KR19990039588A - Ring insulator of semiconductor device - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 공정 중 인가되는 RF 파워에 의해 그 표면이 손상되지 않는 반도체 장치의 링 인슐레이터에 관한 것이다. 본 발명에 의한 링 인슐레이터는 식각 공정을 위한 공정 챔버 내에 설치되고, 세라믹으로 되어 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly to ring insulators in semiconductor devices whose surfaces are not damaged by RF power applied during the process. The ring insulator according to the present invention is installed in a process chamber for an etching process and is made of ceramic.

Description

반도체 장치의 링 인슐레이터Ring insulator of semiconductor device

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 공정 중 인가되는 RF 파워(power)에 의해 그 표면이 손상되지 않는 반도체 장치의 링 인슐레이터에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly to ring insulators in semiconductor devices whose surfaces are not damaged by RF power applied during the process.

링 인슐레이터(ring insulator)는 식각 공정을 위한 공정 챔버(process chamber)의 조립품 중의 하나이다. 도 1는 석영(quartz)으로 된 종래의 반도체 장치의 링 인슐레이터를 도시한 사시도로서, 도면부호 "10"은 제1 링 인슐레이터를, "20"는 제2 링 인슐레이터를, 그리고 "30"은 링 인슐레이터의 손상에 의해 발생하는 홈을 나타낸다.A ring insulator is one of the assembly of a process chamber for the etching process. 1 is a perspective view showing a ring insulator of a conventional semiconductor device made of quartz, with reference numeral 10 denoted by a first ring insulator, 20 denoted by a second ring insulator, and 30 denoted by a ring Indicates a groove caused by damage to the insulator

종래의 링 인슐레이터(10, 20)은 석영 재질로 되어 있다. 석영 재질로 된 링 인슐레이터를 장착한 상태에서 플라즈마 식각을 행하게 되면, 공정 챔버 내에 인가되는 RF 파워에 의해 그 가장자리를 따라 홈(30)이 패이는 현상이 발생하고, 이러한 현상을 파티클(particle)을 다량 유발하게 되어 공정 챔버를 오염시키게 된다.The conventional ring insulators 10 and 20 are made of quartz. When plasma etching is performed while a ring insulator made of quartz is mounted, a phenomenon occurs in which the grooves 30 are cut along the edges by RF power applied in the process chamber. It causes a lot and contaminates the process chamber.

도 1은 반도체 생산 설비 중의 하나인 TEL사의 85DRM (식각 장치) 설비의 공정 챔버 내부의 조립 상태를 일부 도시한 것이다.FIG. 1 illustrates a part of an assembly state inside a process chamber of TEL's 85DRM (etching apparatus) facility, which is one of semiconductor production facilities.

본 발명의 목적은 그 표면에 홈이 패이는 현상을 없앨 수 있는 반도체 장치의 링 인슐레이터를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a ring insulator of a semiconductor device capable of eliminating grooves on its surface.

도 1는 석영(quartz)으로 된 종래의 반도체 장치의 링 인슐레이터를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing a ring insulator of a conventional semiconductor device made of quartz.

도 2는 세라믹(ceramic)으로 된 본 발명에 의한 반도체 장치의 링 인슐레이터를 도시한 사시도이다.Fig. 2 is a perspective view showing a ring insulator of a semiconductor device according to the present invention made of ceramic.

상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 반도체 장치의 링 인슐레이터는, 식각 공정을 위한 공정 챔버 내에 설치되고, 세라믹으로 된 것을 특징으로 한다.A ring insulator of a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is provided in a process chamber for an etching process, characterized in that the ceramic.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 반도체 장치의 링 인슐레이터를 더욱 자세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, a ring insulator of a semiconductor device according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 세라믹(ceramic)으로 된 본 발명에 의한 반도체 장치의 링 인슐레이터를 도시한 사시도로서, 도면부호 "100"은 제1 링 인슐레이터를, 그리고 "200"은 제2 링 인슐레이터를 나타낸다.Fig. 2 is a perspective view showing a ring insulator of a semiconductor device according to the present invention made of ceramic, wherein “100” denotes a first ring insulator and “200” denotes a second ring insulator.

본 발명의 링 인슐레이터(100, 200)는 세라믹(ceramic) 재질로 되어 있다. 링 인슐레이터(100, 200)은 식각 공정 챔버의 부품으로 ESC (웨이퍼가 놓이는 자리, 도시되지 않음) 위에 놓이며 실리콘 포커스 링(Si focus ring) (도시되지 않음) 아래에 셋팅(setting)되어 있다. 이때, 상기 실리콘 포커스 링은 식각 공정 시 플라즈마가 외부(공정 대상이 되는 웨이퍼의 범위를 벗어남)로 새는(leak) 것을 방지하기 위해 설치된다. 링 인슐레이터는 언급한 바와 같이 ESC와 실리콘 포커스 링 중간에 놓임으로 절연의 기능을 갖고 있다.The ring insulators 100 and 200 of the present invention are made of ceramic material. Ring insulators 100 and 200 are part of an etch process chamber and are placed on top of an ESC (where wafers are placed, not shown) and set under a Si focus ring (not shown). In this case, the silicon focus ring is installed to prevent leakage of plasma to the outside (out of the range of the wafer to be processed) during the etching process. As mentioned, the ring insulator sits between the ESC and the silicon focus ring, providing isolation.

세라믹으로 된 링 인슐레이터를 장착하면 석영 재질로 된 링 인슐레이터와는 달리 가장자리 둘레 부위가 RF 파워가 인가되어도 홈이 패이는 현상이 발생하지 않는다. 즉, 세라막으로 된 링 인슐레이터는 석영 재질로 된 링 인슐레이터에 비해 파티클 측면에서 우수하다 (파티클이 많이 발생하지 않는다).Unlike a ring insulator made of ceramic, when the ceramic ring insulator is mounted, grooves do not occur even when RF power is applied to the edge portion. In other words, the ring insulator made of ceramic film is superior to the particle insulator in comparison with the ring insulator made of quartz (there is not much particle generation).

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.

본 발명에 의한 반도체 장치의 링 인슐레이터에 의하면, 세라믹 재질로 된 링 인슐레이터를 식각 공정 챔버 내에 설치함으로써 파티클에 의한 오염원을 원천적으로 감소시킬 수 있다. 따라서, 안정된 반도체 생상 라인을 만들 수 있다.According to the ring insulator of the semiconductor device according to the present invention, by installing the ring insulator made of a ceramic material in the etching process chamber, it is possible to reduce the source of contamination by the particles. Thus, a stable semiconductor production line can be made.

Claims (1)

식각 공정을 위한 공정 챔버 내에 설치되는 세라믹으로 된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 링 인슐레이터.A ring insulator of a semiconductor device, characterized in that the ceramic is installed in a process chamber for an etching process.