KR20010009203A - chemical supplying structure for chemical vapor deposition coater - Google Patents
chemical supplying structure for chemical vapor deposition coater Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010009203A KR20010009203A KR1019990027473A KR19990027473A KR20010009203A KR 20010009203 A KR20010009203 A KR 20010009203A KR 1019990027473 A KR1019990027473 A KR 1019990027473A KR 19990027473 A KR19990027473 A KR 19990027473A KR 20010009203 A KR20010009203 A KR 20010009203A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical
- solvent
- supply pipe
- vapor deposition
- dispenser
- Prior art date
Links
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47C—CHAIRS; SOFAS; BEDS
- A47C3/00—Chairs characterised by structural features; Chairs or stools with rotatable or vertically-adjustable seats
- A47C3/20—Chairs or stools with vertically-adjustable seats
- A47C3/28—Chairs or stools with vertically-adjustable seats with clamps acting on vertical rods
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47C—CHAIRS; SOFAS; BEDS
- A47C7/00—Parts, details, or accessories of chairs or stools
- A47C7/002—Chair or stool bases
- A47C7/006—Chair or stool bases with castors
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 화학기상증착 코팅기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 코팅된 코팅막의 검사 때에 코팅막에 낙하된 파티클을 제거하는데 따른 작업 효율성을 높이도록 한 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition coating machine, and more particularly, to a chemical supply structure of the chemical vapor deposition coating machine to increase the working efficiency of removing particles dropped on the coating film during the inspection of the coated coating film.
일반적으로, 반도체메모리장치의 고집적화에 맞추어 반도체메모리장치의 메모리셀 등의 면적이 최소한으로 축소되고 있는데, 이를 위해 금속배선의 선폭은 물론 간격을 미세화시키는 기술이 개발되어 왔다. 이에 따라, 금속배선들 사이의 미세한 간격의 공간을 화학기상증착공정에 의해 층간절연막으로 충만하는 것이 점차 어려워져 층간절연막 내에 빈공간인 보이드(void)가 종종 발생한다. 또한, 화학기상증착공정에 의한 층간절연막의 표면 평탄도가 양호하지 못하다.In general, the area of the memory cell of the semiconductor memory device is reduced to a minimum in accordance with the high integration of the semiconductor memory device. To this end, techniques for minimizing the line width of the metal wiring and the spacing have been developed. Accordingly, it becomes increasingly difficult to fill the space between the minute interconnections with the interlayer insulating film by a chemical vapor deposition process, so that voids, which are voids, often occur in the interlayer insulating film. In addition, the surface flatness of the interlayer insulating film by the chemical vapor deposition process is not good.
그래서, 최근에는 층간절연막의 충만능력과 평탄도를 향상시키기 위해 SOG(spin-on-glass) 공정과 에치백공정이 함께 사용된 층간절연막 형성방법이 널리 채택되고 있다. 특히 기존의 SOG공정의 코팅재로서 사용되던 케미컬에 비하여 휘발성이 큰 새로운 물질의 코팅재(상품명: Flowable oxide)가 사용되기 시작하였는데 이는 회전하는 웨이퍼 상에 디스펜싱된다.Therefore, recently, an interlayer insulating film forming method using a spin-on-glass (SOG) process and an etch back process has been widely adopted to improve the filling ability and flatness of the interlayer insulating film. In particular, new volatile coatings (trade name: Flowable Oxide), which are more volatile than chemicals used as coatings in the existing SOG process, are being used, which are dispensed onto rotating wafers.
코팅이 완료되고 난 직후에는 코팅막에 원하지 않는 미세한 입자인 파티클(particle)이 존재하는 지 여부를 현미경에 의해 검사하여 왔다.Immediately after the coating was completed, microscopic examination of the presence of particles, particles, which are unwanted fine particles in the coating film, has been carried out.
종래의 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조는 도 1에 도시된 바와 같이, 케미컬 저장고(10) 내의 층간절연막용 액상 케미컬(11)에 질소가스 주입관(20)을 거쳐 버블링용 질소가스(N2)가 주입되고, 케미컬(11)이 질소가스의 주입에 의해 버블링되면서 케미컬 공급관(30)을 거쳐 디스펜서(40)로 공급되고, 디스펜서(40)의 노즐(41)로부터의 케미컬(11)이 웨이퍼 지지판(50)에 지지된 채 회전하는 웨이퍼(1)의 전면에 디스펜싱하도록 구성된다.As shown in FIG. 1, the chemical supply structure of the conventional chemical vapor deposition coating machine is bubbling nitrogen gas (N 2 ) through a nitrogen gas injection pipe 20 to a liquid chemical layer 11 for an interlayer insulating film in a chemical reservoir 10. ) Is injected, the chemical 11 is bubbled by the injection of nitrogen gas, and is supplied to the dispenser 40 via the chemical supply pipe 30, and the chemical 11 from the nozzle 41 of the dispenser 40 is It is configured to dispense on the front surface of the rotating wafer 1 while being supported by the wafer support plate 50.
이와 같이 구성된 종래의 케미컬 공급구조에서는 웨이퍼(1)에 층간절연막용 액상 케미컬(11)이 스핀코팅되고 나면, 경화기(도시 안됨)에서 경화된다. 경화된 케미컬은 층간절연막으로서의 불량여부를 파악하기 위해 층간절연막의 두께나 파티클의 존재 유무를 검사한다.In the conventional chemical supply structure configured as described above, after the liquid chemical 11 for the interlayer insulating film is spin-coated on the wafer 1, it is cured in a curing machine (not shown). The cured chemicals are inspected for the presence of particles or the thickness of the interlayer dielectric to determine whether the interlayer dielectric is defective.
검사 결과에 의하면, 층간절연막에 파티클이 존재하는 공정불량현상이 자주 발견되는데 특히, 케미컬 공급관(30)과 노즐(41)의 오염으로 인한 공정불량현상이 발생하기도 한다.According to the inspection results, a process defect phenomenon in which particles are present in the interlayer insulating film is frequently found. In particular, a process defect phenomenon may occur due to contamination of the chemical supply pipe 30 and the nozzle 41.
이러한 경우가 발생하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 먼저, 단계(S1)에서 기존의 케미컬 저장고(10)를 케미컬 공급관(30)과 질소가스 주입관(20)으로부터 분리한다. 이러한 분리 작업 도중에 케미컬 저장고(10) 내의 액상 케미컬(11)이 공기에 자연스럽게 노출되어서 오염되므로 더 이상 기존의 케미컬을 사용하지 않고 폐기처분하는 것이 통상적이다.When this happens, as shown in FIG. 2, first, in step S1, the existing chemical reservoir 10 is separated from the chemical supply pipe 30 and the nitrogen gas injection pipe 20. During this separation operation, the liquid chemical 11 in the chemical reservoir 10 is naturally exposed to air and contaminated, so it is conventional to dispose of it without using the existing chemical.
단계(S2)에서는 이어서, 메타놀이나 이소프로필알콜, MIBK()와 같은 솔벤트가 저장된 솔벤트 저장고(도시 안됨)를 케미컬 공급관(30)과 질소가스 주입관(20)에 장착한다.In step S2, a solvent reservoir (not shown) in which solvents such as metanole, isopropyl alcohol, and MIBK () are stored is mounted to the chemical supply pipe 30 and the nitrogen gas injection pipe 20.
단계(S3)에서는 이후, 질소가스 주입관(20)으로 질소를 주입하면, 솔벤트가 솔벤트 저장고로부터 공급관(30)과 노즐(41)을 거쳐 퍼징(purging)된다. 이에 따라, 공급관(30)과 노즐(41)에 존재하던 파티클들이 솔벤트와 함께 배출되므로 공급관(30)과 노즐(41)의 세정이 이루어진다.In step S3, when nitrogen is injected into the nitrogen gas injection pipe 20, the solvent is purged from the solvent reservoir via the supply pipe 30 and the nozzle 41. Accordingly, since the particles existing in the supply pipe 30 and the nozzle 41 are discharged together with the solvent, the supply pipe 30 and the nozzle 41 are cleaned.
단계(S4)에서는 공급관(30)과 노즐(41)의 세정이 완료되고 나면, 솔벤트 저장고를 케미컬 공급관(30)과 질소가스 주입관(20)으로부터 분리한다.In step S4, after the cleaning of the supply pipe 30 and the nozzle 41 is completed, the solvent reservoir is separated from the chemical supply pipe 30 and the nitrogen gas injection pipe 20.
단계(S5)에서는 그 다음, 새로운 케미컬 저장고(10)를 개봉하고 공급관(30)과 주입관(20)에 장착한다.In step S5, the new chemical reservoir 10 is then opened and mounted in the supply pipe 30 and the injection pipe 20.
단계(S6)에서는 그리고 나서 공급관(30)과 노즐(41)의 오염으로 인한 층간절연막에 파티클이 존재하는 지 여부를 검사하는 백업 검사를 실시한다. 이때, 검사 결과가 양호하면, 웨이퍼들(1)에 층간절연막용 케미컬을 순차적으로 스핀코팅하고, 이를 경화하는 정상적인 작업공정을 개시한다.In step S6, a back-up test is then carried out to check whether particles are present in the interlayer insulating film due to contamination of the supply pipe 30 and the nozzle 41. At this time, if the inspection result is satisfactory, a normal work process of sequentially spin coating the interlayer dielectric film chemical on the wafers 1 and curing it is started.
그러나, 종래에는 공급관과 노즐의 오염으로 인하여 층간절연막에 파티클이 존재하는 경우가 있으면, 기존의 케미컬 저장고를 공급관과 노즐로부터 분리하여 폐기하고, 솔벤트 저장고를 공급관과 노즐에 연결하고, 공급관과 노즐을 솔벤트로 세정하고, 솔벤트 저장고를 공급관과 노즐로부터 분리하고, 신규 케미컬 저장고를 공급관과 노즐에 연결하여야 백업검사를 실시할 수 있다.However, if particles exist in the interlayer insulating film due to contamination of the supply pipe and the nozzle, the existing chemical reservoir is separated from the supply pipe and the nozzle and disposed of, and the solvent reservoir is connected to the supply pipe and the nozzle, and the supply pipe and the nozzle are connected. Cleaning should be done with solvent, solvent reservoirs must be separated from supply lines and nozzles, and new chemical reservoirs connected to supply lines and nozzles for back-up inspection.
이로써, 여러 번의 저장고 교체작업에 따른 작업시간이 장기화하고, 작업 편의성이 떨어진다. 또한, 기존 저장고 내의 케미컬을 폐기하는데 따른 제조원가의 상승이 초래한다.As a result, the work time according to a plurality of storage replacement work is prolonged, and the work convenience is inferior. In addition, an increase in manufacturing costs is caused by the disposal of chemicals in existing storage.
따라서, 본 발명은 케미컬공급관의 오염에 따른 백업검사를 실시할 때 케미컬 저장고 교체작업의 신속성과 편의성을 향상하도록 한 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention provides a chemical supply structure of a chemical vapor deposition coating machine to improve the speed and convenience of chemical storage replacement when performing a backup inspection according to the contamination of the chemical supply pipe.
또한, 본 발명의 목적은 케미컬의 낭비를 줄여 제조원가의 상승을 억제하도록 한 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조를 제공하는데 있다.It is also an object of the present invention to provide a chemical feed structure of a chemical vapor deposition coating machine to reduce the waste of the chemical to suppress the increase in manufacturing cost.
도 1은 종래 기술에 의한 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조를 나타낸 개략 구성도.1 is a schematic configuration diagram showing a chemical supply structure of a chemical vapor deposition coating machine according to the prior art.
도 2는 본 발명에 의한 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조를 나타낸 개략 구성도.Figure 2 is a schematic diagram showing the chemical supply structure of the chemical vapor deposition coating machine according to the present invention.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조는Chemical supply structure of the chemical vapor deposition coating machine according to the present invention for achieving the above object is
층간절연막용 액상 케미컬을 저장한 케미컬 저장고;A chemical reservoir for storing a liquid chemical for an interlayer insulating film;
상기 케미컬을 웨이퍼에 디스펜싱하는 노즐을 갖는 디스펜서;A dispenser having a nozzle for dispensing the chemical on a wafer;
상기 케미컬을 상기 디스펜서로 공급하는, 제 1 밸브가 설치된 케미컬 공급관;A chemical supply pipe provided with a first valve for supplying the chemical to the dispenser;
상기 케미컬 공급관과 노즐의 세정을 위한 솔벤트를 저장한 솔벤트 저장고; 그리고A solvent reservoir storing solvent for cleaning the chemical supply pipe and the nozzle; And
상기 케미컬 공급관에 연통되어서 상기 솔벤트를 디스펜서로 공급하는, 제 2 밸브가 설치된 솔벤트 공급관을 포함하는 것을 특징으로 한다.And a solvent supply pipe in communication with the chemical supply pipe and supplying the solvent to the dispenser.
바람직하게는, 상기 제 1, 2 밸브가 동시에 개방되지 않고 선택적으로 개방된다. 제 1, 2 밸브는 개방/차단을 전자 제어 가능한 밸브로 구성된다.Preferably, the first and second valves are selectively opened rather than open simultaneously. The 1st and 2nd valves are comprised by the valve which can open / block electronically.
이하, 본 발명에 의한 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일 구성 및 동일 작용의 부분에는 동일 부호를 부여한다.Hereinafter, the chemical supply structure of the chemical vapor deposition coating machine according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same code | symbol is attached | subjected to the part of the same structure and the same action as the conventional part.
도 3은 본 발명에 의한 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조를 나타낸 개략 구성도이다.Figure 3 is a schematic diagram showing the chemical supply structure of the chemical vapor deposition coating machine according to the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 케미컬 저장고(10) 내의 층간절연막용 액상 케미컬(11)에 질소(N2) 주입관(20)을 거쳐 버블링용 질소가스(N2)가 주입되고, 케미컬(11)이 질소가스의 주입에 의해 버블링되면서 케미컬 공급관(30)의 개방된 제 1 밸브(31)를 거쳐 디스펜서(40)로 공급되고, 디스펜서(40)의 노즐(41)로부터의 케미컬(11)이 웨이퍼 지지판(50)에 지지된 채 회전하는 웨이퍼(1)의 전면에 디스펜싱하고, 솔벤트 저장고(60) 내의 솔벤트(61)가 질소 주입관(70)을 거쳐 버블리용 질소가스가 주입되고, 솔벤트(61)가 질소가스의 주입에 의해 버블링되면서 솔벤트 공급관(80)의 제 2 밸브(81)를 거쳐 디스펜서(40)로 공급하도록 구성된다.As shown in FIG. 3, bubbling nitrogen gas (N 2 ) is injected into the liquid chemical for interlayer insulating film 11 in the chemical reservoir 10 via a nitrogen (N 2 ) injection tube 20, and the chemical 11 ) Is bubbled by the injection of nitrogen gas and is supplied to the dispenser 40 via the open first valve 31 of the chemical supply pipe 30, and the chemical 11 from the nozzle 41 of the dispenser 40. Dispensing to the entire surface of the rotating wafer 1 supported by the wafer support plate 50, the solvent 61 in the solvent reservoir 60 is injected through the nitrogen injection pipe 70, the bubbling nitrogen gas is injected, The solvent 61 is configured to supply to the dispenser 40 via the second valve 81 of the solvent supply pipe 80 while bubbling by injection of nitrogen gas.
여기서, 제 1 밸브(31)와 제 2 밸브(81)는 케미컬(11)과 솔벤트(61)가 서로 혼합되지 않도록 하기 위해 동시에 개방되지 않고 어느 하나가 개방되면, 다른 하나는 차단된다. 솔벤트로는 메타놀, 이소프로필알콜, 또는 MIBK가 사용될 수 있다.Here, the first valve 31 and the second valve 81 are not opened at the same time so that the chemical 11 and the solvent 61 are not mixed with each other and when one is opened, the other is blocked. As the solvent, methanol, isopropyl alcohol, or MIBK may be used.
이와 같이 구성되는 본 발명의 화학기상증착 코팅기의 케미컬 공급구조의 경우, 케미컬 공급관(30)과 노즐(41)의 오염으로 인하여 파티클이 코팅막에 존재하는 공정불량현상이 발생하면 도 4에 도시된 바와 같이, 먼저, 단계(S11)에서 케미컬 공급관(30)에 설치된 제 1 밸브(31)를 차단함으로써 케미컬 저장고(10) 내의 액상 케미컬(11)을 케미컬 공급관(30)을 거쳐 디스펜서(40)로 공급하는 것을 중단한다.In the case of the chemical supply structure of the chemical vapor deposition coating machine of the present invention configured as described above, if a process defect occurs in which the particles are present in the coating film due to the contamination of the chemical supply pipe 30 and the nozzle 41, as shown in FIG. 4. As described above, first, the liquid valve 11 in the chemical reservoir 10 is supplied to the dispenser 40 through the chemical supply pipe 30 by blocking the first valve 31 installed in the chemical supply pipe 30 in step S11. Stop doing it.
단계(S12)에서는 제 1 밸브(31)의 차단이 완료되고 나면, 솔벤트 공급관(80)에 설치된 제 2 밸브(81)를 개방함으로써 솔벤트 저장고(60) 내의 솔벤트, 예를 들어 메타놀, 이소프로필알콜, 또는 MIBK를 솔벤트 공급관(80)과 케미컬 공급관(30)을 거쳐 디스펜서(40)의 노즐(41)로 공급된다. 따라서, 솔벤트 공급관(80)과 케미컬 공급관(30) 및 디스펜서(40)의 노즐(41)이 세정된다.In step S12, after the shutoff of the first valve 31 is completed, the solvent in the solvent reservoir 60, for example, methanol, isopropyl alcohol, is opened by opening the second valve 81 installed in the solvent supply pipe 80. Or MIBK is supplied to the nozzle 41 of the dispenser 40 via the solvent supply pipe 80 and the chemical supply pipe 30. Therefore, the nozzle 41 of the solvent supply pipe 80, the chemical supply pipe 30, and the dispenser 40 is cleaned.
단계(S13)에서는 이후, 제 2 밸브(81)를 차단하여 솔벤트의 공급을 중단하고 단계(S14)에서는 제 1 밸브(31)를 개방하여 케미컬 저장고(10) 내의 케미컬(11)을In step S13, the second valve 81 is blocked to stop the supply of the solvent, and in step S14, the first valve 31 is opened to close the chemical 11 in the chemical reservoir 10.
케미컬 공급관(30)을 거쳐 노즐(41)로 공급하여 웨이퍼(1) 상에 코팅한다.It is supplied to the nozzle 41 via the chemical supply pipe 30 and coated on the wafer 1.
단계(S15)에서는 마지막으로 웨이퍼(1)의 코팅막에 대한 백업검사를 실시한다. 이때, 검사 결과가 양호하면, 웨이퍼들(1)에 층간절연막용 케미컬을 순차적으로 스핀코팅하고, 이를 경화하는 정상적인 작업공정을 개시한다.In step S15, a back-up inspection of the coating film of the wafer 1 is finally performed. At this time, if the inspection result is satisfactory, a normal work process of sequentially spin coating the interlayer dielectric film chemical on the wafers 1 and curing it is started.
따라서, 본 발명은 케미컬 공급관의 제 1 밸브와, 솔벤트 저장고에 연결된 솔벤트 공급관의 제 2 밸브를 이용하여 솔벤트를 케미컬 공급관을 거쳐 노즐로 공급함으로써 기존 케미컬 저장고의 분리 및 신규 케미컬 저장고의 장착 및 솔벤트 저장고의 신규 장착 및 분리 작업과 같은, 오염된 케미컬 공급관과 노즐의 세정작업을 생략할 수 있다. 또한, 기존의 사용중인 케미컬 저장고 내의 케미컬을 공기에 노출시키지 않으므로 이를 폐기처분하지 않고 계속 사용하는 것이 가능하다.Accordingly, the present invention is to separate the existing chemical reservoir and to install the new chemical reservoir and the solvent reservoir by supplying the solvent through the chemical supply pipe to the nozzle using the first valve of the chemical supply pipe and the second valve of the solvent supply pipe connected to the solvent reservoir. Cleaning of contaminated chemical feed pipes and nozzles, such as new installation and removal of components, can be omitted. In addition, the chemicals in existing chemical reservoirs are not exposed to air so that it is possible to continue using them without discarding them.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면, 케미컬 공급관의 제 1 밸브와, 솔벤트 저장고에 연결된 솔벤트 공급관의 제 2 밸브를 이용하여 솔벤트를 케미컬 공급관을 거쳐 노즐로 공급한다.As described above, according to the present invention, the solvent is supplied to the nozzle through the chemical supply pipe by using the first valve of the chemical supply pipe and the second valve of the solvent supply pipe connected to the solvent reservoir.
따라서, 본 발명은 기존 케미컬 저장고의 분리 및 신규 케미컬 저장고의 장착 및 솔벤트 저장고의 신규 장착 및 분리 작업과 같은, 오염된 케미컬 공급관과 노즐의 번거로운 세정작업을 생략하여 백업 작업을 위한 사전 작업의 시간단축과 편의성을 향상한다. 또한 기존의 사용중인 케미컬 저장고를 공기에 노출시키지 않으므로 이를 폐기처분하지 않고 계속 사용 가능하므로 원가상승을 억제할 수 있다.Therefore, the present invention eliminates cumbersome cleaning of contaminated chemical supply pipes and nozzles, such as separation of existing chemical reservoirs, installation of new chemical reservoirs, and new installation and removal of solvent reservoirs, thereby reducing the time required for pre-operation for backup operations. And improve convenience. In addition, since the existing chemical reservoirs are not exposed to the air, they can be used without disposing of them, thereby reducing the cost increase.
한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.On the other hand, the present invention is not limited to the contents described in the drawings and detailed description, it is obvious to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. .
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990027473A KR20010009203A (en) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | chemical supplying structure for chemical vapor deposition coater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990027473A KR20010009203A (en) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | chemical supplying structure for chemical vapor deposition coater |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010009203A true KR20010009203A (en) | 2001-02-05 |
Family
ID=19600236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990027473A KR20010009203A (en) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | chemical supplying structure for chemical vapor deposition coater |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20010009203A (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194620A (en) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | Spin applicator |
| JPH10135154A (en) * | 1996-11-05 | 1998-05-22 | Fujitsu Ltd | Thin-film chemical vapor deposition method |
| KR100189737B1 (en) * | 1996-01-30 | 1999-06-01 | 구본준 | Exhaust apparatus |
| JPH11165116A (en) * | 1997-12-02 | 1999-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Treating liquid coating device |
-
1999
- 1999-07-08 KR KR1019990027473A patent/KR20010009203A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194620A (en) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | Spin applicator |
| KR100189737B1 (en) * | 1996-01-30 | 1999-06-01 | 구본준 | Exhaust apparatus |
| JPH10135154A (en) * | 1996-11-05 | 1998-05-22 | Fujitsu Ltd | Thin-film chemical vapor deposition method |
| JPH11165116A (en) * | 1997-12-02 | 1999-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Treating liquid coating device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100495639C (en) | Substrate processing apparatus | |
| US8562753B2 (en) | Nozzle cleaning method and a computer-readable storage medium storing nozzle cleaning program | |
| US7914843B2 (en) | Slit coater having pre-applying unit and coating method using the same | |
| KR101107415B1 (en) | Substrate cleaning method and substrate apparatus | |
| US20060115577A1 (en) | Photoresist supply apparatus and method of controlling the operation thereof | |
| JP2010082582A (en) | Standby pot of chemical solution discharging nozzle, chemical solution coating apparatus and chemical solution coating method | |
| KR100700181B1 (en) | Slit coater having standby unit of nozzle and method of coating using thereof | |
| WO2005096910A1 (en) | Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and proximity substrate preparation sequence, and methods, apparatus, and systems for implementing the same | |
| KR20010009203A (en) | chemical supplying structure for chemical vapor deposition coater | |
| US20070163650A1 (en) | Chemical dispensing apparatus of FOX process device | |
| US6824622B2 (en) | Cleaner and method for removing fluid from an object | |
| KR20210080609A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20070107874A (en) | Apparatus for cleaning a chemical solution supplying nozzle | |
| KR100877798B1 (en) | Slit coater | |
| KR100327331B1 (en) | Spin coating apparatus and method for coating a photosensitive film using the same | |
| KR100672928B1 (en) | Photoresist coating equipment | |
| JP2992206B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| KR200222119Y1 (en) | Suppling line for photo-resist | |
| WO2000079572A1 (en) | Post-plasma processing wafer cleaning method and system | |
| US20040000377A1 (en) | Liquid delivery system | |
| JPH06120132A (en) | Resist coater | |
| US6880724B1 (en) | System and method for supplying photoresist | |
| KR20060020138A (en) | Photo resist supply equipment of semiconductor coating device | |
| US7008480B2 (en) | Apparatus for coating photoresist | |
| KR950006648Y1 (en) | Catch cup cover of spin coating apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |