KR20020073893A - 패턴 형성을 위한 식각 장치 - Google Patents

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Abstract

배플을 포함하는 반도체 제조에서 패턴 형성을 위한 식각 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 가공 챔버와 진공 챔버를 포함한다. 상기 가공 챔버에는 척이 설치되어 있다. 그리고, 상기 장치는 막들을 식각할 때 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 위치에 상기 가공 챔버 내측을 둘러싸도록 설치되는 제1배플과, 상기 척의 원주면을 둘러싸도록 설치되고, 상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플의 원주면과 면접하여 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 제2배플을 포함한다. 또한, 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 상측 및 하측으로 리프팅시키는 리프터를 포함한다. 따라서, 제1배플 및 제2배플의 면접 및 격리를 통하여 반응 부산물을 용이하게 배기시킬 수 있다.

Description

패턴 형성을 위한 식각 장치{Etching apparatus for forming a pattern}
본 발명은 패턴 형성을 위한 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는척(chuck)의 원주면을 둘러싸도록 설치되는 배플(baffle)을 포함하는 반도체 제조에서 패턴 형성을 위한 식각 장치에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 패턴을 형성하는 식각 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.
상기 식각 기술은 기판 상에 형성되어 있는 막들의 소정 부위를 식각하여 상기 막들을 패턴으로 가공하는 기술로써, 0.15㎛ 이하의 디자인룰(design rule)을 요구하는 최근의 반도체 장치의 제조에서는 플라즈마(plasma)를 이용하는 식각 장치를 주로 사용한다.
상기 식각 장치는 막들을 식각하는 가공이 진행되는 가공 챔버, 상기 가공 챔버를 진공으로 형성하는 진공 챔버, 기판이 놓여지는 척 및 상기 척의 원주면을 둘러싸도록 설치되는 배플 등을 포함한다.
상기 식각 장치에 대한 예는 미합중국 특허 제5,015,331호(issued to Powell)에 개시되어 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조에 있어 패턴 형성을 위한 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1를 참조하면, 도시된 장치는 기판(W) 상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 패턴으로 형성하는 식각 장치이다. 상기 장치는 가공 챔버(10) 및 진공 챔버(12)를 포함한다. 가공 챔버(10)에는 기판(W)이 놓여지는 척(14)이 설치된다. 그리고, 척(14)의 원주면을 둘러싸는 배플(16)이 설치된다.
도 2는 도 1의 식각 장치에 포함되는 배플의 측단면 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 도시된 도면은 배플(16)을 나타낸다. 배플(16)은 식각을 수행할 때 상기 가공 챔버와 진공 챔버가 경계를 짓도록 설치된다. 그리고, 배플(16)에는 원주 방향을 따라 슬릿(slit)(20)이 형성된다. 슬릿(20)은 식각을 수행할 때 가공 챔버(10) 내에 발생하는 반응 부산물들을 외부로 배기시키는 기능을 갖는다. 이때, 슬릿(20)은 가공 챔버를 향하는 입구측이 넓고, 진공 챔버는 향하는 출구측이 좁은 테이퍼(taper) 형상을 갖는다. 그리고, 상기 출구측의 슬릿은 2 내지 3mm 정도이 이격 거리를 갖도록 형성된다.
상기 장치는 척(14) 및 배플(16)을 가공 챔버(10) 상, 하로 리프팅시키는 리프터(lifter)(18)를 포함한다. 가공 챔버(10)의 일측에는 기판(W)의 이송을 위한 윈도우(window)(22)가 설치된다. 이에 따라, 리프터(18)를 가공 챔버(10) 상측으로 리프팅시켜 기판(W)을 이송받은 다음 가공 챔버(10) 하측으로 리프팅시키는 구성을 갖는다.
그리고, 리프트(18)의 리프팅은 가공 챔버(10) 내에 존재하는 폴리머, 식각 가스 등과 같은 반응 부산물을 외부로 배기시키는 구성을 갖는다. 즉, 리프터(18)를 상측으로 리프팅시킬 때 배플(16)의 슬롯(20)을 통하여 상기 반응 부산물이 외부로 배기된다.
그러나, 식각 공정을 수행할 때 발생하는 폴리머(polymer) 등과 같은 반응 부산물이 슬릿(20)을 통하여 외부로 완전히 배기되지 못하고, 슬릿(20)의 출구측에 흡착되는 상황이 빈번하게 발생한다. 때문에, 리프터(18)를 사용하여 척(14) 및 배플(16)을 리프팅시킬 때 발생하는 압력에 의해 상기 폴리머가 가공 챔버(10) 내부로 유입된다. 그리고 상기 폴리머는 기판(W) 등에 떨어져서 파티클(particle)로 작용한다. 이는, 슬릿(20)을 통하여 반응 부산물이 배기되는데, 슬릿(20)의 구조로 인하여 슬릿(20)에 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 계속적으로 흡착되기 때문이다.
이에 따라 상기 폴리머로 기인한 파티클은 불량 소스로 작용한다. 따라서, 반도체 장치의 신뢰도를 저하시키는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 일환으로서, 슬릿의 형태를 타원형 등으로 변형시키고, 출구측 크기를 개선시키는 방법 등이 최근에 적용되고 있으나, 이러한 방법 또한 슬릿을 통하여 반응 부산물을 배기시키기 때문에 슬릿에 반응 부산물이 흡착되는 것을 배제할 수는 없다. 때문에, 전술한 바와 같은 문제점은 계속적으로 발생되고 있다.
본 발명의 목적은, 식각을 수행할 때 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 가공 챔버 내부로 유입되는 것을 방지하기 위한 패턴 형성을 위한 식각 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 반도체 제조에 있어 패턴 형성을 위한 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 도 1의 식각 장치에 포함되는 배플의 측단면 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성을 위한 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10, 30 : 가공 챔버 12, 32 : 진공 챔버
14, 34 : 척 16, 35, 36 : 배플
18, 38 : 리프터 20 : 슬릿
22, 42 : 윈도우 44 : 밸브
W : 기판
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 패턴 형성을 위한 식각 장치는, 기판 상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 상기 막들을 패턴으로 형성하기 위한 가공 챔버와, 상기 가공 챔버 하측에 설치되고, 상기 가공 챔버를 진공으로 형성하기 위한 진공 챔버와, 상기 가공 챔버 내에 설치되고, 상기 기판이 놓여지는 척과, 상기 막들을 식각할 때 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 위치에 상기 가공 챔버 내측을 둘러싸도록 설치되는 제1배플과, 상기 척의 원주면을 둘러싸도록 설치되고, 상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플의 원주면과 면접하여 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 제2배플과, 상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플 및 제2배플을 서로 면접시켜 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓도록 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 하측으로 리프팅시키고, 상기 막들을 식각한 다음 상기 제1배플 및 제2배플에 의해 형성되는 공간을 통하여 상기 가공 챔버 내에 존재하는 반응 부산물들이 외부로 배기되도록 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 상측으로 리프팅시키는 리프터를 포함한다.
이때, 상기 제1배플은 상기 제2배플과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖고, 상기 제2배플은 상기 제1배플과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖는다. 그리고, 상기 제1배플과 제2배플은 슬릿이 없는 플레이트 형상을 갖는데, 그 표면은 아노다이징 처리가 되어 있다.
이와 같이, 상기 제1배플 및 제2배플로 구분하여 형성시키고, 슬롯이 없는형태로 형성함으로서, 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 외부로 용이하게 배기시킬 수 있다. 즉, 상기 반응 부산물을 배기시킬 때 상기 제1배플 및 제2배플에 흡착되어 있는 반응 부산물이 용이하게 떨어져서 외부로 배기되기 때문이다. 때문에, 상기 폴리머 등이 가공 챔버 내부로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 제1배플 및 제2배플이 테이퍼진 형상을 갖기 때문에 보다 용이하게 외부로 배기시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성을 위한 식각 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 도시된 장치는 패턴을 형성하기 위한 식각 장치이다. 이때, 상기 식각 장치는 플라즈마를 사용하여 식각을 수행하는 장치이다.
상기 장치는 가공 챔버(30)를 포함한다. 가공 챔버(30)는 기판(W) 상에 형성되어 있는 막들을 식각하기 위한 부재이다. 상기 식각은 플라즈마를 사용하기 때문에, 가공 챔버(30)에는 식각 가스가 제공되고, 진공 분위기가 형성된다. 그리고, 가공 챔버(30) 내에는 기판(W)이 놓여지는 척(34)이 설치된다.
상기 장치는 진공 챔버(32)를 포함한다. 진공 챔버(32)는 가공 챔버(30)의 하측에 설치된다. 그리고, 진공 챔버(32)의 일측에는 개폐가 가능한 밸브(44)가 설치된다. 밸브(44)는 식각 가스 및 폴리머 등과 반응 부산물을 배기시킬 때 개방되고, 진공 분위기를 형성하여 식각을 수행할 때 폐쇄된다. 그리고, 밸브(44)는 솔레노이드 밸브가 설치되는 것이 바람직하다.
상기 장치는 제1배플(35) 및 제2배플(36)을 포함한다. 제2배플(36)은 척(34)의 원주면을 둘러싸도록 설치된다. 그리고, 제1배플(35)은 식각을 수행하는 위치에 있을 때 제2배플(36)의 원주면과 면접하는 위치의 가공 챔버(30) 내측을 둘러싸도록 설치된다. 즉, 식각을 수행할 때 제1배플(35) 및 제2배플(36)이 면접하고, 이에 따라 가공 챔버(30)와 진공 챔버(32)를 경계짓는다. 그리고, 제1배플(35) 및 제2배플(36)은 테이퍼진 형상을 갖는다. 제1배플(35)은 제2배플(36)과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖고, 제2배플(36)은 제1배플(35)과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖는다. 그리고, 제1배플(35) 및 제2배플(36)은 슬릿이 없는 플레이트(plate) 형상으로 형성된다. 또한, 제1배플(35) 및 제2배플(36)은 표면을 아노다이징(anodizing) 처리하는 구성을 갖는다.
상기 장치는 리프터(38)를 포함한다. 리프터(38)는 식각을 수행할 때 척(34) 및 제2배플(36)을 가공 챔버(30) 하측으로 리프팅시키고, 상기 식각을 수행한 다음 가공 챔버(30) 내의 반응 부산물을 외부로 배시킬 때 척(34) 및 제2배플(36)을 가공 챔버(30) 상측으로 리프팅시키는 기능을 갖는다. 그리고, 리프터(38)를 가공 챔버(30) 하측으로 리프팅시킬 경우 제2배플(36)과 제1배플(35)은 각각의 원주면이 면접하기 때문에 가공 챔버(30)와 진공 챔버(32)를 경계지울 수 있다. 따라서, 리프터(38)를 가공 챔버 하측으로 리프팅시킨 다음 식각을 수행한다. 그리고, 리프터(38)를 가공 챔버(30) 상측으로 리프팅시킬 경우 제1배플(35) 및 제2배플(36)이 서로 격리되고, 이에 따라 공간이 형성되기 때문에 가공 챔버(30)내에 존재하는 폴리머 등과 같은 반응 부산물을 외부로 배기시킬 수 있다.
상기 장치는 가공 챔버(30) 일측에 윈도우(42)가 형성된다. 윈도우(42)는 기판(W)을 척(34)으로 이송시키는 경로를 제공한다. 즉, 배기를 위하여 척(34)을 상승시킬 때 윈도우(42)를 통하여 기판(W)이 이송된다. 때문에, 윈도우(42)는 척(34)이 최대한 상승한 높이를 기준하는 위치에 형성된다.
상기 식각 장치를 사용하는 가공을 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 앞선 식각 공정에서 발생한 반응 부산물을 배기시키기 위하여 리프터(38)를 사용하여 척(34) 및 제2배플(36)을 상승시킨다. 따라서, 상기 반응 부산물이 가공 챔버(30)의 외부로 배기된다. 여기서, 상기 배기는 이후에 구체적으로 설명한다. 그리고, 상기 척(34)이 최대한 상승한 위치에 있을 때 윈도우(42)를 통하여 앞선 식각이 수행된 기판이 빠져나가고, 새로운 기판이 척(34) 상에 놓여진다.
이어서, 리프터(38)의 리프팅에 의해 척(34) 및 제2배플(36)은 하강한다. 이때, 제2배플(36)의 원주면이 제1배플(35)의 원주면과 면접하는 위치까지 하강한다. 따라서, 제1배플(35) 및 제2배플(36)에 의해 가공 챔버(30) 및 진공 챔버(32)가 경계를 갖는다. 그리고, 가공 챔버(30) 내에 식각 가스를 제공하고, 상기 식각 가스를 해리시켜 플라즈마로 형성한다. 이때, 가공 챔버(30)의 진공 분위기는 진공 챔버(32)에 의해 리프터(38)를 하강할 때 조성된다. 또한, 진공 챔버(32)의 일측에 형성되어 있는 밸브(44)는 폐쇄되어 있는 상태를 유지한다.
그리고, 상기 플라즈마를 사용하여 기판(W) 상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 패턴으로 형성한다. 이때, 식각 가스는 식각하고자 하는 막들에 의해 그 종류를 달리한다. 예를 들어 상기 막이 산화 물질로 구성되는 경우에는 CF4, C2F6등과 같은 식각 가스를 사용한다. 그리고, 상기 식각에 의해 가공 챔버(30) 내에는 폴리머, 잔류 식각 가스 등과 같은 반응 부산물이 발생한다. 상기 반응 부산물 중에서 폴리머 등과 같은 반응 부산물은 제1배플(35) 및 제2배플(36)에 주로 흡착된다.
이어서, 상기 식각을 수행한 다음 상기 반응 부산물을 배기시키기 위하여 리프터(38)에 의해 척(34) 및 제2배플(36)이 가공 챔버(30) 상측으로 리프팅된다. 따라서, 제1배플(35) 및 제2배플(36)의 격리에 의해 공간이 형성되고, 상기 공간을 통하여 반응 부산물이 배기된다. 그리고, 밸브(44)는 개방되고, 상기 반응 부산물은 밸브(44)를 통하여 배기된다.
이때, 제1배플(35)에 흡착되어 있는 반응 부산물은 제1배플(35)에서 용이하게 떨어져서 외부로 배기된다. 이는, 제1배플(35)이 아노다이징 처리된 표면을 갖고, 테이퍼진 형상을 갖기 때문이다. 또한, 제1배플(35)은 가공 챔버 하부에 위치하기 때문에 보다 용이하게 반응 부산물이 배기될 수 있는 상태를 제공한다. 그리고, 제2배플(36) 또한 아노다이징 처리된 표면을 갖고, 테이퍼진 형상을 갖기 때문에 상기 배기를 수행할 때 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 용이하게 떨어지고, 외부로 배기된다. 따라서, 폴리머 등과 같은 반응 부산물이 가공 챔버(30) 내로 유입되는 것을 최소화할 수 있다.
즉, 본 실시예는 제1배플(35) 및 제2배플(36)로 구성시킴으로서, 배기를 위한 공간을 용이하게 확보할 수 있다. 뿐만 아니라, 제1배플(35) 및 제2배플(36)을슬릿이 없는 형태로 형성시킴으로서, 슬릿으로 인한 폴리머의 유입을 최소화할 수 있다. 즉, 본 실시예의 제1배플(35) 및 제2배플(36)은 폴리머가 흡착되고, 이후에 유입될 수 있는 슬릿과 같은 구조적 측면을 배제하기 때문이다.
이어서, 윈도우(42)를 통하여 기판(W)을 이송하고, 전술한 과정을 통하여 새로운 기판의 식각을 수행한다.
이와 같이, 본 발명에 의하면 배플의 구조를 슬릿이 없는 형태로 형성하고, 제1배플 및 제2배플로 분리하는 형태로 형성시킴으로서, 폴리머가 가공 챔버 내로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 제1배플 및 제2배플을 아노다이징 처리하고, 테이퍼진 형상으로 형성함으로서, 폴리머를 용이하게 배기시킬 수 있다.
따라서, 폴리머로 인한 불량 발생을 최소화할 수 있다. 때문에, 반도체 장치의 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (5)

  1. 기판 상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 상기 막들을 패턴으로 형성하기 위한 가공 챔버;
    상기 가공 챔버 하측에 설치되고, 상기 가공 챔버를 진공으로 형성하기 위한 진공 챔버;
    상기 가공 챔버 내에 설치되고, 상기 기판이 놓여지는 척;
    상기 막들을 식각할 때 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 위치에 상기 가공 챔버 내측을 둘러싸도록 설치되는 제1배플;
    상기 척의 원주면을 둘러싸도록 설치되고, 상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플의 원주면과 면접하여 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓는 제2배플;
    상기 막들을 식각할 때 상기 제1배플 및 제2배플을 서로 면접시켜 상기 가공 챔버와 진공 챔버를 경계짓도록 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 하측으로 리프팅시키고, 상기 막들을 식각한 다음 상기 제1배플 및 제2배플에 의해 형성되는 공간을 통하여 상기 가공 챔버 내에 존재하는 반응 부산물들이 외부로 배기되도록 상기 척 및 제2배플을 상기 가공 챔버 상측으로 리프팅시키는 리프터를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식각 장치는 상기 리프터에 의해 상기 척이 상승하는 위치의 가공 챔버 일측 부위에 설치되고, 상기 척이 상승할 때 상기 기판을 이송하는 윈도우가 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1배플은 상기 제2배플과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖고, 상기 제2배플은 상기 제1배플과 면접되는 방향으로 테이퍼지는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1배플과 제2배플은 슬릿이 없는 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1배플과 제2배플은 표면을 아노다이징 처리한 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 식각 장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100696860B1 (ko) * 2006-07-31 2007-03-20 주식회사 태경이엔지 청소차량의 흡입구 바퀴 충격 완화장치
KR101358779B1 (ko) * 2007-07-19 2014-02-04 주식회사 뉴파워 프라즈마 멀티 코어 플라즈마 발생 플레이트를 구비한 플라즈마반응기
KR101358742B1 (ko) * 2007-02-16 2014-02-07 엘아이지에이디피 주식회사 배플 승강장치 및 이를 갖춘 평판표시소자 제조장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100696860B1 (ko) * 2006-07-31 2007-03-20 주식회사 태경이엔지 청소차량의 흡입구 바퀴 충격 완화장치
KR101358742B1 (ko) * 2007-02-16 2014-02-07 엘아이지에이디피 주식회사 배플 승강장치 및 이를 갖춘 평판표시소자 제조장치
KR101358779B1 (ko) * 2007-07-19 2014-02-04 주식회사 뉴파워 프라즈마 멀티 코어 플라즈마 발생 플레이트를 구비한 플라즈마반응기

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