KR20010013151A - 열 검출기 어레이 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 50
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 18
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
- H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
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Abstract
열 검출기 소자들의 어레이를 포함하는 열 검출기 장치, 열 검출기 소자들의 어레이를 포함하는 마이크로브리지 구조들, 판독 실리콘 집적 회로소자(ROIC) 및 마이크로브리지 구조들의 어레이위의 상호접속층은 배열된다. 상호접속층은 마이크로브리지 구조들이 판독 실리콘 집적 회로소자와 전기적으로 접촉하거나 판독 실리콘 집적 회로소자로부터 분리되도록 마이크로브리지 구조들과 ROIC위의 입력 콘택트들 사이에 전기 접속부를 제공하는 다수의 도전 상호접속 채널들을 포함한다. 상호접속층이 ROIC에서부터 마이크로브리지 구조들을 분리시킬 때, 통상 강유전체 재료인, 검출기 재료는 ROIC의 손상을 피하는데 한정하지 않는 증착 온도 또는 어닐링 온도에서 마이크로브리지 구조위에 제조될 수 있다. 적어도 500℃의 증착 온도 또는, 바람직하게는, 예를 들면 700℃ 내지 900℃의 고온은 고 기능 강유전체 또는 마이크로볼로미터 열 검출기 어레이들의 제조에 사용될 수 있다. 또한, 본 발명은 상호접속층을 포함하는 고 기능 열 검출기 어레이들의 제조 방법에 관한 것이다.
Description
강유전체 검출기들 및 저항 볼로미터(bolometer)들과 같은 열 검출기들은 냉각을 위해 극저온의 모듈들을 필요로 하는 광자(또는 반도체) 검출기들과는 달리 주위 온도에서 작동하기 때문에 중요하다. 일반적으로, 열 검출기의 개발은 다수의 소자들과 작은 상호소자 피치를 갖는 어레이들을 달성하고, 비디오 영상을 보기위해 고안된 검출기 어레이 및 영상 시스템에 고유 노이즈 레벨을 넘는 장면에서 관찰될 수 있는 온도 판별 레벨을 강화하기 위한 방향으로 진행된다.
열 검출기들의 선형 및 2차원 어레이들은, 방사 민감 소자와 같은, 강유전체 재료들과 또 산화 금속과 반도체 재료들의 부류로부터 된 저항 볼로미터 재료들 둘 다 사용하여 구성된다. 강유전체 웨이퍼들은 세라믹 블록들로 제조되고 미국 특허 제 4,142,207호에서 설명된 바와 같이 금속 범프 접합(metal bump bonding)에 의해 직접 실리콘 판독 집적 회로소자(IC)에 접합되어 얇은 단면으로 연마된다. 이 특허는 각각의 소자에 대한, 실리콘 IC위에 제조된 얇은 금속 열들의 맨 위를 접합함으로서 실리콘 IC에서의 검출기 소자의 열 절연 개선에 있어서 더욱 바람직함을 강조한다. 개선된 열 절연(즉, 소자의 저열 컨덕턴스)은 장면에 집중된 적외선 방사를 흡수할 때 소자에 보다 높은 신뢰도를 보장하기 위해 필요하다. 범프 접합 공정은 소자위에 가용성이 있는 금속 패드들과 실리콘 IC의 입력 회로소자 사이의 금속 표면들이나 솔더 범프 접합 사이에 냉간 용접을 필요로 한다[D J Pedder, Hybride Circuits, Vol. 15, p4, 1998].
미국 특허 제 5,450,053호에서 검출기 소자들의 열 절연은 소자당 1개의 마이크로브리지가 있도록 실리콘 판독 집적 회로소자(ROIC)의 표면위에 마이크로브리지 구조들의 어레이들을 구성함으로서 얻어진다. 마이크로브리지는 저열 컨덕턴스를 달성하기 위해 얇고 좁은 다리들로 상기 IC위에 검출기 소자를 지지한다. 검출기 소자 재료는 얇은 막 또는 마이크로브리지 구조로 증착되고 신호를 모으는데 적당한 전극들을 제공하며 IC내의 실리콘 판독 회로소자의 다리들 아래를 지난다. 저항 볼로미터 재료를 증착하는 기술은 저항 마이크로볼로미터들의 큰 어레이의 제조를 허용한다. 기술은 저열 컨덕턴스들로 인해 달성된 범프 접합 기술을 사용하여 제조된 것보다도 고 기능 검출기 어레이의 제조를 허용한다.
고 기능의 강유전체 열 검출기 어레이들은 마이크로브리지 구조들을 사용하여 제조될 수 있음이 제안됐다[R. Watton, Ferroelectrics, Vol.133, pp.5-10, 1992]. 강유전체 재료는 여러 가지의 기술들, 솔-겔(sol-gel) 공정, 알에프 자전관 스퍼터링(rf magnetron sputtering), 레이저 제거 또는 MOCVD에 의해 증착될 수 있다. 그러나, 마이크로브리지 구조들위에 강유전체 막을 증착하는데 있어 엄격한 제한은, 마이크로브리지 구조들의 어레이가 있는 기판을 대신하는, 실리콘 IC가 증착되는 동안 올라갈 수 있는 온도이다. 실리콘 IC 최대 온도는 어레이 판독 작용들(즉, 증폭과 소자 매트릭스 스위칭)을 제공하는 회로소자의 손상을 피하기 위해 500℃의 영역에 한정된다. 그러나, 증착된 유전체 막에서 보다 높은 기판 온도들을 달성하기에 바람직한 강유전체 성질들은 증착 공정 또는 그 후의 어닐링 둘 중의 하나를 필요로 할 수 있음이 제안됐다[R. Watton. ibid. and R. Watton, Integrated Ferroelectrics, Vol.4, pp.175-186, 1994].
따라서, 열 검출기 어레이들에 대한 가장 유리한 성질들을 얻기 위해, 강유전체 막들의 증착 또는 어닐링시에 요구되는 온도들 사이에 상반이 존재하고, 그 온도는 금속화와 실리콘 판독 IC상의 회로들의 손상을 피하도록 제한하고 있음이 공지되었다. 예를 들자면, 800℃와 900℃사이의 온도에서 강유전체 납 스칸듐 탄탈레이트(tantalate)의 어닐링 스퍼터된 막들은 상술한 범프 접착된 기술에서 사용된 세라믹 재료에서 측정된 것에 근접한 막들에 강유전체 성질들을 초래한다[R Watton and M A Todd, Ferroelectrics, Vol.118, pp279-295,1991]. 강유전체 성질들의 그런 값들은, 마이크로브리지 소자 구조들을 보다 높은 열 절연으로 결합하는 경우, 고 기능 열 검출기 어레이들을 초래한다.
납 지르콘산염(zirconate) 티탄산염(titanate)과 납 스칸듐 탄탈레이트 둘 다의 강유전체 막들은 열 검출기 어레이들의 영상 기능을 결정하는 강유전체 성질들의 감소된 값들을 갖지 않는 500℃범위내의 온도에서 증착되거나 또는 어닐링될 수 있다[R Watton, Ferroelectrics, Vol.184, pp141-150,1996]. 감소된 값들은 이러한 공정들에 의해 준비된 어레이로부터 유용한 영상 기능을 방해하지 않으며 기능에 있어 현저한 개선들은 온도 제한을 없애는 경우에 이용될 수 있다.
본 발명은 분리된 열 검출기 소자들의 어레이를 포함하는 혼합 열 검출기 어레이에 관한 것이다. 어레이는 선형 또는 2차원 어레이이다. 특히 선형 어레이들은 검출기 헤드와 영상화되는 임의의 물체들 사이에 상대적인 움직임이 있는 곳에 적용하기에 적합하다. 2차원 검출기 어레이들은 적외선 영상 적용에 광범위하게 사용된다.
도 1은 실리콘 상호접속층을 포함하는, 본 발명의 열 검출기 어레이의 부분을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 다공성의 세라믹 상호접속층을 포함하는, 열 검출기 어레이의 부분을 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 도 1에서 마이크로브리지(microbridge) 구조들 중의 하나를 도시한 확대 평면도.
도 4는 열 검출기 어레이에서 마이크로브리지 구조 소자들의 어레이를 개략적으로 도시한 평면도.
도 5는 열 검출기 어레이에서 마이크로브리지 구조 소자들의 어레이의 또 다른 구성을 개략적으로 도시한 평면도.
상기에서 약술된 온도 제한 문제는 본 발명으로 극복된다. 본 발명은 판독 집적 회로소자에 손상을 피하기 위해 제한 현재 허용된 보다 고온에서 마이크로브리지 구조들위의 강유전체 소자 어레이들의 제조를 허용하는 열 검출기 어레이들에 대한 혼합 구조에 관한 것이다.
본 발명의 제 1 면에 따라서, 열 검출기 장치로서,
적외선 방사를 검출하고 출력 검출기 신호들을 생성하기 위한 열 검출기 소자들의 어레이,
상기 검출기 소자들을 포함하는 마이크로브리지 구조들의 어레이로서, 상기 각각의 마이크로브리지 구조는 공통 콘택트와 출력 콘택트를 또한 포함하며, 상기 각각의 공통 콘택트는 또 다른 각각의 공통 콘택트들과 전기적으로 접촉하는 어레이,
출력 검출기 신호들을 처리하기 위한, 다수의 입력 콘택트들을 갖는 판독 집적 회로소자를 포함하는 열 검출기 장치에 있어서,
앞면과 뒷면을 갖으며, 판독 집적 회로소자로부터 마이크로브리지 구조들의 어레이를 절연하고 상기 앞면과 뒷면 사이에 다수의 상호접속 채널들을 포함하는 상호접속층을 구비하고, 상기 상호접속 채널들은, 마이크로브리지 구조들이 판독 집적 회로소자에서 분리되지만 전기적으로 접속하도록 판독 집적 회로소자위에 관련 입력 콘택트와 각각의 마이크로브리지 구조들의 출력 콘택트 사이에 전기적인 접속을 제공하는 상호접속층을 포함하는 열 검출기 장치.
상호접속층의 뒷면에서, 상호접속 채널들은 판독 집적 회로소자의 입력 콘택트들에 범프 접착될 수 있다.
검출기 소자들외에 또, 각각의 마이크로브리지 구조는 부가적인 지지층들을 또한 포함한다. 특히, 부가적인 지지층들은, 그 자체를 적합한 지지대로 제공할 수 없는 얇은 검출기 소자들을 포함하는 마이크로브리지 구조들을 필요로한다.
양호한 실시예에 있어서, 검출기 소자들은 강유전체 재료를 포함할 수 있다.
상호접속 채널들은, 예를 들면 다결정실리콘 또는 전기도금, 도전 재료의 채널을 각각 포함한다. 각각의 상호접속 채널은 상호접속층 재료로부터 도전 재료를 전기적으로 절연하기 위해 유전체 재료로 된 채널을 더 포함한다. 통상, 유전체 재료는 상호접속층 재료로부터 형성된 산화물 또는 질화물 층일 수 있다.
상호접속층은 실리콘, 유리 또는 세라믹 재료 중의 임의의 하나 또는 상호접속층에서 도전체의 채널들을 지지할 수 있는 임의의 또 다른 재료일 수 있다. 대안적으로는, 상호접속층은 전도체 또는 반도체의 재료일 수 있다. 바람직하게는, 상호접속층 재료는 밑에 있는 실리콘층의 열 팽창 특성들에 있어 열적으로 부합된다.
통상, 각각의 검출기 소자들은 1 피코패러드(picofarad)와 1 나노패러드 (nanofarad) 사이에 전기적인 용량을 가질 수 있고, 바람직하게는, 각각의 상호접속 채널의 전기적인 용량은 각각의 강유전체의 검출기 소자의 전기적인 용량보다 적어도 10분의 1 적다.
본 발명의 제 2 면에 따라서, 열 검출기 장치를 제조하는 방법의 단계에 있어서,
(ⅰ) 마이크로브리지 구조들의 어레이와 같은 열 검출기 소자들의 어레이를 제조하는 단계로서, 상기 각각의 마이크로브리지 구조는 공통 콘택트와 출력 콘택트를 또한 포함하며, 각각의 공통 콘택트들은 각각의 또 다른 공통 콘택트들을 전기적으로 접촉하는 열 검출기 소자들의 어레이를 제조하는 단계와,
(ⅱ) 앞면과 뒷면을 갖는 상호접속층위에 마이크로브리지 구조들의 어레이를 배열하는 단계로서, 상기 상호접속층은 상기 앞면과 뒷면 사이에 다수의 상호접속 채널들을 포함하고, 상기 각각의 상호접속 채널은 마이크로브리지 구조들 중의 하나의 출력 콘택트와 접촉하는 마이크로브리지 구조들의 어레이를 배열하는 단계, 및,
(ⅲ) 마이크로브리지들이 판독 집적 회로소자에서 분리되지만 전기적으로 접촉하도록, 상호접속층의 뒷면에서 상호접속 채널들을 판독 실리콘 집적 회로소자에 접착하는 단계를 포함하는 열 검출기 장치를 제조하는 방법.
상기 방법은 마이크로브리지 구조들의 부분으로 적어도 1개의 부가적인 지지대를 제조하는 단계를 더 포함한다. 상호접속 채널들은 반응성 이온 식각 기술로 형성될 수 있다.
열 검출기 소자들은 단계(ⅲ) 전의 증착하는 과정의 수단으로 마이크로브리지 구조들의 부분으로 제조될 수 있다. 열 검출기 소자들의 어레이의 제조는 열 검출기 소자들을 어닐링하는 단계를 또한 포함한다. 바람직하게는, 증착 공정 또는 어닐링 공정 중의 적어도 하나는 실리콘 판독 웨이퍼위에 직접 공정하는데 적용한 제한 온도를 훨씬 넘는 온도에서 실행된다. 예를 들면, 증착 공정 또는 어닐링 공정 중의 적어도 하나는 적어도 500℃의 온도에서 실행될 수 있으며, 더욱 바람직하게는, 적어도 700℃의 온도에서 실행될 수 있다.
본 발명은 예로써, 다음의 도면들에 관해 설명하고자 한다.
도 1은 마이크로브리지 구조들(3)의 어레이로 제조된 검출기 소자들(2)의 어레이를 포함하는, 열 검출기 장치(1)의 부분을 개략적으로 도시한 횡단면도이다. 완비한 장치가 선형 또는 2차원 어레이(예를 들면, 256 x 128 또는 256 x 256)에서 많은 마이크로브리지 구조들을 포함할 수 있다하더라도 3개의 마이크로브리지 구조들(3)이 도시된다.
각각의 마이크로브리지 구조(3)는 2개의‘다리들’(3a, 3b)을 갖는다. 도시된 예에서, 각각의 마이크로브리지 구조(3)는 검출기 소자(2)를 샌드위치하고 마이크로브리지 구조(3)에 전극들을 제공하는 2개의 전극층들(4)을 포함하는데 이는 각각의 다리(3a, 3b)에 하나씩 결합된다. 통상, 검출기 소자들(2)은 증착 또는 어닐링 또는 두가지 공정을 결합함으로서 마이크로브리지 구조(3)로 제조될 수 있는 강유전체 재료들로 구성될 수 있다.
검출기 소자들(2)은 그 자체로 마이크로브리지 구조를 형성하기 위해 적합한 지지대를 제공할 수 있다(전극들(3)은 임의의 지지대를 제공하지 않는다.). 그러나, 다른 지지층들은(도시되지 않음) 마이크로브리지 구조들을 보강하기 위해 또한 요구될 수 있다. 특히, 부가된 지지층들은 적합한 지지대를 제공할 수 없는 얇은 검출기 소자들(2)을 포함하는 마이크로브리지 구조들을 필요로 할 수 있다.
마이크로브리지 구조(3)의 어레이는 기판 재료인 웨이퍼(5)의 앞면위에 제조된다. 본 명세서에서는, 이 기판 재료인 웨이퍼(5)는 '상호접속층' 또는 '상호접속 웨이퍼'로 불린다. 각각의 마이크로브리지 구조(3)위에 2개의 전극층들(4)이 상호접속층(5) 표면위의 금속층들 또는 전극들(6 및 7)에 접촉한다. 공통 접속시 각각의 마이크로브리지 구조(3)의 1개의 다리(3b)에 접속하는, 금속층(6)은 공통 전극을 형성한다(즉, 금속층(6)은 마이크로브리지 소자들(3) 사이에 결합된다.). 금속층들(7)은, 각각의 마이크로브리지 구조(3)와 결합되는 1개의 금속층(7), 각각의 개별적인 마이크로브리지 구조(3)의 또 다른 다리(3a)에 접속된다. 상호 접속층(5)이 실리콘 웨이퍼인 경우, 웨이퍼(5)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 유전층(5a)을 패시베이팅(passivating)으로 앞면과 뒷면 둘 다에 코팅될 수 있다. 전극층들(4)은 검출기 소자들(2)로부터 출력 신호들을 모으고, 다리들(3a, 3b)을 거쳐 금속층들(6, 7)에 전달된다. 상호접속층(5)의 중요한 특징은 그것은 활성 회로소자를 포함하지 않고, 단지 상기 층(5)의 맨 윗면을 지나는 공통 금속층(6)만 포함한다는 것이다.
또한, 상호접속층(5)은 마이크로브리지 구조(3)당 1개의 채널 단위로, 도전 채널들(8)의 어레이를 포함한다. 채널들(8)은 "상호접속 채널들"로 불린다. 상호접속층(5)은 실리콘, 유리 또는 세라믹 재료이거나 또는 상호접속 채널들(8)을 지지할 수 있는 임의의 다른 재료일 수 있다. 바람직하게도, 상기 재료는 밑에 있는 실리콘의 열 팽창 성질들에 있어 열적으로 부합된다.
상호접속 채널들(8)은 앞면에서부터 뒷면까지의 상호접속층(5)을 통하여 거의 수직으로 지나도록 도시된다. 도전 필라멘트(9)와 같이, 상호접속층(5)을 통과하는, 도전 상호접속 채널들(8)은 홀(hole)들 또는 폴(pore)들을 채움으로서 형성될 수 있다. 이 도전 필라멘트들(9)은 예를 들어 실리콘 상호접속층이 사용되는 경우, 상호접속층(5)의 벌크(bulk) 재료로부터 전기 절연되도록 하기 위해 유전체 재료(10)에 놓일 수 있다.
열 검출기 장치(1)는 검출기 소자들(2)로부터 출력 신호들을 처리하기 위해, 통상적으로 판독 실리콘 웨이퍼(11)위에 형성된 판독 집적 회로(ROIC)를 또한 포함한다. 상호접속층(5)의 앞면위에, 각각의 상호접속 채널(8)은 전극층(4)을 경유하여 상응하는 마이크로브리지 구조(3)의 다리(3a)와 접촉하는 금속층(7)과 접촉한다. 그 결과 각각의 상호접속 채널(8)은 관련 검출기 소자(2)와 전기적으로 접촉한다. 그 결과 검출기 소자들(2)로부터 출력 신호들은 다리들(3a, 3b)을 거쳐 금속층들(6, 7)에 전달되고, 금속층들(7)로부터 상기 신호들은 상호접속 채널들(8)을 통과하게 된다. 그 결과 상호접속층(5)이 판독 웨이퍼(11)에서 마이크로브리지 구조들(3)과 검출기 소자들(2)을 물리적으로 분리하는 동안 상호접속층(5)은 검출기 소자들(2)로부터 판독 웨이퍼(11)까지의 출력 신호들을 도전하는 수단을 제공한다.
상호접속층(5)의 뒷면에서 상호접속 채널들(8)은 도전 패드들(12)에 접속된다. 솔더(solder) 접합부들(13)은 실리콘 판독 웨이퍼(11)위에 입력 패드들(14)을 이 도전 패드들(12)에 접속하기 위해 사용될 수 있다. 솔더를 사용하는 범프 접합 공정은 당업자들에게 통상적이다.
실리콘 판독 웨이퍼(11)위의 입력 패드들(14)은 유전체 패시베이션 또는 상호금속의 유전체층들(15)에 배열될 수 있다. 명료하게 설명하자면, 실제로 이 층이 적어도 2개의 유전층들을 포함하더라도, 도 1은 단일층으로 층(15)을 도시한다. 이 층(또는 층들)(15)내에서, 입력 패드들(14)은 판독 웨이퍼(11)위의 금속화 구조의 부분을 형성하는 금속층들(16)과 접속된다. 금속층들(16)은 다음의 전치 증폭기 입력들(도시되지 않음)로 입력 패드들(14)에 신호를 접속한다.
도 1에 도시된 열 검출기 장치에 대해서, 마이크로브리지 구조들(3)의 제조와, 강유전체 검출기 재료(2)의 다음의 증착 또는 어닐링은 상호접속층(5)에서 실리콘 판독 웨이퍼(11)의 범프 접합전에 실행될 수 있다. 그 결과 강유전체 검출기 재료(2)의 증착 또는 어닐링에서의 온도 제한은 실리콘 판독 웨이퍼(11)와 그 회로소자의 잔존물뿐만 아니라 상호접속층(5)과 공통 전극 및 도전 콘택트들에 사용되는 재료들 및 채널들에 한정되지 않는다.
바람직하게는, 보다 높은 강유전체 열 검출기 기능을 달성하기 위해, 마이크로브리지 구조들과 같은 강유전체 재료의 제조는 실리콘 판독 웨이퍼가 마이크로브리지 소자와 강유전체 재료에 직접 접속되는 장치 구성들을 제조할 수 있는 것보다 더 높은 온도에서 실행된다. 이 공지된 장치 구성들에 관해, 이 온도 제한은 통상 450℃와 550℃ 사이이다. 검출기 기능이 강유전체 재료의 증착 또는 어닐링 온도에서 증가할 때, 보다 높은 온도에서 강유전체의 증착 또는 어닐링을 실행한 후에 이는 강화된 검출기 기능을 준다. 훨씬 높은 온도(예를 들면 700℃ 내지 900℃)에서 더 강화된 기능의 장치로 된다. 본 발명은 보다 높은 제조 온도를 사용할 수 있고, 그러므로 보다 높은 기능의 강유전체 열 검출기 어레이들을 제조할 수 있다는 이점이 있다.
마이크로브리지 구조들(3)로 강유전체 재료(2)를 제조하는 공정은 바람직하게는 500℃보다 큰 온도에서, 또는 더 바람직하게도, 예를 들면 700℃보다 큰 보다 높은 온도에서, 강유전체 재료의 증착으로 달성될 수 있다. 대안적으로, 제조 공정은 마이크로브리지 구조위에 처음으로 재료를 증착하는 것을 포함하고 그 다음으로 어닐링하는 재료를 포함하는데 증착하는 공정이 보다 낮은 온도에서 실행되는 경우, 보다 실제적인 온도와 어닐링이 요구된 검출기 성능을 달성하기 위해 높은 온도에서 실행된다. 검출기 소자를 증착 또는 어닐링하는 공정들은 당업자에게 있어서 통상적이다.
사용된 임의의 도전 및 절연 재료들을 포함하는, 상호접속층(5), 그것의 공통 전극(6), 그것의 스루웨이퍼(through-wafer) 상호접속 재료들은 강유전체 재료들에 대해 높은 증착 또는 어닐링 온도를 허용하기 위해 선택된다. 그러므로 재료들은 500℃를 초과하는 온도들에서 잘 견딜 수 있어야만 하고, 바람직하게는 700℃보다 높은 온도에서도 잘 견딜 수 있어야만 한다. 본 명세서에서는, 요구된 증착 또는 어닐링 온도를 잘 견딜 수 있는 재료는 증착 또는 어닐링 온도에서 용해되지 않고, 금가지 않고, 쪼개지지 않고, 얇은 층으로 갈라지지 않는 재료를 의미한다.
상호접속층(5)은 실리콘 웨이퍼이거나 또는 유리 또는 세라믹 재료, 열 팽창에 관하여 실리콘과 유사한, 예를 들면 내열 유리또는 알루미나이거나, 또는 상호접속 채널들(8)을 지지할 수 있는 임의의 다른 재료일 수 있고 바람직하게는 밑에 있는 실리콘의 열 팽창 성질들에 있어 열적으로 부합된다. 통상, 상호접속 채널들(8)에서 도전 재료(9)는 다결정실리콘 일 수 있는데 이는 통상적으로 그것의 기체 상태로 증착될 수 있다. 대안적으로, 도전 필라멘트는 증기 증착, 전기 도금 또는 화학도금 금속들, 예를 들면 동, 금, 텅스텐 또는 니켈을 사용하여 형성될 수 있고 또는 알루미늄의 확산 채널로 형성될 수 있다. 통상, 상호접속 채널들(8)에서 유전체 재료(10)는 상호접속층 재료로 형성된 산화물 또는 질화물 층일 수 있고 또는 유전체 재료의 증착된 막일 수 있다.
강화된 강유전체 성질들을 필요로 하는 높은 온도에서 마이크로브리지 구조 어레이의 제조후에, 상호접속층(5)은 금속 패드들(12 및 14)을 적시는 솔더 접합부들(13)을 경유하여 실리콘 판독 층(11)에 솔더 범프로 접합될 수 있다. 이는 솔더와 공지된 기술들을 사용하여 행해질 수 있다. 대안적으로, 금속 패드들(12 및 14) 사이의 접합부는 콘택트와 압착으로 냉간 용접을 주기에 적합한 금속과 접촉되는 표면들을 코팅함으로서 실행될 수 있다.
솔더 접합에 사용된 온도내내 발생하는 압력과 손상을 피하기 위해, 바람직하게도 상호접속 웨이퍼(5) 재료의 필요조건은 실리콘 판독 웨이퍼(11)의 열 팽창과 밀접하게 부합된다. 내열 유리를 포함하는, 이를 테면 실리콘 그자체와 약간의 유리들과 같은 재료들은 실리콘의 그것으로부터 30%보다 적게 변화하는 열 팽창에 특히 적합하다. 상술한 바와 같이, 실리콘 상호접속층(5)이 사용된다면 상호접속층(5)의 벌크 재료로부터 도전 채널들(9)을 전기적으로 절연하는 것이 바람직하다.
통상, 상호접속층(5)은 0.1내지 1㎜ 사이의 두께를 가지며, 바람직하게는, 그것의 상부 및 하부 면들 위에서 실행될 공정 단계들에 관해 충분한 강도를 제공하기 위해 0.5㎜ 두꺼운 범위에 있다. 통상, 상호접속 채널들(8)의 지름은 10 내지 50㎛ 사이일 수 있다.(도 1 및 2는 일정한 비례로 확대 축소하여 그리지 않음)
대안적으로, 상호접속층(5)을 통하여 상호접속 채널들(8)의 형성을 쉽게 하기 위하여, 층(5)은 보다 두꺼운 지지 재료의 어레이내에 둘러쌓인 "픽처 프레임"의 소자들의 영역위에(즉, 어레이의 마이크로브리지 구조들(3)의 영역위에) 100 내지 200㎛ 두께의 범위로 얇아질 수 있다. 또한 그런 층(5)은 마이크로브리지 구조들(3)의 어레이의 제조를 허용하기 위해 기계적으로 안정된다.
다공성의 실리콘 기술은[예컨대 V. Lehmann, J. Electrochem. Soc., Vol. 143, No.1, pp. 385-390, January 1996] 실리콘 상호접속 웨이퍼(5)에 상호접속 채널들(8)을 식각하기 위해 사용될 수 있다. 이 기술은 넓은 관점(길이/직경)의 비율들로 실리콘 웨이퍼들을 통해 식각될 작은 직경의 폴들 또는 채널들에 이용할 수 있다. 이 기술을 사용하여, 실리콘 상호접속층(5)에서 상호접속 채널들(8)이 실질적으로 규칙적인 어레이를 달성하는 것이 가능하다. 상호접속 채널들(8)의 벽들은, 예를 들어, 다결정실리콘 도전 재료(9)의 증착전에 산화될 수 있다. 상호접속 채널들(8)의 벽들의 산화와 다결정실리콘 도전 재료(9)의 증착은 마이크로일렉트로닉 제조에 사용된 통상적인 기술들이다. 대안적으로, 상호접속 채널들(8)은 플라스마에서 반응성 기체들을 사용하여 반응성 이온 식각 기술로 실리콘 웨이퍼를 통해 규칙적인 어레이에서 식각될 수 있다.
도 2는 알루미나 상호접속층(5)을 포함하는, 본 발명의 대안적인 실시예를 도시한다. 이전과 마찬가지로, 마이크로브리지 구조들(3)은 2개의 다리들(3a, 3b)을 갖도록 도시되고, 2개의 전극층들(4) 사이에 샌드위치된 강유전체 재료(2)를 포함한다. 이 구성에서, 상호접속층(5)은 스루웨이퍼 접속들이 요구되는 범위들을 제외하고, 전기 절연 재료(5a)로 씌워진 마이크로채널들(또는 마이크로폴들)(17)의 어레이를 갖도록 도시된다. 이 영역들에서, 마이크로채널들(18)은 요구된 도전 수단을 형성하기 위해 전기도금, 화학도금 또는 다른 방법에 의해 금속으로 채워진다. 대안적으로, 금속으로 마이크로채널들 전부를 채우는 것이 더 편리할 수 있으며 그 마이크로채널들은 전기 절연 재료(5a)로 씌워진 접속부를 제공하기 위해 요구되진 않는다. 세라믹 또는 유리 재료로 만들어진 상호접속층들을 위해, 벌크 상호접속층 재료 자체로부터 도전 필라멘트를 절연할 필요는 없다.
알루미나 상호접속 웨이퍼가 사용되는 경우, 전기화학의 양극 처리 기술들은 상호접속층(5)안의 마이크로채널들(17, 18)로부터 사용될 수 있다(예컨대 'Theoretical modelling of porous oxide growth on aluminum', M Saito et al, J. Phys. D: Appl. Phys. 25, pp 1258-1263,1992). 전기화학의 양극 처리 공정이 사용되는 경우, 상호접속층(5)안에 형성된 마이크로채널들(17, 18)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 통상 불규칙적이게 띄어진다. 이 경우에, 마이크로채널들(17, 18)의 간격을 띄운 곳은 규칙적이지 않으나, 다수의 마이크로채널들이 다수의 마이크로브리지 구조들(3)과 다수의 검출기 소자들(2)에 부합하지 않는 경우, 마이크로채널 군들은 마이크로브리지 구조 전극들(7)의 위치에 대응하여 위치에 요구된 상호접속으로부터 총괄적으로 사용될 수 있다. 그들이 규칙적이게 띄어진 마이크로브리지 구조들(3)에 연결부분을 제공하므로 상호접속하는 마이크로채널 군들은 실제로 규칙적이게 띄어지는 것이 중요하다. 이는 스루층 상호접속부들이 요구된 곳을 제외하고 산화물(또는 전기적으로 절연 재료)(5a)을 갖는 마이크로채널들(18)을 채우거나 씌움으로서 달성될 수 있다. 표준 도금 기술들은 이런 콘택트 영역들안에 채울 금속을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 이 방법에서 알루미나 상호접속 웨이퍼(5)를 사용하는, 통상 60㎚에 이르는 직경을 갖는, 균일한 마이크로 채널들은 통상 100㎛의 범위내의 깊이로 형성될 수 있다.
유리 상호접속층이 사용되는 경우, 유리 상호접속층은 어레이 소자들의 영역위에 100 내지 200㎛ 두께의 범위로 얇아지고, 유리는 마이크로브리지 구조들의 어레이 제조를 허용하는데 기계적으로 안정하다. 그러나, 검출기 소자들의 제조시 증착 또는 어닐링을 위해 허용된 온도는, 예컨대 600℃ 범위내의, 유리의 연화 온도로 제한된다. 알루미나와 같은 세라믹 막은 사용될 온도보다 훨씬 고온에서 허가된다.
공통 전극(6)의 치수 및 구조와 상호접속 채널들은 장치 기능을 줄일 때 실리콘 판독 웨이퍼의 입력에서 높은 미(迷) 전기 용량을 갖지 않는다. 강유전체 검출기 재료로부터 얻어진 반응성은 장면으로부터 적외선 방출 영상을 흡수할 때 그 다음 증폭기(도시되지 않음)의 입력에서 검출기 소자 용량과 미 용량의 합에 역비례한다. 그러므로, 미 용량는 검출기 소자 용량과 비교하면 작게 된다.
본 발명은 100㎛에서 아래로 25㎛에 이르기까지의 범위내의 상호소자 피치(즉, 검출기 소자들(2)의 간격)를 갖는 열 검출기 어레이들에 관한 것이다. 증착된 강유전체 재료(2)의 두께는 1㎛로부터 아래로 0.1㎛에 이르기까지 변화한다. 검출기 소자들에 사용되는 강유전체 재료들의 상대적인 유전율은 사실상의 재료와 그것의 작동하는 전기 바이어스 및 온도에 의해 300에서부터 5000에 이르기까지 변화한다. 그러므로 소자 용량는 1㎊로부터 3㎋까지의 범위일 수 있지만, 바람직하게는 2내지 5㎊이다.
예컨대, 실리콘 상호접속 웨이퍼를 사용하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 상호접속 채널들(8)은 상호접속층(5)을 통하여 채널들을 식각함으로서, 몇몇 미크론(micron)의 두께를 가진 산화물로 채널을 코딩하고, 전기도금된 금속을 중심 코아(9)에 채움으로서 형성될 수 있다. 그런 상호접속 채널(8)은 실리콘의 0.3㎊/㎜ 두께의 범위내의 용량을 가진다. 그러므로 ㎜의 제조 두께를 갖는 상호접속층(5)은 원하는 바와 같이, 미용량이 검출기 소자 용량 아래의 레벨로 유지되도록 확보한다.
인접한 상호접속 코어들(9) 사이의 미용량으로 인한 소자들 사이에 교차 결합을 피하기 위해서, 공통 전극(6)과 접속되기 위해 적당한 전기 도전성을 가지고, 어레이 소자들에 대해 공통 접지를 형성하는, 전도체 또는 반도체 상호접속 웨이퍼(5)를 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 예컨대, 실리콘의 상호접속 웨이퍼는 요구된 도전성을 달성하기 위해 마이크로일렉트로닉 공학에 사용된 통상의 기술들에 의해 불순물이 첨가될 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 단일 마이크로브리지 구조(3)의 어레이를 간소화한 확대 평면도를 도시한다. 2개의 다리들(3a, 3b)은 유전체 소자(2)와 아래의 금속층(5)(층들(2 및 5)은 도 3에서 불분명하다.) 하부의, 상호접속층(5)의 앞면위에 금속층(7)과 접촉하는 다리(3a)의 베이스를 갖는, 전극층(4) 위의 어느 쪽에 비스듬하게 도시된다. 콘택트의 위치는 이 콘택트가 다리(3a)의 베이스를 지나는 임의의 점에서 만들어질 수 있더라도, 본 설명에서는 다리(3a)의 베이스 중심에서 대략적으로 도시된다. 전극층(4)를 통하여, 다리(3a)의 베이스와 금속층(7) 사이에 적당한 콘택트를 만들기 위해서는 적어도 1㎛²의 콘택트 영역을 제공하기 위해 상호접속층(5)의 표면위에 적합한 금속을 필요로한다. 이 도면에서, 상호접속 채널의 도전 채널(9)은 그 면에서 상세히 설명한다. 도 3에 도시된 구조의 치수는 소자부터 상호접속 웨이퍼까지 최저 열 전도를 준다고 예상되지 않으며 소자의 측면들 아래로 연장되는 좁고, 긴 다리들을 갖는, 또는 아래로 접혀진, 구조들은 바람직하게될 수 있고, 당업자들에게 공지되었다.
도 4 및 5는 혼합 열 검출기 장치(1)의 평면도들을 도시하고 마이크로브리지 구조 방위의 2개의 다른 구성을 도시한다. 명료하게 설명하자면, 마이크로브리지 구조들(3)과 그들의 성분들 전부에 번호를 매기지 않으며 마이크로브리지 각각의 상세한 구조와 상호접속층은 도시하지 않는다. 도 3에서, 마이크로브리지 구조들(3) 전부는 다리들(3a, 3b)과 금속 콘택트들(6, 7)(도 1에 도시함)이 규칙적으로 띄어지도록 같은 방위를 갖는다. 이 방위는 도 1 및 2에서 도시된 바와 같이, 규칙적으로 띄어진 상호접속 채널들(8)을 갖는 상호접속층(5)과 양립할 수 있다.
상호접속층(5)을 통하여 형성된 채널들의 직경이 상호접속 채널 피치의 대규모 제조에 이르기까지 변화할 때, 1개 이상의 필라멘트의 전도체는 분리된 전도체 필라멘트들 사이에 전기적인 접속부가 없는 개별적인 상호접속 채널(8)에 확립된다. 그러므로, 도 5에 도시된 구성에서, 마이크로브리지 구조들(3)은 예컨대, 마이크로브리지 구조들(3)에 인접한 4개의 다리들(3a)위의 콘택트들은 아주 근접하도록 방위되고, 그 점에 있어 상호접속층(5)의 표면위에 전극 치수를 간이화하도록 한다. 그러나, 이와 같은 치수는, ROIC의 인터페이싱(interfacing)에 솔더 또는 범프 접합하기 위해 더 가깝게 팩(pack)되는 치수를 포함한다.
상호접속층의 표면위에 마이크로브리지 구조들(3)의 방위들은 도 4 및 5에 예시된 바와 같이 특정한 치수에 한정되지 않는다.
열 검출기 장치(1)는 마이크로브리지 구조들위에 검출기 소자들을 증착 또는 어닐링하기 위해 보다 높은 제조 온도가 사용될 수 있다는 이점있고, 그러므로 제조될 고성능 강유전체 또는 마이크로볼로미터 열 검출기 어레이들을 이용할 수 있다는 이점이 있다. 그러므로, 장치를 제조하는 방법은 실리콘 공정 기술들과 쉽게 양립할 수 있다.
Claims (20)
- 적외선 방사를 검출하고 출력 검출기 신호들을 생성하기 위한 열 검출기 소자들의 어레이,상기 검출기 소자들을 포함하는 마이크로브리지 구조들의 어레이로서, 상기 각각의 마이크로브리지 구조는 공통 콘택트와 출력 콘택트를 포함하고, 상기 각각의 공통 콘택트들은 각각의 다른 공통 콘택트들과 전기적으로 접촉되는 마이크로브리지 구조들의 어레이,출력 검출기 신호들을 처리하기 위한, 다수의 입력 콘택트들을 갖는 판독 집적 회로소자를 포함하는 열 검출기 장치에 있어서,앞면과 뒷면을 갖으며, 판독 집적 회로소자로부터 마이크로브리지 구조들의 어레이를 절연하고 상기 앞면과 뒷면 사이에 다수의 상호접속 채널들을 포함하는 상호접속층을 구비하고, 상기 상호접속 채널들은 마이크로브리지 구조들이 판독 집적 회로소자에서 분리되지만 전기적으로 접속하도록 판독 집적 회로소자위에 관련 입력 콘택트와 각각의 마이크로브리지 구조들의 출력 콘택트 사이에 전기적인 접속을 제공하는 상호접속층을 포함하는 열 검출기 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 각각의 마이크로브리지 구조가 검출기 소자들외에 또 부가적인 지지층들을 또한 포함하는 열 검출기 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 검출기 소자들이 강유전체 재료로 이루어진 열 검출기 장치.
- 제 1 항 또는 2 항에 있어서,상기 상호접속층이 실리콘, 유리 또는 세라믹 재료 중 임의의 한 재료인 열 검출기 장치.
- 제 1 항 또는 2 항에 있어서,상기 상호접속층이 전기적으로 전도체 또는 반도체 재료인 열 검출기 장치.
- 제 1 항 또는 2 항에 있어서,상기 상호접속 채널들이 도전 재료의 채널들을 각각 포함하는 열 검출기 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 도전 재료가 다결정실리콘인 열 검출기 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 도전 재료가 전기도금 또는 화학도금 금속인 열 검출기 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 도전 재료가 증기 증착된 금속인, 열 검출기 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 각각의 상호접속 채널이 상호접속층 재료로부터 도전 재료를 전기적으로 절연하기 위한 유전체 재료의 채널을 더 포함하는 열 검출기 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 유전체 재료가 상호접속층 재료로부터 형성된 산화물 또는 질화물 층인 열 검출기 장치.
- 제 1 항 또는 2 항에 있어서,상기 각각의 검출기 소자들이 1피코패러드와 1나노패러드 사이에 전기적인 용량을 갖는 열 검출기 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 각각의 상호접속 채널의 전기적인 용량이 각각의 강유전체 검출기 소자의 전기적인 용량보다 적어도 10분의 1 적은 열 검출기 소자.
- 열 검출기 장치를 제조하는 방법에 있어서,(ⅰ)마이크로브리지 구조들의 어레이위에 열 검출기 소자들의 어레이를 제조하는 단계로서, 상기 각각의 마이크로브리지 구조는 공통 콘택트와 출력 콘택트를 포함하고, 상기 각각의 공통 콘택트들은 각각의 또 다른 공통 콘택트들과 접촉하는 열 검출기 소자들의 어레이를 제조하는 단계,(ⅱ)앞면과 뒷면을 갖는 상호접속층위에 마이크로브리지 구조들의 어레이를 배열하는 단계로서, 상기 상호접속층은 상기 앞면과 뒷면 사이에 다수의 상호접속 채널들을 포함하고, 상기 각각의 상호접속 채널은 마이크로브리지 구조들 중의 하나의 출력 콘택트와 접촉하는 마이크로브리지 구조들의 어레이를 배열하는 단계, 및,(ⅲ)마이크로브리지들이 판독 집적 회로소자에서 분리되지만 전기적으로 접촉하도록, 상호접속층의 뒷면에서 상호접속 채널들을 판독 실리콘 집적 회로소자에 접착하는 단계를 포함하는 열 검출기 장치를 제조하는 방법.
- 제 14 항에 있어서,마이크로브리지 구조들의 부분으로 적어도 하나의 부가적인 지지층을 제조하는 단계를 더 포함하는 열 검출기 장치를 제조하는 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 상호접속 채널들이 반응성 이온 식각 기술로 형성된 열 검출기 장치를 제조하는 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 열 검출기 소자들이 단계(ⅲ) 전의 증착 공정에 의해 마이크로브리지 구조들위에 제조되는 열 검출기 장치를 제조하는 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 열 검출기 소자들의 어레이 제조가 열 검출기 소자들을 어닐링하는 단계를 포함하는 열 검출기 장치를 제조하는 방법.
- 제 17 항 또는 18 항에 있어서,열 검출기 소자들의 증착 또는 어닐링 중 적어도 하나가 적어도 500℃의 온도에서 실행되는 열 검출기 장치를 제조하는 방법.
- 제 19 항에 있어서,열 검출기 소자들의 증착 공정 또는 어닐링 중의 적어도 하나가 적어도 700℃의 온도에서 실행되는 열 검출기 장치를 제조하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9710843.5A GB9710843D0 (en) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | A thermal detector array |
GB9710843.5 | 1997-05-28 | ||
PCT/GB1998/001379 WO1998054554A1 (en) | 1997-05-28 | 1998-05-14 | A thermal detector array |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010013151A true KR20010013151A (ko) | 2001-02-26 |
KR100530440B1 KR100530440B1 (ko) | 2005-11-23 |
Family
ID=10813076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-1999-7011134A KR100530440B1 (ko) | 1997-05-28 | 1998-05-14 | 열 검출기 어레이 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6388256B1 (ko) |
EP (1) | EP0985137B1 (ko) |
JP (1) | JP4063892B2 (ko) |
KR (1) | KR100530440B1 (ko) |
AU (1) | AU732258B2 (ko) |
CA (1) | CA2290541C (ko) |
DE (1) | DE69829658T2 (ko) |
GB (1) | GB9710843D0 (ko) |
WO (1) | WO1998054554A1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7564125B2 (en) * | 2002-12-06 | 2009-07-21 | General Electric Company | Electronic array and methods for fabricating same |
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1997
- 1997-05-28 GB GBGB9710843.5A patent/GB9710843D0/en not_active Ceased
-
1998
- 1998-05-14 AU AU74398/98A patent/AU732258B2/en not_active Ceased
- 1998-05-14 JP JP50034999A patent/JP4063892B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-14 CA CA002290541A patent/CA2290541C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-14 US US09/424,615 patent/US6388256B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-14 EP EP98921609A patent/EP0985137B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 WO PCT/GB1998/001379 patent/WO1998054554A1/en active IP Right Grant
- 1998-05-14 DE DE69829658T patent/DE69829658T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-14 KR KR10-1999-7011134A patent/KR100530440B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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---|---|
DE69829658T2 (de) | 2006-02-09 |
US6388256B1 (en) | 2002-05-14 |
WO1998054554A1 (en) | 1998-12-03 |
CA2290541A1 (en) | 1998-12-03 |
JP4063892B2 (ja) | 2008-03-19 |
KR100530440B1 (ko) | 2005-11-23 |
EP0985137A1 (en) | 2000-03-15 |
GB9710843D0 (en) | 1997-07-23 |
EP0985137B1 (en) | 2005-04-06 |
DE69829658D1 (de) | 2005-05-12 |
CA2290541C (en) | 2006-08-29 |
JP2002500763A (ja) | 2002-01-08 |
AU7439898A (en) | 1998-12-30 |
AU732258B2 (en) | 2001-04-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091116 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |