KR19990052861A - How to Form High Corrosion Resistance Aluminum Film on Small Sintered Parts - Google Patents

How to Form High Corrosion Resistance Aluminum Film on Small Sintered Parts Download PDF

Info

Publication number
KR19990052861A
KR19990052861A KR1019970072392A KR19970072392A KR19990052861A KR 19990052861 A KR19990052861 A KR 19990052861A KR 1019970072392 A KR1019970072392 A KR 1019970072392A KR 19970072392 A KR19970072392 A KR 19970072392A KR 19990052861 A KR19990052861 A KR 19990052861A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
aluminum film
film
coating
highly corrosion
Prior art date
Application number
KR1019970072392A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100314727B1 (en
Inventor
정재인
박형국
문종호
Original Assignee
신현준
재단법인 포항산업과학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신현준, 재단법인 포항산업과학연구원 filed Critical 신현준
Priority to KR1019970072392A priority Critical patent/KR100314727B1/en
Publication of KR19990052861A publication Critical patent/KR19990052861A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100314727B1 publication Critical patent/KR100314727B1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • C23C14/588—Removal of material by mechanical treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본발명은 내식성을 향상시키 위해 각종 소형의 소결부품에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 관한 것으로,소결품에 알미늄 피막처리를 함에 있어서,피막처리전에 적절한 조건으로 소결품을 전처리하고,또한,피막처리후에 적절한 후처리를 행하므로서, 밀착성 및 내식성이 우수할 뿐만 아니라 부품의 전면에 고르게 코팅되는 피막을 보다 경제적으로 형성할 수 있는 알미늄 피막 형성방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.The present invention relates to a method of forming an aluminum coating on various small sintered parts in order to improve corrosion resistance. In the aluminum coating treatment of sintered products, the sintered product is pretreated under appropriate conditions before the coating treatment. It is an object of the present invention to provide a method for forming an aluminum film that can be formed more economically, as well as having excellent adhesion and corrosion resistance, by performing proper post-treatment later.

본 발명은 이온플레이팅에 의해 소형 기계 부품이나 자석 등의 소재에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 있어서.The present invention is a method of forming an aluminum film on a material such as a small mechanical part or a magnet by ion plating.

상기 진공조내에 소재를 장입하기전에 소재를 샌드브라스팅처리하는 단계;Sandblasting the material before charging the material into the vacuum chamber;

상기와 같이 전처리된 소재를 진공조내에 장입하여 진공을 유지시킨 후 불활성 개스 분위기에서 개스방전에 의해 소재를 청정시키는 단계;Charging the pretreated material into a vacuum chamber to maintain a vacuum and then cleaning the material by gas discharge in an inert gas atmosphere;

상기와 같이 소재를 청정시킨 후, 10-4토르 이하의 고진공에서 이루어지는 이온플레이팅에 의해 소재의 표면에 피막을 형성하는 단계;및After cleaning the material as described above, forming a film on the surface of the material by ion plating made in a high vacuum of 10 -4 Torr or less; And

상기와 같이 피막을 형성한 후, 피막의 거칠음을 제거하고 금속성의 광택을 얻기 위한 연마를 실시하는 단계를 포함하여 구성되는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법을 그 요지로한다.After forming a film as described above, a method of forming a highly corrosion-resistant aluminum film on a compact sintered part comprising the step of removing the roughness of the film and performing polishing to obtain metallic luster.

Description

소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법How to Form High Corrosion Resistance Aluminum Film on Small Sintered Parts

본발명은 내식성을 향상시키 위해 각종 소형의 소결부품에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 각종 전기 모터는 물론 미터계, 셔터등과 같은 센서류, 스피커, 기록매체 등에 널리 사용되는 영구자석중 소결품인 니오듐 영구자석에 내식성 향상을 위해 알미늄 피막을 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming an aluminum coating on various small sintered parts to improve the corrosion resistance, and more particularly, permanently used in various electric motors, sensors such as metric systems, shutters, speakers, recording media, etc. The present invention relates to a method of forming an aluminum film for improving corrosion resistance in a permanent magnet of sintered nidium magnet.

물질 자체가 자력 가지고 있어서 주위에 자장을 발생시키는 소위 영구자석은 우리 주변에서 다양하게 이용되고 있다. 각종 전기 모터는 물론 미터계, 셔터등과 같은 센서류, 스피커, 기록매체등 그 응용은 이루 헤아리기가 어려울 정도이며 그들의 대부분은 우리의 실생활과도 매우 밀접한 관계가 있다. 영구자석에는 페라이트 자석, 알니코자석(알미늄, 니켈, 코발트의 합금), 사마륨자석(사마륨, 코발트의 합금), 그리고 니오듐자석(니오듐, 철, 보론의 합금)등이 있다. 니오듐 자석의 특징은 잔류 자속밀도와 보자력이 페라이트 등에 비해 두세배가 높고 최대에너지적이 다른 자석에 비해 다섯배 이상 많게는 열배까지 높다는 것이다. 그러나 니오듐 자석의 이러한 장점에도 불구하고 몇가지 치명적인 단점이 있는데 그중의 하나가 대기중에서 부식이 매우 쉽게 일어난다는 것이다. 이는 니오듐자석이 희토류원소인 니오듐과 철로 이루어진 화합물이기 때문에 쉽게 이해할 수 있다.So-called permanent magnets, which have a magnetic force of their own and generate a magnetic field around them, are used in various ways around us. As well as various electric motors, such as sensors, speakers, recording media, such as meters, shutters, etc., its application is difficult to count, and most of them are closely related to our real life. Permanent magnets include ferrite magnets, alnico magnets (alloys of aluminum, nickel and cobalt), samarium magnets (alloys of samarium and cobalt), and nidium magnets (alloys of nidium, iron and boron). The characteristics of the neodymium magnets are that the residual magnetic flux density and coercive force are two to three times higher than ferrites, and the maximum energy is more than five times higher and ten times higher than other magnets. However, despite these advantages of nidium magnets, there are some fatal drawbacks, one of which is that corrosion occurs very easily in the atmosphere. This can be easily understood because the niobium magnet is a compound composed of rare earth element nidium and iron.

또 다른 하나의 단점은 이 자석이 분말을 소결하여 만들어지는 소결품이므로 충격에 약하고 따라서 베럴에 의한 피막제조시 작은 알갱이들이 떨어져 나와 결국은 피막 특성을 저하시키는 요인이 된다는 것이다.Another drawback is that this magnet is a sintered product made by sintering powder, so it is weak to impact, and thus small grains come off during film production by the barrel, which in turn causes deterioration of film properties.

니오듐 자석의 부식을 방지하기 위한 표면처리 방법에는 니켈전기도금, 전착도장, 에폭시 코팅, 알미늄 코팅 등 크게 네가지로 분류할 수 있다. 이들 중 가장 많이 이용되고 있는 방법이 니켈전기도금이며 이 외에는 대부분 특수한 용도에 맞추어 사용되고 있다. 따라서, 대부분의 자석 제조회사에서 니켈전기도금을 사용하고 있다. 그러나 니켈 도금한 제품의 경우 고속회전 또는 보다 우수한 특성이 요구되고 있는 제품에서는 그 한계를 드러내고 있어 이를 해결하기위한 수단으로 알미늄 코팅이 점차 그 영역을 확대해 가고 있다.Surface treatment methods for preventing the corrosion of nidium magnets can be classified into four categories: nickel electroplating, electrodeposition coating, epoxy coating, aluminum coating. The most widely used method is nickel electroplating, and most of them are used for special purposes. Therefore, most magnet manufacturers use nickel electroplating. However, in the case of nickel plated products, the products that require high speed rotation or better characteristics are showing their limitations, and the aluminum coating is gradually expanding its range as a means to solve this problem.

알미늄은 색상이 미려하고 내식성이 우수하여 화장품 케이스나 악세사리 등의 장식용 피막은 물론 반도체의 도전막, 자성재료나 강판의 보호피막 등에 매우 폭넓게 이용되고 있다. 또한 알미늄은 이 금속이 갖는 제 특성(밀도가 낮고, 가공성, 내식성 및 열전도성이 우수)으로 인하여 산업상 응용분야가 매우 다양하다. 최근 우주개발이나 항공산업이 크게 발달하면서 각종 소재에 알미늄을 피막처리함으로서 내식성 및 기계적 성질을 우수하게 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 예로서 맥도넬 더글라스사에서는 비행기에 사용되는 각종 부품에 알루미늄을 코팅하여 내부식 및 내마모 재료로 사용하고 있다. 한편, 독일에서는 강판상에 알미늄을 진공증착하여 용기용 및 가전제품에 사용하고 있는등, 그 응용은 헤아릴수 없다. 이 때문에 일찍부터 알미늄을 코팅하여 사용하는 제품이 나타났으며, 니오듐자석에는 1983년부터 사용되어 왔다.Aluminum is beautiful in color and excellent in corrosion resistance, and is widely used for decorative coatings such as cosmetic cases and accessories, as well as conductive films for semiconductors, protective films for magnetic materials and steel sheets. In addition, aluminum has a wide variety of industrial applications due to its metal properties (low density, excellent workability, corrosion resistance and thermal conductivity). Recently, as the space development and aviation industry is greatly developed, researches to improve the corrosion resistance and mechanical properties by coating aluminum on various materials have been actively conducted. McDonnell Douglas, for example, uses aluminum as a coating for various parts used in airplanes as a corrosion and wear resistant material. On the other hand, in Germany, aluminum is vacuum-deposited on steel sheets and used in containers and home appliances. For this reason, products coated with aluminum appeared early, and have been used since 1983 for nidium magnets.

알미늄은 전기도금으로 코팅할 경우 그 효율이 낮아 생산성이 떨어지기 때문에 대부분 물리증착을 이용하고 있다. 물리증착에는 크게 진공증착, 스퍼터링 그리고 이온플레이팅이 있으며 내식성 향상을 위한 목적의 경우는 일반적으로 이온플레이팅 방법을 이용하고 있다. 특히, 맥도넬 더글라스사나 스미토모 특수금속에서는 소위 AC 코팅으로 알려진 알미늄 코팅 제품을 생산, 판매하고 있다.Aluminum is most commonly used for physical vapor deposition because its efficiency is low when coating with electroplating. Physical vapor deposition includes vacuum deposition, sputtering and ion plating. In order to improve corrosion resistance, ion plating is generally used. In particular, McDonnell Douglas and Sumitomo Special Metals manufacture and sell aluminum coating products known as AC coatings.

알미늄 피막은 대체로 피막층에 많은 구멍을 포함하고 있을 뿐만 아니라 기판과의 밀착성이 열악한 단점도 가지고 있는바, 이를 해결하기 위해서 진공증착의 경우는 기판을 고온으로 가열하여야 하며 이온플레이팅에서는 기판에 인가되는 전압을 증가시키거나 이온화율을 증대시키기 위해 더 많은 양의 방전 개스를 도입할 필요가 있게 된다. 그러나 기판을 고온으로 가열할 경우는 기판에 손상을 줄뿐만 아니라 기판이 고온이 될 수록 부착량이 감소하여 경제성이 저하되며, 기판에 고전압을 인가하는 방법 또한 기판에 손상을 주게 된다. 방전개스 도입량을 증대하여 이온화율을 높이려 하면 방전개스가 피막에 혼입되어 피막을 손상시키게 되며 방전개스와 증발되는 알미늄 사이에 산란이 일어나 역시 부착량의 감소를 초래하게 된다. 이들 문제점을 해결하기 위해서 여러 가지 방법의 진공증착, 스퍼터링, 이온플레이팅 장치나 방법(일본국특허 59028569, 일본국특허 61059861, 영국특허 2141442 Al, 일본국특허 57095749, 영국특허 2162205, 일본국 특허 7942676)이 개발되었으며, 이들은 주로 피막의 균일성 및 피막과 기판간의 밀착성, 발생된 플라즈마의 안정성, 증발원의 재질 및 구조, 높은 이온화율 등을 그 내용으로 한다.Aluminum film generally contains many holes in the film layer and also has a disadvantage of poor adhesion to the substrate. To solve this problem, in order to solve the vacuum coating, the substrate must be heated to a high temperature. It is necessary to introduce a larger amount of discharge gas to increase the voltage or increase the ionization rate. However, when the substrate is heated to a high temperature, not only the substrate is damaged but also the adhesion amount decreases as the substrate becomes a high temperature, thereby reducing economic efficiency, and a method of applying a high voltage to the substrate also damages the substrate. Increasing the amount of discharge gas introduced to increase the ionization rate causes the discharge gas to enter the film and damage the film. In addition, scattering occurs between the discharge gas and the evaporated aluminum, which also causes a decrease in adhesion amount. In order to solve these problems, various methods of vacuum deposition, sputtering, ion plating apparatus or method (Japanese Patent 59028569, Japanese Patent 61059861, British Patent 2141442 Al, Japanese Patent 57095749, British Patent 2162205, Japanese Patent 7942676 ), Which mainly include uniformity of film and adhesion between film and substrate, stability of generated plasma, material and structure of evaporation source, and high ionization rate.

본발명자도 위와같은 문제점을 해결하고자 "밀착성 및 표면특성이 우수한 피막형성방법(대한민국특허9671544)"을 제안한바 있는데, 이 방법은 소형기계부품이나 자석 등의 소재에 금속 또는 화합물 피막을 형성하는 방법에 있어서 10-4토르 이하의 고진공에서 이온플레이팅 방법으로 플라즈마를 발생시켜 소재의 전면에 피막을 형성하는 방법이다.In order to solve the above problems, the present inventor has proposed a film forming method having excellent adhesion and surface properties (Korea Patent 9671544), which is a method of forming a metal or compound film on a material such as a small machine part or a magnet. In the high vacuum of less than 10 -4 Torr, plasma is generated by ion plating to form a film on the entire surface of the material.

그러나, 상기 피막형성방법은 코팅 공정에 주안점을 둔 것으로 자석과 같은 소결품의 내식성을 보다 향상시키기 위해서는 보다 진보된 새로운 방법을 요구하기에 이르렀다.However, the film forming method focuses on the coating process, and thus requires a new and more advanced method to further improve the corrosion resistance of sintered articles such as magnets.

이에, 본 발명자들은 내식성이 취약한 소결자석과 같은 제품에 상업적인 사용이 가능하도록 연구 및 실험을 거듭하고, 그 결과에 근거하여 본 발명을 완성하게된 것으로서, 본 발명은 소결품에 알미늄 피막처리를 함에 있어서,피막처리전에 적절한 조건으로 소결품을 전처리하고,또한,피막처리후에 적절한 후처리를 행하므로서, 밀착성 및 내식성이 우수할 뿐만 아니라 부품의 전면에 고르게 코팅되는 피막을 보다 경제적으로 형성할 수 있는 알미늄 피막 형성방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.Accordingly, the present inventors have repeatedly conducted research and experiments to enable commercial use in products such as sintered magnets, which are poor in corrosion resistance, and have completed the present invention based on the results. By pretreatment of the sintered article under suitable conditions before the coating treatment and by proper post treatment after the coating treatment, not only the adhesion and the corrosion resistance are excellent, but also the coating that is evenly coated on the entire surface of the part can be more economically formed. An object of the present invention is to provide a method for forming an aluminum film.

도 1은 본 발명을 구현하기위한 피막형성장치의 일례를 나타내는 단면도1 is a cross-sectional view showing an example of a film forming apparatus for implementing the present invention

도 2는 피막의 두께에 따른 적청발생시간의 변화를 나타내는 그래프Figure 2 is a graph showing the change in the red-blue occurrence time according to the thickness of the film

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1...진공실 2...증발원1 ... vacuum room 2 ... evaporator

3...이온화전극 4...필라멘트3.Ionizing electrode 4 ... Filament

5...셔터 6...두께모니터5 ... shutter 6 ... thickness monitor

7...가열장치 8...베럴7.heater 8 ... barrel

9...진공게이지 10...개스도입구9 ... vacuum gauge 10 ... gas inlet

11...시편 12...증발물(알미늄)11 Psalms 12 Evaporates (Aluminium)

본 발명은 그 내부에 증발원,이온화전극,필라멘트,및 베럴등이 구비되어 있는 진공조를 포함하는 이온플레이팅 장치를 사용하여 이온플레이팅에 의해 소형 소결부품 소재에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 있어서.The present invention relates to a method of forming an aluminum film on a small sintered part material by ion plating using an ion plating apparatus including a vacuum chamber having an evaporation source, an ionization electrode, a filament, and a barrel therein. .

상기 진공조내에 소재를 장입하기전에 소재를 샌드브라스팅처리하는 단계;Sandblasting the material before charging the material into the vacuum chamber;

상기와 같이 전처리된 소재를 진공조내에 장입하여 진공을 유지시킨 후 불활성 개스 분위기에서 개스방전에 의해 소재를 청정시키는 단계;Charging the pretreated material into a vacuum chamber to maintain a vacuum and then cleaning the material by gas discharge in an inert gas atmosphere;

상기와 같이 소재를 청정시킨 후, 10-4토르 이하의 고진공에서 이루어지는 이온플레이팅에 의해 소재의 표면에 피막을 형성하는 단계;및After cleaning the material as described above, forming a film on the surface of the material by ion plating made in a high vacuum of 10 -4 Torr or less; And

상기와 같이 피막을 형성한 후, 피막의 거칠음을 제거하고 금속성의 광택을 얻기 위한 연마를 실시하는 단계를 포함하여 구성되는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법에 관한 것이다.After forming a film as described above, and a method for forming a high corrosion-resistant aluminum film on a small sintered component comprising the step of removing the roughness of the film and performing a polishing to obtain metallic luster.

이하 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따라 소형 소결부품에 고내식성의 알미늄 피막을 형성하기 위해서는 이온플레이팅 장치가 요구되는데,이에 대해 설명하면 다음과 같다.According to the present invention, in order to form a highly corrosion-resistant aluminum film on a small sintered part, an ion plating apparatus is required, which will be described below.

본 발명을 구현하기 위한 이온플래이팅 장치의 일례가 도1에 나타나 있는 데, 도1에 나타나 있는 이온플레이팅 장치는 통상의 진공증착 장치에 이온화장치 및 배럴등을 설치한 것이다.An example of an ion plating apparatus for implementing the present invention is shown in FIG. 1, wherein the ion plating apparatus shown in FIG. 1 is provided with an ionizer and a barrel in a conventional vacuum deposition apparatus.

도1에 나타난 바와 같이, 이온 플레이팅 장치는 진공실(1)을 포함하는데, 상기 진공실(1)내에는 이온플레이팅을 할수 있는 이온화전극(3)과 필라멘트(4)가 구비되어 있고, 또한, 증발원(2)과 셔터(5), 두께 모니터(6), 가열장치(7),및 소재를 홀딩하고 회전시키는 베럴(8)이 구비되어 있으며, 또한,상기 진공실(1)에는 진공도를 측정할수 있는 진공게이지(9) 및 개스를 주입하는 개스도입구(10)등이 설치되어 있다. 증발원(2)은 전자총 또는 저항가열 증발원을 사용하는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 1, the ion plating apparatus includes a vacuum chamber 1, in which the ionization electrode 3 and the filament 4 capable of ion plating are provided. The evaporation source 2 and the shutter 5, the thickness monitor 6, the heating device 7 and the barrel 8 for holding and rotating the material are provided, and the vacuum chamber 1 can measure the degree of vacuum. There is provided a vacuum gauge 9 and a gas inlet 10 for injecting gas. The evaporation source 2 preferably uses an electron gun or a resistance heating evaporation source.

이하,본 발명의 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법을 도1에 나타난 이온플레이팅 장치를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of forming a highly corrosion-resistant aluminum film on a small sintered part of the present invention will be described with reference to the ion plating apparatus shown in FIG.

본 발명에 따라 소형 소결부품에 고내식성의 알미늄 피막을 형성하기 위해서는 우선 알미늄 피막을 형성시키고자 하는 소재(11)를 전처리하여야 한다.According to the present invention, in order to form a high corrosion resistant aluminum film on a small sintered part, first, the material 11 to be formed of the aluminum film needs to be pretreated.

본 발명에 있어서 소재(11)의 전처리공정은 진공조(1)내에 장입하기 전의 샌드브라스팅 처리와 진공조(1)내에 장입한 후의 개스방전에 의해 청정처리로 구분된다. 상기샌드브라스팅 처리는 소재의 특성, 제거하려는 오염물질 등에 따라 처리조건이 제어된다.In this invention, the pretreatment process of the raw material 11 is divided into the clean process by the sand blasting process before charging into the vacuum chamber 1, and the gas discharge after charging into the vacuum chamber 1. The sand blasting treatment is controlled according to the characteristics of the material, the contaminants to be removed.

진공조(1)내에 장입하기 전의 소재(11)의 전처리공정으로는 통상 실험실적으로는 가벼운 연마를 거친 후 청정제나 용매를 이용한 초음파 세척이 적당하지만, 산업상으로는 샌드브라스트나 화학세정등이 이용되고 있다. 고정구나 공구, 베어링 등의 부품에 전형적으로 존재하는 오염물질로는 윤활유, 절삭유, 산화물 그리고 지문 등이 있다.As a pretreatment process of the material 11 before charging into the vacuum chamber 1, ultrasonic cleaning with a cleaning agent or a solvent is generally suitable after light grinding in a laboratory, but industrially, sand blasting or chemical cleaning is used. It is becoming. Contaminants typically present in components such as fixtures, tools and bearings include lubricants, cutting oils, oxides and fingerprints.

본 발명에서는 상업적 적용성이 우수하고 경제적이며 환경친화적인 샌드브라스팅 처리가 전처리공정으로 채택된 것이다.In the present invention, sand blasting treatment, which is excellent in commercial applicability, and economical and environmentally friendly, is adopted as a pretreatment process.

본 발명의 상기 샌드브라스트의 실시에 있어서는 샌드브라스트의 미디어의 크기를 100~800 매쉬로 선정하는 것이 바람직하며, 샌드브라스팅의 압력은 2~6kg/cm2선정하는 것이 바람직한데, 그 이유는 다음과 같다. 샌드브라스트 미디어의 크기가 100매쉬 이상이거나 압력이 6kg/cm2이상이 되면 소결품의 표면이 손상을 입기 쉽고, 800매쉬 이하이거나 압력이 2kg/cm2이하가 되면 시간이 많이 소요되어 그 만큼 경제성이 떨어지기 때문이다.In the sand blasting of the present invention, it is preferable to select the size of the sand blast medium to 100 to 800 mesh, and the sand blasting pressure is preferably 2 to 6 kg / cm 2 . Is as follows. If the size of sandblasted media is more than 100 mesh or the pressure is more than 6kg / cm 2 , the surface of sintered product is easily damaged, and if it is less than 800 mesh or the pressure is less than 2kg / cm 2 , it takes much time and economical Because it falls.

상기와 같이 샌드브라스팅 처리를 거친 소재(11)는 베럴(8)에 장입되고, 증발원(2)에 알미늄(12)을 채운 후에 진공조를 닫고 진공펌프(도면에 표시되어 있지 않음)를 이용하여 원하는 진공도까지 배기한다.The material 11 subjected to the sand blasting treatment as described above is charged to the barrel 8, and after filling the aluminum 12 in the evaporation source 2, the vacuum chamber is closed and a vacuum pump (not shown) is used. To evacuate to the desired degree of vacuum.

즉,증발물인 알미늄(12)을 증발원(2)에 넣고 이온화전극(3)과 필라멘트(4)를 설치한 다음 진공실(1)을 닫고 진공펌프를 이용하여 배기한다.That is, the aluminum 12, which is an evaporate, is placed in the evaporation source 2, the ionization electrode 3 and the filament 4 are installed, and the vacuum chamber 1 is closed and exhausted using a vacuum pump.

진공도가 바람직하게는, 10-5토르 이하가 되면 소재(11)의 청정을 위해 개스도입구(10)를 통해 아르곤 개스를 주입하고 소재에 음의 전압을 인가하여 소재를 청정시킨다.When the degree of vacuum is preferably 10 −5 Torr or less, argon gas is injected through the gas inlet 10 to clean the material 11, and a negative voltage is applied to the material to clean the material.

시편의 청정공정은 매우 중요한 단계로 시편에 존재하는 유기물과 같은 불순물뿐만 아니라 자연적으로 존재하는 산화막을 제거하도록 행해진다.The clean process of the specimen is a very important step and is performed to remove not only impurities such as organic matter present in the specimen, but also naturally existing oxide films.

이들 불순물이 충분히 제거되지 않으면 밀착성에 나쁜 영향을 주므로 충분히 청정을 해주어야 한다. 소재의 청정은 10-2토르 정도의 아르곤개스 분위기에서 소재에 400~1000V의 음의 전압을 인가하여 글로우방전을 유도시켜 실시하는 것이 바람직하다. 이렇게 하면 방전영역에 존재하는 아르곤 이온이 소재에 충돌하여 소재에 존재하는 불순물을 제거하게 된다.If these impurities are not removed sufficiently, the adhesiveness will be adversely affected, so they should be sufficiently cleaned. The cleaning of the material is preferably performed by inducing a glow discharge by applying a negative voltage of 400-1000 V to the material in an argon gas atmosphere of about 10 -2 Torr. In this way, argon ions present in the discharge region collide with the material to remove impurities present in the material.

상기와 같이 소재의 청정이 끝나면 진공도를 다시 10-5토르 이하로 유지시킨 후 본격적으로 코팅을 실시한다.After cleaning the material as described above to maintain the vacuum level below 10 -5 Torr again to perform the coating in earnest.

이때,상기 이온화전극(3)의 전압은 40~70V의 범위가 바람직한데 그 이유는 다음과 같다. 이온화전극(3)의 전압이 40V 이하가 되면 이온화가 충분히 일어나지 않아 밀착성 및 내식성이 나빠지고 이온화전극(3)의 전압이 70V 이상이 되면 이상방전등으로 인해 피막이 손상을 입기 때문이다. 상기 이온화전극(3)의 전류 범위는 8~20A의 범위가 적당한데 그 이유는 전압과 유사하다. 플라즈마가 안정화되면 기판에 전압을 인가하고, 베럴(8)을 회전시키면서 셔터(5)를 열어 증착시킨다. 상기 베럴(8)의 회전속도는 5rpm이하로 조정하는 것이 바람직한데, 그 이유는 회전속도가 5rpm이상이 되면 시편이 깨어져 나가는 정도가 심할 뿐만 아니라 이에 따라 전반적으로 내식성이 저하되는 단점이 있기 때문이다.At this time, the voltage of the ionization electrode 3 is preferably in the range of 40 ~ 70V, the reason is as follows. This is because when the voltage of the ionization electrode 3 is 40 V or less, the ionization does not occur sufficiently, resulting in poor adhesion and corrosion resistance, and when the voltage of the ionization electrode 3 is 70 V or more, the film is damaged by an abnormal discharge lamp. The current range of the ionization electrode 3 is suitable in the range of 8 ~ 20A because the voltage is similar. When the plasma is stabilized, a voltage is applied to the substrate, and the shutter 5 is opened by depositing while rotating the barrel 8. The rotational speed of the barrel (8) is preferably adjusted to 5rpm or less, because when the rotational speed is 5rpm or more, the degree of breakage of the specimen is severe and the corrosion resistance of the overall decreases accordingly. .

진공중에서 피막제조가 끝나면 소재(11)를 밖으로 꺼낸 후 표면의 거칠음을 제거하고 금속성의 광택이 나는 표면을 만들기 위해 다시 샌드브라스트를 이용하여 연마하므로서,소재의 표면에 고내식성 알미늄 피막이 형성된다.After the film production is completed in vacuum, the material 11 is taken out and then polished using sand blasting again to remove the roughness of the surface and to create a metallic shiny surface, thereby forming a highly corrosion-resistant aluminum film on the surface of the material.

상기 피막의 두께는 5㎛이상이 바람직한데 그 이유는 피막의 두께가 5㎛이하가 되면 내식성이 현저히 떨어지기 때문이다.The thickness of the film is preferably 5 μm or more because the corrosion resistance is remarkably inferior when the thickness of the film is 5 μm or less.

이하, 본 발명을 실시예를 통하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

(실시예)(Example)

발명예(1)Inventive Example (1)

본 실험에서는 외경이 30mm이고 내경이 20mm 이며 두께가 1mm인 구멍이 있는 원판형의 니오듐 영구자석을 시편으로 사용하였으며, 200개의 시편을 한꺼번에 사용하였다.In this experiment, a disk-shaped nidium permanent magnet with 30 mm outer diameter, 20 mm inner diameter, and 1 mm thickness was used as specimen, and 200 specimens were used at once.

또한, 본 실험에서는 도1에 나타난 이온플레이팅 장치를 사용하였다.In this experiment, the ion plating apparatus shown in FIG. 1 was used.

그리고,하기 표1과 같은 조건으로 전처리(센드브라스팅처리,및 청정처리)및 이온플레이팅 처리를 행하여 피막을 형성한 후, 피막이 형성된 시편을 샌드브라스트를 이용하여 1분간 표면을 연마하였다.Then, a film was formed by performing pretreatment (send blasting and cleaning) and ion plating treatment under the conditions as shown in Table 1 below, and then, the surface on which the film was formed was polished for 1 minute using sandblasting.

여기서, 샌드브라스팅 처리는 지르코니아 비드를 이용하여 행하였다.Here, sandblasting treatment was performed using zirconia beads.

그리고,시편의 청정처리는 진공도가 10-5토르 이하에 이를 때에 개스도입구를 통해 1.2 x 10-2토르의 아르곤 개스를 주입하여 글로우방전에 의해 실시하였다. 이때 베럴에 인가한 전압은 500V 였고, 전류는 400~800mA로 하여 베럴을 회전시키면서 20분간 청정을 실시하였다.In addition, the cleaning process of the specimen was performed by glow discharge by injecting 1.2 x 10 -2 torr of argon gas through the gas inlet when the degree of vacuum reached 10 -5 Torr or less. At this time, the voltage applied to the barrel was 500V, and the current was 400 to 800mA and clean was performed for 20 minutes while rotating the barrel.

시편의 청정이 끝나고 진공도가 다시 10-5토르 이하가 된후 알미늄 피막을 형성하였는데, 이때 플라즈마를 보다 안정화시키기 위해 2 x 10-4토르의 아르곤 개스를 개스도입구를 통해 주입하면서 실시하였다. 우선 전자빔 증발원에 전원을 인가하여 알미늄을 증발시키면서 이온화전극과 필라멘트에 전원을 인가하여 안정된 플라즈마를 발생시켰다. 전자빔 증발시에 증발율의 향상을 위해 알루미나 도가니를 사용하였으며, 전자빔의 전력은 10kV, 150~400mA로 조절하였다. 증발이 일어나기 시작하면 다음단계는 플라즈마를 발생시키는 단계가 되는데, 이때는 이온화전극(3)과 필라멘트를 각각 이용하였으며, 이온화전극에는 50V, 12A를 필라멘트에는 45A의 전류를 흘렸다.After the cleansing of the specimen was completed and the vacuum degree again became 10 −5 Torr or less, an aluminum film was formed. In this case, 2 × 10 −4 Torr of argon gas was injected through the gas inlet to stabilize the plasma. First, a stable plasma was generated by applying power to the electron beam evaporation source and applying power to the ionization electrode and filament while evaporating aluminum. Alumina crucibles were used to improve the evaporation rate during electron beam evaporation, and the power of the electron beam was adjusted to 10 kV, 150-400 mA. When the evaporation starts to occur, the next step is to generate a plasma. In this case, an ionization electrode 3 and a filament were used, respectively, and a current of 50 V and 12 A was flowed to the ionization electrode and 45 A to the filament.

플라즈마가 안정화되면 기판에 200V의 전압을 인가하고, 베럴(8)을 회전시키면서 셔터(5)를 열어 60분간 증착시켰다.When the plasma was stabilized, a voltage of 200 V was applied to the substrate, and the shutter 5 was opened while the barrel 8 was rotated to deposit for 60 minutes.

상기와 같이 알미늄 피막을 형성시킨 후,피복율,피막두께,증착효율,밀착성,및 내식성을 측정하고 ,그 결과를 하기 표1에 나타내었다,After the aluminum film was formed as described above, coating rate, film thickness, deposition efficiency, adhesion, and corrosion resistance were measured, and the results are shown in Table 1 below.

하기 표1에서 피복율은 소재 전면의 두께를 측정하여 가장 얇은 부분의 두께와 가장 두꺼운 부분의 두께의 비율을 나타낸 것이고, 피막두께는 습식방법을 이용한 중량법으로 측정하여 평균한 것이다.In Table 1 below, the coverage shows the ratio of the thickness of the thinnest part and the thickness of the thickest part by measuring the thickness of the front surface of the material, and the thickness of the coating is averaged by the gravimetric method using a wet method.

또한, 증착효율은 생산성을 비교하기 위한 것으로 1회 증착시간이 60분 내외 일 경우는 ●로 90분에서 120분 사이일 경우는 △로, 120분 이상이 걸릴 경우에는 X로 표시하였으며, 밀착성은 테이프 테스트와 스크레치 테스터를 이용한 측정을 통해 3단계로 구분하여 밀착성이 매우 우수한 경우를 ●로 중간일 경우는 △로 테이프로도 떨어지는 경우를 X를 표시하였다.In addition, the deposition efficiency is for comparing the productivity, and when one deposition time is within 60 minutes, it is indicated as △ for 90 minutes to 120 minutes, and as X for 120 minutes or longer. The tape test and the measurement using the scratch tester were divided into three stages, and the adhesiveness was very excellent.

한편, 내식성은 5% NaCl 용액중에서의 200시간 경과후 도금층에 생긴 적청 발생량을 비교한 것으로서, 이에 대한 비교를 3단계로 구분하여 적청발생이 미미한 경우는 ●로, 적청발생율이 전면적의 5%이하일 경우에는 △로, 5% 이상일 경우는 X로 표시하였다.On the other hand, the corrosion resistance is a comparison of the amount of red blue color generated in the plated layer after 200 hours in 5% NaCl solution, and the red blue red color incidence is less than 5% In the case of Δ, in the case of 5% or more, X is indicated.

발명예(2-4)Inventive Example (2-4)

발명예(2)는 발명예(1)과 동일하되 시편을 파이프형의 니오듐자석을 사용한 경우이고, 발명예(3)은 발명예(1)과 동일하되 저항가열증발원을 사용하여 증착시킨 경우이고, 발명예(4)는 발명예(1)과 동일하되 구멍이 뚤리지 않은 원판형의 시편을 사용하고 저항가열 증발원을 사용하여 증착시킨 경우이며, 각각의 실험결과에 대해서는 하기 표1에 나타내었다.Inventive Example (2) is the same as Inventive Example (1), but the specimen is a pipe-type neodium magnet, and Inventive Example (3) is the same as Inventive Example (1) but deposited using a resistive heating evaporator. Inventive Example (4) is the same as Inventive Example (1), but is deposited using a disc-shaped specimen with no perforations and using a resistive heating evaporation source, and the results of each experiment are shown in Table 1 below. It was.

비교예(1-7)Comparative Example (1-7)

비교예(1)은 진공증착 방법으로 알미늄을 니오듐자석에 증착하여 특성을 비교한 경우이고, 비교예(2)는 발명예(1)과 동일하되 도가니를 수냉구리를 이용하여 증착시킨 경우이고,Comparative Example (1) is a case of comparing the characteristics by depositing aluminum to the nidium magnet by the vacuum deposition method, Comparative Example (2) is the same as the invention example (1), but the crucible is deposited using water-cooled copper ,

비교예(3)은 이극 직류 이온플레이팅 방법으로 알미늄을 니오듐자석에 증착한 경우이고, 비교예(4)는 발명예(1)과 동일하되 진공실에 장입하기전에 전처리를 실시하지 않은 경우이고, 비교예(5)는 발명예(1)과 동일하되 진공실에 장입한 후 글로우방전 청정을 실시하지 않은 경우이고,Comparative Example (3) is a case in which aluminum is deposited on a nidium magnet by a bipolar direct current ion plating method, and Comparative Example (4) is the same as Inventive Example (1) but without pretreatment prior to charging in a vacuum chamber. , Comparative Example (5) is the same as Inventive Example (1), but after charging in a vacuum chamber and the glow discharge cleaning is not performed,

비교예(6)은 발명예(1)과 동일하되 베럴의 회전속도를 7rpm으로 하여 피막을 제조한 경우이며, 비교예(7)은 발명예(1)과 동일하되 피막의 두께를 4.5㎛로 하여 피막을 제조한 경우이며, 그 실험 결과는 하기 표1에 나타내었다.Comparative Example (6) is the same as Inventive Example (1), but the film was manufactured with the rotational speed of the barrel 7rpm, Comparative Example (7) is the same as Inventive Example (1) but the thickness of the film to 4.5㎛ To produce a coating film, and the experimental results are shown in Table 1 below.

실시예 No.Example No. 전처리Pretreatment 베럴회전속도(rpm)Barrel rotation speed (rpm) 증발원(도가니)Evaporation source 피복율(피막두께)Cover rate (film thickness) 증착효율Deposition Efficiency 밀착성Adhesion 내식성Corrosion resistance 발명예 1Inventive Example 1 샌드브라스트글로방전청정Sandblast glow discharge cleaning 55 전자빔(알루미나)Electron Beam (Alumina) 0.70(10㎛)0.70 (10 μm) ●● ●● ●● 발명예 2Inventive Example 2 샌드브라스트글로방전청정Sandblast glow discharge cleaning 33 전자빔(알루미나)Electron Beam (Alumina) 0.55(9.5㎛)0.55 (9.5 μm) ●● ●● △△ 발명예 3Inventive Example 3 샌드브라스트글로바언청정Sandblasted Globaan Clean 44 저항가열(TiB2·BN)Resistance heating (TiB 2, BN) 0.70(8.8㎛)0.70 (8.8 μm) △△ ●● ●● 발명예 4Inventive Example 4 샌드브라스트글로방전청정Sandblast glow discharge cleaning 22 저항가열(TiB2·BN)Resistance heating (TiB 2 · BN) 0.85(8.8㎛)0.85 (8.8 μm) △△ ●● ●● 비교예 1Comparative Example 1 샌드브라스트글로방전청정Sandblast glow discharge cleaning 33 전자빔(알루미나)Electron Beam (Alumina) 0.60(10㎛)0.60 (10 μm) ●● XX △△ 비교예 2Comparative Example 2 샌드브라스트글로방전청정Sandblast glow discharge cleaning 33 전자빔(수냉구리)Electron Beam (Water Cooled Copper) 0.70(7.5㎛)0.70 (7.5 μm) XX ●● △△ 비교예 3Comparative Example 3 샌드브라스트글로방전청정Sandblast glow discharge cleaning 33 전자빔(알루미나)Electron Beam (Alumina) 0.60(7.9㎛)0.60 (7.9 μm) XX △△ △△ 비교예 4Comparative Example 4 글로방전청정Glow discharge cleaning 33 전자빔(알루미나)Electron Beam (Alumina) 0.60(8.3㎛)0.60 (8.3 μm) △△ XX XX 비교예 5Comparative Example 5 샌드브라스트Sandblast 33 전자빔(알루미나)Electron Beam (Alumina) 0.60(8.6㎛)0.60 (8.6 μm) △△ XX XX 비교예 6Comparative Example 6 샌드브라스트글로방전청정Sandblast glow discharge cleaning 77 전자빔(알루미나)Electron Beam (Alumina) 0.65(10㎛)0.65 (10 μm) △△ ●● △△ 비교예 7Comparative Example 7 샌드브라스트글로방전청정Sandblast glow discharge cleaning 33 전자빔(알루미나)Electron Beam (Alumina) 0.75(4.5㎛)0.75 (4.5 μm) ●● ●● XX

한편,본 발명의 효과를 설명하기 위해 피막의 두께에 따른 내식성을 조사하고, 그 결과를 도2에 나타내었다.On the other hand, in order to explain the effect of the present invention, the corrosion resistance according to the thickness of the film was investigated, and the results are shown in FIG.

도2에 나타난 바와 같이, 두께가 5㎛부터 내식성이 급격히 증가함을 알수 있다.As shown in Figure 2, it can be seen that the corrosion resistance is sharply increased from 5㎛ thickness.

상술한 바와같이 본 발명의 방법으로 피막을 제조하면 기존의 방법에 비해 피복율 및 증착효율이 높고, 밀착성이 우수하며 내식성이 우수한 피막을 경제적으로 제작할수 있음을 알 수 있다.As described above, it can be seen that when the film is manufactured by the method of the present invention, the coating rate and the deposition efficiency are higher than those of the conventional method, and the film can be economically produced with excellent adhesion and corrosion resistance.

Claims (12)

그 내부에 증발원,이온화전극,필라멘트,및 베럴등이 구비되어 있는 진공조를 포함하는 이온플래이팅 장치를 사용하여 이온플래이팅에 의해 소형 소결부품소재에 알미늄 피막을 형성하는 방법에 있어서.A method of forming an aluminum coating on a compact sintered component material by ion plating using an ion plating apparatus including a vacuum chamber having an evaporation source, an ionizing electrode, a filament, and a barrel therein. 상기 진공조내에 소재를 장입하기전에 소재를 샌드브라스팅처리하는 단계;Sandblasting the material before charging the material into the vacuum chamber; 상기와 같이 전처리된 소재를 진공조내에 장입하여 진공을 유지시킨 후 불활성 개스 분위기에서 개스방전에 의해 소재를 청정시키는 단계;Charging the pretreated material into a vacuum chamber to maintain a vacuum and then cleaning the material by gas discharge in an inert gas atmosphere; 상기와 같이 소재를 청정시킨 후, 10-4토르 이하의 고진공에서 이루어지는 이온플레이팅에 의해 소재의 표면에 피막을 형성하는 단계;및After cleaning the material as described above, forming a film on the surface of the material by ion plating made in a high vacuum of 10 -4 Torr or less; And 상기와 같이 피막을 형성한 후, 피막의 거칠음을 제거하고 금속성의 광택을 얻기 위한 연마를 실시하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법After forming the film as described above, to remove the roughness of the film and performing a polishing to obtain a metallic luster, high corrosion resistance aluminum film forming method for a small sintered parts, characterized in that it comprises a 제1항에 있어서, 샌드브라스팅 미디어의 크기가 100~800 매쉬이고, 그리고 샌드브라스팅 압력이 2~6 kg/cm2인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법The method of claim 1, wherein the sandblasting medium has a size of 100 to 800 mesh and the sandblasting pressure is 2 to 6 kg / cm 2 . 제1항또는 제2항에 있어서 증발원으로 전자빔 또는 저항가열원을 사용하며, 전자빔의 경우 알루미나 도가니를 사용하는 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum film according to claim 1 or 2, wherein an electron beam or a resistance heating source is used as the evaporation source and an alumina crucible is used for the electron beam. 제1항 또는 제2항에 있어서, 알미늄 피막의 형성시 이온화전극의 전압이 40~70V이고, 그리고 전류가 8~20 A 인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum film according to claim 1 or 2, wherein the voltage of the ionization electrode is 40 to 70 V and the current is 8 to 20 A when the aluminum film is formed. 제3항에 있어서, 알미늄 피막의 형성시 이온화전극의 전압이 40~70V이고, 그리고 전류가 8~20 A 인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum film according to claim 3, wherein the voltage of the ionization electrode is 40 to 70 V and the current is 8 to 20 A when the aluminum film is formed. 제1항,제2항및 제5항중의 어느 한항에 있어서, 알미늄 피막의 형성시 베럴의 회전속도가 5rpm이하인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum film according to any one of claims 1, 2 and 5, wherein the rotation speed of the barrel when forming the aluminum film is 5 rpm or less. 제3항에 있어서,알미늄 피막의 형성시 베럴의 회전속도가 5rpm이하인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum film according to claim 3, wherein the rotation speed of the barrel when forming the aluminum film is 5 rpm or less. 제4항에 있어서,알미늄 피막의 형성시 베럴의 회전속도가 5rpm이하인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum film according to claim 4, wherein the rotation speed of the barrel when forming the aluminum film is 5 rpm or less. 제1항,제2항,제5항 제7항및제8항중의 어느 한항에 있어서, 피막의 두께가 5㎛이상인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법9. The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum coating on a compact sintered part according to any one of claims 1, 2, 5, and 8, wherein the thickness of the coating is 5 µm or more. 제3항에 있어서, 피막의 두께가 5㎛이상인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법4. The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum coating on a compact sintered part according to claim 3, wherein the thickness of the coating is 5 mu m or more. 제4항에 있어서, 피막의 두께가 5㎛이상인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법5. The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum coating on a compact sintered part according to claim 4, wherein the thickness of the coating is 5 mu m or more. 제6항에 있어서, 피막의 두께가 5㎛이상인 것을 특징으로 하는 소형 소결부품에의 고내식성 알미늄 피막 형성방법7. The method of forming a highly corrosion-resistant aluminum coating on a compact sintered part according to claim 6, wherein the thickness of the coating is 5 mu m or more.
KR1019970072392A 1997-12-23 1997-12-23 Method of manufacturing aluminum films on small sintered parts KR100314727B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970072392A KR100314727B1 (en) 1997-12-23 1997-12-23 Method of manufacturing aluminum films on small sintered parts

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970072392A KR100314727B1 (en) 1997-12-23 1997-12-23 Method of manufacturing aluminum films on small sintered parts

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990052861A true KR19990052861A (en) 1999-07-15
KR100314727B1 KR100314727B1 (en) 2002-02-19

Family

ID=37531477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970072392A KR100314727B1 (en) 1997-12-23 1997-12-23 Method of manufacturing aluminum films on small sintered parts

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100314727B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100834183B1 (en) * 2007-06-29 2008-05-30 김영희 Method for manufacturing color material having oxide layer with high corrosion-resistance be formed design
CN106198366A (en) * 2016-06-23 2016-12-07 宁波国际材料基因工程研究院有限公司 A kind of screening technique of high flux soft magnetic materials surface anticorrosion layer

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430410B1 (en) * 2000-08-24 2004-05-04 재단법인 포항산업과학연구원 Manufacturing method of Aluminum films by ion plating

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100834183B1 (en) * 2007-06-29 2008-05-30 김영희 Method for manufacturing color material having oxide layer with high corrosion-resistance be formed design
CN106198366A (en) * 2016-06-23 2016-12-07 宁波国际材料基因工程研究院有限公司 A kind of screening technique of high flux soft magnetic materials surface anticorrosion layer

Also Published As

Publication number Publication date
KR100314727B1 (en) 2002-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7790003B2 (en) Method for magnetron sputter deposition
CN101575696B (en) Preparation method of chromium-aluminum-nitrogen film by closed field unbalanced magnetron sputtering
JP2019031731A (en) Corrosion resistant and low embrittlement aluminum alloy coatings on steel by magnetron sputtering
CN109055901A (en) A kind of device and technique improving hard coat and substrate binding force
JP2002030413A (en) Thin film deposition system and method
KR100314727B1 (en) Method of manufacturing aluminum films on small sintered parts
US3278407A (en) Deposition of thin film by sputtering
KR100205117B1 (en) Coating layer forming method for good surface and adhesion
JP6871933B2 (en) How to pre-treat the surface for coating
KR100671422B1 (en) Forming method of Aluminum coatings by sputtering
KR100384449B1 (en) Manufacturing method of Al films having good adhesion
CN105200383B (en) A kind of magnetron sputtering prepares the apparatus and method of superhard ultra-smooth tetrahedral carbon films
JP3305786B2 (en) Manufacturing method of permanent magnet with excellent corrosion resistance
RU2566232C1 (en) Method of combined ion-plasma treatment of products out of aluminium alloys
CN111331518A (en) Surface treatment method for high-purity copper rotary target material
KR101306224B1 (en) High Speed Film Forming Apparatus, And Film Forming Method Using The Same
JP2001192206A (en) Method for manufacturing amorphous carbon-coated member
KR100430410B1 (en) Manufacturing method of Aluminum films by ion plating
JP4691833B2 (en) Method for producing rare earth-based permanent magnet having metal-deposited coating on its surface
US20100155935A1 (en) Protective coating for semiconductor substrates
Khoroshikh et al. Influence of substrate geometry on ion-plasma coating deposition process
Wang et al. DLC film fabrication on the inner surface of a cylinder by carbon ion implantation
Schultrich et al. Activated Sputter Deposition of ta-C Films
Fedorchenko et al. ECR plasma-assisted PVD deposition of α-Fe thin film on melt-spun Nd-Fe-B alloys
KR100347567B1 (en) Manufacturing method of TiN film

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101102

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee