KR20020057811A - 가열처리장치 - Google Patents
가열처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020057811A KR20020057811A KR1020020000145A KR20020000145A KR20020057811A KR 20020057811 A KR20020057811 A KR 20020057811A KR 1020020000145 A KR1020020000145 A KR 1020020000145A KR 20020000145 A KR20020000145 A KR 20020000145A KR 20020057811 A KR20020057811 A KR 20020057811A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- temperature
- heat
- heating
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
- F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
- F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
- F28D15/06—Control arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D19/00—Arrangements of controlling devices
- F27D2019/0028—Regulation
- F27D2019/0034—Regulation through control of a heating quantity such as fuel, oxidant or intensity of current
- F27D2019/0037—Quantity of electric current
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (33)
- 기판을 소정 온도로 가열처리하는 가열처리장치이고,그 표면에 기판을 근접 또는 재치하여 가열처리하는 가열플레이트와,상기 가열플레이트의 기판재치면에 대향(對向)하도록 설치되어, 상기 가열플레이트에 면하는 부분이 적어도 제 1 영역과 제 2 영역을 갖추는 천정판과,상기 천정판의 제 1 영역 및 제 2 영역중의 적어도 한쪽의 온도를 제어하는 온도제어기구를 구비하고,상기 온도제어기구는, 상기 가열플레이트의 가열에 의해 기판에 발생하는 온도분포에 대응하여, 상기 천정판의 제 1 영역 및 제 2 영역중의 적어도 한쪽의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 1 에 있어서,상기 천정판은 상기 제 1 영역 및 제 2 영역을 각각 포함하는 제 1 히트파이프 및 제 2 히트파이프를 갖추고,상기 천정판의 제 1 의 히트파이프 및 제 2 히트파이프의 적어도 한쪽의 온도를 제어하여 상기 제 1 영역 및 제 2 영역중의 적어도 한쪽의 온도를 제어하는 온도제어기구를 구비하고,상기 온도제어기구는 상기 가열플레이트의 가열처리에 의해 기판에 발생하는 온도분포에 대응하여, 상기 천정판의 제 1 히트파이프 및 제 2 히트파이프의 적어도 한쪽의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 2 에 있어서,상기 온도제어기구는,상기 천정판의 제 1 히트파이프 및 제 2 히트파이프 중에서 기판의 온도가 높은 부분에 대응하는 쪽의 히트파이프로부터 열을 방출시키기 위한 방열기구와,그 히트파이프에 열을 주입하기 위한 가열기구와, 상기 가열기구 및/또는 상기 방열기구를 제어하는 콘트롤러를 갖추는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 1 에 있어서,상기 제 1 영역을 제 2 영역보다도 기판의 온도가 높은 부분에 대응시키고, 상기 온도제어기구는 상기 제 1 영역의 온도를 제 2 영역의 온도보다 낮게되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 4 에 있어서,상기 온도제어기구는, 상기 제 1 영역의 온도만을 제어하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 4 에 있어서,상기 제 1 영역의 열흡수율을 제 2 영역의 열흡수율보다 크게 하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 6 에 있어서,상기 제 1 영역은 흑체(黑體)이고, 상기 제 2 영역은 미러(mirror)인 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 1 에 있어서,상기 가열플레이트와 상기 천정판 사이의 공간에 기류를 형성시키는 기류형성수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 기판을 소정 온도로 가열처리하는 가열처리장치이고, 그 표면에 기판을 근접 또는 재치하여 가열처리하는 가열플레이트와,상기 가열플레이트의 기판배치면에 대향하도록 설치되어, 상기 가열플레이트에 면하는 부분이 동심형(同心狀)으로 적어도 중앙에 배치된 제 1 영역과 그 외측에 배치된 제 2 영역을 갖추는 천정판과,상기 가열플레이트와 상기 천정판 사이의 공간을 포위하는 포위부재와,상기 가열플레이트의 외주로부터 상기 공간으로 기체를 유도하고, 그 공간 내에 상기 천정판 중앙으로 향하는 기류를 형성하는 기류형성수단과,상기 천정판 제 1 영역의 온도를 제어하는 온도제어기구를 구비하고,상기 온도제어기구는, 상기 기판의 중앙부의 열방사(熱放射)가 크게 되도록상기 천정판 제 1 영역의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 9 에 있어서,상기 천정판은, 상기 제 1 영역을 포함하는 제 1 히트파이프와, 상기 제 2 영역을 포함하는 제 2 히트파이프를 갖추는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 10 에 있어서,상기 온도제어기구는, 상기 제 1 히트파이프로부터 열을 방출시키기 위한 방열기구와, 상기 제 1 히트파이프에 열을 주입하기 위한 가열기구와, 상기 가열기구 및/또는 방열기구를 제어하는 콘트롤러를 갖추는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 9 에 있어서,상기 제 1 영역의 열흡수율을 제 2 영역의 열흡수율보다 크게 하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 12 에 있어서,상기 제 1 영역은 흑체이고, 상기 제 2 영역은 미러인 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 9 에 있어서,상기 천정판의 중앙에 배기구가 설치되고, 상기 제 1 영역은 이 배기구를 감싸도록 설치되고, 상기 기류형성수단은 상기 가열플레이트의 외주로부터 도입된 기체를 상기 배기구를 매개로 하여 배출하는 배기기구를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 14 에 있어서,상기 기류형성수단은 상기 가열플레이트의 외주로부터 상기 공간으로 기체를 공급하는 기체공급기구를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 2 에 있어서,상기 제 1 히트파이프와 제 2 히트파이프는 인접되어 설치되고, 이들 사이는 단열(斷熱)되어 있는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 9 에 있어서,상기 제 1 히트파이프와 제 2 히트파이프는 인접되어 설치되고, 이들 사이는 단열되어 있는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 기판을 소정 온도로 가열처리하는 가열처리장치이고,그 표면에 기판을 근접 또는 재치하여 가열처리하는 가열플레이트와,상기 가열플레이트의 기판배치면에 대향하도록 설치되어, 상기 가열플레이트에 면하는 부분이 적어도 제 1 영역과 제 2 영역을 갖추는 천정판과,상기 천정판의 제 1 영역의 온도를 제어하는 온도제어기구와,상기 천정판의 제 2 영역을 가열하는 가열기구를 구비하고,상기 제 1 영역은 기판의 상대적으로 온도가 높은 영역에 대응하고, 상기 제 2 영역은 기판의 상대적으로 온도가 낮은 영역에 대응하고,상기 온도제어기구는, 상기 제 1 영역의 온도를 상기 제 2 영역의 온도보다 소정 온도만큼 낮도록 제어하고,상기 가열기구는, 상기 제 2 영역을 상기 가열플레이트 상에 있어서의 기판의 그곳에 대응하는 부분의 온도에 응하여 소정 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 18 에 있어서,상기 천정판은 상기 제 1 영역을 포함하는 히트파이프를 갖추는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 18 에 있어서,상기 가열플레이트와 상기 천정판 사이의 공간에 기류를 형성하는 기류형성수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 기판을 소정 온도로 가열처리하는 가열처리장치이고,그 표면에 기판을 근접 또는 재치하여 가열처리하는 가열플레이트와,상기 가열플레이트의 기판배치면에 대향하도록 설치되어, 상기 가열플레이트에 면하는 부분이 동심형(同心狀)으로 적어도 중앙에 배치된 제 1 영역과 그 외측에 배치된 제 2 영역을 갖추는 천정판과,상기 가열플레이트와 상기 천정판 사이의 공간을 포위하는 포위부재와,상기 가열플레이트의 외주로부터 상기 공간으로 기체를 유도하고, 그 공간 내에 상기 천정판 중앙으로 향하는 기류를 형성하는 기류형성수단과,상기 천정판 제 1 영역의 온도를 제어하는 온도제어기구와,상기 천정판 제 2 영역을 가열하는 가열기구를 구비하고,상기 온도제어기구는, 상기 제 1 영역의 온도를 제 2 영역의 온도보다 소정 온도만큼 낮아지도록 제어하고,상기 가열기구는, 상기 제 2 영역을 상기 가열플레이트 상의 기판에 대응하는 부분의 온도에 응하여 가열하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 21 에 있어서,상기 천정판은 상기 제 1 영역을 포함하는 히트파이프를 갖추고,상기 온도제어기구는 상기 히트파이프의 온도를 제어하여 상기 천정판 제 1 영역의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 22 에 있어서,상기 천정판의 중앙에 배기구가 설치되고, 상기 제 1 영역은 이 배기구를 감싸도록 설치되고, 상기 기류형성수단은 상기 가열플레이트의 외주로부터 도입된 기체를 상기 배기구를 매개로 하여 배출하는 배기기구를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 23 에 있어서,상기 기류형성수단은 상기 가열플레이트의 외주로부터 상기 공간으로 기체를 공급하는 기체공급기구를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 19 에 있어서,상기 온도제어기구는, 상기 히트파이프로부터 열을 방출시키기 위한 방열기구와, 상기 히트파이프에 열을 주입하기 위한 주열기구(注熱機構)와, 상기 주열기구 및/또는 상기 방열기구를 제어하는 콘트롤러를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 22 에 있어서,상기 온도제어기구는, 상기 히트파이프로부터 열을 방출시키기 위한 방열기구와, 상기 히트파이프에 열을 주입하기 위한 주열기구와, 상기 주열기구 및/또는 상기 방열기구를 제어하는 콘트롤러를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 18 에 있어서,상기 가열기구는, 상기 제 2 영역을, 그것에 대응하는 기판의 영역과 실질적으로 동일한 온도로 되도록 가열하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 18 에 있어서,상기 제 1 영역의 열흡수율을 제 2 영역의 열흡수율보다 크게 하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 21 에 있어서,상기 제 1 영역의 열흡수율을 제 2 영역의 열흡수율보다 크게 하는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 28 에 있어서,상기 제 1 영역은 흑체이고, 상기 제 2 영역은 미러인 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 29 에 있어서,상기 제 1 영역은 흑체이고, 상기 제 2 영역은 미러인 것을 특징으로 하는가열처리장치.
- 청구항 18 에 있어서,상기 천정판은, 상기 제 2 영역을 포함하는 타 히트파이프를 추가로 갖추는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
- 청구항 21 에 있어서,상기 천정판은, 상기 제 2 영역을 포함하는 타 히트파이프를 추가로 갖추는 것을 특징으로 하는 가열처리장치.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001000244A JP3649127B2 (ja) | 2001-01-04 | 2001-01-04 | 加熱処理装置 |
JPJP-P-2001-00000243 | 2001-01-04 | ||
JPJP-P-2001-00000244 | 2001-01-04 | ||
JP2001000243A JP4079596B2 (ja) | 2001-01-04 | 2001-01-04 | 加熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020057811A true KR20020057811A (ko) | 2002-07-12 |
KR100886023B1 KR100886023B1 (ko) | 2009-03-03 |
Family
ID=26607335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020000145A KR100886023B1 (ko) | 2001-01-04 | 2002-01-03 | 가열처리장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6744020B2 (ko) |
KR (1) | KR100886023B1 (ko) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100841830B1 (ko) * | 2006-04-25 | 2008-06-26 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 균열 장치 |
KR101018578B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2011-03-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법 |
KR101324210B1 (ko) * | 2012-10-10 | 2013-11-06 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
KR101370807B1 (ko) * | 2007-08-29 | 2014-03-07 | 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 | 반도체 워크피스 열처리 방법 및 장치 |
US20160320124A1 (en) * | 2015-04-29 | 2016-11-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrate support structure, vacuum drying apparatus and method for vacuum drying a substrate |
KR20200009320A (ko) * | 2018-07-18 | 2020-01-30 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102236933B1 (ko) * | 2019-10-21 | 2021-04-05 | 정승수 | 반도체 및 디스플레이 패널 제조용 히터 블록 |
US11037807B2 (en) | 2018-07-10 | 2021-06-15 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3696156B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2005-09-14 | 株式会社東芝 | 塗布膜の加熱装置、レジスト膜の処理方法 |
JP4768147B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-09-07 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置の製造装置 |
JP4153781B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2008-09-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および基板処理装置 |
JP4065528B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2008-03-26 | キヤノン株式会社 | 恒温真空容器及びそれを用いた露光装置 |
JP4121122B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2008-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置および熱処理装置内温度制御方法 |
JP4397655B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2010-01-13 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、電子部品製造装置及び電子部品製造方法 |
DE102004021392A1 (de) * | 2004-04-30 | 2005-12-01 | Infineon Technologies Ag | Hotplate-Apparatur zur Prozessierung von Halbleiterwafern |
US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US7396412B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
JP4788610B2 (ja) * | 2007-01-17 | 2011-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体 |
US9931695B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-04-03 | General Electric Company | Article and method for making an article |
US9931814B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-04-03 | General Electric Company | Article and method for making an article |
US9757936B2 (en) | 2014-12-29 | 2017-09-12 | General Electric Company | Hot gas path component |
CN106113899B (zh) * | 2016-06-23 | 2018-12-04 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布工艺用的双面烘干*** |
CN106113898B (zh) * | 2016-06-23 | 2018-12-28 | 成都新图新材料股份有限公司 | 一种铝板基涂布后的烘干机构 |
US11035619B2 (en) * | 2016-12-09 | 2021-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Drainage for temperature and humidity controlling system |
GB2576725A (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-04 | Jetchill Ltd | A device or system for creating a vapour filled bubble |
US11215929B2 (en) * | 2018-10-30 | 2022-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US20220064785A1 (en) * | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for gas phase particle reduction |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5244501A (en) * | 1986-07-26 | 1993-09-14 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Apparatus for chemical vapor deposition |
US5194401A (en) * | 1989-04-18 | 1993-03-16 | Applied Materials, Inc. | Thermally processing semiconductor wafers at non-ambient pressures |
US5431700A (en) * | 1994-03-30 | 1995-07-11 | Fsi International, Inc. | Vertical multi-process bake/chill apparatus |
US5620560A (en) * | 1994-10-05 | 1997-04-15 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for heat-treating substrate |
JP3983831B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2007-09-26 | シグマメルテック株式会社 | 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法 |
JP3525022B2 (ja) | 1996-12-20 | 2004-05-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板加熱装置 |
JPH113893A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Orion Mach Co Ltd | 半導体基板の温度調節装置 |
US6246030B1 (en) | 1998-07-22 | 2001-06-12 | Tokyo Electron Limited | Heat processing method and apparatus |
JP2000183069A (ja) | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2000321755A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-24 | Hitachi Ltd | ガラスレティクルの加熱方法 |
-
2001
- 2001-12-28 US US10/028,789 patent/US6744020B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-03 KR KR1020020000145A patent/KR100886023B1/ko active IP Right Grant
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101018578B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2011-03-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 가열 장치, 도포, 현상 장치 및 가열 방법 |
KR100841830B1 (ko) * | 2006-04-25 | 2008-06-26 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 균열 장치 |
KR101370807B1 (ko) * | 2007-08-29 | 2014-03-07 | 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 | 반도체 워크피스 열처리 방법 및 장치 |
KR101324210B1 (ko) * | 2012-10-10 | 2013-11-06 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치 |
US20160320124A1 (en) * | 2015-04-29 | 2016-11-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrate support structure, vacuum drying apparatus and method for vacuum drying a substrate |
US9719723B2 (en) * | 2015-04-29 | 2017-08-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrate support structure, vacuum drying apparatus and method for vacuum drying a substrate |
US11037807B2 (en) | 2018-07-10 | 2021-06-15 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
KR20200009320A (ko) * | 2018-07-18 | 2020-01-30 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102236933B1 (ko) * | 2019-10-21 | 2021-04-05 | 정승수 | 반도체 및 디스플레이 패널 제조용 히터 블록 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6744020B2 (en) | 2004-06-01 |
US20020086259A1 (en) | 2002-07-04 |
KR100886023B1 (ko) | 2009-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100886023B1 (ko) | 가열처리장치 | |
US8237092B2 (en) | Apparatus and method for heating substrate and coating and developing system | |
US7780438B2 (en) | Substrate heating apparatus and method and coating and developing system | |
US6222161B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
US7371998B2 (en) | Thermal wafer processor | |
US6345150B1 (en) | Single wafer annealing oven | |
KR101170005B1 (ko) | 온도 조절 기구 및 온도 조절 기구를 이용한 반도체 제조 장치 | |
KR100646516B1 (ko) | 가열처리 장치 및 가열처리 방법 | |
JP3845647B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3649127B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3898895B2 (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
JP2006135135A (ja) | 熱処理装置、及び熱処理方法 | |
JP3589929B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4302646B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4079596B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4869952B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP4014348B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3966664B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4021140B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4800226B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP3266843B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH10214772A (ja) | 基板熱処理装置 | |
JP2001176777A (ja) | 加熱処理装置 | |
JPH10106947A (ja) | 基板の処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130201 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140204 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150119 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180202 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190130 Year of fee payment: 11 |