KR19980056407U - Photoresist coating device of semiconductor manufacturing process line - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 제조 공정라인의 포토레지스트 도포장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 분사노즐의 구조를 변경하여 웨이퍼에 포토레지스트가 신속하게 도포되도록 함에따라 분사시간 단축 및 분사량을 효과적으로 절감시킬 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a photoresist coating apparatus of a semiconductor manufacturing process line, and more particularly, to change the structure of the spray nozzle so that the photoresist can be quickly applied to the wafer to reduce the spraying time and effectively reduce the spraying amount. will be.

이를위해, 본 고안은 웨이퍼(1)를 회전시켜 주는 턴테이블(3)의 상부에 포토레지스트를 분사시겨 주도록 분사노즐(2)이 설치된 것에 있어서, 상기 분사노즐(2)의 분사공(2a)이 일정폭으로 복수개 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정라인의 포토레스트 도포장치인 것이다To this end, the present invention, in which the injection nozzle 2 is installed to spray the photoresist on the turntable 3 for rotating the wafer 1, the injection hole (2a) of the injection nozzle (2) It is a photorest coating device of a semiconductor manufacturing process line, characterized in that a plurality of formed in a predetermined width.

Description

반도체 제조 공정라인의 포토레지스트 도포장치Photoresist coating device of semiconductor manufacturing process line

본 고안은 반도체 제조 공정라인 분야에 관련된 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조 공정라인에서 웨이퍼상에 포토레지스트(photoresist)를 도포하는 반도체 제조 공정라인의 포토레지스트 도포장치에 관한 것이다.The present invention relates to the field of semiconductor manufacturing process lines, and more particularly, to a photoresist coating apparatus of a semiconductor manufacturing process line for applying a photoresist on a wafer in a semiconductor manufacturing process line.

종래에는 도 1a 및 도 1b 나타낸 바와같이, 챔버(도시는 생략함)내부의 턴테이블(3) 상면에 웨이퍼(1)를 올려 놓은 후 진공라인에 진공을 유기시겨 웨이퍼를 턴테이블(4) 상면에 흡착시킨다.In the related art, as shown in FIGS. 1A and 1B, the wafer 1 is placed on the top surface of the turntable 3 inside the chamber (not shown), and the vacuum is induced in the vacuum line to move the wafer to the top surface of the turntable 4. Adsorb.

그 다음, 회전축 구동용 모터(도시는 생략함)를 구동시켜 회전축을 회전시키게 되면 상기 턴테이블에 흡착된 웨이퍼(1)가 함께 회전하게 된다.Then, when the rotating shaft is rotated by driving the rotating shaft driving motor (not shown), the wafer 1 adsorbed on the turntable rotates together.

이때, 분사노즐(2)로 포토레지스트를 공급하면 이 공급된 포토레지스트가 상기 분사노즐(2)의 끝단에 형성된 하나의 분사공(2a)을 통해 분사되어 회전하는 웨이퍼(1)상에 전부분에 걸쳐 퍼지면서 도포된다.At this time, when the photoresist is supplied to the spray nozzle 2, the supplied photoresist is sprayed through one spray hole 2a formed at the end of the spray nozzle 2, and the whole portion is rotated on the wafer 1. It is applied while spreading over.

한편, 위와같은 포토레지스트의 도포방식에는 스테틱(static)방식, 다이나믹(Dynamic)방식, 레이디얼(Radial)방식이 있다.On the other hand, the photoresist coating method may be a static method, a dynamic method, or a radial method.

이때, 스테틱(static)방식은 정지해 있는 웨이퍼(1)상면 중앙에 포토레지스트를 도포한 후 웨이퍼를 회전시키는 것을 말하고, 다이나믹(Dynamic)방식은 회전하고 있는 웨이퍼상면 중앙에 포토레지스트를 도포한 후, 웨이퍼를 적당한 속도로 회전시키는 것을 말 하며, 레디얼(Radial)방식은 분사노즐(2a)이 회전하고 있는 웨이퍼상면의 가장자리로부터 중앙부를 향해 점차적으로 이동하면서 포토레지스트를 분사하여 웨이퍼(1)를 도포하는 방법을 말한다.In this case, the static method refers to rotating the wafer after applying the photoresist to the center of the top surface of the stationary wafer 1, and the dynamic method applying the photoresist to the center of the rotating wafer surface. Then, the wafer is rotated at an appropriate speed. In the radial method, the photoresist is sprayed while gradually moving toward the center from the edge of the upper surface of the wafer on which the spray nozzle 2a is being rotated to move the wafer 1. Say how to apply.

따라서, 상기와같은 3가지 방식중 어느 하나를 선택하여 웨이퍼(1) 상에 포토레지스트를 도포하게 된다.Therefore, one of the three methods described above is selected to apply the photoresist on the wafer 1.

그러나, 이와 같은 종래의 포토레지스트의 도포방식중 스테틱(static)방식 및 다이나믹(Dynamic)방식의 경우 웨이퍼 중앙에서 포토레지스트를 분사하여 회전하는 웨이퍼의 원심력에의해 도포하게 됨으로 웨이퍼(1) 전면에 걸쳐 도포되는 시간이 길어지게되어 포토레지스트의 낭비가 심하게 된다.However, in the conventional method of applying the photoresist, the static method and the dynamic method are applied by the centrifugal force of the rotating wafer by spraying the photoresist from the center of the wafer, so that it is applied to the entire surface of the wafer 1. The application time over becomes long, resulting in severe waste of photoresist.

한편, 이를 보완하기위해 레디얼(Radial)방식을 체택하여 사용하였지만 레이얼방식의 경우 웨이퍼(1)상면 가장자리에서 중앙으로 분사노즐(2a)를 이동하면서 분사작업을 하게되는데, 이 또한 분사노즐(2a)이 중앙부로 이동되는 거리만큼 포토레지스트가 웨이퍼상에 분사되는 분사작업이 지연되는 문제점이 있었다.On the other hand, in order to compensate for this, the radial method was selected and used, but in the case of the radial method, the jetting operation is performed while moving the jetting nozzle 2a from the top edge of the wafer 1 to the center, which is also the jetting nozzle 2a. There was a problem in that the spraying operation in which the photoresist is sprayed on the wafer is delayed by the distance that is moved to the center portion.

본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위하여, 분사노즐의 구조를 변경하여 웨이퍼에 포토레지스트가 신속하게 도포되도록 함에따라 분사시간 단축 및 분사량을 효과적으로 절감시킬 수 있는 반도체 제조 공정라인의 포토레지스트 도포장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention, in order to solve the above problems, by changing the structure of the spray nozzle to quickly apply the photoresist to the wafer, the photoresist coating apparatus of the semiconductor manufacturing process line that can reduce the spraying time and effectively reduce the injection amount The purpose is to provide.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 고안은 웨이퍼를 회전시켜주는 상면에 포토레지스트를 분사시켜 주도록 분사노즐이 설치된 것에 있어서, 상기 분사노즐의 분사공이 일정폭으로 복수개 형성되는 반도체 제조 공정라인의 포토레지스트 도포장치이다.In order to achieve the above object, the present invention provides a photoresist for spraying a photoresist on an upper surface on which a wafer is rotated, and the photoresist coating of a semiconductor manufacturing process line in which a plurality of injection holes of the injection nozzle are formed in a predetermined width. Device.

도 1a는 종래의 포토레지스트 분사장치의 스테틱방식 및 다이나믹방식을 나타낸 정면도Figure 1a is a front view showing a static method and a dynamic method of the conventional photoresist injection device

도 1b는 종래의 포토레지스트 분사장치의 레디얼방식을 나타낸 정면도Figure 1b is a front view showing a radial method of the conventional photoresist injection device

도 2는 본 고안이 설치된 상태를 나타낸 정면도2 is a front view showing a state in which the present invention is installed

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1:웨이퍼2:분사노즐1: Wafer 2: Injection nozzle

2b,2c,2d:제 1, 2, 3분사공2b, 2c, 2d: first, second and third injection holes

이하, 본 고안을 일실시예로 도시한 도 2를 참고하여 더욱 상세히 설명 하면 다음과 같다.Hereinafter, described in more detail with reference to Figure 2 showing the present invention as an embodiment as follows.

도 2는 본 고안이 설치된 상태를 나타낸 정면도로서, 웨이퍼(1) 상면에 포토레지스트가 신속히 도포될 수 있도록 분사노즐(2)의 선단에 복수개의 분사공이 일정폭을 갖고 형성되어 있다.2 is a front view showing a state in which the present invention is installed, and a plurality of injection holes are formed with a predetermined width at the tip of the injection nozzle 2 so that photoresist can be quickly applied to the upper surface of the wafer 1.

특히, 상기 분사공은 웨이퍼(1)상부의 가장자리, 중앙부, 그리고 상기 중앙부와 가장자리 사이에 각각 포토레지스트를 분사하는 제1, 2, 3분사공(2b)(2c)(3d)으로 되어 있다.In particular, the injection holes are first, second, and third injection holes 2b, 2c, and 3d for injecting photoresist between the edges, the centers, and the centers and the edges of the wafer 1, respectively.

이와 같이 구성된 본 고안의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention configured as described above are as follows.

포토레지스트의 웨이퍼(1) 도포 공정시, 챔버(도시는 생략함)내의 턴테이블(3) 상면에 웨이퍼를 로딩한 후, 상기 진공라인을 유기시키면 웨이퍼가 턴테이블 상면에 흡착 고정된다.In the photoresist wafer 1 coating process, the wafer is loaded on the top surface of the turntable 3 in a chamber (not shown), and then the vacuum line is induced to fix the wafer to the top surface of the turntable.

그후, 회전축 구동용 모터(도시는 생략함)를 구동시켜 회전축을 회전시키게 되면 턴테이블에 로딩된 웨이퍼(1)가 함께 회전하게 되는데, 이때 회전하는 웨이퍼(1) 상부에 위치한 각각의 분사노즐(2)로 포토레지스트가 공급되고 이 공급된 포토레지스트는 상기 분사노즐의 제 1, 2, 3분사공(2b)(2c)(2d)을 통해 웨이퍼로 분사된다.Subsequently, when the rotating shaft is rotated by driving a rotating shaft driving motor (not shown), the wafer 1 loaded on the turntable rotates together, and each jet nozzle 2 located on the rotating wafer 1 is rotated together. Photoresist is supplied to the wafer through the first, second and third injection holes 2b, 2c and 2d of the injection nozzle.

한편, 상기 포토레지스트를 분사하는 제 1, 2, 3분사공(2b)(2c)(2d) 중 제 1 분사공(2b)은 웨이퍼(1)상부 가장자리에서 분사되고, 제2분사공(2c)은 웨이퍼중앙과 가장자리 사이에 분사되며, 제3분사공(2d)은 웨이퍼 중앙에 근접한 위치에서 분사됨에따라 각 분사공을 통해 분사되는 포토레지스트가 상기 웨이퍼 상면에 신속히 도포된다.On the other hand, the first injection holes 2b of the first, second, and third injection holes 2b, 2c, and 2d injecting the photoresist are injected from the upper edge of the wafer 1, and the second injection holes 2c. ) Is injected between the center and the edge of the wafer, and as the third injection hole 2d is injected at a position close to the center of the wafer, photoresist sprayed through each injection hole is quickly applied to the upper surface of the wafer.

또한, 상기 웨이퍼(1) 상면에 포토레지스트를 분사하는 각각의 분사공(3)은 종래의 레디얼(radial)방식과 같은 방법으로 웨이퍼 중앙으로 이동하면서 분사하게할 수도 있는데, 이와같이 하면 포토레지스트가 더욱 신속히 웨이퍼에 도포됨으로 상기 포토레지스트의 분사량을 줄일 수 있게된다.In addition, each of the injection holes 3 for injecting the photoresist onto the upper surface of the wafer 1 may be sprayed while moving to the center of the wafer in the same manner as in the conventional radial method. It is possible to reduce the injection amount of the photoresist by being quickly applied to the wafer.

이상에서와 같이, 본 고안은 웨이퍼(1) 상면에 포토레지스트가 단번에 도포될 수 있도록 복수개의 분사공(3)을 이용하여 분사함으로써, 분사시간의 단축뿐만아니라 분사량을 최소화 시킴에따라 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention by spraying using a plurality of injection holes (3) so that the photoresist can be applied to the upper surface of the wafer 1 at a time, not only shortening the injection time but also improve the productivity by minimizing the injection amount You can.

또한, 웨이퍼(1)의 크기가 클 경우에는 증가된 넓비에 비례하여 분사노즐(2)이 이동하여 도포할 수 있으므로 웨이퍼의 크기에 관게없이 분사노즐을 적절하게 이동하여 편리하게 작업할 수 있는 장점도 있다.In addition, when the size of the wafer 1 is large, the spray nozzle 2 can be moved and applied in proportion to the increased width ratio, so that the spray nozzle can be conveniently moved and worked conveniently regardless of the size of the wafer. There is also.

Claims (2)

웨이퍼를 회전시켜주는 상면에 포토레지스트를 분사시켜 주도록 분사노즐이 설치된 것에 있어서, 상기 분사노즐의 분사공이 일정폭으로 복수개 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정라인의 포토레지스트 도포장치.An apparatus for spraying a photoresist of a semiconductor manufacturing process line, wherein a spray nozzle is provided to spray a photoresist on an upper surface to rotate a wafer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사노즐의 각 분사공이 상기 웨이퍼상의 가장자리 및 중앙부와, 그 사이에 각각 포토레지스트를 분사할 수 있도록 3개 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정라인의 포토레지스트 도포장치.And each injection hole of the injection nozzle is formed so as to spray the photoresist between the edge and the center portion of the wafer and therebetween.