KR200158939Y1 - Integrated gate for fed - Google Patents
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Abstract
본 발명은 FED장치의 에미터 포커싱 전극 구조에 의해 집속효과를 높이는 FED장치용 집속 게이트에 관한 것으로써, 기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성된 FED장치에 있어서, 상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 보조 게이트 전극(15)이 형성되어 Y자형상의 게이트 전극에 집속되기 때문에 디스플레이상의 화면밝기를 증가시켜 화상의 선명도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a focusing gate for a FED device that enhances the focusing effect by the emitter focusing electrode structure of the FED device, wherein the gate insulating film 13 and the gate electrode 14 are coated on the substrate 10 to be etched. In the FED device in which the tip 16 is formed in the space formed by the display, since the auxiliary gate electrode 15 is formed inside the tip 16 in the gate electrode 14 and is focused on the Y-shaped gate electrode, the display is performed. The brightness of the image may be increased to increase the sharpness of the image.
Description
본 발명은 FED(FIELD-EMISSION DISPLAY)에 관한 것으로서, 특히 FED의 에미터의 포커싱 전극 구조에 의해 집속효과를 높이는 FED장치용 집속 게이트에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to FED (FIELD-EMISSION DISPLAY), and more particularly to a focusing gate for an FED device that enhances the focusing effect by the focusing electrode structure of the emitter of the FED.
일반적으로 FED장치는 에미터 팁으로 부터 전자를 방출시켜 투명도전막이 형성된 애노우드의 형광물질에 충돌시킴으로써, 형광물질이 자극을 받아 형광체의 최외각 전자들이 여기되고 천이되는 과정에서 자극을 발생된 빛을 이용하여 원하는 화상을 표시하는 전계방출장치로서, 최소한의 전력으로 고해상도 및 고휘도의 칼라패턴을 표현할 수 있는 이점이 있어, 음극선관이나 액정 디스플레이(LCD) 등의 다른 표시장치를 대체할 수 있는 것으로서 현재 많은 연구가 진행되어 오고 있다.In general, the FED device emits electrons from the emitter tip and collides with the fluorescent material of the anode, in which the transparent conductive film is formed. A field emission device that displays a desired image by using a device, and has the advantage of expressing a high-resolution and high-brightness color pattern with minimal power, and can replace other display devices such as a cathode ray tube or a liquid crystal display (LCD). Many studies have been conducted.
일반적으로, 평판 디스플레이로서의 FED장치는 실리콘 기판과, 실리콘 기판상에 형성되어 전자를 방출하는 원추형팁 에미터가 형성된 캐소우드와, 팁 에미터에서 방출되는 전자에 의한 전류를 제어하는 게이트와, 형광 물질이 도포되어 있는 애노우드와, 팁 에미터와 애노우드 사이를 일정한 간격으로 유지하는 스페이서로 이루어진다.In general, a FED device as a flat panel display includes a silicon substrate, a cathode having a conical tip emitter formed on the silicon substrate to emit electrons, a gate controlling a current by electrons emitted from the tip emitter, and a fluorescent light. An anode to which the material is applied and a spacer that maintains a constant distance between the tip emitter and the anode.
이러한 FED장치에서 중요한 문제점중의 하나는 에미터에서 방출되는 전자 전류의 밀도를 증가시켜 디스플레이상의 화면밝기를 크게하는 것이다.One of the major problems with such FED devices is to increase the density of the electron current emitted from the emitter to increase the screen brightness on the display.
상기와 같이 형성된 종래의 FED의 단면을 도 1 에 도시하였다.The cross section of the conventional FED formed as above is shown in FIG.
도 1 에 도시된 종래의 FED장치에 있어서는, 후면기판인 글래스(1)에 캐소우드 투명전극(INDIUM-TIN OXIDE)(2)이 증착되어 있고, 에미터 팁(9)이 게이트 절연막(3)과 같이 글래스(1)상에 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(3)상에 케이트 전극(4)이 증착되어 있었다.In the conventional FED apparatus shown in FIG. 1, a cathode transparent electrode (INDIUM-TIN OXIDE) 2 is deposited on the glass 1, which is a rear substrate, and the emitter tip 9 is a gate insulating film 3. It was formed on the glass 1 as described above, and the gate electrode 3 was deposited on the gate insulating film 3.
상기와 같은 종래의 FED장치는 에미터 팁(9)에서 방출되는 전자빔은 케이트전극(4)이 하나이므로 분산되거나 직진성이 떨어져 전자의 전류밀도가 감소하게 되어 디스플레이상의 화면밝기가 감소되어 화상의 선명도가 흐려지게되어 사용자의 눈을 쉽게 피로하게하는 단점이 있었다.In the conventional FED apparatus as described above, since the electron beam emitted from the emitter tip 9 has one Kate electrode 4, the electron beam 4 is dispersed or straight, and thus the current density of the electrons is reduced, so that the brightness of the screen on the display is reduced, so that the image brightness There was a disadvantage that it became blurred and tired the user's eyes easily.
또한, 에미터 팁(9)을 통하여 구조상 게이트전극(4)을 거쳐 전자빔이 집속되지 못하여 분산되어 방출되기 때문에 소비전력이 증가되는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem that the power consumption is increased because the electron beam is not focused and distributed through the gate electrode 4 through the emitter tip 9.
상술한 문제점을 감안하여 창안된 것으로, 본 고안의 목적은 게이트 전극을 두 개를 설치하여 방출(EMISSION)특성을 향상시켜 분산되는 것을 집속시킬 수 있는 FED장치용 집속 게이트를 제공함에 있다.The present invention was made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a focusing gate for an FED device capable of focusing the dispersion by installing two gate electrodes to improve emission characteristics.
도 1 은 종래의 FED장치의 단면을 나타내는 도면.1 is a cross-sectional view of a conventional FED apparatus.
도 2 는 본 고안의 FED장치용 집속 게이트를 나타내는 도면.2 is a view showing a focusing gate for an FED device of the present invention.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
10: 기판13: 절연막10 substrate 13 insulating film
14:게이트 전극15: 보조 게이트 전극14 gate electrode 15 auxiliary gate electrode
16: 팁16: tips
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 고안의 FED장치용 집속 게이트는 기판상에 게이트 절연막과 게이트전극이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁형성된 FED장치에 있어서, 상기 게이트 전극에 팁이 형성되어 있는 내측으로 보조팁이 형성되어 있는 것이 특징이다.In order to achieve the above object, the FED device focusing gate of the present invention is a tip formed in the FED device formed in the space formed by etching after the gate insulating film and the gate electrode is applied on the substrate, the tip is formed on the gate electrode It is characterized in that the auxiliary tip is formed to the inside.
상기와 같이 구성된 본 고안의 FED장치용 집속 게이트를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.The focusing gate for the FED device of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 는 본 고안의 FED장치용 집속 게이트를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a focusing gate for an FED device of the present invention.
기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성되어 있고, 상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 Y자형상으로 보조 게이트 전극(15)이 형성되어 있다.After the gate insulating layer 13 and the gate electrode 14 are coated on the substrate 10, a tip 16 is formed in a space formed by etching, and the tip 16 is formed on the gate electrode 14. The auxiliary gate electrode 15 is formed in a Y-shape inside.
기판(10)상에 캐소우드 전극(12)을 형성한 후 절연막(13)을 도포한후 게이트 전극(14)을 형성후 패턴하여 게이트 전극에 홀을 형성한다.After the cathode electrode 12 is formed on the substrate 10, the insulating layer 13 is coated, the gate electrode 14 is formed, and then patterned to form a hole in the gate electrode.
상기 게이트 전극(14)에 다른 금속물질을 이용하여 E-Beam을 이용하여 경사증착과 스퍼터링법을 병행하여 보조 게이트 전극(15)을 형성한다.The auxiliary gate electrode 15 is formed by using a different metal material on the gate electrode 14 by using a gradient deposition and a sputtering method using E-Beam.
반응성 이온에칭을 이용하여 보조 게이트 전극(15)의 노출부를 식각후 Al희생층을 증착한후 게이트 절연막(13)을 식각한다.After etching the exposed portion of the auxiliary gate electrode 15 using reactive ion etching, the Al sacrificial layer is deposited, and then the gate insulating layer 13 is etched.
상기 E-BEAM증착에 의해 메탈 팁(16)을 수직 방향성 증착후 Al희생층을 제거한다.The Al sacrificial layer is removed after the vertical direction deposition of the metal tip 16 by the E-BEAM deposition.
상기와 같은 방법으로 기판(10)상에 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)이 도포된후 식각에 의해 형성된 공간에 팁(16)형성되고, 상기 게이트 전극(14)에 팁(16)이 형성되어 있는 내측으로 보조 게이트 전극(15)이 형성되어 있다.After the gate insulating layer 13 and the gate electrode 14 are coated on the substrate 10 in the same manner as described above, a tip 16 is formed in a space formed by etching, and the tip 16 is formed on the gate electrode 14. The auxiliary gate electrode 15 is formed in the inside in which this is formed.
상기 게이트 전극(14)과 보조 게이트 전극(15)이 Y자형상으로 형성되어 있어 팁(16)에서 방출되는 전자를 집속시킬 수 있다.The gate electrode 14 and the auxiliary gate electrode 15 are formed in a Y-shape to focus electrons emitted from the tip 16.
따라서, 본 고안은 Y자형상의 게이트 전극에 의해 직진성의 전자의 전류밀도를 증가시켜 디스플레이상의 화면밝기를 증가시켜 화상의 선명도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, the present invention has the effect of increasing the sharpness of the image by increasing the screen brightness on the display by increasing the current density of straight electrons by the Y-shaped gate electrode.
또한, 전자빔에서 방출되어 분산되는 것을 집속시킬 수 있어 불필요하게 분산되는 것을 미연에 방지하여 전력량 감소시킬 수 있다.In addition, it is possible to focus dissipation and dissipation in the electron beam, thereby preventing unnecessary dispersing in advance, thereby reducing the amount of power.
Claims (3)
Priority Applications (1)
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| KR2019960031177U KR200158939Y1 (en) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Integrated gate for fed |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR2019960031177U KR200158939Y1 (en) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Integrated gate for fed |
Publications (2)
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Family
ID=19467946
Family Applications (1)
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| KR2019960031177U KR200158939Y1 (en) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Integrated gate for fed |
Country Status (1)
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1996
- 1996-09-24 KR KR2019960031177U patent/KR200158939Y1/en not_active IP Right Cessation
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