KR19990024881U - 웨이퍼 지지장치 - Google Patents

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KR19990024881U
KR19990024881U KR2019970037367U KR19970037367U KR19990024881U KR 19990024881 U KR19990024881 U KR 19990024881U KR 2019970037367 U KR2019970037367 U KR 2019970037367U KR 19970037367 U KR19970037367 U KR 19970037367U KR 19990024881 U KR19990024881 U KR 19990024881U
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KR2019970037367U
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Inventor
강대술
Original Assignee
구본준
엘지반도체 주식회사
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Abstract

본 고안에 의한 웨이퍼 지지장치는 상부에 고정한 가스공급부에 의해 증착되는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 하부에 설치한 히터와, 상기 웨이퍼와 히터 사이에 개재한 커버링과, 상기 커버링을 관통하여 히터에 고정되는 유동식 숫나사와, 상기 커버링 상면으로 돌출된 숫나사의 높이를 조절하도록 히터 하부의 유동식 숫나사와 결합되는 높이조절 암나사로 구성되어, 반도체 제조공정에서 필름증착시 히터 또는 가스 공급부등의 평평도가 좋지 않을 경우에도 유동식 나사의 높낮이를 조절함으로써, 증착필름의 균일도를 개선할 수 있으며, 장치의 장착 및 탈착이 용이하도록 하였다.

Description

웨이퍼 지지장치
본 고안은 웨이퍼 지지장치에 관한 것으로, 특히 반도체 제조공정에서 필름증착시 히터 또는 가스공급부등의 평평도가 좋지 않을 경우에도 유동식 나사의 높낮이를 조절함으로써, 증착필름의 균일도를 개선할 수 있으며, 장치의 장착 및 탈착이 용이하도록 한 웨이퍼 지지장치에 관한 것이다.
종래의 기술에 의한 웨이퍼 지지장치는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 고정핀(6)에 의해 고정되는 가스공급부(5)와, 상기 가스공급부(5)의 하부에 설치되는 히터(1)와, 상기 히터(1)의 상부에 놓이는 웨이퍼(4)와, 상기 웨이퍼(4)와 히터(1)사이에 개재한 커버링(2)으로 구성된다.
상기 히터(1)에는 고정나사(3)를 삽입하여 상기 고정나사(3)의 나사머리에 의해 웨이퍼(4)가 지지되도록 한다.
상기 고정나사(3)의 각 부 치수는 다음과 같다. A 부는 5.4Φ, B 부는 3.3Φ 이다.
종래의 기술에서는 히터(1) 및 커버링(2)에 웨이퍼(4) 뒷면의 전체가 닿지 않고, 고정나사(3) 위에서만 웨이퍼(4)가 닿도록 하고 있다. 이를 통하여 웨이퍼(4) 뒷면과 히터(1) 및 커버링(2)과의 마찰을 통한 뒷면 이물 발생을 방지하고 있다.
상기의 고정나사(3)는 조립시 일정한 높이로 고정 및 장착되며, 필요시 착탈가능하게 구성하였다.
그러나, 이러한 종래의 기술에서는 공정 마진 측면에서 히터 또는 가스공급부(5) 평평도가 안 좋을 경우, 증착 필름막의 균일도를 조절할 수 가 없으며, 장치 유지면에서 매우 낮은 높이의 나사머리를 사용하므로, 착탈작업시 쉽게 변형되는 문제점이 있다.
따라서, 본 고안의 목적은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출한 것으로, 반도체 제조공정에서 필름증착시 히터 또는 가스공급부등의 평평도가 좋지 않을 경우에도 유동식 나사의 높낮이를 조절함으로써, 증착필름의 균일도를 개선할 수 있으며, 장치의 장착 및 탈착이 용이하도록 한 웨이퍼 지지장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 기술에 의한 웨이퍼 지지장치를 나타내는 단면도.
도 2는 종래의 기술에 의한 웨이퍼 지지장치의 고정나사를 나타내는 측면도.
도 3은 본 고안에 의한 웨이퍼 지지장치를 나타내는 단면도.
도 4는 본 고안에 의한 웨이퍼 지지장치의 유동식 숫나사 및 높이조절암나사를 나타내는 측면도.
도 5는 본 고안에 의한 웨이퍼 지지장치를 나타내는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 히터2 : 커버링
4 : 웨이퍼5 : 가스공급부
21 : 유동식 숫나사22 : 높이조절 암나사
23 : 나사공
이러한, 본 고안의 목적은 상부에 고정한 가스공급부에 의해 증착되는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 하부에 설치한 히터와, 상기 웨이퍼와 히터 사이에 개재한 커버링과, 상기 커버링을 관통하여 히터에 고정되는 유동식 숫나사와, 상기 커버링 상면으로 돌출된 숫나사의 높이를 조절하도록 히터 하부의 유동식 숫나사와 결합되는 높이조절 암나사에 의해 달성된다.
이하, 본 고안에 의한 웨이퍼 지지장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 설명한다.
도 4는 본 고안에 의한 웨이퍼 지지장치의 유동식 숫나사 및 높이조절암나사를 나타내는 측면도이고, 도 5는 본 고안에 의한 웨이퍼 지지장치를 나타내는 평면도를 각각 보인 것이다.
이에 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 웨이퍼 지지장치는 상부에 고정한 가스공급부(5)에 의해 증착되는 웨이퍼(4)와, 상기 웨이퍼(4)의 하부에 설치한 히터(1)와, 상기 웨이퍼(4)와 히터(1) 사이에 개재한 커버링(2)과, 상기 커버링(2)을 관통하여 히터(1)에 고정되는 유동식 숫나사(21)와, 상기 커버링(2) 상면으로 돌출된 숫나사(21)의 높이를 조절하도록 히터(1) 하부의 유동식 숫나사(21)와 결합되는 높이조절 암나사(22)로 구성된다.
상기 커버링(2) 및 그 커버링(2) 하부의 히터(1) 전체 면에 다수개의 나사공(23)을 형성한다. 이는 필요시 중앙부에도 설치 가능하도록 한 것이다.
본 고안의 웨이퍼 지지방식은 필요에 따라 유동식 숫나사(21)와, 높이조절 암나사(22)에 의해 웨이퍼(4)의 지지높이를 조절하도록 한 것이다. 웨이퍼(4)의 지지높이를 가변하고자 할 때, 상기 가변하고자 하는 위치의 히터(1) 하부에 설치된 높이조절 암나사(22)를 좌우로 회전시켜 유동식 숫나사(21)를 승하강 시키므로, 웨이퍼(4)의 지지높이를 조절하게 된다. 상기 유동식 숫나사(21)와 높이조절 암나사(22)의 각부 치수는 다음과 같다. A부는 5.4Φ, B 부는 3.3Φ이며, C 부는 3.0Φ이고, D 부는 3.0Φ이며, E 부는 6.0Φ이고, F 부는 7.0Φ이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 웨이퍼 지지장치는 상부에 고정한 가스공급부에 의해 증착되는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 하부에 설치한 히터와, 상기 웨이퍼와 히터 사이에 개재한 커버링과, 상기 커버링을 관통하여 히터에 고정되는 유동식 숫나사와, 상기 커버링 상면으로 돌출된 숫나사의 높이를 조절하도록 히터 하부의 유동식 숫나사와 결합되는 높이조절 암나사로 구성되어, 반도체 제조공정에서 필름증착시 히터 또는 가스 공급부등의 평평도가 좋지 않을 경우에도 유동식 나사의 높낮이를 조절함으로써, 증착필름의 균일도를 개선할 수 있으며, 장치의 장착 및 탈착이 용이하도록 한 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 상부에 고정한 가스공급부에 의해 증착되는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 하부에 설치한 히터와, 상기 웨이퍼와 히터 사이에 개재한 커버링과, 상기 커버링을 관통하여 히터에 고정되는 유동식 숫나사와, 상기 커버링 상면으로 돌출된 숫나사의 높이를 조절하도록 히터 하부의 유동식 숫나사와 결합되는 높이조절 암나사로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 커버링 및 그 커버링 하부의 히터 전면에 다수개의 나사공을 형성한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
KR2019970037367U 1997-12-15 1997-12-15 웨이퍼 지지장치 KR19990024881U (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020096524A (ko) * 2001-06-20 2002-12-31 삼성전자 주식회사 반도체 장치 제조용 공정챔버의 웨이퍼 안착 구조
CN116536639A (zh) * 2023-04-21 2023-08-04 拓荆科技(上海)有限公司 一种支撑柱及加热盘组件

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