KR20020079378A - 전압 발생 회로 및 그 제어 방법 - Google Patents
전압 발생 회로 및 그 제어 방법Info
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Abstract
Description
Claims (32)
- 기준 전압에 의해 활성화되고 출력 전압을 발생시키는 전압 발생기와;상기 전압 발생기에 접속되고 파워 다운 신호에 응답하여 상기 기준 전압을 상기 전압 발생기를 비활성화하기 위한 제1 전압으로 클램프하는 기준 전압 클램프 회로와;상기 전압 발생기에 접속되고 상기 출력 전압을 제2 전압으로 클램프하는 출력 전압 클램프 회로와;상기 출력 전압 클램프 회로에 접속되고 상기 파워 다운 신호에 응답하여 상기 전압 발생기를 비활성화한 후에 상기 출력 전압 클램프 회로를 인에이블시키는 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제어 회로는,상기 기준 전압의 변화를 검사하여 상기 기준 전압이 소정의 레벨에 도달하였을 때 검출 신호를 발생시키는 기준 전압 검출 회로와;상기 기준 전압 검출 회로에 접속되고 상기 검출 신호에 응답하여 상기 출력 전압 클램프 회로를 인에이블하기 위한 클램프 신호를 발생하는 클램프 신호 발생 회로를 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 전압 발생기는 상기 기준 전압에 응답하여 상기 출력전압과 같은 강압 전압을 발생시키기 위한 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 기준 전압 검출 회로는 상기 기준 전압과 상기 제1 전압 사이의 전위차가 상기 MOS 트랜지스터의 임계치 이하인 경우 상기 검출 신호를 발생시키는 것인 전압 발생 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 전압 및 제2 전압은 저전위 전원 전압이고, 상기 전압 발생기는 상기 기준 전압에 응답하여 상기 출력 전압과 같은 강압 전압을 발생시키기 위한 N 채널 MOS 트랜지스터를 포함하며, 상기 기준 전압 검출 회로는 상기 기준 전압과 상기 저전위 전원 전압 사이의 전위차가 상기 N 채널 MOS 트랜지스터의 임계치 이하인 경우 상기 검출 신호를 발생시키는 것인 전압 발생 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 전압은 고전위 전원 전압이고, 상기 제2 전압은 저전위 전원 전압이며, 상기 전압 발생기는 상기 기준 전압에 응답하여 상기 출력 전압과 같은 강압 전압을 발생시키기 위한 P 채널 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 기준 전압 검출 회로는 상기 기준 전압과 상기 고전위 전원 전압 사이의 전위차가 상기 P 채널 MOS 트랜지스터의 임계치 이하인 경우 상기 검출 신호를 발생시키는 것인 전압 발생 회로.
- 기준 전압에 의해 활성화되고 외부 전원 전압을 강압하여 출력 전압을 발생시키는 전압 발생기와;상기 전압 발생기에 접속되고 파워 다운 신호에 응답하여 상기 기준 전압을상기 전압 발생기를 비활성화하기 위한 제1 전압으로 클램프하는 기준 전압 클램프 회로와;상기 전압 발생기에 접속되고 상기 출력 전압을 제2 전압으로 클램프하는 출력 전압 클램프 회로와;상기 출력 전압 클램프 회로에 접속되고 상기 파워 다운 신호에 응답하여 상기 전압 발생기에 의한 상기 출력 전압의 발생을 중지시킨 후에 상기 출력 전압 클램프 회로를 인에이블시키는 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
- 제6항에 있어서, 상기 제어 회로는,상기 기준 전압의 변화를 검사하여 상기 기준 전압이 소정의 레벨에 도달하였을 때 검출 신호를 발생시키는 기준 전압 검출 회로와;상기 기준 전압 검출 회로에 접속되고 상기 검출 신호에 응답하여 상기 출력 전압 클램프 회로를 인에이블하기 위한 클램프 신호를 발생하는 클램프 신호 발생 회로를 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 제7항에 있어서, 상기 전압 발생기는 상기 기준 전압에 응답하여 상기 출력 전압과 같은 강압 전압을 발생시키기 위한 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 기준 전압 검출 회로는 상기 기준 전압과 상기 제1 전압 사이의 전위차가 상기 MOS 트랜지스터의 임계치 이하인 경우 상기 검출 신호를 발생시키는 것인 전압 발생 회로.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 전압 및 제2 전압은 저전위 전원 전압이고, 상기 전압 발생기는 상기 기준 전압에 응답하여 상기 출력 전압과 같은 강압 전압을 발생시키기 위한 N 채널 MOS 트랜지스터를 포함하며, 상기 기준 전압 검출 회로는 상기 기준 전압과 상기 저전위 전원 전압 사이의 전위차가 상기 N 채널 MOS 트랜지스터의 임계치 이하인 경우 상기 검출 신호를 발생시키는 것인 전압 발생 회로.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 전압은 고전위 전원 전압이고, 상기 제2 전압은 저전위 전원 전압이며, 상기 전압 발생기는 상기 기준 전압에 응답하여 상기 출력 전압과 같은 강압 전압을 발생시키기 위한 P 채널 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 기준 전압 검출 회로는 상기 기준 전압과 상기 고전위 전원 전압 사이의 전위차가 상기 P 채널 MOS 트랜지스터의 임계치 이하인 경우 상기 검출 신호를 발생시키는 것인 전압 발생 회로.
- 제6항에 있어서, 상기 제어 회로는 상기 출력 전압 클램프 회로를 인에이블시키기 위한 클램프 신호를 발생시키기 위해 상기 파워 다운 신호를 지연하기 위한 지연 회로를 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 제6항에 있어서, 상기 제어 회로는,상기 기준 전압의 변화를 검사하여 상기 기준 전압이 소정의 레벨에 도달하였을 때 검출 신호를 발생시키는 기준 전압 검출 회로와;상기 기준 전압 검출 회로에 접속되고 상기 검출 신호에 응답하여 상기 출력 전압 클램프 회로를 인에이블하기 위한 클램프 신호를 발생하는 클램프 신호 발생 회로와;상기 파워 다운 신호를 지연하고, 지연된 파워 다운 신호를 발생시키는 지연 회로와;상기 지연 회로 및 클램프 신호 발생 회로에 접속되고 상기 클램프 신호 및 상기 파워 다운 신호를 수신하여 소정의 논리 신호를 발생시키는 논리 회로를 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 반도체 장치에 있어서,기준 전압에 의해 활성화되고 내부 전압을 발생시키는 전압 발생기, 상기 전압 발생기에 접속되고 파워 다운 신호에 응답하여 상기 기준 전압을 상기 전압 발생기를 비활성화하기 위한 제1 전압으로 클램프하는 기준 전압 클램프 회로, 상기 전압 발생기에 접속되고 상기 내부 전압을 제2 전압으로 클램프하는 내부 전압 클램프 회로 및 상기 내부 전압 클램프 회로에 접속되고 상기 파워 다운 신호에 응답하여 상기 전압 발생기를 비활성화한 후에 상기 내부 전압 클램프를 인에이블시키는 제어 회로를 구비한 전압 발생 회로와;상기 전압 발생기 및 상기 내부 전압에 의해 인에이블되는 상기 내부 전압 클램프 회로에 접속되고 상기 제2 전압에 의해 비활성화되는 내부 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 장치에 있어서,기준 전압에 의해 활성화되고 외부 전원 전압을 저감하여 내부 전압을 발생시키는 전압 발생기, 상기 전압 발생기에 접속되고 파워 다운 신호에 응답하여 상기 기준 전압을 상기 전압 발생기를 비활성화하기 위한 제1 전압으로 클램프하는 기준 전압 클램프 회로, 상기 전압 발생기에 접속되고 상기 내부 전압을 제2 전압으로 클램프하는 내부 전압 클램프 회로 및 상기 내부 전압 클램프 회로에 접속되고 상기 파워 다운 신호에 응답하여 상기 전압 발생기에 의한 상기 내부 전압의 발생을 중지시킨 후에 상기 내부 전압 클램프 회로를 동작시키는 제어 회로를 구비한 전압 발생 회로와;상기 전압 발생기 및 상기 내부 전압에 의해 인에이블되는 상기 내부 전압 클램프 회로에 접속되고 상기 제2 전압에 의해 비활성화되는 내부 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 기준 전압에 의해 활성화되고 내부 회로로 공급되는 내부 전압을 발생시키는 전압 발생기를 포함하는 전압 발생 회로를 제어하는 방법에 있어서,파워 다운 신호에 응답하여 상기 기준 전압을 상기 전압 발생기를 비활성화하기 위한 제1 전압으로 클램프하는 단계와;상기 전압 발생기를 비활성화한 후에 상기 내부 회로를 비활성화하기 위한제2 전압으로 상기 내부 전압을 클램프하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로의 제어 방법.
- 기준 전압에 의해 활성화되고 출력 전압을 발생시키는 전압 발생기와;상기 전압 발생기에 접속되고 파워 다운 신호에 응답하여 상기 기준 전압을 상기 전압 발생기를 비활성화하기 위한 소정의 클램프 전압으로 클램프하는 기준 전압 클램프 회로와;상기 전압 발생기를 비활성화하는 경우 상기 전압 발생기의 내부로 흐르는 서브임계치 전류를 저감하는 서브임계치 전류 저감 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로.
- 제16항에 있어서, 상기 출력 신호는 반도체 장치의 내부 회로로 공급되고, 상기 서브임계치 전류 저감 회로는 상기 전압 발생기의 내부로 흐르는 상기 서브임계치 전류와 상기 내부 회로의 내부로 흐르는 서브임계치 전류를 평형을 이루게 하는 평형 전압(balance voltage)을 설정하기 위한 평형 전압 설정 회로를 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 제17항에 있어서, 상기 전압 발생기는 고전위 전원 전압을 수신하는 드레인, 상기 기준 전압을 수신하는 게이트 및 소스를 구비하는 N 채널 MOS 트랜지스터를 포함하며, 상기 평형 전압 설정 회로는 상기 N 채널 MOS 트랜지스터의 소스와 외부전원 사이에 접속되고 고저항치를 갖는 저항을 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 제18항에 있어서, 상기 저항은 상기 N 채널 MOS 트랜지스터의 소스와 외부 고전위 전원 및 외부 저전위 전원 중 어느 하나의 전원 사이에 접속되는 것인 전압 발생 회로.
- 제19항에 있어서, 상기 N 채널 MOS 트랜지스터의 소스와 상기 고전위 전원 및 저전위 전원 중 어느 하나의 전원 사이에 저항을 결합하기 위한 스위치를 더 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 제17항에 있어서, 상기 전압 발생기는 고전위 전원 전압을 수신하는 드레인, 상기 기준 전압을 수신하는 게이트 및 소스를 구비하는 N 채널 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 평형 전압 설정 회로는 상기 N 채널 MOS 트랜지스터의 소스로 상기 평형 전압을 공급하는 것인 전압 발생 회로.
- 제16항에 있어서, 상기 서브임계치 전류 저감 회로는 상기 전압 발생기의 서브임계치 전류의 발생을 차단하기 위한 서브임계치 전류 차단 회로를 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 제22항에 있어서, 상기 전압 발생기는 상기 기준 전압을 수신하는 게이트를구비하는 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 서브임계치 전류 차단 회로는 상기 MOS 트랜지스터의 상기 게이트에서의 소정의 클램프 전압을 상기 서브임계치 전류를 차단할 수 있는 전압으로 설정하기 위한 클램프 전압 설정 회로를 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 제23항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터는 N 채널 MOS 트랜지스터이고, 상기 클램프 전압 설정 회로는 상기 저전위 전원의 전압보다 낮은 기판 전압을 상기 N 채널 MOS 트랜지스터의 게이트로 공급하는 것인 전압 발생 회로.
- 제23항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터는 P 채널 MOS 트랜지스터이고, 상기 클램프 전압 설정 회로는 상기 고전위 전원의 전압보다 높은 부스트 전압을 상기 P 채널 MOS 트랜지스터의 게이트로 공급하는 것인 전압 발생 회로.
- 제22항에 있어서, 상기 전압 발생기는 상기 기준 전압을 수신하는 게이트 및 백 게이트를 구비하는 MOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 서브임계치 전류 차단 회로는 상기 서브임계치 전류를 차단할 수 있는 전압을 상기 MOS 트랜지스터의 백 게이트로 공급하기 위한 백 게이트 전압 공급 회로를 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 제26항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터는 N 채널 MOS 트랜지스터이고, 상기 백 게이트 전압 공급 회로는 저전위 전원의 전압보다 낮은 기판 전압을 상기 N 채널 MOS 트랜지스터의 백 게이트로 공급하는 것인 전압 발생 회로.
- 제26항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터는 P 채널 MOS 트랜지스터이고, 상기 백 게이트 전압 공급 회로는 고전위 전원의 전압보다 높은 부스트 전압을 상기 P 채널 MOS 트랜지스터의 백 게이트로 공급하는 것인 전압 발생 회로.
- 제22항에 있어서, 상기 전압 발생기는 상기 기준 전압을 수신하는 게이트 및 백 게이트를 구비하는 MOS 트랜지스터를 포함하고,상기 서브임계치 전류 차단 회로는,상기 MOS 트랜지스터의 게이트에서의 소정의 클램프 전압을 상기 서브임계치 전류를 차단할 수 있는 전압으로 설정하기 위한 클램프 전압 설정 회로와;상기 서브임계치 전류를 차단할 수 있는 전압을 상기 MOS 트랜지스터의 백 게이트로 공급하기 위한 백 게이트 전압 공급 회로를 포함하는 것인 전압 발생 회로.
- 기준 전압에 의해 활성화되고 출력 전압을 발생시키는 전압 발생기, 상기 전압 발생기에 접속되고 파워 다운 신호에 응답하여 상기 기준 전압을 상기 전압 발생기를 비활성화하기 위한 소정의 클램프 전압으로 클램프하는 기준 전압 클램프 회로, 상기 전압 발생기를 비활성화하는 경우 상기 전압 발생기의 내부로 흐르는 서브임계치 전류를 저감하는 서브임계치 전류 저감 회로를 구비한 전압 발생 회로와;상기 전압 발생기에 접속되고 상기 출력 전압에 의해 인에이블되는 내부 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 내부 회로로 공급되는 내부 전압을 발생시키기 위한 전압 발생기를 구비한 전압 발생 회로를 제어하는 방법에 있어서,파워 다운 신호에 응답하여 상기 전압 발생기를 비활성화하는 단계와;상기 전압 발생기를 비활성화하는 경우 상기 전압 발생기의 내부 전압을, 상기 전압 발생기의 내부로 흐르는 서브임계치 전류와 상기 내부 회로의 내부로 흐르는 서브임계치 전류를 평형을 이루게 하는 평형 전압으로 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로의 제어 방법.
- MOS 트랜지스터로 구성된 전압 발생기를 구비한 전압 발생 회로를 제어하는 방법에 있어서,파워 다운 신호에 응답하여 상기 MOS 트랜지스터를 비활성화하는 단계와;상기 MOS 트랜지스터를 비활성화하는 경우 상기 MOS 트랜지스터의 게이트 및 백 게이트 중 적어도 어느 하나로 서브임계치 전류를 차단할 수 있는 전압을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 발생 회로의 제어 방법.
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