KR20010083893A - 세라믹 히터 - Google Patents

세라믹 히터 Download PDF

Info

Publication number
KR20010083893A
KR20010083893A KR1020017004473A KR20017004473A KR20010083893A KR 20010083893 A KR20010083893 A KR 20010083893A KR 1020017004473 A KR1020017004473 A KR 1020017004473A KR 20017004473 A KR20017004473 A KR 20017004473A KR 20010083893 A KR20010083893 A KR 20010083893A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resistance heating
ceramic
pattern
heating body
heater
Prior art date
Application number
KR1020017004473A
Other languages
English (en)
Inventor
이토야스타카
후루카와마사카즈
Original Assignee
엔도 마사루
이비덴 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26527346&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20010083893(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 엔도 마사루, 이비덴 가부시키가이샤 filed Critical 엔도 마사루
Publication of KR20010083893A publication Critical patent/KR20010083893A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/18—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being embedded in an insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 목적은, 반도체 웨이퍼 등의 가열 대상물을 전체적으로 균일하게 가열할 수 있는 세라믹 히터를 제공하는 데에 있다. 본 발명의 세라믹 히터는, 원판 형상의 질화물 세라믹 기판의 표면 또는 내부에 발열체를 설치하는 세라믹 히터에 있어서, 상기 발열체는, 동심원 형상 또는 나선 형상의 패턴과, 굴곡선의 반복 패턴의 발열체가 혼성하여 형성되는 것을 특징으로 한다.

Description

세라믹 히터{CERAMIC HEATER}
반도체 제품은, 반도체 웨이퍼 상에 감광성 수지를 에칭 레지스트로서 형성하여, 반도체 웨이퍼의 에칭을 행하는 공정 등을 통해 제조된다.
이 감광성 수지는 액상이며, 스핀 코우터(spin coater) 등을 이용하여 반도체 웨이퍼 표면에 도포된다. 도포후에 용제 등을 비산(飛散)시키기 위해 수지를 건조하여야 한다. 이와 같이 도포된 반도체 웨이퍼는 히터에 놓여져 가열된다.
지금까지 금속제의 히터는 이런 목적으로 사용되고, 알루미늄판의 뒷면에 저항발열체를 배치한 것이 채용되고 있다.
그러나, 이와 같은 금속제 히터는, 이하와 같은 문제가 있었다.
우선, 히터가 금속제이기 때문에, 히터판의 두께는 약 15 mm 정도로 두껍게 하여야 한다. 왜냐하면, 얇은 금속판에는, 가열에 기인하는 열팽창에 의해, 가령, 굽힘, 변형이 발생하여, 금속판 상에 놓여진 반도체 웨이퍼가 파손되거나 경사지기 때문이다. 그러나, 히터판의 두께를 두껍게 하면, 히터의 중량이 무겁게 되고, 또, 부피가 커지는 문제가 있었다.
또, 저항발열체에 인가되는 전압이나 전류량을 변하시키는 것에 의해, 가열온도를 제어한다. 그러나, 금속판이 두껍기 때문에, 전압이나 전류량의 변화에 대해 히터판의 온도가 신속히 추종하지 않게 된다. 이처럼, 온도 제어가 어렵게 되는 문제도 있었다.
그래서, 일본국 특개평 9-306642호 공보, 특개평 4-324276호 공보 등에 기재된 바와 같이, 기판으로서, 열전도율이 높고, 강도도 큰 비산화물 세라믹인 질화알루미늄을 사용하고, 이 질화 알루미늄 기판의 표면 또는 내부에 저항발열체가 형성된 세라믹 히터가 제안되고 있다.
도 5는, 종래 세라믹 히터를 모식적으로 도시한 저면도이다.
이 세라믹 히터(30)에는, 저항발열체(32)가 히터판(31)의 바닥면에, 도 5에 도시한 바와 같이 동심원 패턴으로 형성되어 있다. 또, 참조번호(33)는 저항 발열체(32)의 단부에 접합된 전원 등과 접속하기 위한 외부 단자이다. 반도체 웨이퍼를 가열하는 면(이하, 웨이퍼 가열면 이라 함)은, 저항발열체(32)가 배치된 면과 반대측의 면이다. 또, 저항발열체(32)는, 나선형으로 형성될 수도 있다.
본 발명은 반도체 산업에서 사용되는 세라믹 히터에 관한 것이다.
도 1은, 본 발명의 세라믹 히터의 일례를 모식적으로 도시하는 저면도이다.
도 2는, 도 1에 도시한 세라믹 히터의 일부를 모식적으로 부분 확대한 단면도이다.
도 3은, 본 발명에 따른 세라믹 히터로서, 히터판의 내부에 저항발열체가 형성된 것의 일부를 모식적으로 도시하는 부분 확대 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 세라믹 히터에 있어서 저항발열체 패턴의 다른 일례를 모식적으로 도시하는 저면도이다.
도 5는, 종래의 세라믹 히터를 모식적으로 도시하는 저면도이다.
도 6은, 종래의 세라믹 히터의 열전도의 형태를 도시하는 모식도이다.
도 7은, 나선 형상의 저항발열체의 패턴을 인쇄하는 방법을 도시하는 설명도이다.
도 8은, 굴곡형상의 저항발열체의 패턴을 인쇄하는 방법을 도시하는 설명도이다.
도 9는, 부분 굴곡 패턴과 나선 패턴이 혼성된 저항발열체의 패턴을 도시하는 저면도이다.
부호의 설명
10, 20 : 세라믹 히터
11, 61 : 히터판
11a : 바닥면
11b : 웨이퍼 가열면
12a, 12b, 22a, 22b, 22c, 22d : 저항발열체
42, 52, 62a, 62b, 62c, 62d, 72 : 저항발열체
13, 73 : 외부단자
14, 74 : 바닥구멍
15, 75 : 관통공
16 : 리프터 핀(lifter pin)
17 : 금속피복층
19 : 반도체 웨이퍼
76 : 도금 관통공
그러나, 이와 같은 동심원 형상 또는 나선 형상의 패턴으로 저항발열체(32)가 형성된 세라믹 히터(30)를 이용하여, 반도체 웨이퍼 등을 가열하고자 하는 경우, 저항발열체 패턴의 밀도가 전체적으로 균일해도, 웨이퍼 가열면 전체의 온도가 균일하지 않게 된다. 그 결과, 가열된 반도체 웨이퍼에 중심 부분과 외주 부분 사이에서 온도 차가 발생하는 문제가 있었다.
상기 문제점에 관해, 도 6을 이용하여 설명한다. 열이 동심원의 저항발열체에서 히터판으로 동심원으로 전달되는 경우, 작은 원을 이루는 저항발열체(11)로부터의 열전달영역 보다도 큰 원을 이루는 저항발열체(12)로부터의 열전달영역이 크게 된다. 그 결과, 히터판 표면 온도를 균일하게 하기 위해 필요한 열량은 저항발열체(11) 보다도 저항발열체(12) 쪽이 크게 된다.
이 때문에, 동일 패턴으로 저항발열체를 형성하고, 동일 전력을 인가한 경우에는, 가열 대상물에 온도의 불균일이 발생할 우려가 있다.
따라서, 중심 부분과 외주부분에 따라 인가 전력을 변경할 필요가 있지만, 미묘한 제어를 수행하기가 곤란하다.
본 발명자는, 이와 같은 종래 기술의 문제에 관해서 예의 검토한 결과, 열의 전달방향을 히터판의 직경방향 뿐 아니라, 임의방향으로 히터판의 온도를 균일하게 할 수 있다는 것을 안출하였다.
또, 본 발명자는 다음의 사실을 발견하였다. 저항발열체가 인쇄로 형성되기 때문에, 동심원이나 나선형 패턴에서는 다음의 두 형태, 즉 인쇄방향과 저항발열체의 형성방향이 서로에 대해 거의 수직을 이루는 부분과 두 방향이 서로에 대해 평행을 이루는 부분이 발생한다. 이처럼, 인쇄방향에 수직한 부분과 평행한 부분 사이에는 저항발열체의 두께가 변하므로, 그 저항치가 변하게 된다. 그 결과, 온도 산포(temperature-dispertion)가 발생하게 된다. 또, 이 사실은 상기 문제점의 원인이라고 알았다.
예컨대, 도 7에 도시한 저항발열체(42)에는, 인쇄방향과 저항발열체의 형성방향이 서로에 대해 거의 수직인 영역(A)의 패턴에는, 저항발열체의 두께가 두껍고, 한편, 인쇄방향과 저항발열체의 형성방향이 거의 평행하게 형성하는 영역(B)의 패턴에는, 저항발열체의 두께가 얇게 되는 경향이 있다.
따라서, 영역(A)에는 저항치가 낮고, 영역(B)에는 저항치가 높게 된다.
이상의 발견으로부터, 본 발명에는, 동심원 또는 나선 형상의 패턴과, 굴곡선의 반복 패턴을 조합시켜 저항발열체를 형성하고, 구체적으로는, 원판 형상의 세라믹 기판의 내부(중심 부분)에는, 종래와 동일한 동심원 형상 등의 패턴의 저항발열체를 형성하고, 외주부분에는, 동심원형상과 다르게 하여, 굴곡선 형상의 저항발열체를 형성하는 것에 의해, 열의 전달방향을 임의로 하여, 반도체 웨이퍼 등을 전체적으로 대체로 균일하게 가열할 수 있는 것을 알고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 세라믹 히터는, 원판 형상의 세라믹 기판의 표면 또는 내부에 저항발열체를 배치하는 세라믹 히터에 있어서,
상기 저항발열체는, 동심원 형상 또는 나선 형상의 패턴과, 굴곡선을 이루는 패턴 또는 굴곡선의 반복 패턴의 저항발열체가 혼성하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 원판 형상의 세라믹 기판의 적어도 외주부분에는, 굴곡선의 반복 패턴의 저항발열체가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 세라믹 히터는, 원판 형상의 세라믹 기판의 표면 또는 내부에 저항발열체를 설치한 세라믹 히터에 있어서,
상기 저항발열체는, 동심원 형상 또는 나선 형상의 패턴과, 굴곡선을 이루는 패턴 또는 굴곡선의 반복 패턴의 저항발열체가 혼성하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 세라믹 히터에 의하면, 상기 저항발열체는, 동심원 형상 또는 나선 형상의 패턴과, 굴곡선을 이루는 패턴 또는 굴곡선의 반복 패턴의 저항발열체가 혼성하여 형성되기 때문에, 세라믹 기판의 전체에 동심원 형상 또는 나선 형상의 패턴의 저항발열체가 형성되어 있는 경우와 비교하여 외주 부분의 온도 저하를 억제할 수 있고, 웨이퍼 가열면 전체의 온도가 균일하게 되는 결과, 반도체 웨이퍼 등을 균일하게 가열할 수 있다.
도 8은, 굴곡선의 반복 패턴을 이루는 저항발열체(52)를 모식적으로 도시한 평면도이지만, 이와 같은 굴곡선을 이루는 패턴, 또는 굴곡선의 반복 패턴에서, 굴곡부분에는, 인쇄방향과 저항발열체의 형성방향이 서로에 대해 거의 수직을 이루는 부분(C)과, 서로에 대해 평행을 이루는 부분(D)이 그룹으로 발생하기 때문에, 전체적으로 발열량이 균일하게 된다. 이 때문에 저항발열체(52)의 저항치의 편차에 의해 발생하는 온도 분포도 저감시킬 수 있다.
본 발명의 세라믹 히터를 구성하는 세라믹 기판은, 질화물 세라믹 또는 탄화물 세라믹 등의 비산화물 세라믹이나, 산화물 세라믹으로 이루어지지만, 비산화물 세라믹 기판의 표면에 절연층으로서 산화물 세라믹을 형성할 수도 있다.
질화물 세라믹은 산소 고용(solid-solution) 등에 의해, 고온에서 체적 저항치가 저하하기 쉽고, 또 탄화물 세라믹은 특히 고순도로 하지 않는 한 도전성을 갖는다. 즉, 산화물 세라믹을 절연층으로 형성하는 것에 의해, 고온시 혹은 탄화물 세라믹이 불순물을 함유하고 있어도 회로 사이의 단락을 방지하여 온도 제어성을 확보할 수 있기 때문이다.
또, 비산화물 세라믹은 열전도율이 높으므로, 신속히 온도 상승, 또는 하강이 이루어지기 때문에 비산화물 세라믹이 유리하다. 한편, 비산화물 세라믹은 열전도율이 높기 때문에, 저항발열체 패턴에 기인하는 온도의 분포가 발생하기 쉽다, 따라서, 본 발명과 같은 패턴의 저항발열체를 형성하는 것에 의해, 산화물 세라믹에 비해, 보다 온도 균일화의 효과가 크고, 이처럼 본 발명의 구성이 특히 유리하다.
세라믹 기판의 가열면의 반대측면(바닥면)의 표면 조도는 Ra 로서 0.01 내지 20 ㎛, 최대 조도(Rmax)로서 0.1 내지 200 ㎛ 가 바람직하다.
상기 세라믹 기판을 구성하는 질화물 세라믹으로서는, 금속 질화물 세라믹, 예컨대, 질화알루미늄, 질화규소, 질화보론 및 질화티타늄 등이 포함된다.
또, 상기 탄화물 세라믹으로서는, 금속탄화물 세라믹, 예컨대, 탄화규소, 탄화지르코늄, 탄화티탄, 탄화탄탈 및 탄화텅스텐 등이 포함된다.
또, 세라믹 기판으로서 산화물 세라믹을 사용해도 좋고, 알루미나, 실리카, 코디에라이트(cordierite), 물라이트(mullite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia) 등을 사용할 수 있다.
상기 질화물 세라믹, 탄화물 세라믹, 산화물 세라믹은 단독으로 사용해도 좋고, 2 이상의 조합으로 사용해도 좋다.
이들 중, 질화물 세라믹이 바람직하고, 질화 알루미늄이 가장 바람직하다. 그 이유는 열전도율이 180 W/m·K 로 가장 높기 때문이다.
또, 상기 질화물 세라믹, 탄화물 세라믹 같은 비산화물 세라믹 기판은, 열전도율이 높고, 히터판의 표면 온도를 저항발열체의 온도 변화에 신속히 추종할 수 있으므로, 웨이퍼 가열면의 온도를 양호하게 제어할 수 있는 동시에, 기계적인 강도가 크기 때문에, 히터판이 비틀리지 않고, 그 위에 놓이는 반도체 웨이퍼가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 세라믹 히터의 일례를 모식적으로 도시하는 저면도이고, 도 2는 그 일부를 도시하는 부분 확대 단면도이다.
질화물 세라믹, 탄화물 세라믹, 산화물 세라믹 등으로 이루어지는 세라믹 기판(이하, 질화물 등의 세라믹 기판이라 함)으로 이루어지는 히터판(11)은, 원판 형상으로 형성되어 있고, 세라믹 기판(이하, 히터판이라 함)(11)의 웨이퍼 가열면(11b)의 전체 온도가 균일하게 되도록 가열하기 위해, 히터판(11)의 바닥면(11a)의 내부에는 동심원 형상의 패턴을 갖는 저항발열체(12a)가 형성되고, 한편, 히터판(11)의 외주 부분에는, 굴곡선의 반복 패턴을 갖는 저항 발열체(12b)가 형성되어 있다.
그리고, 내측의 저항발열체(12a)는, 서로 근접한 이중의 동심원이 한 세트로, 1개의 선으로 접속되어 있고, 그 양단에 입출력의 단자를 이루는 외부단자(13)가 금속피복층(17)을 통해 접속되어 있다. 또, 중앙에 근접한 부분에는, 반도체 웨이퍼(19)를 지지하는 지지핀(16)이 삽입되는 관통공(15)이 형성되어 있고, 또 온도측정소자를 삽입하기 위한 바닥구멍(14)이 형성되어 있다.
또, 도 1 및 도 2에 도시한 세라믹 히터(10)에 있어서, 저항발열체(12)는 히터판(11)의 바닥면에 설치되어 있지만, 도 3에 도시한 바와 같이, 저항발열체(72)가 히터판(11) 내부에 설치되어 있어도 좋다. 저항발열체(72)를 히터판(11) 내부에 설치한 경우에도, 저항발열체(12)의 패턴은, 바닥면에 설치하는 경우와 동일하게 형성한다. 또, 저항발열체(72)를 히터판(11)의 내부에 설치한 경우에는, 관통홀(76) 및 솔더물질(도시생략)을 통해 외부단자(73)가 접속된다. 또, 히터판(11)에는, 리프터 핀(16)을 관통할 수 있도록, 관통공(75)이 형성되고, 열전대 등의 온도 측정소자를 매설하기 위한 바닥구멍(74)도 형성되어 있다.
본 발명의 세라믹 히터(10)에는, 히터판의 재료로서, 질화물 등의 세라믹을 이용하지만, 이는 다음 이유에 근거한다. 세라믹은 열팽창계수가 금속 보다 작으므로, 얇아도, 가열에 의한 비틀림이나 변형되지 않기 때문에, 히터판(11)을 얇고 가볍게 할 수 있기 때문이다.
또, 히터판(11)의 열전도율이 높고, 또 히터판 자체가 얇기 때문에, 히터판(11)의 표면 온도가, 저항발열체의 온도 변화에 신속히 추종한다. 즉, 전압, 전류량을 변화하여 저항발열체의 온도를 변화시키는 것에 의해, 히터판(11)의 표면 온도를 양호하게 제어할 수 있기 때문이다.
상기 세라믹 히터의 히터판(11)의 두께는, 0.5 내지 5 mm 가 바람직하다. 두께가 0.5 mm 보다 얇으면, 강도가 저하하기 때문에 히터판이 파손되기 쉽다. 한편, 두께가 5 mm 보다 두꺼우면, 열이 전달되기 어렵게 되어, 가열의 효율이 악화된다.
도 1 및 도 2에 도시한 세라믹 히터에는, 내부에 동심원 형상의 저항발열체(12a)가 형성되어 있지만, 이 저항발열체는 나선 형상이어도 좋다.
한편, 외주부분에는, 굴곡선의 반복 패턴의 저항발열체(12b)가 형성되어 있지만, 굴곡선의 굴곡의 반복 정도는, 단위 길이 당 수가 많아도 좋다. 즉, 도 1에 도시한 저항발열체(12b)의 굴곡의 횟수가 더 많아도 좋다.
또, 도 1에는, 굴곡선을 이루는 저항발열체(12b)는, 직선에 근접한 부분이, 외주부분에 도시된 파선(A)을 거의 수직으로 횡단하도록 형성되어 있다. 이와 반대로, 직선에 근접한 부분이 파선(A)과 거의 평행하도록 작은 굴곡선의 수가, 원주방향으로 평행하게 형성되어도 좋다.
또, 내부라 함은, 히터판(11)의 중심에서 반경의 1/3 까지의 범위 내의 원형 부분을 의미하고, 그 외의 부분을 외주 부분이라 한다.
또, 본 발명에는, 적어도 외주 부분에 굴곡선의 반복 패턴을 갖고 있으면 충분하기 때문에, 도 4에 도시하는 바와 같이 내부의 나선 형상 패턴 및/또는 동심원 형상 패턴을 이루는 저항발열체(22a, 22c)의 사이에 굴곡선의 반복 패턴을 이루는 저항발열체(22b, 22d)를 배치하여도 좋다.
도 9에 도시한 바와 같이, 히터판(61) 바닥면의 외주 부분에 동심원 패턴을 이루는 저항발열체(62a) 사이에, 굴곡선의 반복 패턴을 이루는 저항발열체(62b)가 끼워진 패턴으로 형성되고, 히터판(61)의 내부에 동심원 패턴(62c, 62d)이 형성되어도 좋다.
질화물 등의 세라믹 기판의 표면 또는 내부에 형성되는 저항발열체(12)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 적어도 2 이상의 회로로 분할되어 있는 것이 바람직하다. 회로를 분할하는 것에 의해, 각 회로에 투입하는 전력을 제어하여 발열량을 변화할 수 있고, 반도체 웨이퍼를 가열하는 표면 온도를 조정할 수 있기 때문이다.
저항발열체(12)를 히터판(11)의 표면에 형성하는 경우에는, 금속입자를 포함하는 도전 페이스트를 히터판(11)의 표면에 도포하여 소정 패턴의 도체 페이스트층을 형성한 후, 이를 구운 다음, 히터판(11)의 표면에 금속입자를 소결시키는 방법이 바람직하다. 또, 금속의 소결은, 금속입자 및 금속입자와 세라믹 사이에 융착하여도 충분하다.
히터판(11)의 표면에 저항발열체를 형성하는 경우에는, 저항발열체의 두께는, 1 내지 30 ㎛ 가 바람직하고, 1 내지 10 ㎛가 보다 바람직하다. 또, 히터판(11)의 내부에 저항발열체를 형성하는 경우에는, 그 두께는, 1 내지 50 ㎛ 가 바람직하다.
또, 히터판(11)의 표면에 저항발열체를 형성하는 경우에는, 저항발열체의 폭은 0.1 내지 20 mm 가 바람직하고, 0.1 내지 5 mm 가 보다 바람직하다. 또, 히터판(11)의 내부에 저항발열체를 형성하는 경우에는, 저항발열체의 폭은 5 내지 20 ㎛가 바람직하다.
저항발열체(12)의 저항치는, 그 폭이나 두께에 따라 변화할 수 있지만, 상기 전술한 범위가 가장 실용적이다. 저항발열체가 얇고, 또, 가늘게 되는 만큼 저항치가 크게 된다. 히터판(11)의 내부에 저항발열체(12)를 형성한 경우가 있지만, 저항발열체(12)의 두께, 폭도 크게 된다. 이는 저항발열체(12)를 내부에 설치하면, 가열면과 저항발열체(12)의 거리가 짧게 되어, 표면의 온도 균일성이 저하되기 때문에, 저항발열체 자체의 폭을 넓게 할 필요가 있고, 내부에 저항발열체(12)를 설치하기 위해서, 예컨대 질화물 등의 세라믹 등과의 밀착성을 고려할 필요성이 없기 때문에, 텅스텐, 몰리브덴 등의 고융점 금속이나 텅스텐, 몰리브덴 등의 탄화물을 사용할 수 있고, 저항치를 높게 하는 것이 가능하기 때문에, 단선 등을 방지하는 목적으로 두께와 폭으로 하는 것이 바람직하다.
저항발열체(12)는, 단면 형상이 직사각형이어도 타원형이어도 좋지만, 편평한 것이 바람직하다. 편평한 단면 형상이 웨이퍼 가열면을 향해 방열하기 쉽기 때문에, 가열면의 온도 분포가 발생하기 어렵게 된다.
단면의 종횡비(aspect ratio; 저항발열체의 폭/저항발열체의 두께)는, 10 내지 5000 의 범위가 바람직하다.
이 범위로 조정하는 것에 의해, 저항발열체(12)의 저항치를 크게 할 수 있는 동시에, 가열면의 온도의 균일성을 확보할 수 있기 때문이다.
저항발열체(12)의 두께를 일정하게 하는 경우, 종횡비가 상기 전술한 범위 보다 작으면, 히터판(11)의 웨이퍼 가열 방향으로의 열 전달량이 작게 되어, 저항발열체(12)의 패턴에 근사한 열 분포가 가열면에 발생하게 되고, 역으로 종횡비가 너무 크면 저항발열체(12)의 패턴에 근사한 열 분포가 가열면에 발생하게 된다. 따라서, 온도 분포를 고려하면, 단면의 종횡비는, 10 내지 5000 범위가 바람직하다.
저항발열체(12)를 히터판(11)의 표면에 형성하는 경우에는, 종횡비를 10 내지 200, 저항발열체(12)를 히터판(11)의 내부에 형성하는 경우에는, 종횡비를 200 내지 5000 으로 하는 것이 바람직하다.
저항발열체(12)를 히터판(11)의 내부에 형성한 경우가 있지만, 종횡비가 크게 되지만, 이는, 저항발열체(12)를 내부에 설치하면, 가열면과 저항발열체(12) 사이의 거리가 짧게 되어, 표면의 온도 균일성이 저하되기 때문에, 저항발열체(12) 자체를 편평하게 할 필요가 있기 때문이다.
저항발열체(12)를 히터판(11)의 내부에 편향하여 형성하는 경우에는, 히터판(11)의 가열면에 대향하는 면(바닥면)에 근접한 위치에서, 가열면에서 바닥면까지의 거리에 대해 50% 를 초과하여, 99% 까지의 위치로 하는 것이 바람직하다.
영역 한정치가 50% 이하이면, 가열면에 너무 근접하기 때문에, 온도 분포가 발생하기 어렵고, 역으로, 한정치가 99 %를 초과하면, 히터판(11) 자체에 비틀림이 발생하여, 반도체 웨이퍼가 파손되기 때문이다.
또, 저항발열체(12)를 히터판(11)의 내부에 형성하는 경우에는, 저항발열체 형성층을 복수 층으로 설치하여도 좋다. 이 경우는, 각 층의 패턴은, 상호 보완하도록 일부 층에 저항발열체(12)가 형성되어, 웨이퍼 가열면의 상방에서 투시하면, 임의의 영역에도 패턴이 형성되어 있는 상태가 바람직하다. 이와 같은 구조로서는, 예컨대, 상호 지그재그로 배치한 구조를 들 수 있다.
또, 저항발열체(12)를 히터판(11)의 내부에 설치하고, 또, 그 저항발열체(12)를 일부 노출시켜도 좋다.
도체 페이스트로서는 특히 한정하지 않지만, 도전성을 확보하기 위한 금속 입자 또는 도전성 세라믹이 함유되어 있을 뿐 아니라, 수지, 용제, 증점제(thickener) 등을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 금속입자로서는, 예컨대, 귀금속(금, 은, 백금(platinum), 팔라듐(palladium)), 납, 텅스텐, 몰리브덴, 니켈 등이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용되어도 좋고, 2 이상 조합하여도 좋다. 이들 금속은, 비교적 산화가 어렵고, 발열에 충분한 저항치를 갖기 때문이다.
상기 도전성 세라믹으로서는, 예컨대, 텅스켄, 몰리브덴의 탄화물 등이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용되어도 좋고, 2 이상 조합하여도 좋다.
이들 금속입자 또는 도전성 세라믹 입자의 직경은 0.1 내지 100 ㎛ 가 바람직하다. 입자 직경이 0.1 ㎛ 미만으로 너무 미세하면, 산화되기 쉽고, 한편, 100 ㎛ 을 초과하면, 소결되기 어렵고, 저항치가 크게 되기 때문이다.
상기 금속 입자의 형상은, 구(球) 형상이어도, 비늘 모양(scaly)이어도 좋다. 이들 금속입자를 이용한 경우, 상기 구 형상과 상기 비늘모양의 혼합물이어도 좋다.
상기 금속입자가 비늘모양, 또는 구형상과 비늘모양과의 혼합물의 경우는, 금속입자 사이의 산화물을 유지하기 쉽고, 저항발열체(12)와 질화물 등의 세라믹 등과의 밀착성을 확보하고, 또, 저항치를 크게 할 수 있기 때문에 유리하다.
도체 페이스트에 사용되는 수지로서는, 예컨대, 에폭시수지, 페놀수지 등을 들 수 있다. 또, 용제로서는, 예컨대, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol) 등이 포함된다. 증점제로서는 셀룰로오스 등이 포함된다.
도체 페이스트에는, 상기한 바와 같이, 금속입자에 산화물을 첨가하고, 저항발열체(12)를, 금속입자와 산화물을 소결시키기 위한 것이 바람직하다. 이와 같이, 산화물을 금속입자와 함께 소결시키는 것에 의해, 히터판을 구성하는 질화물 등의 세라믹과 금속입자를 밀착시킬 수 있다.
산화물을 혼합하는 것에 의해, 질화물 등의 세라믹과의 밀착성이 개선되는 이유는 명확하지 않지만, 금속입자 표면이나 질화물 등의 세라믹, 비산화물 세라믹의 표면은, 약간 산화되어 산화막이 형성되어 있고, 이 산화막 그 위에 형성되어 있고, 이 산화막이 산화물을 통해 소결하여 일체화하고, 금속 입자와 질화물 등의세라믹이 밀착한다고 생각된다.
상기 산화물로서는, 예컨대, 산화납, 산화아연, 실리카, 산화붕소(B203), 알루미나, 이트리아(yttria), 및 티타니아(titania)를 구성하는 군에서 적어도 하나가 선택되는 것이 바람직하다.
이들 산화물은, 저항발열체(12)의 저항치를 크게 하지 않고, 금속입자와 질화물 등의 세라믹과의 밀착성을 개선할 수 있기 때문이다.
상기 산화납, 산화아연, 실리카, 산화붕소, 알루미나, 이트리아, 및 티타니아의 비율은, 산화물의 전량을 100중량부로 한 경우, 중량비로서, 산화납이 1 내지 10, 실리카가 1 내지 30, 산화붕소가 5 내지 50, 산화아연이 20 내지 70, 알루미나가 1 내지 10, 이트리아가 1 내지 50, 및 티타니아가 1 내지 50 이고, 그 합계가 100중량부를 초과하지 않는 범위 내로 조정되는 것이 바람직하다.
이들 범위에서, 이들의 산화물의 양을 조정하는 것에 의해, 특히 질화물 등의 세라믹과의 밀착성을 개선할 수 있다.
상기 산화물의 금속입자에 대한 첨가량은, 0.1중량% 이상 10중량% 미만이 바람직하다. 또, 이와 같은 구성의 도체 페이스트를 사용하여 저항발열체(12)를 형성할 때의 면적 저항률(area resistivity)은, 1 내지 45이 바람직하다.
면적 저항률이 45을 초과하면, 인가 전압량에 대해 발열량은 너무 크게 되어, 히터판의 표면에 저항 발열체(12)를 설치한 히터판(11)에는, 그 발열량을 제어하기 어렵게 된다. 또, 산화물의 첨가량이 10중량%이상이면, 면적 저항률이50을 초과하여, 발열량이 너무 크게 되어 온도 제어가 어렵게 되어, 온도 분포의 균일성이 저하한다.
저항발열체(12)가 히터판(11)의 표면에 형성된 경우에는, 저항발열체(12)의 표면부분에, 금속피복층(17)이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 내부의 금속소결체가 산화되어 저항치가 변화하는 것을 방지하기 때문이다. 형성하는 금속피복층(17)의 두께는, 0.1 내지 10 ㎛ 가 바람직하다.
금속피복층(17)을 형성할 때에 사용되는 금속은, 비산화성(hardly oxidized)의 금속이면 특히 한정하는 것은 아니지만, 구체적으로, 예컨대, 금, 은, 팔라듐, 백금 및 니켈 등이 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용해도 좋고, 2 종류 이상 조합해도 좋다. 이들 금속 중 니켈이 바람직하다.
저항발열체(12)에는, 전원과 접속하기 위한 단자가 필요하고, 이 단자는, 솔더를 통해 저항발열체(12)에 장착하지만, 니켈은, 솔더의 열확산을 방지하기 때문이다. 접속단자로서는, 예컨대, 코발(koval)제의 외부단자(13)가 포함된다.
또, 저항발열체(12)를 히터판(11)의 내부에 형성하는 경우에는, 저항발열체 표면이 산화되는 일이 없기 때문에, 피복은 불필요하다. 저항발열체(12)를 히터판(11) 내부에 형성하는 경우, 저항발열체의 일부가 표면에 노출하여도 좋고, 저항발열체(12)를 접속하기 위한 관통공이 단자 부분에 설치되어, 이 관통공에 외부단자가 접속, 고정되어도 좋다.
외부단자(13)를 접속하는 경우, 솔더로서는, 은-납, 은-주석 또는 비스머스(bismuth)-주석 등의 합금을 사용할 수 있다. 또, 솔더층의 두께는, 0.1내지 50 ㎛가 바람직하다. 이 범위는 솔더에 의한 접속을 확보하는 것에 충분한 범위이다.
또, 도 2에 도시한 바와 같이, 히터판(11)에 관통공(15)을 설치하여 그 관통공(15)에 리프터 핀(16)을 삽입하고, 반도체 웨이퍼를 도시하지 않은 반송기로 이송하거나 반송기에서 반도체 웨이퍼를 수용할 수 있다.
히터판의 저항발열체 형성면의 반대 측면이 피가열물의 가열면이 된다.
본 발명에서는, 필요에 따라 세라믹 기판에 열전대를 매설할 수 있다. 열전대에 의해 저항발열체의 온도를 측정하고, 그 측정 데이터를 기초로 전압, 전류량을 변화하여, 온도를 제어할 수 있기 때문이다.
열전대 금속선의 접합부위의 크기는, 각 금속선의 스트랜드 직경과 동일하지만, 혹은 그 보다 크고, 또, 0.5 mm 이하가 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 접속부분의 열용량이 작게 되어, 온도가 정확하게, 또 신속히 전류치로 변환되기 때문이다. 이 때문에, 온도제어성이 향상되어 웨이퍼 가열면의 온도 분포가 작게 되기 때문이다.
상기 열전대로서는, 예컨대, JIS-C-1602(1980)에 예시된 바와 같이, K형, R형, B형, S형, E형, J형, T형 열전대가 포함된다.
본 발명에서 히터판의 두께는 50 mm 이하, 특히 20 mm 이하가 바람직하다. 특히 히터판의 두께가 20 mm 를 초과하면, 히터판의 열용량이 크게 되고, 특히 온도 제어수단을 설치하여 히터판을 가열, 냉각하면, 열용량의 크기에 기인하여 온도 추종성이 저하되기 때문이다.
또, 본 발명이 해결하는 온도의 불균일 문제는, 두께가 20 mm 를 초과하는 두꺼운 히터판에는 발생하기 어렵기 때문이다.
특히 두께는 5 mm 이하가 최적이다. 또, 두께는, 1 mm 이상이 바람직하다.
본 발명의 히터판의 직경은 200 mm 이상이 바람직하다. 특히 직경이 12 인치(30 mm) 이상인 것이 바람직하다. 이와 같은 직경을 갖는 반도체 웨이퍼가 차세대의 실리콘 웨이퍼의 주류가 되기 때문이다. 또, 본발명이 해결하는 온도 불균일의 문제는, 직경이 200 mm 이하의 히터판에서는 발생하기 어렵기 때문이다.
본 발명에는, 피가열물을 직접 가열면에 적치하여도 좋고, 5 내지 5000 ㎛ 이간시켜 가열하여도 좋다.
다음에, 본 발명의 세라믹 히터의 제조방법에 관해서 설명한다.
우선, 히터판(11)의 바닥면에 저항발열체가 형성된 세라믹 히터(도 1 및 도 2 참조)의 제조방법에 관해서 설명한다.
(1) 히터판의 제작 공정
상술한 질화알루미늄 또는 탄화규소 등의 질화물 등의 세라믹의 분말에 필요에 따라, 이트리아(yttria, Y2O3) 또는 B4C 등의 소결보조제, Na 또는 Ca 를 함유한 화합물, 바인더 등을 배합하여 슬러리를 조제한 후, 이 슬러리를 스프레이 드라이(spray drying) 등의 방법으로 과립형태로 하여, 이 과립을 금형 등에 넣어 가압하는 것에 의해 판 형상 등으로 형성하고, 생성형체(raw formed body)(그린)을 제작한다.
다음에, 필요에 따라, 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 리프터 핀을 삽입하는관통공을 이루는 부분이나, 열전대 등의 온도측정소자를 매설하기 위한 바닥구멍을 이루는 부분을, 생성형체에 형성한다.
다음에, 이 생성형체를 가열, 소성하여 소결시켜, 세라믹제의 판형상체를 제조한다. 그 후, 판 형상체를 소정의 형상으로 가공하는 것에 의해, 히터판(11)을 제작하지만, 소성후에 그대로 사용할 수 있는 형상도 좋다. 이 생성형체를 가압하면서 가열, 소성을 행하는 것에 의해, 기공이 없는 히터판(11)을 제조하는 것이 가능하게 된다. 가열, 소성은, 소결온도 이상이면 좋지만, 질화물 세라믹 또는 탄화물 세라믹에는, 1000 내지 2500 ℃ 이다. 또, 산화물 세라믹에는, 1500℃ 내지 2000℃ 이다.
(2) 히터판에 도체 페이스트를 인쇄하는 공정
도체 페이스트는, 일반적으로, 금속입자, 수지, 용제로 이루어지는 점도가 높은 유동물이다. 이 도체 페이스트를 스크린 인쇄 등을 이용하여, 저항발열체를 설치하고자 하는 부분에 인쇄를 행하는 것에 의해, 도체 페이스트 층을 형성한다. 저항발열체는, 히터판 전체를 균일한 온도로 할 필요가 있기 때문에, 도 1에 도시하는 바와 같이 동심원과 굴곡선의 조합의 패턴으로 도체 페이스트가 인쇄된다.
도체 페이스트 층은, 소성후의 저항 발열체(12)의 단면이, 직사각형상, 편평한 형상을 이루도록 형성되는 것이 바람직하다.
(3) 도체 페이스트의 소성
히터판(11)의 바닥면에 인쇄한 도체 페이스트 층을 가열 소성하여, 수지, 용제를 제거하는 동시에, 금속입자를 소결시켜, 히터판(11)의 바닥면에 소결하여, 저항발열체(12)를 형성한다. 가열 소성의 온도는 500 내지 1000 ℃ 가 바람직하다.
도체 페이스트에 상술한 산화물을 첨가하고, 금속 입자, 히터판 및 산화물이 소결하여 일체화하기 때문에, 저항발열체와 히터판과의 밀착성이 향상된다.
(4) 금속피복층의 형성
저항발열체(12) 표면에는, 금속피복층(17)을 설치하는 것이 바람직하다. 금속피복층(17)은, 전기도금(electroplating), 무전기도금(electroless plating), 스퍼터링(sputtering) 등에 의해 형성할 수 있다. 대량 생산을 고려하면, 무전기도금이 최적이다.
(5) 단자 등의 부착
저항발열체(12)의 패턴의 단자에 전원과의 접속을 위해 단자(외부단자(13))를 솔더로 부착한다. 또, 바닥구멍(14)에 은 솔더(silver solder), 금 솔더(gold solder) 등으로 열전대를 고정하고, 폴리이미드 등의 내열수지로 밀봉하여 세라믹 히터의 제조를 종료한다.
다음에, 히터판(11)의 내부에 저항발열체(72)를 형성한 세라믹 히터(도 3 참조)의 제조방법에 관해서 설명한다.
(1) 히터판의 제작공정
우선, 질화물 등의 세라믹의 분말을 바인더, 용제 등과 혼합하여 페이스트를 조제하고, 이를 이용하여 그린 시이트를 제작한다.
상술한 질화물 등의 세라믹 분말로서는, 질화알루미늄 등을 사용할 수 있고, 필요에 따라, 이트리아와 같은 소결보조제, Na 또는 Ca 를 함유한 화합물 등을 가해도 좋다.
또, 바인더로서는, 아크릴계 바인더, 에틸셀룰로오스, 부틸셀루로오스, 및 폴리비닐 알콜에서 선택된 적어도 하나가 바람직하다.
게다가, 용매로서는, α-테르피네올(terpineol) 및 글리콜(glycol)에서 선택된 적어도 하나가 바람직하다.
이들을 혼합하여 얻어진 페이스트를 독터 블레이드(doctor blade)법으로 시이트 형상을 성형하여 그린 시이트를 제작한다.
그린 시이트의 두께는 0.1 내지 5 mm 가 바람직하다.
다음에, 얻어진 그린 시이트에, 필요에 따라, 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지핀을 삽입하는 관통공(75)을 이루는 부분, 열전대 등의 온도측정소자를 매설하는 바닥구멍(74)을 이루는 부분, 저항발열체를 외부단자(73)에 연결하는 관통공(76)을 이루는 부분을 형성한다. 후술하는 그린 시이트 적층체를 형성한 후에, 상기 가공을 행해도 좋다.
(2) 그린 시이트 상에 도체 페이스트를 인쇄하는 공정
그린 시이트 상에, 저항발열체를 형성하기 위한 금속 페이스트 또는 도전성 세라믹을 포함하는 도전성 페이스트를 인쇄한다. 이 때의 인쇄 패턴은, 도 1에 도시하는 바와 같이 동심원과 굴곡선의 조합의 패턴으로 한다.
이들 도전 페이스트 속에는, 금속 입자 또는 도전성 세라믹 입자가 포함되어 있다.
텅스텐 입자 또는 몰리브덴 입자의 평균 입자 직경은, 0.1 내지 5㎛ 가 바람직하다. 평균 인자가 0.1 ㎛ 미만이지만, 5 ㎛ 를 초과하면, 도체 페이스트를 인쇄하기 어렵기 때문이다.
이와 같은 도체 페이스트로서는, 예컨대, 금속입자 또는 도전성 세라믹 입자 85 내지 87 중량부; 아크릴계 바인더, 에틸셀룰로오스, 부틸셀룰로오스 및 폴리비닐 알콜에서 선택되는 적어도 하나의 바인더의 1.5 내지 10중량부; 및 α-테르피네올 및 글리콜에서 선택된 적어도 하나의 용매를 1.5 내지 10중량부를 혼합한 조성물(페이스트)을 들 수 있다.
(3) 그린 시이트의 적층 공정
도체 페이스트를 인쇄하지 않는 그린 시이트를, 도체 페이스트를 인쇄한 그린 시이트의 상하 측면에 적층한다.
이 때, 상측에 적층하는 그린 시이트의 수를 하측에 적층하는 그린 시이트의 수 보다도 많게 하여, 저항발열체의 형성 위치를 바닥면을 향한 방향으로 편심되도록 형성시킨다.
구체적으로는, 상측의 그린 시이트의 적층 수는 20 내지 50 매가, 하측의 그린 시이트의 적층 수는 5 내지 20 매가 바람직하다.
(4) 그린 시이트 적층체의 소성공정
그린 시이트 적층체의 가열, 가압을 행해, 그린 시이트 및 내부의 도체 페이스트를 소결시킨다.
가열 온도는, 1000 내지 2000 ℃ 가 바람직하고, 가압의 압력은, 100 내지 200 kg/cm2가 바람직하다. 가열은, 불활성 가스 분위기 중에서 행한다. 불활성가스로서는, 예컨대, 아르곤, 질소 등을 사용할 수 있다.
또, 소결을 행한 후에, 온도측정소자를 삽입하기 위한 바닥에 구멍을 설치할 수도 있다. 바닥구멍은, 표면 연마후에, 샌드블라스트와 같은 블라스트 처리를 행하는 것에 의해 형성할 수 있다. 또, 내부의 저항발열체와 접속하기 위한 관통공(76)에 외부단자(73)를 접속하고, 생성물을 가열하여 리플로워(reflow)한다. 가열온도는, 200 내지 500 ℃ 가 적절하다.
게다가, 온도측정소자로서의 열전대 등을 은 솔더, 금 솔더 등으로 고정하고, 폴리이미드 등의 내열성 수지로 밀봉하고, 세라믹 히터의 제조를 종료한다.
본 발명의 세라믹 히터는, 정전 척(electrostatic chuck) 또는 웨이퍼 프로버(prober)의 척 탑 스테이지(chuck top stage)에 사용하는 것이 가능하다.
발명을 실시하기 위한 최적의 형태
이하, 본 발명을 더 상세히 설명한다.
(실시예 1)
(1) 질화알루미늄분말(평균입자 직경 : 1.1 ㎛) 100중량부, 이트리아(평균입자 직경 : 0.4 ㎛) 4중량부, 아크릴계 바인더 12중량부 및 알콜로 이루어지는 조성물의 스프레이 드라이를 행해, 과립 분말을 제작한다.
(2) 다음에, 이 과립 형태의 분말을 금형에 넣고, 평판상으로 성형하여 생성형체(raw formed body)(그린)를 얻는다.
(3) 전술의 가공처리가 완료된 생성형체를 1800 ℃, 압력 : 20 MPa 에서 핫프레스(hot press)하여, 두께가 3 mm의 질화알루미늄 판형상체를 얻는다.
다음에, 이 판형상체에서 직경 210 mm 의 원판체를 절단하고, 세라믹제의 판형상체(히터판(11))로 하였다. 이 성형체에 드릴 가공하여, 반도체 웨이퍼의 지지 핀을 삽입하는 관통공(15)을 형성하는 부분, 열전대를 매설하기 위한 바닥구멍(14)을 형성하는 부분(직경 : 1.1 mm, 깊이 : 2 mm)을 형성하였다.
(4) 상기 (3)에서 얻은 히터판(11)에, 스크린 인쇄로 도체 페이스트를 인쇄하였다. 인쇄 패턴은, 도 1에 도시한 바와 같이 동심원과 굴곡선의 조합의 패턴으로 하였다. 또, 이는 도 4에 도시한 세라믹 히터(20)와 같은 패턴으로 하여도 좋다.
도체 페이스로서는, 인쇄회로기판의 관통공 형성에 사용되는 토쿠리키 카가쿠 켄큐죠(Tokuriki Kagaku Kenkyu-zyo) 제조의 솔베스트(Solvest) PS603D 를 사용하였다.
이 반도체 페이스트는 은-납 페이스트로서, 은 100중량부에 대해, 산화납(5중량%), 산화아연(55중량%), 실리카(10중량%), 산화붕소(25중량%), 및 알루미나(5중량%)로 이루어지는 산화물을 7.5중량부를 포함한 것으로 하였다. 또, 은 입자는, 평균 입자 직경이 4.5 ㎛ 로서, 비늘 모양이다.
(5) 다음에, 도체 페이스트를 인쇄한 히터판(11)을 780℃ 로 가열, 소성하여, 도체 페이스트 속의 은, 납을 소결시키는 동시에 히터판(11)에 구운 다음, 저항발열체(12)를 형성하였다. 은-납의 저항발열체는, 두께가 5 ㎛ , 폭 2.4 mm, 면적 저항률이 7.7이었다. 또, 두께의 분산은, 전체 ±0.4 ㎛ 이지만, 분산은 국부적이지 않다.
(6) 상기 (5)에서 제작한 히터판(11)을, 황산 니켈(nickel chloride) 80 g/L, 하이포아인산나트륨(sodium hypophosphite) 24 g/L, 아세트산나트륨 12 g/L, 붕산 8 g/L, 염화암모늄 6 g/L 농도의 수용액으로 이루어지는 무전해 니켈 도금액에 침적하고, 은-납의 저항발열체(12)의 표면에 두께 1㎛ 의 금속피복층(니켈층) (17)을 적출시킨다.
(7) 전원과의 접속을 확보하기 위한 외부단자(13)를 장착하는 부분에, 스크린인쇄에 의해, 은-납 솔더 페이스트(다나카 킨조쿠 고교 가부시키가이샤(Tanaka Kikinzoku kogyo Co.)를 인쇄하여 솔더층을 형성하였다.
다음에, 솔더층의 위에 코발(koval)제의 외부단자(13)를 적치하여, 420 ℃ 로 가열 리플로워시켜, 외부단자(13)를 저항발열체의 표면에 부착한다.
(8) 온도 제어를 위한 열전대를 매설하고, 세라믹 접착제(토아고세이 컴퍼니 리미트드(Toagosei Co., Ltd.)에 의해 제조된 애론 세라믹(Aron ceramic))를 충진하여, 세라믹 히터(10)를 얻었다.
(실시예 2)
(1) 질화알루미늄분말(도쿠야마 코포레이션(Tokuyama Corp.)에 의해 제조된 평균입자 직경 1.1 ㎛) 100중량부, 산화이트륨(Y2O3) : 이트리아, 평균입자 직경 0.4 ㎛) 4중량부, 아크릴계 바인더 11중량부, 분산제 0.5중량부 및 1-부타놀과 에탄올로 이루어지는 알콜 53중량부를 혼합하여 페이스트를 사용하여, 독터블레이드법에 의해 성형하여, 두께 0.47 mm 의 그린 시이트를 제작하였다.
(2) 다음에, 이 그린 시이트를 80℃ 로 5시간 건조시킨 후, 도 3에 도시한 실리콘 웨이퍼(19)를 운반하기 위한 리프터 핀(16)을 삽입하기 위한 관통공(75)을 이루는 부분, 바이홀(via hole)을 이루는 부분, 및, 관통공(76)을 이루는 부분을 펀칭에 의해 성형하였다.
(3) 평균입자 직경 1 ㎛ 의 텅스텐 카바이드 입자 100중량부, 아크릴계 바인더 3.0중량부, α-테르피네올 용매 3.5 중량부 및 분산제 0.3중량부를 혼합하여 도체 페이스트(A)를 조제하였다.
평균입자 직경 3 ㎛ 의 텅스텐 카바이드 입자 100중량부, 아크릴계 바인더 1.9중량부, α-테르피네올 용매 3.7 중량부 및 분산제 0.2중량부를 혼합하여 도체 페이스트(B)를 조제하였다.
이 도체 페이스트(A)를 바이어홀을 이루는 부분을 형성한 그린 시이트 상에 스크린 인쇄로 인쇄하고, 저항발열체용의 도체 페이스트층을 형성하였다. 인쇄패턴은, 도 9에 도시한 바와 같은 나선형 패턴과 부분적으로 굴곡하는 패턴으로 하였다. 도체 페이스트층의 폭을 10 mm, 그 두께를 12 ㎛ 로 하였다. 또, 두께의 분산은, 전체가 ± 0.5 ㎛ 이지만, 분산은 국부적으로 존재하지 않는다.
계속해서, 도체 페이스트(A)를 관통홀을 이루는 부분을 형성한 그린 시이트 상에 스크린 인쇄로 인쇄하고, 도체 회로용의 도체 페이스트층을 형성하였다. 인쇄의 형상은 띠 형상이다.
또, 도체 페이스트(B)를, 바이어홀을 이루는 부분 및 관통홀을 이루는 부분에 충전하였다.
상기 처리가 완료된 도체 페이스트층을 인쇄한 그린 시이트 상에, 도체 페이스트를 인쇄하지 않는 그린 시이트를 37 매 겹쳐, 그 아래에, 도체 페이스트 층을 인쇄한 그린 시이트를 겹친 후, 다시 그 아래에, 도체 페이스트를 인쇄하지 않은 그린 시이트틀 12 매 겹쳐, 130℃, 8 MPa 의 압력에서 적층하였다.
(4) 다음에, 얻어진 적층체를 질소가스속에, 600℃ 에서 5시간 탈지하고, 1890℃, 압력 15 MPa 에서 10시간 핫 프레스하여, 두께 3 mm 의 세라믹 판 형상체를 얻었다. 이를 직경이 230 mm 인 원판상으로 절단하고, 내부에 두께 6 ㎛, 폭 10 mm 의 저항발열체(72) 및 관통홀(76)을 갖는 히터판(11)으로 하였다.
(5) 다음에, (4)에서 얻어진 히터판(11)을, 다이아몬드 숫돌에서 연마한 후, 마스크를 적치하고, SiC 등에 의해 블라스트 처리로 표면에 열전대를 위한 바닥구멍(74)을 설치하였다.
(6) 온도제어를 위한 열전대를 바닥구멍(74)에 삽입하고, 실리카 졸(silica sol)을 충진하고, 190 ℃에서 2시간 경화 겔화시켜 저항발열체(72) 및 관통공(76)을 갖는 세라믹 히터를 얻었다.
(실시예 3)
(1) SiC 분말(평균입자 직경 : 0.3 ㎛) 100중량부, 소결보조제로서의 B4C 를 0.5중량부, 아크릴계 바인더 12중량부 및 알콜로 이루어지는 조성물의 스프레이 드라이를 행해, 과립 형태의 분말을 제작하였다.
(2) 다음에, 이 과립 형태의 분말을 금형에 넣고, 평판상으로 성형하여 생성형체(그린)를 얻었다.
(3) 가공처리가 완료된 생성형체를 2100℃, 압력 18 MPa 에서 핫 프레스하여, 두께가 3 mm의 SiC 의 세라믹 기판을 얻었다.
다음에, 이 판형상체의 표면에서 직경 210 mm 의 원판체를 절단하고, 히터판으로 하였다.
히터판에, 유리 페이스트(쇼우에이 케미컬 프로덕츠 컴퍼니 리미티드(Shouel Chemical Products Co., Ltd.) 제조의, G-5232N)를 도포하여, 1000℃에서 1시간 소결하여, SiC 의 세라믹 기판의 표면에, 두께 2 ㎛ 의 SiO2막을 형성하였다.
이 성형체에 드릴가공으로 관통공을 형성하고, 반도체 웨이퍼의 리프터 핀을 삽입하는 관통공을 이루는 부분, 열전대를 매설하기 위한 바닥구멍을 이루는 부분(직경 : 1.1 mm, 깊이 : 2 mm)을 형성하였다.
(4) 상기 (3)에서 얻은 히터판에, 스크린 인쇄로 도체 페이스트를 인쇄하였다. 인쇄 패턴은, 도 1에 도시한 바와 같이 동심원과 굴곡선의 반복 혼성 패턴으로 한다.
도체 페이스트로서는, 이하의 조성을 사용하였다. 즉, 비늘형상 은(쇼우에디 케미칼 프로덕츠 컴퍼니 리미티드, Ag-540) 90중량부, 비늘결정의 백금(쇼우에디 케미칼 프로덕츠 컴퍼니 리미티드, Pt-401) 10중량부, 실리카 7.5중량부, 산화붕소 1.5중량부, 산화아연 6중량부, 유기용액으로서 아세트산 셀룰로오스 30중량부를 이루는 것이다.
(5) 다음에, 도체 페이스트를 인쇄한 세라믹 기판을 780℃ 로 가열, 소성하여, 도체 페이스트 속의 은, 백금을 소결시키는 동시에 기판에 구워, 저항발열체를성형하였다. 저항발열체는, 두께가 5 ㎛, 폭 10 mm, 면적 저항률이 0.13 mΩ/? 로 하였다. 또, 두께의 분산은 전체가 ±0.5 ㎛ 이지만, 분산은 국지적으로 존재하지 않는다.
(6) 상기 (5)에서 제작한 히터판(11)을, 황산 니켈 80 g/L, 하이포아인산나트륨 24 g/L, 아세트산나트륨 12 g/L, 붕산 8 g/L, 염화암모늄 6 g/L 농도의 수용액으로 이루어지는 무전해 니켈 도금액에 침적하고, 은-납의 저항발열체(12)의 표면에 두께 1 ㎛ 의 금속피복층(니켈층)(17)을 적출시킨다.
(7) 전원과의 접속을 확보하기 위한 단자를 장착하는 부분에, 스크린 인쇄에 의해, 은-납 솔더 페이스트(다나카 킨조쿠 고교 가부시키가이샤(Tanaka Kikinzoku kogyo Co.))를 인쇄하여 솔더층을 형성하였다.
다음에, 솔더층 위에 코발제의 외부단자를 적치하여, 420 ℃ 로 가열하고 리플로워시켜, 외부단자(13)를 저항발열체의 표면에 부착한다.
(8) 온도 제어를 위한 열전대를 바닥구멍에 매설하고, 세라믹 접착제(토아고세이 컴퍼니 리미티드(Toagosei Co., Ltd.)를 매설하여 고정한 세라믹 히터를 얻었다.
(시험예)
질화알루미늄분말(평균입자 직경 : 1.1 ㎛ 100중량부, 이트리아(평균입자 직경 : 0.4㎛) 4중량부, 아크릴계 바인더 12중량부 및 알콜로 이루어지는 조성물의 스프레이 드라이를 행해, 과립형상의 분말을 제작한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 세라믹 히터를 제작하였다.
(비교예 1)
(1) 저항발열체의 패턴이 도 5에 도시한 세라믹 히터(30)와 동일하도록 도체 페이스트를 인쇄한 것과 이외, 실시예 1과 동일 방법으로 세라믹 히터를 제조하였다. 두께는 6㎛ 이지만, 그 위 분산은 ±0.4 ㎛ 이었다. 게다가, 두께의 분산이 인쇄방향에 수직방향으로는 두껍고, 평행방향으로는 얇고, 국부적으로 존재한다.
다음에, 실시예 및 비교예에서 얻어진 세라믹 히터에 통전하여, 중심부분의 온도를 200℃ 까지 상승시켜, 중심부분과 외주부분(외주단부에서 중심을 향한 20mm의 점)과의 온도차(△T)를 측정하였다. 또, 200℃ 까지 승온시키기 위한 시간을 측정하였다.
그 결과, 실시예 1 내지 3 및 시험예에서 얻어진 세라믹 히터에는 △T=0.5℃(실시예 1), △T=0.5℃(실시예 2), △T=0.4℃(실시예 3), 및 △T=0.8℃(시험예)와 중심부분과 외주부분의 온도차는 그다지 크지 않지만, 비교예 1에서 얻어진 세라믹 히터에는, △T=3℃ 이고 중심부분과 외주부분과의 큰 온도차가 발생하였다.
또, 200℃ 까지 승온시간은, 실시예 1 내지 3 및 시험예에 있어서, 30초(실시예 1), 32초(실시예 2), 40초(실시예 3), 5분(시험예)이지만, 비교예 1에서도 30초 이었다.
이상의 결과에 의해, 승온 시간 등을 고려하면, 산화물 세라믹 보다도 비산화물 세라믹을 채용하는 쪽이 유리하다고 입증되었다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 세라믹 히터에 의하면, 중심부분에는, 동심원 형상 또는 나선 형상의 패턴의 저항발열체가 형성되고, 한편, 외주부분에는, 굴곡선의 반복 패턴의 저항발열체가 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼 가열면에서 외주부분의 온도의 저하을 억제할 수 있고, 가열 대상인 반도체 웨이퍼 전체를 균일하게 가열할 수 있다.

Claims (6)

  1. 원판 형상의 세라믹 기판의 표면 또는 내부에 발열체를 설치하는 세라믹 히터에 있어서,
    상기 발열체는, 동심원 형상 또는 나선 형상의 패턴과, 굴곡선을 이루는 패턴의 발열체가 혼성하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  2. 원판 형상의 세라믹 기판의 표면 또는 내부에 발열체를 설치하는 세라믹 히터에 있어서,
    상기 발열체는, 동심원 형상 또는 나선 형상의 패턴과, 굴곡선의 반복 패턴의 발열체가 혼성하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    원판 형상의 세라믹 기판의 적어도 외주부분에, 굴곡선을 이루는 패턴, 또는, 굴곡선의 반복 패턴의 발열체가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은, 비산화물 세라믹인 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은, 질화물 세라믹인 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세라믹 기판은, 탄화물 세라믹인 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
KR1020017004473A 1999-08-10 2000-08-09 세라믹 히터 KR20010083893A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22676999 1999-08-10
JP1999-226769 1999-08-10
JP2000238779A JP3381909B2 (ja) 1999-08-10 2000-08-07 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
JP2000-238779 2000-08-07
PCT/JP2000/005322 WO2001013679A1 (fr) 1999-08-10 2000-08-09 Dispositif de chauffage en ceramique

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010083893A true KR20010083893A (ko) 2001-09-03

Family

ID=26527346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017004473A KR20010083893A (ko) 1999-08-10 2000-08-09 세라믹 히터

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20040155025A1 (ko)
EP (1) EP1120997A1 (ko)
JP (1) JP3381909B2 (ko)
KR (1) KR20010083893A (ko)
CN (2) CN1533218A (ko)
TW (1) TW465254B (ko)
WO (1) WO2001013679A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101392722B1 (ko) * 2005-09-15 2014-05-12 아레바 엔씨 복수 개의 도전체들로 구성된 단권 유도 장치를 구비한용광로
KR20200021800A (ko) * 2018-08-21 2020-03-02 엘지전자 주식회사 전기 히터

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001017927A1 (fr) * 1999-09-06 2001-03-15 Ibiden Co., Ltd. Briquette et substrat ceramique en nitrure d'aluminium carbone fritte destine a des equipements de fabrication ou de verification de semi-conducteurs
WO2001062686A1 (fr) * 2000-02-24 2001-08-30 Ibiden Co., Ltd. Piece frittee en nitrure d'aluminium, substrat en ceramique, corps chauffant en ceramique et mandrin electrostatique
JP2001247382A (ja) * 2000-03-06 2001-09-11 Ibiden Co Ltd セラミック基板
WO2001078456A1 (fr) * 2000-04-07 2001-10-18 Ibiden Co., Ltd. Element ceramique chauffant
JP3565496B2 (ja) * 2000-04-13 2004-09-15 イビデン株式会社 セラミックヒータ、静電チャックおよびウエハプローバ
JP3516392B2 (ja) * 2000-06-16 2004-04-05 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用ホットプレート
EP1229572A1 (en) * 2000-07-04 2002-08-07 Ibiden Co., Ltd. Hot plate for semiconductor manufacture and testing
EP1248293A1 (en) * 2000-07-25 2002-10-09 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for semiconductor manufacture/inspection apparatus, ceramic heater, electrostatic clampless holder, and substrate for wafer prober
JP2002313890A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 被加熱物搭載用ヒータ部材およびそれを用いた基板処理装置
JP4325902B2 (ja) * 2002-03-20 2009-09-02 京セラ株式会社 ウエハ加熱装置
JP2003317906A (ja) 2002-04-24 2003-11-07 Sumitomo Electric Ind Ltd セラミックスヒータ
CN101818336B (zh) 2004-07-05 2011-09-14 东京毅力科创株式会社 处理装置和加热器单元
US20060088692A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Ibiden Co., Ltd. Ceramic plate for a semiconductor producing/examining device
JP5683063B2 (ja) * 2007-09-05 2015-03-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 窒化アルミニウム又は酸化ベリリウムのセラミックカバーウェハ
EP2134143B1 (de) * 2008-06-09 2010-12-15 Leister Process Technologies Elektrisches Widerstandsheizelement für eine Heizeinrichtung zum Erhitzen eines strömenden gasförmigen Mediums
TWI477252B (zh) * 2009-11-03 2015-03-21 Ind Tech Res Inst 加熱保溫承載器
JP5341049B2 (ja) * 2010-10-29 2013-11-13 日本発條株式会社 セラミックス焼結体の製造方法、セラミックス焼結体およびセラミックスヒータ
DE102012005916B3 (de) * 2012-03-26 2013-06-27 Heraeus Noblelight Gmbh Vorrichtung zur Bestrahlung eines Substrats
KR101343556B1 (ko) 2012-05-18 2013-12-19 주식회사 케이에스엠컴포넌트 2차원적으로 배선된 열선을 포함하는 세라믹 히터
US20150016083A1 (en) * 2013-07-05 2015-01-15 Stephen P. Nootens Thermocompression bonding apparatus and method
JP6804828B2 (ja) * 2015-04-20 2020-12-23 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ及び静電チャック
CN109156050A (zh) * 2016-04-07 2019-01-04 美题隆公司 氧化铍整体式电阻加热器
US10679873B2 (en) * 2016-09-30 2020-06-09 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic heater
JP6840349B2 (ja) * 2019-02-22 2021-03-10 住友電気工業株式会社 ヒータ
CN114959204A (zh) * 2022-04-25 2022-08-30 中国航发成都发动机有限公司 一种局部热处理电阻加热元件及其固定工装

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2409244A (en) * 1943-11-05 1946-10-15 Bilan John Glass electric hot plate
US4002883A (en) * 1975-07-23 1977-01-11 General Electric Company Glass-ceramic plate with multiple coil film heaters
AT376540B (de) * 1983-01-05 1984-11-26 Electrovac Vorrichtung zur regelung bzw. begrenzung wenigstens eines temperaturwertes bzw. eines temperaturbereiches von strahlungs- bzw. kontaktheizkoerpern von elektrischen kochgeraeten
DE3406604C1 (de) * 1984-02-23 1985-07-25 Bosch-Siemens Hausgeräte GmbH, 7000 Stuttgart Heizeinrichtung fuer Strahlungsheizstellen mit elektrischen Strahlungsheizelementen
US5264681A (en) * 1991-02-14 1993-11-23 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic heater
US5294778A (en) * 1991-09-11 1994-03-15 Lam Research Corporation CVD platen heater system utilizing concentric electric heating elements
JPH05326112A (ja) * 1992-05-21 1993-12-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 複層セラミックスヒーター
JP2647799B2 (ja) * 1994-02-04 1997-08-27 日本碍子株式会社 セラミックスヒーター及びその製造方法
JP3145664B2 (ja) * 1997-08-29 2001-03-12 京セラ株式会社 ウエハ加熱装置
JP3477062B2 (ja) * 1997-12-26 2003-12-10 京セラ株式会社 ウエハ加熱装置
JPH11204238A (ja) * 1998-01-08 1999-07-30 Ngk Insulators Ltd セラミックスヒーター
JPH11251040A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Kyocera Corp セラミックヒータ及びその製造方法
EP1187511A1 (en) * 1999-05-07 2002-03-13 Ibiden Co., Ltd. Hot plate and method of producing the same
JP2001118664A (ja) * 1999-08-09 2001-04-27 Ibiden Co Ltd セラミックヒータ
DE60021848T2 (de) * 1999-11-19 2006-06-08 Ibiden Co., Ltd. Keramisches heizgerät
JP2001297857A (ja) * 1999-11-24 2001-10-26 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
EP1137321A1 (en) * 1999-11-30 2001-09-26 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater
US20040222211A1 (en) * 1999-12-28 2004-11-11 Ibiden Co., Ltd. Carbon-containing aluminum nitride sintered body, and ceramic substrate for a semiconductor producing/examining device
JP3228923B2 (ja) * 2000-01-18 2001-11-12 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
JP3228924B2 (ja) * 2000-01-21 2001-11-12 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
JP2001244320A (ja) * 2000-02-25 2001-09-07 Ibiden Co Ltd セラミック基板およびその製造方法
US20040035846A1 (en) * 2000-09-13 2004-02-26 Yasuji Hiramatsu Ceramic heater for semiconductor manufacturing and inspecting equipment

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101392722B1 (ko) * 2005-09-15 2014-05-12 아레바 엔씨 복수 개의 도전체들로 구성된 단권 유도 장치를 구비한용광로
KR20200021800A (ko) * 2018-08-21 2020-03-02 엘지전자 주식회사 전기 히터
US11415324B2 (en) 2018-08-21 2022-08-16 Lg Electronics Inc. Electric heater

Also Published As

Publication number Publication date
CN1169404C (zh) 2004-09-29
JP2001135464A (ja) 2001-05-18
EP1120997A1 (en) 2001-08-01
WO2001013679A1 (fr) 2001-02-22
US20040155025A1 (en) 2004-08-12
JP3381909B2 (ja) 2003-03-04
CN1320351A (zh) 2001-10-31
TW465254B (en) 2001-11-21
CN1533218A (zh) 2004-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010083893A (ko) 세라믹 히터
JP2003109730A (ja) セラミックヒーター
WO2001078454A1 (fr) Dispositif chauffant ceramique
JP3565496B2 (ja) セラミックヒータ、静電チャックおよびウエハプローバ
KR20010090740A (ko) 세라믹 히터
WO2001078455A1 (fr) Plaque ceramique
JP2002184558A (ja) ヒータ
JP2001257200A (ja) 半導体製造・検査装置用セラミック基板
JP2002246160A (ja) ホットプレートユニット
JP2001237301A (ja) 半導体製造・検査装置用セラミック基板
JP2001223257A (ja) 半導体製造・検査装置用セラミック基板
JP2002334820A (ja) 半導体ウエハまたは液晶基板加熱用セラミックヒータ
JP2002334828A (ja) ホットプレートユニット
JP2001345370A (ja) 半導体製造・検査装置
JP3625046B2 (ja) 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
JP2004253799A (ja) 半導体製造・検査装置
JP2001358205A (ja) 半導体製造・検査装置
JP2004303736A (ja) セラミックヒータ
JP2002246286A (ja) セラミックヒータ
JP2001085144A (ja) セラミックヒータ
JP2006024433A (ja) セラミックヒータ
JP2002319526A (ja) 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
JP2002319525A (ja) 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
JP2001338747A (ja) 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
JP2001332560A (ja) 半導体製造・検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid