KR20000004152A - Method for manufacturing a thin film actuated mirror array - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a thin film actuated mirrors array in an optical projection system is provided to increase light efficiency by forming a mirror having a planar top surface in order to avoid a reflects spread occurred at a post portion of the mirror by CVD method. CONSTITUTION: The method for manufacturing a thin film actuated mirrors array comprising the step of: preparing a driving substrate (100) including the M x N numbers of a switching elements; forming the M x N numbers of a actuator (200) corresponding to the M x N numbers of the switching elements respectively; forming a first sacrificial layer (205) onto the actuator and the driving substrate and M x N numbers of an opening exposing a one terminal of the M x N numbers of the actuator; forming a mirror supporting portions onto the exposed region by CVD method; flatting a surface of the mirror supporting portions; forming a reflect portion onto the mirror supporting; and patterning the reflect portion and the mirror supporting portions.

Description

박막형 광로 조절 장치의 제조 방법Manufacturing method of thin film type optical path control device

본 발명은 광 투사 장치용 박막형 광로 조절 장치(AMA : Actuated Mirrors Array)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 포스트(Post) 부분에 형성된 거울면의 단차로 인한 난반사를 방지하기에 적합한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film type optical path adjusting device (AMA) for an optical projection device, and more particularly, to a thin film type optical path adjusting device suitable for preventing diffuse reflection due to a step of a mirror surface formed in a post portion. It relates to a manufacturing method.

주지하다시피, 박막형 광로 조절 장치는 투사형 화상 표시 장치의 일종으로서, M×N(M, N은 자연수)개의 각 픽셀별로 광원으로부터 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시켜 소정 화상을 표시하는 장치를 말하며, 이와 같은 AMA는 직시형 화상 표시 장치를 대표하는 CRT에 비해 저전압에서 동작하고, 소비 전력이 작으며, 변형 없는 화상을 제공할 수 있을 뿐만아니라, 같은 투사형 화상 표시 장치의 일종인 LCD(Liquid Crystal Display), DMD(Deformable Mirror Device)에 비해 광효율이 높은 장점을 지니고 있어, 현재 그 개발이 활발히 진행중이다.As is well known, the thin film type optical path adjusting device is a type of projection type image display device, and is a device for displaying a predetermined image by reflecting light incident from a light source at a predetermined angle for each pixel of M × N (M and N are natural numbers). In other words, such an AMA operates at a lower voltage than a CRT representing a direct-view image display device, has a low power consumption, can provide an image without distortion, and is a liquid crystal display (LCD) type of the same projection image display device. Its optical efficiency is higher than that of Crystal Display (DMD) and Deformable Mirror Device (DMD), and its development is actively underway.

이하, 도 1을 참조하여 종래 기술에 다른 박막형 광로 조절 장치에 대해 개략적으로 설명하면 다음과 같다. 이때, 도 1은 종래의 기술에 따른 박막형 광로 조절장치의 단위 픽셀을 도시한 단면도로서, 도 1에 도시된 단면을 가지는 단위 픽셀이 M×N(M, N은 정수)의 배열을 이루어 박막형 광로 조절 장치를 구성한다.Hereinafter, a thin film type optical path adjusting device according to the related art will be described with reference to FIG. 1. 1 is a cross-sectional view illustrating a unit pixel of a thin film type optical path adjusting apparatus according to the related art, wherein unit pixels having a cross section shown in FIG. 1 are arranged in an M × N (M, N is an integer) array. Configure the regulating device.

도 1을 참조하면, 박막형 광로 조절 장치의 각 단위 픽셀은 크게 구동 기판(100), 액츄에이터(200), 거울(300)의 세 구성 부재로 이루어지며, 그 개별 구성 및 특성은 다음과 같다.Referring to FIG. 1, each unit pixel of the thin film type optical path control device is composed of three components, a driving substrate 100, an actuator 200, and a mirror 300, and their individual configurations and characteristics are as follows.

먼저, 구동 기판(100)에는 각각의 액츄에이터(200)에 각각 대응하는 M×N(M, N은 정수)개의 스위칭 소자(120), 예를 들어, MOS(Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터가 형성되며, 이 스위칭 소자(120)는 외부로부터 인가되는 영상 신호를 주기적으로 액츄에이터(200)의 하부 전극(220)에 제공하므로써, 액츄에이터(200)를 구동시킨다. 이때, 구동 기판(100)에는 실리콘 기판(110)의 상부에 소오스/드레인 전극으로 동작하는 활성 영역(112), 게이트 산화막(114), 게이트 전극(116)으로 이루어지는 스위칭 소자(120)가 형성되며, 또한, 소자 분리막(130), 층간 절연층(135)확산 방지층(140), 메탈 패드(150), 하부 보호층(160), 차단층(170), 상부 보호층(180) 및 식각 방지층(190)이 형성된다. 여기에서, 소자 분리막(130)은 M×N(M, N은 정수)개의 픽셀 각각에 구비된 스위칭 소자(120)를 전기적으로 분리하고, 층간 절연층(135)는 게이트 전극(116)과 메탈 패드(150)을 전기적으로 절연하며, 확산 방지층(140)은 실리콘 기판(110)의 실리콘이 매탈 패드(150)를 이루는 금속 내로 침투하는 것을 방지한다. 또한, 메탈 패드(150)는 상기 스위칭 소자(120)의 활성 영역(112)에 인가된 전기적 신호를 액츄에이터(200)의 하부 전극(220)으로 전달하고, 하부 보호층(160)은 차단층(170)과 매탈 패드(150)를 전기적으로 절연시키며, 차단층(170)은 메탈 패드(150)에 광전 효과에 의한 광전류가 발생하는 것을 방지한다. 그리고, 상부 보호층(180)은 후속하는 제조 공정동안 차단층(170)과 스위칭 소자(120)가 손상받는 것을 보호하고, 식각 방지층(190)은 후속하는 식각 공정동안 구동기판(110)이 손상되는 것을 방지한다.First, M × N (M, N is an integer) switching elements 120, for example, a metal oxide semiconductor (MOS) transistor, respectively corresponding to each actuator 200, are formed on the driving substrate 100. The switching element 120 drives the actuator 200 by periodically providing an image signal applied from the outside to the lower electrode 220 of the actuator 200. In this case, a switching element 120 including an active region 112, a gate oxide layer 114, and a gate electrode 116, which functions as a source / drain electrode, is formed on the driving substrate 100. In addition, the device isolation layer 130, the interlayer insulating layer 135, the diffusion barrier layer 140, the metal pad 150, the lower protective layer 160, the blocking layer 170, the upper protective layer 180, and the etch stop layer ( 190) is formed. Here, the device isolation layer 130 electrically separates the switching elements 120 provided in each of the M × N (M, N is integer) pixels, and the interlayer insulating layer 135 is formed of the gate electrode 116 and the metal. The pad 150 is electrically insulated from each other, and the diffusion barrier layer 140 prevents the silicon of the silicon substrate 110 from penetrating into the metal forming the buried pad 150. In addition, the metal pad 150 transmits an electrical signal applied to the active region 112 of the switching element 120 to the lower electrode 220 of the actuator 200, and the lower protective layer 160 is a blocking layer ( The insulating layer 170 and the metal pad 150 are electrically insulated from each other, and the blocking layer 170 prevents photocurrent due to a photoelectric effect on the metal pad 150. In addition, the upper passivation layer 180 protects the blocking layer 170 and the switching element 120 from being damaged during the subsequent manufacturing process, and the etch stop layer 190 damages the driving substrate 110 during the subsequent etching process. Prevent it.

다음으로, 액츄에이터(200)는 멤브레인(210), 하부 전극(220), 변형부(230), 상부 전극(240)으로 구성되며, 구동 기판(100)에 구비된 스위칭 소자(120)로부터 제공되는 영상 신호에 대응해서 반사부(300)를 소정 각도록 경사지게 한다. 즉, 상부 전극(240)과 하부 전극(220)은 둘다 전기 전도성이 양호한 금속으로 이루어지며, 하부 전극(220)에는 스위칭 소자(120)로부터 영상 신호가 인가되고, 상부 전극(240)에는 공통 신호가 인가되어 두 전극(220, 240) 사이에 전계를 형성한다. 이때, 하부 전극(220)과 상부 전극(240) 사이에는 형성되는 변형부(230)는 PZT(Pb(Zr, Ti)O₃), 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti)O₃)등의 압전 세라믹 또는 PMN(Pb(Mg, Nb)O₃)등의 전왜 세라믹으로 형성되는 바, 이와 같은 물질은 전계에 비례하여 변형되는 특성을 지니고 있다. 따라서, 변형부(230)는 하부 전극(220)과 상부 전극(240) 사이의 전위차에 의해 발생된 전계에 비례하게 변형되어, 액츄에이터(240) 전체를 인가된 전계에 비례하는 소정 각도로 경사지게 한다. 한편, 멤브레인(210)은 액츄에이터(200)의 구조를 유지하기 위한 지지체로 작용한다.Next, the actuator 200 is composed of the membrane 210, the lower electrode 220, the deformable portion 230, and the upper electrode 240, and is provided from the switching element 120 provided in the driving substrate 100. The reflector 300 is inclined to a predetermined angle in response to the image signal. That is, both the upper electrode 240 and the lower electrode 220 are made of a metal having good electrical conductivity, an image signal is applied from the switching element 120 to the lower electrode 220, and a common signal to the upper electrode 240. Is applied to form an electric field between the two electrodes 220 and 240. At this time, the deformable portion 230 formed between the lower electrode 220 and the upper electrode 240 is PZT (Pb (Zr, Ti) O ₃ ), or PLZT ((Pb, La) (Zr, Ti) O ₃ Piezoelectric ceramics, such as), or electrodistorted ceramics, such as PMN (Pb (Mg, Nb) O ₃ ), have a property of deforming in proportion to an electric field. Thus, the deformable portion 230 is deformed in proportion to the electric field generated by the electric potential difference between the lower electrode 220 and the upper electrode 240 to incline the entire actuator 240 at a predetermined angle proportional to the applied electric field. . Meanwhile, the membrane 210 serves as a support for maintaining the structure of the actuator 200.

한편, 거울(300)은 반사 특성이 양호한 금속, 예를 들어, 알루미늄(Al) 등으로 형성되고, 그 일단이 액츄에이터(200)의 일단과 접착되어 있다. 따라서, 액츄에이터(200)가 구동하여 소정 각도록 경사지게 되면, 거울(300)도 액츄에이터의 경사각에 대응되게 경사지게 된다.On the other hand, the mirror 300 is formed of a metal having good reflection characteristics, for example, aluminum (Al), and one end thereof is adhered to one end of the actuator 200. Therefore, when the actuator 200 is driven and inclined to a predetermined angle, the mirror 300 is also inclined to correspond to the inclination angle of the actuator.

그러나, 종래 기술에 따른 박막형 광로 조절 장치는 도 1에 p로 도시된 포스트에 의해서 거울(300)을 액츄에이터(200)의 일단에 접착시키는 바, 포스트 부분에 단차가 있어 외부로부터 입사되는 광의 난반사가 발생되는 문제점이 있었다.However, the thin film type optical path control apparatus according to the prior art adheres the mirror 300 to one end of the actuator 200 by the post shown by p in FIG. 1, and there is a step in the post portion, so that the diffuse reflection of light incident from the outside is reflected. There was a problem that occurred.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자 안출한 것으로서, 포스트 부분의 단차를 줄일 수 있도록 평탄한 표면을 갖는 거울 지지부를 별도로 구성하고, 그 거울 지지부의 평탄한 표면에 거울을 형성하도록 구성한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and manufactures a thin film type optical path control device configured to separately configure a mirror support having a flat surface so as to reduce the step of the post portion, and to form a mirror on the flat surface of the mirror support. The purpose is to provide a method.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는, 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, M×N(M, N은 정수)개의 스위칭 소자를 구비한 구동 기판을 준비하는 단계; 상기 M×N개의 스위칭 소자 각각에 대응하는 M×N개의 액츄에이터를 형성하는 단계; 상기 액츄에이터 및 상기 구동 기판의 상부에 희생층을 형성하고, 상기 M×N개의 액츄에이터의 상부 일단을 노출하는 M×N개의 개구를 형성하는 단계; 상기 희생층의 상부 전면 및 상기 M×N개의 개구를 통해서 노출되는 상부 전면에 화학적 기상 증착법에 의해서 상기 개구가 완전히 충진되도록 거울 지지부를 형성하는 단계; 상기 거울 지지부의 상부 표면을 평탄화하는 단계; 상기 거울 지지부의 상부에 반사부를 형성하는 단계; 상기 반사부 및 거울 지지부를 M×N개로 패터닝하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a thin film type optical path control device, comprising the steps of: preparing a driving substrate having M x N (M, N is an integer) switching elements; Forming M × N actuators corresponding to each of the M × N switching elements; Forming a sacrificial layer on the actuator and the driving substrate, and forming M × N openings exposing upper ends of the M × N actuators; Forming a mirror support on the upper front surface of the sacrificial layer and the upper front surface exposed through the M × N openings so as to completely fill the openings by chemical vapor deposition; Planarizing an upper surface of the mirror support; Forming a reflector on the mirror support; It provides a method of manufacturing a thin film type optical path control device comprising the step of patterning the reflecting portion and the mirror support in M x N pieces.

도 1은 종래 기술에 따른 박막형 광로 조절 장치의 단면을 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing a cross section of a thin film type optical path control apparatus according to the prior art,

도 2는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도시한 순차 공정도.Figure 2 is a sequential process diagram showing a manufacturing method of a thin film type optical path control apparatus according to the present invention.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

100 : 구동 기판 200 : 액츄에이터100: drive substrate 200: actuator

300 : 거울 110 : 실리콘 기판300: mirror 110: silicon substrate

120 : 스위칭 소자 112 : 활성 영역120: switching element 112: active area

114 : 게이트 산화막 116 : 게이트 전극114: gate oxide film 116: gate electrode

130 : 소자 분리막 135 : 층간 절연층130: device isolation layer 135: interlayer insulating layer

140 : 확산 방지층 150 : 메탈 패드140: diffusion barrier layer 150: metal pad

160 : 하부 보호층 170 : 차단층160: lower protective layer 170: blocking layer

180 : 상부 보호층 190 : 식각 방지층180: upper protective layer 190: etch stop layer

205 : 제 1 희생층 210 : 멤브레인205: first sacrificial layer 210: membrane

220 : 하부 전극 230 : 변형층220: lower electrode 230: strained layer

240 : 상부 전극 250 : 비아 전극240: upper electrode 250: via electrode

305 : 제 2 희생층 310 : 거울 지지부305: second sacrificial layer 310: mirror support

320 : 반사부320: reflector

이하, 첨부된 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 이때, 도 2는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도시한 순차 공정도이며, 본 발명에 대한 이해를 돕기 위하여 도 1과 동일한 구성 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying Figure 2 will be described in detail with respect to the manufacturing method of the thin film type optical path control apparatus according to the present invention. At this time, Figure 2 is a sequential process diagram showing a manufacturing method of the thin film type optical path control apparatus according to the present invention, to give the same reference numerals to the same constituent members as shown in FIG.

도 2a를 참조하면, 소자 분리막(130)에 의해 M×N(M, N은 정수)개의 소자 형성 영역으로 분리된 실리콘 기판(110) 각각에 스위칭 소자(120)가 형성된 구동 기판(Active Matrix)(100)을 준비한다. 이때, 본 발명의 일실시예에 따라 상술한 구동 기판은 소자 분리막(130), 층간 절연층(135), 확산 방지층(140), 메탈 패드(150), 하부 보호층(160), 차단층(170), 상부 보호층(180) 및 식각 방지층(190) 등을 구비하며, 그 각각에 대해서는 종래 기술에 대한 설명에서 언급한 바 있으므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 2A, a driving substrate in which a switching element 120 is formed on each of the silicon substrates 110 separated by M × N (M and N are integers) element formation regions by the device isolation layer 130. Prepare 100. In this case, the above-described driving substrate according to an embodiment of the present invention is the device isolation layer 130, the interlayer insulating layer 135, the diffusion barrier layer 140, the metal pad 150, the lower protective layer 160, the blocking layer ( 170, an upper passivation layer 180, an etch stop layer 190, and the like, each of which has been mentioned in the description of the related art, and thus description thereof will be omitted.

도 2b를 참조하면, 구동 기판(100)의 상부에 저압 화학 기상 증착법(LPCVD : Low Pressure Chemical Vapor Deposition)을 사용하여 다결정 실리콘(poly-Si)을 적층하므로써, 제 1 희생층(205)을 형성한다. 이때, 본 발명의 다른 실시예에서는, 스핀 온 글래스(SOG : Spin On Glass) 또는 화학적 기계 연마법(CMP : Chemical Mechanical Polishing)을 사용하여 제 1 희생층(205)의 상부 표면을 평탄화하므로써, 후속하는 공정에서 평탄도를 높일 수도 있을 것이다.Referring to FIG. 2B, the first sacrificial layer 205 is formed by stacking poly-Si on the driving substrate 100 by using low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). do. At this time, in another embodiment of the present invention, the surface of the first sacrificial layer 205 is planarized by using spin on glass (SOG) or chemical mechanical polishing (CMP). The flatness may be increased in the process.

이후, 제 1 희생층(205)중 드레인 전극으로 동작하는 활성영역(112)의 상부에 형성된 부분을 식각하여 액츄에이터(200)의 지지부가 형성될 부분을 만든다. 이때, 제 1 희생층(205)이 식각된 부분에는 구동기판(100)의 식각 방지층(190)이 노출될 것이다.Subsequently, a portion of the first sacrificial layer 205 formed on the active region 112 serving as the drain electrode is etched to form a portion where the supporting portion of the actuator 200 is to be formed. In this case, the etch stop layer 190 of the driving substrate 100 may be exposed to the portion where the first sacrificial layer 205 is etched.

도 2c를 참조하면, 제 1 희생층(205)의 상부 및 제 1 희생층의 식각으로 노출된 식각 방지층(190)의 상부에 저압 화학 기상 증착법(LPCVD)을 사용해서 질화물을 0.1∼1.0㎛의 두께 범위로 적층해서 멤브레인(210)을 형성한다.Referring to FIG. 2C, nitrides of 0.1 to 1.0 μm may be formed by using low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) on top of the first sacrificial layer 205 and on the etch stop layer 190 exposed by etching the first sacrificial layer. The membrane 210 is formed by stacking in a thickness range.

이어서, 그 멤브레인(210)의 상부 전면에 전기 도전성이 우수한 금속, 예를 들어, 백금(Pt) 또는 백금/탄탈륨(Pt/Ta)과 같은 금속을 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 사용해서 0.1∼1.0㎛의 두께 범위로 적층하므로써, 하부 전극(220)을 형성한다.Subsequently, a metal having excellent electrical conductivity, for example, a metal such as platinum (Pt) or platinum / tantalum (Pt / Ta) is spun on the upper surface of the membrane 210 by using a method such as sputtering. The lower electrode 220 is formed by laminating in a thickness range of 1.0 μm.

이후, 스퍼터링 또는 화학적 기상 증착법을 사용해서 하부 전극(220)의 상부 전면에 PZT 또는 PLZT 등의 압전 재료를 0.1∼1.0㎛의 두께 범위로 적층한 후, 급속 열처리(RTA; Rapidly Thermal Annealing) 공정으로 그 적층된 압전 재료를 상변이 하므로써, 변형층(230)을 형성한다.Subsequently, a piezoelectric material such as PZT or PLZT is laminated on the upper front surface of the lower electrode 220 using a sputtering or chemical vapor deposition method in a thickness range of 0.1 to 1.0 μm, followed by a rapid thermal annealing (RTA) process. The strained layer 230 is formed by phase-shifting the laminated piezoelectric material.

변형층(230)이 형성되고 나면, 스퍼터링 공정을 사용해서 변형층(230)의 상부 전면에 하부 전극(220)을 형성한 물질과 동일 또는 유사한 물질, 즉, 전기 도전성이 우수한 물질을 0.1∼1.0㎛의 두께 범위로 적층하므로써, 상부 전극(240)을 형성한다.After the strained layer 230 is formed, a material which is the same as or similar to the material having the lower electrode 220 formed on the upper front surface of the strained layer 230 by using a sputtering process, that is, a material having excellent electrical conductivity is 0.1 to 1.0. The upper electrode 240 is formed by laminating in a thickness range of 占 퐉.

이후, 상술한 과정에 의해서 형성된 액츄에이터(200), 즉, 상부 전극(240), 변형층(230), 하부 전극(220), 멤브레인(210)을 패터닝하여 M×N개의 셀 단위로 형성한다. 또한, 스위칭 소자(120)의 드레인 전극으로 사용되는 활성 영역(112)과 전기적으로 접촉을 이루는 메탈 패드(150)의 수직 상방향에 대하여, 상부 전극(240), 변형층(230), 하부 전극(220), 멤브레인(210), 식각 방지층(190), 상부 보호층(180) 및 하부 보호층(160)을 순차적으로 식각하여 비아홀(via hole)을 형성한다.Subsequently, the actuator 200 formed by the above-described process, that is, the upper electrode 240, the strained layer 230, the lower electrode 220, and the membrane 210 are patterned to form M × N cells. In addition, the upper electrode 240, the strained layer 230, and the lower electrode with respect to the vertical upward direction of the metal pad 150 in electrical contact with the active region 112 used as the drain electrode of the switching element 120. The via holes 220, the membrane 210, the etch stop layer 190, the upper passivation layer 180, and the lower passivation layer 160 are sequentially etched to form via holes.

그리고, 스퍼터링 공정을 사용해서 그 비아홀의 내벽에 텅스텐(W), 백금(Pt), 알루미늄(Al) 또는 티타늄(Ti) 등의 금속을 적층하여 비아 전극(250)을 형성하므로써, 하부 전극(530)과 메탈 패드(150)가 전기적으로 접속되도록 한다.The lower electrode 530 is formed by stacking a metal such as tungsten (W), platinum (Pt), aluminum (Al) or titanium (Ti) on the inner wall of the via hole using a sputtering process to form the via electrode 250. ) And the metal pad 150 are electrically connected to each other.

2d를 참조하면, 상술한 과정에 의해서 형성된 액츄에이터(200) 및 그 액츄에이터(200)를 M×N개의 셀 단위로 패터닝하므로써 노출된 제 1 희생층(205)의 상부 전면에 저압 화학 기상 증착법을 사용하여 다결정 실리콘(poly-Si)을 적층하므로써, 제 2 희생층(305)을 형성한다. 이때, 본 발명의 다른 실시예에서는, 제 1 희생층(205)과 마찬가지로 스핀 온 글래스(SOG) 또는 화학적 기계 연마법(CMP)을 사용하여 제 2 희생층(305)의 상부 표면을 평탄화하므로써, 후속하는 공정에서 평탄도를 높일 수도 있을 것이다.Referring to 2d, a low pressure chemical vapor deposition method is used on the entire upper surface of the first sacrificial layer 205 exposed by patterning the actuator 200 formed by the above-described process and the actuator 200 in units of M × N cells. The second sacrificial layer 305 is formed by laminating polycrystalline silicon (poly-Si). At this time, in another embodiment of the present invention, by using the spin on glass (SOG) or chemical mechanical polishing (CMP) as in the first sacrificial layer 205, by planarizing the upper surface of the second sacrificial layer 305, In subsequent processes, flatness may be increased.

제 2 희생층(305)이 형성되고 나면, 통상적인 포토리쏘그래피(photolithography) 공정을 사용해서, 후속하는 공정을 통해 거울 지지부(310)의 포스트(post)를 형성할 부분을 만든다. 이때, 제 2 희생층(305)중에서 패터닝으로 노출된 부분, 즉, 거울 지지부(310)의 포스트가 형성될 부분에는 액츄에이터(200)의 상부 전극(240)이 노출될 것이다.Once the second sacrificial layer 305 is formed, a portion that will form the post of the mirror support 310 is made through a subsequent process using a conventional photolithography process. In this case, the upper electrode 240 of the actuator 200 may be exposed in the portion exposed through the patterning of the second sacrificial layer 305, that is, the portion in which the post of the mirror support 310 is to be formed.

이후, 상술한 과정에 의해 형성된 제 2 희생층(305)의 상부 전면 및 제 2 희생층(305)의 패터닝에 의해 노출된 상부 전극(240)의 상부에 화학적 기상 증착법을 사용해서 산화물 또는 질화물을 소정 두께로 증착하여 거울 지지부(310)를 형성한다. 이때, 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서, 거울 지지부(310)는 제 2 희생층(305)의 제거로 형성된 단차 부분을 충분히 매립할 때 까지 형성해야만 할 것이고, 그와 같이 단차를 충분히 매립할 수 있도록 거울 지지부(310)를 두껍게 형성하기 위해서 화학 기상 증착법을 다수 번에 걸쳐 반복 수행할 수도 있을 것이다.Thereafter, an oxide or nitride is deposited on the upper front surface of the second sacrificial layer 305 formed by the above-described process and on the upper electrode 240 exposed by the patterning of the second sacrificial layer 305 using chemical vapor deposition. The mirror support 310 is formed by depositing a predetermined thickness. At this time, in accordance with a preferred embodiment of the present invention, the mirror support 310 will have to be formed until the buried portion formed by the removal of the second sacrificial layer 305 is sufficiently filled, such a step can be filled sufficiently In order to form the mirror support 310 thickly, the chemical vapor deposition may be repeated several times.

도 2e를 참조하면, 후속하는 공정에 의해서 거울 지지부(310)의 표면에 형성될 반사면(320)의 표면이 균일하게 형성될 수 있도록 화학적 기계 연마법을 포함한 통상적인 평탄화 방법을 사용해서 거울 지지부(310)의 상부 전면을 평탄화한다.Referring to FIG. 2E, the mirror support using a conventional planarization method including chemical mechanical polishing so that the surface of the reflective surface 320 to be formed on the surface of the mirror support 310 may be uniformly formed by a subsequent process. The upper front surface of the 310 is planarized.

도 2f를 참조하면, 상술한 공정에 의해서 평탄한 표면을 갖는 거울 지지부(310)의 상부 전면에 스퍼터링법 또는 화학적 기상 증착법을 사용해서 거울 지지부(310)의 상부 전면에 반사 특성이 양호한 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al) 등을 스퍼터링 공정 등에 의해 소정 두께로 형성하므로써, 반사부(320)를 형성한다. 이때, 본 발명의 바람직한 실시예에서는, 반사부(320)의 반사 특성을 높이기 위하여 반사부(320)의 상부 전면에 유전층(도시 생략함)을 더 형성할 수도 있을 것이다.Referring to FIG. 2F, a material having good reflection characteristics on the upper front surface of the mirror support 310 by sputtering or chemical vapor deposition is applied to the upper front surface of the mirror support 310 having a flat surface by the above-described process. For example, the reflector 320 is formed by forming aluminum (Al) or the like to a predetermined thickness by a sputtering process or the like. At this time, in a preferred embodiment of the present invention, a dielectric layer (not shown) may be further formed on the entire upper surface of the reflector 320 in order to increase the reflective characteristic of the reflector 320.

반사부(320)를 형성하여 거울(300)이 완성되면, 그 거울(300)을 통상의 포토리쏘그래피 공정을 사용해서 다시 패터닝하여 제 2 희생층(305)을 노출시킨다. 이때, 거울(300)의 패터닝은 상술한 액츄에이터(200)의 패터닝과 동일한 패턴, 즉, M×N개로 형성하는 것이 될 것이다.When the mirror 300 is completed by forming the reflector 320, the mirror 300 is patterned again using a conventional photolithography process to expose the second sacrificial layer 305. At this time, the patterning of the mirror 300 is to be formed in the same pattern, that is, M × N pieces of the patterning of the actuator 200 described above.

이후, 도 2g에 도시된 바와 같이 식각법을 사용하여 제 2 희생층(305) 및 제 1 희생층(205)을 제거하므로써, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치를 완성한다.Thereafter, as shown in FIG. 2G, the second sacrificial layer 305 and the first sacrificial layer 205 are removed using an etching method to complete the thin film type optical path adjusting apparatus according to the present invention.

상술한 본 발명에 따르면, 화학적 기상 증착법에 의해서 거울 지지부를 형성하여 거울의 포스트 부위에 형성되는 단차를 제거하므로서, 포스트 부분의 거울면에서 난반사를 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention described above, by removing the step formed in the post portion of the mirror by forming the mirror support by the chemical vapor deposition method, there is an effect that can prevent the diffuse reflection on the mirror surface of the post portion.

Claims (1)

박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서,In the manufacturing method of a thin film type optical path control apparatus, M×N(M, N은 정수)개의 스위칭 소자를 구비한 구동 기판을 준비하는 단계;Preparing a driving substrate having M × N (M, N is an integer) switching elements; 상기 M×N개의 스위칭 소자 각각에 대응하는 M×N개의 액츄에이터를 형성하는 단계;Forming M × N actuators corresponding to each of the M × N switching elements; 상기 액츄에이터 및 상기 구동 기판의 상부에 희생층을 형성하고, 상기 M×N개의 액츄에이터의 상부 일단을 노출하는 M×N개의 개구를 형성하는 단계;Forming a sacrificial layer on the actuator and the driving substrate, and forming M × N openings exposing upper ends of the M × N actuators; 상기 희생층의 상부 전면 및 상기 M×N개의 개구를 통해서 노출되는 상부 전면에 화학적 기상 증착법에 의해서 상기 개구가 완전히 충진되도록 거울 지지부를 형성하는 단계;Forming a mirror support on the upper front surface of the sacrificial layer and the upper front surface exposed through the M × N openings so as to completely fill the openings by chemical vapor deposition; 상기 거울 지지부의 상부 표면을 평탄화하는 단계;Planarizing an upper surface of the mirror support; 상기 거울 지지부의 상부에 반사부를 형성하는 단계;Forming a reflector on the mirror support; 상기 반사부 및 거울 지지부를 M×N개로 패터닝하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.And patterning the reflector and the mirror support into M × N pieces.