은 나머지 하나(즉, 홀수 척킹 슬롯에 있는 웨이퍼)의 카세트 스테이지로 이동한다.
척킹 로봇은 두 개의 카세트를 백 투 백(Back to Back) 형태로 만들기 위하여 카세트를 180° 회전시킨다.
추진기는 척킹 기구에 의해서 잡혀있는 짝수 웨이퍼 사이에 홀수 웨이퍼를 업 시키고, 척킹 기구는 업된 홀수 웨이퍼를 잡음으로써 50장의 웨이퍼를 백 투 백방식으로 배치시킨다.
로봇은 백-투-백 방식으로 배치된 50장의 웨이퍼를 건조 공정을 위하여 클리닝 배스(700)로 이동시킨다.
배스(700) 내에 있는 50 슬롯 추진기가 업 되어 로봇에 의해서 이송된 웨이퍼를 받아 내려온다.
이송된 웨이퍼는 초순수 및 화학 물질(예를 들면, HF, SC 등)을 배스(700) 내에 주입시켜 클리닝된다.
이 때, 클리닝 효과를 높이기 위한 방법으로 초순수의 공급과 동시에 초음파(megasonics)를 배스(700) 내에 공급한 후, 빠르게 공급된 초순수를 배출시키고, 다시 초순수를 공급하는 것을 반복하여 실시한다.
클리닝 공정을 실시한 후, 건조 공정은 도 1에 도시된 바와 같은 장치를 이용하여 건조 공정을 실시하는 예를 들어 설명한다.
제 1 건조부(1000)의 제 1 물질 공급부(400)는 제 1 기화부(600)와 연결된 배관을 통하여 제 1 기화부(600) 내에 메쉬(650)로 액체 상태의 휘발성 물질인 IPA를 이송한다.
메쉬(650)에 적셔진 제 1 물질 공급부(400)에 의해서 공급된 IPA는 제 1 압력 공급부(500)에 의해서 공급된 고압의 질소 가스에 의해서 기화되어 원하는 크기를 갖는 분자 상태의 미세한 IPA 입자로 생성되며, 생성된 IPA 입자는 제 1 압력 공급부(500)에 의해서 공급되는 질소 가스의 압력 따라 양이 결정되어 배스(700)에 공급된다.
또한, 제 2 건조부(2000)의 제 2 물질 공급부(200)는 제 2 기화부(300)와 연결된 배관을 통하여 제 2 기화부(300) 액체 상태의 휘발성 물질인 IPA를 이송한다.
제 2 기화부(300)는 제 2 물질 공급부(200)에 의해서 이송된 휘발성 물질인 IPA를 기화시켜 소정의 크기를 갖는 분자 상태의 IPA 입자로 변환시키고, 변환된 기체 상태의 입자는 제 2 압력 공급부(100)에 의해서 공급되는 질소 가스에 의해서 제 1 기화부(600)를 통하여 배스(700) 내부에 이송된다. 이송되는 기체 상태의 IPA 입자의 양은 제 2 압력 공급부(100)에 공급 질소 가스의 압력에 따라 결정된다.
이때, 제 2 기화부(300)에서 공급되는 IPA 입자는 제 1 기화부(600)에서 공급되는 IPA 입자의 분사를 촉진시키는 역할을 한다.
제 1 기화부(600) 및 제 2 기화부(300)에 의해서 공급되는 IPA 입자가배스(700) 내에 분사될 때, 배스(700) 내의 추진기(750)는 이송된 웨이퍼를 초순수 영역으로부터 서서히 상부로 업 시키면서 클리닝 공정 시에 공급된 초순수를 배출시킨다.
배스(700) 내에 공급되는 IPA 입자에 의해서 배스(700) 내부에 존재하는 초순수는 IPA 입자와 치환 반응을 하여 제거되고, 웨이퍼 표면에 생성된 초순수 막은 웨이퍼 표면에 생성된 IPA의 얇은 막과 치환 반응하여 건조된다.
웨이퍼 표면에 존재하는 초순수를 건조시킨 후, 배스(700) 내의 로봇에 의해서 웨이퍼가 이송될 때, 질소 공급부(800)로부터 공급되는 고압의 질소 가스에 의해서 배스(700) 내부를 정화시킨다.
본 발명의 다른 실시 예로써 제 2 건조부(2000)만을 이용하여 배스(700) 내부를 건조시키는 과정을 설명하면 아래와 같다.
제 2 건조부(2000)의 제 2 기화부(300)에서 공급되는 IPA 입자의 양 및 분사 압력은 제 2 압력 공급부(100)에서 공급되는 질소 가스 양과 압력을 조절되어 단일 배관(640)을 통하여 배스(700)로 공급될 수 있다.
즉, 제 1 건조부(1000)가 없이 제 2 건조부(2000)의 제 2 압력 공급부(100)에서 공급되는 질소 가스의 압력을 조절하여 제 2 기화부(300)에서 생성된 IPA 입자들의 양과 분사 압력을 조절함으로써, 제 1 건조부(1000)와 제 2 건조부(2000)를 이용한 것과 똑같은 분사 량과 분사 압력으로 IPA 입자를 배스(700)에 공급하여 배스(700) 내부에 이송된 웨이퍼를 건조시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예로써 제 1 건조부(1000)만을 이용하여 배스(700) 내부에 이송된 웨이퍼를 건조시키는 과정을 설명하면 아래와 같다.
제 1 건조부(1000)의 제 1 물질 공급부(400)는 제 1 기화부(600)와 연결된 배관을 통하여 제 1 기화부(600) 내에 메쉬(650)로 액체 상태의 휘발성 물질인 IPA를 이송한다.
메쉬(650)에 적셔진 제 1 물질 공급부(400)에 의해서 공급된 IPA는 제 1 압력 공급부(500)에 의해서 공급된 고압의 질소 가스에 의해서 기화되어 원하는 크기를 갖는 분자 상태의 미세한 IPA 입자로 생성되며, 생성된 IPA 입자는 제 1 압력 공급부(500)에 의해서 공급되는 질소 가스의 압력 따라 양이 결정되어 배스(700)에 공급된다.
즉, 제 2 건조부(2000)가 없이 제 1 건조부(1000)의 제 1 압력 공급부(500)에서 공급되는 질소 가스의 압력을 조절하여 제 1 기화부(600)에서 생성된 IPA 입자들의 양과 분사 압력을 조절함으로써, 제 1 건조부(1000)와 제 2 건조부(2000)를 이용한 것과 똑같은 분사 량과 분사 압력으로 IPA 입자를 배스(700)에 공급하여 배스(700) 내부에 이송된 웨이퍼를 건조시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제 1 건조부 또는(및) 제 2 건조부를 이용하여 분자 상태의 휘발성 물질인 IPA 입자를 배스 내부에 공급하고, 공급된 IPA 입자에 의해서 클리닝 공정 후에 배스에 잔존하는 초순수를 제거함으로써, 초순수의 완벽하게 건조하지 못하여 발생하는 산화막 형성을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 휘발성 물질인 IPA를 액체 상태가 아닌 기체 상태로 공급함으로써, 금속 제품인 소닉 제품에 비하여 금속에 영향이 없으므로 화공 약품을 사용하는 공정에서도 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 금속 제품의 장시간 사용에 따른 오염과 성능 저하를 막을 수 있는 효과가 있다.
한편, 본 발명은 상술한 실시 예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주 내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.

Claims (8)

  1. 배스 내의 반도체 웨이퍼를 건조시키는 장치에 있어서,
    상기 배스 내에 공급되어 상기 배스 내에 잔존하는 초순수를 치환 반응하여 제거시키기 위한 액체 상태의 휘발성 물질을 공급하는 제 1 물질 공급부와,
    소정의 압력을 갖는 상온의 기체를 공급하는 제 1 압력 공급부와,
    상기 제 1 압력 공급부로부터 공급되는 소정의 압력을 갖는 상온의 기체에 의해서 상기 휘발성 물질을 기화시켜 분자 상태의 입자를 생성하고, 상기 생성된 입자를 상기 배스 내로 공급하여 상기 반도체 웨이퍼가 건조되게 하는 제 1 기화부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 건조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 건조 장치는,
    상기 배스 내에 공급되어 상기 배스 내에 잔존하는 초순수를 치환 반응하여 제거시키기 위한 액체 상태의 휘발성 물질을 공급하는 제 2 물질 공급부와,
    상기 공급된 휘발성 물질을 기화시켜 분자 상태의 입자를 생성하는 제 2 기화부와,
    소정의 압력을 갖는 기체를 상기 제 2 기화부에 공급하고, 상기 제 1 기화부에서 공급되는 입자가 상기 배스에 공급될 때 상기 공급된 기체에 압력에 따라 상기 제 2 기화부에서 생성된 입자를 공급하여 상기 제 1 기화부에서 상기 배스로 공급되는 입자의 분사를 촉진시키는 제 2 압력 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 건조 장치.
  3. 배스 내의 반도체 웨이퍼를 건조시키는 장치에 있어서,
    상기 배스 내에 공급되어 상기 배스 내에 잔존하는 초순수를 치환 반응하여 제거시키기 위한 액체 상태의 휘발성 물질을 공급하는 제 2 물질 공급부와,
    상기 공급된 휘발성 물질을 기화시켜 분자 상태의 입자를 생성하는 제 2 기화부와,
    소정의 압력을 갖는 기체를 상기 제 2 기화부에 공급하고, 상기 공급된 기체에 의해서 상기 입자를 상기 배스에 공급하여 상기 반도체 웨이퍼가 건조되게 하는 제 2 압력 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 건조 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 반도체 건조 장치는,
    상기 배스 내에 공급되어 상기 배스 내에 잔존하는 초순수를 치환 반응하여 제거시키기 위한 액체 상태의 휘발성 물질을 공급하는 제 1 물질 공급부와,
    소정의 압력을 갖는 상온의 기체를 공급하는 제 1 압력 공급부와,
    상기 제 1 압력 공급부로부터 공급되는 소정의 압력을 갖는 상온의 기체에 의해서 상기 휘발성 물질을 기화시켜 분자 상태의 입자를 생성하고, 상기 제 2 기화부에서 상기 입자가 공급될 때 상기 생성된 입자를 상기 배스 내로 공급하여 상기 반도체 웨이퍼가 건조되게 하는 제 1 기화부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 건조 장치.
  5. 제 1 내지 4 항 중에 있어서,
    상기 압력 공급부는,
    질소를 공급하고, 상기 공급된 질소의 압력에 따라 상기 배스에 분사되는 입자의 분사 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 건조 장치.
  6. 제 1 또는 4 항에 있어서,
    상기 제 1 기화부는,
    상기 제 1 물질 공급부로부터 이송된 휘발성 물질이 함유된 메쉬를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 건조 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 메쉬는
    0.1μm 정도의 홀을 갖는 테프론 또는 엔지니어링 스폰지 소재인 것을 특징으로 하는 반도체 건조 장치.
  8. 제 1 내지 4 항에 있어서,
    상기 배스 내의 반도체 웨이퍼는,
    상기 입자가 공급될 때, 초순수 영역으로부터 상부로 업 되어 표면상에 잔존하는 초순수가 상기 배스에 공급되는 입자에 의해서 건조되는 것을 특징으로 하는 반도체 건조 장치.
KR1020010035256A 2001-06-21 2001-06-21 반도체 건조 장치 KR20020096577A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010035256A KR20020096577A (ko) 2001-06-21 2001-06-21 반도체 건조 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010035256A KR20020096577A (ko) 2001-06-21 2001-06-21 반도체 건조 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020096577A true KR20020096577A (ko) 2002-12-31

Family

ID=27710256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010035256A KR20020096577A (ko) 2001-06-21 2001-06-21 반도체 건조 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20020096577A (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1167714A (ja) * 1997-08-08 1999-03-09 Nec Corp ウェハの洗浄及び乾燥方法
JP2000124187A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥方法および基板乾燥装置
KR20000037982A (ko) * 1998-12-03 2000-07-05 김규현 반도체 웨이퍼 건조장치 및 건조방법
JP2000223466A (ja) * 1998-11-24 2000-08-11 Toho Kasei Kk ウェハ乾燥装置及び方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1167714A (ja) * 1997-08-08 1999-03-09 Nec Corp ウェハの洗浄及び乾燥方法
JP2000124187A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥方法および基板乾燥装置
JP2000223466A (ja) * 1998-11-24 2000-08-11 Toho Kasei Kk ウェハ乾燥装置及び方法
KR20000037982A (ko) * 1998-12-03 2000-07-05 김규현 반도체 웨이퍼 건조장치 및 건조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI419258B (zh) 以無電鍍銅方式形成圖案化銅線的系統及方法
US20160233102A1 (en) Fabrication of a silicon structure and deep silicon etch with profile control
KR102525288B1 (ko) 수소-풍부 플라즈마를 사용하여 제거되는 희생적인 브레이싱 재료를 사용하여 붕괴 없이 고종횡비 구조체들을 건조시키기 위한 시스템들 및 방법들
KR102450620B1 (ko) 최신식 메모리 디바이스들에 대한 유전체 보수
US6899109B1 (en) Method and apparatus for reducing He backside faults during wafer processing
US20060081269A1 (en) Method and apparatus for cleaning and drying wafers
US7228645B2 (en) Multi-zone shower head for drying single semiconductor substrate
US9466511B2 (en) Systems and methods for drying high aspect ratio structures without collapse using stimuli-responsive sacrificial bracing material
US10008396B2 (en) Method for collapse-free drying of high aspect ratio structures
US20070246079A1 (en) Multi zone shower head for cleaning and drying wafer and method of cleaning and drying wafer
US20040072706A1 (en) Removal of contaminants using supercritical processing
US6918192B2 (en) Substrate drying system
US20200395221A1 (en) Method of etching porous film
US20110294301A1 (en) Method of Preventing Premature Drying
TWI833899B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US7582181B2 (en) Method and system for controlling a velocity field of a supercritical fluid in a processing system
KR100557247B1 (ko) 맥동 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
KR20020096577A (ko) 반도체 건조 장치
TW202013435A (zh) 高深寬比結構之有效率的清潔和蝕刻
JP2009238899A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018078200A (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
US20080047576A1 (en) Single-substrate type apparatus for processing a substrate
KR20230168139A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR200205336Y1 (ko) 반도체 식각장치
JP2008016548A (ja) 高圧処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application