KR19990070112A - Diffusion Device for Semiconductor Device Manufacturing - Google Patents
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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- H01R4/48—Clamped connections, spring connections utilising a spring, clip, or other resilient member
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- H01R4/48185—Clamped connections, spring connections utilising a spring, clip, or other resilient member using a leaf spring to bias the conductor toward the busbar adapted for axial insertion of a wire end
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Abstract
본 발명은 외관과 내관으로 이루어지는 석영튜브의 내관을 개선시킨 반도체소자 제조용 확산장치에 관한 것이다.The present invention relates to a diffusion device for manufacturing a semiconductor device having an improved inner tube of a quartz tube composed of an outer tube and an inner tube.
본 발명은, 외관과 상기 외관에 삽입될 수 있는 내관으로 이루어지는 석영튜브가 수평확산로 내에 구비되는 반도체소자 제조용 확산장치에 있어서, 상기 외관에 삽입되는 내관의 일측에 소정의 직경으로 형성시킨 링이 소정의 간격마다로 구비되어 이루어짐을 특징으로 한다.The present invention provides a diffusion device for manufacturing a semiconductor device, wherein a quartz tube including an outer tube and an inner tube that can be inserted into the outer tube is provided in a horizontal diffusion path, wherein a ring having a predetermined diameter is formed on one side of the inner tube inserted into the outer tube. Characterized in that provided at every predetermined interval.
따라서, 석영튜브의 내관으로 인한 불량의 방지 및 공정수행의 소요시간을 단축시킴으로써 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.Therefore, the productivity of the semiconductor device is improved by preventing the defects caused by the inner tube of the quartz tube and shortening the time required for the process.
Description
본 발명은 반도체소자 제조용 확산장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 외관(Outer Tube)과 내관(Inner Tube)으로 이루어지는 석영튜브(Quartz Tube)의 내관을 개선시킨 반도체소자 제조용 확산장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diffusion device for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a diffusion device for manufacturing a semiconductor device having an improved inner tube of a quartz tube including an outer tube and an inner tube.
일반적으로 반도체소자의 제조에서는 상기 반도체소자의 특성에 따른 전기적특성을 부여하기 위하여 상기 반도체소자로 제조할 수 있는 웨이퍼(Wafer) 내에 불순물을 주입시키는 공정을 수행한다.In general, in the manufacture of a semiconductor device, in order to impart electrical characteristics according to the characteristics of the semiconductor device, impurities are implanted into a wafer that can be manufactured by the semiconductor device.
이러한 웨이퍼 내에 불순물을 주입시키는 공정은 크게 이온주입공정 및 확산공정으로 대별할 수 있다.The process of injecting impurities into the wafer can be roughly classified into an ion implantation process and a diffusion process.
여기서 상기 확산공정은 주로 확산로가 구비되는 확산장치를 이용하여 공정을 수행한다.Here, the diffusion process is mainly performed using a diffusion device having a diffusion path.
그리고 상기 확산로는 수평확산로 또는 수직확산로가 구비될 수 있고, 상기 확산로 내에는 상기 확산에 이용되는 가스(Gas) 등이 반응하는 석영튜브가 구비된다.The diffusion path may be provided with a horizontal diffusion path or a vertical diffusion path, and a quartz tube in which the gas (Gas) used for the diffusion is reacted is provided in the diffusion path.
이러한 석영튜브는 도1에 도시된 바와 같이 확산로(10) 내에 외관(12) 및 상기 외관(12)에 삽입되는 내관(14)으로 구비된다.Such a quartz tube is provided with an inner tube 12 inserted into the outer tube 12 and the outer tube 12 in the diffusion path 10 as shown in FIG.
여기서 상기 내관(14)은 가스의 반응이 직접적으로 이루어지는 부분이기 때문에 일정시간 사용 후에는 교체를 해야하는 소모품이다.Here, the inner tube 14 is a consumable that needs to be replaced after a certain time because the reaction of the gas occurs directly.
그리고 상기 내관(14)에는 상기 외관(12)에 삽입되어 유동하는 것을 방지하기 위하여 링(Ring)(16)이 상기 내관(14)의 양측부를 기준으로 약 500mm 정도 이격된 거리에 구비된다.And the inner tube 14 is provided with a ring (Ring) 16 at a distance of about 500mm apart from both sides of the inner tube 14 in order to prevent the flow is inserted into the outer tube (12).
그러나 도1에 도시된 바와 같이 상기 링(16)은 상기 내관(14)의 일측으로부터 이격된 거리에 위치하기 때문에 상기 내관(14)의 교체시 상기 내관(14)이 기울어질 경우 상기 내관(14)의 단부가 상기 외관(12)의 바닥에 닿아 상기 외관(12)의 바닥에 쌓여있는 파티클(Particle) 등이 상기 내관(14)으로 유입된다.However, as shown in FIG. 1, since the ring 16 is located at a distance from one side of the inner tube 14, the inner tube 14 when the inner tube 14 is inclined when the inner tube 14 is replaced. Particles and the like accumulated on the bottom of the outer surface 12 is introduced into the inner tube 14 when the end of the) touches the bottom of the outer surface (12).
따라서 상기 내관(14)으로 유입되는 파티클 등으로 인하여 상기 내관(14)이 구비된 확산장치를 이용한 확산공정의 수행시 불량을 발생시키는 원인으로 작용한다.Therefore, due to particles introduced into the inner tube 14, the inner tube 14 acts as a cause of a failure in performing the diffusion process using the diffusion device provided with the inner tube (14).
이러한 내관(14)에 파티클 등이 유입되는 상황 등을 방지하기 위하여 종래에는 상기 내관(14)의 교체시 작업자가 별도의 주의를 기울여서 공정을 수행하여야 하기 때문에 공정수행의 소요시간이 연장되기도 하였다.In order to prevent such a situation in which particles are introduced into the inner tube 14, in the related art, when the replacement of the inner tube 14 has to be carried out by the operator paying extra attention, the time required for performing the process may be extended.
따라서 종래에는 확산로에 구비되는 내관으로 인한 불량의 발생 및 공정수행의 소요시간의 연장으로 인하여 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.Therefore, in the related art, there is a problem in that productivity decreases due to the manufacture of a semiconductor device due to the occurrence of a defect due to an inner tube provided in a diffusion path and an extension of a time required for performing a process.
본 발명의 목적은, 확산로에 구비되는 내관의 교체를 용이하게 수행함으로써 이로 인한 불량의 방지 및 공정수행의 소요시간을 단축시켜 반도체소자의 제조에 따른 생산성을 향상시키기 위한 반도체소자 제조용 확산장치를 제공하는 데 있다.Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide a diffusion device for manufacturing a semiconductor device for improving productivity according to the manufacture of a semiconductor device by easily performing replacement of the inner tube provided in the diffusion path, thereby preventing defects and shortening the time required for performing the process. To provide.
도1은 종래의 반도체소자 제조용 확산장치에 구비되는 석영튜브를 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a quartz tube provided in a conventional diffusion device for manufacturing semiconductor devices.
도2는 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 확산장치에 구비되는 석영튜브의 일 실시예를 나타내는 모식도이다.Figure 2 is a schematic diagram showing an embodiment of a quartz tube provided in the diffusion device for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
도3은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 확산장치에 구비되는 석영튜브의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing an embodiment of a quartz tube provided in a diffusion device for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
10, 20 : 확산로 12, 22 : 외관10, 20: diffusion furnace 12, 22: appearance
14, 24 : 내관 16, 26, 28 : 링14, 24: inner tube 16, 26, 28: ring
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 확산장치는, 외관과 상기 외관에 삽입될 수 있는 내관으로 이루어지는 석영튜브가 수평확산로 내에 구비되는 반도체소자 제조용 확산장치에 있어서, 상기 외관에 삽입되는 내관의 일측에 소정의 직경으로 형성시킨 링이 소정의 간격마다로 구비되어 이루어짐을 특징으로 한다.Diffusion apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object, in the diffusion device for manufacturing a semiconductor device having a quartz tube consisting of the outer tube and the inner tube that can be inserted into the exterior in the horizontal diffusion path, inserted into the exterior A ring formed at a predetermined diameter on one side of the inner tube is provided at every predetermined interval.
상기 링은 8mm 내지 10mm 정도의 직경으로 형성하여, 상기 내관을 기준으로 45。 정도의 간격마다로 형성시키는 것이 바람직하다.The ring is formed to a diameter of about 8mm to 10mm, it is preferable to form at intervals of about 45 ° based on the inner tube.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 본 발명을 도2를 참조하여 살펴보면 확산로(20) 내에 외관(22) 및 내관(24)으로 구비되는 석영튜브가 구비되어 있다.First, referring to FIG. 2, the present invention is provided with a quartz tube provided as an exterior 22 and an inner tube 24 in a diffusion path 20.
그리고 상기 외관(22)에 삽입되는 내관(24)에는 그 유동 등을 방지하기 위하여 링(26)이 구비된다.In addition, the inner tube 24 inserted into the exterior 22 is provided with a ring 26 to prevent the flow thereof.
여기서 상기 링(26)은 종래와 같이 상기 내관의 양측부를 기준으로 약 500mm 정도 이격된 거리에 위치한다.Here, the ring 26 is positioned at a distance of about 500 mm from the both sides of the inner tube as in the prior art.
이러한 링(26)은 그 직경을 약 10mm 정도로 형성시킬 수 있다.Such a ring 26 may have a diameter of about 10 mm.
그리고 본 발명은 상기 내관(24)을 교체하기 위한 삽입시 상기 내관(24)이 외관(22)의 바닥에 닿는 것을 방지하기 위하여 상기 외관(22)에 삽입되는 내관(24)의 일측에 소정의 직경으로 형성시킨 링(28)을 구비시킨다.And the present invention is predetermined on one side of the inner tube 24 is inserted into the outer tube 22 to prevent the inner tube 24 from touching the bottom of the outer tube 22 when the insertion for replacing the inner tube 24. A ring 28 formed in diameter is provided.
여기서 상기 링(28)은 상기 도3에 도시된 바와 같이 상기 내관(24)을 기준으로 45° 정도의 간격으로 8개를 구비시킬 수 있고, 그 직경은 약 9mm 정도로 형성시킬 수 있다.Here, as shown in FIG. 3, eight rings 28 may be provided at intervals of about 45 ° with respect to the inner tube 24, and the diameter of the ring 28 may be about 9 mm.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은 상기 내관의 일측에 링(28)을 구비시킴으로써 상기 내관(24)의 삽입시 상기 내관(24)이 외관(22)의 바닥에 닿는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention having such a configuration, the inner tube 24 may be prevented from touching the bottom of the outer tube 22 when the inner tube 24 is inserted by providing a ring 28 on one side of the inner tube.
이에 따라 상기 내관(24)이 외관(22)의 바닥에 닿아 상기 내관(24)으로 파티클 등이 유입되는 것을 방지할 수 있고, 또한 상기 내관(24)의 삽입을 용이하게 수행할 수 있다.Accordingly, the inner tube 24 may prevent the particles from being introduced into the inner tube 24 by touching the bottom of the outer tube 22, and the insertion of the inner tube 24 may be easily performed.
즉, 상기 내관(24)의 삽입을 작업자가 용이하게 수행할 수 있어 공정수행의 소요시간을 단축시킬 수 있다.That is, the operator can easily perform the insertion of the inner tube 24 can shorten the time required to perform the process.
따라서, 본 발명에 의하면 석영튜브의 내관으로 인한 불량의 방지 및 공정수행의 소요시간을 단축시킴으로써 반도체소자의 제조에 따른 생산성이 향상되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the productivity of the semiconductor device is improved by preventing the defect due to the inner tube of the quartz tube and shortening the time required for the process.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980004774A KR19990070112A (en) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | Diffusion Device for Semiconductor Device Manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980004774A KR19990070112A (en) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | Diffusion Device for Semiconductor Device Manufacturing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990070112A true KR19990070112A (en) | 1999-09-15 |
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ID=65893615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980004774A KR19990070112A (en) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | Diffusion Device for Semiconductor Device Manufacturing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990070112A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010151786A3 (en) * | 2009-06-25 | 2011-04-21 | Eestor, Inc. | Fused quartz horizontal furnace and assembly |
-
1998
- 1998-02-17 KR KR1019980004774A patent/KR19990070112A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010151786A3 (en) * | 2009-06-25 | 2011-04-21 | Eestor, Inc. | Fused quartz horizontal furnace and assembly |
| US8496893B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-07-30 | Eestor, Inc. | Method of forming a dielectric powder using a precipitated precursor powder |
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