KR20010061284A - 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 및 그 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 강유전체 캐패시터 및 그 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (3)
- 모스 트랜지스터를 포함하는 소정의 하부층 상에 제공되는 셀 플레이트 노드;상기 셀 플레이트 노드 상부의 일측에 제공되는 SBT박막 및 제1스토리지 노드;상기 셀 플레이트 노드 상부의 타측에 제공되는 PZT박막 및 제2스토리지 노드;상기 제1 및 상기 제2스토리지 노드와 상기 모스 트랜지스터를 전기적으로 접속하기 위한 전도라인을 포함하여 이루어지는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터.
- 제1항에 있어서,상기 전도라인은,상기 셀 플레이트 노드를 관통하여 상기 제1 및 제2스토리지 노드와 상기 모스 트랜지스터의 접합을 전기적으로 접속하되, 상기 셀 플레이트 노드와는 전기적으로 절연된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터.
- 모스 트랜지스터를 포함하는 소정의 하부층 상에 스토리지 노드 콘택용 개구부를 가진 셀 플레이트 노드를 형성하는 제1 단계;상기 셀 플레이트 노드 상부의 일측에 차례로 적층된 SBT박막 및 제1스토리지 노드를 형성하는 제2 단계;상기 셀 플레이트 노드 상부의 타측에 차례로 적층된 PZT박막 및 제2스토리지 노드를 형성하는 제3 단계;상기 제3 단계를 마친 전체 구조 상부에 층간절연막을 형성하는 제4 단계;적어도 상기 층간절연막을 선택식각하여 상기 제1스토리지 노드, 상기 제2스토리지 노드 및 상기 개구부를 관통하여 상기 모스트랜지스터의 접합을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 제5 단계;상기 콘택홀 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 제6 단계; 및상기 콘택홀을 통해 상기 제1스토리지 노드 및 상기 제2스토리지 노드와 상기 접합층을 전기적으로 접속하는 전도라인을 형성하는 제7 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자의 강유전체 캐패시터 형성방법.
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