KR20020095165A - 쌍안정성 네마틱 액정 장치 - Google Patents

쌍안정성 네마틱 액정 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 액정 장치는 전극 구조체(6, 7)와 정렬 표면(20, 21)을 각각 지지하는 두 개의 셀 벽들(3, 4) 사이에 수납된 네마틱 액정 재료의 층(2)을 포함한다. 하나 또는 양쪽 셀 벽상의 정렬층(20, 21)은 복수의 소형(<15㎛) 표면 형상부들로 형성되고, 이들 각각은 개별적으로 쌍안정 예비 경사와 정렬 방향을 제공할 수 있으며, 총체적으로 층(2)을 가로지른 분자 배향의 보다 큰 변화들을 유발할 수 있다. 상기 장치는 광 투과 상태와 광 비투과 상태 사이에서 스위칭될 수 있다. 소형 표면 형상부들은 격자(21), 돌출부(25) 또는 블라인드 구멍(26)의 영역들일 수 있으며, 수직배향 정렬층으로 코팅된 단안정 평탄 표면들(Fm)에 의해 분리되어 있다. 상기 격자가 저 표면 경사와 고 표면 경사 사이에서 쌍안정성 스위칭 동작을 제공하고, 저 경사 정렬 방향은 인접한 격자 영역들 사이에서 변화하는 것이 적합하다.

Description

쌍안정성 네마틱 액정 장치{Bistable nematic liquid crystal device}
액정 장치는 통상 셀 벽들 사이에 수납된 액정 재료의 얇은 층을 포함하며, 상기 셀 벽들 중 적어도 하나는 광투과성이다. 상기 벽들은 통상 외부 전기장이 인가될 수 있도록 내부면에 투과성 전도층이 코팅된다. 전극들은 일 벽에 열 또는 라인 전극, 그리고, 다른 벽에 행을 형성하는 일련의 스트립으로서 형성되는 경우가 많다. 열 및 행의 교점은 어드레스될 수 있는 소자 또는 화소의 xy 행렬을 제공한다. 세그먼트형(segmented) 또는 rθ 디스플레이를 포함하는 다른 장치가 사용될 수도 있다.
또한, 몇몇 액정 장치들은 박막 트랜지스터(TFT)와 같은 비선형 소자들을 형성하도록 설계된 전극들과 나란히 반도체의 영역을 포함한다. 컬러 필터, 평탄층 및 배리어층, 및 흡수층 또는 반사층들을 포함하는 다른 층들이 장치의 내부에 수용될 수 있다.
통상적으로, 각각의 화소의 최내부면은 액정 디렉터의 소요 배향을 제공하는정렬층을 포함한다. 통상적으로, 상기 정렬층은 표면에 소정의 방향을 제공하기 위해 예를 들면 천(cloth)으로 버핑된(buffed) 폴리이미드 등의 폴리머 층이다. 이는 액정 분자들에 적합한 정렬 및 표면 경사를 제공한다. 폴리머를 버핑하지 않으면, 일반적으로, 디렉터라 칭하는 단위 벡터에 의해 표시되는 액정 분자들이 폴리머의 국부 표면에 평행한 평면 배향을 제공한다. 또한, 포토레지스트의 층에 형성된 회절 격자 표면(grating surface)이 예를 들면 영국 특허 제 2,312,523호, 제 2,290,629호, 국제 출원 WO98/59275호, WO97/39382호, 및 미국 특허 제 5,808,717호, 제 4,247,174호에 개시된 바와 같이, 정렬 및 표면 경사에 사용된다. 포토레지스트 재료는 통상 디렉터의 평면 정렬을 야기하며, 회절 격자 표면의 홈에 의해 발생되는 표면에 근접한 탄성 왜곡에 의해 적합한 정렬 방향 및 예비 경사가 발생된다.
예를 들면, 계면 활성제에 의해 제공되는 낮은 표면 에너지를 사용하여 상이한 형태의 정렬을 성취하는 경우가 빈번하다. 이러한 경우, 디렉터는 표면에 국부적으로 수직이며, 수직배향(homeotropic)이라 칭한다. 모든 경우에, 기판 표면에 인접한 액정 재료의 분자는 액정의 탄성력을 통해 샘플의 체적(bulk)에 적합한 정렬 방향을 전달한다.
액정 장치를 가로질러 전기장을 인가하는 것은 다수의 효과들 중 소정의 효과를 가질 수 있다. 다수의 장치들은 액정의 고유 유전 이방성(△ε=ε∥- ε⊥, 여기서 ∥ 및 ⊥는 디렉터에 평행 및 수직인 방향을 지칭함)에 의존한다. △ε가 양이면, 액정의 정전 에너지는 디렉터가 인가된 전계에 평행할 때 최소이며, 반면△ε가 음이면, 디렉터는 인가된 전계에 수직으로 위치되는 경향이 있다. 이러한 효과들은 필드의 RMS 값과 관련이 있으며, 전계의 극성에 무관하다. 대부분의 재료들은 장치의 작동 주파수 범위에 걸쳐 양 또는 음이지만, 몇몇 재료들은 △ε가 저주파수에서는 양이고 고주파수에서는 음인 "2 주파수" 거동을 작동 전기 주파수 범위 내에서 나타내도록 설계되어 있다. 최근에, 다수의 액정들에서 발생하는 플렉소-일렉트릭(flexo-electric) 효과를 사용하는 몇몇 장치들이 개시되어 있다(R.B. Meyer 1969, Phys Rev Lett. V22, p918). 이러한 효과는 액정 디렉터 필드의 소정의 탄성 왜곡에 의해 유도되는 액정 분자들의 극성 정렬에 의해 발생된다. 이러한 효과의 강도는 DC 전계와 관련되며, 인가된 전기장의 극성에 의존한다.
종래의 트위스트 네마틱 장치에 있어서, 전자 광학 변조는 △ε의 효과에 기인한다. 적절한 전압을 인가함으로써, 액정 분자들을 층 두께에 대략 평행한 트위스트 상태(평면 편광된 광의 평면을 회전시킴)로부터 층에 대략 수직인 비회전 상태로 회전시킨다(스위칭 상태). 상기 트위스트 및 비트위스트 상태들은 편광자들 사이에 있을 때 셀을 관찰함으로써 식별될 수 있으며, 이는 직교 상태로 배열되거나 액정 셀의 디자인에 따라 소정의 다른 적절한 배열일 수 있다.
대안적으로, 광학적 대비는 입사광의 산란도를 변조함으로서 성취될 수 있다. 동적 산란 네마틱스(Heilmeier 등 1968, Appl. Phys Lett v13 p46); 동적 산란 스메틱스(예를 들면, Crossland 등 1979, 미국 특허 제 4,139,273호); 열적 및 전기적으로 어드레스된 산란 스메틱 A 장치들(예를 들면, Coates, IN Bahadur,"Liquid Crystals: Applications and Uses, Volume 1, World Scientific, 1990, p275) 마이크로-캡슐화 및 폴리머 분산 액정들(예를 들면, Fergason 등 1984, 미국 특허 제 4,435,047호, SEIKO, 유럽 특허 제 0 749 031 A1호, Doane 등 Appl. Phys, Lett., 1986 v48 p269 및 Coates 등 미국 특허 제 5,604,612호); 액정 분산(Hilsum, 1976 영국 특허 제 1 442 360호); 네마틱 액정내의 굴절 지수의 회절 격자의 전기장 유도(Huignard 등, 1987, 미국 특허 제 4,630,091호, Canon 미국 특허 제 4,878,742호); 패턴화 전극들을 갖는 강유전성 액정(O'Callaghan, Handschy, 1990, 미국 특허 제 5,182,665호)를 포함하는 다수의 장치들이 이러한 효과를 사용한다.
다른 액정 장치는 상이한 상태들을 식별하기 위해 광학적 흡수 이방성의 원리로 작동된다. 이러한 형태의 장치의 성능은 통상 액정 재료에 다색성 염료를 첨가함으로써 매우 강화된다. 이러한 형태의 장치의 일례는 게스트 호스트 모드 콜레스테릭(테일러, 화이트의 미국 특허 제 3,833,287호, 1974년)이다.
최근, 네마틱 디렉터의 하나 이상의 안정성 방향이 존재하는 신규한 격자 표면이 개시되어 왔다. 상이한 애지머셜 배향(즉, 셀의 평면 내의 디렉터 또는 액정 분자들의 평균 방향의 상이한 배향)을 갖는 쌍안정성 표면을 유도하는 쌍격자 구조(bigrating structure)가 영국 특허 제 2,286,467-A호와, 미국 특허 제 5,796,459호에 개시되어 있다. 로컬 디렉터는 표면에 대해 평면이며, 두 개의 표면 배향은 격자 피치들의 정밀한 제어, 광휘의 진폭 및 정도에 의해 안정화된다.
영국 특허 출원 제 9521106.6호와, 국제 출원 WO97/14990호 및 영국 특허 제2,318,422호에 신규한 표면이 개시되어 있으며, 여기서 수직배향 로컬 디렉터를 갖는 단격자 표면은 동일한 평면 내에서 상이한 경사각을 갖는 두 개의 안정 상태를 야기한다. 상기 표면은 제니셜(zenithal) 쌍안정성 장치(ZBD)를 형성하는데 사용된다. 상기 장치는 영국 특허 제 2,286,467-A호의 애지머셜 쌍안정성 장치에 비해 상당히 향상된 스위칭 특성을 갖는데, 이는 기판에 수직으로 인가된 전기장에 의해 가해진 토오크가 두 개의 안정 상태의 디렉터와 동일한 평면에 작용하기 때문이다. 제니셜 쌍안정성 표면에 의해, 디렉터 필드의 결함 또는 디스클리네이션(disclination)을 포함하는 적어도 하나의 상태와, 상기 결함들을 포함하지 않는 연속 상태라 칭하는 한 상태가 존재한다. 예를 들면, 영국 특허 제 2,318,422호에는, 격자 표면으로부터 소정의 거리 만큼(통상 격자 피치에 대응) 이격되는 네마틱 디렉터의 저 예비 경사를 야기하는 결함 상태와, 고 예비 경사를 야기하는 연속 상태가 존재하는 제니셜 쌍안정성 표면이 개시되어 있다. 본원에서 예비 경사(pre-tilt)는 셀 평면에 대한 디렉터의 각도를 의미하는데 사용되는 것을 주목하여야 한다.
다수의 종래의 액정 디스플레이 장치들의 공통적인 문제점은 협소한 조망각, 대비 및 반사성의 결핍, 열악한 스위칭 성능, 전력 사용의 비효율성, 및 큰 면적의 제조의 곤란성을 포함한다. 더욱이, 액정 장치들은 프라이버시 윈도우를 포함하는 다른 응용분야에서의 광 제어에 빈번히 사용된다. 종종, 이러한 응용 분야에서의 문제점은 연속적인 전력 적용의 필요성이다.
본 발명은 액정 장치에 관한 것이며, 특히, 입사광의 회절, 산란 또는 흡수에 의해 변조가 발생되는, 단일의 편광자를 구비 또는 편광자 없이 동작하는 변조 장치에 관한 것이다.
도 1은 매트릭스 멀티플렉스 어드레스형 액정 디스플레이의 평면도.
도 2는 도 1의 디스플레이의 단면도.
도 3a 및 도 3b는 마스크의 사용과, 격자 구조를 형성하는데 사용되는 포토 레지스트상으로의 통상적인 조명 방향을 도시하는 도면.
도 4는 제니셜 쌍안정 정렬을 제공하기에 적합한 비대칭 격자면의 단면도.
도 5a, 도 5b 및 도 5c는 본 발명의 실시예의, 단일 방향으로 변광된 광을 변조할 수 있는 일 셀 벽의 평면도와 두 개의 측면도.
도 6a 및 도 6b는 도 5의 정렬을 가지는 셀을 위한 전기 전환식 분자 배열을 개략적으로 도시하는 도면.
도 7a, 도 7b 및 도 7c는 셀 벽상의 격자들의 평면도와 두 개의 측면도를 개략적인 형태로 도시하는 도면.
도 8은 도 7에 사용된 바와 같은 두 직교 방향들로 편광된 광을 변조하기 위한 격자 프로파일의 이차원 플롯을 도시하는 도면.
도 9a, 도 9b 및 도 9c는 도 8과 유사하지만, 격자 영역들 사이에 평탄한 표면을 가지는 정사각형 영역을 포함하는 도면.
도 10a, 도 10b 및 도 10c는 도 8과 유사하지만, 각 격자 영역 사이에 평탄한 표면의 공간들을 포함하는 도면.
도 11a, 도 11b 및 도 11c는 도 10과 유사하지만, 이웃 격자 영역들 사이에 비대칭의 반전을 가지는 도면.
도 12는 쌍격자에 의해 형성된 격자의 다른 실시예의 이차원 플롯을 도시하는 도면.
도 13은 격자 정렬 방향과 프로파일이 상이한 영역들내에서 변화하는 규칙적인 형상의 격자 영역들을 가지는 하나의 셀 벽을 도시하는 도면.
도 14는 격자 정렬 방향과 프로파일이 상이한 영역들내에서 변화하는 불규칙적 형상의 격자 영역들을 가지는 하나의 셀 벽을 도시하는 도면.
도 15는 상이한 영역들내에서 변화하는 격자 정렬 방향과 쌍안정 프로파일을 가지는 상태의, 격자가 쌍격자인 불규칙적 형상의 격자 영역들을 가지는 하나의 셀벽을 도시하는 도면.
도 16은 격자 정렬 방향이 각 격자 영역내에서 변화하는 상이한 형상의 격자 영역들을 가지는 하나의 셀 벽을 도시하는 도면.
도 17은 그 폭, 높이 및 간격 치수들이 쌍안정 정렬을 제공할 수 있는 복수의 돌출부들에 의해 형성된 격자 영역을 도시하는 도면.
도 18은 두가지 전환 상태들에 있는 도 17의 정렬을 가지는 셀의 개략적인 측면도.
도 19는 그 폭, 높이 및 간격 치수들이 쌍안정 정렬을 제공할 수 있는 복수의 블라인드 구멍들에 의해 형성된 격자 영역을 도시하는 도면.
도 20은 두 가지 전환 상태들에 있는 도 19의 배열을 가지는 셀벽의 측면도.
도 21은 도 7 및 도 8의 격자를 제조하기 위한 금속 마스크를 도시하는 도면.
도 22, 도 23 및 도 24는 래칭을 도시하는, 도 21의 마스크를 사용하여 제조된, 그 두가지 상태들로 전환된 쌍안정 셀들의 현미경사진.
도 25, 도 26 및 도 27은 도 22, 도 23 및 도 24의 장치들로부터 초래된 셀에 대한 결과적인 회절 패턴들을 도시하는 도면.
도 28은 동일 높이 및 직경을 가지는 단일 원통형 돌출부를 둘러싸는 연속 상태의 디렉터 프로파일의 삼차원 수치 시뮬레이션으로부터의 이차원 단편의 그래픽적 출력을 도시하는 도면.
도 29a 및 도 29b는 셀이 a) 결함 상태와, b) 연속 상태의 두가지 상태로 도시되어 있는, 하나의 내면이 도 12의 수직배향 쌍격자를 가지는, 교차 편광자 사이의 셀의 텍스쳐의 40배 확대 현미경 사진.
도 30은 1000:1의 듀티비을 가지는 극성이 교번하는, 30V, 2ms 쌍극 펄스들에 의해 구동될 때, 도 29의 셀을 위한 투과 대 시간의 플롯을 도시하는 도면.
도 31은 a×10 대물 렌즈를 사용하여, 교차 편광자들 사이에서 관측될 때, 셀의 배향의 함수로서 도 29의 셀의 광 투과를 도시하는 도면.
도 32는 a×10 대물 렌즈를 사용하여, 교차 편광자들 사이에서 관측될 때, 도 29의 셀의 배향의 함수로서 대비 비율을 도시하는 도면.
도 33은 도 29 및 도 35의 셀을 위한 양 상태들 사이의 래칭을 달성하기 위한 응답 시간 대 펄스 진폭을 도시하는 도면.
도 34는 a) 결함(산란) 상태와 b) 연속(비산란) 상태로의 래칭 이후, 도 29의 얕은 쌍격자 셀을 통과한 이후에 스크린상에 입사하는 레이저광의 사진.
도 35는 a) 결함 상태와 b) 연속 상태의 두 상태들을 도시하는, 도 29에 사용된 것과 유사하지만, 쌍격자가 보다 깊게 형성되어 있는 제 2 셀의 현미경 사진.
도 36은 극성이 교번하는 쌍극 펄스(펄스 정점 진폭이 40V이며, 지속 기간은 500㎲)에 대한 도 35의 셀의 광학적 응답을 도시하는 도면.
도 37은 80ms의 전이 시간을 가지는 연속(보다 적은 산란, 회절 또는 흡수) 상태로부터 결함(보다 많은 산란, 회절 또는 흡수) 상태로의 저속 전이를 도시하는, 도 36의 확대도.
도 38은 4ms의 전이 시간을 가지는 급속 결함대 연속 상태 전이를 도시하는도 36의 확대도.
도 39는 a) 결함(산란) 상태와, b) 연속(비산란) 상태로 이미 래치되어 있는 도 35의 깊은 쌍격자 셀을 통과한 이후에 스크린상에 입사하는 레이저광의 사진.
도 40은 액정 장치의 양 내면들이 단안정 수직배향 정렬의 영역과 함께, 상이한 배향의 제니셜 쌍안정 영역들을 형성하도록 제조되어 있는 본 발명의 다른 실시예의 개략도.
도 41, 도 42 및 도 43은 본 발명의 다른 형태의 단면도.
본 발명에 따르면, 상기 문제점들은 높은 광 산란(또는, 흡수) 상태와, 예를 들면 투과 상태와 같은 매우 낮은 광 산란(또는, 흡수) 상태의 두 개의 쌍안정성 상태 사이에서 스위칭될 수 있는 액정 셀에 의해 저감된다. 산란 상태는 분자 배향의 국부적인 편차를 발생시키는 하나 또는 양 셀 벽들 상의 소형 표면 형상부들에 의해 얻어진다. 적합하게는, 상기 표면 형상부들은 격자 구조 또는 적합하게 배열된 표면 부조(relief) 구조에 의해 제공된다.
본 발명에 따르면, 전극 구조체들과 정렬 표면을 각각 구비하는 두 개의 셀 벽 사이에 수용되는 네마틱 액정 재료의 층을 포함하는 액정 장치에 있어서,
일차 변조와 이차 변조를 갖는 정렬층이 적어도 하나의 셀 벽에 제공되며,
상기 일차 변조는 쌍안정성 예비 경사 정렬과 액정 분자들에 대한 정렬 방향을 제공하는 프로파일형 표면 및 수직배향 표면을 각각 구비하는 복수의 소형(<15㎛) 정렬 영역에 의해 형성되며,
상기 이차 변조는 상기 소형 정렬 영역의 간격 및/또는 표면 정렬 방향에 의해 형성되며,
상기 장치는 광 투과 상태와 광 비투과 상태 사이에서 스위칭될 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 전극 구조체들과 정렬 표면을 각각 구비하는 두 개의 셀 벽 사이에 수용되는 네마틱 액정 재료의 층을 포함하는 액정 장치에 있어서,
정렬층이 적어도 하나의 셀 벽에 제공되며, 상기 정렬층은 개별적으로는 분자 배향의 작은 국부적인 편차를 발생시키며, 집합적으로는 상기 층을 가로지르는 분자 배향의 큰 변차를 발생시킬 수 있는 복수의 소형 표면 형상부들로 형성되며, 상기 표면 형상부들에서의 상기 액정 분자들의 국부적인 표면 정렬은 수직배향이며, 상기 장치는 광 투과 또는 반사 상태와 광 비투과 또는 반사 상태 사이에서 스위칭될 수 있는 것을 특징으로 한다.
예를 들면, <15㎛ 크기의 소형 정렬 영역(표면 형상부들)은 복수의 격자 영역들, 돌출부들, 또는 블라인드 구멍들로 형성될 수 있으며, 통상 수직배향 정렬인 단안정성 정렬의 영역에 의해 분리될 수 있다. 적합하게는, 상기 격자 영역들 등에서의 정렬은 쌍안정성 상태들이 상이한 값의 예비 경사를 갖는 액정 재료에 쌍안정성의 스위칭 가능한 상태를 제공한다. 정렬 특징들은 인접한 영역들에서 변경될 수 있다. 격자 영역들 등은 균일 또는 불균일 크기, 형상, 및 정렬 방향을 가질 수 있다. 격자 영역들이 디스플레이 적용에서와 같이 균일한 크기인 경우, 정렬 방향의 편차는 전체 디스플레이가 형성되도록 각각의 또는 다수의 영역들에 있어 동일할 수 있다. 각각의 영역 내에는, 산란량이 인가된 전압의 진폭에 의존함으로써 그레이스케일 효과를 제공하도록 점진적인 변화(graded variation)가 제공될 수 있다.
상기 액정 재료는 네마틱, 장 피치 콜레스테릭, (또는 카이랄 네마틱), 또는 스메틱일 수 있다.
본 발명은 하나 또는 양 내부 표면에 있어서, 저에너지 상태들 또는 저에너지 상태들 중 하나의 격자로부터 발생되는 정렬 방향이 영국 특허 제 2 318 422호의 표면에 대한 표면 평면에서 하나 이상의 방향으로 더욱 변조되는 부가의 요구 조건 이외에도, 미국 특허 제 5,796,459호의 쌍격자 표면은 상이한 예비 경사를 갖는 두 개의 상태들을 제공하도록 배열된 국부적으로 수직배향의 쌍격자 구조이어야 하는 종래의 미국 특허 제 5,796,459호 및 영국 특허 제 2 318 422호에 개시된 것들과 유사한 정렬 격자들을 사용한다. 두 개의 쌍안정성 상태가 상이한 예비 경사를 갖는 영국 특허 제 2 318 422호의 제니셜형 쌍안정성이 미국 특허 제 5,796,459호의 애지머셜 쌍안정성 보다 적합한데, 이는 최적의 전자 광학적 성능을 허용하기 때문이며, 하기에 설명하는 다양한 실시예에서 사용되는 형태이다.
단안정성 정렬이 제공되며 전자 광학적 변조가 인가된 전기장에 응답하여 액정 디렉터가 재배향될 때 굴절률 편차의 감소를 야기하는 단순한 장치들이 구성될 수 있다.
그러나, 표면이 셀의 소정 영역들에서의 제니셜 쌍안정성을 야기하는 것을 보장함으로써 상당히 향상된 작동이 가능하다. 이러한 장치들에서, 두 개의 상태 중 하나는 고회절, 고산란 또는 고흡수성이며, 다른 상태는 저회절, 저산란 또는 저흡수 상태이다. 두 개의 상태는 적절한 전압, 극성, 주기 및 형상의 전기적 펄스를 사용하여 선택될 수 있다.
다수의 특성들이 산란 장치의 양호한 밝기(및, 대비)를 제공하도록 산란도를 최대화하기 위해 변경될 수 있다. 이는 밝은 상태를 제공하도록 후방 산란광을 사용하는 반사 모드 장치들에 특히 해당된다. 먼저, 후방 산란은 입사 파장(통상 λ/5) 보다 짧은 길이 스케일에 걸쳐 굴절률 변조가 발생되는 경우 최대화된다.광학 파장의 높은 후방 산란도를 유도하는 제니셜 쌍안정성 격자에서의 이러한 미세한 형상부들의 제조는 실제로는 곤란하지만, 0.2㎛ 내지 2㎛ 피치의 표면 형상부들을 사용함으로써 만족스러운 결과가 가능하다는 것을 발견하였다. 이는 피크 및 골(trough)과 같은 표면 형상부들에서 안정화된 결합 코어들이 부가의 산란 중심을 제공하기 때문이다. 더욱이, 결함 코어가 후방 산란도를 증가시키는 범위는 표면의 배향 규제 에너지(anchoring energy), 및 액정의 탄성 계수에 관련된다는 것을 발견하였다.
상기 특성들은 또한 연속 상태의 인접 표면 디렉터 프로파일(및, 따라서, 작은 산란 상태에서의 산란도 및 대비율)와 전기적 스위칭 특성들에 영향을 미친다. 그러나, 결함 구조 자체는 산란도에 부수적인 역할을 수행하고, 격자 구조 자체는 광 산란도를 제어하는 중대한 팩터라는 것을 발견하였다. 이는 결함 등과 관련된 굴절률 편차가 격자 표면과 매우 근접하여 집중되며, 탄성 왜곡은 1 미크론 이내 또는 표면으로부터 매우 이격되어 균일한 디렉터 프로파일로 급격히 약해진다. 표면의 일 부분으로부터 다음 부분으로의 자체 정렬을 변경하는 것은 매우 높은 산란도를 보장하며, 이는 격자 프로파일의 2차 변조들에 의해 수행된다.
전방 및 후방 산란 모두를 최대화하기 위한 다른 중요한 팩터는 액정층, 즉 셀 갭(d)의 복굴절(△n) 및 두께이다. 복굴절은 가능한한 높아야하지만, 재료적 제한들(적절한 위상 전이 온도, 화학 안정성 및 저점성 등을 갖는 것과 같은)에 기인하여 △n은 광학 파장에서 통상 0.18 내지 0.25의 범위에 있다. 유사하게, 셀 갭은 스위칭 전압 및 대비율을 포함하는 다른 조건에 의해 제한된다. 광학계에서사용을 위해 대략 10㎛≤d≤50㎛의 범위의 통상의 셀 갭들에서 양호한 밝기 및 대비가 얻어진다는 것을 발견하였다.
그러나, 쌍안정성 상태들 사이에서 래칭하기 위해 플렉소-일렉트릭 효과에 의존하는 장치에 있어서, 장치의 성능과 타협하는 이러한 높은 셀 간격의 사용은 전기장의 임계값을 보다 높게 만든다. 이 때문에, 3㎛≤d≤6㎛ 범위의 셀 갭들이 또한 사용된다. 대안적으로, 상기 상태들 사이를 식별하는 2-주파수 효과는 보다 높은 간격으로 셀들을 스위칭시키는데 사용될 수 있는데, 이는 유전성 스위칭이 RMS 전압 효과이며 d에 무관하기 때문이다. 격자가 셀 내에 소정 간격으로 액정 디렉터에 제공되는 표면 예비 경사는 격자 형상의 비대칭도에 의존한다.
최대 산란도를 보장하기 위해, 상기 장치는 예비 경사가 0에 근접하도록 대칭 격자 형상에 근접하게 설계된다. 이는 적절한 편광에서, 두 개의 쌍안정성 상태가 한 산란 중심으로부터 다음 산란 중심으로 굴절률의 최대차(즉, 거의 완전한 △n)를 갖는다는 것을 의미한다.
향상된 대비는 또한 액정의 정상광 굴절률을 격자 재료(예를 들면, 포토레지스트)의 정상광 굴절률에 일치시킴으로써 이루어질 수 있다. 이는 연속 상태에서의 산란을 감소시킴으로써 보다 양호한 "어두운" 상태를 제공하는 것을 보조한다. 따라서, 액정 조성, 표면층 조성 및 표면 프로파일의 신중한 최적화는 장치 성능을 향상시키기 위한 각각의 중요한 팩터들이다.
대안으로, 본 발명의 장치들은 산란 보다는 흡수의 원리를 사용하여 작동될 수 있다. 예를 들면, 장치가 충전되기 전에 적절한 염료가 통상 0.5 중량% 내지 5중량% 범위, 통상 3 중량%의 농도로 액정에 혼합된다. 이러한 액정을 고려할 때, △n은 보다 작은 역할을 수행하며, 광학 대비 및 밝기는 액정 호스트에서의 염료의 질서도 파라미터 및 염료 흡수 이방성과 같은 팩터들에 의해 지시된다.
본 발명의 가장 중요한 팩터 및 기본 원리는, 특히 이차 변조의 형태의 격자 표면의 디자인이다. 다수의 상이한 구조들이 가능하며 선택은 적용 분야에 의해 빈번히 규정된다. 상술한 구조들의 각각에 공통점은 격자 표면이 두 개 이상의 길이 스케일, 및/또는 기판의 평면에 평행한 두 개의 직교 치수로 변조된다는 것이다.
본 발명의 일 실시예에서, GB 2 318 422에 사용된 것 같은 수직 단격자 구조(homeotropic mono grating structure)는 단일 홈 방향으로 구성되지만, 상이한 피치(또는 피치들)의 둘 이상의 변조 진폭들을 가진다. 제 1 변조는 액정 디렉터의 예비경사를 차별화하는 양호한 쌍안정 상태들을 초래하는 격자 구조이며, 제 1 변조 보다 높은 피치로 이루어진 제 2 변조는 영역들이 예비 경사의 상이한 값들 중 하나를 갖게 하거나, 액정 디렉터의 단일 단안정(mono-stable) 배향을 제공하게 한다. 이 형태에서, 셀은 표면 변조들의 방향으로의 셀 지연 또는 흡수의 변조가 존재하는 둘 이상의 안정 상태들로 래칭될 수 있다.
본 발명의 양호한 실시예에서, 격자는 표면 평면내에서 두 방향들(또는, 그 이상의 방향들)로 있는 방식으로 변조된다. 이들 이차 변조들은 액정 분자들을 정렬하기 위해 사용되는 제 1 변조의 것과 동일한 것으로부터 이 거리의 다수배까지의 소정 피치를 가질 수 있다. 예로서, 쌍안정 정렬을 획득하기 위해 사용되는 변조는, 광학적 파장들에서 동작하는 장치에 대하여, 주기성(L1)을 가질 수 있고, 이차 변조는 주기성(L2=10L1)을 가질 수 있다. 보다 긴 파장들(예로서, IR)에 대해서는 L2>10L1을 사용하는 것이 적합할 수 있다. 그러므로, 표면은 네마틱 액정 분자들의 정렬을 제공하기 위해 배열되고, 이는 변조 대상 입사광의 파장의 크기와 동일한 차수의 길이 스케일상의 표면을 횡단하는 방향으로 변화한다(즉, λ/10 내지 10λ 사이). 이들 파장은 근적외선 내지 자외선 파장일 수 있다(예로서, 200nm 내지 12㎛).
셀 벽은 통상적으로 유리 재료이지만, 강성 또는 가요성 플라스틱 재료로 이루어질 수 있다. 대형 장치들에 대하여, 스페이서들이 액정 재료내에 포함되거나, 격자들이 내부 스페이서들을 포함할 수 있다. 격자는 내부 금속 또는 다른 반사체, 컬러 필터, 폴리머 벽 또는 도트 스페이서, 흡수제, 콜리메이터 확산제 시트 등에 의해 보완될 수 있다.
도 1 및 도 2의 디스플레이는 유리벽들(3, 4) 사이에 수납된 네마틱 또는 장피치 콜레스테릭(cholesteric) 액정 재료의 층(2)으로 형성된 액정 셀(1)을 포함한다. 스페이서 링(5)은 벽들을 통상적으로 1 내지 50㎛ 이격 배치된 상태로 유지한다. 일부 실시예들에 대하여, 1-6㎛의 층 두께가 사용되며, 나머지들에 대해하여, 10 내지 50㎛ 간격이 사용된다. 부가적으로, 동일한 치수의 다수의 비드들이 정확한 벽 간격을 유지하기 위해 액정내에 분산될 수 있다. 예로서, SnO2또는 ITO(인듐 주석 산화물)로 이루어진 스트립형 열 전극들(6)이 일 벽(3)상에 형성되고, 유사한 행 전극(7)이 나머지 벽(4)상에 형성된다. m-열 및 n-행 전극들에서, 이는 어드레스가능한 소자들 또는 화소들의 m×n 매트릭스를 형성한다. 각 화소는 열 및 행 전극의 중첩에 의해 형성된다.
열 드라이버(8)는 각 열 전극(6)에 전압을 공급한다. 유사하게, 행 드라이버(9)는 각 행 전극(7)에 전압을 공급한다. 적용된 전압의 제어는 제어로직(10)으로부터 이루어지며, 이는 전압 소스(11)로부터 전력을 수신하고 클록(12)으로부터 타이밍을 수신한다.
셀(1)의 일 측면 또는 양 측면상에는 편광자(13, 13')가 있다. 부가적으로, 예로서, 신장 폴리머(stretched polymer)로 이루어진 광학적 보상층(17)이 셀 벽과 편광자 사이에서 액정층(2)에 인접하게 추가될 수 있다. 부분 반사 미러 또는 흡수층(16)이 광원(15)과 함께 셀(1) 뒤에 배열될 수 있다. 이들은 디스플레이가 반사 속에서 보여지고, 또한, 희미한 분위기광이 뒤쪽으로부터 조명되는 상태가 되는 것을 허용한다. 투과성 장치에서는, 거울 또는 흡수자(16)가 생략될 수 있다. 다른 실시예들은 후술될 바와 같은 두 개의 편광자들(13, 13')을 사용할 수 있다.
조립 이전에, 하나 이상의 셀 벽(3, 4)이 필요한 정렬, 즉, 예비 경사를 갖거나 갖지 않는 단안정 또는 쌍안정 정렬을 제공하기 위해 표면 부조 격자들 같은 정렬 특징으로 처리된다. 다른 표면은 평면(즉, 정렬 방향을 갖는 예비 경사가 몇도 수준 또는 0) 또는 수직배향 단안정 표면이나, 퇴화 평면 표면(즉, 셀의 평면내에 양호한 정렬 방향을 전혀 갖지 않는 예비 경사가 몇도 수준 또는 0)으로 처리될 수 있다.
이런 배열은 각 화소가 두 개의 시각적으로 상이한 상태들 양자 모두로 독립적으로 어드레스될 수 있게 한다. 집단적으로, 각 화소에서의 상이한 상태들은 필요한 정보의 디스플레이를 제공한다. 각 화소의 어드레싱으로부터의 파형들은 종래의 것일 수 있다. 예로서, 쌍안정 격자에서, 파형은 WO/005271-A1; 1999년 3월 3일자 GB 특허 출원 99/04704.5에 기술된 바와 같은 것일 수 있다.
도 2에 도시된 셀의 구조는 예로서, 대향 프라이버시 스크린을 제공하는 셔터(shutter)를 제공하도록 변경될 수 있다. 이 경우에, 시트 전극들은 스트립 전극으로 대체되고, 전체 셀은 그 두 상태들, 예로서, 투과 및 비투과 또는 확산 사이에서 스위칭된다.
정렬 격자는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다. 셀 벽(3, 4)을 형성하기 위한 인듐 주석 산화물(ITO) 피복 유리의 단편은 아세톤 및 이소프로파놀로 세정되고, 그후, 포토레지스트(20; Shipley 1805)로 3000rpm에서 30초 동안 스핀 코팅되어 약 0.55㎛의 코팅 두께가 제공된다. 그후, 소프트베이킹이 90℃로 30분 동안 수행된다. 비수직 입사로 노광이 수행되며, 본 경우에는 60°각도가 사용된다. 코팅된 셀 벽(3, 4)이 0.8mW/cm2의 강도의 수은 램프(Osram Hg/100)로부터의 광에 약 40 내지 180초의 주기 동안 노출된다. 마스크(19) 배향은 홈 방향이 실질적으로 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같은 입사 평면에 실질적으로 수직이 되도록 이루어진다.
본 기하학적 형상의 노광은 비대칭 강도 분포를 초래하며, 따라서, 도 4에 도시된 바와 같은 비대칭 격자 프로파일을 초래한다. 광이 마스크에 수직으로 입사되는 경우에, 격자 프로파일은 대칭(미도시)이다. 그후, 마스크(19)가 제거되고, 격자가 Shipley MF319내에서 10초 동안 현상되고, 그후, 이어서 이온제거수내에서 헹궈진다. 그후, 포토레지스트(20)가 깊은 UV 방사선(245nm)에 노출되고, 그후, 수신된 조명의 정도에 따라 영역을 제거하는 에칭제를 사용하여 160°에서 45분 동안 의 베이킹이 이어져서 포토레지스트가 경화된다. 포토레지스트 표면의 최종 형상은도 4에 예로서 도시된 바와 같은 격자(21)이다. 후술될 바와 같이, 전체 포토레지스트층(20)이 하나 이상의 격자 영역들로 형성될 수 있거나, 단지 일부가 격자(21)로 형성되고, 나머지는 평탄 표면(22)으로 남아 있게 된다.
그후, 표면(21, 22)이 저에너지 계면활성제나, 레시틴 같은 폴리머로 피복되고, 그래서, 액정 분자들이 국부적으로 표면에 수직으로 배치, 즉, 수직배향 경계면 상태로 놓여지는 경향을 갖는다. 표면의 이 형상(그리고, 따라서, 특성들 중 일부)은 몇가지 팩터들에 의존하며, 이 팩터들은 격자의 깊이(노광 지속 기간에 관련), 그 피치(크롬 마스크의 피치에 의해 주어짐) 및 광의 입사각(예로서, 비대칭 또는 광휘(blaze)의 정도)을 포함한다.
다른 제조 기술들이 이런 표면을 제조하기 위해 사용될 수 있으며(예로서, MC Hutley, 1982, "회절 격자" Academic Press pp 71-128 참조), 이들은 스코어링, 엠보싱, 인쇄, 리소그래픽, 레이저 절삭 및 인터페로그래픽 기술을 포함한다. 제니셜 쌍안정성을 얻기 위해 사용되는 통상적인 격자의 단면 SEM이 도 4에 도시되어 있다. 실제로, 표면의 쌍안정성을 유지하면서 허용되는 이들 특성의 일부 변화가 존재한다. 예로서, 쌍안정성은 약 0.3㎛ 내지 2.0㎛ 깊이를 가지는 격자에 대하여 형성될 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 가장 단순한 실시예들 중 하나를 도시한다.
도 5a, 도 5b 및 도 5c에 도시된 바와 같이. 셀 벽(4)은 전극(6)과 격자층(21)을 수반한다. 격자(21)는 일차 격자(Gb)의 영역을 가지며, 일차 격자 영역 각각은 제니셜 쌍안정성을 제공하기 위해 도 3a 및 도 3b와 유사한 프로파일을가진다. 즉, 액정 분자들이 수직배향 정렬과 평면 정렬 또는 그에 근접한 정렬 사이에서 스위칭될 수 있다. 이들 일차 격자 영역(Gb)은 일차 영역과 거의 동일한 폭의 평탄한 영역(Fm)과 산재된다. 격자(Gb)는 예로서, 0.3㎛ 높이와 0.6㎛ 피치(L1)의 치수를 갖는다. 격자(Gb) 및 평탄 표면(Fm)의 변조는 피치(L2)를 가지며, 이는 통상적으로 L1 보다 2배 내지 10배 사이이다(약 L2≒6㎛의 치수가 예시됨). 레시틴 같은 수직배향 코팅이 일차 격자 영역(Gb) 및 평탄 표면(Fm) 양자 모두 위에 적용된다. 이 형태에서, 액정 재료 표면 정렬은 쌍안정 격자 영역(Gb)과 단안정 수직배향 영역(Fm)으로부터 변화하며, 여기서, 쌍안정 격자 영역은 수직 정렬(수직배향) 또는 예로서, 적용된 직류 전압의 부호에 따라 표면의 평균 평면에 평행하게 정렬되어 있을 수 있으며, 단안정 수직배향 영역은 항상 벽(4)에 수직하다.
도 6a 및 도 6b는 어떠한 격자도 갖지 않는, 수직배향 정렬층(22)으로 코팅된 전극(7)을 구비한 벽(3)에 대향한 도 5의 벽(4)에 의해 형성된 셀(1)을 도시한다. 셀(1)은 편광자(13)를 통해 평면 편광된 광을 수신한다. 이 배열에서, 쌍안정 일차 격자(Gb)에 의해 영향을 받는 셀의 영역은 고경사(연속) 상태 또는 저경사(결함 상태 중 어느 한쪽일 수 있고, 평탄 영역(Fm) 분자들은 고경사(종래의 수직배향) 상태이다. 셀(1)의 일차 격자 영역(Gb)은 전극(6, 7)에 적용된 적절한 길이의 양 및 음의 등방향 전압 펄스에 의해 두 개의 쌍안정 상태들 사이에서 스위칭된다.
도 6a는 쌍안정 일차 격자 영역(G)과 산재된 단안정 평탄 영역(Fm)이 수직(수직배향) 정렬 상태에 있는 비산란(또는 회절)이나 약 산란(또는 회절) 상태를 도시한다.
도 6b는 쌍안정 격자 영역(Gb)이 저경사 상태인 강 산란(또는 회절 상태)를 도시하고 있다. 평탄 영역(Fm)위에서, 분자들은 수직배향 정렬 상태로 남아있다. 이 회절의 원인은 액정에 의해 형성된 규칙적 위상 격자로 인한 것이다. 도면의 평면에서 편광된 광(도시된 바와 같이)은 거의 비정상 굴절 지수(ne)의 스트립들이 산재되어 있는 액정 재료(no)의 정상 지수와 거의 동일한 굴절 지수의 스트립들을 겪게된다. 따라서, 셀은 입사광을 위한 위상 격자라 지칭될 수 있는 것을 형성한다. 브라그의 널리 공지된 회절 법칙은 2(L2)sinθ=nλ를 제공하며, 여기서, n은 정수이다. L2가 약 12㎛인 경우에, 도 6의 구조는 ±1.4°의 각도(세터)에서 적색광(람다=600nm)의 제 1 차수 회절 스폿들을 초래하며, 적외선(IR) 근방에서 ±9.6°의 각도(세터)로 람다=4㎛의 파장을 초래한다.
입사 편광이 본 실시예에서 격자 홈에 평행한 경우(즉, 도 6a 및 도 6b의 종이 평면의 외측), 어떠한 굴절 지수의 변조나 회절도 존재하지 않는다. 또한, 편광이 종이의 평면내에 있지만, 광이 수직바향으로부터 멀어지는 각도로 입사되는 경우에, 이때, 보다 약한 회절에 대응하여 감소된 지수 변조가 관측된다.
도 7a, 도 7b 및 도 7c는 셀 벽(4)의 다른 실시예를 도시하고 있으며, 여기서, 격자(21)는 도 8의 이차원 플롯에 도시된 바와 같이 두 개의 직교 방향으로 변조된다. 도 7은 벽 표면에 인접한 영역내에서 직교하는 쌍안정 격자 프로파일 및 홈 방향들을 각각 가지는 소형 직사각형 영역들을 도시하는 개략도이다.도 7의 실시예에서, 어떠한 단안정 정렬 영역들도 존재하지 않는다. 이 개략도는 본 명세서의 여러 부분에 사용되며, 도 5에서와 같이, 각 소형 정사각형내의 격자 주기가 L1이고, 상이한 정렬 방향의 주기가 L2이다. 격자(21)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 포토리소그래픽 기술에 의해 형성될 수 있으며, 이는 마스크의 90°회전을 동반하는 것 또는 양호한 패턴으로 특별히 설계된 단일 마스크를 사용하는 두가지 단계들에서 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 포토리소그래픽 기술에 의해 형성될 수 있다. 전체 셀 벽(4)은 계면활성제로 코팅된다.
도 7에서와 같은 벽을 구비하는 셀은 도 6의 벽(3)과 함께 사용된다. 셀은 도 6a의 수직배향 정렬(비산란) 또는 도 6b의 것과 유사한 산란 상태 중 어느 한쪽으로 적용되도록 양 및 음의 dc 전압 펄스에 의해 스위칭될 수 있다.
도 7의 실시예에서, 회절 상태는 종이 평면 및 그에 수직인 양자 모두의 방향으로 편광된 입사광에 대한 굴절 지수 변조를 가진다. 예로서, L1이 0.3㎛(쌍안정 정렬을 제공하기 위해 약 0.15㎛의 격자 깊이를 가짐), L2가 2.5㎛으로 선택되는 경우에, 이때, 수직으로부터 7°각도를 가지는 적색광에 대하여 네 개의 제 1 차 회절 스폿들이 존재한다.
도 9, 도 10 및 도 11은 도 7의 벽(4)상의 변화들이며, 양 치수에서 둘 이상의 변조들이 존재하는 세 개의 부가적인 실시예들을 도시하고 있다. 이들의 경우에, 쌍안정 정렬 격자의 소형 사각형은 변조 방향이 교대로 반복되고, 이 격자 영역은 단안정 수직배향 정렬의 평탄한 영역들로 산재되어 있다. 입사광의 입사각에 무관하게 인접한 영역들 사이의 굴절 지수 오정합을 증가시키는 효과를 갖는다.
도 9b 및 도 9c에서, 교번하는 격자 영역들상의 예비 경사의 방향이 동일 방향이며, 도 10에서도 동일하다는 것을 인지하여야 한다. 대조적으로, 도 11에서, 비대칭의 방향은 인접한 영역들 사이에서 반전되어 있으며, 그에 의해, 장치의 각도 특성을 향상시킨다. 이 비대칭은 재료가 그 저 표면 경사 스위칭 상태에 있을 때, 도 11b 및 도 11c에 화살표(23)의 방향으로 도시되어 있다.
도 12는 직교 방향의 격자들에 대하여 L1=L2(또한, L1x=L1y), 즉, 제니셜 쌍안정 쌍격자가 형성되어 있는 한정된 경우를 도시하고 있다. 이런 쌍격자들은 쌍안정 표면 상태들을 제공하기 위해 예로서, 미국 특허 5,796,459호에 이미 사용되어 있는 것이다. 이 장치에서, 쌍격자는 기판 평면내에서 상이한 각도로 콤포넌트들을 가지는 쌍안정 정렬 방향(즉, 애지머셜 쌍안정성)을 초래한다. 쌍격자 구조는 액정 정렬을 유발할 수 있는 표면 평면내에 두 개의 홈들의 직교 세트들을 초래한다. 비록, 쌍안정성을 위한 조건이 두 개의 중첩된 격자들의 상대적 형상에 의존하지만, 일 홈 또는 나머지를 따른 정렬은 각 격자 형상(예로서, 피치 및 진폭)의 구조에 둔감하다. 본 발명에서, 쌍격자는 표면이 저 에너지 처리로 오버코팅되거나 저 에너지 물질로 형성되어야만 하며, 그래서, 표면에서의 국부적 액정 방향이 국부 표면을 따라 수직이되는 경향을 가져야 한다는 부가적인 제약을 가진다. 이와 함께, 두 번째 제약은 쌍격자를 형성하는 양 격자들이 0.1<a/L1<2, 바람직하게는 0.25<a/L1<1 범위의, 경험적으로 일반적으로 a/L1≒0.9인 진폭대 피치비(a/L1)를 갖는다는 것이다. 이들은 UK 특허 출원 9521106.6, 특허 번호 GB-2,318,422호에 기술된 바와 같은 제니셜 쌍안정성을 초래하는 조건들이다.
도 12에서, 수직배향 쌍격자에 의해 형성된 "골" 및 "언덕"은 그 영역내의디렉터의 순 고경사 또는 저경사 중 어느 한쪽을 초래하는 결함 루프들을 함유할 수 있다. 대안적으로, 디렉터 필드는 각 형상부에 대하여 연속적일 수 있고, 그 형상부의 근처에서 디렉터의 균일한 고경사를 야기시킬 수 있다. 이는 변조 거리가 보다 짧고, 그러므로, 변조 길이 스케일들이 광 파장과 동일한 차수인 산란형 응용 분야들에 적합하다는, 이전 실시예들(예로서 도 7 내지 도 11) 보다 우월한 장저믈 가진다.
도 13, 도 14 및 도 15는 이들 원리들을 사용하여, 회절이 아닌 산란을 제공하는 세가지 실시예를 도시하고 있다. 이전 실시예들에서, 격자 영역은 정렬 격자와 보다 긴 변조 길이 스케일들 양자 모두에 관하여 규칙성을 갖는다. 이런 장치들은 특히 흡수 모드에서 사용할 때의 회절 광학 응용 분야에 유용하다. 도 7에 도시된 바와 같은 장치들은 흡수 모드에서 사용될 때 유동하다.
산란 기반 디스플레이형 응용 분야에 대하여, 도 13, 도 14 및 도 15의 예들에 도시된 바와 같이, 격자 영역들이 보다 불규칙적인 것이 양호하다. 도 13 및 도 14의 격자 영역들은 상이한 크기, 간격 및 정렬 방향으로 이루어져 있다. 격자 영역들 사이에는 단안정 정렬을 제공하기 위해 계면활성제로 코팅된 평탄한 영역들을 가진다. 제니셜 쌍안정 단격자(도 13 및 14) 또는 쌍격자(도 15)가 사용될 수 있다. 대부분의 격자 제조 기술들에서, 가능한 형상들에 현저한 자유가 있으며, 그러므로, 사용되는 패턴의 정확한 구조는 변화한다. 그러나, 양호한 산란 상태는 도 14에 도시된 바와 같은, 제공된 각 영역(또는 산란 중심)이 작게 유지되는(즉, <10람다) 가장 단순한 형태에서 윕게 형성된다. 장치들은 보다 큰 길이 스케일들에 걸쳐 이 불규칙 또는 랜덤 패턴에 대한 반복을 가질 수 있으며, 그래서, 예로서, 대면적 디스플레이에 걸친 모든 화소들이 결함 상태에서의 균일한 산란 정도를 가지게 될 수 있다.
도 16은 산란을 야기시키는 격자 구조의 형태의 다른 실시예를 도시하고 있다. 다시, 패턴은 의사 랜덤이며, 양호한 산란 또는 후방 산란 상태를 제공하도록 설계되어 있고, 그러나, 이전 실시예들과는 대조적으로, 제니셜 쌍안정 격자 그 자체(즉, 가장 작은 주기(L1)를 가지는 것)가 벽(4)의 평면내의 방향으로 변화한다. 이는 매우 미세한 형상부들이 특히, 홈들의 곡률의 중심에 형성될 수 있다는 장점을 갖는다. 격자를 갖지 않는 영역들은 평탄하며, 계면활성제로 코팅되어 있다.
도 17은 셀 벽(4)상에 의사 랜덤적으로 배열된 돌출부들(25)을 가지는, 상기 제한에 대해 취해진 산란면의 도 12의 유형의 변형을 도시하고 있다. 각 돌출부(25)는 도12의 쌍격자에 의해 제조된 것과 유사하다. 제니셜 쌍안정은 수직배향 정렬을 유도하기 위해, 각 돌출부의 표면이 적절한 저 에너지 재료로 코팅되거나 적절한 저 에너지 재료로 형성되는 것을 보증함으로써, 그리고, (쌍안정이 필요한 영역들에서) 각 돌출부가 정확한 형상으로 이루어지고, 그 이웃들로부터 적절히 이격 배치되는 것을 보증함으로써 초래된다. 예로서, 직경과 높이가 유사한(h≒D), 0.5D 와 2D 사이로 이격배치되어 있는 소형 원통형 범프가 통상적으로 제니셜 쌍안정을 야기시킨다(이들 도면들은 규칙적인 격자 구조들의 돌출부로부터 공지되어 있다). 쌍안정을 제공하기 위해서, 돌출부들(25)이 적절히 이격배치되어 있는 영역들 사이의 벽들의 영역은 국부적 단안정 수직배향 정렬을 가지며, 그에의해, 개선된 산란을 제공하는 것을 돕는다. 가장 양호한 성능은 상이한 정도의 산란을 제공하도록 배열된 간격들을 가지는 이런 돌출부들(25)의 클러스터로부터 발견된다. 또한, 형상부 크기는 광학적 성능을 향상시키기 위해 셀 벽(4)을 가로질러 변화할 수 있다. 통상적으로, 돌출부들은 높이가 0.1㎛ 내지 2㎛이고, 직경이 0.1㎛ 내지 2㎛이며, 돌출부들 사이의 간격이 0.1㎛ 내지 2㎛이이고, 이들 값들이 제니셜 안정성을 나타내기 위해 필요한 각 표면의 영역들에 대하여 0.5와 1.0㎛ 사이에 놓이는 것이 적합하다. 돌출부들은 프로파일이 대칭적이거나 비대칭적일 수 있다.
도 18은 도 17에서와 같은 돌출부들(25)을 가지는 격자 층 및 전극들(6)을 가지는 셀 벽(4)의 측면도를 도시한다. 돌출부들(25)은 쌍안정 평면 및 수직배향 상태들이 전기적으로 스위칭될 수 있는 쌍안정 동작을 제공하도록 실질적으로 도일한 에너지들을 갖도록 성형(높이, 직경 및 형상부의 예리함) 및 이격 배치되어 있다. 돌출부(25)에 인접한 영역이 평면 상태(C1 내지 D1 및 E1 내지 F1)에 있을 때, 이 영역은 산란 중심으로서 작용한다. 돌출부(25)에 근접한 영역들이 그 스위칭된 수직배향 상태(A1 내지 B1에서와 같이)에 있을 때, 매우 적은 산란이 존재한다. 산란은 액정 재료(2)의 통상적인 회절 지수와 셀 벽(4)의 회절 지수를 일치시킴으로써 추가로 감소될 수 있다. 표면이 단안정 및 수직배향에 있는 영역에서(B1 내지 C1과 D1 내지 E1), 적은 산란이 존재한다.
도 18은 쌍안정 영역에서 L2=(3L1)/2인 도 6에 도시된 이전 실시예와 유사하다. 이는 보다 용이한 제조와 개선된 산란을 허용하며, 그 이유는, 산란 중심들의밀도가 보다 높고, 입사광의 파장에 대하여 보다 쉽게 제조될 수 있는 형상부 크기들을 가지기 때문이다. 도 12에서와 같이, 이차원내의 도 18의 결함 상태들은 복잡하지만, 틈새 홈들내와 형상부 상단들 주변 양자 모두에서 형상부들 주변에 감겨진 결함 루프들을 가질 수 있다. 도메인 벽은 비록, 이들이 때때로 일 영역으로부터 다른 영역으로 동일 표면상에서 교차하지만, C1, D1 및 E1으로 표시된 바와 같이, 일반적으로 일 표면으로부터 다른 표면으로 연장한다.
도 19는 도 18의 거의 반대인 부조 프로파일을 가지는 제니셜 쌍안정 표면인 셀 벽의 영역을 도시한다. 여기서, 산란 중심들은 셀 벽(4)상의 포토레지스트 층(20)내의 블라인드 구멍들(26)로 형성되어 있다. 다시, 제니셜 안정성은 구멍들(26)의 상대 직경, 깊이 및 간격과 수직배향 코팅 정렬에 의존한다. 이 유형의 구조는 도 18의 구조에 비해 다수의 장점들을 가진다. 첫 번째로, 비록, 구멍들의 배열이 여전히 광학적 산란 프로파일을 결정하기 위한 중요한 팩터이기는 하지만, 쌍안정성 그자체가 이웃 구멍들의 위치에 보다 덜 민감하다. 또한, 쌍안정성은 원론적으로, 도 18의 것들 같은 구조들을 사용하는 것이 가능한 크기의 약 1/3의 형상부들에 대하여 이루어질 수 있다. 통상적으로, 구멍 직경은 0.1과 2㎛ 사이에서 변화하고, 깊이는 0.1과 2㎛ 사이에서 변화하며, 구멍들 사이의 간격은 0.1과 2㎛ 사이에서 변화한다. 이 구멍(26)은 형사이 대칭 또는 비대칭일 수 있다.
도 20은 이 장치의 두가지 전기적으로 스위칭된 쌍안정 상태들을 개략적으로 도시한다. 다시, 일 표면으로부터 다른 표면으로의 도메인 벽들은 C2, D2, E2 및 F2로 표시되어 있다. A2와 B2 사이에서, 액정 재료가 적은 산란을 제공하는 고경사상태로 스위칭되어 있다. C2 내지 D2와 E2 내지 F2로부터, 재료는 그 평면 상태로 스위칭되고, C2로부터 F2까지 산란이 존재한다.
도시되지 않은 다른 실시예에서, 셀 벽은 보다 큰 디스플레이의 상이한 영역들에 존재하거나 상호 혼합되어 있는 구멍들(26)과 돌출부들(25)의 혼합을 가질 수 있다.
도 21은 크롬 마스크의 사진을 도시하고 있으며, 이는 도 7 및 도 8의 실시예에 사용되는 유형의 격자 구조를 제조하기 위해 사용될 수 있다. 마스크는 10㎛ 그리드로 분할되어 있으며, 각각내에는, 도 3a 및 도 3b에 도시된 유형의 일련의 1㎛ 폭의 크롬 스트립들이 존재한다.
도 22, 도 23 및 도 24는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 제조된 제니셜 쌍안정 장치의 현미경 사진들이다. 도 22 및 도 23은 교차 편광자들 사이에 있고, 적절한 에너지의 전기적 펄스가 각각 고경사 정렬 및 저경사 정렬 상태로 래칭하기 위해 이어질 때의 셀의 현미경 사진(×100)이이다. 양자 모두의 경우에, 셀은 수직방향 및 수평방향(홈 방향은 편광자들에 대하여 ±45°)인 교차 편광자들 사이에서 촬상되었다. 도 22의 보다 높은 투과는 전계의 제거 이후에, 셀 도메인들이 고경사로부터 저경사 상태로 완전히 레칭되는 것을 확인하게 한다. 쿼터파 플레이트(편광자들에 대해 45°)의 추가는 도 24의 현미경 사진에 도시된 바와 같이 이웃하는 도메인들내의 정렬 방향들이 직교하는 것을 나타낸다.
도 25, 도 26 및 도 27은 HeNe 레이저(수직 입사시 632.8nm)를 사용하여 조명될 때, 이 장치에 의해 발생되는 회절 패턴의 이미지를 도시한다. 도 25의 이미지는 회절(저경사)상태의 장치에 의해 형성되었으며, 도 23의 교차 편광자들 사이에서 관측한 것에 대응한다. 이 경우에, 레이저 편광 방향은 수평이고, 도메인 그리드는 수직방향 및 수평방향으로 연장한다. 다수의 보다 높은 회절 차수들이 이 이미지에서 명백하게 보여진다. 편광 방향은 이제 수직이며, 이때, 이미지는 동일한 일차 형상부들로 얻어졌다(도 26). 그러므로, 산란은 주로 편광에 무관하다. 마지막으로, 셀이 비회절 상태(고경사)상태로 스위칭되면, 이때, 단지 0 차수 빔이 관측된다(도 27).
도 28은 도 18에 따른 제니셜 쌍안정을 형성하기 위해 사용되는 것 같은 단일 돌출부에 근접한 네마틱 액정의 시뮬레이션의 결과를 도시하고 있다. 시뮬레이션은 삼차원에서 이루어졌지만, 명료화를 위해 단지 단일 이차원 시트만이 도시되어 있다. 본 예에서, 상부면은 또한 수직배향이지만, 수직방향 에지들에 있는 디렉터들은 자유롭고, 그래서, 단일 돌출부가 모델링되었다. 결과는 돌출부 근방에서 디렉터 프로파일의 현저한 열화가 존재하지만, 이는 균일하게 수직방향이되는 돌출부로부터 모든 방향들로 급속히 쇠퇴하는 것이 도시되어 있다. 이는 특허 GB 2 318 422에 기술된 연속 또는 비결함 상태와 등가이다. 이 결함 상태를 시뮬레이션하기 위한 시도가 이루어졌다. 이는 시뮬레이션의 에지들에서 주기성 경계 조건들을 제공함으로써 이루어졌다. 쌍안정 시스템에 대하여 예측된 바와 같이, 두가시 시나리오들 중 하나가 초래되었다. 도 28에 도시된 것과 동일한 구조(즉, 연속 상태)가 발생하거나, 시뮬레이션이 다수의 결함들을 형성하고 만족스러운 해답에 도달할 수 없는 것 중 어느 한쪽이었다.
도 29는 결함 상태(도 29a)와 연속 상태(도 29b)로 래칭된 이후에, 얕은 수직배향 쌍격자(제 6 실시예에서 후술됨)로부터 구성된 장치의 현미경 사진들 도시하고 있다. 양자 모두의 경우에, 교차 편광자들 사이에서, 광학적 현미경을 사용하여 40배이 배율로 관측되었을 때, 셀은 투과상태인 것으로 관측되었다. 사진이 격자 영역의 에지에서 촬영되었고, 이는 양 사진들의 하부에 있는 시계의 어두운 부분에 대응한다. 이는 셀의 모든 배향에 대하여 교차 편광자들 사이에서 어둡고, 이 것이 수직배향 정렬 영역이라는 것을 나타낸다. 이는 평탄한 단안정 영역에 대응하기 때문에, 예상된 바이다. 교번하는 극성의 쌍극 펄스와, 적절한 전압 및 지속 기간을 사용하여 두 상태들이 래칭되었다. 이 펄스 시퀀스에 대한 광학적 응답이 광 다이오드(육안 응답 필터를 구비함)를 사용하여 모니터링, 도 30의 오실로스코프 트레이스에 도시된 결과적 투과 응답을 사용하여 모니터링되었다.
양 상태들로 스위칭한 이후에, 셀이 교차 편광자들 사이에서 회전될 때 투과성이 모니터링되었고, 결과가 도 31에 도시되어 있다. 연속 상태(하부 트레이스)에서, 측정된 투과에 적은 변화가 존재하고, 액정 분자가 이제 샘플의 체적내에서 균일하게 수직배향이라는 것을 확인한다. 다른, 결함 상태(상부 트레이스)로 래칭되었을 때, 보다 높은 수준의 투과가 존재하고, 액정 디렉터가 이제 셀의 평면내에 높은 콤포넌트들을 포함하고 있다는 것을 확인한다. 즉, 이 상태의 예비 경사는 이전의 연속 상태의 것 보다 낮다. 결함 상태에 있는 셀이 회전될 때, 셀 평면내의 상이한 디렉터 배향들을 가지는 상이한 영역들이 교차 편광자에 대한 그 각각의 배향들에 따라 상이한 투과성을 제공하기 때문에, 도 29a의 택스쳐는 명백히 변화된다. 또한, 도 31에 도시되어 있는(상부 트레이스), 각도 의존성은 이들 도메인들의 배향이 임의적이라는 것을 명백히 나타낸다. 이는 비록 쌍격자 돌출부들 사이의 홈들내의 결함 구조들 둘레와 돌출 정점 둘레에 기반하지만, 도메인 벽들이 완전히 규칙적인 패턴을 형성하는 것은 아니며, 랜덤한 구조를 형성하기 위해 서로, 그리고, 인접한 구조들의 결함들과 상호작용한다는 것을 나타낸다. 이는 결함이 쌍격자의 규칙적인 패턴을 따르도록 규제되는 경우 보다 야오한 장치의 성능을 초래한다.
도 32는 도 31의 결과의 비율로부터 산출된 대비 비율을 도시한다. 이런 장치가 교차 편광자들 사이에 사용될 때, 평균 대비는 약 20이다. 측정된 대비 비율은 샘플의 배율에 크게 의존하며, 보다 낮은 가용 배율(5배)이 셀 배향에 무관하게 대략적인 평균 대비를 제공한다는 것을 인지하여야 한다.
두 상태들 사이의 래칭을 위해 필요한 트레일링 펄스의 진폭 및 지속 기간이 도 33에 도시되어 있다. 결과들은 추후의 실시예(제 7 실시예)와 비교되며, 양 셀들은 종래 기술의 제니셜 쌍안정 액정 장치들의 것들에 대한 유사한 전자 광학 응답을 가지는 것으로 판명되었다.
제 6 실시예의 셀은 HeNe 레이저(파장 628nm)의 경로내에 배치되고, 결과적인 투과성이 스크린상에서 관측되었다. 도 34a 및 34b는 결함(산란) 및 연속(비산란) 상태들에 대한 결과 패턴을 각각 도시하고 있다.
도 35는 결함(도 53a) 및 연속(도 35b) 상태에 있는 제 7 실시예의 보다 깊은 수직배향 쌍격자의 택스쳐를 상술한 도 29에 설명된 바와 동일한 실험 장치를 사용하여 도시하였다. 도 29와의 비교는 투과성이 현저히 개선되고, 도메인 크기가현저히 작아졌다는 것을 나타낸다.
도 35의 셀을 위한 전자-광학 응답은 도 36, 도 37 및 도 38에 도시되어 있다. 이는 도 30에 도시된 얕은 쌍격자의 것 보다 쌍안정성이 개선되었다는 것을 나타낸다. 도 36은 극성이 교번하는 쌍극 펄스(펄스 피크 진폭은 40V이고, 지속기간은 500㎲)에 대한 도 35의 셀의 광학적 응답을 도시한다. 연속으로부터 결함(도 37)으로의 느린 전이와 연속 상태(도 38)에 대한 보다 신속한 응답 반환도 제니셜 쌍안정 장치를 위한 종래 기술과 일관성을 가진다.
도 39a 및 도 39b는 두가지 상태에 있는 제 7 실시예의 셀을 위한 레이저광 산란의 편차를 도시한다. 얕은 격자(도 34)의 것과의 비교는 결함 상태(도 39a)의 산란 정도가 현저히 개선되었고, 반면에, 연속 상태(도 39b)의 매우 약한 산란이 유지된다는 것을 나타낸다.
도 40a 및 도 40b는 유사한 콤포넌트들에 유사한 참조 부호가 부여되어 있는 도 6의 것과 유사한 장치를 도시하고 있다. 장치는 액정 재료(2)를 수납하는 벽(3, 4)과, 격자들 사이의 벽상에서 수직배향 정렬을 가지는 양 벽들(3, 4)의 내면상의 제니셜 쌍안정 격자 구조(21)를 가진다. 전극은 도시되어 있지 않지만, 도 6에서와 동일하다. 셀(1) 뒤에는 등판(30)이 존재할 수 있다. 판(30)은 흡수성일 수 있으며, 하나 이상의 컬러로 이루어져 있고, 균일하거나, 각 화소에서 상이한 량의 흡수 또는 반사나 상이한 색상을 가지는 상태의 화소별로 다르게 이루어질 수 있다. 액정 재료는 이색성 염료 첨가제를 갖거나 갖지 않는 네마틱, 콜레스테릭, 장피치 콜레스테릭일 수 있다.
도면은 격자 배향이 페이지의 평면에 한정되는 양 표면들상의 평탄한 수직배향 영역들 및 격자의 영역들을 예시하고 있다. 보다 일반적으로, 격자는 장치의 평면에 평행한 모든 방향으로 변화한다. 또한, 양 표면들이 결함 상태에 있을 때, 셀의 벌크의 결함양이 증가하도록 상면 및 저면의 어떠한 정합도 존재하지 않는다. 도 40a는 양 표면들이 높은 예비 경사 상태에 있을때의 상태를 도시한다. 이는 셀 전체에 걸쳐 균일한 수직배향 정렬을 제공하며, 어떠한 산란도 관측되지 않는다. 도 40b는 양 표면이 저 경사, 결함 상태에 있을 때, 가능한 디렉터 프로파일을 도시한다. 이는 본 발명의 이전 실시예들 보다 현저히 높은 산란 정도를 제공할 수 있다.
도 40에 따라 설계된 셀이 본 발명에 주어진 모든 이전 실시예들에 사용된 단극 및 쌍극 펄스 같은 DC 필드들에 의해 스위칭될 때 보여진 두가지 상태들 사이에서 래칭되지 않는다는 것을 이해하는 것이 중요하다. 이는 전기장이 셀을 가로질러 적용되고, 그래서, 주어진 극성의 DC 펄스가 두 표면들에서 대향한 전계 방향들을 초래하기 때문이다. 그러므로, 장치는 DC 전계에 의해 저경사의 일 표면과, 고경사의 다른 표면 사이에서 래칭된다. 이 문제점은 Merck로부터 얻어지는 TX2A 같은 2-주파수 네마틱 액정을 사용함으로써 제거된다. 내죠내의 고유한 플렉소일렉트릭 효과에 대한 결합 대신, 이는 저주파수에서, 재료가 양의 유전 이방성을 가지며, 전압이 적용된 RMS가 양 표면들에서 고경사 상태를 초래한다는 사실을 사용한다(도 40a). 이는 저주파수 필드의 적용 동안 가장 낮은 정전 에너지 상태가 표면을 따라 실질적으로 수직인 필드 방향에 평행한 디렉터를 갖기 때문이다. 충분한전압에서, 적용된 필드는 격자 표면에 근접한 디렉터를 연속 상태로 래칭하고, 이는 필드 방향에 평행한 디렉터의 가장 높은 콤포넌트를 가진다.
대안적으로, 고 주파수(통상적으로 25℃에서 6kHz의 크로스오버 주파수를 가지는 TX2A에 대하여 50kHz 이상)는 양 표면들에서 저경사 상태로 래칭하고, 도 40b에 도시된 상태를 형성한다. 이는 가장 낮은 정전 에너지가 적용된 전기장에 수직인 디렉터를 가지고, 그에 의해, 전압이 충분히 높은 경우, 가장 낮은 경사를 가지는 디렉터 구조를 래칭하기 때문이다.
도 41, 도 42 및 도 43은 다른 실시예의 단면도를 도시한다. 가장 단순한 형태의 배열은 단순한 스위칭될 수 있는 산란 또는 확산 장치이며, 여기서, 스위칭 전압의 적용이 종료된 이후, 즉, 장치가 쌍안정일 때, 상이한 정도의 산란이 유지된다.
도 41a 및 도 41b는 도 6의 것과 유사한 장치를 도시하고 있으며, 유사한 콤포넌트들에는 유사한 참조 부호들이 부여되어 있다. 장치는 액정 재료(2)와, 벽(3)의 내면상의 수직배향 정렬과, 벽(4)의 내면상의 격자 구조(21)를 구비한다. 전극들은 도시되어 있지 않지만, 도 6의 것과 동일하다. 셀(1)의 뒤에는 등판(30)이 있다. 판(30)은 흡수성일 수 있으며, 하나 이상의 컬러들로 이루어질 수 있고, 균일하거나, 화소 단위로 각 화소내의 흡수성 또는 반사성의 양이 상이하거나 컬러가 상이할 수 있다. 액정 재료는 이색성 염료 첨가제를 갖거나 갖지 않는 네마틱, 콜레스테릭, 장피치 콜레스테릭일 수 있다.
도 41a는 액정 분자들이 고경사 스위칭 상태에 있는 하나의 스위칭 상태를도시하고 있다. 도 41b는 선택된 영역들이 평면 상태에 있는 다른 스위칭 상태를 도시하고 있다. 장치는 산란 장치(도 41b)와 반사 장치(도 41a) 사이에서 스위칭될 수 있으며, 반사 장치로 스위칭 되었을 때, 상기 장치는 등판(30)과 동일한 색상을 띈다.
대안적으로, 액정 재료(2)는 염료를 포함하고, 등판(30)은 반사체를 포함한다. 이 경우에, 도 41a의 균일한 고 표면 경사 상태는 높은 반사율을 가지며, 도 41b의 가변 평면 상태는 입사광을 흡수하고, 그에 의해 광학적 대비를 제공한다.
도 42a 및 42b는 마이크로 프리즘 시트(31)가 추가된, 도 41a 및 도 41b와 유사하다. 이는 1994년 10월 13일자 미국 캘리포니아주 몬테리의 국제 디스플레이 학술 대회 회보 183-186페이지에서, Kenemoto 등에 의해 기술된 것과 유사한 형태의 후방산란을 향상시킨다. 이 장치는 비산란(도 42a)과 산란(도 42b) 상태들 사이에서 스위칭된다. 이 산란 상태에서, 수직에 가깝게 장치상으로 입사하는 일부 광은 후방산란되지만, 대부분은 전방 산란된다. 이는 디스플레이의 매우 열악한 대비를 초래한다. 그러나, 도시된 바와 같은 하나 이상의 프리즘 시트들을 통합하는 것은 프리즘 어래이 조합과 장치를 통해 투과되는 광의 유효각을 증가시킨다. 0 또는 약 산란 상태에서, 이는 단지 미소한 장치 해상력의 손실을 초래하지만, 보다 강한 산란 상태에서, 투과된 각도는 프리즘 어래이의 후방 표면에서 전체 내부 반사를 유발하도록 현저히 높아제게 된다. 이 방식에서, 후방 산란의 정도가 강화되어 장치 해상력을 손실시킨다. 부가적인 강화 사항은 제 1 프리즘 어래이에 관하여 교차된 제 2 프리즘 어래이를 사용함으로써 가능하다.
도 43은 화소화 디스플레이 및 반사성(또는, 반 반사성) 등판(36)을 제공하도록 배열된 전극들(34, 35)을 가지는 종래의 트위스트형 네마틱 장치 셀(33)을 포함하는 다른 실시예를 도시한다. 셀(30) 위에는 벽(3, 4) 및 양 벽(3, 4)상의 격자들(21)을 가지는 도 40의 것과 다소 유사한 본 발명의 장치(1)가 존재한다. 일 벽상의 쌍안정 격자(21) 영역은 다른 벽의 평탄한 영역에 대하여 부분적으로 대향배치되어 있다.
종래의 셀(33)은 반사 또는 반투과 모드에서의 낮은 시차 동작과 높은 해상력을 가진다. 그러나, 방향적(비확산) 광원으로부터 관측되는 경우, 디스플레이는 매우 거울같은 반사와 결과적인 비판독성의 단점을 가지고 있다. 장치의 전방에 고정된 확산기를 사용하는 것이 종래의 해결 방법이다. 본 발명에서, 장치(1)는 가변 확산기로서 작용하고, 그래서, 조합된 광학적 특성들은 완전한 디스플레이에 의한 출력 소실의 증가가 현저하지 않은 상태로 매우 쉽게 조절될 수 있다. 장치(1)는 디스플레이의 전체 영역을 덮는 단일 셔터일 수 있거나, 상이한 영역들에서 선택적으로 스위칭될 수 있을 수 있다.
한가지 공지된 스위칭가능한 확산기는 USP-5,831,698호에 기술되어 있다.
격자 및 셀들의 부가적인 제조의 세부 사항들이 하기에 설명된다.
제 1 실시예
종래의 접촉 포토 레지스트 기술(도 3a 및 도 3b에 도시된 것 같은)이 도 5, 7, 8, 9, 10, 11 및 12의 것 같은 격자들을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 각각 격자에 대한 광휘 또는 비대칭성의 정도로부터 발생하는 결함 상태의 예비 경사를가지는 두 개의 직교 방향들이 있는 경우에, 광은 표면의 수직에 대해 소정의 각도로, 그리고, 양 격자들의 방향에 대해 소정의 애지머셜 각도로 입사되어야만 한다. 도 11의 것 처럼, 예비 경사 방향이 격자에 걸쳐 변화하는 경우는 이런 방법에 의해 제조하기가 보다 곤란하며, 다중 빔 인터페로그래픽 방법을 사용하여 보다 용이하게 제조된다. 도 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 및 20의 것들 같은 구조들도 접촉 리소그래피를 사용하여 제조될 수 있지만, 0 예비 경사(포토레지스트의 크로스링크에 사용되는 광의 수직 입사가 사용되는 경우에)나 격자 방향과 함께 변화하는 예비 경사(이는 일부 응용분야들에 바람직하지 못할 수 있는 가변 스위칭 임계값을 초래함) 중 어느 한쪽을 초래한다.
제 1 실시예에서, 도 7 및 도 8에 도시된 것과 유사한 격자 구조가 표준 접촉 리소그래피 프로세스를 사용하여 제조된다. 1.1mm 두께 ITO 코팅 유리의 단편이 3000rpm의 속도로 30초 동안 포토레지스트(Shipley 1805)로 스핀 코팅된다. 이는 0.55㎛ 두께의 막을 제공한다. 그후, 표면은 과도한 용매를 제거하기 위해서 90℃에서 30분 동안 소프트 베이킹된다. e-빔 방법(도 10 참조)을 사용하여 제조된 크롬 마스크가 그후 포토레지스트 표면과 근접 접촉상태로 고정된다. 마스크는 도 10에 도시된 바와 같이 0.5㎛만큼 이격 배치된 0.5㎛ 크롬 라인들로 구성되어 있다. 필터링되지 않은 수은 램프(0.3mW/cm2)를 사용하여 샘플이 530초 동안 노광된다. 노광은 표면 법선에 대해 60°각도로 수행되고, 기판 평면 내의 콤포넌트들에서는 마스크내의 양 격자 방향들에 대하여 45°각도로 수행된다.
이 프로세스는 45°의 격자 그리드의 각 부분에 대하여 결함 상태 예비경사를 초래한다(즉, 제니셜 쌍안정 상태들이 45°와 90°사이의 예경사들이다). 그후, Shipley MF 319를 사용하여 10초 동안 800rpm으로 스핀 현상이 수행되고, 이온 제거수내에서의 세정이 이어진다. 이는 1.0㎛ 피치를 가지는 격자 그리드 표면의 형성을 초래하였다. 그후, 포토레지스트가 깊은 UV(254nm)에 대한 노광과 그에 이은 2시간의 180℃에서의 베이킹에 의해 경화되었다. 마지막으로, 표면이 수직배향 정렬 폴리머(JALS 688)로 처리되고, 3000rpm으로 스핀되며, 180℃에서 30초간 베이킹되어 수직배향을 나타내게 된다. 그후, 상술된 동이랗 JALS 688 프로세스를 사용하여 이 제니셜 쌍안정 그리드 표면을 평탄한 수직배향 표면에 배치함으로써 4㎛ 액정 셀이 제조된다. 이 대향 표면은 격자 표면과 유사한 방식으로, 그러나, 격자 노광을 수행하지 않고 보다 얇은 Shipley 1805층(0.2㎛)을 제조함으로써 형성된다. 셀은 하나의 격자 표면과 하나의 평탄 표면으로부터, 20㎛ 글래스 비드 스페이서들을 포함하는 에지 밀봉 접착제를 사용하여 형성된다. 이 셀은 가능한 주파수 및 온도 동작 범위 전체에 걸쳐 양의 유전 이방성을 가지며, 최대 회절 효과를 제공하기 위하 높은 Δn값을 가지는 상업적 네마틱 액정(MLC6602; 독일의 E. Merck로부터 입수가능)으로 충전된다. 충전은 이소트로픽 위상의 모세관 작용에 의해 수행되고, 네마틱 위상으로의 느린 냉각이 이어진다.
상술한 바와 같은 구조에 이어, 각 기판의 ITO에 대해 전기 접점이 만들어지고, 교번하는 스위칭 펄스들이 100:1의 듀티 사이클로 적용된다. 이 신호는 통상적인 지속기간이 0.1 내지 100ms이며 크기가 20 내지 100V 범위인 장방형 펄스들로 구성된다. 50 대 1 내지 500 대 1 사이의 듀티비들이 사용되며, 주파수가 1kHz 내지 100kHz이고 크기가 Vrms(0V 내지 10V)의 AC 파형이 중첩된다. 9521106.6에 사용되는 멀티플렉싱 신호 같은 다른 전기적 신호들이 사용될 수도 있다. 교차 편광자들 사이에서 광 현미경을 사용하여 관측할때의 택스쳐의 결과적인 변화가 도 22, 도 23 및 도 24에 도시되어 있다.
이 셀이 헬륨 네온 레이저 광원에 의해 조명되고, 결과적인 회절 패턴이 스크린상으로 투영된다. 쌍안정 래칭이 회절 및 비회절 상태들 사이에서 얻어지고, 그 결과가 도 25, 도 26 및 도 27에 도시된다. 또한, 셀이 텅스텐 백색 광원으로 조명되고, 적절한 극성 및 적절한 지속 기간과 크기의 펄스들을 사용하여 각 상태가 전기적으로 선택되어 일 상태에서의 약산란과 다른 상태에서 투과성이 되도록하여 관측된다.
제 2 실시예
제 2 실시예의 것과 유사한 셀이 이번에는 종래의 유리가 아닌 아연-설파이드 기판을 사용하여 제조된다. 그후, 이 셀이 3 내지 5㎛ 범위의 파장을 감지하는 IR 카메라를 사용하는 온난 물체 영상화(warm object imaging)에 의해 IR내에서 사용하기 위해 테스트된다. 산란과 비산란 상태들 사이의 대비가 광학적 파장들에서 관측되는 것 보다 현저히 높아지는 것으로 판명되었으며, 그래서, 비산란 상내에서 명백히 식별할 수 있는 이미지가 산란 상태로 래칭된 이후 셀에 의해 분명료해졌다.
제 3 실시예
이전 실시예들에서와 동일한 절차이지만, 2중량%의 블랙 이색성 염료가 혼합되어 있는 액정(E7)으로 셀이 충전되어 있는 상태로 세 번째 셀이 제조된다(예로서, 바하두르 액정 참조; Bahadur Liquid Crystals : Applications and Uses, Volume 3, Chapter 11, World Scientific Press). 이 경우에, 두 상태들 사이의 광학적 흡수의 편차로 인해 수직 입사광에 대하여 두가지 래칭된 상태들 사이에서 약 2:1의 대비 비율이 관측되었다. 이는 셀의 일측면의 평탄 표면이 반사성 알루미늄층으로 코팅되어 있는 반사 모드에서 셀을 동작하는 것에 의해 부가적으로 개선된다.
제 4 실시예
이전 실시예에서, 산란은 매우 약하고, 디스플레이 장치에 시선을 끌지 못하였다. 그 이유는 기판 평면내의 정렬 방향의 변화의 크기가 입사광의 파장 보다 현저히 높은 길이 스케일상에 존재하기 때문이다. 광학적 파장들에 대한 보다 높은 수준의 산란을 보증하기 위해서, 기판은 도 6b의 것과 유사한 디자인을 가진 마스크를 사용하여 제조되며, 여기서, 격자 피치는 0.15㎛이고, 일정 홈 방향의 형상부가 약 0.6㎛의 평균 폭을 갖는다. 보다 작은 형상부 크기들이, 깊은 UV 포토레지스트(PMGI)를 현상하기 위해 사용되는 주파수 배가 아르곤 이온 레이저(257nm에서, 예로서, Hutley ibid p99 참조)를 사용하여 달성된다. 본 실시예에서, 기판은 수직 입사에서 조사된다. 현상 이후에, 표면이 플루오리네이티드 크롬 콤플렉스 수직배향 계면활성제로 코팅되고, 제 2 평탄한 수직배향 표면으로부터 20㎛으로 이격 배치된다. 셀은 제 1 실시예에서와 같이 BLO36으로 충전되고, 투과 상태와 산란 상태 사이의 스위칭을 위해 사용된다. 또한, 이 장치는 중간 수준의 후방 산란을 제공하는 것으로 판명되었다. 이는 이 장치가 암흑(또는, 착색형) 배경의 전방에 장착디는 편광자가 없는 디스플레이구조에 사용된다. 이는 저출력 쌍안정성 및 기계적 내구성이 일차 요구조건인 일부 디스플레이 응용분야에 대해서 적합한 수직 입사 광에 대하여 약 4:1의 대비 비율을 제공하였다.
US 3 910 681에 기술된 바와 같은 홀로그래픽 반사판을 사용하여 후방 산란 상태의 밝기에 대한 부가적인 개선이 달성되었다. 이는 입사광을 모으고, 유출광을 부분적으로 재반사하며, 그에 의해, 산란 장치를 통한 다중 경로들을 제공한다.
제 5 실시예
또한, 제 4 실시예의 방법이 도 9에 도시된 바와 같이 랜덤하게 이격 배치된 미소 공극들을 가지는 표면을 형성하도록 적용되었고, 여기서, 각 구멍은 약 0.2㎛의 깊이와, 0.35㎛의 직경이다. 이는 앞선 실시예들 보다 양호한 산란 및 비산란 상태를 제공하였다.
제 6 실시예
ITO로 미리 코팅되고, 적절히 에칭된 유리 기판이 3000rpm의 스핀에서 30초 동안 포토레지스트 층(SU8)으로 스핀 코팅된다. 그후, 이 샘플이 100℃에서 10분동안 소프트 베이킹되며, 이어서 UV광에 3분 동안 노광되고, 160℃에서 30분 동안 베이킹된다. 이 층이 ITO 전극 위에 배리어 층을 형성하기 위해 사용되었다. 그후, 이는 하기의 프로세스를 사용하여 형성된 격자로 오버코팅되었다. 포토레지스트(Shipley 1813)가 3000rpm에서 30초 동안 스핀 다운되고, 그후, 115℃에서 60초간 베이킹되어 두께 1.55㎛의 층을 형성한다. 1.2㎛ 피치를 갖는 단격자마스크(도 3a 및 도 3b에 도시된 것 같은)가 이 표면에 대해 가압되고, 이는 강한 UV 소스(30mW/cm2강도를 발생시키는 1kW OAI 수은 제논 아크 램프)를 사용하여 6초 동안 노광되었다. 그후, 이 마스크가 90°재배향되고, 다시 6초의 주기 동안 노광되었다.
그후, 800rpm에서 10초 동안의 Shipley 319 스핀 코팅에 의해 쌍격자가 현상되고, 그후, 이중 이온 제거수에서 세정되었다. 그후, 이 쌍격자가 강한 UV에서 경화되고, 180℃에서 2시간 동안 베이킹되었다. 그후, 쌍격자 표면이 수직배향 정렬 폴리머(JALS 688; Japan Synthetic Rubber Company 제조)로 3000rpm에서 스핀되고, 180℃에서 60초간 베이킹되었다. 이 쌍격자 표면과 마찬가지로 JALS 688로 코팅된 평탄 기판을 사용하여 4.5㎛ 셀이 구성되었다.
그후, 이 셀이 독일의 Merck로부터의 액정 재료(MLC 6204)로 충전되었다. 셀이 초기에는 이소트로픽 위상으로부터 냉각되어 전체 활성 영역에 걸쳐 결함 상태가 형성되었다. 이 처녀 상태의 결함들은 도 29 또는 도 35 중 어느 한쪽의 것 보다 큰 크기로 이루어지며, 레이저광의 무시할만한 산란을 나타낸다. 그후, 이 셀이 임의의 파형 발생기에 접속되어 적절한 전기 신호를 공급하였다. 전체 실험 동안 사용된 신호는 극성 +V와 지속 기간τ의 단일 펄스이고 -V 및 지속기간 τ의 펄스가 바로 이어지며, 그후, 0V 1000τ의 주기가 있고, 제 2 쌍극 펄스가 이어지며, 이때, 이 제 2 쌍극 펄스는 반대 극성(-V 다음에 +V가 이어짐)이다.
그 0 필드 상태들 중 어느 하나에서 셀을 제외하고 어떠한 신호도 적용되지 않는 상태로, 펄스 트레인이 중단될 수 있게하는 수단이 제공된다. 40V 진폭과 3ms슬롯 지속 기간의 펄스 트레인이 적용될 때, 셀은 브라이트와 다크 상태 사이에서 래칭하는 것으로 관측되었다. 투과성은 광다이오드(그리고, 육안 응답 필터)를 사용하여 검출되었고, 시간적 변화가 저장 오실로스코프를 사용하여 모니터링되었다. 도 30에 도시된 시간적 응답은 관측된 두 상태들 사이의 차이를 명확히 도시하고 있다(도 31 및 도 32 참조). 제 6 실시예에서, 결함들이 초기에 합체되었기 때문에, 브라이트(결함) 상태에서 광학적 응답의 쇠퇴가 존재한다. 이는 격자가 얕기 때문인 것으로 생각된다.
제 7 실시예
두 번째 쌍격자 셀이 제조되고, 제 6 실시예에 사용된 것과 동일한 절차가 이어지지만, 이때는 포토레지스트 Shipley 1818(2.18㎛의 포토레지스트 두께를 제공함)을 사용하고 9초의 지속 기간 동안 직교 단격자들 각각을 노광한다. 이 프로세스는 쌍안정성을 향상시키기 위한 시도로 보다 깊은 쌍격자 구조를 야기시킨다. 이 샘플의 처녀 상태와 래칭된 결함 상태 양자 모두는 제 6 실시예의 것들 보다 작은 도메인들을 가지며, 연속 상태는 교차 편광자들 사이에서도 보다 어둡다. 이는 거의 이중 투과성이 결함 상태에서 측정되고, 70:1의 대비가 달성되는 것을 의미한다. 샐 배향에 따른 브라이트 상태 투과성과, 대비 양자 모두의 변화도 제 6 실시예의 것 보다 낮다. 이는 적용된 필드의 트레일링 펄스 직후에 광 상태 투과성의 소실이 없다는 것에 부분적으로 기인한다(도 36 참조). 또한, 제 7 실시예는 보다 높은 수준의 레이저 산란과 장치로서 사용될 때, 양호한 광학적 외관을 제공한다.
랜덤 제니셜 쌍안정 표면들을 위한 대안적인 제조 방법은 하기와 같다.
제니셜 쌍안정 표면들은 격자들을 제조하기 위해 통상적으로 사용되는 것이 아닌 기술들을 사용하여 제조될 수도 있다. 본 발명에 사용되는 신규한 방법은 혼합 정렬을 통한 것이다. 이 방법은 상이한 용해성의 둘 이상의 폴리머들이 용매내에 혼합되고, 적절한 기판상으로 스핀코팅되어 방울 크기 및 형상을 제어하기 위해 기판의 미소 방울 표면 에너지로서 작용하는, 하라다 등의 특허인 EP 0 732 610 A2호에 기술되어 있다. 이 특허의 다섯 번째 실시예에서, 폴리머(PAS)와 폴리 4 비닐바이페닐이 10:1의 비율로 3중량%의 농도를 제공하도록 N-메틸 피롤리돈(NMP) 용매내에 혼합된다. 그후, 스핀 코팅 및 200℃에서 1시간 동안의 베이킹에 의해 약 30nm 높이와 50nm 직경의 불규칙 간격의 표면 돌출부들을 가지는 50nm 두께의 정려릉을 야기시킨다. 본 발며에서, 그후, 이 표면이 플루오리네이트 크롬 콤플렉스 또는 시레인(예로서, ZLI 3334) 수직배향제 같은 저에너지 계면활성제로 코팅된다. 비록, 결함 상태일 때 일부 영역들이 단안정 상태로 남아있기 때문에, 다른 상태에서 상대적으로 높은 산란 수준으로 인하여 대비가 열악하기는 하지만, 매우 작은 산란 중심의 높은 밀도는 매우 높은 산란 상태를 야기시킨다. 이는 소정 수준의 표면 제어를 달성하기 어렵게 하기 때문에, 다수의 비격자 방법에 공통적인 문제점이다. 그러나, 미소 방울 크기를 제어하는 것을 돕기 위해 폴리머 용액내에 계면활성제를 추가하는 것이 일부 개선을 가능하게 하는 것으로 판명되었다. 다른 예들은 또한, 두 개의 비혼합성 수직배향 정렬 폴리머들을 사용하는 것과, 두 개의 비혼합성 용매들 등의 내에서 상이한 용해성을 가진 하나의 폴리머를 사용하는 것을 포함할 수 있다.
또한, 미소 다공성 표면을 제조하기 위해 유사한 기술들이 사용될 수 있으며, 여기서, 정렬층은 PDLC와 동일한 형태로 형성된다(즉, 예로서, 바하두르에서 도안의 "액정"(Doane, in Bahadur, "Liquid Crystals" : Applications and Uses, Volume 1, World Scientific, 1990, P361)에서 검토된 광, 열적 또는 용매 유도 위상 분리(PIPS, TIPS 또는 SIPS) 방법의 사용). 이 모노머 함유 용매(PIPS 프로세스가 채용되는 경우, 때때로 적절한 광 시발제와 연계하여 사용됨)가 스핀 다운되어 정밀하게 제어된 두께를 가지는 표면 막을 제공한다.
도 17, 도 18, 도 19 및 도 20에 도시된 유형의 표면들은 용액 농도, 온도 및 하면의 가습 특성 등의 주의 깊은 제어를 통해 가능하다. 대안적으로, 단량체 방울들의 미세 에어로졸 분무가 수직배향 표면을 코팅하기 위해 사용되고 경화(열적 및/또는 광학적으로)되고, 필요시 수직배향 계면활성제로 코팅될 수 있다. 이 예에서, 초기 계면활성제 코팅은 액정의 정렬제로서 기능하고, 또한, 경화 이전에 방울들의 접촉각을 증가시켜 제니셜 쌍안정성을 제공하기 위해 정확한 형성의 양호하게 성형된 경사 형상부들을 보증하는 가습제로서 기능한다.

Claims (30)

  1. 전극 구조체들(6, 7)과 정렬 표면(21)을 각각 지지하는 두 개의 셀 벽(3, 4) 사이에 수용되는 네마틱 액정 재료의 층(2)을 포함하는 액정 장치에 있어서,
    일차 변조와 이차 변조 양자 모두를 갖는, 적어도 하나의 셀벽(4)상의 정렬층(21, 22)을 구비하고,
    상기 일차 변조는 쌍안정성 예비 경사 정렬과 액정 분자들에 대한 정렬 방향을 제공하는 프로파일형 표면 및 수직배향 표면을 각각 구비하는 복수의 소형(<15㎛) 정렬 영역에 의해 형성되며,
    상기 이차 변조는 상기 소형 정렬 영역의 간격 및/또는 표면 정렬 방향에 의해 형성되며(도 5 내지 도 20),
    그에 의해, 상기 장치가 광 투과 상태와 광 비투과 상태 사이에서 스위칭될 수 있는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 소형 정렬 영역은 복수의 격자 영역들(21)에 의해 형성되는 액정 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 격자 영역들은 단격자 구조(도 5, 7, 9, 10, 11) 및/또는 쌍격자 구조(도 12)를 포함하는 액정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 각 소형 정렬 영역은 복수의 돌출부들(25)에 의해 형성되는 액정 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 각 소형 정렬 영역은 복수의 블라인드 구멍들(26)에 의해 형성되는 액정 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 이차 변조는 수직배향 표면 정렬의 영역들을 가지는 복수의 소형 정렬 영역들을 구분시킴으로써 형성되는 액정 장치(도 5, 7, 9, 11).
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 이차 변조는 인접한 소형 정렬 영역들의 정렬 방향을 변화시킴으로써 형성되는 액정 장치(도 7).
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 소형 표면 형상부는 복수의 상이한 방향들로의 정렬을 제공하도록 배열되는 액정 장치(도 7 내지 16).
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 소형 정렬 영역은 규칙적 형상을 가지는 액정 장치(도 5 내지 도 11).
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 소형 정렬 영역은 불규칙 형상을 가지는 액정 장치(도 14, 15, 16).
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 소형 정렬 영역은 하나 이상의 방향으로 연속적인 액정 장치(도 7, 8, 12).
  12. 제 2 항에 있어서, 상기 격자들은 일련의 대칭 또는 비대칭 홈들인 액정 장치.
  13. 제 2 항에 있어서, 상기 격자들은 일부 이상의 상기 정렬 영역들 내에서 홈의 방향이 변화하는 일련의 대칭 또는 비대칭 홈들인 액정 장치(도 16).
  14. 제 2 항에 있어서, 상기 격자 영역들내의 주기성은 L1이고, 상기 주기는 각 정렬 영역내에서 균일한 액정 장치(도 13, 14, 15).
  15. 제 2 항에 있어서, 상기 격자 영역들내의 주기성은 L1이고, 주기는 각 정렬 영역내에서 가변적인 액정 장치.
  16. 제 2 항에 있어서, 격자 영역들은 수직배향 표면 정렬을 가지는 영역에 의해 분리되고,
    격자 영역들과 수직배향 정렬의 영역들의 조합은 L2이 주기성을 가지는 액정 장치.
  17. 제 1 항에 있어서, 하나의 셀 벽(3)은 수직배향 정렬 표면 처리를 가지는 액정 장치.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 주기성 L2는 격자 영역들내에서 주기성 L1과 동일한(도 12) 값으로부터 10L1까지 변화하는 액정 장치.
  19. 제 1 항에 있어서, 상기 액정 재료는 소정량의 이색성 염료를 포함하는 액정 장치.
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 장치는 하나 이상의 편광자(13, 13')를 포함하는 액정 장치.
  21. 제 3 항에 있어서, 상기 격자는 a의 진폭과, L1의 주기를 가지는 홈을 구비하고, 여기서, 01<a/L1<0.75인 액정 장치.
  22. 제 1 항에 있어서, 상기 네마틱 층 두께는 1㎛과 50㎛ 사이인 액정 장치.
  23. 제 1 항에 있어서, 전극 구조체들(6, 7)은 일 셀 벽상의 열 전극과 다른 셀 벽상의 행 전극으로 형성되어 어드레스될 수 있는 화소들 또는 디스플레이 소자들의 xy 매트릭스를 형성하는 액정 장치.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 일차 및 이차 변죠들은 각 화소 내에서 일정한 액정 장치.
  25. 제 23 항에 있어서, 상기 일차 및 이차 변조들은 각 화소 내에서 변화하고,
    적어도 복수의 화소들이 동일한 변화를 가지는 액정 장치.
  26. 제 1 항에 있어서, 전극 구조체들(6, 7)은 시트 전극들이고, 그에 의해, 상기 셀 전체가 두 가지 상이한 수준의 광 투과 상태 사이에서 스위칭될 수 있는 액정 장치.
  27. 제 1 항에 있어서, 상기 액정 재료(2)는 카이럴 네마틱 또는 스메틱 재료인 액정 장치.
  28. 제 1 항에 있어서, 상기 장치는 교차된 편광자들(13, 13') 사이에서 샌드위치식으로 배치되어 있는 액정 장치.
  29. 각각 전극 구조체들(6, 7)과 정렬 표면(21, 22)을 지지하는 두 개의 셀 벽(3, 4) 사이에 수납된 네마틱 액정 재료의 층(2)을 포함하는 액정 장치에 있어서,
    복수의 정렬 방향들(도 7 내지 16)을 제공하는 복수의 격자 영역들을 가지는 액정 분자들에 쌍안정성 정렬을 각각 제공하는 복수의 소형(<15㎛) 격자 영역들에 의해 형성된, 하나 이상의 셀 벽(4)상의 정렬층(21)을 가지고,
    상기 격자 영역은 단안정 고 표면 경사 정렬을 가지는 영역들에 의해 분리되고,
    그에 의해, 상기 장치가 광 투과 상태와 광 비투과 상태 사이에서 스위칭될 수 있는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  30. 전극 구조체(6, 7)와 정렬 표면(21)을 각각 지지하는 두 개의 셀 벽(3, 4) 사이에 수납된 네마틱 액정 재료의 층(2)을 포함하는 액정 장치에 있어서,
    하나 이상의 셀 벽(4)상의 정렬층(21)을 가지고,
    상기 정렬층은 복수의 소형(<15㎛) 표면 형상부들로 형성되며,
    상기 소형 표면 형상부들 각각은 독립적으로 분자 배향의 작은 국부적 변화들을 유발할 수 있고, 총체적으로 상기 층(2)을 가로지른 분자 배향의 보다 큰 변화를 유발할 수 있으며, 그에 의해, 상기 장치가 광 투과 상태와 광 비투과 상태 사이에서 스위칭될 수 있는 액정 장치.
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