KR20010051163A - 자외광 조사장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

(과제)
피가공물의 피가공면에 대하여 자외광을 조사하여 그 처리를 실시하기 위한 자외광조사장치 및 방법에 있어서, 그 처리의 효율을 향상시키고, 처리시간을 짧게 한다.
(해결수단)
본 발명의 자외광조사장치 (10) 는, 피가공물 (T) 을 대기중에서 지지하는 테이블 (13) 과, 파장 175 ㎚ 이하의 진공자외광을, 피가공물 (T) 의 피가공면에 조사하기 위한 자외광조사광원 (11) 과, 피가공물 (T) 의 피가공면 상방의 대기중의 공간에, 불활성가스, 바람직하게는 질소, 헬륨 또는 아르곤의 어느 하나를 유입시키는 불활성가스 유입수단 (22) 을 구비한다. 본 발명에 따르면, 상기 공간에는 불활성가스가 유입되어, 이에 의해 자외광조사광원과 피가공물의 면과의 사이의 산소농도가 내려가게 되어, 자외광의 광흡수가 경감된다.

Description

자외광 조사장치 및 방법 {APPARATUS AND METHOD FOR IRRADIATING ULTRAVIOLET LIGHT}
본 발명은, 반도체 실리콘웨이퍼나 액정디스플레이 제조용 기판 등의 피가공물의 표면에 대하여, 진공자외광을 조사하여, 이 표면의 처리, 즉 표면에 부착된 유기물을 산화제거하고, 이 표면을 직접 산화하고, 또 이 표면을 개질하기 위한 자외광조사장치 및 방법에 관한 것이다.
현재, 반도체집적회로의 제조 또는 액정디스플레이의 제조 등에 있어서의 세정공정의 일부에, 자외선조사를 이용한 세정방법이 검토 또는 이용되고 있다. 이 방법은 저압수은램프를 광원으로 하는 것이 주류로 되어 있다. 저압수은램프는, 주로 파장 186 ㎚ 와 254 ㎚ 에 스팩트럼을 갖는 방전램프이다.
공기 등 산소가 존재하는 분위기에 저압수은램프광을 조사함으로써, 산소분자 (O2) 는 산소원자 O (3P) 로 분리한다.
O2＋ hν(λ＝ 175 ∼ 254 ㎚) → O(3P)＋ O(3P)
여기에서 생성된 산소원자 O(3P) 는, 아직 분리되어 있지 않은 산소분자 (O2) 와 결합하여 오존 (O3) 을 생성한다.
O(3P) ＋ O2→O3
오존은 파장 254 ㎚ 부근을 중심으로 하여, 220 ∼ 300 ㎚ 에 흡수띠를 갖는다. 따라서 저압수은램프로부터 방사되는 파장 254 ㎚ 의 광을 받은 O3은 이 광을 흡수하여, 여기상태산소원자 O(1D) 와 산소원자 (O2) 로 분리한다.
O3＋ hν(λ＝ 220 ∼ 300 ㎚) → O(1D)＋ O2
또, 186 ㎚ 의 광의 포톤에너지는 6.7 eV 인 것에 대하여, 대표적인 유기물중의 결합인 C-H 결합에너지는 3.5 eV, C-O 결합에너지는 3.3 eV 로, 186 ㎚ 광의 포톤에너지보다 작다. 따라서, 이 광을 유기화합물에 조사함으로써 화학결합을 절단하고, 또한 상기 프로세스에서 생성된 오존이나 활성산소종의 산화력에 의해 비산제거시키는 것이다. 또 유기물이 존재하지 않는 청정표면에 대하여, 상기 방법을 사용하면, 표면에 OH 기 등의 친수기가 도입되어, 피가공물표면이 친수화된다. 이것은 막형성 이전에 실시하여 막의 밀착성을 향상시키기 위한 것 등에 사용되고 있다.
또한, 최근에는 보다 효율적인 방법으로서 저압수은램프 대신에, 보다 단파장의 광을 방사할 수 있는 크세논 등을 봉입한 엑시머램프를 사용한 세정 또는 개질방법이 검토되기 시작하고 있다.
엑시머 램프는, 예컨대 크세논가스를 봉입한 석영유리관에 수 ㎸ 의 교류고전압을 인가하여 배리어방전을 일으켜, 관내에 생성된 플라즈마에 의해 크세논가스분자를 여기결합, 즉 엑시머 (excimer) 상태로 하고, 그 상태로부터 기저상태로 복귀하는 과정에서 방출되는 광을 이용하는 것이다. 크세논가스를 봉입한 램프의 경우, 방사광은 172 ㎚ (반직폭 약 14 ㎚) 이다.
172 ㎚ 의 포톤에너지는 7.2 eV 와 저압수은램프의 6.7 eV 보다 높고, 화학결합절단은 보다 효율적으로 된다. 크세논엑시머램프의 방사광에는 220 ∼ 300 ㎚ 의 광은 거의 함유되어 있지 않기 때문에, 오존을 분해하여 여기상태 활성수소를 생성할 수 없지만, 175 ㎚ 보다 짧은 파장의 광을 산소분자 (O2) 에 조사하면 직접적으로 여기상태 산소원자 (O(1D)) 를 생성할 수 있다.
O2＋ hν(∼ 175 ㎚) →O(1D) ＋ O(3P)
이와 같이 크세논 엑시머 램프를 사용한 방법은, 저압수은램프를 사용한 방법에 비하여 포톤에너지가 높은 것, 직접적으로 산화력이 높은 여기상태 산소원자를 생성할 수 있는 것, 또 저압수은램프의 방사광은 186 ㎚, 254 ㎚ 이나 그 외의 스펙트럼을 갖는 것에 대하여, 크세논 엑시머 램프의 방사광은 172 ㎚ 의 준단일파장으로 입력에너지 (소비전력) 에 대한 파장 200 ㎚ 이하인 진공자외광의 취출 (변환) 효율이 높은 것 등의 많은 이점을 가져서 실제의 세정효율도 높아진다.
이들 자외선조사를 이용하는 세정, 산화방법은 UV/O3처리라 불리는데, UV/O3처리는 통상, 대기중에 설치한 피가공물에 대하여 실시한다. UV/O3처리의 효율은 일반적으로 피가공물로의 조사 UV 광 강도가 높을수록 좋고, 또 처리분위기중의 오존농도가 높을수록 좋다. 특히 저압수은램프를 사용하는 방법에서는 상술한 바와 같이 186 ㎚ 의 조사가 오존생성에 중요하게 되는데, 저압수은램프의 방사광은 186 ㎚ 보다 254 ㎚ 의 것이 매우 강하고, 생성되는 오존농도는 그렇게 높아지지 않는다. 따라서 실용적으로는 외부로부터 오존발생기 (오존제너레이터) 로 생성한 오존을 처리분위기에 도입하는 것 등을 하고 있다.
처리량이 중요시되는 집적회로제조 프로세스 등에 있어서는, 처리의 단시간화가 매우 중요시되고, UV/O3처리에서도, 보다 단시간에 처리할 수 있는 방법이 검토되고 있다. 가장 일반적인 방법은 기판온도를 높이는 방법이다. 「오존이용의 이론과 실제」 (리얼라이즈사, 평성원년 발행, p.309, ISBN:4-947655-29-1) 에 피가공물온도에 의한 UV/O3처리효율의 영향이 나타나 있다. 이에 의하면, 피가공물온도가 100도인 경우, 30 도에 비하여 5 배 정도 유기물제거속도가 빨라지고 있다.
또, 저압수은램프를 사용한 UV/O3처리에 있어서 처리분위기중에 수증기를 첨가함으로써 산화속도를 빠르게 하는 방법이, 「Preoxidation UV Treatment of Silicon Wafers」(J.Electrochem.Soc,Vol.134,No.8,1987, P.2052, J.Ruzyllo, G.T.Duranko,A.M.Hoff공저) 에 나타나 있다. 이 방법에 의하면 65 도로 따뜻해진 순수한 물이 들어간 병에 산소가스를 도입하여 버블링시켜 수증기를 발생시키고, 그 수증기를 처리분위기에 첨가함으로써, 산화속도가 빨라지는 것이 밝혀지고 있다.
상기한 바와 같이 산화속도를 빠르게하는 방법은 각종 검토되고 있으나, 시장에서는 더욱 단시간에 처리를 실현할 수 있는 자외광조사장치 및 방법의 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은, 피가공물의 피가공면에 대하여 자외광을 조사하여 그 처리를 실시하기 위한 자외광 조사장치 및 방법에 있어서, 그 처리의 효율을 더욱 향상시켜 그 처리시간을 짧게 하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 비교적 간편한 장치 구성에 의해 상기 목적을 달성하는 데 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련되는 자외광조사장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는 피가공물의 세정 또는 개질의 절차를 나타내는 플로우차트이다.
도 3 은 본 발명의 다른 실시형태에 관련되는 자외광조사장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 4 는 블로우관의 다른 설치태양을 나타내는 도면이다.
도 5 는 블로우관의 외관형상에 관한 태양을 나타내는 도면이다.
도 6 은 가스공급구의 배치에 관한 태양을 나타내는 도면이다.
도 7 은 가스통로의 형상에 관한 태양을 나타내는 도면이다.
도 8 은 블로우관의 다른 구성태양을 나타내는 도면이다.
도 9 는 노즐의 구성태양을 나타내는 도면이다.
도 10 은 불활성가스의 배출구멍을 슬릿으로 한 경우의 각 태양을 나타내는 도면이다.
도 11 은 불활성가스를 수증기와 혼합하여 공급하는 장치의 일 실시태양을 나타내는 도면이다.
도 12 는 본 발명에 따라 질소가스를 유입한 경우와 하지 않은 경우에 있어서의 접촉각을 나타낸 그래프이다.
(부호의 설명)
T : 피가공물 10 : 자외광조사장치
11 : 크세논 엑시머 램프 12 : 램프 하우징
12a : 차양형상 부분 13 : 테이블
14 : 모터스테이지 15 : 방전가스
16 : 냉각매체 17 : 금속전극
18 : 전원 19 : 광
20 : 질소가스 21 : 합성석영유리
21 : 반사미러 22 : 불활성가스유입수단
23 : 가스통로 24 : 노즐
25 : 가스공급구 30 : 자외광조사장치
31 : 크세논 엑시머 램프 32 : 램프 하우징
33 : 불황성가스유입수단 34 : 블로우관
35 : 가스통로 36 : 노즐
37 : 가스공급구 38 : 모터스테이지
39 : 테이블 100 : 슬릿
111 : 순수한 물 112 : 통기병
113 : 관 114 : 배출관
115 : 핫플레이트 116 : 질량유량 (mass flow) 컨트롤러
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 피가공물의 피가공면에 대하여 자외광을 조사하여 그 처리를 실시하기 위한 자외광 조사장치에 있어서, 상기 피가공물을 대기중에서 지지하는 테이블과, 파장 175 ㎚ 이하의 진공자외광을 상기 피가공물의 피가공면에 조사하기 위한 자외광 조사광원과, 상기 피가공물의 피가공면 상방의 대기중의 공간으로 불활성가스, 바람직하게는 질소, 헬륨 또는 아르곤 중 어느 하나를 유입시키는 불활성 가스 유입수단을 구비하여 구성된다.
여기서, 피가공면의 처리란 표면에 부착된 유기물을 산화제거하고, 이 표면을 직접 산화하고, 또한 이 표면을 개질하는 것을 포함한다.
이 경우에 있어서, 상기 불활성가스를 수증기와 혼합하여 상기 공간으로 유입시키는 것이 바람직하다.
상술한「오존이용의 이론과 실제」에 나타나는 바와 같이, 산소는 파장 130 ∼ 175 ㎚ 의 광을 강하게 흡수하고, 이 광을 흡수한 산소분자 O2는 직접적으로 기저상태를 산소원자 O(3P) 와 여기상태 산소원자 O(1D) 로 분리한다. 즉,
O2＋ hν(130 ∼ 175 ㎚) →O(1D) ＋ O(3P)
상기 반응에 의해 생성되는 여기산소원자 O(1D) 는 오존 O3보다 산화력이 강해서 세정·개질·산화를 효율적으로 실시할 수 있다. 또한, UV/O3처리는 O3나 여기상태 산소원자 등의 활성산소종에 의한 산화와 광원으로부터의 자외광 조사에 의한 화합물 분해의 상승효과이기 때문에, 피가공물 표면에 자외광이 조사되는 것이 필수로 된다.
그러나, 산소분자가 자외광을 강하게 흡수하는 점에서 자외광원으로부터의 거리가 길어짐에 따라 자외광 강도는 약해진다. 따라서, 자외광 조사광원과 피가공물 사이의 거리는 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 한편, 자외광 조사장치에 있어서는 그 구조상 자외광 조사광원과 피가공물 사이에는 일정 이상의 틈 (실용상 3 ∼ 5 ㎚) 이 요구된다.
본 발명에 따르면, 상기 공간에는 불활성가스가 유입되며, 그럼으로써 자외광 조사광원과 피가공물의 면 사이의 산소농도가 내려가서 자외광의 광흡수가 경감된다.
또한, 불활성가스를 수증기와 혼합하여 상기 공간으로 유입함으로써, 산화력이 강한 OH-가 생성되어 UV/O3처리의 효과는 더욱 향상된다. 즉, 수증기 H2O 는 자외광을 조사함으로써, 다음 반응식에서 H+와 OH-를 생성한다.
H2O ＋ hν→H+＋ OH-
OH-는 O3보다 산화력이 4 배 강하여 효율 좋은 산화처리가 가능하다. 또한, 수증기 H2O 는 진공자외광을 강하게 흡수하기 때문에, 불활성가스와 적합한 비율로 혼합하여 기판 표면에 자외광이 조사되도록 한다.
본 발명에 있어서, 상기 자외광 조사광원은 크세논 엑시머 램프 (발광파장 172 ㎚), 크립톤 엑시머 램프 (발광파장 146 ㎚), 아르곤 엑시머 램프 (발광파장 126 ㎚) 또는 불소 엑시머 램프 (발광파장 157 ㎚) 중 어느 것이어도 되며, 또한 유전체 배리어 방전, 고주파 방전, 마이크로파 또는 전자 빔 중 어느 하나를 여기원으로 하는 엑시머 램프여도 된다.
또한, 본 발명에 있어서 상기 불활성가스 유입수단은 상기 자외광 조사광원에 따른 방향으로 연장되는 가스통로와, 상기 가스통로내로 상기 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급원과, 상기 가스통로에 연통하여 상기 가스통로내로 안내된 불활성가스를 상기 공간으로 배출하는 상기 가스통로를 따라 설치된 1 또는 복수의 배기구멍을 구비하여 구성하는 것이 바람직하다.
이 경우에 있어서, 상기 가스통로 및 상기 1 또는 복수의 배기구멍이 상기 자외광 조사광원에 의한 자외광의 조사범위의 양측에 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 가스통로 및 상기 1 또는 복수의 배기구멍은 상기 자외광 조사광원의 케이스체에 형성할 수 있고, 또한 상기 자외광 조사광원과 상기 테이블 사이에 설치된 케이스체로 형성할 수 있다.
그리고, 상기 불활성가스 유입수단에 있어서의 상기 1 또는 복수의 배기구멍은, 상기 가스통로에 따른 방향에 있어서의 단위파장당 상기 복수의 배기구멍으로부터의 상기 불활성가스의 배출량이 거의 일정해지도록 서로의 간격, 크기 또는 형상을 조정하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 상기 테이블상의 상기 피가공물이 상기 자외광 조사광원에 의한 자외광의 조사범위내에서 이동하도록 상기 테이블을 회전시키는 회전수단, 또는 상기 자외광 조사광원에 의한 자외광의 조사범위를 가로지르도록 상기 테이블을 직선 이동시키는 이동수단을 구비하여 구성할 수 있다.
본 발명은 또한 피가공물의 피가공면에 대하여 자외광을 조사하여 그 처리를 실시하기 위한 자외광 조사방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 상기 피가공물을 대기중에서 지지하는 공정과, 상기 피가공물의 피가공면 상방의 대기중의 공간으로 불활성가스를 유입시키는 공정과, 파장 175 ㎚ 이하의 진공자외광을 상기 피가공물의 피가공면에 조사하는 공정을 구비하여 구성된다.
이 경우에 있어서, 상기 불활성가스를 수증기와 혼합하여 상기 공간으로 유입시키는 것이 바람직하다.
발명의 실시형태
이하, 도시한 실시형태에 의거하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관한 자외광 조사장치의 개략구성을 나타내는 도면이다. 본 실시형태에 관한 자외광 조사장치 (10) 는 진공자외광원으로서의 크세논 엑시머 램프 (11) 를 구비한 램프 하우징 (12) 과, 피가공물 (T) 을 지지하는 테이블 (13) 과, 이 피가공물을 지지한 테이블 (13) 을 회전시키는 모터 스테이지 (14) 를 구비한다. 자외광 조사장치 (10) 에 의해 세정 또는 개질되는 피가공물 (T) 은 예컨대, 집적회로 제조용 실리콘 웨이퍼 기판, 레이저 다이오드나 LED 제조용 갈륨비소 등 화합물 반도체 실리콘 웨이퍼 기판, 액정디스플레이 제조용 혹은 플라즈마 디스플레이 패널 제조용 등 평탄 패널 디스플레이 제조용 유리기판이다. 이들 기판은 각 제조공정 경과에 따라 상태가 달라지며, 실리콘, 유리 등 가공하지 않은 상태, 산화막, 레지스트, 컬러필터, 투명도전막, 금속막 등 각종 막을 형성한 상태 등 다양하다. 본 발명에 관한 자외광 조사장치 (10) 는 이들 각 상태에 있어서의 피가공물의 표면의 세정 또는 개질에 있어서 사용할 수 있다.
램프 하우징 (12) 에 내장되는 크세논 엑시머 램프 (11) 는 합성석영유리로 이루어지는 관을 이중으로 포개고 양단을 봉하여 그 공간에 크세논을 주로 하는 방전가스 (15) 를 봉입하여 구성된다. 내관의 내측은 순수한 물 등의 냉각매체 (16) 를 유입하여 냉각한다. 이 이중관의 내외면에는 크세논 가스 (파장 172 ㎚) 를 봉입한 합성석영유리관벽을 사이에 두고 금속전극 (17) 이 부착된다. 전원 (18) 에서 양 전극 (17) 사이에 1 ∼ 10 ㎸ 의 전압을 인가함으로써, 플라즈마 방전을 발생시켜 내부의 가스를 여기하고, 봉입가스 특유의 파장의 광 (19) 을 방사한다. 본 발명의 실시시에는 엑시머 램프 (11) 는 상기 크세논 가스를 봉입하는 것 대신에 크립톤 (146 ㎚), 아르곤 (126 ㎚), 불소 (157 ㎚) 가스를 봉입한 것을 사용하여도 된다. 또한, 그 여기방법도 고전압을 인가하는 유전체 배리어 방전여기 이외에, 고주파 방전여기, 마이크로파 여기, 전자 빔 여기 등의 방법을 사용할 수 있다.
램프 하우징 (12) 의 내부는 크세논 엑시머 램프 (11) 에서 방사되는 진공자외광을 손실없이 외부로 꺼내기 위하여, 불활성인 질소가스 (20) 로 치환되어 있다. 불활성가스로의 치환의 목적은 산소에 의한 진공자외광의 감쇄를 방지하기 위함이다. 본 발명의 실시시에 질소가스 대신에 헬륨, 아르곤, 네온 등 불활성가스를 사용할 수 있다.
상기 램프 하우징 (12) 에는 상기 불활성가스를 내부에 넣음과 동시에 크세논 엑시머 램프 (11) 로부터의 방사광을 꺼내기 위하여, 창재로서의 합성석영유리 (21) 가 부착되어 있다. 크세논 엑시머 램프 (11) 로부터의 자외광은 상기 합성석영유리 (21) 를 투과하여 피가공물 (T) 로 조사된다. 크세논 엑시머 램프 (11) 보다 더욱 단파장의 자외광을 조사하는 엑시머 램프를 사용하는 경우, 투과율의 감쇄가 적은 플루오르화 칼슘, 플루오르화 마그네슘, 플루오르화 리튬, 사파이어 등을 이 창재로서 사용할 수 있다.
상기 램프 하우징 (12) 은 크세논 엑시머 램프 (11) 를 내장한 공간의 내벽면에 반사 미러 (21) 를 구비한다. 반사 미러 (21) 는 크세논 엑시머 램프 (11) 로부터의 자외광을 반사하여 상기 반사광을 효율적으로 상기 합성석영유리 (21) 측을 향하게 한다. 일 실시예에 있어서, 반사 미러 (21) 는 알루미늄제이고 반사율을 높이기 위한 연마가 이루어져 있다. 그리고, 반사율의 햇수의 경과에 따른 열화나 부식을 방지하기 위해서는 플루오르화 마그네슘 등의 플루오르화물로 반사 미러 (21) 의 면을 코팅하는 것이 바람직하다.
피가공물 (T) 을 지지하는 상기 테이블 (13) 은 모터 스테이지 (14) 에 지지됨과 동시에 이것에 의해 수평회전된다. 상기 수평회전에 의해 테이블 (13) 상의 피가공물 (T) 의 면 전역에 균일하게 자외광을 조사할 수 있다. 즉, 크세논 엑시머 램프 (11) 로부터의 광의 강도분포는 그 바로 아래가 가장 강하고 이 곳에서 멀어질수록 약해진다. 따라서, 상기 회전에 의해 피가공물 (T) 의 면이 크세논 엑시머 램프 (11) 의 바로 아래를 통과하도록 하고, 그럼으로써 이 면에 대한 자외광의 균일한 조사를 실현한다. 반도체 실리콘 웨이퍼와 같은 원반상의 피가공물을 세정 또는 개질하기 위하여 이와 같은 구조가 특히 유효하다. 당연히 본 발명은 피가공물 (T) 을 회전시키지 않고 자외광 조사범위내에서 고정한 경우에도 효과가 있음은 당업자라면 알 수 있을 것이다.
테이블 (13) 에 대하여 피가공물 (T) 은 인력 또는 로봇 핸드에 의해 놓여진다. 테이블 (13) 은 피가공물 (T) 이 상기 회전시에 위치어긋남을 일으키거나 낙하하지 않도록 돌기 그 외의 가이드로 고정하고 또는 진공흡착에 의해 이것을 지지할 수 있다. 세정 또는 개질의 효율을 높이기 위해서는, 상기 테이블 (13) 에 놓여진 피가공물 (T) 의 면과 램프 하우징 (12) 하면의 틈은 작은 편이 바람직하다. 일 실시형태에 있어서 그 거리는 3 ∼ 5 ㎜ 이다.
본 실시형태에 관한 자외광 조사장치 (10) 는 그 램프 하우징 (12) 에 양측에 불활성가스 유입수단 (22) 을 추가로 구비한다. 불활성가스 유입수단 (22) 은 여기에는 도시하지 않은 공급원, 가스통로 (23) 및 가스의 배출공으로서의 노즐 (24) 을 포함하여 구성된다. 램프 하우징 (12) 은 그 길이방향 양측에 차양형상 부분 (12a) 을 구비하고, 여기에 상기 가스통로 (23) 및 노즐 (24) 이 형성되어 있다. 도 1 의 (C) 에 나타내는 바와 같이 가스통로 (23) 는 상기 차양형상 부분 (12a) 을 따라, 즉 크세논 엑시머 램프 (11) 를 따라 형성되며, 노즐 (24) 은 그 하부에 일정 간격으로 형성되어 있다. 가스공급원에서 공급되는 불활성가스는 가스통로 (23) 의 일 측에 형성된 가스공급구 (25) 에서 가스통로 (23) 내로 공급되고, 상기 가스통로 (23) 를 통해 각 노즐 (24) 로 부터 피가공물 (T) 의 면을 향해 분출된다. 분출된 불활성 가스의 일부는, 상기 크세논 엑시머램프 (11) 에 의한 자외광의 조사범위 (S) 로 흘러들고, 이것에 의해 그 대기공간의 산소 농도가 내려간다. 그 공간의 산소 농도의 저하는, 자외광의 광흡수를 경감하고, 세정 또는 개질의 효율을 향상시키는 것에 대해서는 전술한 바와 같다. 세정 또는 개질의 질을 일정하게 하기 위해서는, 노즐 (24) 로부터 분출되는 불활성 가스의 양을 안정시킬 필요가 있다. 이 목적을 위해, 바람직한 실시 형태에서는, 가스 공급원으로부터의 불활성 가스는 질량유량 컨트롤러 등에 의해 유량이 제어된 상태에서 상기 가스 공급구 (25) 로부터 공급된다. 본 발명에서, 상기 노즐로부터 분출 가능한 불활성 가스에는, 예를 들면 질소 가스, 헬륨 가스 또는 아르곤 가스가 있다. 또, 바람직한 실시 형태에서는 이들 불활성 가스를 수증기와 혼합하여 피가공물의 면에 공급한다. 불활성 가스를 수증기에 혼합하는 방법에 대해서는 후술한다.
다음으로, 상기 구성의 자외광 조사장치 (10) 에서의 피가공물 (T) 의 세정 또는 개질의 순서에 대해서 설명한다. 도 2 는, 피가공물의 세정 또는 개질의 순서를 나타내는 플로우 챠트이다. 최초의 공정 (201) 에서, 사람의 손 또는 로보트 핸드에 의해 테이블 (13) 상에 피가공물 (T) 이 탑재되고, 임의의 고정 수단 (예를 들면, 진공흡착) 에 의해 고정된다. 자외광 조사장치 (10) 의 설계에서, 피가공물 (T) 의 탑재를 용이하게 하기 위해, 램프하우징 (12) 을 테이블 (13) 에 대하여 상방으로 이동할 수 있도록 구성할 수 있다. 다음으로, 모터 스테이지 (14) 내의 모터를 구동하여 소정의 회전수로 피가공물 (T) 을 회전시킨다 (공정 202). 바람직한 실시예에서 이 회전수는 10 ∼ 60 rpm 이다.
상기 피가공물 (T) 의 회전의 개시와 동시 또는 그 직후에, 상기 불활성 가스 유입 수단 (22) 에 의한 불활성 가스의 유입을 개시한다 (공정 203). 가스 공급원의 밸브를 열고, 가스 통로 (23) 로 불활성 가스를 인도하여 각 노즐 (24) 로부터 분출시킨다. 분출된 불활성 가스의 일부는 자외광 조사영역 (S) 으로 유입되어, 그 분위기가 불활성 가스로 채워진다. 상기 피가공물 (T) 의 회전이 안정되고, 불활성 가스가 자외광 조사영역 (S) 에 충분히 유입된 시점에서 크세논 엑시머램프 (11) 가 점등되어, 진공 자외광이 피가공물 (T) 의 면에 대해 조사된다 (공정 204). 소정 시간, 상기 피가공물 (T) 의 회전, 불활성 가스의 분출 및 진공 자외광의 조사를 계속함으로써 그 세정 또는 개질을 완료한다.
다음으로, 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 자외광 조사장치에 대하여 설명한다. 도 3 은 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 자외광 조사장치의 개략 구성을 나타내는 도이다. 본 실시 형태에 관한 자외광 조사장치 (30) 에서, 불활성 가스 유입 수단 (33) 은, 앞의 실시 형태에서의 것과 달리 램프 하우징 (32) 과 별체인 한 쌍의 블로우관 (34, 34) 을 포함하여 구성된다. 블로우관 (34, 34) 은, 램프 하우징 (32) 의 하면 양측에서 크세논 엑시머램프 (31) 를 따라 고정된다. 블로우관 (34) 의 길이는, 크세논 엑시머램프 (31) 의 발광길이와 동일한 정도의 길이 또는 조사하는 피가공물의 사이즈 등을 고려하여 결정한다. 각 블로우관 (34) 은, 동 도 (B), (C) 에 나타낸 것과 같이 그 내부에 가스 통로 (35) 를 갖추고 있음과 동시에, 그 하면측에 일정 간격으로 형성된 노즐 (36) 을 구비한다. 도시하지 않은 가스 공급원으로부터의 불활성 가스는, 블로우관 (34) 의 일단에 형성된 가스 공급구 (37) 에서 가스 통로 (35) 안으로 인도되어, 각 노즐 (36) 로부터 분출된다. 본 실시 형태에서의 자외광 조사장치 (30) 의 이점은, 상기 불활성 가스 유입 수단 (33) 의 실장 및 교환이 용이한 것이다. 불활성 가스의 분출량, 분출범위 등을 조정하기 위해서는 블로우관 (34) 을 교환하면 된다. 또, 불활성 가스 유입 수단을 갖추지 않은 기존의 자외광 조사장치에 대하여 그 실장이 가능하다.
하나의 바람직한 실시 형태에 있어서, 블로우관 (34) 은 내경 6 mm, 외형 8 mm 의 스테인리스강이다. 또, 노즐 (36) 은 직경 (D) = 1 mm, 피치 (P) = 10 mm 이다. 무엇보다도 블로우관 (34) 의 재료는, 스테인리스강 이외의 금속, 유리, 세라믹, 플라스틱 등을 채용할 수도 있다.
또, 본 실시 형태에 관한 자외광 조사장치 (30) 에서, 그 모터 스테이지 (38) 는 테이블 (39) 을 수평 이동시키는 구동장치 및 기구를 갖는다. 상기 피가공물 (T) 을 회전시키는 대신에, 모터 스테이지 (38) 는 세정 또는 개질의 처리에 있어서 피가공물 (T) 을 탑재한 테이블을 수평 이동시키고, 이것에 의해 피가공물 (T) 이 자외광 조사영역 (S) 을 통과하도록 한다. 이러한 구조의 자외광 조사장치는 자외광 조사영역 (S) 보다도 넓은 피가공면을 갖는 비교적 대형의 피가공물, 예를 들면 액정 디스플레이 제조용 등의 유리 기판을 처리하는데 적합하다.
도 4 의 (A) ∼ (C) 는, 상기 블로우관 (34) 의 기타 설치 양태를 나타내고 있다. 동 도 (A) 및 (B) 는, 양 블로우관 (34) 의 노즐 (36) 의 방향을 각각 45 도 또는 90 도만큼 자외광 조사영역 (S) 측으로 기울인 것이다. 이것에 의해 노즐 (36) 로부터 분출되는 자외광이 자외광 조사영역 (S) 에 집중하기 쉬워진다. 이 밖에도 블로우관 (34) 의 각도를 임의로 설정할 수 있어, 이것으로 인해 바람직한 불활성 가스의 분출 각도를 선택할 수 있게 된다. 또, 동 도 (C) 에 나타낸 것과 같이, 상기 블로우관 (34) 은, 피가공물 (T) 의 양면에 대해 동시에 세정 또는 개질 처리를 실시할 수 있는 자외광 조사장치에서도 설치 가능하다.
도 5 ∼ 도 10 은 상기 블로우관 (34) 이 각종 구성 양태를 나타내고 있다. 무엇보다도 이들의 양태는 도 1 의 실시 형태에서의 불활성 가스 유입 수단 (22) 에서도 채용할 수 있다.
도 5 는 블로우관 (34) 의 외관 형상에 관한 양태를 나타내고 있으며, 동 도 (A) 는 원통상, 동 도 (B) 는 각진 통형상의 것이다. 또, 블로우관 (34) 의 형상으로서 편평 (扁平) 형상 및 이형 (異形) 단면 등을 채용할 수도 있다. 도 6 은 가스 공급구 (37) 의 배치에 관한 양태를 나타내고 있으며, 동 도 (A) 는 가스 공급구 (37) 가 가스 통로 (35) 의 일단측에 설치된 예, 동 도 (B) 는 가스 통로 (35) 의 중앙에 설치된 예, 동 도 (C) 는 가스 통로 (35) 의 양 단측에 설치된 예를 각각 나타내고 있다.
도 7 은 가스 통로 (35) 의 형상에 관한 양태를 나타내고 있다. 상기 가스 공급구 (37) 의 배치에 따라 가스 통로 (35) 의 직경을 축 방향으로 변화시키고, 이것에 의해 각 노즐 (36) 로부터 분출되는 불활성 가스의 양이 균일하게 되도록 조정한다. 즉, 각 실시 형태에서, 가스 통로 (35) 는 가스 공급구 (37) 를 설치한 위치로부터 떨어짐에 따라 그 직경이 넓어지도록 성형되어 있다.
도 8 은 블로우관의 다른 구성 양태를 나타내고 있으며, 상기 긴 형상의 블로우관 (34) 을 대신하여, 동 도 (A) 와 같은 블록 형상의 블로우관 (80) 을 채용할 수도 있다. 또, 불활성 가스의 분출 범위를 넓히기 위해, 동 도 (B) 와 같이 블록 형상의 블로우관 (80) 을 복수개 구비하여 불활성 가스 유입 수단을 구성할 수도 있다.
도 9 는, 노즐 (36) 의 구성 양태를 나타내고 있으며, 동 도 (A) 는 원형의 노즐 구멍 (36) 을 블로우관 (34) 의 전역에 걸쳐 일정 간격으로 구비한 예, 동 도 (B) 는 노즐 구멍 (36) 을 블로우관 (34) 의 중앙 부근에 집중시킨 예, 동 도 (C) 는 노즐 구멍 (36) 의 간격을 상이하게 한 예, 동 도 (D) 는 노즐 구멍 (36) 의 직경을 상이하게 한 예, 동 도 (E) 는 블로우관 (34) 의 양단 부근에만 노즐 구멍 (36) 을 구비한 예, 동 도 (F) 는 노즐 구멍 (36) 이 직사각형인 예를 각각 나타내고 있다.
또, 상기 불활성 가스 유입 수단에서, 불활성 가스의 배출 구멍은 슬릿상의 것이어도 된다. 도 10 은, 불활성 가스의 배출구멍을 상기 노즐을 대신하여, 슬릿 (100) 으로 한 경우의 각 양태를 나타내고 있다. 즉, 동 도 (A) 는 슬릿 (100) 을 블로우관 (34) 의 대략 전역에 걸쳐 형성한 예, 동 도 (B) 는 블로우관 (34) 의 중앙부근에만 형성한 예, 동 도 (C) 는 블로우관 (34) 의 양단측에 형성한 예, 동 도 (D) 는 슬릿 (100) 에서의 가스 공급구가 설치된 측의 폭을 좁게 하고 타측을 넓게 한 예, 동 도 (E) 는 가스 공급구가 설치된 중앙의 폭을 좁게 하고, 양측을 넓게 한 예를 각각 나타내고 있다. 상기 도 9 및 도 10 에 나타내는 노즐 (36) 및 슬릿 (100) 의 배치, 형상, 개수 등은, 필요한 불활성 가스의 유량, 가스 공급구의 배치, 가스 통로의 형상 등에 따라 여러 종류 선택하여 채용할 수 있다.
도 11 은, 불활성 가스를 수증기와 혼합하여 공급하는 장치의 일 실시 형태를 나타내고 있다. 도에서, 순수한 물 (111) 이 들어있는 유리제 통기병 (112) 에는, 불활성 가스 (예를 들면, 질소 가스) 를 도입하는 관 (113) 이 통기병 (112) 의 바닥 근처까지 배치되고, 통기병 (112) 상부에는 발생한 수증기를 외부로 꺼내기 위한 배출관 (114) 이 배치되어 있다. 통기병 (112) 중의 순수한 물 (111) 은, 핫플레이트 (115) 에 의해 50 ∼ 90 도로 데워져 있다. 도시하지 않은 봄베를 공급원으로 하는 불활성 가스는 질량유량 컨트롤러 (116) 로 유량 제어되어, 통기병 (112) 에 도입된다. 통기병 (112) 중의 순수한 물 (111) 은 버블링되고, 이에 의해 수증기가 발생한다.
통기병 (112) 의 배출관 (114) 으로부터는, 불활성 가스와 발생한 수증기가 취출되고, 이것은 상기 가스 공급구 (37) 로부터 가스 통로 (35) 로 인도되며, 그리고 노즐 (36) 로부터 상기 자외광 조사공간 (S) 으로 배출된다. 진공 자외광의 조사를 받은 수증기 (H2O) 는 바로 OH-를 생성하고, 피가공물 (T) 표면의 유기물 또는 피가공물 표면을 산화한다.
다음에, 도 2 에 나타낸 구성에 따른 자외광 조사장치를 사용하여, 그 표면이 오염된 실리콘 웨이퍼를 세정하고, 종래의 자외광 조사장치에 의한 경우와 비교한다.
실시예에 사용한 실리콘 웨이퍼는, 청정실이 아닌 방에 2 주간 방치하여 표면을 고의로 오염시켰다. 오염후의 실리콘 웨이퍼 표면에 순수한 물을 적하하여 접촉각을 측정한 결과, 32.6 도 였다. 실리콘 웨이퍼는 수평 이동 가능한 테이블 (39) 상에 놓고, 실리콘 웨이퍼 표면과 램프 하우징 간의 거리 (이하, 이를 작업간격 이라고 한다) 는 3 mm 및 5 mm 로 하였다. 테이블 (39) 의 이동 속도는 4mm/초 ∼ 50mm/초 의 사이에서 변화시킨다. 또, 사용한 진공 자외광원 (31) 은 유전체 배리어 방전에 의한 크세논 엑시머램프 (파장 172 nm) 이고, 램프의 길이는 350 mm 이다.
램프 (31) 를 수납한 램프 하우징 (32) 에 길이 330 mm 의 블로우관 (34) 을 2 개 설치하였다. 블로우관 (34) 의 내경은 6 mm, 외경은 8 mm 이고, 이 관의 축 방향에 10 mm 간격으로 직경 1 mm 의 노즐 구멍 (36) 을 형성하였다. 블로우관 (34) 은, 도 3 의 (B) 에 나타낸 것과 같이, 일단에 가스 공급구 (37) 를 설치하고 있고, 또 일단은 막혀 있다. 봄베로부터의 질소 가스를 질량유량 컨트롤러로 매분 10 리터로 설정하였다. 그 가스는 2 분지하여 2 개의 블로우관 (34) 의 가스 공급구 (37) 에 튜브로 접속하였다.
이러한 조건에서 실리콘 웨이퍼에 진공 자외광 조사를 행하고, 상기 질소 가스를 유입하지 않은 예와 비교하였다. 그 결과를 그래프로 하여 도 12 에 나타낸다. 이 그래프에서 횡축은 테이블의 이동 속도, 즉 실리콘 웨이퍼의 이동 속도이고, 종축은 처리 종료후의 접촉각 측정 결과이다.
작업간격이 3 mm 일 때나, 5 mm 일 때의 어떤 경우에서도 질소 가스를 방출했을 때의 경우가 빨리 세정할 수 있다. 일반적으로, 접촉각이 10 도 이하일 때 깨끗하다고 판단할 수 있다. 작업간격이 5 mm 인 경우에 착안하면, 질소 가스를 방출했을 때는 15 mm/초 의 속도에서 접촉각이 10 도로 되었다. 이에 대해 질소 가스를 흘리지 않은 종래의 처리에서 접촉각이 10 도로 된 것은, 대강 10 mm/초 의 속도일 때였다.
여기서 피가공물인 실리콘 웨이퍼의 직경은 300 mm 이고, 이 실리콘웨이퍼가 램프하우징하부 통과에 필요한 시간은 이동속도가 10 ㎜/초 일 때는 30초, 15 ㎜/초 일 때는 20 초이다. 이 것으로부터 질소가스를 흘려보냄으로서 1.5 배의 속도로 처리를 실시할 수 있었던 것을 알 수 있다. 본 실시예에서는 피가공물의 크기는 300 ㎜ 이지만, 이 처리시간의 차는 피가공물이 커질수록 현저해지는 것은 명확하고, 특히 기판크기가 큰 디스플레이 제조용 유리기판에의 조사에서는 매우 유용하다.
다음으로, 본 발명에 따라, 질소가스를 흘려보냈을 때, 및 질소가스와 수증기를 흘려보냈을 때의 세정의 효과를, 가스 및 수증기를 흘려보내지 않을 때 (종래예), 불활성가스가 아닌 산소가스를 흘려보냈을 때, 및 산소가스와 수증기를 흘려보냈을 때의 세정의 효과와 비교하였다.
이 실시예에서는 실리콘 웨이퍼를 이동하지 않고 정지한 상태에서 자외광을 조사하였다. 고의로 오염시킨 실리콘 웨이퍼의 처리전의 접촉각은 대략 40 도이다. 진공자외광원에는 동일하게 크세논 엑시머 램프 (파장 172 ㎚) 를 사용하였다. 작업간격은 3 ㎜ 로 하였다. 실리콘 웨이퍼는 30 ×30 ㎜ 정도의 크기로 절단하여 조사하였다.
질소가스와 수증기의 혼합가스 및 산소가스와 수증기의 혼합가스는, 도 11 에 나타낸 장치에 의해 생성하였다. 통기병 (112) 중에 순수한 물 (111) 을 넣어, 핫플레이트 (115) 로 수온 70 도로 설정하였다. 질량유량 컨트롤러 (116) 로 유량제어한 가스를 통기병 (112) 에 도입하여 수증기를 발생하였다.
상기 각 조건에 있어서 조사처리시간을 변화시켜 처리를 실시하고, 접촉각을 측정해 갔다. 각 조건에서의 조사결과를 근거로, 조사시간에 대한 접촉각의 값의 관계를 이하의 식으로 최소이승법을 사용하여 회귀하였다.
C ＝ Co × exp (-α·시간)
식중, Co 는 처리전의 접촉각, 시간은 조사처리시간, C 는 시간 (초) 의 처리후에 측정한 접촉각의 값이다. 여기에서 α는 회귀계산으로 구한 값으로 세정의 속도를 나타내는 계수이다. α가 클수록 세정속도가 빠른 것을 의미한다.
각 조건에서의 조사처리에 대한 α의 값을 비교한 결과를, 표 1 에 나타냈다.
처리방법 처리효율α
종래예 0.032
(질소＋수증기) 5ℓ/분 0.055
(질소＋수증기) 10ℓ/분 0.061
(질소＋수증기) 20ℓ/분 0.065
(질소) 5ℓ/분 0.041
(질소) 10ℓ/분 0.055
(질소) 20ℓ/분 0.050
(질소＋수증기) 5ℓ/분 0.035
(질소＋수증기) 10ℓ/분 0.032
(질소) 10ℓ/분 0.020
가장 α가 높은 조건은, 본 발명에 따라 질소가스와 수증기의 혼합가스를 분당 20 리터의 양으로 흘려보냈을 때로, α=0.065 였다. 또, 본 발명에 따라 질소가스와 수증기의 혼합가스를 분당 10 리터로 흘려보냈을 때는 α=0.061 로 다음으로 α가 높았다. 이들에 대하여 종래의 조사처리에서는 α=0.032 이었다. 따라서 수증기와 질소의 혼합가스를 흘려보냄으로써 종래 처리보다 2 배, 질소가스를 흘려보냄으로써 1.3 배의 속도를 얻을 수 있었다.
또, 산소가스를 흘려보냈을 때에는 α=0.02 로 종래예보다도 효율이 내려갔다. 이것은 실리콘웨이퍼표면의 산소농도가 높아져, 진공자외광이 표면에 도달하기 어려워졌기 때문이라고 생각한다. 또한, 산소와 수증기의 혼합가스를 흘려보냈을 때에는 종래예의 처리와 대략 동등한 결과였다. 이것은, 실리콘웨이퍼표면에 도달하는 광강도는 작아지지만, 생성되는 OH-의 산화력이 강해진 때문이라 생각된다.
또한, 본 실험에 관련하여, 블로우관의 길이를 L[㎜] (블로우관이 2 개인 경우에는 길이를 L/2 로 한다) 로 했을 때에, 질소가스의 유량은 L/60 [리터/분] 정도로 함으로써, 종래예의 처리보다도 효율적으로 세정을 실시할 수 있는 것을 알 수 있었다.
이상, 본 발명의 일 실시형태 및 실시예를 도면에 따라 설명하였다. 그러나 본 발명은 상기 실시형태에 나타낸 사항에 한정되지 않고, 특허청구범위의 기재에 근거하여 그 변경, 개량 등이 가능한 것은 명확하다. 본 발명에 의한 자외광의 조사방법은, 세정 또는 개질의 효과를 개선하는 공지의 다른 방법과 조합하여 사용할 수 있다. 피가공물의 온도를 예컨대 100도로 높이면, 산화속도가 5 배 정도로 되는 것이 알려져 있다. 따라서, 본 발명에 의한 수증기와 질소의 혼합가스를 흘려보냄과 동시에, 피가공물의 온도를 올림으로써, 더욱 고속으로 세정 또는 개질의 처리를 실시할 수 있다.
본 발명은 피가공물표면의 세정과 개질에 그치지 않고, 기판표면의 직접 산화에도 유용하다. 예컨대, 미세화가 매년 진행되고 있는 반도체집적회로에 있어서, 게이트산화막을 실리콘웨이퍼상에 생성하는 공정이 있으나, 현재로서는, 이 생성을 위해 열산화방법이 사용되고 있다. 그러나, 본 발명에 따라, 수증기와 질소가스의 혼합가스를 상기 기판표면에 흘려보냄으로써, 보다 저온에서 품질이 좋은 산화막을 실리콘웨이퍼상에 생성하는 것이 가능해진다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 자외광을 조사하여 피가공물의 면을 세정 또는 개질 등을 하는 경우에 있어서, 그 처리효율이 개선되어, 처리에 필요한 시간을 단축하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명에 의하면, 비교적 간단한 장치구성에 의해 처리효율을 개선할 수 있고, 이 장치비용의 저감 및 그 양산화가 용이해진다.

Claims (17)

  1. 피가공물의 피가공면에 대하여 자외광을 조사하여 그 처리를 실시하기 위한 자외광 조사장치에 있어서,
    상기 피가공물을 대기중에서 지지하는 테이블과,
    파장 175 ㎚ 이하의 진공자외광을 상기 피가공물의 피가공면에 조사하기 위한 자외광 조사광원과,
    상기 피가공물의 피가공면 상방의 대기중의 공간으로 불활성가스를 유입시키는 불활성 가스 유입수단을 구비한 자외광 조사장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 불활성가스를 수증기와 혼합하여 상기 공간으로 유입시키는 자외광 조사장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 불활성가스가 질소, 헬륨 또는 아르곤의 어느 하나인 자외광 조사장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 자외광 조사광원이 크세논 엑시머 램프, 크립톤 엑시머 램프, 아르곤 엑시머 램프 또는 불소 엑시머 램프 의 어느 하나인 자외광 조사장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 자외광 조사광원이, 유전체 배리어 방전, 고주파 방전, 마이크로파 또는 전자빔의 어느 하나를 여기원으로 하는 엑시머 램프인 자외광 조사장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 불활성가스 유입수단은,
    상기 자외광 조사광원에 따른 방향으로 연장되는 가스통로와,
    상기 가스통로내로 상기 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급원과,
    상기 가스통로에 연통하여 상기 가스통로내로 안내된 불활성가스를 상기 공간으로 배출하는 상기 가스통로를 따라 설치된 1 또는 복수의 배기구멍을 구비하는 자외광 조사장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 가스통로 및 상기 1 또는 복수의 배기구멍이 상기 자외광 조사광원에 의한 자외광의 조사범위의 양측에 설치되어 있는 자외광 조사장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 가스통로 및 상기 1 또는 복수의 배기구멍이, 상기 자외광 조사광원의 케이스체에 형성되어 있는 자외광 조사장치.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 가스통로 및 상기 1 또는 복수의 배기구멍이, 상기 자외광 조사광원과 상기 테이블 사이에 설치된 케이스체에 형성되어 있는 자외광 조사장치.
  10. 제 6 항 내지 제 9 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 불활성가스 유입수단에 있어서의 상기 1 또는 복수의 배기구멍은, 상기 가스통로에 따른 방향에 있어서의 단위길이당의 이 복수의 배기구멍으로부터의 상기 불활성가스의 배출량이 대략 일정해지도록 서로의 간격, 크기 또는 형상이 조정되어 있는 자외광 조사장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 테이블상의 상기 피가공물이 상기 자외광 조사광원에 의한 자외광의 조사범위내에서 이동하도록, 상기 테이블을 회전시키는 회전수단을 구비한 자외광 조사장치.
  12. 제 1 항 내지 제 10 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 테이블상의 상기 피가공물이 상기 자외광 조사광원에 의한 자외광의 조사범위를 가로지르도록, 상기 테이블을 직선 이동시키는 이동수단을 구비한 자외광 조사장치.
  13. 피가공물의 피가공면에 대하여 자외광을 조사하여 그 처리를 실시하기 위한 자외광 조사방법에 있어서,
    상기 피가공물을 대기중에서 지지하는 공정과,
    상기 피가공물의 피가공면 상방의 대기중의 공간으로 불활성가스를 유입시키는 공정과,
    파장 175 ㎚ 이하의 진공자외광을 상기 피가공물의 피가공면에 조사하는 공정을 구비하는 자외광 조사방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 불활성가스를 수증기와 혼합하여 상기 공간으로 유입시키는 자외광 조사방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 상기 불활성가스가 질소, 헬륨 또는 아르곤의 어느 하나인 자외광 조사방법.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 자외광 조사광원이 크세논 엑시머 램프, 크립톤 엑시머 램프, 아르곤 엑시머 램프 또는 불소 엑시머 램프의 어느 하나인 자외광 조사방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 자외광 조사광원이, 유전체 배리어 방전, 고주파 방전, 마이크로파 또는 전자빔의 어느 하나를 여기원으로 하는 엑시머 램프인 자외광 조사방법.
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