KR20010003584A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device Download PDF

Info

Publication number
KR20010003584A
KR20010003584A KR1019990023939A KR19990023939A KR20010003584A KR 20010003584 A KR20010003584 A KR 20010003584A KR 1019990023939 A KR1019990023939 A KR 1019990023939A KR 19990023939 A KR19990023939 A KR 19990023939A KR 20010003584 A KR20010003584 A KR 20010003584A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
surface acoustic
acoustic wave
input
output
filter
Prior art date
Application number
KR1019990023939A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100361692B1 (en
Inventor
이만형
Original Assignee
김충환
주식회사 케이이씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김충환, 주식회사 케이이씨 filed Critical 김충환
Priority to KR1019990023939A priority Critical patent/KR100361692B1/en
Publication of KR20010003584A publication Critical patent/KR20010003584A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100361692B1 publication Critical patent/KR100361692B1/en

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
    • F17C13/12—Arrangements or mounting of devices for preventing or minimising the effect of explosion ; Other safety measures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
    • B26F1/00—Perforating; Punching; Cutting-out; Stamping-out; Apparatus therefor
    • B26F1/32—Hand-held perforating or punching apparatus, e.g. awls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C1/00—Pressure vessels, e.g. gas cylinder, gas tank, replaceable cartridge
    • F17C1/02—Pressure vessels, e.g. gas cylinder, gas tank, replaceable cartridge involving reinforcing arrangements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C2260/00—Purposes of gas storage and gas handling
    • F17C2260/04—Reducing risks and environmental impact
    • F17C2260/042—Reducing risk of explosion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE: A device is provided to achieve an improved power durability of a surface acoustic filter while preventing change of impedance of the filter. CONSTITUTION: A device comprises a substrate; and surface acoustic wave filters(40) disposed onto the substrate as being spaced apart from each other. The acoustic wave filters are electrically connected in parallel, and have electrode fingers of which overlap length is reduced for power distribution. The surface acoustic wave filters have reflectors(43) arranged at left and right sides of an input converter(41), and reflectors(47) arranged at left and right sides of an output converter(45). The input converter includes a center converter(141), and lateral converters(241) arranged at both sides of the center converter. The input converters of each of the surface acoustic wave filter are connected to a common input terminal, and the output converters are connected to a common output terminal.

Description

표면탄성파 소자{surface acoustic wave device}Surface acoustic wave device

본 발명은 표면탄성파 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 대역통과필터용 표면탄성파 여파기의 내전력성(power durability)을 향상하도록 한 표면탄성파 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly, to a surface acoustic wave device for improving the power durability of the surface acoustic wave filter for a bandpass filter.

일반적으로, 표면탄성파 여파기, 예를 들어서 공진기결합형 표면탄성파 여파기는 LiTaO3, LiNbO3, 수정 등과 같은 재질의 압전기판 상에 빗살형 전극들로 이루어진 인터디지털 변환기(interdigital transducer: IDT)를 포함한다. 표면탄성파 여파기의 인터디지털 변환기는 통상 2개가 1쌍을 이루는데, 그 중 하나가 외부로부터 입력되는 전기적 신호를 기계적 진동으로 변환하는 입력 변환기이고, 나머지 하나가 입력 변환기로부터 일정 거리 이격하여 배치되며 기계적 진동을 다시 전기적 신호로 변환하는 출력 변환기이다.In general, surface acoustic wave filters, such as resonator coupled surface acoustic wave filters, include an interdigital transducer (IDT) consisting of comb-shaped electrodes on a piezoelectric plate of material such as LiTaO 3 , LiNbO 3 , quartz, or the like. . The interdigital transducers of the surface acoustic wave filter are usually two pairs, one of which is an input transducer that converts an electrical signal input from the outside into mechanical vibration, and the other is disposed at a distance from the input transducer and is mechanical An output transducer that converts vibrations back into electrical signals.

탄성표면파 여파기는 입력 변환기에 인가된 전기적 신호를 기판의 압전현상에 의해 기계적 진동으로 변환하고, 이러한 진동이 일정한 파형을 형성하여 표면탄성파를 발생하면, 출력 변환기에 의해 기계적인 진동을 전기적 신호로 변환시키는 동안 특정 대역의 주파수를 갖는 신호만을 통과시키는데, 이는 IDT의 전극들의 기하학적 구조에 의해 주파수 대역이 결정되기 때문이다.The surface acoustic wave filter converts the electrical signal applied to the input transducer into mechanical vibration by the piezoelectric phenomenon of the substrate, and when such vibration forms a constant waveform and generates surface acoustic waves, the output transducer converts the mechanical vibration into an electrical signal. Only the signal with the frequency of a specific band is passed during the process because the frequency band is determined by the geometry of the electrodes of the IDT.

도 1은 종래의 2단자망 대역통과필터의 블록도이고, 도 2는 도 1의 대역통과필터에 적용된 표면탄성파 여파기를 나타낸 내부 구조도이다. 설명의 편의상 도 1과 도 2를 연관하여 설명하기로 한다.1 is a block diagram of a conventional two-terminal network bandpass filter, Figure 2 is a diagram showing the internal structure of the surface acoustic wave filter applied to the bandpass filter of FIG. For convenience of description, the description will be made with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1에 도시된 바와 같이, 2단자망 구조를 갖는 대역통과필터(1)의 입력단에 입력전류(Iin)와 입력전압(Vin)이 입력되고, 출력단에 출력전류(Iout)와 출력전압(Vout)이 출력된다.As shown in FIG. 1, an input current Iin and an input voltage Vin are input to an input terminal of a band pass filter 1 having a two-terminal network structure, and an output current Iout and output voltage Vout to an output terminal. ) Is output.

대역통과필터(1)는 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 동일한 압전기판(도시 안됨) 상에 형성된 1개의 표면탄성파 여파기(10)로 구성된다. 표면탄성파 여파기(10)는 입력 변환기(11)의 좌, 우측에 반사기들(13)이 1개씩 배치되고, 출력 변환기(15)의 좌, 우측에 반사기들(17)이 1개씩 배치되는 구조로 이루어진다. 미설명 부호 W는 전극지간 겹치는 길이를 나타낸다.The bandpass filter 1 is composed of one surface acoustic wave filter 10 formed on one same piezoelectric plate (not shown), as shown in FIG. The surface acoustic wave filter 10 has a structure in which one reflector 13 is disposed on the left and right sides of the input converter 11, and one reflector 17 is disposed on the left and right sides of the output converter 15. Is done. Reference numeral W denotes an overlapping length between electrode fingers.

이와 같이 구성되는 표면탄성파 여파기의 내부 임피던스를 변환하기 위한 방법으로는 압전기판의 재질 선택에 의해 유절율을 조정하는 방법, 변환기의 전극지 갯수를 조절하는 방법, 변환기의 전극지간 겹치는 길이(overlap length)를 조정하는 방법 등이 있다.As a method for converting the internal impedance of the surface acoustic wave filter configured as described above, a method of adjusting the dielectric constant by selecting a material of the piezoelectric plate, a method of adjusting the number of electrode fingers of the transducer, and an overlap length between the electrode fingers of the transducer ), And the like.

가령, 표면탄성파 소자의 전기적인 요구 사양(specification)이 결정되면, 요구 사양들 중에서 유전율과 전극지 갯수가 고정된다. 이를 좀 더 상세히 언급하면, 전기적인 요구 사양에 의해 압전기판의 재질이 선택되므로 유전율이 고정되고, 표면탄성파 소자의 대역폭과 삽입손실 등이 정해지면, 전극지의 개수 또한 고정된다. 그러므로, 전극지간 겹치는 길이 W에 의해서만 임피던스를 조정할 수 있다.For example, when the electrical specification of the surface acoustic wave device is determined, the dielectric constant and the number of electrode fingers are fixed among the requirements. More specifically, since the material of the piezoelectric plate is selected by the electrical requirements, the dielectric constant is fixed, and when the bandwidth and insertion loss of the surface acoustic wave device are determined, the number of electrode fingers is also fixed. Therefore, the impedance can be adjusted only by the length W overlapping between the electrode fingers.

그런데, 표면탄성파 여파기를 장착할 시스템의 임피던스는 50Ω을 표준으로 사용하는 경우가 대부분인데, 50Ω에 가깝게 여파기의 임피던스를 줄이기 위해서는 전극지의 겹침 길이 W를 길게 연장하여야 하는데 이는 변환기가 점유하는 압전기판의 면적의 확대를 필요로 한다. 전극지의 겹치는 길이를 연장하는 경우, 변환기에 입력되는 전력이 집중되고, 동일한 전력인가의 조건에 대한 전극지 금속의 내부 발열이 증가한다.However, the impedance of the system to be equipped with the surface acoustic wave filter is mostly 50 Ω as a standard. To reduce the impedance of the filter to near 50 Ω, the overlap length W of the electrode finger must be extended to be long. Need to enlarge area. When extending the overlapping length of the electrode finger, the power input to the converter is concentrated, and the internal heat generation of the electrode finger metal for the condition of applying the same power increases.

그러나, 전극지 금속의 내부 발열이 제대로 방열되지 않은 채 계속 축적되어 한계 수준을 초과하면, 전극지 금속이 용융하고 전극지 금속의 단락현상이 발생한다. 또한, 전위차가 유전파괴를 일으킬 정도 이상으로 증가하면, 압전기판이 국부적으로 파손된다. 이로 인해, 표면탄성파 여파기는 수명을 단축하는 치명적인 손상을 받게 된다.However, when the internal heat generation of the electrode finger metal continues to accumulate without being properly radiated and exceeds the threshold level, the electrode finger metal melts and a short circuit phenomenon of the electrode finger metal occurs. In addition, when the potential difference increases beyond that causing dielectric breakdown, the piezoelectric plate is locally broken. As a result, the surface acoustic wave filter is subject to fatal damage, which shortens the life.

따라서, 본 발명의 목적은 자체 임피던스의 변화없이 전력분산을 이루어 고유전력에 대한 내성을 증가시키도록 한 표면탄성파 소자를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device to increase the resistance to natural power by making power distribution without changing its impedance.

도 1은 종래의 2단자망 대역통과필터(band pass filter)의 블록도.1 is a block diagram of a conventional two-terminal network band pass filter.

도 2는 도 1의 대역통과필터에 적용된 표면탄성파 여파기를 나타낸 내부 구조도.FIG. 2 is an internal structure diagram illustrating a surface acoustic wave filter applied to the band pass filter of FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명에 의한 표면탄성파 소자에 적용된 2단자망 대역통과필터의 병렬 연결을 나타낸 블록도.Figure 3 is a block diagram showing the parallel connection of the two-terminal network bandpass filter applied to the surface acoustic wave device according to the present invention.

도 4는 도 3의 대역통과필터에 적용된 표면탄성파 여파기를 나타낸 내부구조도.Figure 4 is an internal structure showing a surface acoustic wave filter applied to the bandpass filter of FIG.

도 5는 도 4의 표면탄성파 여파기를 나타낸 변형 내부구조도.5 is a modified internal structure showing the surface acoustic wave filter of FIG.

**** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ******** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ****

1, 30: 대역통과필터 10, 40, 50: 표면탄성파 여파기1, 30: band pass filter 10, 40, 50: surface acoustic wave filter

11 : 입력 변환기 13, 17: 반사기11: input transducer 13, 17: reflector

15: 출력 변환기 111, 115: 센터 변환기15: output transducer 111, 115: center transducer

211, 215: 래터럴 변환기211, 215: Lateral Converter

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 표면탄성파 소자는Surface acoustic wave device according to the present invention for achieving the above object

기판; 그리고Board; And

상기 기판 상에 이격하여 배치되면서 전기적으로 병렬 연결되고, 또한 균등하게 다분화되며 전극지의 겹침 길이가 다분화 빈도수에 대응하여 축소된 표면탄성파 여파기들을 포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it comprises a surface acoustic wave filter that is electrically spaced in parallel while being spaced apart on the substrate, and is evenly diversified and the overlap length of the electrode finger is reduced in correspondence with the frequency of differentiation.

바람직하게는 상기 다분화된 탄성표면파 여파기들 각각의 입력 변환기가 공통 입력단자에 연결되고, 출력 변환기가 공통 출력단에 연결된다. 또한, 상기 다분화된 탄성표면파 여파기들 중 일측 탄성표면파 여파기의 입, 출력 변환기가 공통 입력단에 연결되고, 타측 탄성표면파 여파기의 입, 출력 변환기가 공통 출력단에 연결된다.Preferably the input transducer of each of the multiplexed surface acoustic wave filters is connected to a common input terminal and the output transducer is connected to a common output terminal. In addition, the input and output converters of one surface acoustic wave filter of the multiple surface acoustic wave filters are connected to a common input terminal, and the input and output converters of the other surface acoustic wave filter are connected to a common output terminal.

따라서, 본 발명은 표면탄성파 여파기를 자체 임피던스를 변화시키기 않고 전기회로적으로 균등하게 다분화하고 병렬 연결하여 내부 전력을 분산함으로써 고유의 전력에 대한 내성을 증가시킨다.Accordingly, the present invention increases the immunity to inherent power by multiplying the surface acoustic wave filter evenly in an electric circuit without changing its impedance and distributing the internal power by parallel connection.

이하, 본 발명에 의한 표면탄성파 소자를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래 부분과 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하기로 한다.Hereinafter, the surface acoustic wave device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are given to the same parts as the conventional parts.

도 3은 본 발명에 의한 표면탄성파 소자에 적용된 2단자망 대역통과필터의 병렬 연결을 나타낸 블럭도이고, 도 4는 도 3의 대역통과필터에 적용된 표면탄성파 여파기를 나타낸 내부구조도이고, 도 5는 도 4의 표면탄성파 여파기를 나타낸 변형 내부구조도이다. 설명의 편의상 도 3 내지 도 5를 연관하여 설명하기로 한다. 설명의 편의상 전체적인 구조의 간단한 설명과 단순화를 위해 2분화된 병렬 연결구조를 기준으로 설명하나 본 발명은 이에 한정되지 않고 2분화 이상의 다분화된 병렬 연결구조도 가능함은 자명한 사실이다.3 is a block diagram showing a parallel connection of a two-terminal network bandpass filter applied to the surface acoustic wave device according to the present invention, FIG. 4 is an internal structure diagram showing a surface acoustic wave filter applied to the bandpass filter of FIG. 4 is a diagram illustrating a modified internal structure of the surface acoustic wave filter of FIG. 4. For convenience of description, the description will be made with reference to FIGS. 3 to 5. For simplicity of explanation, for the sake of simplicity and simplification of the overall structure, the present invention will be described with reference to a two-part parallel connection structure. However, the present invention is not limited thereto.

도 3에 도시된 바와 같이, 균등하게 2분화된 대역통과필터들(31)이 전기적으로 병렬 연결된다. 여기서, 대역통과필터들(31)의 공통 입력단자(INPUT)에 입력전압과 입력전류가 각각 Vin과 Iin으로 인가되면, 각각의 대역통과필터들(31)의 입력단에 입력전압이 Vin으로 입력되고 입력전류가 Iin/2로 분기되어 입력된다. 각각의 대역통과필터들(31)의 출력단에 출력전압이 Vout으로 출력되고 출력전류가 Iout/2로 분기되어 출력된다. 대역통과필터들(31)의 공통 출력단자(OUTPUT)에 출력전압이 Vout으로 출력되고 출력전류가 Iout로 출력된다.As shown in FIG. 3, the evenly divided band pass filters 31 are electrically connected in parallel. Here, when an input voltage and an input current are applied to Vin and Iin to the common input terminal INPUT of the band pass filters 31, respectively, an input voltage is input to Vin at an input of each band pass filter 31. The input current is branched to Iin / 2 and input. The output voltage is output to Vout and the output current is branched to Iout / 2 at the output terminal of each band pass filter 31. The output voltage is output to Vout and the output current is output to Iout at the common output terminal OUTPUT of the band pass filters 31.

따라서, 각각의 대역통과필터들(31)의 입력단자 또는 출력단자에서는 입력전류(Iin)가 Iin/2로 분화되어 입력되므로 각각의 대역통과필터들(31)의 전력 인가치는 절반치로 감소하여 분산된다.Therefore, since the input current Iin is divided into Iin / 2 at the input terminal or the output terminal of each of the band pass filters 31, the power applied value of each band pass filter 31 is reduced by half and distributed. do.

이와 마찬가지로, 대역통과필터를 전기회로적으로 2분화 이상의 N분화시키면, 각 대역통과필터들의 전압 인가조건은 Vin으로 고정되고, 전류의 인가조건이 Iin/N으로 분화됨으로써 전력인가치는 N분화되어 대역통과필터 전체의 전력에 대한 내성(power durability)이 N배 증가한다.Similarly, when the band pass filter is divided into two or more N divisions by an electric circuit, the voltage application condition of each band pass filter is fixed at Vin, and the power application value is divided by N in and I The power durability of the entire pass filter is increased by N times.

이를 좀 더 상세히 언급하면, N분화, 예를 들어 2분화에 의한 병렬접속회로망에서 입력전류(Iin)와 출력전류(Iout)에 대한 변화는 다음과 같다.In more detail, the change in the input current Iin and the output current Iout in the parallel connection network by N division, for example, two division, is as follows.

즉, Iin = Iin/2 + Iin/2, Iout = Iout/2 + Iout/2That is, Iin = Iin / 2 + Iin / 2, Iout = Iout / 2 + Iout / 2

또한, 입력전압(Vin)과 출력전압(Vout)은 병렬회로에서 2분화되더라도 변화없이 외부 인가조건과 동일하게 전달된다.In addition, even though the input voltage Vin and the output voltage Vout are divided into two in the parallel circuit, the input voltage Vin and the output voltage Vout are transmitted in the same manner as the external application condition without change.

그러므로, 전력치(P)는 전압과 전류의 곱에 의해 주어지는데, 입력 전력치(Pin)와 출력 전력치(Pout)는 병렬 회로에서 2분화된다.Therefore, the power value P is given by the product of the voltage and the current, the input power Pin and the output power Pout are divided in two in the parallel circuit.

즉, Pin = Pin/2 + Pin/2, Pout = Pout/2 + Pout/2That is, Pin = Pin / 2 + Pin / 2, Pout = Pout / 2 + Pout / 2

이와 같은 구성의 대역통과필터들(30)은 도 4에 도시된 바와 같이 전기회로적으로 2분화되어 병렬 연결된 표면탄성파 여파기들(40)로서 하나의 동일한 압전기판(도시 안됨) 상에 이격하여 배치된 구조로 이루어질 수 있다. 표면탄성파 여파기들(40)의 전극지의 겹침 길이(overlap length)는 전력분산을 위해 도 2의 전극지의 겹침 길이 W를 2분화한 W/2로 축소된다.The band pass filters 30 having such a configuration are arranged as two separate surface acoustic wave filters 40 connected in parallel and electrically spaced apart on one same piezoelectric plate (not shown) as shown in FIG. 4. It can be made of a structure. The overlap length of the electrode fingers of the surface acoustic wave filters 40 is reduced to W / 2 by dividing the overlap length W of the electrode fingers of FIG. 2 for power dissipation.

여기서, 각각의 표면탄성파 여파기들(40)은 입력 변환기(41)의 좌, 우측에 반사기들(43)이 1개씩 배치되고, 출력 변환기(45)의 좌, 우측에 반사기들(47)이 1개씩 배치되는 구조로 이루어진다. 입력 변환기(41)는 센터 변환기(141)와 그 양측의 래터럴 변환기들(241)로 이루어지고, 출력 변환기(45)는 센터 변환기(145)와 그 양측의 래터럴 변환기들(245)로 이루어진다.Here, each of the surface acoustic wave filters 40 includes one reflector 43 on the left and right sides of the input transducer 41, and one reflector 47 on the left and right sides of the output transducer 45. It consists of a structure arranged one by one. The input transducer 41 consists of a center transducer 141 and lateral transducers 241 on both sides thereof, and the output transducer 45 consists of a center transducer 145 and lateral transducers 245 on both sides thereof.

양측 여파기들(40)의 각각에 있어서, 양측 래터럴 변환기들(241)의 외측부가 공통 접지되고, 센터 변환기들(141)의 내측부가 접지되고, 양측 래터럴 변환기들(241)의 내측부가 해당하는 양측 래터럴 변환기들(245)의 내측부에 연결되고, 센터 변환기들(145)의 내측부가 접지되고, 양측 래터럴 변환기들(245)의 외측부가 공통 접지된다. 또한, 양측 여파기들(40)의 센터 변환기들(141)의 외측부가 공통 입력단자(INPUT)에 연결되고, 양측 여파기들(40)의 센터 변환기들(145)의 외측부가 공통 출력단자(OUTPUT)에 연결된다.In each of the two side filters 40, the outer side of the both side lateral transducers 241 is common ground, the inner side of the center transducers 141 is grounded, and the inner side of the both side lateral transducers 241 corresponds. The inner side of the lateral transducers 245 is connected, the inner side of the center transducers 145 are grounded, and the outer side of both lateral transducers 245 are commonly grounded. In addition, an outer side of the center transducers 141 of the two side filters 40 is connected to the common input terminal INPUT, and an outer side of the center transducers 145 of the two side filters 40 are connected to the common output terminal OUTPUT. Is connected to.

또한, 대역통과필터들(30)은 도 5에 도시된 바와 같이 전기회로적으로 2분화되어 병렬 연결된 표면탄성파 여파기들(50)로서 하나의 동일한 압전기판(도시 안됨) 상에 이격하여 배치된 구조로 이루어질 수 있다. 표면탄성파 여파기들(50)의 전극지의 겹침 길이(overlap length)는 전력분산을 위해 도 2의 전극지의 겹침 길이 W를 2분화한 W/2로 축소된다.In addition, the band pass filters 30 are structured to be spaced apart on one same piezoelectric plate (not shown) as the surface acoustic wave filters 50 which are divided into two circuits and connected in parallel as shown in FIG. 5. It may be made of. The overlap length of the electrode fingers of the surface acoustic wave filters 50 is reduced to W / 2 by dividing the overlap length W of the electrode fingers of FIG. 2 for power dissipation.

여기서, 각각의 표면탄성파 여파기들(50)은 입력 변환기(41)의 좌, 우측에 반사기들(43)이 1개씩 배치되고, 출력 변환기(45)의 좌, 우측에 반사기들(47)이 1개씩 배치되는 구조로 이루어진다. 입력 변환기(41)는 센터 변환기(141)와 그 양측의 래터럴 변환기들(241)로 이루어지고, 출력 변환기(45)는 센터 변환기(145)와 그 양측의 래터럴 변환기들(245)로 이루어진다.Here, each of the surface acoustic wave filters 50 includes one reflector 43 on the left and right sides of the input transducer 41, and one reflector 47 on the left and right sides of the output transducer 45. It consists of a structure arranged one by one. The input transducer 41 consists of a center transducer 141 and lateral transducers 241 on both sides thereof, and the output transducer 45 consists of a center transducer 145 and lateral transducers 245 on both sides thereof.

양측 여파기들(50)의 각각에 있어서, 양측 래터럴 변환기들(241),(245)의 내측부가 공통 접지되고, 센터 변환기들(141),(145)의 외측부가 접지되고, 양측 래터럴 변환기들(241)의 외측부가 공통 연결되고, 양측 래터럴 변환기들(245)의 외측부가 공통 연결된다. 일측 여파기(50)의 래터럴 변환기들(241)의 외측부가 타측 여파기(50)의 래터럴 변환기들(241)의 외측부에 연결되고, 일측 여파기(50)의 래터럴 변환기들(245)의 외측부가 타측 여파기(50)의 래터럴 변환기들(245)에 연결된다.In each of the two side filters 50, the inner side of both side lateral transducers 241, 245 are common grounded, the outer side of the center transducers 141, 145 are grounded, and both side lateral transducers ( The outer side of 241 is commonly connected and the outer side of both lateral transducers 245 are commonly connected. The outer side of the lateral transducers 241 of the one side filter 50 is connected to the outer side of the lateral transducers 241 of the other side filter 50, and the outer side of the lateral transducers 245 of the one side filter 50 is connected to the other side. To lateral transducers 245 of 50.

또한, 일측 여파기(50)의 센터 변환기들(141),(145)의 내측부가 공통 입력단자(INPUT)에 연결되고, 타측 여파기(50)의 센터 변환기들(141),(145)의 내측부가 공통 출력단자(OUTPUT)에 연결된다.In addition, the inner parts of the center transducers 141 and 145 of the one side filter 50 are connected to the common input terminal INPUT, and the inner parts of the center transducers 141 and 145 of the other filter unit 50 are connected. It is connected to the common output terminal (OUTPUT).

따라서, 본 발명은 표면탄성파 여파기들의 전극지 겹침 길이를 종래에 비하여 축소 조정하여 자체 임피던스의 변화를 방지하고 이들을 전기적으로 다분화시켜 변환기의 전극지 금속의 내부 발열을 저감시킨다. 그러므로, 본 발명은 전극지 금속의 용융을 억제하여 전극지 금속의 단락을 방지하고, 압전기판의 국부적인 파손을 억제하여 여파기의 수명을 단축하는 치명적인 손상을 방지한다.Accordingly, the present invention reduces and adjusts the electrode finger overlap lengths of the surface acoustic wave filters as compared with the conventional ones to prevent changes in their impedance and electrically diversifies them to reduce internal heat generation of the electrode finger metal of the converter. Therefore, the present invention suppresses melting of the electrode finger metal to prevent short circuit of the electrode finger metal, and prevents fatal damage that shortens the life of the filter by suppressing local breakage of the piezoelectric plate.

한편, 본 발명은 2단자망에 한정되지 않고 3단자망, 4단자망 그 이상의 다단자망에도 동일하게 적용할 수 있다.In addition, the present invention is not limited to a two-terminal network, but can be similarly applied to a multi-terminal network having a three-terminal network and a four-terminal network.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 표면탄성파 소자에서는 균등하게 다분화되고 전극지 겹침 길이를 축소 조정한 표면탄성파 여파기들이 압전기판 상에 이격하여 배치되고 또한 이들이 전기적으로 병렬 연결된다.As described above, in the surface acoustic wave device according to the present invention, the surface acoustic wave filters, which are equally multiplied and reduced in length of overlap of electrode fingers, are spaced apart on the piezoelectric plate and are electrically connected in parallel.

따라서, 본 발명은 표면탄성파 여파기들의 자체 임피던스의 변화를 방지하면서도 입력전력을 동시에 다분화하여 내부 전력을 분산하고 이에 따른 표면탄성파 여파기의 내전력성을 증가시키고 나아가 제반 특성을 향상시킨다.Therefore, the present invention prevents a change in the impedance of the surface acoustic wave filters, while simultaneously diversifying the input power, thereby distributing the internal power, thereby increasing the power resistance of the surface acoustic wave filter and improving the overall characteristics thereof.

한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형 및 개선도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.Meanwhile, the present invention is not limited to the contents described in the drawings and the detailed description, and various modifications and improvements can be made without departing from the spirit of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. It is true.

Claims (3)

기판; 그리고Board; And 상기 기판 상에 이격하여 배치되면서 전기적으로 병렬 연결되고, 또한 균등하게 다분화되며 전극지의 겹침 길이가 다분화 빈도수에 대응하여 축소된 표면탄성파 여파기들을 포함하는 표면탄성파 소자.A surface acoustic wave device comprising surface acoustic wave filters that are electrically spaced in parallel while being spaced apart on the substrate, and are evenly diversified and whose overlapping lengths of electrode fingers are reduced in correspondence with the frequency of differentiation. 제 1 항에 있어서, 상기 다분화된 탄성표면파 여파기들 각각의 입력 변환기가 공통 입력단자에 연결되고, 출력 변환기가 공통 출력단에 연결되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein an input transducer of each of the differentiated surface acoustic wave filters is connected to a common input terminal, and an output transducer is connected to a common output terminal. 제 1 항에 있어서, 상기 다분화된 탄성표면파 여파기들 중 일측 탄성표면파 여파기의 입, 출력 변환기가 공통 입력단에 연결되고, 타측 탄성표면파 여파기의 입, 출력 변환기가 공통 출력단에 연결되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자.The method of claim 1, wherein the input and output transducers of one surface acoustic wave filter of the multiplexed surface acoustic wave filters are connected to a common input terminal, and the input and output converters of the other surface acoustic wave filter are connected to a common output terminal. Surface acoustic wave device.
KR1019990023939A 1999-06-24 1999-06-24 surface acoustic wave device KR100361692B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990023939A KR100361692B1 (en) 1999-06-24 1999-06-24 surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990023939A KR100361692B1 (en) 1999-06-24 1999-06-24 surface acoustic wave device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010003584A true KR20010003584A (en) 2001-01-15
KR100361692B1 KR100361692B1 (en) 2002-11-22

Family

ID=19594888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990023939A KR100361692B1 (en) 1999-06-24 1999-06-24 surface acoustic wave device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100361692B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1411635A2 (en) * 2002-10-18 2004-04-21 Fujitsu Media Devices Limited Multi-mode surface acoustic wave filter device and duplexer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1411635A2 (en) * 2002-10-18 2004-04-21 Fujitsu Media Devices Limited Multi-mode surface acoustic wave filter device and duplexer

Also Published As

Publication number Publication date
KR100361692B1 (en) 2002-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11601114B2 (en) Surface acoustic wave device and surface acoustic wave filter
US10050601B2 (en) Elastic wave apparatus
EP0853381A2 (en) Surface acoustic wave filter
KR100280611B1 (en) Surface acoustic wave device
US8188812B2 (en) Elastic wave device and ladder filter device
KR20010021965A (en) Surface acoustic wave filter with enhanced edge steepness
KR100340286B1 (en) Surface Acoustic Wave Filter
US20030197578A1 (en) Bandpass filter unit and communication apparatus
KR20010101541A (en) Elastic wave apparatus
KR100379601B1 (en) Surface Acoustic Wave Filter for Improving Flatness of a Pass Band and a Method of Manufacturing Thereof
US7760048B2 (en) Elastic wave filter and communication device equipped with the elastic wave filter
KR100232752B1 (en) Saw apparatus
US5818146A (en) Surface acoustic wave resonator filter apparatus
CN116545410A (en) Elastic wave resonator, longitudinally coupled elastic wave filter and broadband filter
KR100361692B1 (en) surface acoustic wave device
JPH10284987A (en) Surface acoustic wave filter
JPH1174756A (en) Multistage connection type surface acoustic wave filter
JPH09135145A (en) Surface acoustic wave filter
JPS61158207A (en) Surface acoustic wave device
KR20050062402A (en) Surface acoustic wave filter
CN1323488C (en) Surface acoustic wave device
JPH07176912A (en) High frequency filter
JPH03129914A (en) Surface acoustic wave resonator composite type filter
JPH10294640A (en) Surface acoustic wave filter
JPH1013183A (en) Surface acoustic wave device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee