KR20010087036A - 엑스레이 디텍터 - Google Patents

Abstract

본 발명은 게이트 및 데이터 패드영역, 스위칭 영역, 화소영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상의 게이트 및 데이터 패드영역에 각각 형성된 게이트 및 데이터 보조패드 전극과; 상기 스위칭 영역에 형성되고, 게이트전극, 소스전극, 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와; 일 끝단에 상기 게이트 보조패드 전극을 덮는 게이트 패드를 갖고 상기 게이트 전극과 연결되어 일 방향으로 연장된 게이트 배선과; 일 끝단에 상기 데이터 보조패드 전극을 덮는 데이터 패드와 접촉하고 상기 소스 전극과 연결되어 타 방향으로 연장된 데이터 배선과; 상기 화소영역에 형성되며, 외부의 광신호를 전하의 형태로 저장하고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하는 스토리지 캐패시터를 포함하는 엑스레이 디텍터에 관해 개시하고 있다.

Description

엑스레이 디텍터{X-ray detector}

본 발명은 엑스레이 디텍터에 관한 것이다.

현재 의학용으로 널리 사용되고 있는 진단용 엑스레이(X-ray) 검사방법은 엑스레이 감지 필름을 사용하여 촬영하고, 그 결과를 알기 위해서는 소정의 필름 인화시간을 거쳐야 했다.

그러나, 근래에 들어서 반도체 기술의 발전에 힘입어 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 이용한 디지털 엑스레이 디텍터(Digital X-ray detector ; 이하 엑스레이 디텍터라 칭한다)가 연구/개발되었다. 상기 엑스레이 디텍터는 박막 트랜지스터를 스위칭 소자로 사용하여, 엑스레이의 촬영 즉시 실시간으로 결과를 진단할 수 있는 장점이 있다.

이하, 엑스레이 디텍터의 구성과 그 동작을 살펴보면 다음과 같다.

도 1은 엑스레이 디텍터(100)의 구성 및 작용을 설명하는 개략도로서, 하부에 기판(1)이 위치하고 있고, 박막 트랜지스터(3), 스토리지 캐패시터(10), 화소 전극(12), 광도전막(2), 보호막(20), 전극(24), 고압 직류전원(26) 등으로 구성된다.

상기 광도전막(2)은 입사되는 전기파나 자기파 등 외부신호의 강도에 비례하여 내부적으로 전기적인 신호 즉, 전자 및 정공쌍(6)을 형성한다. 상기 광도전막(2)은 외부의 신호, 특히 엑스레이를 전기적인 신호로 변환하는 변환기의 역할을 한다. 엑스레이 광에 의해 형성된 전자-정공쌍(6)은 광도전막(2) 상부에 위치하는 도전전극(24)에 고압 직류전원(26)에서 인가된 전압(Ev)에 의해 광도전막(2) 하부에 위치하는 화소전극(12)에 전하의 형태로 모여지고, 외부에서 접지된 공통전극과 함께 형성된 스토리지 캐패시터(10)에 저장된다. 이 때, 상기 스토리지 캐패시터(10)에 저장된 전하는 외부에서 제어하는 상기 박막 트랜지스터(3)에 의해 외부의 영상 처리소자로 보내지고 엑스레이 영상을 만들어 낸다.

그런데, 엑스레이 디텍터에서 약한 엑스레이 광이라도 이를 탐지하여 전하로 변환시키기 위해서는 광도전막(2) 내에서 전하를 트랩 하는 트랩 상태밀도 수를 줄이고, 도전전극(24)과 화소 전극(12) 사이에 수직으로 큰 전압(10V/μm 이상)을 인가하여 수직방향이외의 전압에 의해 흐르는 전류를 줄여야 한다.

엑스레이 광에 의해 생성된 광도전막(2) 내의 전하들이 화소 전극뿐만 아니라 박막 트랜지스터(3)의 채널부분을 보호하는 보호막 상부에도 트랩되어 모인다. 이렇게 트랩되어 모여진 전하는 박막 트랜지스터(3) 상부의 채널영역에 전하를 유도하여 박막 트랜지스터(3)가 오프 상태일 때도 큰 누설전류를 발생시켜 박막 트랜지스터(3)가 스위칭 동작을 할 수 없게 한다.

또한, 스토리지 캐패시터(10)에 저장된 전기적인 신호가 오프 상태에서의 큰누설전류 때문에 외부로 흐르게 되어, 얻고자 하는 영상을 제대로 표현하지 못하는 현상이 생길 수 있다.

도 2는 일반적인 엑스레이 디텍터의 한 화소부를 나타낸 평면도로서, 게이트 배선(30)이 행 방향으로 배열되어 있고, 데이터 배선(40)이 열 방향으로 배열되어 있다. 또, 게이트 배선(30)과 데이터 배선(40)이 직교하는 부분에 게이트 전극(32)과 소스 전극(42)과 드레인 전극(44)을 갖는 스위칭 소자로써 박막 트랜지스터(3)가 형성되고, 일 방향으로 인접한 인접화소와 공통적으로 접지 되어 있는 공통전극으로 접지배선(52)이 배열되어 있다.

상기 접지배선(52)에는 적어도 하나의 접지배선 콘택홀(54)이 형성되어 있으며, 상기 접지배선 콘택홀(54)을 통해 상기 캐패시터전극(46)이 상기 접지배선(52)과 접촉한다.

그리고, 전하 저장수단으로서 캐패시터 전극(46)과 화소전극(56)을 갖는 스토리지 캐패시터(P)를 구성하고, 유전물질로 실리콘 질화막(미도시)이 상기 캐패시터 및 화소전극(46, 56) 사이에 삽입 형성되어 있다.

여기서, 상기 화소 전극(56)은 상기 박막 트랜지스터(3) 상부까지 연장되어 형성되며, 도시하지는 않았지만 광도전막에서 발생한 정공(hole)이 스토리지 캐패시터(P)내에 축적될 수 있도록 전하를 모으는 집전전극의 역할을 한다.

또한, 상기 화소전극(56)은 상기 스토리지 캐패시터(P) 내에 저장된 정공이 상기 박막 트랜지스터(3)를 통해 들어오는 전자(electron)와 결합할 수 있도록 드레인 콘택홀(50)을 통해 드레인 전극(44)과 전기적으로 연결되어 있다.

또한, 상기 게이트 배선(30)의 일 끝단에는 게이트 패드(34)와 상기 데이터 배선(40)의 일 끝단에는 데이터 패드(41a)가 형성된다.

상기 데이터 패드(41a)는 상기 데이터 배선(40)과 접촉하는 데이터 패드 링크부(41b)가 형성되며, 상기 데이터 패드 링크부(41b)는 데이터 링크 콘택홀(43a)을 통해 상기 데이터 배선(40)과 데이터 패드(41a)가 연결된다.

상술한 엑스레이 디텍터의 기능을 요약하면 다음과 같다.

광도전막(미도시)으로부터 생성된 정공은 화소전극(56)으로 모이고, 상기 캐패시터 전극(46)과 함께 구성되는 스토리지 캐패시터(P)에 저장된다.

또한, 상기 스토리지 캐패시터(P)에 저장된 정공은 박막 트랜지스터(3)의 동작에 의해 드레인 전극(44)과 화소전극(56)을 통해 소스 전극(42)으로 이동하고, 외부의 회로(미도시)에서 영상으로 표현한다.

여기서, 상기 외부회로를 통해 외부로 완전히 빠져나가지 못한 전하 즉, 스토리지 캐패시터(P)에 잔류하는 잔류전하는 외부의 회로에 의해 상기 접지배선(52)을 통해 완전히 제거된다.

도 3a 내지 도 3e는 일반적인 엑스레이 디텍터의 평면을 도시한 도 2의 절단선 Ⅲ-Ⅲ으로 자른 단면의 공정을 도시한 공정도이다.

먼저, 도 3a를 참조하여 설명하면, 기판(1) 상에 제 1 금속으로 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(바람직하게는 AlNd)과 같은 저저항 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극(41) 및 데이터 패드(41a)를 형성한다.

여기서, 상기 게이트 전극(32)과 상기 데이터 패드(41a)는 독립적으로 형성된다.

기판(1)으로는 절연물질의 고융점을 가지는 고가의 석영판과 저온 공정에서 주로 사용되는 유리기판이 있다.

도 3b는 제 1 절연막 및 반도체층을 증착하는 단계로, 4000Å 두께의 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)과 같은 무기 절연막을 증착하여 게이트 절연막(60)을 형성한다.

이후, 반도체층(62a, 64a)을 형성하는 단계로, 순수 비정질 실리콘(62a)과 불순물 비정질 실리콘(64a)을 연속으로 증착한다. 불순물이 첨가된 비정질 실리콘박막(104b)의 형성은 기상 증착법과 이온 주입법이 있다.

이후, 상기 게이트 절연막(60) 상에 증착된 반도체층을 패터닝하여 액티브층(65)과 반도체 아일랜드(63)를 각각 형성한다.

여기서, 상기 반도체 아일랜드(63)는 패터닝된 순수 비정질 실리콘(62b)과 불순물 비정질 실리콘(64b)으로 구성된다.

여기서, 상기 반도체 아일랜드(63)는 추후 공정에서 생성될 접지배선의 보조전극의 역할을 하게 된다.

도 3c는 도 3b의 공정에서 형성된 상기 데이터 패드 링크부(41b) 상부 상기 게이트 절연막(60)을 패터닝하여 데이터 링크 콘택홀(43a)을 형성하고, 제 2 금속층으로 소스 및 드레인 전극(42, 44)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.

여기서, 상기 데이터 링크 콘택홀(43a)은 상기 소스 및 드레인 전극(42, 44)의 형성시 동시에 형성되는 데이터 배선(40)과 상기 데이트 패드(41a)와의 접촉을위해 형성한다.

또한, 상기 소스 및 드레인 전극(42, 44)을 형성할 때, 상기 반도체 아일랜드(63)를 덮는 접지배선(52)을 형성한다.

상기 제 2 금속층은 크롬(Cr) 또는 크롬합금(Cr alloy)과 같은 금속이 사용된다.

또한, 소스 및 드레인 전극(42, 44)을 마스크로 하여 박막 트랜지스터의 채널이 될 부분 즉, 소스전극(42) 및 드레인 전극(44) 사이에 불순물 비정질 실리콘(64a)만을 제거하여 채널(CH)을 형성한다.

도 3d는 상기 제 2 금속층(40, 42, 44, 52) 및 기판(1)의 전면에 걸쳐 제 1 보호막(66)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.

여기서, 상기 제 1 보호막(66)을 패터닝하여 상기 드레인 전극(44)의 일부와 상기 접지배선(52)의 일부가 노출되도록 각각 제 1 드레인 콘택홀(50a)과 접지배선 콘택홀(54)을 형성한다.

이후, 상기 제 1 보호막(66) 상에 투명도전성 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 제 1 드레인 콘택홀(50a)을 통해 상기 드레인 전극(44)과 접촉하는 드레인 보조전극(48)과 상기 접지배선 콘택홀(54)을 통해 상기 접지배선(52)과 접촉하는 캐패시터 전극(46)을 각각 형성한다.

도 3e는 상기 드레인 보조전극(48) 및 캐패시터 전극(46)과 기판(1)의 전면에 걸쳐 제 2 보호막(68)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.

즉, 제 2 보호막(68)을 증착하고 패터닝하여, 상기 드레인 보조전극(48)이노출되도록 제 2 드레인 콘택홀(50b)을 형성한다.

이후, 상기 제 2 보호막(68) 상에 투명도전 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 제 2 드레인 콘택홀(50b)을 통해 상기 드레인 보조전극(48)과 접촉하는 화소전극(56)을 형성한다.

최종적으로 데이터 패드(41a) 상부에 형성된 제 1, 2 보호막(66, 68)을 패터닝하여 상기 데이터 패드(41a)를 노출시키는 데이터 패드 콘택홀(43b)을 형성한다.

다음 공정은 도시하지 않았지만, 감광성 물질을 도포하는 단계로, 감광성 물질은 외부의 신호를 받아서 전기적인 신호로 변환하는 변환기로 쓰이는데, 비정질 셀레니움(selenium)의 화합물을 진공증착기(evaporator)를 이용하여 100-500㎛ 두께로 증착한다. 또한, HgI₂, PbO, CdTe, CdSe, 탈륨브로마이드, 카드뮴설파이드 등과 같은 종류의 암전도도가 작고 외부신호에 민감한, 특히 엑스레이 광전도도가 큰 엑스레이 감광성물질을 사용할 수 있다. 엑스레이 광이 감광물질에 노출되면 노출 광의 세기에 따라 감광물질 내에 전자 및 정공쌍이 발생한다.

엑스레이 감광물질 도포 후에 엑스레이 광이 투과될 수 있도록 투명한 도전 전극을 형성한다. 도전전극에 전압을 인가하면서 엑스레이 광을 받아들이면 감광물질 내에 형성된 전자 및 정공쌍은 서로 분리되고, 화소 전극(56)에는 상기 도전전극에 의해 분리된 정공이 모여 스토리지 캐패시터(P)에 저장된다.

여기서, 엑스레이 디텍터의 작용을 살펴보면, 상기 엑스레이 감광물질은 외부의 엑스레이를 검출하여 전기적인 신호로 변환하는 광전변환의 기능을 하게 되고, 스토리지 캐패시터는 상기 광전변환기에서 변환된 전기적인 신호를 저장하는 기능을 하게 된다. 그리고, 박막 트랜지스터는 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 전기적인 신호를 외부의 구동회로로 방출하는 스위칭의 기능을 하게 된다.

도 4는 도 2의 절단선 Ⅳ-Ⅳ로 자른 단면을 도시한 도면으로, 게이트 패드부에 해당하는 도면이다.

도 4에 도시된 도면에서와 같이 최종적으로 상기 게이트 배선(30)에서 연장된 게이트 패드(34)가 상기 게이트 절연막(60), 제 1, 2 보호막(66, 68)에 형성된 게이트 패드 콘택홀(35)을 통해 노출되게 된다.

한편, 엑스레이 디텍터를 구동하기 위해서는 상술한 게이트 패드와 데이터 패드에 구동회로를 연결해야 한다.

엑스레이 디텍터에 있어서, 외부 집적회로(Integrated Circuit) 칩(Chip)과 엑스레이 디텍터를 접속하는 패키지는 전기적인 접속뿐만 아니라, 전기적 신호전달, 기계적인 지지, 작동 중 생성되는 열의 방출 등의 역할을 하게 된다.

최근, 칩 자체의 신호 전달 속도를 패키지가 따라가지 못해 패키지에서 소요되는 신호지연시간이 전체 엑스레이 디텍터의 성능을 결정하게 되어 패키지의 중요성이 점점 더해가고 있다.

일반적으로 엑스레이 디텍터의 게이트 및 데이터 패드와 구동회로를 연결하는 엑스레이 디텍터의 패키지 방식은 와이어본딩(Wire Bonding) 방법이 적용되고 있으며, 이는 금(Au), 알루미늄(Al) 등의 와이어(Wire)로 칩과 리드프레임에 형성된 패드를 연결하는 방법으로서 일반적인 집적회로 칩에 사용되며 넓은 공정조건을수용하고 있어 신뢰성이 우수한 본딩방법이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 엑스레이 디텍터 패널 상에서 박막트랜지스터(3)의 게이트 및 데이터 패드(34, 41a)는 집적회로(72)와 와이어(71)로 연결되어 있고, 집적회로(72)와 프린트 회로 기판(70)도 와이어(71)에 의해 접속되어 있다.

상술한 바와 같이 종래의 엑스레이 디텍터는 구동회로를 패키지하기 위해 와이어를 사용하여 본딩하는 방법을 채택한다.

그러나, 상기 와이어본딩의 패키지방식은 그 접촉 강도가 상당히 약한 단점을 갖고 있다.

도 6은 도 5의 Z 부분을 확대한 도면으로, 도 2의 데이터 패드(41a) 또는 게이트 패드(34)를 개략적으로 도시한 도면이다.

도시된 도면에서와 같이 게이트 또는 데이터 패드(34, 41a)는 구동회로(미도시)와 패키지를 하기 위해 구동회로와 연결된 와이어(71)와 연결된다.

한편, 와이어(71)와 상기 게이트 또는 데이터 패드(34, 41a)를 연결하기 위해서는 와이어(71)를 상기 각 패드(34, 41a)에 고정하고, 소정의 힘과 열을 가하여 열 압착하는 방식을 사용한다.

이 때, 상기 각 패드(34, 41a)의 두께가 얇게되면 상기 열 압착의 힘을 감당하지 못하는 결과를 초래할 수 있다. 또한, 상기 와이어(71)가 열 압착에 의해 상기 패드(43, 41a)에 접촉이 되었다 하더라도, 열 압착된 패드부분(O)이 손상을 입게되어 접촉 강도가 현저히 떨어지는 문제점이 발생한다.

상기와 같이 와이어(71)와 패드(34, 41a)의 접촉강도를 개선하기 위해 상기 패드(34, 41a)를 두껍게 형성하는 방법이 제안되었다. 일반적으로 와이어본딩의 강도는 패드의 두께에 비례하게 된다.

여기서, 상기 각 패드(34, 41a)를 두껍게 형성한다는 것은 각 패드(34, 41a)와 각각 연결된 게이트 및 데이터 배선(30, 40)의 두께도 증가한다는 것을 의미한다.

따라서, 패드(34, 41a)를 두껍게 형성하면, 각 패드와 연결된 배선(30, 40)에 힐락(hillock ; H)이 발생할 수 있는 단점이 있다.

상기 힐락(H)은 기판과 상기 기판 상에 증착되는 금속간에 열팽창계수의 차이에 의해 발생하는 현상으로, 금속 박막의 두께가 증가할수록 증착되는 동안에 금속 박막의 온도가 증가하기 때문에 금속 박막이 두꺼울수록 힐락(H)의 발생 빈도가 증가하게 된다.

상기와 같이 배선(30, 40)에 힐락(H)이 발생하게 되면 상기 배선을 절연하는 절연막(I)이 힐락(H)이 발생한 배선의 표면에서 이상 성장하게 되며, 이는 절연파괴의 결과를 가져오게 된다. 따라서, 절연파괴가 발생하면 불량이 발생하여 제품의 생산수율이 감소하게 된다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 와이어본딩의 접촉강도가 개선된 엑스레이 디텍터를 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 엑스레이 디텍터의 동작을 나타내는 단면도.

도 2는 일반적인 엑스레이 디텍터의 한 화소부분에 해당하는 평면을 나타내는 평면도.

도 3a 내지 도 3e는 종래의 방법을 따라 도 2의 절단선 Ⅲ-Ⅲ 방향으로 자른 단면의 제작 공정을 도시한 공정도.

도 4는 도 2의 절단선 Ⅳ-Ⅳ로 자른 단면을 도시한 도면.

도 5는 일반적인 엑스레이 디텍터의 구동회로의 패키지를 도시한 개략 단면도.

도 6은 도 5의 Z 부분을 확대한 도면.

도 7a와 도 7b는 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 제작공정의 일부를 도시한 도면.

도 8은 도 2의 절단선 Ⅲ-Ⅲ으로 자른 단면을 본 발명의 엑스레이 디텍터 제조방법으로 제작한 단면을 도시한 도면.

도 9는 도 2의 절단선 Ⅳ-Ⅳ로 자른 단면을 본 발명의 엑스레이 디텍터 제조방법으로 제작한 단면을 도시한 도면.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

34a : 게이트 보조패드 전극 47 : 데이터 보조패드 전극

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 게이트 및 데이터 패드영역, 스위칭 영역, 화소영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상의 게이트 및 데이터 패드영역에 각각 형성된 게이트 및 데이터 보조패드 전극과; 상기 스위칭 영역에 형성되고, 게이트전극, 소스전극, 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와; 일 끝단에 상기 게이트 보조패드 전극을 덮는 게이트 패드를 갖고 상기 게이트 전극과 연결되어 일 방향으로 연장된 게이트 배선과; 일 끝단에 상기 데이터 보조패드 전극을 덮는 데이터 패드와 접촉하고 상기 소스 전극과 연결되어 타 방향으로 연장된 데이터 배선과; 상기 화소영역에 형성되며, 외부의 광신호를 전하의 형태로 저장하고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하는 스토리지 캐패시터를 포함하는 엑스레이 디텍터를 제공한다.

또한, 본 발명에서는 외부의 광을 전기적인 신호로 변환하는 광전변환부와; 상기 광전변환부에서 변환된 전기적인 신호를 저장하는 전하저장부와; 상기 전하저장부의 전기적인 신호를 스위칭하는 스위칭부와; 상기 스위칭부와 연결되며, 상기 스위칭부에서 스위칭된 전기적인 신호를 이동시키는 복수개의 배선부와; 상기 각 배선부의 일 끝단에 형성되며, 적층의 금속 구조를 갖는 패드부를 포함하는 엑스레이 디텍터를 제공한다.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 구성과 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

본 발명에서는 와이어본딩의 강도를 증가시키기 위해 데이터 패드 및 게이터 패드에 각 보조패드 전극을 형성하여 패드의 두께를 증가시키는 방법을 사용한다.

도 7a와 도 7b는 도 2의 절단선 Ⅳ-Ⅳ로 자른 단면을 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터 제조방법으로 제작하는 공정을 도시한 도면이다. 이하 종래의 엑스레이 디텍터와 동일한 기능을 하는 구성요소는 같은 번호를 부여한다.

먼저, 도 7a는 기판(1) 상에 제 1 금속층으로 게이트 패드(미도시)패드가 형성될 위치에 게이트 보조패드 전극(34a)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.

상기 게이트 보조패드 전극(34a)을 형성할 때 도면에 도시되지는 않았지만, 데이터 패드(미도시)가 형성될 위치에도 제 1 금속층으로 데이터 보조패드 전극(미도시)을 동시에 패터닝하여 형성한다.

도 7b는 상기 게이트 보조패드 전극(34a)이 형성된 기판(1) 상에 제 2 금속층으로 게이트 배선(30)과 상기 게이트 배선(30)에서 연장되고, 상기 게이트 보조패드 전극(34a)을 덮는 게이트 패드(34)를 형성하는 단계를 도시한 도면이다.

상기와 같이 게이트 패드(34)를 형성하면, 상기 게이트 패드(34)의 하부에 형성된 게이트 보조패드 전극(34a)에 의해 게이트 패드(34) 부분의 두께가 증가되는 효과를 얻을 수 있다.

또한, 게이트 배선(30)은 종래의 엑스레이 디텍터의 게이트 배선 두께와 동일하게 형성되므로 배선의 두께증가에 따른 힐락의 발생을 억제할 수 있는 장점이 있다.

한편, 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 제조공정은 게이트 및 데이터 패드가 형성될 위치에 게이트 및 데이터 보조패드 전극을 형성한다는 점만 다르고 그 이후의 공정은 동일하다.

도 8은 본 발명에 따라 제작된 엑스레이 디텍터의 단면을 도시한 도면으로, 도 2의 절단선 Ⅲ-Ⅲ으로 자른 단면을 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 제조공정으로 제조한 도면이다.

도시된 도면에서와 같이 데이터 패드콘택홀(43b)을 통해 노출된 데이터 패드(41a)는 종래의 엑스레이 디텍터의 데이터 패드보다 두꺼움을 알 수 있다.

이는 엑스레이 디텍터의 제작 공정 중에서 제일 처음공정으로 기판(1) 상의 데이터 패드가 형성될 위치에 데이터 보조패드 전극(47)을 형성하기 때문으로, 와이어본딩이 이루어지는 데이터 패드부의 전체 두께는 데이터 패드(41a)와 데이터 보조패드 전극(47)의 두께의 합이 된다.

따라서, 와이어본딩시 와이어와 데이터 패드간의 접촉강도가 증가되며, 데이터 배선은 힐락으로부터 자유로울 수 있다.

도 9는 게이트 패드부분의 단면을 도시한 단면도로써, 게이트 보조패드 전극(34a)으로 인해 전체적으로 게이트 패드부의 전체 두께는 게이트 패드(34)와 게이트 보조패드 전극(34a)의 두께의 합이 될 것이다.

따라서, 와이어본딩시 게이트 패드콘택홀(35)을 통해 게이트 패드(34)와 접촉하는 와이어의 접촉강도는 증가하게 된다.

여기서, 상기 게이트 보조패드 전극(34a)과 데이터 보조패드 전극(47)은 동일물질이며, 동일한 공정에서 형성된다.

한편, 상술한 본 발명의 정신은 와이어 본딩으로 구동회로와 엑스레이 디텍터를 연결하는데 있어서, 와이어와 접촉패드 간의 접촉강도를 증가하는 것으로써, 엑스레이 디텍터에만 한정되지 않는다. 즉, 예를 들면, 와이어 본딩방식으로 접촉되는 반도체 분야에서는 적용 가능할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예를 따라 엑스레이 디텍터를 제작할 경우 각 보조패드 전극을 각 패드의 하부에 형성함으로서 와이어 본딩시 접촉강도는 증가하고, 각 배선은 힐락으로부터 자유로운 장점이 있다.

Claims (5)

1. 기판과;

   상기 기판 상에 형성된 복수개의 신호배선과;

   상기 각 신호배선의 일 끝단에 위치하는 복수개의 패드와;

   상기 기판과 각 패드 사이에 위치하는 보조패드와;

   상기 신호배선을 구동하는 구동회로와;

   상기 패드와 구동회로를 본딩에 의해 연결하는 와이어

   를 포함하는 어레이 기판.
2. 게이트 및 데이터 패드영역, 스위칭 영역, 화소영역이 정의된 기판과;

   상기 기판 상의 게이트 및 데이터 패드영역에 각각 형성된 게이트 및 데이터 보조패드 전극과;

   상기 스위칭 영역에 형성되고, 게이트전극, 소스전극, 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와;

   일 끝단에 상기 게이트 보조패드 전극을 덮는 게이트 패드를 갖고 상기 게이트 전극과 연결되어 일 방향으로 연장된 게이트 배선과;

   일 끝단에 상기 데이터 보조패드 전극을 덮는 데이터 패드와 접촉하고 상기 소스 전극과 연결되어 타 방향으로 연장된 데이터 배선과;

   상기 화소영역에 형성되며, 외부의 광신호를 전하의 형태로 저장하고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하는 스토리지 캐패시터

   를 포함하는 엑스레이 디텍터.
3. 청구항 2에 있어서,

   상기 게이트 보조패드 전극과 상기 데이터 보조패드 전극은 동일물질인 엑스레이 디텍터.
4. 외부의 광을 전기적인 신호로 변환하는 광전변환부와;

   상기 광전변환부에서 변환된 전기적인 신호를 저장하는 전하저장부와;

   상기 전하저장부의 전기적인 신호를 스위칭하는 스위칭부와;

   상기 스위칭부와 연결되며, 상기 스위칭부에서 스위칭된 전기적인 신호를 이동시키는 복수개의 배선부와;

   상기 각 배선부의 일 끝단에 형성되며, 적층의 금속 구조를 갖는 패드부

   를 포함하는 엑스레이 디텍터.
5. 청구항 4에 있어서,

   상기 광전변환부는 비정질 셀레니움(selenium), HgI₂, PbO, CdTe, CdSe, 탈륨브로마이드, 카드뮴설파이드로 구성된 집단에서 선택된 물질인 엑스레이 디텍터 제조방법.