KR19990079517A - Photoresist liquid composition for black matrix of color cathode ray tube - Google Patents

Photoresist liquid composition for black matrix of color cathode ray tube Download PDF

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KR19990079517A
KR19990079517A KR1019980012153A KR19980012153A KR19990079517A KR 19990079517 A KR19990079517 A KR 19990079517A KR 1019980012153 A KR1019980012153 A KR 1019980012153A KR 19980012153 A KR19980012153 A KR 19980012153A KR 19990079517 A KR19990079517 A KR 19990079517A
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홍병규
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구자홍
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Abstract

본 발명은 칼라음극선관의 블랙매트릭스용 포토레지스트액 조성물에 관한 것으로서, 특히 포토레지스트액의 감도를 향상시켜 노광시간의 단축 및 노광시 사용되는 초고압 수은등의 열화를 방지하여 생산성을 향상시키는 데 그 목적이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoresist liquid composition for a black matrix of a color cathode ray tube, and in particular, to improve the productivity by preventing the deterioration of an ultra-high pressure mercury lamp used during exposure by shortening the exposure time by improving the sensitivity of the photoresist liquid. There is this.

이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 블랙매트릭스 형성을 위해 패널 내면에 negative형 광가교제와, 비감광성 고분자와, 계면활성제와, 순수를 배합한 포토레지스트액을 도포함에 있어, 노광시 광원인 수은등 발광영역 중 300∼400㎚에서 그외의 발광영역보다 높은 흡광도를 가지도록 상기 광가교제는 Azide(4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt)와DAP(2,5-Bis(4'-azido-2'-sulfobenzylidene)cyclopentanone disodium salt)의 혼합물로 이루어지는 것이다.In order to achieve this object, the present invention is applied to the photoresist liquid containing a negative photocrosslinker, a non-photosensitive polymer, a surfactant, and a pure water on the inner surface of the panel to form a black matrix, light emitting mercury lamp as a light source during exposure The photocrosslinking agent has a higher absorbance at 300 to 400 nm than other light emitting regions, and thus, the photocrosslinker may be formed of Azide (4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt) and DAP (2,5-Bis (4). '-azido-2'-sulfobenzylidene) cyclopentanone disodium salt).

Description

칼라음극선관의 블랙매트릭스용 포토레지스트액 조성물Photoresist liquid composition for black matrix of color cathode ray tube

본 발명은 칼라음극선관의 형광막 형성에 관한 것으로서, 특히 포토레지스트액의 감도를 향상시켜 노광시간의 단축 및 노광시 사용되는 초고압 수은등의 열화를 방지하기 위한 형광막의 블랙매트릭스용 포토레지스트액 조성물에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the formation of a fluorescent film of a color cathode ray tube, and more particularly, to a photoresist liquid composition for a black matrix of a fluorescent film for improving the sensitivity of the photoresist solution to shorten the exposure time and to prevent deterioration of ultra-high pressure mercury lamps used during exposure. It is about.

일반적인 칼라음극선관은 도 1 에 도시된 바와 같이, 내측면에 R, G, B의 형광막(1)이 도포되어 있는 패널(2)과, 상기 패널(2)의 후단에 융착되어진 펀넬(3)과, 상기 펀넬(3)의 네크부(4)에 봉입되는 전자총(5)과, 상기 전자총(5)으로부터 방사된 전자빔(6)이 형광막(1)의 전체면을 타격시킬 수 있도록 전자빔(6)을 화면의 전영역으로 편향시키는 편향요크(7)와, 상기 전자빔(6)의 색선별 기능을 가진 섀도우마스크(8)와, 상기 섀도우마스크(8)를 패널(2)과 일정한 간격을 유지하도록 지지하는 프레임(9)과, 상기 프레임(9)에 결합되어 외부자계를 차폐하는 인너쉴드(10)로 구성하였다.As shown in FIG. 1, a general color cathode ray tube includes a panel 2 having R, G, and B fluorescent films 1 coated on its inner surface, and a funnel 3 fused to a rear end of the panel 2. ), An electron gun 5 enclosed in the neck portion 4 of the funnel 3, and an electron beam 6 emitted from the electron gun 5 to strike the entire surface of the fluorescent film 1. Deflection yoke (7) for deflecting (6) to the entire area of the screen, a shadow mask (8) having color discrimination function of the electron beam (6), and the shadow mask (8) at regular intervals from the panel (2) The inner frame 10 is coupled to the frame 9 and the inner frame 10 is coupled to the frame 9 to shield the external magnetic field.

아래에는 상기 형광막(1)을 형성하기 위한 방법을 설명하였다.Hereinafter, a method for forming the fluorescent film 1 has been described.

먼저, 도 2 의 (가)와 같이 패널(2) 내면에 포토레지스트액을 균일하게 도포하고, 섀도우마스크(8)를 끼워 청색, 녹색, 적색의 삼색 형광막(1)이 형성될 부분에 노광을 실시하게 된다.First, as shown in FIG. 2A, a photoresist solution is uniformly applied to the inner surface of the panel 2, and the shadow mask 8 is sandwiched to expose a portion of the blue, green, and red tricolor fluorescent film 1 to be formed. Will be performed.

이때, 포토레지스트막(11) 중 노광된 부분은 경화되고, 비노광부분은 경화되지 않아 순수로써 현상을 하면 삼색이 노광된 부분을 제외한 부분은 현상수압으로 인하여 제거된다.At this time, the exposed portion of the photoresist film 11 is cured, and the non-exposed portion is not cured and developed with pure water, and the portions except the exposed portions of the three colors are removed due to the developing pressure.

이후, 흑연을 포토레지스트막(11) 위에 도포하고, 건조한 다음 박리제를 사용하여 포토레지스트막(11)이 형성된 부분의 흑연과 포토레지스트막(11)을 박리시켜 패널(2) 글라스 위에 블랙매트릭스막(12)을 형성하며, 도 2 의 (나)와 같이 상기 블랙매트릭스막(12) 위에 형광체를 녹색, 청색, 적색의 순으로 도포, 노광, 현상의 공정을 거쳐 칼라음극선관의 형광막(1)을 형성하게 되는 것이다.Thereafter, graphite is applied on the photoresist film 11, dried, and the graphite and the photoresist film 11 of the portion where the photoresist film 11 is formed are peeled off using a release agent to form a black matrix film on the glass of the panel 2. (12) is formed, and the fluorescent film of the color cathode ray tube (1) is formed by applying, exposing and developing phosphors in the order of green, blue and red on the black matrix film 12 as shown in FIG. ) Will be formed.

이와 같이 구성된 상태에서 음극선관에 전원이 인가되면 전자총(5)으로부터 전자빔(6)이 방사되고, 상기 전자총(5)으로부터 방사된 전자빔(6)은 섀도우마스크(8)의 슬롯을 통과하여 색선별이 이루어진 상태에서 패널(2)면 블랙매트릭스막(12) 사이의 형광막(1)을 타격하게 되어 화상이 재현된다.When power is applied to the cathode ray tube in this state, the electron beam 6 is radiated from the electron gun 5, and the electron beam 6 emitted from the electron gun 5 passes through the slot of the shadow mask 8 to screen color. In this state, the surface of the panel 2 hits the fluorescent film 1 between the black matrix films 12 to reproduce an image.

이때, 상기 블랙매트릭스막(12)은 비발광부의 외부광 반사를 막아 음극선관의 콘트라스트를 향상시키고, 비발광부의 형광체 발광을 차단하여 퓨리티를 향상시키는 역할을 하게 된다.At this time, the black matrix film 12 prevents reflection of external light from the non-light emitting part to improve contrast of the cathode ray tube, and serves to improve purity by blocking phosphor emission of the non-light emitting part.

여기서, 상기 포토레지스트막(11)은 블랙매트릭스막(12) 형성시 흑연막이 형성될 부분과 청색, 녹색, 적색 삼색 형광막(1)이 형성될 부분을 구분하여 만들어주는 역할을 하며, 그의 조성물로는 negative형 광가교제로서 Azide(4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt)를 사용하고, 비감광성 고분자로는 PAD(Polyacryl Amide Diacetone Acrylamide)를 사용하고 있으며, 포토레지스트액 분산과 노광광에 대한 증감효과를 위하여 계면활성제가 사용되고, 용매로써 순수가 사용된다.Here, the photoresist film 11 serves to make a portion for forming a graphite film and a portion for forming a blue, green, and red tricolor fluorescent film 1 when the black matrix film 12 is formed, and a composition thereof. Azide (4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt) is used as a negative photocrosslinker, and PAD (Polyacryl Amide Diacetone Acrylamide) is used as a non-photosensitive polymer. Surfactants are used for dispersion and exposure to exposure light, and pure water is used as a solvent.

이때, 상기 포토레지스트액의 구성물 중 광가교제는 광에 의하여 비감광성 고분자와 반응, 경화되어 삼색 형광체가 도포될 부분에 도트(dot)나 스트라이프(stripe) 형태를 만들어 준다.At this time, the photocrosslinking agent in the composition of the photoresist liquid reacts with the non-photosensitive polymer by light and cures to form a dot or stripe on a portion to which the tricolor phosphor is applied.

또한, 블랙매트릭스용 노광에 사용되는 광원은 초고압 수은등을 사용하게 되는데, 이것은 도 3 에서 보는 바와 같이 335㎚, 365㎚, 405㎚에서 최대의 발광을 가진다. 즉, 위의 영역에서 최고로 높은 효율의 빛을 발산하는 것이다.In addition, the light source used for the exposure for the black matrix uses an ultra-high pressure mercury lamp, which has the maximum light emission at 335 nm, 365 nm, and 405 nm as shown in FIG. That is, it emits the light of the highest efficiency in the above area.

그러나, 이러한 종래의 블랙매트릭스용 포토레지스트액에 사용되는 광가교제는 Azide(4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt)로서, 335㎚부근에서 최대의 흡광을 가지며, 기타 영역에서는 흡광률이 현저하게 저하된다.However, the photocrosslinker used in the conventional photoresist solution for the black matrix is Azide (4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt), which has a maximum absorption at around 335 nm and other areas. In light absorption, the absorbance is significantly reduced.

이에 따라, 수은등의 발광영역중 365㎚, 405㎚에서는 흡광률이 저하되어 수은등의 효율을 최대한으로 발휘할 수 없으며, 또한 노광기의 과부하로 인하여 생산성에 불리하게 작용되는 것이다.As a result, the absorbance decreases at 365 nm and 405 nm in the light emitting area of the mercury lamp, so that the efficiency of the mercury lamp cannot be exhibited to the maximum, and the overload of the exposure machine adversely affects the productivity.

특히 고정세형, 대형 CDT일수록 노광기의 수은등의 부하가 크게 발생하므로 현재의 포토레지스트액에 사용되는 광가교제에 한계가 발생되는 문제점이 있었다.In particular, high-definition and large-size CDT has a problem in that the load of mercury lamp of the exposure machine is greatly generated, which causes a limitation in the photocrosslinker used in the current photoresist liquid.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 고안된 것으로, 포토레지스트액의 조성물중 광가교제로서 Azide(4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt)와 DAP(2,5-Bis(4'-azido-2'-sulfobenzylidene)cyclopentanone disodium salt)를 함께 사용함으로써 포토레지스트막 형성시 노광의 효율을 높이는 데 그 목적이 있다.The present invention has been devised in view of this point, and as a photocrosslinking agent in the composition of the photoresist solution, Azide (4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt) and DAP (2,5-Bis (4 ') -azido-2'-sulfobenzylidene) cyclopentanone disodium salt) is used together to increase the efficiency of exposure when forming a photoresist film.

도 1 은 일반적인 칼라음극선관의 구성도.1 is a block diagram of a general color cathode ray tube.

도 2 는 일반적인 칼라음극선관의 형광막 형성 공정도로서,2 is a process chart of forming a fluorescent film of a general color cathode ray tube;

(가)는 노광 공정.(A) An exposure process.

(나)는 형광막 도포공정.(B) is a fluorescent film coating step.

도 3 은 일반적인 노광용 광원인 수은등의 발광영역을 표시한 그래프.3 is a graph showing a light emitting area of a mercury lamp which is a general light source for exposure.

도 4 는 종래품과 본 발명에 의한 각 실시예의 노광시 발광영역에 따른 흡광도를 비교한 그래프.Figure 4 is a graph comparing the absorbance according to the light emitting area during exposure of each embodiment according to the prior art and the present invention.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

1 : 형광막 2 : 패널1: fluorescent film 2: panel

3 : 펀넬 4 : 네크부3: funnel 4: neck part

5 : 전자총 6 : 전자빔5 electron gun 6 electron beam

7 : 편향요크 8 : 섀도우마스크7: deflection yoke 8: shadow mask

9 : 프레임 10 : 인너실드9: frame 10: inner shield

11 : 포토레지스트막 12 : 블랙매트릭스막11 photoresist film 12 black matrix film

이하, 본 발명을 도 4 를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIG. 4.

본 발명은 블랙매트릭스 형성을 위해 패널 내면에 negative형 광가교제와, 비감광성 고분자와, 계면활성제와, 순수를 배합한 포토레지스트액을 도포함에 있어, 상기 광가교제로서 Azide(4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt)와 DAP(2,5-Bis(4'-azido-2'-sulfobenzylidene)cyclopentanone disodium salt)를 함께 사용하여 포토레지스트막 형성시 노광의 효율을 향상시키는 데 있다.In the present invention, a photoresist solution containing a negative photocrosslinker, a non-photosensitive polymer, a surfactant, and a pure water is applied to an inner surface of a panel to form a black matrix, and as the photocrosslinker, Azide (4,4'-Diazidostilbene) -2,2'-disulfonic acid sodium salt) and DAP (2,5-Bis (4'-azido-2'-sulfobenzylidene) cyclopentanone disodium salt) are used together to improve the efficiency of exposure when forming photoresist film. have.

여기서, 비감광성 고분자로는 PAD(Polyacryl Amide Diacetone Acrylamide)를 사용하게 된다.Here, PAD (Polyacryl Amide Diacetone Acrylamide) is used as the non-photosensitive polymer.

이는 광가교제1(Azide)이 수은등 발광영역 중 335㎚부근에서 광흡수를 하는 것과, 광가교제2(DAP)가 수은등 발광영역중 380㎚부근에서 넓게 광흡수를 하여 이 두종류의 광가교제를 함께 사용시 두 광가교제의 보강간섭으로 인하여 수은등 발광영역중 335㎚뿐만 아니라 365㎚부근의 광에 대해서도 우수한 광흡수능력을 갖도록 한 것이다.This means that the photocrosslinker 1 (Azide) absorbs light at around 335nm in the mercury lamp emitting region, and the photocrosslinker 2 (DAP) absorbs light at near 380nm in the mercury lamp emitting region. Due to the reinforcing interference of the two light cross-linking agents, it has excellent light absorption capability for light near 365 nm as well as 335 nm in the light emitting region of mercury lamp.

본 발명을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

먼저, 포토레지스트액을 구성하는 광가교제로 사용되는 광가교제1로 Azide(4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt)를 사용하고, 광가교제 2로 DAP(2,5-Bis(4'-azido-2'-sulfobenzylidene)cyclopentanone disodium salt)를 사용하며, 기타 분산 증감효과를 위하여 계면활성제를 첨가한다.First, Azide (4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt) was used as the photocrosslinker 1 used as the photocrosslinker constituting the photoresist solution, and DAP (2,5- as the photocrosslinker 2). Bis (4'-azido-2'-sulfobenzylidene) cyclopentanone disodium salt) is used, and surfactant is added for other dispersion sensitization effect.

이때, 상기 광가교제1로 사용되는 Azide의 함유량은 0.1∼1wt%인 것이 적당하며, 만일 Azide의 함유량이 0.1wt%미만인 경우는 포토레지스터의 감도가 저하되어 원하고자 하는 블랙매트릭스 홀을 얻을 수 없을 뿐만 아니라 흡광율의 개선이 어려워 지며, 1wt%가 넘으면 감도의 급격한 상승으로 인하여 막상에 막얼룩 등의 문제가 유발된다.At this time, the content of Azide used as the optical crosslinking agent 1 is suitably 0.1 to 1wt%, and if the content of Azide is less than 0.1wt%, the sensitivity of the photoresist decreases, so that the desired black matrix hole cannot be obtained. In addition, it is difficult to improve the absorbance, and if it exceeds 1wt%, problems such as film stains on the film are caused due to a sharp increase in sensitivity.

또한, 광가교제2로 사용되는 DAP의 경우는 광가교제1(Azide)에 대하여 0.5∼2배인 것이 적당하며, 만일 0.5배 미만인 경우에는 광가교제1에 혼합시 수은등 발광영역중 335㎚부근 이외의 부분에서 좋은 흡광효과를 나타내지 못하며, 2배 초과시에는 335㎚부근에서 좋은 흡광효과를 나타내지 못하게 된다.In the case of the DAP used as the photocrosslinker 2, 0.5 to 2 times of the photocrosslinker 1 (Azide) is appropriate. If less than 0.5 times, the portion other than 335 nm in the light emitting region of mercury lamp when mixed with the photocrosslinker 1 is used. It does not show good light absorption effect at, and when it exceeds 2 times, it does not show good light absorption effect at around 335 nm.

아울러, 비감광성 고분자로 사용되는 PAD(Polyacryl Amide Diacetone Acrylamide)의 함유량은 통상 0.5∼5wt%인 것이 적당하며, 이 경우 0.5wt% 미만이면 포토레지스트막 형성시 점도가 낮아져 블랙매트릭스막의 패터닝이 나쁘게 되며, 5wt%를 초과하게 되면 포토레지스트막 형성시 액의 점도가 높아져 액의 분산에 악영향을 주어 이로 인해 블랙매트릭스막의 상태에 방사형 얼룩이 발생된다.In addition, the content of PAD (Polyacryl Amide Diacetone Acrylamide), which is used as a non-photosensitive polymer, is generally 0.5 to 5 wt%, and in this case, when the content is less than 0.5 wt%, the viscosity of the photoresist film is lowered, resulting in poor patterning of the black matrix film. When the content exceeds 5wt%, the viscosity of the liquid is increased when the photoresist film is formed, which adversely affects the dispersion of the liquid, which causes radial staining in the state of the black matrix film.

또한, 비감광성 고분자에 대한 광가교제의 함유량은 10∼90%인 것이 적당하며, 이 경우 10% 미만이면 포토레지스터 용액중의 비감광성 수지 조성물과의 반응성이 저하되어 올바른 감광효과를 가져오지 못하며, 90%이상이면 블랙매트릭스막 형성시 얼룩 등이 발생하여 블랙매트릭스막 패터닝이 나쁘게 된다.In addition, the content of the photocrosslinker with respect to the non-photosensitive polymer is suitably 10 to 90%, in which case less than 10%, the reactivity with the non-photosensitive resin composition in the photoresist solution is lowered, which does not bring a correct photosensitive effect, If it is 90% or more, unevenness occurs during the formation of the black matrix film, and the black matrix film patterning becomes bad.

계면활성제의 경우는 그 함유량에 있어 1∼5wt%인 것이 적당하며, 이 경우에 있어서도 1wt% 미만이면 분산, 증감효과가 저하되어 블랙매트릭스막 형성시 블랙매트릭스 홀이 작아지고, 막얼룩이 많이 나타나게 되어 이로 인해 막의 패턴형성이 나빠지게 되며, 5wt% 이상인 경우에는 블랙매트릭스막상의 수분 및 막두께의 조절이 어려워 블랙매트릭스막 패터닝이 나쁘게 된다.In the case of the surfactant, the content is suitably 1 to 5 wt%, and in this case, if it is less than 1 wt%, the dispersion and sensitization effect is decreased, and the black matrix hole becomes smaller and the film stains appear more when the black matrix film is formed. As a result, the pattern formation of the film is deteriorated, and when it is 5 wt% or more, it is difficult to control the moisture and the film thickness on the black matrix film, and thus the black matrix film patterning becomes poor.

이하에서는 포토레지스트액을 구성함에 있어, 광가교제1과 광가교제2의 조성비에 따른 각 실시예와 단일 광가교제만을 사용한 종래품을 결과 비교하였다.Hereinafter, in constructing the photoresist liquid, the results were compared with each example according to the composition ratio of the photocrosslinker 1 and the photocrosslinker 2 and the conventional products using only a single photocrosslinker.

[실시예 1]Example 1

광가교제1(Azide)과 광가교제2(DAP)의 조성비를 1:1로 하여 포토레지스트액을 조성한 것으로, 아래의 표 1에는 각 조성물의 함량비를 나타내었고, 그 아래에는 노광시의 실험 결과를 설명하였다.The photoresist solution was prepared with the composition ratio of the photocrosslinker 1 (Azide) and the photocrosslinker 2 (DAP) as 1: 1. Table 1 below shows the content ratio of each composition, and the results of the experiment under the exposure are shown below. Explained.

성분ingredient AzideAzide DAPDAP PADPAD 계면활성제Surfactants 순수pure 함유량(wt%)Content (wt%) 0.120.12 0.120.12 1.01.0 1.131.13 그외etc

결과로는 수은등 발광영역 중 365㎚와 405㎚에서 다른 조성의 감광제 보다 우수한 흡광효율을 가진다.As a result, in the light emitting region of the mercury lamp, the light absorption efficiency is superior to that of the photosensitive agent having different compositions at 365 nm and 405 nm.

실지로 365㎚에서 현재 사용중인 DAS계 포토레지스터보다 77%, 405㎚에서는 약 10% 정도 우수한 흡광도를 나타내었다.In fact, the absorbance was about 77% better than the DAS photoresist currently in use at 365 nm and about 10% at 405 nm.

[실시예 2]Example 2

광가교제1(Azide)과 광가교제2(DAP)의 조성비를 1:2로 하여 포토레지스트액을 조성한 것으로, 아래의 표 2에는 각 조성물의 함량비를 나타내었고, 그 아래에는 노광시의 실험 결과를 설명하였다.The photoresist solution was prepared with the composition ratio of photocrosslinker 1 (Azide) and photocrosslinker 2 (DAP) as 1: 2. Table 2 below shows the content ratio of each composition, and the results of the experiment at the time of exposure below. Explained.

성분ingredient AzideAzide DAPDAP PADPAD 계면활성제Surfactants 순수pure 함유량(wt%)Content (wt%) 0.120.12 0.240.24 1.01.0 1.131.13 그외etc

결과로는 수은등 발광영역 중 365㎚에서 현재 사용중인 DAS계 포토레지스터보다 37%, 405㎚에서는 약 8% 정도 우수한 흡광도를 나타내었다.As a result, the absorbance was 37% better than the DAS photoresist currently in use at 365nm and about 8% at 405nm.

[실시예 3]Example 3

광가교제1(Azide)과 광가교제2(DAP)의 조성비를 2:1로 하여 포토레지스트액을 조성한 것으로, 아래의 표 3에는 각 조성물의 함량비를 나타내었고, 그 아래에는 노광시의 실험 결과를 설명하였다.The photoresist solution was prepared with the composition ratio of photocrosslinker 1 (Azide) and photocrosslinker 2 (DAP) as 2: 1. Table 3 below shows the content ratios of the respective compositions, and the results of the exposure under the exposure are shown below. Explained.

성분ingredient AzideAzide DAPDAP PADPAD 계면활성제Surfactants 순수pure 함유량(wt%)Content (wt%) 0.240.24 0.120.12 1.01.0 1.131.13 그외etc

결과로는 수은등 발광영역 중 365㎚에서 현재 사용중인 DAS계 포토레지스터보다 25%, 405㎚에서는 약 5% 정도 우수한 흡광도를 나타내었다.As a result, the absorbance showed 25% better than the DAS photoresist currently in use at 365nm and about 5% at 405nm.

[비교예][Comparative Example]

단일 광가교제(Azide)만을 첨가하여 포토레지스트액을 조성한 종래품으로, 아래의 표 4 에는 각 조성물의 함량비를 나타내었고, 그 아래에는 노광시의 실험 결과를 설명하였다.A conventional photoresist solution was prepared by adding only a single photocrosslinker (Azide). Table 4 below shows the content ratios of the respective compositions, and the experimental results during exposure were described below.

성분ingredient AzideAzide PADPAD 계면활성제Surfactants 순수pure 함유량(wt%)Content (wt%) 0.130.13 1.01.0 1.131.13 그외etc

결과로는 수은등 발광영역 중 335㎚에서는 다른 조성보다는 우수한 흡광도를 가지나 그외 365㎚, 405㎚의 부분에서는 발광 능력이 급격히 저하됨을 보여준다.The results show that the absorbance at 335 nm in the mercury lamp light emitting area has better absorbance than other compositions, but the light emission ability is rapidly reduced in the other parts of 365 nm and 405 nm.

이를 토대로 하여 아래의 표 5 및 도 4 에는 각 실시예와 종래품의 노광시 실험 결과를 상세히 비교하였다.On the basis of this, in Table 5 and FIG. 4 below, the experimental results during exposure of each example and the conventional product were compared in detail.

각 감광제별 수은등 발광영역에 따른 흡광도 변화Changes in Absorbance According to Mercury Lamp Emission Areas 발광영역(㎚)Emission area (nm) AzideAzide Azide + DAPAzide + DAP 1:11: 1 1:21: 2 2:12: 1 335335 0.32930.3293 0.20270.2027 0.22740.2274 0.26070.2607 365365 0.13200.1320 0.23400.2340 0.18140.1814 0.16520.1652 405405 00 0.09870.0987 0.08390.0839 0.05330.0533

또한, 아래의 표 6, 7에서는 본 발명에 의한 각 감광제의 각각의 노광시간 및 수은등 수명을 종래품과 비교하였다.In Tables 6 and 7, below, the exposure time and the mercury lamp life of each photosensitive agent according to the present invention were compared with the conventional products.

각 감광제별 노광 시간Exposure time for each photosensitive agent 감광제 종류Photosensitizer type AzideAzide Azide + DAPAzide + DAP 1:11: 1 1:21: 2 2:12: 1 노광시간(초)Exposure time (seconds) 1717 1414 1515 15.515.5

*동일한 BM폭(중앙 110㎛)을 갖는다고 가정* Assumed to have the same BM width (center 110 μm)

각 감광제별 수은등 수명(동일한 BM폭을 가질 때)Mercury lamp life for each photoresist (when it has the same BM width) 감광제 종류Photosensitizer type AzideAzide Azide + DAPAzide + DAP 1:11: 1 1:21: 2 2:12: 1 수은등 수명(시간)Mercury lamp life (hours) 168168 360360 250250 200200

*동일한 BM폭(중앙 110㎛)을 갖는다고 가정* Assumed to have the same BM width (center 110 μm)

위의 표 6 및 표 7에 나타난 바와 같이, 본 발명에 의하여 종래품 대비 12∼18%의 노광시간 단축이 가능하고, 수은등의 수명도 19∼114% 정도 연장됨을 알 수 있다.As shown in Table 6 and Table 7, it can be seen that the present invention can reduce the exposure time of 12 to 18% compared to the conventional products, and the life of the mercury lamp is also extended by about 19 to 114%.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 포토레지스터의 감도가 향상되어 노광시간이 단축되고, 수은등의 수명이 연장되며, 이를 통해 생산성이 향상되는 효과가 있다.As described above, the present invention has the effect of improving the sensitivity of the photoresist to shorten the exposure time, extend the life of the mercury lamp, thereby improving productivity.

Claims (3)

블랙매트릭스 형성을 위해 패널 내면에 negative형 광가교제와, 비감광성 고분자와, 계면활성제와, 순수를 배합한 포토레지스트액을 도포함에 있어,In applying a photoresist solution containing a negative photocrosslinker, a non-photosensitive polymer, a surfactant, and pure water to the inner surface of a panel to form a black matrix, 노광시 광원인 수은등 발광영역 중 300∼400㎚에서 그외의 발광영역보다 높은 흡광도를 갖도록 상기 광가교제는 Azide(4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt)와 DAP(2,5-Bis(4'-azido-2'-sulfobenzylidene)cyclopentanone disodium salt)의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 칼라음극선관의 블랙매트릭스용 포토레지스트액 조성물.The photocrosslinking agent has a higher absorbance at 300 to 400 nm among the light emitting regions of the mercury lamp, which is a light source during exposure, than Azide (4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt) and DAP (2, A black resist photoresist composition for a black matrix of a color cathode ray tube, comprising a mixture of 5-Bis (4'-azido-2'-sulfobenzylidene) cyclopentanone disodium salt). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 Azide(4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt)와 DAP(2,5-Bis(4'-azido-2'-sulfobenzylidene)cyclopentanone disodium salt)의 분말 중량비는 DAP가 Azide의 0.5∼2.0배인 것을 특징으로 하는 칼라음극선관의 블랙매트릭스용 포토레지스트액 조성물.The weight ratio of Azide (4,4'-Diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid sodium salt) and DAP (2,5-Bis (4'-azido-2'-sulfobenzylidene) cyclopentanone disodium salt) is DAP is Azide It is 0.5-2.0 times of the photoresist liquid composition for black matrices of a color cathode ray tube. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광가교제의 함유량은 비감광성 고분자에 대하여 10∼90%인 것을 특징으로 하는 칼라음극선관의 블랙매트릭스용 포토레지스트액 조성물.Content of the said photocrosslinking agent is 10 to 90% with respect to a non-photosensitive polymer, The photoresist liquid composition for black matrices of a color cathode ray tube.
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