KR20020094809A - 액정표시장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 복수개의 게이트라인, 데이터라인으로 정의되는 복수개의 화소영역과 각 화소영역에 박막트랜지스터 및 화소전극이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인의 끝부분에 게이트금속 및 화소전극을 포함하여 구성되는 패드부를 구비하는 액정표시장치에 있어서,상기 화소영역 및 상기 패드부의 커팅 영역 소정부위에 포토레지스트를 도포하는 제 1 단계;상기 포토레지스트가 도포되지 않은 상기 화소영역 및 상기 패드부의 커팅 영역의 화소전극을 식각하는 제 2 단계;상기 커팅 영역의 게이트 금속을 식각하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 화소영역은,절연기판 상에 게이트 전극을 형성하는 공정과,상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면 상에 게이트 절연막을 형성하는 공정과,상기 게이트 절연막 상의 소정 부위에 반도체층을 형성하는 공정과,상기 반도체층 상의 좌우 소정 부위에 소스/드레인 전극을 형성하는 공정과,상기 소스/드레인 전극을 포함한 기판 전면 상에 보호막을 형성하는 공정과,상기 보호막 상에 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 패드부의 커팅 영역은,절연기판 상에 게이트 금속을 형성하는 공정과,상기 게이트 금속을 포함한 기판 전면 상에 게이트 절연막과 보호막을 순차적으로 형성하는 공정과,상기 보호막 상에 콘택홀을 통해 상기 게이트 금속과 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계는 옥살산을 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계는 인산, 질산, 초산을 포함한 혼합산을 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 옥살산은 4.5∼5 wt%인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 혼합산은 인산 67%, 질산 5%, 초산 10%을 포함하는것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계 공정을 거친 후 동일 식각 장비내의 버퍼 영역에서 기판 상에 잔류하는 옥살산을 제거하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트라인은 AlNd 또는 Al 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.
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KR100271038B1 (ko) * | 1997-09-12 | 2000-11-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 전기적 특성 검사를 위한 단락 배선의 제조 방법 및 그 단락 배선을 포함하는 액티브 기판의 구조(a method for manufacturing a shorting bar probing an electrical state and a structure of an lcd comprising the shorting bar) |
KR100623979B1 (ko) * | 1999-07-27 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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