KR20020064784A - 고주파수 증폭기 회로 및 바이어스 회로 - Google Patents
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Abstract
고주파수 증폭기 회로는 증폭 트랜지스터 및 그 증폭 트랜지스터에 결합된 바이어스 회로를 포함한다. 바이어스 회로는 증폭기 트랜지스터 내의 정지 전류를 제어하는 제 1 바이어스 부회로와 증폭 트랜지스터의 바이어스 임피던스를 독립적으로 제어하는 제 2 바이어스 부회로를 포함한다. 이러한 구성을 사용하여, 증폭 트랜지스터의 동작의 이득 및 클래스를 설정하고, 증폭 트랜지스터의 바이어스 임피던스를 독립적으로 제어하여 개선된 선형도 및 튜닝 능력뿐만 아니라 향상된 효율을 알 수 있다.
Description
전형적으로 그러한 고주파수 증폭기의 출력단은 공통 이미터 구성(a common emitter configuration)으로 접속되며, 베이스에서 전압원(a voltage source) 또는 전류원(a current source) 중 하나로 바이어스되는 바이폴라 트랜지스터이다.
IC 기술에 있어서, 출력단을 바이어싱하는 직접적인 방법은 베이스에서 정전류원(constant-current source)을 인가하는 것이다. 이러한 전류원은 출력단의 정지 전류를 직접적으로 제어할 수 있다. 그러나, 베이스에 결합된 전류원을 갖는 출력단의 컬렉터 이미터간 항복 전압(collector-to-emitter breakdown voltage)은 베이스에 결합된 전압원을 갖는 대응 항복 전압보다 더 낮다. 따라서, 대안의 방법은 전압원을 출력 트랜지스터의 베이스에 결합하는 것이다. 이러한 방법의 단점은 베이스 전류와 전압 사이의 지수 함수 관계(exponential relationship) 때문에 베이스 전압을 변화시킴으로써 정지 전류를 제어하는 것이 어렵게 된다는 것이다.
출력단의 정지 전류를 제어하기 위한 또 다른 종래 기술은 미국 특허 제 5,828,269 호(본 출원과 동일한 한 명의 공동 발명자를 가짐)에 나타난다. 그러나 그러한 참조 문헌에서 출력 트랜지스터의 바이어스 단은 RF 신호 경로 내의 이미터 폴로워(emitter follower)인데, 이는 다른 정전류원에 의해 제어된다. 따라서, 바이어스 단의 출력 임피던스는 이미터 폴로워단(follower stage) 및 출력단 모두에 영향을 주어, 최적의 결과를 내지 못한다.
따라서, 고주파수 증폭기 회로의 동작 파라미터를 증진시키기 위해 RF 신호 경로 내에 존재하지 않는 바이어스 단의 출력 임피던스(즉, 출력단의 바이어스 임피던스) 및 출력단의 정지 전류의 독립적이고 직접적인 제어를 제공하는 고주파수 증폭기 회로를 갖는 것이 바람직하다.
발명의 개요
본 발명의 목적은 바이어스 회로가 출력단의 정지 전류와 RF 신호 경로 내에 존재하지 않는 바이어스 단(bias stage)의 출력 임피던스 모두의 독립적이고 직접적인 제어를 제공하는 고주파수 증폭기 회로를 제공하는 것이다. 그러한 구성은 동작의 이득 및 클래스의 우수한 제어를 허용하고, 회로가 최적의 효율성 및 선형도로 조정될 수 있도록 허용한다.
본 발명에 따르면, 이러한 목적은 증폭 트랜지스터와 증폭 트랜지스터에 결합된 바이어스 회로를 포함하는 새로운 고주파수 증폭기 회로에 의해 달성되고, 바이어스 회로는 증폭 트랜지스터 내의 정지 전류를 제어하는 제 1 바이어스 부회로와 증폭 트랜지스터의 바이어스 임피던스를 독립적으로 제어하는 제 2 바이어스 부회로를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 제 1 및 제 2 바이어스 부회로의 각각은 독립적으로 조정가능한 전류원 및 전류 미러를 포함한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시예는 전술한 유형의 고주파수 증폭기 회로의 증폭 트랜지스터에 결합된 바이어스 회로에 관한 것이다.
본 발명에 따른 증폭기 및 바이어스 회로 구성은 출력단의 정지 전류와 바이어스 단의 출력 임피던스를 독립적이고 직접적으로 제어함으로써 우수한 효율성 및 선형도를 제공하면서, 증폭기 이득 및 동작의 클래스의 정확한 제어가 가능하다는 점에서 상당한 개선을 제공한다.
본 발명의 이러한 측면 및 다른 측면들은 이하 기술될 실시에로부터 명백해지고 그 실시예를 참조하여 설명될 것이다.
본 발명은 후속하는 기술을 참조하여 첨부된 도면을 함께 읽으면 보다 완전하게 이해될 수 있는데, 단일 도면은 본 발명에 따른 고주파수 증폭기 회로의 개략도를 도시한다.
본 발명은 트랜지스터 증폭기 회로의 분야에 관한 것이고, 더 구체적으로는 고주파수 증폭기 회로(a high frequency amplifier circuits)뿐만 아니라 그러한 증폭기 회로용 바이어스 회로(bias circuits)에 관한 것이다.
고주파수 증폭기 회로(1)의 개략도가 단일 도면에 도시되어 있다. 증폭기회로는 증폭 트랜지스터(11)와 인덕터(10a) 또는 인덕터 대신 저항(10b)(점선으로 표시) 중 하나에 의해 증폭 트랜지스터(11)의 베이스에 결합된 바이어스 회로(bias circuit)(2)를 포함한다. 바이어스 회로(2)는 6개의 바이폴라 트랜지스터(12 내지 17) 및 Vcc 및 GND 사이에 결합된 두 개의 전류원(18 및 19)을 포함하는데, 이하 더욱 상세히 설명될 것이다. 기본 회로 구성(basic circuit configuration)은 트랜지스터(11)가 공통 이미터 구성으로 접속되고 인덕터(21)에 의해 Vcc와 GND 사이에 결합되어 있으면서, 입력 신호 Vin을 증폭 트랜지스터(11)의 베이스에 결합시키는 입력 결합 캐패시터(input coupling capacitor)(20)에 의해 완성된다. 고주파수 증폭기 회로(1)의 출력은 트랜지스터(11)의 컬렉터로부터 취해지고 도면에 Vout으로 나타나 있다.
본 발명에 따라, 증폭 트랜지스터(11)는(인덕터(10a) 또는 저항(10b) 중 하나 통함) 바이어스 회로(2)의 단일 접속을 통해 그 베이스에서 바이어스되고, 바이어스 회로는 두 개의 부회로를 포함하여, 이하 보다 상세히 기술될 방식으로, 증폭 트랜지스터 내의 정지 전류와 바이어스 단의 출력 임피던스(출력단의 바이어스 임피던스)가 두 개의 전류원(18, 19)에 의해 독립적이고 직접적으로 제어될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 바이어스 부회로 각각은 전류원 및 회로 미러를 포함한다. 따라서, 전류원(18)은 트랜지스터(15, 16)를 포함하는 전류 미러를 통해 바이어스 전류를 제공하고, 전류원(19)은 트랜지스터(12, 14, 17)를 포함하는 전류 미러(a current mirror)를 통해 바이어스 전류 성분을 제공한다.
동작에 있어서, 고주파수 증폭기 회로(1)의 증폭 트랜지스터(11)는 전형적으로 클래스 AB에서 동작을 위해 바이어스된다. 그러나, RF 입력 전력이 매우 낮을 경우에는 클래스 A에서 증폭 트랜지스터를 동작하는 것이 바람직하다. 따라서, 증폭기의 이득 및 클래스를 제어하는 것이 필요하고, 또한 증폭기의 효율성과 선형도를 독립적으로 제어하는 것이 바람직하다.
이들 파라미터의 독립적 제어는 본 발명에 따라 바이어스 회로(2) 내의 두 개의 독립 전류원, 즉 출력단의 정지 전류 및 그에 따른 동작 클래스를 제어하는 전류원(18)과 출력 드라이브 전류 및 그에 따른 바이어스 단의 출력 임피던스(출력단의 바이어스 임피던스)를 제어하는 전류원(19)을 제공함으로써 달성된다. 이들 전류원 각각을 원하는 값으로 설정함으로써, 동작의 클래스와 바이어스 임피던스의 직접이고 독립적인 제어가 효율적으로 달성될 수 있다.
도시된 회로 내에서, 출력단의 정지 전류는 전류원(18)에 의해 제공되는 전류에 비례하며, 그에 따라 동작의 클래스를 설정하고, 바이어스 단의 출력 임피던스는 전류원(19)에 의해 독립적으로 제어된다. 이런 방식으로, 개시된 회로는 바이어스 임피던스 레벨에 영향을 미치지 않고 출력단 이득이 튜닝되도록 한다.
개략적인 방식으로, 회로 내의 모든 트랜지스터가 동일하고 완전히 정합된다고 가정하면, 키르히호프 법칙(Kirchoff's Law)은 트랜지스터(11, 13)의 베이스 이미터간 전압의 합이 트랜지스터(12, 14)의 베이스 이미터간 전압의 합과 동일해야 한다는 것을 나타낸다. 트랜지스터(13)의 베이스 이미터간 전압은 실질적으로 트랜지스터(12)의 전압과 동일하기 때문에, 트랜지스터(11)의 베이스 이미터간의 전압은 트랜지스터(14)의 베이스 이미터간의 전압과 실질적으로 동일하다.전류원(18)으로부터의 전류가 트랜지스터(16)를 통해 흐르므로 트랜지스터(14, 15)를 통해서도 흘러야 하는데, 이는 트랜지스터(15, 16)가 전류 미러를 형성하기 때문이다. 따라서, 전류원(18)의 전류는 출력 트랜지스터(11) 내의 정지 전류와 그에 따라 그 동작 클래스 및 이득을 나타낸다.
모든 트랜지스터는 동일하고 완전하게 정합된다고 다시 가정해보면, 전류원(19)의 전류가 바이어스 회로의 출력 임피던스를 제어할 것이라는 것을 유사하게 알 수 있다. 트랜지스터(12, 14, 17)는 전류 미러를 형성하기 때문에, 트랜지스터(17) 내에 흐르는 전류원(19)으로부터의 전류는 트랜지스터(12)내에도 흘러야 하고 따라서 트랜지스터(13) 내에도 흘러야 한다. 트랜지스터(12, 13, 14, 17)는 낮은 임피던스 경로를 형성하고, 전류원(19)에 의해 제공된 전류에 의해 나타난바와 같이, 바이어스 회로의 출력 임피던스는 실질적으로 트랜지스터(12, 17)에 의해 결정된다.
당업자에게 공지된 기술인 트랜지스터 쌍(tansistor pairs) 사이의 이미터 비(emitter ratios)를 적절히 스케일링함으로써, 트랜지스터(11) 내의 정지 전류는 전류원(18)의 전류의 값에 직접적으로 비례하게 될 수 있고, 바이어스 회로의 출력 임피던스는 전류원(19)의 전류에 의해 독립적으로 제어될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따라 증폭 트랜지스터(11) 내의 정지 전류가 제어될 수 있고 바이어스 임피던스 레벨이 효율성 및 선형도를 향상시키기 위해 독립적으로 설정될 수 있다.
도면에 도시된 회로에서, 바이어스 회로를 RF 경로와 격리시키면서 증폭 트랜지스터(11)에 바이어스 회로를 결합시키는 인덕터(10a)가 제공된다. 그러나, 인덕터는 실리콘 기술 분야뿐만 아니라 비교적 넓은 분야에서 상대적으로 낮은 양호도(Q) 계수를 갖기 때문에, 본 발명의 목적을 위해 인덕터를 사용하는 것은 덜 경제적이고 덜 효율적일 수 있다. 따라서, 10b로 나타나 있는 저항은 도면에서 점선으로 도시되어 있다. 이 그림은 경제성 및/또는 효율성을 목적으로 바이어스 회로와 증폭 트랜지스터 사이의 결합 소자로서 저항(10b)이 인덕터(10a) 대신에 사용될 수 있음을 의미한다고 이해할 수 있다. 부가적으로, 저항(10b)을 사용하여 클래스 A로부터 클래스 AB 동작으로 증폭 트랜지스터의 전이를 제어하는 것을 도울 수 있고, 이러한 저항 양단의 전압 강하가 실질적으로 하나의 베이스 이미터간 전압보다 작은 한, 전술한 분석은 여전히 유효할 것이다.
이러한 방식으로, 본 발명은 증폭 트랜지스터 내의 정지 전류와 RF 신호 경로 내에 존재하지 않는 바이어스 단의 출력 임피던스를 독립적이고 직접적으로 제어할 수 있는 고주파수 증폭기 회로를 제공한다. 이는 증폭기의 이득과 클래스를 효율적으로 제어함과 동시에 개선된 효율 및 선형도를 달성한다.
본 발명은 몇 개의 바람직한 실시예를 참조하여 구체적으로 도시되고 기술되었지만, 당업자는 본 발명의 사상과 범주를 벗어남이 없이 형태 및 세부의 다양한 변화가 가능하다다. 따라서, 예컨대, 상이한 유형의 트랜지스터가 사용될 수 있고, 특정 설계 요구에 적합하도록 회로 구성의 변화가 가능하다.
Claims (6)
- 고주파수 증폭기 회로(1)에 있어서,상기 고주파수 증폭기 회로(1)는 증폭 트랜지스터(11)와 상기 증폭 트랜지스터(11)에 결합된 바이어스 회로(2)를 포함하되,상기 바이어스 회로(2)는 상기 증폭 트랜지스터(11) 내의 정지 전류를 제어하는 제 1 바이어스 부회로(18, 15, 16)와 상기 증폭 트랜지스터(11)의 바이어스 임피던스를 독립적으로 제어하는 제 2 바이어스 부회로(19, 12, 14, 17)를 포함하는 고주파수 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 바이어스 부회로는 각각 독립적으로 조정가능한 전류원(18, 19) 및 전류 미러(a current mirror)(15, 16, 12, 14, 17)를 포함하는고주파수 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 바이어스 회로(2)는 인덕터(10a)에 의해 상기 증폭 트랜지스터(11)에 결합되는 고주파수 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 바이어스 회로(2)는 저항(10b)에 의해 상기 증폭 트랜지스터(11)에 결합되는 고주파수 증폭기 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 증폭 트랜지스터(11) 및 상기 바이어스 회로(2)는 바이폴라 트랜지스터를 포함하되,상기 증폭 트랜지스터는 공통 이미터 구성으로 접속되며,상기 바이어스 회로(2)는 상기 증폭 트랜지스터(11)의 베이스에 결합되는고주파수 증폭기 회로.
- 고주파수 증폭 회로(1)의 증폭 트랜지스터(11)에 결합된 바이어스 회로(2)에 있어서,상기 바이어스 회로는 상기 증폭 트랜지스터(11) 내의 정지 전류를 제어하는 제 1 바이어스 부회로(18, 15, 16)와 상기 증폭 트랜지스터(11)의 바이어스 임피던스를 독립적으로 제어하는 제 2 바이어스 부회로(19, 12, 14, 17)를 포함하는바이어스 회로.
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