KR20010085293A - 가스방전패널의 제조방법 - Google Patents

가스방전패널의 제조방법 Download PDF

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KR20010085293A
KR20010085293A KR1020017000802A KR20017000802A KR20010085293A KR 20010085293 A KR20010085293 A KR 20010085293A KR 1020017000802 A KR1020017000802 A KR 1020017000802A KR 20017000802 A KR20017000802 A KR 20017000802A KR 20010085293 A KR20010085293 A KR 20010085293A
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히가시노히데타카
나가오노부아키
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마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 배기공정에서의 배기를 효율적으로 행할 수 있는 가스방전패널의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
진공배기공정에서, 가열로(51) 내의 온도를 봉입부착재층의 연화점보다 낮은 온도(배기 베이킹온도)로 가열(베이킹)하면서 개폐밸브(53f)를 적절히 연 상태로 터보분자펌프(53b) 및 로터리펌프(53c)를 작동시켜 엔벌로프(40) 내를 진공상태까지 흡인하고, 그 후 가스도입계통(52)으로부터 방전가스를 엔벌로프(40) 내로 소정압력(예를 들어, 0.05MPa)을 도입한다.
이어서, 가스도입계통(52)으로부터의 방전가스도입을 멈추고, 흡인배기계통(53)으로부터 엔벌로프 내의 방전가스를 흡인배출시켜, 엔벌로프(40) 내부를 다시 진공상태로 한다.

Description

가스방전패널의 제조방법{METHOD OF PRODUCING GAS DISCHARGE PANEL}
이하에서 종래의 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 8은 교류형(AC형) 플라즈마 디스플레이 패널(이하, “PDP”라 함)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8에서 110은 전면 유리기판이고, 이 전면 유리기판(110) 상에 방전전극(111)이 형성되어 있다. 방전전극(111)은 유전체 유리층(112) 및 산화마그네슘(MgO)으로 구성된 유전체 보호층(113)으로 덮여 있다(예를 들어 일본국 특개평 5-342991호 공보참조).
또, 120은 배면 유리기판이고, 이 배면 유리기판(120) 상에는 어드레스 전극(121), 이것을 덮는 가시광 반사층(122), 격벽(123), 형광체층(124) 및 방전가스를 봉입하는 방전공간(130)이 설치되어 있다. 상기 형광체층(124)은 컬러표시를 위해 적, 녹, 청 3색의 형광체층이 차례로 배치되어 있다. 상기 각 형광체층(124)은 방전에 의해 발생하는 파장이 짧은 자외선(예를 들어, 파장 147nm)에 의해 여기발광한다.
형광체층(124)을 구성하는 형광체로서는 일반적으로 다음의 재료가 이용된다.
「청색형광체」: BaMgAl10O17: Eu
「녹색 형광체」: Zn2SiO4: Mn 또는 BaAl12O19: Mn
「적색형광체」: Y2O3: Eu 또는 (YxGd1-x)BO3: Eu
각각의 색형광체는 다음과 같이 제작할 수 있다.
청색형광체(BaMgAl10O17: Eu)는 먼저 탄산바륨(BaCO3), 탄산마그네슘(MgCO3),산화알루미늄(α-Al2O3)을 Ba, Mg, A1의 원자비로 1 대 1 대 10이 되도록 배합한다.
다음으로, 이 혼합물에 대하여 소정량의 산화유로퓸(Eu2O3)을 첨가한다. 그리고 적량의 용제(AlF2, BaC12)와 함께 볼 밀(ball mill)로 혼합하고, 1400℃∼1650℃에서 소정시간(예를 들어 0.5시간), 환원분위기(H2또는 N2중)에서 소성하면 얻어진다.
적색형광체(Y2O3: Eu)는 원료로서 수산화이트륨 Y2(OH)3과 붕산(H3BO3)을 Y, B의 원자비가 1 대 1로 되도록 배합한다. 다음으로, 이 혼합물에 대하여 소정량의 산화유로퓸(Eu2O3)을 첨가하고, 적량의 용제와 함께 볼 밀로 혼합하고, 공기 중에 1200℃∼1450℃에서 소정시간(예를 들어 1시간) 소성하면 얻어진다.
녹색형광체(Zn2SiO4: Mn)는 원료로서 산화아연(ZnO), 산화규소(SiO2)를 Zn,Si의 원자비가 2 대 1로 되도록 배합한다. 다음으로 이 혼합물에 소정량의 산화망간(Mn2O3)을 첨가하고, 볼 밀로 혼합한 후 공기 중에 1200℃∼1350℃에서 소정시간(예를 들어 0.5시간) 소성하면 얻어진다.
상기 제조법으로 제작된 형광체 입자를 분쇄한 후 선별함으로써 소정의 입경분포를 갖는 형광체 재료가 얻어진다.
이하 종래의 PDP의 제조방법에 대하여 설명한다.
우선 전면 유리기판 상에 방전전극을 형성하고, 이것을 덮도록 유전체 유리로 된 유전체층을 형성하고, 또 이 유전체층 위에 Mg0로 된 보호층을 형성한다. 다음으로 배면 유리기판 상에 어드레스 전극을 형성하고, 그 위에 유전체 유리로 된 가시광 반사층과, 유리제의 격벽을 소정의 피치로 작성한다.
이들의 격벽에 끼워진 각 공간 내에 상술한 바와 같이 하여 제작한 적색형광체, 녹색형광체, 청색형광체를 포함하는 각 색형광체 페이스트를 각각 설치함으로써 형광체층을 형성하고, 형성후 500℃ 정도에서 형광체층을 소성하여 페이스트 내의 수지성분 등을 제거한다(형광체 소성공정).
형광체 소성후 배면 유리기판의 주위에 전면 유리기판과의 봉입부착용 글래스 프릿(glass frit)을 도포하고, 글래스 프릿 내의 수지성분 등을 제거하기 위해 350℃ 정도에서 가소한다(봉입부착용 유리 가소공정).
그 후 방전전극, 유전체 유리층 및 보호층을 차례로 형성한 전면 유리기판과, 상기 배면 유리기판을 격벽을 통해 표시전극과 어드레스 전극이 직교하도록 대향 배치하고, 450℃ 정도에서 소성하여 봉입유리로 주위를 밀봉한다(봉입공정).
그 후 소정의 온도(350℃ 정도)까지 가열하면서 패널 내를 배기하고(배기공정), 종료 후에 방전가스를 소정의 압력만큼 도입한다.
상기와 같은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에서는, 패널제작후의 발광특성 및 방전특성을 안정화시키는 에이징 공정 및 통상의 작동시에 발광특성이 점차로 열화된다는 문제점이 있다.
이것은 상기 배기공정에서 충분히 내부공간 내의 불순물(수증기, 산소, 질소, 탄산가스 등의 방전가스와 다른 조성의 가스성분)이 세정되지 않고, 내부공간에 잔류하고 있기 때문이다.
본 발명은 컴퓨터의 모니터 및 텔레비전 등의 화상표시에 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널 등의 가스방전패널의 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 관한 실시예에 공통된 AC형 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2는 상기 PDP에 회로블록을 설치한 표시장치의 구성도이다.
도 3은 본 실시예의 봉입부착공정에서 이용하는 봉입부착·배기장치(50)를 모식적으로 도시한 도면이고, (a)는 상면절개도, (b)는 (a)에서의 A-A'선을 포함하는 수직단면도이다.
도 4는 봉입부착시의 온도 및 압력프로파일을 도시한 실시예의 도면이다.
도 5는 진공배기공정·봉입공정에서의 온도 및 압력프로파일을 도시한 실시예의 도면이다.
도 6은 봉입시 및 진공배기·봉입공정의 온도 및 압력프로파일을 도시한 실시예의 도면이다.
도 7은 본 발명에 관한 다른 실시예의 봉입부착공정도에서 이용하는 봉입부착·배기장치(70)를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 8은 종래예에 관한 실시예에 공통된 PDP의 구성을 도시한 사시도이다.
본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 패널의 제조공정에 필요한 배기공정에서 효율적으로 배기할 수 있는 가스방전패널의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위해 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 해당 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향 배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법에 있어서, 상기 배기단계는 엔벌로프 내부를 진공배기하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 충전하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프 내부를 진공배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 해당 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향 배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법에 있어서, 상기 배기단계는 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 유통시키면서 엔벌로프 내부를 배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또 상기 「실질적인」이란 용어는 「세정 가스의 주성분은 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는다」는 것을 의미한다. 따라서 「상기 주성분 가스에 처음부터 불순물(통상은 매우 저농도)로서 함유되어 있는 가스를 배제한다」는 것은 아니다.
이들의 제조방법에 의하면, 종래와 같이 단지 엔벌로프 내부를 배기할 뿐만 아니라, 상기한 바와 같이 세정가스를 충전하고 나서 또는 유통시키면서 이것을 배기하므로 종래의 제조방법에 비하여 엔벌로프 내부의 불순물 가스농도를 신속하게(단시간에) 저농도까지 제거하는 것이 가능해진다.
또 상기 제조방법에 있어서 봉입부착단계를 엔벌로프 전체 또는 봉입부착부를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 행하면, 엔벌로프는 내외의 압력차에 의해 양 기판이 외측으로부터 균일하게 눌려진 상태로 봉입부착재가 경화하여 봉입부착되므로 격벽 정상부와 이것과 대향하는 기판과의 빈틈이 거의 없는 상태로 봉입부착된다. 종래에는 엔벌로프의 내외 압력차를 두지 않고 바깥둘레부를 클립 등으로 조일뿐이므로 엔벌로프의 중앙부가 눌려지지 않기 때문에 격벽 정상부와 이것에 대향하는 기판이 전체적 또는 부분적으로 분리된 상태로 봉입부착되기가 쉽다.
따라서 이러한 제조방법에 의하면 PDP 구동시에 진동이 발생하기 어렵고 또한 표시품위가 양호한 PDP를 용이하게 제작할 수 있다.
또 상기 제조방법에 있어서 봉입부착단계를 엔벌로프 내부에 건조가스를 충전한 상태에서 행하면, 형광체의 열열화를 억제할 수 있다.
이하에 도면을 참조하여 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
〔PDP의 전체구성 및 제조방법에 대하여〕
도 1은 실시예에 관한 교류면 방전형 PDP을 도시한 사시도이고, 도 2는 이 PDP에 회로블록을 실장한 표시장치의 구성도이다.
이 PDP는 각 전극에 펄스형상의 전압을 인가함으로써 방전공간 내에서 방전을 발생시키고, 방전에 따라 배면패널측에서 발생한 각 색의 가시광을 전면패널의 주표면으로부터 투과시키는 것이다.
그리고 상기 PDP는 전면 유리기판(11) 상에 복수의 방전전극(12)(주사전극(12a), 유지전극(12b)), 유전체층(13), 보호층(14)이 배치되어 이루어지는 전면 패널(10)과, 배면 유리기판(21) 상에 복수의 어드레스 전극(22), 유전체층(23)이 배치된 배면 패널(20)이 전극(12a, 12b)과 어드레스 전극(22)을 대향시킨 상태로 간격을 두고 서로 평행하게 배치되어 구성되어 있다.
PDP의 중앙부는 화상을 표시하는 영역으로서, 여기에서는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20) 사이의 틈은 스트라이프형상의 격벽(24)이 복수개로 구분됨에 따라 복수의 방전공간(30)이 형성되고, 상기 방전공간(30) 내에는 방전가스가 봉입되어 있다. 또한 방전공간(30) 내에서 배면 패널(20)측에는 복수의 형광체층(25)이 설치되어 있다. 이 형광체층(25)은 적, 녹, 청의 순으로 반복하여 나열되어 있다.
방전전극(12) 및 어드레스 전극(22)은 모두 스트라이프형상이고, 방전전극(12)은 격벽(24)과 직교하는 방향으로 배치되고, 어드레스 전극(22)은 격벽(24)과 평행하게 배치되어 있다.
그리고 방전전극(12)과 어드레스 전극(22)이 교차하는 곳에 적, 녹, 청의 각 색을 발광하는 셀이 형성된 패널구성으로 되어 있다.
유전체층(13)은 전면 유리기판(11)의 방전전극(12)이 배치된 표면 전체를 덮어 배치된 유전물질로 된 층으로서, 일반적으로 납(Pd)계 저융점 유리가 재료로서 이용되고 있지만, 비스무스(Bi)계 저융점 유리 또는 납계 저융점 유리와 비스무스계 저융점 유리의 적층물로 형성해도 된다.
보호층(14)은 산화마그네슘(Mg0)으로 된 얇은 층으로서, 유전체층(13)의 표면 전체를 덮고 있다. 유전체층(23)은 가시광 반사층으로서의 작용도 겸하도록 TiO2입자가 혼합되어 있다. 격벽(24)은 유리재료로 이루어지고, 배면 패널(20)의 유전체층(23)의 표면 상에 돌출설치되어 있다.
한편 PDP의 바깥둘레부에서는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20)이 봉입부착재로 봉입부착되어 있다.
격벽(24)의 정상부와 전면 패널(10)은 거의 전체적으로 접촉되어 있거나 접합재로 접합된 상태로 되어 있다.
이러한 PDP를 제작하는 방법의 일례를 이하에 설명하기로 한다.
전면 패널의 제작 :
전면 유리기판(11) 상에 방전전극(12)을 형성하고, 그 위를 덮도록 유전체층(13)을 형성하고, 또 유전체층(13)의 표면에 진공증착법, 전자빔 증착법 또는 CVD법으로 산화마그네슘(MgO)으로 된 보호층(14)을 형성함으로써 제작한다.
방전전극(12)은 은전극용 페이스트를 스크린인쇄로 도포한 후 소성함으로써 형성할 수 있다. 그 밖에 ITO(인듐·주석·옥사이드)나 SnO2로 투명전극을 형성한 후 그 위에 상기한 바와 같이 은전극을 형성하거나 포토리소그래피법으로 Cr-Cu-Cr 전극을 형성해도 된다.
유전체층(13)은 납계의 유리재료(그 조성은 예를 들어 산화납[PbO] 70중량%, 산화붕소[B2O3] 15중량%, 산화규소[SiO2] 15중량%)를 포함하는 페이스트를 스크린 인쇄법으로 도포하여 소성함으로써 형성할 수 있다.
배면 패널의 제작 :
배면 유리기판(21) 상에 방전전극(12)과 마찬가지로 스크린 인쇄법을 이용하여 어드레스 전극(22)을 형성한다.
다음으로 TiO2입자가 혼합된 유리재료를 스크린 인쇄법을 이용하여 도포하여소성함으로써 유전체층(23)을 형성한다.
다음으로 격벽(24)을 형성한다. 격벽(24)은 스크린 인쇄법으로 격벽용 유리 페이스트를 겹쳐 도포한 후 소성함으로써 형성할 수 있다. 그 외에 격벽용 유리 페이스트를 배면 유리기판(21) 상의 전면에 도포한 후 격벽을 형성하지 않는 부분을 샌드블러스트법으로 깎는 방법을 이용해도 격벽(24)을 형성할 수 있다.
그리고 격벽(24) 사이의 홈에 형광체층(25)을 형성한다. 이 형광체층(25)은 일반적으로는 각 색형광체 입자를 포함하는 형광체 페이스트를 스크린 인쇄법으로 도포하여 소성함으로써 형성되지만, 형광체 잉크를 노즐로부터 연속적으로 분사하면서 홈을 따라 주사하는 방법으로 도포하고, 도포 후에 형광체 잉크에 포함되어 있는 용제나 바인더를 제거하기 위해 소성함으로써 형성할 수도 있다. 이 형광체 잉크는 각 색형광체 입자가 바인더, 용제, 분산제 등의 혼합물로 분산되고, 적절한 점도로 조정된 것이다.
형광체 입자의 구체예로서는,
청색형광체 : BaMgAl10O17: Eu2+
녹색형광체 : BaAl12O19: Mn 또는 Zn2SiO4: Mn
적색형광체 : (YxGd1-x)BO3: Eu3+또는 YBO3: Eu3+
을 들 수 있다.
본 실시예에서는 40인치급의 VGA나 하이비전 텔레비전에 맞추어 격벽의 높이는 0.06∼0.15mm, 격벽의 피치는 0.13∼0.36mm으로 한다.
봉입부착공정·진공배기공정·방전가스 봉입공정 :
다음으로 이와 같이 제작한 전면 패널(10)과 배면 패널(20)을 봉입부착한다.
이 봉입부착공정에서는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20)을 바깥둘레부에 봉입부착재를 삽입시켜 포개어 엔벌로프를 형성하고, 상기 봉입부착재로 봉입부착한다. 이 때 필요에 따라 배면 패널(20)의 격벽(24)의 정상부에 접합재를 도포해 두어도 상관없다.
봉입부착재로서는 열 등의 에너지를 외부로부터 가하여 연화, 통상은 저융점 유리를 이용하고 봉입부착재를 가열하여 연화시킨 후, 경화시킴으로써 봉입부착한다.
그리고 봉입부착공정을 행할 때 엔벌로프 내부와 외부에서 압력차를 형성함으로써, 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 눌려지도록 한다. 이로 인하여 격벽(24)의 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 접촉 또는 접근한 상태로 봉입부착이 이루어진다.
봉입부착공정이 끝나면 엔벌로프 내부에 흡착되어 있는 불순물 가스 등을 추출하기 위해 내부공간을 고진공(예를 들어, 1.3 ×10-11MPa)으로 하여 배기한다(진공배기공정).
그 후 엔벌로프 내부에 방전 가스(예를 들어 He-Xe계, Ne-Xe계, Ar-Xe계의 비활성 가스)를 소정의 압력으로 봉입함으로써(방전가스 봉입공정) PDP를 제작한다.
또 본 실시예에서는 방전가스에서의 Xe의 함유량을 5체적% 정도로 하고, 봉입압력은 0.067∼0.11MPa의 범위로 설정한다.
PDP를 구동 표시할 때에는 도 2와 같이 회로블록을 실장하여 구동한다.
이하에서 봉입부착공정, 진공배기공정 및 방전가스 봉입공정에 대하여 제 1 실시예 내지 제 4 실시예로 나누어 상세히 설명하기로 한다.
(제 1 실시예)
도 3은 본 실시예의 봉입부착공정에서 이용하는 봉입부착·배기장치(50)를 모식적으로 도시한 도면이고, (a)는 상면절개도, (b)는 (a)에서의 A-A선을 포함하는 수직단면도이다.
이 봉입부착·배기장치(50)는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20)이 겹쳐진 엔벌로프(40)를 수납하여 이것을 가열하는 가열로(51)와, 가열로(51)의 외부에 설치된 가스도입계통(52), 흡인배기계통(53)으로 구성되어 있다.
이 가열로(51)는 히터(54)로 가열할 수 있고, 내부의 온도는 원하는 설정온도로 제어할 수 있도록 되어 있다.
이 봉입부착·배기장치(50)를 이용하여 다음과 같이 봉입부착공정을 행한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 미리 배면 패널(20)에는 표시영역보다 외측의 바깥둘레부에 통기공(21a, 21b)을 설치해 둔다. 통기공(21a)은 배면 패널(20)의 우측상부에 형성되고, 통기공(21b)은 배면 패널(20)의 좌측하부에 형성되어 있다.
전면 패널(10) 및 배면 패널(20)의 대향면 중 어느 한쪽 또는 양쪽의 바깥둘레부에 봉입부착재를 포함하는 페이스트를 도포하여 소성함으로써 봉입부착재층(41)을 형성한다. 여기에서는, 봉입부착재로서 격벽(24)이나 유전체층(23)의 재료보다 연화온도가 낮은 저융점 유리를 이용한다. 또 봉입부착재가 이 저융점 유리에 한정되지 않는 것은 물론이고, 금속 등을 이용할 수도 있다. 이 경우, 봉입부착 온도는 금속이 용융하는 온도, 즉 융점 이상의 온도가 된다.
저융점 유리 페이스트의 구체예로서는 저융점 글래스 프릿(연화점 370℃) 80부, 에틸셀룰로스계 바인더 5부, 초산이소아밀 15부를 혼합한 것을 들 수 있고, 이것을 디스펜서로 도포함으로써 봉입부착재층(41)을 형성할 수 있다.
양단에 위치하는 격벽과 봉입부착재층(41) 사이에는 그 사이에 형성된 공간을 2개로 구분하는 분리재(42)가 설치되어 있다. 이 분리재(42)는 봉입부착재층(41), 격벽과 같은 재료를 이용할 수 있다. 이 분리재의 존재에 의해 격벽들 사이에 형성된 방전공간 내에서 가스의 도입ㆍ배출이 효율적으로 행해지게 된다. 또 이 분리재(42)는 설치하지 않아도 상관없다.
다음으로, 전면 패널(10)과 배면 패널(20)의 위치맞춤을 하면서 겹쳐 엔벌로프(40)를 형성한다. 그리고 위치맞춤된 전면 패널(10)과 배면 패널(20)의 위치가 어긋나지 않도록 엔벌로프(40)의 바깥둘레부를 클립(도시 생략)으로 조여 고정한다.
이 엔벌로프(40)를 가열로(51) 내에 장착시킨다. 그리고 엔벌로프(40)의 통기공(21a)에 접속관(55)을 개재하여 가스도입계통(52)을 접속한다. 한편 엔벌로프(40)의 통기공(21b)에 접속관(56)을 개재하여 흡인배기계통(53)을 접속한다.
접속관(55) 및 접속관(56)은 배면 패널(20)의 하면에 접착재(55a, 56a)를 개재하여 고정되는 유리관이다. 상기 접착재(55a, 56a)에는, 예를 들어 상기 봉입부착재층(41)의 재료와 같은 것을 이용하고, 저융점 유리를 포함하는 페이스트를 디스펜서로 도포·건조시켜 클립으로 병용하여 임시고정한다. 이로 인하여 봉입부착재층(41)이 연화·경화하여 엔벌로프(40)가 봉입부착됨에 따라 접착재(55a, 56a)도 연화·경화됨으로써 접속관(55) 및 접속관(56)과 배면 패널(20)의 통기공(21a) 및 통기공(21b)의 접속 및 기밀 봉입도 자동적으로 이루어진다.
가스도입계통(52)은 방전가스가 충전된 가스봄베(gas-bomb ; 52a)와 이것과 접속관(55)을 접속하는 배관계(52b)로 이루어진다. 배관계(52b)의 도중에는 가스도입량을 조정하기 위한 개폐밸브(52c)가 설치되어 있다. 접속관(55)과 배관계(52b)는 지퍼 등으로 기밀성을 확보한 상태로 서로 연결된다.
흡인배기계통(53)은 매니폴드(53a)와, 터보분자 펌프(53b)와, 로터리 펌프(53c)와, 상기 접속관(56)과 매니폴드(53a)를 접속하는 배관계(53d)와, 상기 매니폴드(53a)와 터보분자 펌프(53b)를 접속하는 배관계(53e)로 이루어진다. 배관계(53e)의 도중에는 터보분자 펌프에 의한 흡인량을 조정하기 위한 개폐밸브(53f)가 설치되어 있다. 접속관(56)과 배관계(53d)는 척(chuck) 등으로 기밀성을 확보한 상태로 서로 연결된다.
또 본 실시예에서는 전면 패널(10)이 상측, 배면 패널(20)이 하측이 되도록 고정하였지만, 상하를 반대로 하여 고정해도 된다. 또 양 패널(10, 20)의 위치가어긋나지 않도록 고정되어 있으면, 가열로(51) 내에 엔벌로프(40)를 세워 세트해도 된다.
그리고 가열로(51) 내를 가열하여, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착 온도(예를 들어 450℃)까지 온도를 올리고, 봉입부착온도로 소정 시간 유지한 후 다시 연화점 온도 이하로 온도를 내림으로써 양 패널(10, 20) 사이를 봉입부착하지만, 터보분자 펌프(53b)로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면서 봉입부착한다. 또 터보분자 펌프(53b)를 작동시킬 때에는 로터리 펌프(53c)를 동시에 작동시켜 터보분자 펌프(53b) 내의 배압을 내린다. 봉입부착조건은 유리기판재료와 봉입부착재의 적합성으로 결정되지만, 저융점 유리를 이용하는 경우에는 약 450℃에서 10∼20분 정도이다.
배기는 가열로(51) 내가 봉입부착재의 연화온도에 도달한 후에 시작하는 것이 바람직하다. 봉입부착재의 연화온도에 도달할 때까지는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부의 기밀성이 그다지 없으므로, 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기하더라도 그 내부를 높은 진공도로 할 수 없지만, 봉입부착재가 연화된 후에는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부가 기밀 봉입되는 동시에, 접착재층(26a)도 연화되어 배관부재(26)와 통기공(21a)의 접속부분도 기밀 봉입되므로, 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면 높은 진공도(1.33 x 10-4MPa 정도(수Torr 정도))로 감압되기 때문이다.
이와 같이 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기함으로써 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 가압된 상태가 된다. 흡인배기계통(53)에 의한 흡인배기는 엔벌로프(40) 내와 가열로 내의 압력차에 의해서 봉입부착재가 압축되어, 2장의 전면 패널과 배면 패널이 접근하여 전면 패널과 격벽이 접촉되는 정도이면 되므로 약간 흡인배기하는(예를 들어, O.08MPa 정도) 것 만으로 충분하다.
양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 가압되면 도 3에 도시된 바와 같이, 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)은 전체적으로 밀착된 상태가 된다. 그리고 이 상태에서 강온되면 봉입부착재가 연화 이하의 온도가 되어 경화함으로써 엔벌로프(40)의 봉입부착이 이루어진다. 따라서 봉입부착된 후의 엔벌로프(40)에서는 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 밀착된 상태로 유지되게 된다.
또 상기 봉입부착공정에서는 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도로 단숨에 온도를 상승시키는 것은 아니고, 봉입부착온도보다 낮은 온도로 일정시간, 예를 들어 350℃ 정도에서 30분 정도 가열하여 바인더재를 번 아웃(burn-out)해 두면 형광체의 열화를 억제하는 데에 효과적이다.
이렇게 하여 엔벌로프(40)의 봉입부착이 완료된 후에 다음의 진공배기공정으로 이동한다.
진공배기공정은 가열로(51) 내의 온도를 봉입부착재층의 연화점보다 낮은 온도(배기 베이킹온도)로 가열(베이킹)하면서 개폐밸브(53f)를 적절히 연 상태로, 터보분자 펌프(53b) 및 로터리 펌프(53c)를 작동시켜 엔벌로프(40) 내부를 진공상태로까지 흡인하고, 그 후 가스도입계통(52)으로부터 방전가스를 엔벌로프(40) 내부에 소정압(예를 들어, 0.05MPa)으로 도입한다. 방전가스를 충전한 후 소정시간(5분에서 10분)동안 그대로의 압력을 유지하는 것이 더욱 바람직하다. 이것은 엔벌로프(40) 내부의 격벽 사이의 컨덕턴스(conductance)가 작기 때문에 평형압이 도달할 때까지 시간을 요하기 때문이다.
또 상기한 바와 같이 진공배기공정을 배기 베이킹온도로 가열하면서 행하는 것으로, 엔벌로프(40)의 내벽면에 흡착된 불순물이 가스형상으로 되어, 방전공간 내에 충만되기 쉽고, 보다 신속하게 불순물을 엔벌로프 외부로 추출할 수 있는 데에 바람직하고, 일반적으로는 이와 같이 배기 베이킹온도까지 가열하면서 진공배기를 하지만, 물론 이와 같이 하지 않고 단순히 진공배기하는 것 만으로도 상관없다.
또 상기 배기 베이킹온도는 봉입부착재의 연화점보다 낮은 온도(봉입부착재에 금속을 이용하는 경우에는 금속의 융점보다 낮은 온도)인 것은 물론이다. 그리고 여기에서는 엔벌로프(40)의 내벽면에 흡착된 흡착수를 효과적으로 이탈시키는 정도의 온도(예를 들어, 350℃ 정도)로 한다.
진공배기공정에는 엔벌로프(40)의 온도가 실온정도까지 냉각된 후에 이행할 수도 있지만, 봉입부착공정에서의 봉입부착온도로부터 배기 베이킹온도로 냉각한 시점에서 이행하도록 하면 냉각한 후에 다시 배기 베이킹온도까지 가열하는 가열기간을 생략할 수 있으므로 제조공정을 보다 단축시키는 데에 바람직하다.
그리고, 다음으로 가스도입계통(52)으로부터의 방전가스 도입을 멈추고, 흡인배기계통(53)으로부터 엔벌로프 내부의 방전가스를 흡인배출시켜, 엔벌로프(40) 내부를 다시 진공상태로 한다.
이러한 진공배기ㆍ방전가스도입ㆍ진공배기라는 처리는 통상은 1회로도 충분하지만, 반복하면 엔벌로프(40) 내부의 불순물 가스를 보다 저농도로 할 수 있다.
이와 같이 엔벌로프(40) 내부에 도입되는 가스는 방전가스가 아니더라도 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스이면 된다. 불순물의 정의는 명확하지 않지만, 휘도저하 등의 요인이 되는 가스를 말한다. 또 이 가스는 건조가스이면 형광체의 특성열화를 억제할 수 있으므로 더욱 바람직하다. 여기에서 건조가스란 통상의 가스보다 수증기 분압이 낮은 가스, 예를 들어 수증기 분압(로점)이 O.0027MPa (22℃) 이하의 가스이다.
일단 진공으로 한 후 엔벌로프(40) 내부에 도입하는 압력은 1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr)부터 엔벌로프(40)가 파괴하지 않는 압력범위 이내이면 되고, 대기압보다 낮은 쪽이 바람직하다.
다음으로, 봉입공정에서는 가스도입계통(52)에 의해 엔벌로프(40) 내부공간에 방전가스를 소정의 봉입압력(예를 들어, 0.067MPa)이 되도록 공급한다. 그리고 접속관(55) 및 접속관(56)의 접속부분을 버너나 히터로 용융하여 막으므로써(chip off) 통기공(21a) 및 통기공(21b)을 봉입한다.
〔본 실시예의 제조방법에 의한 효과에 대하여〕
종래와 같이 엔벌로프(40)의 내외 압력차를 두지 않고 바깥둘레부를 클립 등으로 조이는 경우, 엔벌로프(40)의 중앙부를 누르지 않기 때문에 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적 또는 부분적으로 이탈된 상태로 봉입부착되기 쉬운데 대하여, 상기한 바와 같이, 엔벌로프(40)는 내외의 압력차에 의해 양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 눌려진 상태로 봉입부착재층(41)이 경화되어 봉입부착되므로 격벽 정상부와 전면 패널(10)의 빈틈이 거의 없는 상태로 봉입부착이 이루어진다.
따라서 본 실시예의 제조방법에 의하면 PDP 구동시의 진동이 발생하기 어렵고, 표시품위가 양호한 PDP를 용이하게 제작할 수 있다.
이러한 효과를 얻기 위해서는, 적어도 연화된 봉입부착재층(41)이 경화하는 시점에서는 흡인배기계통을 작동시켜 엔벌로프(40)의 내측 및 외측의 압력차가 생겨 있는 상태로 할 필요는 있지만, 봉입부착공정의 시작부터 끝까지 연속하여 흡인배기계통(53)을 작동시킬 필요는 없다. 예를 들어 봉입부착재층(41)이 연화된 후에 흡인봉입계통(53)의 작동을 시작하더라도 양 패널(10, 20)의 내외 압력차에 의한 효과를 충분히 얻을 수 있다.
또 상기 진공배기공정에 의해 엔벌로프(40) 내부의 불순물 가스농도를 신속하게(단시간에) 저농도까지 제거하는 것이 가능해 진다.
이것은 1) 대량의 방전가스의 충전에 의한 불순물 가스의 희석효과, 2) 가스충전, 재배기시의 점성류(粘性流)에 의해 잔류 불순물 가스가 엔벌로프(40)의 외부로 배출되는 효과 및, 3) 배기 베이킹시에 가열됨으로써 고온이 된 방전가스 분자가 형광체나 보호층 등의 엔벌로프(40)의 내벽면에 충돌함으로써 흡착가스를 이탈시키는 효과 등에 의한 것이다. 제 3의 이유에서 보면, 배기공정에서 엔벌로프 내에 도입하는 방전가스(세정가스)에는 미리 가열한 것을 이용하는 것이 바람직하다.
배기 베이킹온도로 유지한 상태에서 엔벌로프(40) 내부를 진공배기한 후에는 엔벌로프(40) 내부의 격벽에 둘러싸인 방전공간 내의 잔류가스를 충분히 누출시킬 수 없다. 예를 들어, 엔벌로프(40) 내부의 격벽의 높이가 120㎛, 피치가 200㎛이고, 배기용 가공구멍의 지름이 약 2mm, 접속관(57)의 내경이 약 2mm, 접속관(57)의 길이를 약 90mm로 하는 경우에는 350℃의 배기 베이킹온도로 배기하면, 매니폴드(53a) 내부의 압력이 1.3 ×1011∼1.3 ×10-10MPa 정도로 되어 있더라도 엔벌로프(40) 내부의 압력은 매니폴드(53a)의 그것보다 약 1자리수∼2자리수 정도 높다.
물론 베이킹 시간을 길게 하면, 엔벌로프(40)의 내벽에 흡착된 물, 탄산가스, 질소, 산소 등의 불순물 가스량은 감소되지만, 제조비용이 증가된다.
상기한 진공배기공정에서는 방전가스를 봉입한 후 다시 진공배기하였지만, 다음과 같이 하면 보다 신속하게 불순물 가스를 제거할 수 있다.
즉 가스도입계통(52)에서 엔벌로프(40) 내부로 방전가스를 도입하면서, 동시에 흡인배기계통(53)에서 엔벌로프(40) 내부를 배기하도록(도 3의 (a) 중에 가스의 흐름을 굵은 화살표로 나타냄) 할 수도 있다. 이와 같이 함으로써, 엔벌로프(40) 내부에 방전가스의 흐름이 생기기 때문에, 보다 효율적으로 불순물 가스를 배출할 수 있고, 특히 엔벌로프(40)의 중앙부분에서 배기구(통기공(21b))로부터 비교적 떨어져서 위치하는 방전공간 내의 불순물 가스의 배출 효율이 뛰어나다.
그리고 이 경우, 방전 가스를 봉입하는 봉입공정 전에 엔벌로프 내부를 굳이한번 진공배기할 필요는 없고, 그 상태대로 봉입하는 것도 가능하다.
〈실시예 1〉
다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하는 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 4는 봉입시의 온도 및 압력프로파일을 도시한 도면이고, 도 5는 진공배기공정, 봉입공정에서의 온도 및 압력프로파일을 도시한 도면이고, 본 실시예에서는 상기 각각의 프로파일에 따라서 PDP를 제작하였다. 또 각 도면중 점선은 엔벌로프(40)의 온도를 나타내며, 실선은 엔벌로프(40)에 접속된 흡인배기계통의 매니폴드(53a) 내의 압력변화를 나타낸다.
우선 봉입부착공정에서 봉입부착온도를 450℃까지 2시간에서 3시간에 걸쳐 온도를 높이고, 이 온도를 20분 정도 유지한다. 동시에 450℃에 도달하면 매니폴드(53a)의 압력을 0.05MPa 정도로 감압하여 흡인배기계통의 작동을 정지시켜 이 압력으로 유지한다.
그리고 감압상태를 유지한 채로 2시간에서 3시간에 걸쳐 실온으로 온도를 내린다.
이 단계에서는, 전면 패널과 배면 패널은 완전히 봉입부착이 완료된다.
다음으로, 도 5로 가서 다시 흡인배기를 계속하여 매니폴드(53a) 내의 압력이 1.3 ×10-1l∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후 가열을 시작하여 2시간에서 3시간에 걸쳐 배기 베이킹온도(350℃)까지 가열한다. 그리고, 배기 베이킹온도에 도달하면 다시 흡인배기를 시작하고, 가열승온시에 매니폴드내(15)에 유입된 가스를 배기한다. 흡인배기를 재개할 때에는 접속관(56) 내벽이나 엔벌로프(40) 내벽으로부터의 탈가스에 의해 매니폴드(53a) 내의 압력이 도 5의 부호 60으로 나타내는 부분과 같이 상승하고 있지만, 흡인배기를 재개함으로써 감소로 전환된다.
그리고 매니폴드(53a) 내의 압력이 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 되어진 단계에서 흡인배기계통(53)의 작동을 정지하고, 가스도입계통(52)을 작동시켜 엔벌로프(40) 내부에 방전가스를 0.05MPa 정도 충전하여 이 압력을 5분에서 10분 정도 유지한다.
그 후 냉각시키면서 엔벌로프(40) 내부의 가스를 흡인배기를 재개하고, 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후, 가스도입계통(52)에 의해 방전가스를 엔벌로프(40) 내부에서 0.067MPa 정도로 충전한다.
종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내부의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 종래보다 신속하게 해당 압력까지 감압할 수 있다.
여기에서, 흡인배기계통의 펌프계의 구동력을 더욱 크게 하여, 보다 강력하게 엔벌로프 내를 흡인하도록 하면 단시간에 저압으로 감압할 수도 있을 것으로 예상된다. 그러나 이와 같이 하면 엔벌로프 내부의 형광체가 형광체층으로부터 이탈하게 되기 때문에 패널 특성의 열화로 이어지므로, 일반적으로는 상기한 바와 같이매니폴드를 개재시켜 흡인력을 비교적 약하게 하여 엔벌로프 내를 흡인하도록 한다. 이 때문에 종래 진공배기공정에서는 통상 원하는 내압까지 엔벌로프 내를 감압하려면 비교적 긴 시간을 요하고 있었다.
이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부에서의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5에서 10V 정도 낮게 되어 방전전류가 수%에서 10%정도이고, 효율이 수%로부터 약 10% 정도 향상되었다.
〈실시예 2〉
다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하여 다른 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 6은 봉입시의 온도 및 압력프로파일, 진공배기공정·봉입공정에서의 온도 및 압력프로파일을 도시한 도면이고, 본 실시예에서는 이 각 프로파일에 따라서 PDP를 제작하였다. 또 각 도면중 점선은 엔벌로프(40)의 온도를 나타내며, 실선은 엔벌로프(40)에 접속된 흡인배기계통의 매니폴드 내의 압력변화를 나타낸다.
우선 봉입부착공정에서, 봉입부착온도 450℃까지 2시간에서 3시간에 걸쳐 온도를 높히고, 그 온도를 20분 정도 유지한다. 동시에, 450℃에 도달하면 매니폴드(53a)의 압력을 0.05MPa 정도로 감압하고 흡인배기계통의 작동을 정지시켜 이 압력을 유지한다.
그리고 감압상태를 유지한 채로 30분 정도 걸려 배기 베이킹온도(350℃)까지온도를 낮춘다.
이 단계에서는 전면 패널과 배면 패널이 완전히 봉입부착되어 있지만, 온도저하와 함께 매니폴드(53a) 내의 압력을 감시해 두면 봉입부착의 결함을 알 수 있어, 봉입부착불량 발생에 대하여 빠른 제조단계에서 대처할 수 있고, 비용절감에 도움이 된다.
다음으로, 배기 베이킹온도로 강온한 후 흡인배기를 계속하여 매니폴드(53a) 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1. 3 ×10-10MPa 정도까지 흡인배기한다. 다음으로, 흡인배기계통(53)의 작동을 정지하고, 가스도입계통(52)을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 방전가스를 0.05MPa 정도 충전하고 이 압력을 5분에서 10분 정도 유지한다.
그 후 냉각시키면서 엔벌로프(40) 내의 가스의 흡인배기를 재개하고, 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후, 가스도입계통(52)에 의해 방전가스를 엔벌로프(40) 내에 0.067MPa 정도로 충전한다.
종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 일반적으로는 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.
이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립으로 누르는 등의 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부로부터의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5V에서 10V 정도로 낮게 되어, 방전전류가 수%에서 10%정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도 향상되었다.
실시예 1에 비하면, 실시예 2에 의한 제조방법에서는 엔벌로프(40)의 봉입시부터 냉각까지의 시간과 배기 베이킹을 위한 실온으로부터 배기 베이킹온도까지의 가열시간이 단축된다는 효과가 있다. 또 형광체 열화의 정도도 수% 정도 실시예 1에 비하여 적고, 약간 우수하였다.
(제 2 실시예)
본 실시예에서는 상기 진공배기공정에서의 방법이 상기 제 1 실시예에서의 그것과 다른 것 외에는 모두 같다.
도 7은 본 실시예의 봉입부착공정에서 이용하는 봉입부착 ·배기장치(70)를 모식적으로 도시한 도면이고, 도 3의 (b)에 상당하는 도면이다.
이 봉입부착 ·배기장치(70)는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20)이 겹친 엔벌로프(40)를 수납하여 이것을 가열하는 가열로(71)와, 가열로(71) 외부에 설치된 가스도입·흡인배기계통(72)으로 구성되어 있다.
배면 패널(20)에는 통기공(21a)과 내부공간이 연통하도록 접속관(73)과, 통기공(21b)과 내부 공간이 연통하도록 게터관(74)이 각각 접착재(73a) 및 접착재(74a)를 개재하여 상기와 같이 임시고정되어 있다.
접속관(73)은 배면 패널(20)과의 접촉단이 개방된 유리관이고, 게터관(74)은 배면 패널(20)과의 접촉타단이 봉입된 유리관이다. 그리고 게터관(74)은 배면 패널(20)의 통기공(21b)의 출구부분에는 게터가 수납되는 게터수납공간(74b)이 형성되어 있다.
가스도입ㆍ흡인배기계통(72)은 매니폴드(72a)와, 터보분자 펌프(72b)와, 로터리 펌프(72c)와, 방전가스가 충전된 가스봄베(72d)와, 상기 접속관(73)과 매니폴드(72a)를 접속하는 배관계(72e)와, 상기 매니폴드(72a)와 터보분자 펌프(72b) 및 가스봄베(72d)를 접속하는 분기배관계(72f)로 이루어진다. 분기배관계(72f)는 매니폴드(72a)로부터 신장된 1개의 배관계(72f1)가 경로선택밸브(72g)를 통해 2개의 배관계(72f2) 및 배관계(72f3)가 터보분자 펌프(72b) 및 가스봄베(72d) 각각에 접속되어 있다. 배관계(72f2) 및 배관계(72f3)의 도중에는 각각 터보분자 펌프에 의한 흡인량을 조정하기 위한 개폐밸브(72h)와 방전가스의 유량을 조정하는 개폐밸브(72i)가 설치되어 있다. 그리고 접속관(73)과 배관계(72e)는 척 등으로 기밀성을 확보한 상태로 서로 연결된다. 경로선택밸브(72g)는 터보분자 펌프(72b) 작동시에는 배관계(72f2)를 선택하고, 가스봄베(72d)로부터 방전가스를 엔벌로프(40)에 도입하는 경우에는 배관계(72f3)를 선택한다.
그리고 가열로(71) 내를 히터(75)로 가열하여 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도(예를 들어 450℃)까지 온도를 높이고, 봉입부착온도로 소정시간동안 유지한 후 다시 연화점 온도 이하로 온도를 내림으로써 양 패널(10, 20) 사이를 봉입부착하지만, 터보분자 펌프(72b)에서 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면서 봉입한다. 봉입부착조건은 유리기판재료와 봉입부착재의 적합성에 의해 결정되지만, 저융점 유리를 이용하는 경우에는 약 450℃에서 10∼20분 정도이다.
배기는 가열로(71) 내부가 봉입부착재의 연화온도에 도달한 후에 시작하는것이 바람직하다. 봉입부착재가 연화온도에 도달할 때까지는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부의 기밀성이 그다지 없으므로 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기하더라도 그 내부를 높은 진공도로 할 수 없지만, 봉입부착재가 연화된 후에는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부가 기밀 봉입되는 동시에, 접착재층(41)도 연화되어 접속관(72)과 통기공(21a)의 접속부분도 기밀 봉입되므로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면 높은 진공도(1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr 정도))로 감압되기 때문이다.
이와 같이 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기함으로써 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 가압된 상태가 된다. 흡인배기는 엔벌로프(40) 내부와 가열로 내부의 압력차에 의해서 봉입부착재가 압축되어, 2매의 전면 패널과 배면 패널이 접근하여 전면 패널과 격벽이 접촉하는 정도이면 되므로 약간 흡인배기(예를 들어, 0.08MPa 정도)하는 것 만으로 충분하다.
양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 가압되면 상기한 바와 같이 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)은 전체적으로 밀착된 상태가 된다. 그리고 이 상태에서 온도를 내리면 봉입부착재가 연화점 이하의 온도가 되어 경화함으로써 엔벌로프(40)의 봉입부착이 이루어진다. 따라서 봉입부착후의 엔벌로프(40)에 있어서는 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 밀착된 상태가 유지되게 된다.
이어서 실온 정도까지 냉각한 후, 엔벌로프(40)에 부착된 게터관(74)의단부(74c)를 파단하여, 입자형상의 게터(76)를 엔벌로프(40)의 내부공간의 크기에 따른 양을 투입하고, 단부(74c)를 막아 게터(76)를 게터수납공간(74b)에 수납한다. 투입하는 게터(76)에는 가열에 의해 표면이 활성화되어 불순물 가스를 비가역적으로 화학 흡착하는 것을 이용할 수 있다. 그리고 이 경우 다음 공정인 진공배기공정의 배기 베이킹온도에서 활성화시켜지는 것이 바람직하다.
다음으로, 엔벌로프(40) 내를 다시 진공으로 배기한 후 가열로(71) 내의 온도를 봉입부착재층의 연화점보다 낮은 온도(배기 베이킹온도)로 가열(베이킹)을 시작한다.
배기 베이킹온도는 봉입부착재의 연화점보다 낮은 온도(봉입부착재에 금속을 이용하는 경우에는 금속의 융점보다도 낮은 온도)인 것은 물론이다. 그리고 여기에서는 게터(76)를 활성화시키고 엔벌로프(40)의 내벽면에 흡착한 흡착수를 효과적으로 이탈시키는 정도의 온도(예를 들어, 350℃ 정도)로 한다.
배기 베이킹온도로 온도를 상승시키는 중에 게터(76)의 활성온도에 도달하면 게터(76)의 입자 표면에 물, 탄산가스, 질소, 산소 등의 불순물 가스가 흡착되고, 점점 게터(76)의 입자구멍 내에 수용된다. 이것은 불순물 가스가 게터(76)에 수용된 결과, 엔벌로프(40)의 내부공간과 게터(76)가 수납된 수납공간(74b) 사이에 압력구배(가스농도구배)가 생기기 때문이다.
다음으로, 배기 베이킹온도를 유지한 상태에서 개폐밸브(72h)를 적절히 열고, 터보분자 펌프(72b) 및 로터리 펌프(72c)를 작동시켜 엔벌로프(40) 내를 다시 흡인하고, 그 후 배관선택밸브(72g)에서 배관(72f3)을 선택하고, 개폐밸브(72i)를열어 방전가스를 엔벌로프(40) 내에 소정압(예를 들어, 0.05MPa)으로 도입한다. 방전가스를 충전한 후 소정시간(5분에서 10분) 그대로의 압력을 유지하는 것이 더욱 바람직하다. 이것은 엔벌로프(40) 내의 격벽 사이의 컨덕턴스가 작기 때문에 평형압에 도달할 때까지 시간이 필요하기 때문이다.
그리고 다음으로 방전가스 도입을 멈추고, 엔벌로프 내의 방전가스를 흡인배출시키고 엔벌로프(40) 내를 다시 진공상태로 한다.
이러한 진공배기·방전가스 도입·진공배기라는 처리는 통상은 1회로도 충분하지만, 반복하면 엔벌로프(40) 내의 불순물 가스를 더욱 저농도로 할 수 있다.
이와 같이 엔벌로프(40) 내에 도입되는 가스는 방전가스가 아니더라도 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스이면 된다. 또 이 가스가 건조가스이면 형광체의 특성열화를 억제할 수 있기 때문에 더욱 바람직하다.
일단 진공으로 한 후, 엔벌로프(40) 내에 도입하는 가스압은 1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr)부터 엔벌로프(40)가 파괴되지 않는 압력이면 되고, 대기압보다 낮은 쪽이 바람직하다.
다음으로, 봉입공정에서는 엔벌로프(40)의 내부공간에 방전가스를 소정의 봉입압력(예를 들어 0.067MPa)이 되도록 공급한다. 그리고 접속관(73) 및 게터관(74)의 접속부분을 버너나 히터로 용융하여 막으므로써(chip off) 통기공(21a) 및 통기공(21b)을 봉입한다.
〔본 실시예의 제조방법에 의한 효과에 대하여〕
종래와 같이 엔벌로프(40)의 내외 압력차를 두지 않고 바깥둘레부를 클립 등으로 조이는 경우, 엔벌로프(40)의 중앙부를 누르지 않기 때문에 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적 또는 부분적으로 분리된 상태로 봉입부착되기 쉬운데 대하여, 상기한 바와 같이, 엔벌로프(40)는 그 내부 및 외부의 압력차에 의해 양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 눌려진 상태로 봉입부착재층(41)이 경화되어 봉입부착되므로 격벽 정상부와 전면 패널(10)의 빈틈이 거의 없는 상태로 봉입부착이 이루어진다.
따라서 본 실시예의 제조방법에 의하면, PDP 구동시의 진동이 발생되기 어렵고, 또한 표시품위가 양호한 PDP를 용이하게 제작할 수 있다.
이러한 효과를 얻기 위해서는 적어도 연화된 봉입부착재층(41)이 경화되는 시점에서는 흡입배기계통을 작동시켜 엔벌로프(40)의 내외 압력차가 생긴 상태로 할 필요는 있지만, 봉입부착공정의 시작부터 끝까지 연속적으로 흡인할 필요는 없다. 예를 들어, 봉입부착재층(41)이 연화된 후에 흡인 동작을 시작하더라도 양 패널(10, 20)의 내외 압력차에 의한 효과를 충분히 얻을 수 있다.
또 상기 진공배기공정에 의해 엔벌로프(40) 내의 불순물 가스농도를 신속하게(단시간에) 낮은 농도까지 제거하는 것이 가능해진다.
이것은 1)대량의 방전가스 충전에 의한 불순물 가스의 희석효과, 2) 가스충전 및 재배기시의 점성류에 의해 잔류불순물 가스가 엔벌로프(40) 외부로 배출되는 효과 및, 3) 배기 베이킹시에 가열됨으로써 고온이 된 방전가스 분자가 형광체나 보호층 등의 엔벌로프(40)의 내벽면에 충돌함으로써 흡착가스를 이탈시키는 효과등에 의한 것이다. 제 3의 이유에서 보면, 배기공정에서 엔벌로프 내에 도입하는 방전가스(세정가스)에는 미리 가열한 것을 이용하는 것이 바람직하다.
또 본 실시예에서는 배기 베이킹온도까지 온도를 높히는 단계에서, 게터에 의해 엔벌로프(40) 내의 불순물 가스를 제거하는 공정을 포함하고 있기 때문에 진공배기·방전가스 충전·진공배기라는 공정뿐인 제 1 실시예의 제조방법에 비하여, 보다 신속하고 보다 낮은 농도로 불순물 가스를 엔벌로프(40) 내에서 제거할 수 있다.
〈실시예 3〉
다음으로, 상기 제 2 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하는 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명한다.
본 실시예에서는 도 4 및 도 5에 도시된 각 프로파일에 따라 PDP를 제작하였다. 게터(76)는 봉입을 행하여 일단 실온까지 온도를 낮춘 단계에서 게터관(74)에 수납하고, 게터에는 활성화온도가 280℃인 바나듐, 티탄, 철계 합금입자를 이용하였다.
종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.
이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부로부터의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5에서 10V 정도 낮아지고, 방전전류가 수%에서 10% 정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도로 향상되었다.
실시예 1과 비교하면, 실시예 3에 의한 제조방법에서는 에이징공정(에이징공정이란 방전가스 봉입공정후, 패널특성을 안정화시키기 위한 공정) 후의 특성의 열화가 약간 적고, 효율도 수% 정도로 양호하였다.
(제 3 실시예)
본 실시예에서는 봉입부착공정에서의 방법이 상기 제 1 실시예에서의 그것과 다른 것 외에는 모두 같다.
우선 가열로(51) 내를 가열하여, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도(예를 들어 450℃)까지 온도를 높히고, 봉입부착온도로 소정시간동안 유지한 후, 다시 연화점 온도 이하로 온도를 내림으로써 양 패널(10, 20) 사이를 봉입부착하지만, 봉입부착온도로 온도를 높힐 때에는 가스도입계통을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 건조가스를 도입하면서 온도를 높힌다. 또 여기에서는 상기 가스봄베(52a)에 충전하는 방전가스를 건조시킨 것을 건조 가스로서 이용한다. 이 외에도 건조공기, 건조 질소가스, 건조 아르곤가스, 건조 네온가스(대개 건조 희가스) 등을 이용할 수 있다. 그리고 봉입부착온도까지 가열되면 봉입부착재가 연화함으로써 엔벌로프(40)의 바깥둘레부가 기밀하게 되므로 엔벌로프(40) 내의 내압이 상승한다. 이것을 모니터하여 방전가스의 도입을 정지한다.
또 건조가스의 유량은 봉입부착재가 연화되어 기밀봉입된 시점에서, 엔벌로프(40)내에 건조가스가 흐르더라도 급격한 압력상승이 발생되어 엔벌로프(40)를 구성하는 유리기판이 파손되지 않을 정도로 물론 제한될 것이다.
이와 같이, 봉입부착온도에 도달하기까지의 기간에 엔벌로프(40) 내에 건조가스를 유통시키기 때문에 봉입부착재가 연화함으로써 엔벌로프(40)의 바깥둘레부가 기밀하게 된 단계에서는 엔벌로프(40) 내에는 건조가스가 충전되어 있다. 그리고 건조가스가 충전되어 있는 상태로 봉입부착온도를 소정시간 유지한다. 이 봉입부착조건은 유리기판재료와 봉입부착재의 적합성에 의해 결정되지만, 저융점 유리를 이용하는 경우에는 약 450℃에서 10∼20분 정도이다.
이와 같이 건조가스를 내부공간에 충전한 상태로 봉입부착함으로써 형광체의 열에 대한 열화가 방지된다.
또 건조가스가 충전되어 있는 상태로 봉입부착온도를 소정시간 유지하는 동시에, 터보분자 펌프(53b)에서 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면서 봉입부착한다. 또 터보분자 펌프(53b)를 작동시킬 때에는 로터리 펌프(53c)를 동시에 작동시켜 터보분자 펌프(53b) 내의 배압을 내린다.
배기는 가열로(51) 내부가 봉입부착재의 연화온도에 도달한 후에 시작하는 것이 바람직하다. 봉입부착재의 연화온도에 도달할 때까지는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부의 기밀성이 그다지 없으므로 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기하더라도 그 내부를 높은 진공도로 할 수 없지만, 봉입부착재가 연화된 후에는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부가 기밀 봉입되는 동시에, 접착재층(56a)도 연화되어 접속관(56)과 통기공(21b)의 접속부분도 기밀 봉입되므로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면 높은 진공도(1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr 정도))로 감압되기 때문이다.
이와 같이 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기함으로써 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 가압된 상태가 된다. 흡인배기는 엔벌로프(40) 내부와 가열로 내부의 압력차에 의해 봉입부착재가 압축되어, 2장의 전면 패널과 배면 패널이 접근하여 전면 패널과 격벽이 접촉하는 정도이면 되므로 약간 흡인배기하는(예를 들어, 0.08 MPa 정도) 것 만으로 충분하다.
양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 가압되면 도 3에 도시된 바와 같이, 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)은 전체적으로 밀착된 상태가 된다. 그리고 이 상태로 온도를 낮추면 봉입부착재가 연화점 이하의 온도가 되어 경화함으로써 엔벌로프(40)의 봉입부착이 이루어진다. 따라서 봉입부착후의 엔벌로프(40)에서는 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 밀착된 상태가 유지되어 있게 된다.
또 상기 봉입부착공정에서, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도로 단숨에 온도가 상승하는 것은 아니고, 봉입부착온도보다 낮은 온도로 일정시간, 예를 들어 350℃ 정도에서 30분 정도 가열하여 바인더재를 번 아웃해 두면 형광체의 열화를 억제하는 데에 효과적이다.
그 후 제 1 실시예와 같은 진공배기공정·봉입부착공정·봉입공정을 거쳐 PDP가 완성된다.
〈실시예 4〉
다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하는 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
본 실시예에서는 도 4 및 도 5에 도시된 각 프로파일에 따라 PDP를 제작하였다.
우선 봉입부착공정에서 봉입부착온도 450℃까지 2시간에서 3시간에 걸쳐 오도를 상승시키고, 이 온도를 20분 정도 유지한다. 동시에 봉입부착온도에 도달하기까지의 사이에 건조 가스를 가스도입계통을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 유통시킨다.
다음으로, 봉입부착온도가 450℃에 도달하면 매니폴드의 압력을, 가스도입계통의 작동을 정지시켜, 0.05MPa 정도로 감압하고, 이 압력을 유지한다.
그리고 감압상태를 유지한 채로 2시간에서 3시간에 걸쳐 실온으로 온도를 하강시킨다.
이 단계에서는 전면 패널과 배면 패널이 완전히 봉입부착 완료되어 있지만, 온도저하와 함께 매니폴드 내의 압력을 감시해 두면 봉입부착의 결함을 알 수 있어, 봉입부착불량발생에 대하여 빠른 제조단계에서 대처할 수 있고, 비용절감에 도움이 된다. 매니폴드 내의 압력은 봉입부착이 정상적으로 행해지면 서서히 감소되지만, 그렇지 않으면 가열로 내에 가스가 누설되므로 비교적 빠른 속도로 감소된다.
다음으로, 도 5로 가서 다시 흡인배기를 계속하여 매니폴드(53a) 내의 압력이 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후 가열을 시작하여 2시간에서 3시간에 걸쳐 배기 베이킹온도(350℃)까지 가열한다. 그리고 배기 베이킹온도에 도달하면 다시 흡인배기를 시작한다. 가열승온시에 매니폴드 내에 유입된 가스를 배기한다. 흡인배기를 재개할 때에는 접속관 내벽이나 엔벌로프(40) 내벽으로부터의 탈가스에 의해 매니폴드(53a) 내의 압력이 도 5의 부호 60으로 나타낸 바와 같이 상승하고 있지만, 흡인배기를 재개함으로써 감소로 전환된다.
그리고 매니폴드(53a) 내의 압력이 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 단계에서, 흡인배기계통(53)의 작동을 정지하고, 가스도입계통(52)을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 방전가스를 0.05MPa 정도 충전하고 이 압력을 5분에서 10분 정도 유지한다.
그 후 냉각시키면서 엔벌로프(40) 내의 가스를 흡인배기를 재개하고, 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후, 가스도입계통(52)에 의해 방전가스를 엔벌로프(40) 내에 0.067MPa 정도 충전한다.
종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.
이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부에서의잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전시작전압도 약 5V에서 10V 정도 낮아지고, 방전전류가 수%에서 10% 정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도로 향상되었다.
또 상기한 바와 같이 하여 건조가스를 유통시킨 후에 봉입부착한 PDP와, 종래와 같이 건조가스를 유통시키는 일 없이 대기(大氣)존재 하에서 봉입부착한 PDP 형광체의 발광강도(휘도/색도 좌표의 y값)가 개선되는데, 패널을 파괴하여 Xe-엑시머램프(파장 173nm)를 조사하여 비교 평가하면, 특히 청색형광체의 발광강도가 약 10% 정도 개선되어 있었다. 건조 가스는 비반응성이면 똑같이 개선효과가 인정되었지만, 특히 건조공기가 우수하였다.
〈실시예 5〉
다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하는 다른 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
본 실시예에서는, 도 6에 도시된 프로파일에 따라 PDP를 제작하였다.
우선, 봉입부착공정에서 봉입부착온도 450℃까지 2시간에서 3시간에 걸쳐 승온하고, 이 온도를 20분 정도 유지한다. 동시에 봉입부착온도에 도달하기까지의 사이에 건조 가스를 가스도입계통을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 유통시킨다.
다음으로, 봉입부착온도 450℃에 도달하면 매니폴드의 압력을 가스도입계통의 작동을 정지시키고, 0.05MPa 정도로 감압하여 이 압력을 유지한다.
그리고 감압상태를 유지한 채로 2시간에서 3시간에 걸쳐 30분 정도 걸쳐 배기 베이킹온도(350℃)까지 온도를 하강시킨다.
이 단계에서는 전면 패널과 배면 패널이 완전히 봉입부착 완료되어 있지만, 온도저하와 함께 매니폴드 내의 압력을 감시해 두면 봉입부착의 결함을 알 수 있어 봉입부착불량 발생에 대하여 제조단계가 빠른 단계에서 대처할 수 있고, 비용절감에 도움이 된다. 매니폴드 내의 압력은 봉입부착이 정상으로 행해지면 점차로 서서히 감소되지만 그렇지 않으면, 가열로 내에 가스가 누설되므로 비교적 빠른 속도로 감소한다.
다음으로 배기 베이킹온도로 온도가 하강된 후 흡인배기를 계속하고 매니폴드 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도까지 흡인배기한다. 다음으로 흡인배기계통(53)의 작동을 정지하여, 가스도입계통(52)을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 방전가스를 0.05MPa 정도로 충전하고 이 압력을 5분에서 10분 정도 유지한다.
그 후, 냉각시키면서 엔벌로프(40) 내의 가스의 흡인배기를 재개하고, 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후 가스도입계통에 의해 방전가스를 엔벌로프(40) 내에 0.067MPa 정도로 충전한다.
종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.
이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부로부터의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5V에서 10V 정도로 낮아지고, 방전전류가 수%에서 10% 정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도로 향상되었다.
실시예 4와 비교하면, 실시예 5에 의한 제조방법에서는 엔벌로프(40)의 봉입시로부터 냉각까지의 시간과 배기 베이킹을 위한 실온으로부터 배기 베이킹온도까지의 가열시간을 단축할 수 있다는 효과가 있다. 또 형광체의 열화 정도도 수% 정도로 실시예 4에 비하여 적고, 약간 우수하였다.
(제 4 실시예)
본 실시예에서는, 봉입부착공정에서의 방법이 상기 제 2 실시예에서의 그것과 다른 것 외에는 모두 같다.
우선 가열로(71) 내부를 가열하여, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도(예를 들어 450℃)까지 온도를 상승시키고, 봉입부착온도로 소정시간 유지한 후 다시 연화점 온도 이하로 온도를 하강함으로써 양 패널(10, 20) 사이를 봉입부착하지만, 봉입부착온도로 온도를 상승시킬 때에는 가스도입계통을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 건조가스를 도입하면서 온도를 높힌다. 또 여기에서는 상기 가스봄베(72d)에 충전하는 방전가스를 건조시킨 것을 건조가스로서 이용한다. 그 외에도 건조공기, 건조 질소가스, 건조 아르곤가스, 건조 네온가스(대개 건조 희가스) 등을 이용할 수 있다. 그리고 봉입부착온도까지 가열되면 봉입부착재가 연화함으로써 엔벌로프(40)의 바깥둘레부가 기밀하게 되므로 엔벌로프(40) 내의 내압이 상승한다. 이것을 모니터하여, 방전가스의 도입을 정지한다.
또 건조가스의 유량은 봉입부착재가 연화되어 기밀 봉입된 시점에서 엔벌로프(40) 내에 건조가스가 흐르더라도, 급격한 압력상승이 발생되어 엔벌로프(40)를 구성하는 유리기판이 파손하지 않을 정도로 물론 제한될 것이다.
이와 같이, 봉입부착 온도에 도달하기까지의 기간에 엔벌로프(40) 내에 건조가스를 유통시키기 때문에 봉입부착재가 연화함으로써 엔벌로프(40)의 바깥둘레부가 기밀하게 된 단계에서는 엔벌로프(40) 내에 건조가스가 충전되어 있다. 그리고 건조가스가 충전되어 있는 상태로 봉입부착온도를 소정시간동안 유지한다. 이 봉입부착조건은 유리기판재료와 봉입부착재의 적합성에 의해 결정되지만, 저융점 유리를 이용하는 경우에는, 약 450℃에서 10∼20분 정도이다.
이와 같이 건조 가스를 내부공간에 충전한 상태로 봉입함으로써, 형광체의 열에 대한 열화가 방지된다.
또 건조가스가 충전되어 있는 상태로 봉입부착온도를 소정시간 유지하는 동시에, 터보분자 펌프(72b)로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면서 봉입한다. 또 터보분자 펌프(72b)를 작동시킬 때에는 로터리 펌프(72c)를 동시에 작동시켜 터보분자 펌프(72b) 내의 배압을 내린다.
배기는 가열로(71) 내부가 봉입부착재의 연화온도에 도달한 후에 시작하는 것이 바람직하다. 봉입부착재의 연화온도에 도달할 때까지는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부의 기밀성이 그다지 없으므로 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기하더라도 그 내부를 높은 진공도로 할 수 없지만, 봉입부착재가 연화된 후에는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부가 기밀 봉입되는 동시에, 접착재층(73a)도 연화되어 접속관(73)과 통기공(21a)의 접속부분도 기밀 봉입되므로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면 높은 진공도(1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr 정도))로 감압되기 때문이다.
이와 같이 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기함으로써 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 가압된 상태가 된다. 흡인배기는 엔벌로프(40) 내와 가열로 내의 압력차에 의해서 봉입부착재가 압축되어, 2장의 전면 패널과 배면 패널이 접근하여 전면 패널과 격벽이 접촉하는 정도이면 되므로 약간 흡인배기하는(예를 들어, 0.08 MPa 정도) 것 만으로 충분하다.
양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 가압되면 도 3에 도시된 바와 같이 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)은 전체적으로 밀착된 상태가 된다. 그리고 이 상태에서 온도를 내리면 봉입부착재가 연화점 이하의 온도가 되어 경화함으로써 엔벌로프(40)의 봉입부착이 이루어진다. 따라서 봉입부착 후의 엔벌로프(40)에서는 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 밀착된 상태가 유지되어 있게 된다.
또 상기 봉입부착공정에서, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도로 단숨에 승온하는 것은 아니고, 봉입부착온도보다 낮은 온도로 일정시간, 예를 들어 350℃ 정도로 30분 정도 가열하여 바인더재를 번 아웃해 두면 형광체의 열화를 억제하는 데에 효과적이다.
그 후 제 1 실시예와 마찬가지의 진공배기공정ㆍ봉입부착공정ㆍ봉입공정을거쳐 PDP가 완성된다.
〈실시예 6〉
다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하여 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
본 실시예에서는 실시예 4와 같은 온도·압력 프로파일에 따라서 PDP를 제작하였다. 게터(76)는 봉입하여 일단 실온에까지 강온된 단계에서 게터관(74)에 수납하고, 게터에는 활성화온도가 280℃인 바나듐, 티탄, 철계 합금입자를 이용하였다.
종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.
이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부에서의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5V에서 10V 정도 낮아지고, 방전전류가 수%에서 10% 정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도로 향상되었다.
또 상기한 바와 같이 하여 건조가스를 유통시킨 후에 봉입부착한 PDP와, 종래와 같이 건조가스를 유통시키는 일 없이 대기존재 하에서 봉입부착한 PDP 형광체의 발광강도(휘도/색도 좌표의 y값)가 개선되는데, 패널을 파괴하여 Xe 엑시머램프(파장 173nm)를 조사하여 비교평가하면, 특히 청색형광체의 발광강도가약 10% 정도 개선되어 있었다. 건조가스는 비반응성인 것이 똑같이 개선효과가 인정되었지만, 특히 건조공기가 우수하였다.
또 상기 각 실시예에서는 봉입부착공정 및 배기공정을 같은 장치에서 행하였지만, 이것에 한정되지 않고 봉입부착공정과 배기공정을 별개의 장치에서 행할 수도 있다.
또 봉입부착공정에서는 엔벌로프 전체를 가열하는 것은 아니고, 봉입부착부분에 레이저 광선 등의 열원을 선택적으로 조사하고, 그 부분을 선택적으로 가열하여 봉입할 수 있다. 이 경우, 형광체는 직접 가열되지 않기 때문에 건조가스를 방전공간 내에 도입하지 않더라도 봉입부착공정에 수반되는 형광체의 열에 대한 열화는 그다지 생기지 않을 것으로 예상된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 상기 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부 끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법으로서, 상기 배기단계는, 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프의 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 충전하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프의 내부를 진공배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 상기 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향 배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법으로서, 상기 배기단계는 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 유통시키면서 엔벌로프의 내부를 배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이들의 제조방법에 의하면, 종래와 같이 단순히 엔벌로프의 내부를 배기할 뿐만아니라 상기한 바와 같이 세정가스를 충전하고나서 또는 유통시키면서 이것을 배기하므로 종래의 제조방법에 비하여 엔벌로프 내의 불순물 가스농도를 신속히(단시간에) 저농도까지 제거할 수 있다. 이러한 효과는 가스방전패널이 고정밀한 것일수록 유효하다. 왜냐하면 일반적으로 고정밀한 것일수록 불순물 가스의 농도를 저감시키는 데에 시간이 걸리기 때문이다.
또 세정가스를 충전하고 나서 배기하는 경우에는 충전 직후에 배기하는 것보다 잠시 시간을 두고 배기하도록 하는 편이 바람직하다.
여기에서, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것으로 할 수 있다. 또 봉입부착재로서는 납합금을 이용할 수도 있다.
이로 인하여 엔벌로프는 내외의 압력차에 의해 양 기판이 외측으로부터 균일하게 눌려진 상태로 봉입부착재가 경화되어 봉입부착되므로 격벽 정상부와 이것과 대향하는 기판과의 틈이 거의 없는 상태에서 봉입부착이 이루어진다.
여기에서, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프의 내부와 연통시킨 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것으로 할 수 있다.
이로 인하여 더욱 신속하게 불순물 가스를 엔벌로프 내로부터 제거할 수 있게 된다.
여기에서, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것으로 할 수 있다. 또 상기한 바와 같이 게터를 이용하는 경우에는 그 활성화 온도가 상기 배기단계에서의 가열온도의 범위 내에 들어가는 것으로 하는 것이 바람직하다.
이로 인하여 보다 신속하게 엔벌로프 내부로부터 외부로 불순물을 제거할 수 있게 된다.
여기에서, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은, 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각으로 할 수 있다.
이로 인하여 일단 실온부근까지 냉각하고 나서 배기 베이킹온도까지 다시 가열하는 공정을 거치지 않는 만큼 다음 배기단계로 빨리 이행할 수 있게 된다.
여기에서, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 건조가스를 엔벌로프의 내부에 유통시키면서 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도까지 가열하는 서브단계와, 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 서브단계를 포함하는 것으로 할 수 있다.
이로 인하여 봉입부착단계를 엔벌로프 내부에 건조가스를 충전한 상태에서 행하게 되므로 형광체의 열에 대한 열화를 억제할 수 있다.
여기에서, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프의 봉입부착부를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것으로 할 수 있다.
여기에서, 상기 세정가스에는 방전가스를 이용하는 것이 가장 바람직하다.
이것은 배기 단계 후에 행하는 봉입단계에서 봉입되는 방전가스에 대하여 세정가스가 불순물 가스가 될 가능성이 전혀 없기 때문이다.
여기에서, 상기 방전가스에는 희가스를 이용할 수 있다.
여기에서, 상기 희가스는 헬륨, 네온, 아르곤 및 크세논 중 어느 하나를 적어도 포함하는 것으로 할 수 있다.
여기에서, 상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 가스방전패널의 제조방법은, 텔레비전, 컴퓨터의 모니터 등의 화상표시로서 이용되는 PDP 등을 제조하는 경우에 이용할 수 있다.

Claims (47)

  1. 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 상기 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와,
    그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정 가스를 충전하는 서브단계와,
    그 후 엔벌로프 내부를 진공배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  2. 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 상기 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향 배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입부착하는 봉입부착단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와,
    그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 유통시키면서 엔벌로프 내부를 배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판의 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다도 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다도 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  10. 제 2항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  11. 제 3항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  12. 제 4항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  13. 제 5항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  14. 제 6항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  15. 제 7항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  16. 제 8항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  17. 제 3항에 있어서,
    상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  18. 제 4항에 있어서,
    상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  19. 제 11항에 있어서,
    상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  20. 제 12항에 있어서,
    상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  21. 제 1항에 있어서,
    상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 건조 가스를 엔벌로프의 내부에 유통시키면서 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도까지 가열하는 서브단계와, 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  22. 제 2항에 있어서,
    상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 건조 가스를 엔벌로프 내부에 유통시키면서 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도까지 가열하는 서브단계와, 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  23. 제 21항에 있어서,
    상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  24. 제 22항에 있어서,
    상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프의 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  25. 제 21항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  26. 제 22항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  27. 제 23항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  28. 제 24항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  29. 제 21항에 있어서,
    상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  30. 제 22항에 있어서,
    상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  31. 제 25항에 있어서,
    상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  32. 제 26항에 있어서,
    상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  33. 제 1항에 있어서,
    상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프의 봉입부착부를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  34. 제 2항에 있어서,
    상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프의 봉입부착부를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  35. 제 33항에 있어서,
    상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  36. 제 34항에 있어서,
    상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  37. 제 33항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  38. 제 34항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  39. 제 35항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  40. 제 36항에 있어서,
    상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  41. 제 1항 내지 제 40항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정가스는 방전가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  42. 제 41항에 있어서,
    상기 방전가스는 희가스로 된 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  43. 제 42항에 있어서,
    상기 희가스는 헬륨, 네온, 아르곤 및 크세논 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  44. 제 1항 내지 제 40항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  45. 제 41항에 있어서,
    상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  46. 제 42항에 있어서,
    상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
  47. 제 43항에 있어서,
    상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.
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