KR20010047530A - High voltage generator - Google Patents

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KR20010047530A KR1019990051801A KR19990051801A KR20010047530A KR 20010047530 A KR20010047530 A KR 20010047530A KR 1019990051801 A KR1019990051801 A KR 1019990051801A KR 19990051801 A KR19990051801 A KR 19990051801A KR 20010047530 A KR20010047530 A KR 20010047530A
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Abstract

PURPOSE: A high voltage generator is provided to achieve a low power operation by minimizing the waste of power consumed unnecessarily in a charge pumping, by controlling to generate a high voltage power using not a charge pumping but an external power supply within the range of an operation voltage of a chip. CONSTITUTION: According to the voltage generator, a Vpp detecting unit(210) detects a high voltage from an output stage and detects whether the high voltage is lower than a voltage level fixed by a user. An oscillation unit(220) generates a pulse signal(osc) to control a charge pumping operation periodically according to the voltage level of the high voltage and is connected to an output stage of the Vpp detecting unit. A pumping unit(230) performs the charge pumping operation under the control of the pulse signal. A Vext detecting unit(215) detects an external power supply voltage and detects whether the external power supply voltage is higher than a voltage level fixed by the user. A Vpp voltage level shifting unit(240) shifts the high voltage level by receiving a signal generated by an OR operation of the output signals of the Vpp detecting unit and the Vext detection unit. An operational amplification unit(250) is activated by a row control signal(ctrl). A switching unit(260) controls to select a voltage level of the high voltage being output finally by connecting the pumping unit with an output stage of the operational amplification unit, and a precharge unit(270) precharges the high voltage during a standby mode by being connected between the external power supply voltage applying stage and the high voltage output stage.

Description

고전압 발생기{High voltage generator}High voltage generator

본 발명은 차세대 메모리장치에서 셀의 게이트 산화막의 신뢰도를 향상시키기 위해 고전압의 전위레벨을 일정수준 낮추어 발생시키는 고전압 발생기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 동작전압 범위내에서는 전하펌핑을 수행하는 대신 외부전원을 이용하여 고전압을 발생시키므로써 칩의 전력소모를 감소시켜 저전력을 실현하도록 한 고전압 발생기에 관한 것이다.The present invention relates to a high voltage generator which generates by lowering a potential level of a high voltage to a certain level in order to improve the reliability of a gate oxide of a cell in a next-generation memory device. More specifically, the present invention relates to an external power supply instead of performing charge pumping within an operating voltage range. The present invention relates to a high voltage generator capable of realizing low power by reducing power consumption of a chip by generating a high voltage by using a.

일반적으로, 외부 전원전압(Vext)보다 일정 전위이상 높은 고전압(Vpp)은 트랜지스터의 문턱전위(threshold voltage: Vt)손실을 보상하도록 Vcc + Vt이상의 전위레벨을 유지하게 되는데, 이러한 특성으로 인해 디램(DRAM) 등의 메모리회로 분야 - 특히, 워드라인 드라이버와 비트라인 분리회로 및 데이타 출력버퍼-에서 많이 사용된다.In general, the high voltage Vpp, which is higher than a predetermined potential higher than the external power supply voltage Vext, maintains a potential level of Vcc + Vt to compensate for the threshold voltage loss of the transistor. Memory circuits such as DRAM), in particular word line drivers, bit line isolation circuits and data output buffers.

도 1 은 종래에 사용된 고전압 발생기의 블럭 구성도를 도시한 것으로, 고전압(Vpp) 전위가 외부 전원전압(Vext)보다 일정전위-문턱전압(Vt)-이상 높아지는 것을 감지하는 전위 감지수단(110)과, 상기 전위 감지수단(110)의 출력단에 연결되어 상기 고전압의 전위레벨에 따라 전하 펌핑동작을 주기적으로 제어하기 위한 펄스신호를 발생시키는 발진수단(120)과, 상기 발진수단(120)으로부터 발생되는 펄스신호를 입력받아 전하 펌핑동작을 수행하는 펌핑수단(130)으로 구성된다.FIG. 1 is a block diagram of a conventional high voltage generator, and includes a potential detecting unit 110 for detecting that a high voltage Vpp potential is higher than a predetermined potential-threshold voltage Vt-over an external power supply voltage Vext. Oscillation means 120 connected to the output terminal of the potential sensing means 110 for generating a pulse signal for periodically controlling the charge pumping operation according to the potential level of the high voltage, and from the oscillation means 120 It is composed of a pumping means 130 for receiving the generated pulse signal to perform a charge pumping operation.

상기 구성을 갖고 고전압(Vpp)을 발생시키게 되는 종래의 고전압 발생기는 감지된 고전압의 전위레벨에 따라 선택적인 전하펌핑을 수행하므로써 고전압을 일정 전위수준으로 유지하며 발생시키게 되는데, 이때의 펌핑효율이 약 30%정도에 그치기 때문에 실제 사용되는 전류량에 비해 불필요하게 소모되는 전류량이 커지게 되면서 칩의 전력소모를 증가시키게 되는 문제점이 있다.The conventional high voltage generator having the above configuration and generating a high voltage (Vpp) is generated while maintaining a high voltage at a constant potential level by performing selective charge pumping according to the detected potential level of the high voltage. Since it is only about 30%, there is a problem that the power consumption of the chip is increased while the amount of unnecessary current is increased compared to the amount of current actually used.

이에따라, 저전력 동작을 수행하는데 제한이 따르게 된다.Accordingly, there are limitations to performing low power operation.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 고전압 전원을 칩의 동작전압 범위내에서는 전하펌핑에 의해서가 아닌 외부전원을 이용하여 보다 낮은 전위수준으로 발생시키도록 제어하므로써, 전하펌핑에 불필요하게 소모되는 전력의 낭비를 최소화하여 저전력 동작을 실현할 수 있도록 한 고전압 발생기를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to control the generation of a high voltage power supply to a lower potential level by using an external power supply rather than by charge pumping within the operating voltage range of the chip. The present invention aims to provide a high voltage generator capable of realizing low power operation by minimizing waste of power unnecessary for pumping.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1 실시예에 의한 고전압 발생기는 출력단으로부터 피드백되어 인가된 고전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 낮은 전위가 되는 것을 검출하는 제1 전위 감지수단과,In order to achieve the above object, the high voltage generator according to the first embodiment of the present invention detects the applied high voltage fed back from the output terminal and detects that the potential level is lower than the predetermined potential level preset by the user. 1 potential sensing means,

상기 제1 전위 감지수단의 출력단에 접속되어 상기 고전압의 전위레벨에 따라 전하 펌핑동작을 주기적으로 제어하기 위한 펄스신호를 발생시키는 발진수단과,Oscillating means connected to an output terminal of said first potential sensing means for generating a pulse signal for periodically controlling charge pumping operation in accordance with the potential level of said high voltage;

상기 펄스신호의 제어하에 전하 펌핑동작을 수행하는 펌핑수단과,Pumping means for performing a charge pumping operation under the control of the pulse signal;

외부 전원전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 높은 전위가 되는 것을 검출하는 제2 전위 감지수단과,Second potential detecting means for detecting an external power supply voltage and detecting that the potential level becomes a potential higher than a predetermined potential level preset by the user;

상기 제1 및 제2 전위 감지수단의 출력신호를 논리합하여 발생시킨 신호를 입력받아 고전압 전위를 일정레벨로 쉬프팅하여 출력하는 전위레벨 쉬프팅수단과,A potential level shifting means for receiving a signal generated by the OR of the output signals of the first and second potential sensing means and shifting the high voltage potential to a predetermined level and outputting the same;

로오 제어신호에 의해 활성화되어 공급받은 외부 전원전압을 상기 미리 설정된 일정 전위수준으로 연산 증폭시켜 발생하는 연산 증폭수단과,Arithmetic amplifying means generated by arithmetic amplification of the external power supply voltage activated and supplied by the row control signal to the predetermined predetermined potential level;

상기 전위레벨 쉬프팅수단의 출력신호에 따라 상기 펌핑수단과 연산 증폭수단의 출력단을 선택적으로 연결시켜 최종출력되는 고전압의 전위레벨을 선택하도록 제어하는 스위칭수단과,Switching means for selectively connecting the output stages of the pumping means and the operational amplifier means to select the potential level of the final output high voltage according to the output signal of the potential level shifting means;

상기 외부 전원전압 인가단과 고전압 출력단 사이에 접속되어 초기 동작시 고전압 전위를 일정 전위수준으로 프리차지시키는 프리차지수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.And a precharge unit connected between the external power supply voltage applying stage and the high voltage output stage to precharge the high voltage potential to a predetermined potential level during initial operation.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 의한 고전압 발생기는 출력단으로부터 피드백되어 인가된 고전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 낮은 전위가 되는 것을 검출하는 제1 전위 감지수단과,In addition, the high voltage generator according to the second embodiment of the present invention includes a first potential detecting means for detecting a high voltage fed back from the output terminal and detecting that the potential level is lower than a predetermined potential level preset by the user; ,

상기 제1 전위 감지수단의 출력단에 접속되어 상기 고전압의 전위레벨에 따라 전하 펌핑동작을 주기적으로 제어하기 위한 펄스신호를 발생시키는 발진수단과,Oscillating means connected to an output terminal of said first potential sensing means for generating a pulse signal for periodically controlling charge pumping operation in accordance with the potential level of said high voltage;

상기 펄스신호의 제어하에 전하 펌핑동작을 수행하는 펌핑수단과,Pumping means for performing a charge pumping operation under the control of the pulse signal;

외부 전원전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 높은 전위가 되는 것을 검출하는 제2 전위 감지수단과,Second potential detecting means for detecting an external power supply voltage and detecting that the potential level becomes a potential higher than a predetermined potential level preset by the user;

상기 제1 및 제2 전위 감지수단의 출력신호를 논리합하여 발생시킨 신호를 입력받아 고전압과 외부 전원전압을 각각 일정레벨로 쉬프팅하여 출력하는 제1 및 제2 전위레벨 쉬프팅수단과,First and second potential level shifting means for receiving a signal generated by the OR of the output signals of the first and second potential sensing means and shifting the high voltage and the external power supply voltage to a predetermined level, respectively;

로오 제어신호에 의해 활성화되어 공급받은 외부 전원전압을 상기 미리 설정된 일정 전위수준으로 연산 증폭하여 발생시키는 연산 증폭수단과,Arithmetic amplifying means for generating and amplifying the external power supply voltage activated and supplied by the row control signal to the predetermined predetermined potential level;

상기 제1 및 제2 전위레벨 쉬프팅수단의 출력신호에 의해 외부 전원전압 인가단과 고전압 출력단을 연결하여 상기 연산 증폭수단의 활성화 여부를 제어하는 활성화 제어수단과,Activation control means for connecting the external power supply voltage supply terminal and the high voltage output terminal by the output signal of the first and second potential level shifting means to control whether the operational amplification means is activated;

상기 외부 전원전압 인가단과 고전압 출력단 사이에 접속되어 초기 동작시 고전압 전위를 일정 전위수준으로 프리차지시키는 프리차지수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.And a precharge unit connected between the external power supply voltage applying stage and the high voltage output stage to precharge the high voltage potential to a predetermined potential level during initial operation.

도 1 은 종래에 사용된 고전압 발생기의 블럭 구성도1 is a block diagram of a conventional high voltage generator

도 2 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 고전압 발생기의 구성도2 is a configuration diagram of a high voltage generator according to a first embodiment of the present invention;

도 3 은 본 발명의 제2 실시예에 따른 고전압 발생기의 구성도3 is a configuration diagram of a high voltage generator according to a second embodiment of the present invention;

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

110, 210, 215, 310, 315 : 전위 감지수단 120, 220, 320: 발진수단110, 210, 215, 310, 315: potential sensing means 120, 220, 320: oscillation means

130, 230, 330: 펌핑수단 240, 340, 345: 전위레벨 쉬프팅수단130, 230, 330: pumping means 240, 340, 345: potential level shifting means

250, 350: 연산 증폭수단 260: 스위칭수단250 and 350: operational amplification means 260: switching means

360: 활성화 제어수단 270, 370: 프리차지수단360: activation control means 270, 370: precharge means

상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.The above and other objects and features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 는 본 발명의 제1 실시예에 따른 고전압 발생기의 구성도를 도시한 것으로, 출력단으로부터 피드백되어 인가된 고전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준(2.8V정도)보다 낮은 전위가 되는 것을 검출하는 Vpp 감지수단(210)과, 상기 Vpp 감지수단(210)의 출력단에 접속되어 상기 고전압의 전위레벨에 따라 전하 펌핑동작을 주기적으로 제어하기 위한 펄스신호(osc)를 발생시키는 발진수단(220)과, 상기 펄스신호(osc)의 제어하에 전하 펌핑동작을 수행하는 펌핑수단(230)과, 외부 전원전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 높은 전위가 되는 것을 검출하는 Vext 감지수단(215)과, 상기 Vpp 감지수단(210)과 Vext 감지수단(215)의 출력신호를 논리합하여 발생시킨 신호를 입력받아 고전압 전위를 일정레벨로 쉬프팅하여 출력하는 Vpp 전위레벨 쉬프팅수단(240)과, 로오 제어신호(ctrl)에 의해 활성화되어 공급받은 외부 전원전압을 상기 미리 설정된 일정 전위수준으로 연산 증폭시켜 발생하는 연산 증폭수단(250)과, 상기 Vpp 전위레벨 쉬프팅수단(240)의 출력신호에 따라 상기 펌핑수단(230)과 연산 증폭수단(250)의 출력단을 선택적으로 연결시켜 최종출력되는 고전압의 전위레벨을 선택하도록 제어하는 스위칭수단(260)과, 상기 외부 전원전압 인가단과 고전압 출력단 사이에 접속되어 대기모드시 고전압 전위를 일정 전위수준(Vext-Vt)으로 프리차지시키는 프리차지수단(270)을 구비하여 구성된다.2 is a block diagram of a high voltage generator according to a first embodiment of the present invention, in which a high voltage fed back from an output terminal is sensed and its potential level is higher than a predetermined potential level (about 2.8 V) preset by a user. It is connected to the output terminal of the Vpp sensing means 210 and the Vpp sensing means 210 for detecting the low potential, and generates a pulse signal (osc) for periodically controlling the charge pumping operation in accordance with the potential level of the high voltage Oscillating means 220, pumping means 230 for performing charge pumping operation under the control of the pulse signal osc, and an external power supply voltage, and the potential level is higher than a predetermined potential level preset by the user. A high voltage potential is received by inputting a signal generated by ORing the Vext sensing means 215 and the output signals of the Vpp sensing means 210 and the Vext sensing means 215. Vpp potential level shifting means 240 for shifting to a constant level and outputting, and operational amplification means 250 generated by amplifying and amplifying an external power supply voltage activated and supplied by the low control signal ctrl to the predetermined predetermined potential level 250 And a switch for selectively connecting the output terminal of the pumping means 230 and the operational amplifier 250 according to the output signal of the Vpp potential level shifting means 240 to select the potential level of the final high voltage. And a precharge means 270 connected between the external power supply voltage applying stage and the high voltage output stage to precharge the high voltage potential to a predetermined potential level Vext-Vt in the standby mode.

동 도면의 경우, 상기 Vpp 감지수단(210)과 Vext 감지수단(215)의 출력신호를 논리합하기 위한 게이트소자를 노아게이트(G1)로 구현하고 있다.In the same figure, a gate element for logically combining the output signals of the Vpp sensing means 210 and the Vext sensing means 215 is implemented as a noble gate G1.

또한, 상기 연산 증폭수단(250)은 메모리 셀내 게이트 산화막의 신뢰도 향상을 위해 일정 전위수준 낮은 값을 유지하며 외부전원의 전위수준에 따라 변하지 않는 전위신호인 VR(2.9V)를 일측 입력신호로 인가받고, 타측 입력신호로 상기 VR(2.9V)신호의 전위수준을 일정하게 유지하도록 하기위해 단위이득을 갖는 차동 증폭기구조로 이루어지며, 이의 구성은 공지된 사항이므로 자세한 구성 설명은 생략하기로 한다.In addition, the operational amplifier 250 maintains a low value at a predetermined potential level and improves the reliability of the gate oxide layer in the memory cell, and uses V R (2.9 V), which is a potential signal that does not change according to the potential level of an external power supply, as one input signal. It is applied to the other input signal is made of a differential amplifier structure having a unity gain in order to maintain the potential level of the V R (2.9V) signal as a constant, the configuration thereof is well known, so detailed description of the configuration will be omitted do.

한편, 상기 스위칭수단(260)은 상기 연산 증폭수단(250)의 출력단(N1)과 상기 펌핑수단(230)의 출력단 사이에 접속된 PMOS 트랜지스터(MP4)와, 상기 PMOS 트랜지스터(MP4)의 게이트단과 상기 펌핑수단(230)의 출력단 사이에 접속된 PMOS 트랜지스터(MP5)와, 상기 PMOS 트랜지스터(MP4) 게이트단과 접지단 사이에 접속되며, 그 게이트단이 상기 Vpp 전위레벨 쉬프팅수단(240)의 출력단에 상기 PMOS 트랜지스터(MP5)의 게이트단과 공통접속된 NMOS 트랜지스터(MN4)를 구비하여 구성된다.On the other hand, the switching means 260 and the PMOS transistor (MP4) connected between the output terminal (N1) of the operational amplifier means 250 and the output terminal of the pumping means 230, and the gate terminal of the PMOS transistor (MP4) and A PMOS transistor MP5 connected between an output terminal of the pumping means 230 and a gate terminal and a ground terminal of the PMOS transistor MP4, the gate terminal of which is connected to an output terminal of the Vpp potential level shifting means 240. The NMOS transistor MN4 is connected to the gate terminal of the PMOS transistor MP5 in common.

또한, 상기 프리차지수단(270)은 다이오드형 접속된 NMOS 트랜지스터(MN5)로 구현한다.In addition, the precharge means 270 is implemented with a diode-type connected NMOS transistor MN5.

이하, 상기 구성을 갖는 본 발명의 동작을 도면을 참조하며 각 수단별로 자세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, the operation of the present invention having the above configuration will be described in detail with reference to the drawings.

우선, 상기 Vext 감지수단(215)은 외부 전원전압(Vext)이 사용자에 의해 미리 설정된 전위값(본 실시예의 경우, 2.8V라 가정함)이 되는 시점을 감지하는 회로로서, 2.8V 이하에서는 외부 전원전압을 그대로 출력시키다가 2.8V이상이 되는 순간 그 출력신호를 '로직로우'로 천이시킨다.First, the Vext detecting means 215 is a circuit for detecting a point in time when the external power supply voltage Vext becomes a potential value set in advance by the user (assuming 2.8V in this embodiment). It outputs power voltage as it is, and when it reaches 2.8V or more, the output signal changes to 'logic low'.

이에따라, 외부 전원전압(Vext)이 2.8V 이하인 동작전압 범위에서는 상기 연산 증폭수단(250)과 펌핑수단(230)을 분리시켜 상기 연산 증폭수단(250)의 출력단 전위가 외부 전원전압(Vext)을 따라 점차 증가하도록 제어하는 한편, 고전압 전위가 상기 펌핑수단(230)에 의해 펌핑되어 일정 전위레벨인 2.8V를 유지하며 출력되도록 제어하게 된다.Accordingly, in the operating voltage range where the external power supply voltage Vext is 2.8 V or less, the operational amplification means 250 and the pumping means 230 are separated so that the potential of the output terminal of the operational amplification means 250 becomes the external power supply voltage Vext. While controlling to increase gradually accordingly, a high voltage potential is pumped by the pumping means 230 to control the output to maintain a constant potential level of 2.8V.

한편, 상기 Vpp 감지수단(210)은 고전압 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 전위값인 2.8V이하의 전위가 되는 것을 감지하여, 후단에 접속된 펌핑수단(230)의 동작을 활성화시켜 고전압 전위레벨이 상기 2.8V수준을 유지할 수 있도록 제어하는 회로로서, 상기 고전압 레벨이 2.8V 이하이면 출력을 '로직하이'로, 2.8V 이상이면 출력을 '로직로우'로 발생시키게 된다.On the other hand, the Vpp detecting means 210 detects that the high voltage potential level becomes a potential of 2.8 V or less, which is a potential value preset by the user, and activates the operation of the pumping means 230 connected to the rear end to the high voltage potential level. The circuit is controlled to maintain the 2.8V level. If the high voltage level is 2.8V or less, the output is 'logic high', and if the 2.8V or more is generated, the output is 'logic low'.

그레서, 상기 Vpp 감지수단(210)의 출력이 '로직하이'이면 후단의 논리합 게이트 소자인 노아게이트(G1)의 출력이 '로직로우'가 되면서 Vpp 전위레벨 쉬프팅수단(240)을 거쳐 0V로 출력된 '로직로우'의 신호에 의해 상기 스위칭수단(260)내 PMOS 트랜지스터(MP5)를 일차적으로 턴-온시키게 된다. 따라서, 상기 연산 증폭수단(250)의 출력단(N1)과 상기 펌핑수단(230)의 출력단 사이에 접속된 PMOS 트랜지스터(MP4)의 게이트단으로 고전압(Vpp)이 인가되어지면서 결국 상기 PMOS 트랜지스터(MP4)를 턴-오프시켜 상기 두 수단(250, 230)의 출력단을 격리시키게 된다.Therefore, when the output of the Vpp sensing means 210 is 'logic high', the output of the NOA gate G1, which is the next logical sum gate element, becomes 'logic low' and is output at 0 V through the Vpp potential level shifting means 240. By the logic 'low' signal, the PMOS transistor MP5 in the switching means 260 is primarily turned on. Accordingly, the high voltage Vpp is applied to the gate terminal of the PMOS transistor MP4 connected between the output terminal N1 of the operational amplifier 250 and the output terminal of the pumping means 230. ) To isolate the output of the two means (250, 230).

결과적으로, 고전압의 전위가 일정전압(2.8V) 이하의 전위수준이 되면 상기 스위칭수단(260)의 스위칭동작을 방지하므로써, 상기 펌핑수단(230)에 의해 펌핑된 전위가 최종 고전압 출력단으로 발생되도록 제어하게 된다.As a result, when the potential of the high voltage reaches a potential level lower than or equal to the constant voltage (2.8V), the switching operation of the switching means 260 is prevented, so that the potential pumped by the pumping means 230 is generated to the final high voltage output stage. Control.

한편, 상기 Vpp 감지수단(210)의 출력이 '로직로우'인 상태에서 상기 Vext 감지수단(215)의 출력이 '로직로우'로 천이될 경우, 후단의 논리합 게이트 소자인 노아게이트(G1)의 출력이 '로직하이'로 천이되면서 Vpp 전위레벨 쉬프팅수단(240)을 거쳐 Vpp 전위를 갖고 출력된 '로직하이'의 신호에 의해 상기 스위칭수단(260)내 NMOS 트랜지스터(MN4)를 일차적으로 턴-온시키게 된다.On the other hand, when the output of the Vext sensing means 215 transitions to 'logic low' while the output of the Vpp sensing means 210 is 'logic low,' As the output transitions to 'logic high', the NMOS transistor MN4 in the switching means 260 is first turned on by a signal of 'logic high' outputted with the Vpp potential through the Vpp potential level shifting means 240. Turned on.

이에따라, 상기 연산 증폭수단(250)의 출력단(N1)과 상기 펌핑수단(230)의 출력단 사이에 접속된 PMOS 트랜지스터(MP4)의 게이트단이 접지에 연결되어 턴-온되므로써 상기 두 수단(250, 230)의 출력단을 연결시키게 된다.Accordingly, the gate means of the PMOS transistor MP4 connected between the output terminal N1 of the operational amplifier 250 and the output terminal of the pumping means 230 is connected to ground and turned on so that the two means 250, 230 is connected to the output terminal.

결과적으로, 고전압의 전위가 일정전압(2.8V) 이상의 전위수준이 되면 상기 스위칭수단(260)을 동작시켜 상기 연산 증폭수단(250)과 펌핑수단(230)의 출력단을 연결시키므로써, 펌핑동작에 의해 발생된 전위가 아닌 상기 연산 증폭수단(250)이 외부 전원전압(Vext)을 인가받아 일정 전위수준(2.9V 수준)으로 유지시킨 전위를 최종 고전압 출력단으로 발생시키게 되는 것이다.As a result, when the potential of the high voltage reaches a potential level of 2.8V or more, the switching means 260 is operated to connect the output terminal of the operational amplification means 250 and the pumping means 230, thereby providing a pumping operation. The operational amplifier 250 receives the external power supply voltage Vext, which is not generated by the potential, to generate a potential maintained at a constant potential level (2.9 V level) to the final high voltage output terminal.

그러므로, 본 발명에 따른 고전압 발생기에서는 상기 노아게이트(G1)의 출력신호가 상기 연산 증폭수단(250)의 출력단(N1)과 고전압 펌핑수단(230)의 출력단의 연결여부를 결정하게 되며, 이에따라 상기 두 전위 감지수단(210, 215)의 출력이 모두 '로직로우'가 되는 경우에만 상기 노아게이트(G1)의 출력이 '로직하이'로 출력되어 지면서 상기 두 수단(250, 260)을 연결시켜 결국 고전압이 외부 전원전압(Vext)으로부터 발생될 수 있도록 제어하게 되는 것이다.Therefore, in the high voltage generator according to the present invention, the output signal of the NOA gate G1 determines whether the output terminal N1 of the operational amplifier 250 is connected to the output terminal of the high voltage pumping means 230. Only when the outputs of the two potential sensing means 210 and 215 are 'logic low', the output of the noah gate G1 is output as 'logic high' and the two means 250 and 260 are connected to each other. High voltage can be controlled to be generated from the external power supply voltage (Vext).

또한, 상기 Vpp 전위레벨 쉬프팅수단(240)은 상기 노아게이트(G1)의 출력신호를 입력받아 출력단에 접속된 스위칭수단(260)의 스위칭여부를 제어하기 위한 회로로서, 상기 펌핑수단(230)의 출력전위가 상기 연산 증폭수단(250)의 출력단 전위보다 높거나 같기 때문에, 상기 스위칭수단(260)의 동작제어를 위해 그 전위레벨을 각각 Vpp 또는 0V로 쉬프팅하게 된다.In addition, the Vpp potential level shifting means 240 is a circuit for controlling the switching of the switching means 260 connected to the output terminal by receiving the output signal of the noble gate (G1) of the pumping means 230 Since the output potential is higher than or equal to the output terminal potential of the operational amplifier 250, the potential level is shifted to Vpp or 0V, respectively, for the operation control of the switching means 260.

한편, 상기 프리차지수단(270)을 이루는 NMOS 트랜지스터(MN5)는 동작초기 고전압 출력단의 전위수준을 Vext-Vt로 프리차지시켜 주므로써, 고전압을 0V에서부터 펌핑할 필요없이 Vext-Vt의 소정 전위수준에서부터 펌핑을 시작하도록 제어하여 펌핑에 요구되는 전력 및 시간소모를 대폭 감소시킬 수 있도록 한다.On the other hand, the NMOS transistor MN5 constituting the precharge means 270 precharges the potential level of the initial high voltage output stage to Vext-Vt, so that the predetermined potential level of Vext-Vt is not required to pump the high voltage from 0V. The pumping control can be started from the pump to significantly reduce the power and time required for pumping.

도 3 은 본 발명의 제2 실시예에 따른 고전압 발생기의 구성도를 도시한 것으로, 출력단으로부터 피드백되어 인가된 고전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준(2.8V)보다 낮은 전위가 되는 것을 검출하는 Vpp 감지수단(310)과, 상기 Vpp 감지수단(310)의 출력단에 접속되어 상기 고전압의 전위레벨에 따라 전하 펌핑동작을 주기적으로 제어하기 위한 펄스신호(osc)를 발생시키는 발진수단(320)과, 상기 펄스신호(osc)의 제어하에 전하 펌핑동작을 수행하는 펌핑수단(330)과, 외부 전원전압(Vext)을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 높은 전위가 되는 것을 검출하는 Vext 감지수단(315)과, 상기 Vpp 감지수단(310) 및 Vext 감지수단(315)의 출력신호를 논리합하여 발생시킨 신호를 입력받아 고전압과 외부 전원전압을 각각 일정레벨로 쉬프팅하여 출력하는 각각의 전위레벨 쉬프팅수단(340, 345)과, 로오 제어신호(ctrl)에 의해 활성화되어 공급받은 외부 전원전압을 상기 미리 설정된 일정 전위수준으로 연산 증폭하여 발생시키는 연산 증폭수단(350)과, 상기 두 전위레벨 쉬프팅수단(340, 345)의 출력신호에 의해 외부 전원전압 인가단과 고전압 출력단을 연결하여 상기 연산 증폭수단의 활성화 여부를 제어하는 활성화 제어수단(360)과, 상기 외부 전원전압 인가단과 고전압 출력단 사이에 접속되어 초기 동작시 고전압 전위를 일정 전위수준으로 프리차지시키는 프리차지수단(370)을 구비하여 구성된다.3 is a block diagram of a high voltage generator according to a second embodiment of the present invention, in which a high voltage fed back from an output terminal is sensed and its potential level is lower than a predetermined potential level (2.8 V) preset by a user. Connected to an output terminal of the Vpp sensing means 310 and generating a pulse signal osc for periodically controlling the charge pumping operation according to the potential level of the high voltage. The oscillation means 320, the pumping means 330 for performing the charge pumping operation under the control of the pulse signal osc, and the external power supply voltage Vext are sensed so that the potential level is preset by the user. Vext sensing means 315 for detecting that the potential is higher and a signal generated by ORing the output signals of the Vpp sensing means 310 and the Vext sensing means 315 are inputted to the high voltage and the external device. Each of the potential level shifting means 340 and 345 for shifting the power supply voltage to a predetermined level and outputting the resultant voltage, and amplifying the external power supply voltage activated and supplied by the low control signal ctrl to the predetermined constant potential level. Activation control means for controlling whether or not the operational amplification means is activated by connecting an external power supply voltage applying end and a high voltage output end by the operational amplifying means 350 for generating and the output signals of the two potential level shifting means 340 and 345 ( 360 and a precharge means 370 connected between the external power supply voltage applying stage and the high voltage output stage to precharge the high voltage potential to a predetermined potential level during an initial operation.

상기 활성화 제어수단(360)은 외부 전원전압 인가단과 제1 노드(N1)의 사이에 상호 직렬연결되며 각각의 게이트단으로 상기 Vext 전위레벨 쉬프팅수단(345)의 출력신호와 상기 펌핑수단(330)의 출력신호가 인가되는 2개의 PMOS 트랜지스터(MP1, MP2)와, 상기 제1 노드(N1)와 상기 펌핑수단(330)의 출력단 사이에 상호 직렬접속되며 각각의 게이트단으로 상기 외부 전원전압과 상기 Vpp 전위레벨 쉬프팅수단(340)의 출력신호가 인가되는 2개의 PMOS 트랜지스터(MP3, MP4)를 구비하여 구성된다.The activation control means 360 is connected in series between an external power supply voltage applying stage and the first node N1 and outputs the output signal of the Vext potential level shifting means 345 and the pumping means 330 to each gate terminal. Two PMOS transistors MP1 and MP2 to which an output signal is applied, and are connected in series with each other between the output terminal of the first node N1 and the pumping means 330, and the external power voltage and the And two PMOS transistors MP3 and MP4 to which the output signal of the Vpp potential level shifting means 340 is applied.

상기 제1 노드의 전위는 후단의 연산 증폭수단(350)의 인에이블소자인 PMOS 트랜지스터(MP9)의 게이트단으로 인가되어 연산 증폭수단(350)의 활성화여부를 제어하게 된다.The potential of the first node is applied to the gate terminal of the PMOS transistor MP9, which is an enable element of the operational amplifier 350 of the rear end, to control whether the operational amplifier 350 is activated.

상기 구성을 갖는 본 발명의 제2 실시예에 따른 고전압 발생기는 제1 실시예에서와는 달리 상기 연산 증폭수단(350)의 출력단(N2)과 상기 펌핑수단(330)의 출력단은 항상 연결된 상태가 되며, 단지 두 전위레벨 쉬프팅수단(340, 345)의 출력신호에 의해 동작하는 활성화 제어수단(360)의 출력단(N1) 전위가 후단에 접속된 연산 증폭수단(350)의 활성화여부를 제어하게 되므로써, 고전압을 펌핑동작에 의해 또는 활성화된 연산 증폭수단(350)에 의해 외부 전원전압(Vext)으로부터 발생시킬지의 여부를 결정하게 되는 것이다.Unlike the first embodiment, the high voltage generator according to the second embodiment of the present invention having the above configuration is always connected to the output terminal N2 of the operational amplifier means 350 and the output terminal of the pumping means 330. Since only the potential of the output terminal N1 of the activation control means 360 operated by the output signals of the two potential level shifting means 340 and 345 controls the activation of the operational amplifier means 350 connected to the rear end, the high voltage Is generated by the pumping operation or by the activated operational amplifying means 350, or not.

물론, 상기 연산 증폭수단(350)의 활성화 여부는 상기 Vpp 감지수단(310) 및 Vext 감지수단(315)의 출력신호- 즉, 동작 전압의 범위에 따라 결정되어지며 그 동작조건은 도 2 에 도시된 제1 실시예에서와 동일하게 설정되며, 자세한 동작 설명은 설명의 중목을 피하기 위해 생략하기로 한다.Of course, whether to activate the operational amplifier means 350 is determined according to the output signal of the Vpp sensing means 310 and the Vext sensing means 315, that is, the range of the operating voltage and the operating conditions are shown in FIG. It is set the same as in the first embodiment described above, detailed operation description will be omitted to avoid the focus of the description.

이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 따른 고전압 발생기에 의하면, 동작 전압 범위내에서 외부 전원전압이 미리 설정해 둔 일정 전위이상이 되면 전하 펌핑동작에 의해서가 아닌 상기 외부 전원전압을 이용하여 고전압을 발생시키도록 제어하므로써, 저효율의 고전압 펌핑동작에 소요되는 시간 및 전력의 낭비를 최소화할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.As described above, according to the high voltage generator according to the present invention, when the external power supply voltage is higher than a predetermined predetermined voltage within the operating voltage range, the high voltage is generated using the external power supply voltage rather than by the charge pumping operation. By controlling, there is a very excellent effect of minimizing waste of time and power required for low efficiency high voltage pumping operation.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.In addition, preferred embodiments of the present invention are disclosed for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to make various modifications, changes, additions, etc. within the spirit and scope of the present invention, such modifications and modifications belong to the scope of the claims You will have to look.

Claims (6)

출력단으로부터 피드백되어 인가된 고전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 낮은 전위가 되는 것을 검출하는 제1 전위 감지수단과,First potential sensing means for sensing a high voltage fed back from the output terminal and detecting that the potential level is lower than a predetermined potential level preset by the user; 상기 제1 전위 감지수단의 출력단에 접속되어 상기 고전압의 전위레벨에 따라 전하 펌핑동작을 주기적으로 제어하기 위한 펄스신호를 발생시키는 발진수단과,Oscillating means connected to an output terminal of said first potential sensing means for generating a pulse signal for periodically controlling charge pumping operation in accordance with the potential level of said high voltage; 상기 펄스신호의 제어하에 전하 펌핑동작을 수행하는 펌핑수단과,Pumping means for performing a charge pumping operation under the control of the pulse signal; 외부 전원전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 높은 전위가 되는 것을 검출하는 제2 전위 감지수단과,Second potential detecting means for detecting an external power supply voltage and detecting that the potential level becomes a potential higher than a predetermined potential level preset by the user; 상기 제1 및 제2 전위 감지수단의 출력신호를 논리합하여 발생시킨 신호를 입력받아 고전압 전위를 일정레벨로 쉬프팅하여 출력하는 전위레벨 쉬프팅수단과,A potential level shifting means for receiving a signal generated by the OR of the output signals of the first and second potential sensing means and shifting the high voltage potential to a predetermined level and outputting the same; 로오 제어신호에 의해 활성화되어 공급받은 외부 전원전압을 상기 미리 설정된 일정 전위수준으로 연산 증폭시켜 발생하는 연산 증폭수단과,Arithmetic amplifying means generated by arithmetic amplification of the external power supply voltage activated and supplied by the row control signal to the predetermined predetermined potential level; 상기 전위레벨 쉬프팅수단의 출력신호에 따라 상기 펌핑수단과 연산 증폭수단의 출력단을 선택적으로 연결시켜 최종출력되는 고전압의 전위레벨을 선택하도록 제어하는 스위칭수단과,Switching means for selectively connecting the output stages of the pumping means and the operational amplifier means to select the potential level of the final output high voltage according to the output signal of the potential level shifting means; 상기 외부 전원전압 인가단과 고전압 출력단 사이에 접속되어 초기 동작시 고전압 전위를 일정 전위수준으로 프리차지시키는 프리차지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생기.And a precharge means connected between the external power supply voltage applying stage and the high voltage output stage to precharge the high voltage potential to a predetermined potential level during an initial operation. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 연산 증폭수단은 사용자에 의해 미리 일정 전위레벨로 설정된 전위신호를 일측 입력신호로 인가받고, 외부 전원전압을 타측 입력신호로 인가받아 상기 두 입력신호를 비교증폭하는 전류미러 구조의 차동 증폭기로 구성하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생기.The operational amplifying means is configured as a differential amplifier having a current mirror structure that receives a potential signal set to a predetermined potential level in advance by a user as an input signal and receives an external power supply voltage as the other input signal to compare and amplify the two input signals. High voltage generator, characterized in that. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 스위칭수단은 상기 연산 증폭수단의 출력단과 상기 펌핑수단의 출력단 사이에 접속된 제1 PMOS 트랜지스터와,The switching means includes a first PMOS transistor connected between an output end of the operational amplifier means and an output end of the pumping means; 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트단과 상기 펌핑수단의 출력단 사이에 접속된 제2 PMOS 트랜지스터와,A second PMOS transistor connected between a gate end of the first PMOS transistor and an output end of the pumping means; 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트단과 접지단 사이에 접속되며, 그 게이트단이 상기 전위레벨 쉬프팅수단의 출력단에 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트단과 공통접속된 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생기.And an NMOS transistor connected between the gate terminal and the ground terminal of the first PMOS transistor, the gate terminal of which is connected to the gate terminal of the second PMOS transistor at an output terminal of the potential level shifting means. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 프리차지수단은 다이오드형 MOS 트랜지스터로 구현하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생기.The precharge means is a high voltage generator, characterized in that implemented with a diode-type MOS transistor. 출력단으로부터 피드백되어 인가된 고전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 낮은 전위가 되는 것을 감지하는 제1 전위 감지수단과,First potential sensing means for sensing a high voltage fed back from the output terminal and sensing that the potential level is lower than a predetermined potential level preset by the user; 상기 제1 전위 감지수단의 출력단에 접속되어 상기 고전압의 전위레벨에 따라 전하 펌핑동작을 주기적으로 제어하기 위한 펄스신호를 발생시키는 발진수단과,Oscillating means connected to an output terminal of said first potential sensing means for generating a pulse signal for periodically controlling charge pumping operation in accordance with the potential level of said high voltage; 상기 펄스신호의 제어하에 전하 펌핑동작을 수행하는 펌핑수단과,Pumping means for performing a charge pumping operation under the control of the pulse signal; 외부 전원전압을 감지하여 그 전위레벨이 사용자에 의해 미리 설정된 일정 전위수준보다 높은 전위가 되는 것을 감지하는 제2 전위 감지수단과,Second potential detecting means for sensing an external power supply voltage and detecting that the potential level is higher than a predetermined potential level preset by the user; 상기 제1 및 제2 전위 감지수단의 출력신호를 논리합하여 발생시킨 신호를 입력받아 고전압과 외부 전원전압을 각각 일정레벨로 쉬프팅하여 출력하는 제1 및 제2 전위레벨 쉬프팅수단과,First and second potential level shifting means for receiving a signal generated by the OR of the output signals of the first and second potential sensing means and shifting the high voltage and the external power supply voltage to a predetermined level, respectively; 로오 제어신호에 의해 활성화되어 공급받은 외부 전원전압을 상기 미리 설정된 일정 전위수준으로 연산 증폭하여 발생시키는 연산 증폭수단과,Arithmetic amplifying means for generating and amplifying the external power supply voltage activated and supplied by the row control signal to the predetermined predetermined potential level; 상기 제1 및 제2 전위레벨 쉬프팅수단의 출력신호에 의해 외부 전원전압 인가단과 고전압 출력단을 연결하여 상기 연산 증폭수단의 활성화 여부를 제어하는 활성화 제어수단과,Activation control means for connecting the external power supply voltage supply terminal and the high voltage output terminal by the output signal of the first and second potential level shifting means to control whether the operational amplification means is activated; 상기 외부 전원전압 인가단과 고전압 출력단 사이에 접속되어 초기 동작시 고전압 전위를 일정 전위수준으로 프리차지시키는 프리차지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생기.And a precharge means connected between the external power supply voltage applying stage and the high voltage output stage to precharge the high voltage potential to a predetermined potential level during an initial operation. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 활성화 제어수단은 외부 전원전압 인가단과 출력노드의 사이에 상호 직렬연결되며, 게이트단으로 상기 제2 전위레벨 쉬프팅수단의 출력신호와 상기 펌핑수단의 출력신호가 각각 인가되는 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터와,The activation control means are connected in series between an external power supply voltage applying stage and an output node, and the first and second PMOSs to which an output signal of the second potential level shifting means and an output signal of the pumping means are respectively applied to a gate terminal. Transistors, 상기 출력노드와 상기 펌핑수단의 출력단 사이에 상호 직렬접속되며, 게이트단으로 상기 외부 전원전압과 상기 제1 전위레벨 쉬프팅수단의 출력신호가 각각 인가되는 제3 및 제4 PMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생기.And third and fourth PMOS transistors connected in series between the output node and the output terminal of the pumping means and to which the external power supply voltage and the output signal of the first potential level shifting means are respectively applied as a gate terminal. High voltage generator.
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KR100695285B1 (en) * 2005-10-06 2007-03-16 주식회사 하이닉스반도체 Bit-line Equalizing Signal Driving Circuit and Driving Method Thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100455848B1 (en) * 2001-12-29 2004-11-06 주식회사 하이닉스반도체 Voltage regulation circuit
KR100695285B1 (en) * 2005-10-06 2007-03-16 주식회사 하이닉스반도체 Bit-line Equalizing Signal Driving Circuit and Driving Method Thereof

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