KR102671822B1 - 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 극자외선을 이용한 노광 공정에 사용되는 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명에 따른 극자외선 노광용 펠리클은 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층을 포함한다. 여기서 이트륨화합물은 YF3, YN, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함한다.
Description
본 발명은 노광 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 극자외선을 이용한 노광 공정에 사용되는 마스크에 설치되는 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클에 관한 것이다.
반도체 산업이 발달되고 반도체 소자의 집적도가 향상됨에 따라 전자기기들이 점차 소형화 및 경량화되고 있다. 반도체 소자의 집적도 향상을 위해 노광 기술의 고도화가 요구되고 있다.
현재, 광원의 파장을 감소시켜 반도체의 미세한 패턴을 구현하는 방향으로 기술이 발전하고 있다. 이 중 차세대 기술인 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV) 노광 기술은 한 번의 레지스트 공정으로 미세 패턴을 구현할 수 있는 기술이다.
반도체 공정에 사용되는 극자외선 노광 장치는 광원(light source power), 레지스트(resist), 펠리클(pellicle) 및 마스크를 포함한다. 펠리클은 마스크에 설치되어 노광 공정 중에 발생하는 이물질이 마스크에 부착되는 것을 방지하며, 노광 장치에 따라서 선택적으로 사용되고 있다.
극자외선 노광 공정에서는 클린 시스템이 구축되어 펠리클이 필요 없을 것이라는 기대가 초기에 존재하였다. 하지만 실제 노광 장치 구축 후 구동 과정에서 장치 내부 구동부에서 발생하는 이물질 및 광원의 발진 과정에서 생성된 주석 입자와 극자외선 감광제에 의한 마스크의 오염이 발생하는 것을 확인하였다.
따라서 극자외선 노광 공정에서는 마스크의 오염을 방지하기 위해서, 펠리클은 필수의 소재로 인식되고 있다. 펠리클을 사용하는 경우, 10,000nm 크기 미만의 결함을 무시할 수 있다.
이러한 극자외선 노광용 펠리클은 마스크를 커버하기 위해 110mm×144mm 크기가 요구되며, 광원의 손실로 인한 생산성 악화를 최소화하기 위해 90% 이상의 극자외선 투과율이 요구되고 있다. 극자외선 노광 장치 내부에서의 20G에 이르는 물리적 움직임에 의해 파손되지 않을 수 있는 수준의 기계적 안정성과, 5nm 노드(node) 기준으로 250W 이상의 열적 하중을 견딜 수 있는 열적 안정성이 요구되고 있다. 그리고 극자외선 환경에서 발생되는 수소라디칼에 반응하지 않는 화학적 내구성도 요구되고 있다.
현재 국내외 펠리클 개발사들은 다결정 실리콘(p-Si) 기반 또는 SiN 기반으로 하는 투과 소재를 개발 중에 있다. 이들 소재는 극자외선용 펠리클의 가장 중요한 조건인 90% 이상의 투과율을 만족하지 못하고 있다. 이들 소재는 극자외선 노광 환경에서의 열적 안정성, 기계적 안정성, 및 화학적 내구성에 취약점을 갖고 있기 때문에, 특성 보완을 위한 공정 개발 연구가 진행되고 있다. 예컨대 SiN 기반 소재의 문제점을 해결하기 위한 소재로, Mo, Ru, Zr 등의 물질이 선별되어 연구되고 있으나, 얇은 두께로 제조하여 형태를 유지하는 게 어려운 실정이다.
그리고 최근에는 250W 수준의 조사 강도를 지나 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서 85% 이상의 극자외선 투과율과, 열적, 화학적 및 기계적으로 안정성을 갖는 펠리클이 요구되고 있다.
따라서 본 발명의 목적은 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서 85% 이상의 극자외선 투과율을 갖는 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 85% 이상의 높은 극자외선 투과율을 가지면서 열적 안정성, 기계적 안정성 및 화학적 내구성을 갖는 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층;을 포함하고, 상기 이트륨화합물은 YF3, YN, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클을 제공한다.
상기 이트륨화합물 함유층은 상기 이트륨화합물로 구성될 수 있다.
상기 이트륨화합물 함유층은 M-A-Si-이트륨화합물(M은 Zr, Mo, Ru, W, Ti 또는 Ir 이고, A는 B, C, N 또는 O 임)으로 표시되는 4성분계 소재를 포함할 수 있다.
상기 이트륨화합물 함유층은 상기 이트륨화합물이 YF3인 경우, M-AxSiyYF3(x+y≥1)를 포함하거나, M-AxYF3(x≥1) 및 M-SiyYF3(y≥1)를 포함할 수 있다.
상기 이트륨화합물 함유층은, 적어도 하나의 M-AxYF3(x≥1)층과, 적어도 하나의 M-SiyYF3(y≥1)층이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 펠리클층은 코어층을 포함하고, 상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층일 수 있다.
상기 이트륨화합물 함유층은, 적어도 하나의 ZrB2층과, 적어도 하나의 ZrSi2층이 교대로 적층되는 적층체; 및 상기 ZrB2층과 상기 ZrSi2층 간의 적어도 하나의 계면 또는 상기 적층체의 상부면 또는 하부면에 형성된 YF3층;을 포함할 수 있다.
상기 펠리클층은, 지지층; 상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 및 상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함할 수 있다. 이때 상기 지지층, 상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 이트륨화합물 함유층일 수 있다.
상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 경우, 상기 캡핑층의 소재는 상기 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0<x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0.3≤x≤1), ZrBx(2<x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), ZrCxBy(0.8≤x≤1.2, y≥2) 및 ZrCxSi(0.8≤x≤1.2, y≤2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 캡핑층이 상기 이트륨화합물 함유층인 경우, 상기 코어층의 소재는 상기 이트륨화합물, Y, 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 캡핑층의 소재는 Y2SiO5, YF3, YN, YOF 또는 YON 일 수 있다.
상기 펠리클층은, 지지층; 상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및 상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함할 수 있다. 이때 상기 지지층, 상기 코어층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 이트륨화합물 함유층일 수 있다.
상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 경우, 상기 지지층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층의 소재는 상기 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0<x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0.3≤x≤1), ZrBx(2<x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), ZrCxBy(0.8≤x≤1.2, y≥2) 및 ZrCxSi(0.8≤x≤1.2, y≤2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 지지층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나가 상기 이트륨화합물 함유층인 경우, 상기 코어층의 소재는 상기 이트륨화합물, Y, 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 중심 부분에 개방부가 형성된 기판; 및 상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되며, 이트륨화합물을 함유하는 상기 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층;을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클을 제공한다.
상기 펠리클층은, 상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 지지층; 상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 및 상기 코어층의 일면 또는 양면에 형성되는 캡핑층;을 포함할 수 있다. 이때 상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 이트륨화합물 함유층일 수 있다.
그리고 상기 펠리클층은, 상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 지지층; 상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및 상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함할 수 있다. 이때 상기 지지층, 상기 코어층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 이트륨화합물 함유층일 수 있다.
본 발명에 따르면, 펠리클층에 이트륨화합물을 적용함으로써, 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서 85% 이상의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 갖는 극자외선 노광용 펠리클을 제공할 수 있다. 즉 펠리클층은 지지층, 코어층, 중간층 및 캡핑층 중에 적어도 하나를 이트륨화합물 함유층으로 형성함으로써, 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서 85% 이상의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 갖는 극자외선 노광용 펠리클을 제공할 수 있다.
그리고 이트륨화합물은 기계적 강도, 내화학성 및 열적안정성이 우수하기 때문에, 이트륨화합물을 함유하는 본 발명에 따른 극자외선 노광용 펠리클은 85% 이상의 높은 극자외선 투과율을 가지면서 열적 안정성, 기계적 안정성 및 화학적 내구성을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클을 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클의 펠리클층을 보여주는 확대도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클의 펠리클층을 보여주는 확대도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클의 코어층을 보여주는 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제2 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 제3 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 제4 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 제5 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 11은 본 발명의 제6 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 12는 본 발명의 제7 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 13은 본 발명의 제8 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 14는 본 발명의 제9 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 15는 본 발명의 제10 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 2는 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클의 펠리클층을 보여주는 확대도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클의 펠리클층을 보여주는 확대도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클의 코어층을 보여주는 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제2 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 제3 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 제4 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 제5 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 11은 본 발명의 제6 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 12는 본 발명의 제7 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 13은 본 발명의 제8 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 14는 본 발명의 제9 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 15는 본 발명의 제10 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
[제1 실시예]
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클을 보여주는 단면도이다. 그리고 도 2는 도 1의 A 부분의 확대도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 극자외선 노광용 펠리클(100; 이하 '펠리클'이라 함)은 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층(20)을 포함한다. 여기서 이트륨화합물은 YF3, YN, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함한다.
이러한 제1 실시예에 따른 펠리클(100)은 중심 부분에 개방부(13)가 형성된 기판(10)과, 개방부(13)를 덮도록 기판(10) 위에 형성되는 펠리클층(20)을 포함한다. 펠리클층(20)은 기판(10)에 적층되어 형성되는 지지층(27), 코어층(21), 및 캡핑층(29)을 포함할 수 있다. 그리고 펠리클층(20)을 형성하는 지지층(27), 코어층(21) 및 캡핑층(29) 중에 적어도 하나는 이트륨화합물 함유층이다.
펠리클(100)은 반도체 및 디스플레이 제조 공정 중 노광 공정에서 마스크를 이물질로부터 보호하는 소모성 소재이다. 즉 펠리클(100)은 마스크 위에 씌워지는 얇은 박막으로 덮개 역할을 한다. 웨이퍼로 전사되는 빛은 마스크로 초점을 맞추어 노광을 진행하기 때문에, 일정한 거리로 떨어져 있는 펠리클(100)에 이물질이 앉더라도 초점이 잡히지 않아 사용자가 만들고자 하는 패턴의 크기에 영향을 미치지 않게 하여 불량 패턴의 형성을 줄일 수 있다.
이로 인해 펠리클(100)은 노광 공정 중 마스크의 이물질로부터 보호하면서 불량 패턴을 최소화하여 반도체 및 디스플레이 제조 공정의 수율을 높일 수 있다. 그리고 펠리클(100)의 사용으로 마스크의 수명을 늘릴 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 펠리클(100)에 대해서 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
기판(10)은 펠리클층(20)을 지지하며, 펠리클(100)을 제조하는 과정 및 제조 완료 후에 펠리클(100)의 핸들링 및 이송을 쉽게 할 수 있도록 한다. 기판(10)은 실리콘 등의 식각 공정이 가능한 소재로 형성될 수 있다. 예컨대 기판(10)의 소재는 실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘, 금속산화물, 금속질화물, 흑연, 비정질 탄소 등이 있고, 해당 소재가 적층된 구조도 가능하며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 여기서 금속은 Cr, Al, Zr, Ti, Ta, Nb, Ni 등이 가능하며, 이것에 한정되는 것은 아니다.
기판(10)의 중심 부분에 형성된 개방부(13)는 MEMS(Micro-Electro Mechanical Systems)와 같은 미세 가공 기술을 이용하여 형성할 수 있다. 즉 기판(10)의 중심 부분을 미세 가공 기술로 제거하여 개방부(13)를 형성한다. 개방부(13)로 펠리클층(20)이 노출된다.
그리고 펠리클층(20)은 지지층(27), 코어층(21) 및 캡핑층(29)을 포함한다.
지지층(27)은 기판(10)의 개방부(13)를 덮도록 기판(10) 위에 형성된다. 이러한 지지층(27)은 KOH에 저항성을 갖는 소재로 형성되며, 코어층(21)의 소재가 실리콘 기판(10)으로 확산되는 것을 방지하는 기능도 담당한다. 지지층(27)은 이트륨화합물 함유층일 수 있다. 또는 지지층(27)의 소재는 SiNx, SiO2, SiC, 및 Mo2C 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서 SiNx는 Si3N4로 포함할 수 있다. 지지층(27)은 CVD(chemical vapor deposition) 공정으로 형성할 수 있지만, ALD(atomic layer deposition), 전자빔 증착(e-beam evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 공정으로 형성하여, 두께, 물성 및 화학 조성의 변경을 자유롭게 조절하여 최상의 투과율을 가지면서 결점을 최소화할 수 있도록 형성한다. 지지층(27)은 기판(10) 위에 1nm 내지 10nm의 두께로 형성될 수 있다.
코어층(21)은 극자외선의 투과율을 결정하는 층이다. 코어층(21)은 극자외선에 대한 90% 이상의 투과율을 가지며, 열을 효과적으로 방출하여 펠리클층(20)이 과열되는 것을 방지한다.
그리고 캡핑층(29)은 코어층(21)의 극자외선의 투과율 저하를 최소화하면서, 펠리클층(20)에 열적 안정성, 기계적 안정성 및 화학적 내구성을 제공한다. 즉 캡핑층(29)은 코어층(21)의 보호층으로서, 코어층(21)에서 발생된 열을 외부로 효과적으로 방출하여 열적 안정성을 제공한다. 캡핑층(29)은 코어층(21)의 기계적 강도를 보완하여 기계적 안정성을 제공하다. 그리고 캡핑층(29)은 수소 라디칼과 산화로부터 코어층(21)을 보호하여 화학적 내구성을 제공한다.
여기서 펠리클층에 포함되는 이트륨화합물 함유층은 단일층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
이러한 이트륨화합물 함유층은 전술된 이트륨화합물로만 구성된 이트륨화합물층일 수 있다.
또는 이트륨화합물 함유층은 M-A-Si-이트륨화합물(M은 Zr, Mo, Ru, W, Ti 또는 Ir 이고, A는 B, C, N 또는 O 임)으로 표시되는 4성분계 소재를 포함할 수 있다.
M-A-Si-이트륨화합물로 표시되는 이트륨화합물 함유층은 다양하게 구현될 수 있다.
예컨대 이트륨화합물이 YF3인 경우, 이트륨화합물 함유층은 M-AxSiyYF3(x+y≥1)를 포함하거나, M-AxYF3(x≥1) 및 M-SiyYF3(y≥1)를 포함할 수 있다.
이트륨화합물 함유층은 적어도 하나의 M-AxYF3(x≥1)층과, 적어도 하나의 M-SiyYF3(y≥1)층이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
또는 이트륨화합물 함유층은 적층체와, 적층체의 내부, 상부면 또는 하부면에 형성되는 이트륨화합물층을 포함할 수 있다. 예컨대 적층체는 적어도 하나의 ZrB2층과, 적어도 하나의 ZrSi2층이 교대로 적층된 구조를 갖는다. 그리고 YF3층은 ZrB2층과 ZrSi2층 간의 적어도 하나의 계면, 적층체의 상부면 또는 하부면에 형성된다.
여기서 코어층(21)이 이트륨화합물 함유층인 경우, 캡핑층(29)의 소재는 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0<x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0.3≤x≤1), ZrBx(2<x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), ZrCxBy(0.8≤x≤1.2, y≥2) 및 ZrCxSi(0.8≤x≤1.2, y≤2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
캡핑층(29)이 이트륨화합물 함유층인 경우, 코어층(21)의 소재는 이트륨화합물, Y, 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이트륨화합물 함유층으로 형성된 캡핑층(29)은 10nm 이하의 두께로 형성된다. 예컨대 캡핑층(29)의 소재는 Y2SiO5, YF3, YN, YOF 또는 YON 이고, 코어층(21)의 소재는 Y일 수 있다.
이와 같은 제1 실시예에 따른 펠리클(100)은 아래와 같은 제조 공정으로 제조될 수 있다. 먼저 개방부(13)가 형성되지 않은 상태의 기판(10) 위에 지지층(27), 코어층(21) 및 캡핑층(29)을 순차적으로 적층하여 펠리클층(20)을 형성한다.
이때 지지층(27), 코어층(21) 및 캡핑층(29)은 각각 CVD, ALD, 전자빔 증착 또는 스퍼터링 공정으로 형성할 수 있다. 펠리클층(20)에 포함되는 이트륨화합물 함유층은 ALD 공정을 통하여 치밀하고 균일하게 증착하여 형성할 수 있다.
그리고 펠리클층(20) 아래의 기판(10)의 중심 부분을 제거하여 펠리클층(20)의 하부면이 노출되는 개방부(13)를 형성함으로써, 제1 실시예에 따른 펠리클(100)을 얻을 수 있다. 즉 지지층(27) 아래의 기판(10)의 중심 부분을 습식 식각을 통해서 제거하여 개방부(13)를 형성한다.
이와 같이 제1 실시예에 따른 펠리클(100)은 펠리클층(20)에 기계적 강도, 내화학성 및 열적안정성이 우수한 이트륨화합물을 적용함으로써, 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서 85% 이상의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 제공할 수 있다. 즉 펠리클층(21)은 지지층(27), 코어층(21) 및 캡핑층(29) 중에 적어도 하나를 이트륨화합물 함유층으로 형성함으로써, 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서 85% 이상의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 갖는 펠리클(100)을 제공할 수 있다.
이트륨화합물은 기계적 강도, 내화학성 및 열적안정성이 우수하기 때문에, 이트륨화합물을 함유하는 제1 실시예에 따른 펠리클(100)은 85% 이상의 높은 극자외선 투과율을 가지면서 열적 안정성, 기계적 안정성 및 화학적 내구성을 제공할 수 있다.
그리고 이트륨화합물 함유층은 ALD 공정을 통하여 치밀하면서 균일한 두께로 증착하여 형성할 수 있다. 이로 인해 제1 실시예에 따른 펠리클(100)은 높은 두께 균일도를 갖도록 형성할 수 있다.
[제2 실시예]
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클의 펠리클층을 보여주는 확대도이다.
도 3을 참조하면, 제2 실시예에 따른 펠리클은 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층(120)을 포함한다. 여기서 이트륨화합물은 YF3, YN, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함한다.
펠리클층(120)은 기판(10)에 적층되어 형성되는 지지층(27), 코어층(21), 중간층(25) 및 캡핑층(29)을 포함한다. 중간층(25)은 코어층(21)의 일면 또는 양면에 형성될 수 있다. 즉 지지층(27)은 기판(10)의 개방부(13)를 덮도록 기판(10) 위에 형성된다. 코어층(21)은 지지층(27) 위에 형성된다. 중간층(25)은 코어층(21) 위에 형성된다. 그리고 캡핑층(29)은 중간층(25) 위에 형성된다.
제2 실시예에 따른 펠리클은 중간층(25)이 추가된 것을 제외하면 제1 실시예에 따른 펠리클(도 1의 100)과 동일한 구조를 갖는다.
제2 실시예에 따른 펠리클층(120)은 중간층(25)이 이트륨화합물 함유층으로 형성될 수 있다.
중간층(25)의 소재로 이트륨화합물이 사용되면, 다양한 소재의 코어층(21)과 캡핑층(29)의 적층 구조를 갖는 제2 실시예에 따른 펠리클을 제공할 수 있다.
이트륨화합물 함유층으로 형성된 중간층(25)에 대해서, 코어층(21)의 소재는 이트륨화합물, Y, 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다. 중간층(25)은 10nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.
이트륨화합물 함유층으로 형성된 중간층(25)에 대해서, 캡핑층(29)의 소재는 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0<x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0.3≤x≤1), ZrBx(2<x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), ZrCxBy(0.8≤x≤1.2, y≥2) 및 ZrCxSi(0.8≤x≤1.2, y≤2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 실시예에 따른 펠리클층(120)에 있어서, 제1 실시예와 같이 코어층(21) 및 캡핑층(29) 중에 적어도 하나가 이트륨화합물 함유층일 수 있다. 이트륨화합물 함유층으로 코어층(21) 또는 캡핑층(29)을 형성하는 경우, 중간층(25)의 소재는 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0<x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0.3≤x≤1), ZrBx(2<x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), ZrCxBy(0.8≤x≤1.2, y≥2) 및 ZrCxSi(0.8≤x≤1.2, y≤2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이와 같은 제2 실시예에 따른 펠리클은 아래와 같은 제조 공정으로 제조될 수 있다. 먼저 개방부(13)가 형성되지 않은 상태의 기판(10) 위에 지지층(27), 코어층(21), 중간층(25) 및 캡핑층(29)을 순차적으로 적층하여 펠리클층(120)을 형성한다.
이때 지지층(27), 코어층(21), 중간층(25) 및 캡핑층(29)은 각각 CVD, ALD, 전자빔 증착 또는 스퍼터링 공정으로 형성할 수 있다. 펠리클층(120)에 포함되는 이트륨화합물 함유층은 ALD 공정을 통하여 치밀하고 균일하게 증착하여 형성할 수 있다.
그리고 펠리클층(120) 아래의 기판(10)의 중심 부분을 제거하여 펠리클층(120)의 하부면이 노출되는 개방부(13)를 형성함으로써, 제2 실시예에 따른 펠리클을 얻을 수 있다. 즉 지지층(27) 아래의 기판(10)의 중심 부분을 습식 식각을 통해서 제거하여 개방부(13)를 형성한다.
이와 같이 제2 실시예에 따른 펠리클은 펠리클층(120)에 이트륨화합물을 적용함으로써, 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서 85% 이상의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 제공할 수 있다.
그리고 이트륨화합물을 함유하는 제2 실시예에 따른 펠리클은 85% 이상의 높은 극자외선 투과율을 가지면서 열적 안정성, 기계적 안정성 및 화학적 내구성을 제공할 수 있다.
[제3 실시예]
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클의 펠리클층을 보여주는 확대도이다.
도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 펠리클은 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층(220)을 포함한다. 여기서 이트륨화합물은 YF3, YN, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함한다.
펠리클층(220)은 기판(10)에 적층되어 형성되는 지지층(27), 제1 중간층(23), 코어층(21), 제2 중간층(25) 및 캡핑층(29)을 포함한다. 제1 및 제2 중간층(23,25)은 코어층(21)의 양면에 형성된다. 즉 지지층(27)은 기판(10)의 개방부(13)를 덮도록 기판(10) 위에 형성된다. 제1 중간층(23)은 지지층(27) 위에 형성된다. 코어층(21)은 제1 중간층(23) 위에 형성된다. 제2 중간층(25)은 코어층(21) 위에 형성된다. 그리고 캡핑층(29)은 제2 중간층(25) 위에 형성된다.
제3 실시예에 따른 펠리클은 제1 및 제2 중간층(23,25)이 추가된 것을 제외하면 제1 실시예에 따른 펠리클(도 1의 100)과 동일한 구조를 갖는다.
제3 실시예에 따른 펠리클층(220)은 제1 및 제2 중간층(23,25)이 이트륨화합물 함유층으로 형성될 수 있다.
제1 및 제2 중간층(23,25)의 소재로 이트륨화합물이 사용되면, 다양한 소재의 코어층(21)과 캡핑층(29)의 적층 구조를 갖는 제3 실시예에 따른 펠리클을 제공할 수 있다.
이트륨화합물 함유층으로 형성된 제1 및 제2 중간층(23,25)에 대해서, 코어층(21)의 소재는 이트륨화합물, Y, 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다. 중간층(25)은 10nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.
이트륨화합물 함유층으로 형성된 제1 및 제2 중간층(23,25)에 대해서, 캡핑층(29)의 소재는 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0<x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0.3≤x≤1), ZrBx(2<x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), ZrCxBy(0.8≤x≤1.2, y≥2) 및 ZrCxSi(0.8≤x≤1.2, y≤2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제3 실시예에 따른 펠리클층(220)에 있어서, 제1 실시예와 같이 코어층(21) 및 캡핑층(29) 중에 적어도 하나가 이트륨화합물 함유층일 수 있다. 이트륨화합물 함유층으로 코어층(21) 또는 캡핑층(29)을 형성하는 경우, 제1 및 제2 중간층(23,25)의 소재는 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0<x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0.3≤x≤1), ZrBx(2<x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), ZrCxBy(0.8≤x≤1.2, y≥2) 및 ZrCxSi(0.8≤x≤1.2, y≤2) 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이와 같은 제3 실시예에 따른 펠리클은 아래와 같은 제조 공정으로 제조될 수 있다. 먼저 개방부(13)가 형성되지 않은 상태의 기판(10) 위에 지지층(27), 제1 중간층(23), 코어층(21), 제2 중간층(25) 및 캡핑층(29)을 순차적으로 적층하여 펠리클층(220)을 형성한다.
이때 지지층(27), 제1 중간층(23), 코어층(21), 제2 중간층(25) 및 캡핑층(29)은 각각 CVD, ALD, 전자빔 증착 또는 스퍼터링 공정으로 형성할 수 있다. 펠리클층(220)에 포함되는 이트륨화합물 함유층은 ALD 공정을 통하여 치밀하고 균일하게 증착하여 형성할 수 있다.
그리고 펠리클층(220) 아래의 기판(10)의 중심 부분을 제거하여 펠리클층(220)의 하부면이 노출되는 개방부(13)를 형성함으로써, 제3 실시예에 따른 펠리클을 얻을 수 있다. 즉 지지층(27) 아래의 기판(10)의 중심 부분을 습식 식각을 통해서 제거하여 개방부(13)를 형성한다.
이와 같이 제3 실시예에 따른 펠리클은 펠리클층(220)에 이트륨화합물을 적용함으로써, 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서 85% 이상의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 제공할 수 있다.
그리고 이트륨화합물을 함유하는 제3 실시예에 따른 펠리클은 85% 이상의 높은 극자외선 투과율을 가지면서 열적 안정성, 기계적 안정성 및 화학적 내구성을 제공할 수 있다.
[제4 실시예]
한편 제1 내지 제3 실시예에서는 이트륨화합물 함유층이 단일층으로 형성된 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 이트륨화합물 함유층은 도 5에 도시된 바와 같이 다층으로 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클의 코어층을 보여주는 확대도이다.
도 5를 참조하면, 제4 실시예에 따른 펠리클은 코어층(121)이 이트륨화합물 함유층으로 형성되고, 다층으로 구현된다. 도시하진 않았지만, 제4 실시예에 따른 펠리클은 제1 내지 제3 실시예와 같이 지지층과 캡핑층을 포함하거나, 중간층을 더 포함할 수 있다.
코어층(121)은 4층으로 구현될 수 있다. 이러한 코어층(121)은 제1 층(31), 제2 층(33), 제3 층(35) 및 제4 층(37)을 포함한다.
예컨대 코어층(121)은 이트륨화합물 함유층이 4층으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 코어층(121)은 이트륨화합물 함유층이 4층으로 적층된 구조를 개시하였지만, 2층 이상 적층된 구조로 구현될 수 있다.
코어층(121)은 M-AxYF3(x≥1)층과 M-SiyYF3(y≥1)층이 교대로 2회 적층된 구조를 가질 수 있다. 코어층(121)은 M-AxYF3(x≥1)층과 M-SiyYF3(y≥1)층이 교대로 2회 적층된 구조를 개시하였지만, 1회 이상 적층된 구조로 구현될 수 있다.
코어층(121)은 제1 층(31) 및 제4 층(37)이 각각 YF3층이고, 제2 층(33) 및 제3 층(35)이 각각 ZrB2층 및 ZrSi2층일 수 있다. 코어층(121)은 ZrB2층 및 ZrSi2층이 교대로 1회 적층된 구조를 개시하였지만, 2회 이상 적층된 구조로 구현될 수 있다. 코어층은 ZrB2층 및 ZrSi2층이 교대로 2회 이상 적층된 적층체와, 적층체의 상부면과 하부면에 형성된 YF3층을 포함할 수 있다.
또는 코어층은 ZrB2층 및 ZrSi2층이 교대로 2회 이상 적층된 적층체을 포함하고, ZrB2층과 ZrSi2층 간의 적어도 하나의 계면, 적층체의 상부면 또는 하부면에 YF3층이 형성될 수 있다.
한편 제4 실시예에서는 코어층(121)이 다층의 이트륨화합물 함유층으로 형성된 예를 개시하였지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 펠리클층을 형성하는 지지층, 코어층, 중간층 및 캡핑층 중에 적어도 하나가 다층의 이트륨화합물 함유층으로 형성될 수 있다.
[실험예]
이와 같은 본 발명에 따른 펠리클의 350W 이상의 극자외선 출력 환경에서의 투과율과 반사율을 확인하기 위해서, 도 6 내지 도 15에 따른 제1 내지 제10 실험예에 따른 펠리클에 대한 시뮬레이션을 수행하였다.
제1 내지 제6 실험예에 따른 펠리클은 제1 실시예에 따른 펠리클층을 포함한다. 즉 펠리클층은 지지층, 코어층 및 캡핑층을 포함한다. 지지층의 소재는 SiNx 이다. 코어층의 소재는 이트륨이다. 그리고 캡핑층의 소재는 Y-Si-O 소재이다.
캡핑층을 형성하는 Y-Si-O 소재는 (1-x)Y2O3와 xSiO2(0≤x<1)을 아래의 표1과 같은 조성비로 합성하여 형성하였다. 여기서 밀도의 단위 g/cm3 이다.
| 제1 실험예 | 제2 실험예 | 제3 실험예 | 제4 실험예 | 제5 실험예 | 제6 실험예 | |
| (1-x)Y2O3 | 1 | 0.75 | 0.66 | 0.5 | 0.33 | 0.25 |
| xSiO2 | 0 | 0.25 | 0.33 | 0.5 | 0.66 | 0.75 |
| 캡핑층 | Y2O3 | Y6SiO11 | Y4SiO8 | Y2SiO5 | Y2Si2O7 | Y2Si3O9 |
| 밀도 | 5.01 | 4.42 | 4.21 | 3.83 | 3.43 | 3.24 |
지지층의 두께가 5nm 일 때, 코어층은 0~50 nm, 캡핑층은 0~10 nm로 두께를 변경하면서, 제1 내지 제6 실험예에 따른 펠리클의 350W의 극자외선 출력 환경에서의 투과율과 반사율을 시뮬레이션 하였다.
제1 내지 제6 실험예에 따른 펠리클은 "YaSibOc_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 'SiN(5nm)'은 지지층을 나타낸다. 'Y'는 코어층을 나타낸다. 그리고 'YaSibOc'은 캡핑층을 나타낸다.
제1 실험예
도 6은 본 발명의 제1 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 6을 참조하면, 제1 실험예에 따른 펠리클은 "Y2Si0O3_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 Y2O3 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 10nm 이하인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
그리고 코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만 또는 7~8nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
제2 실험예
도 7은 본 발명의 제2 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 7을 참조하면, 제2 실험예에 따른 펠리클은 "Y1.5Si0.2O2.8_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 Y6SiO11 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 10nm 이하인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
그리고 코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만 또는 6~8nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
제3 실험예
도 8은 본 발명의 제3 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 8을 참조하면, 제3 실험예에 따른 펠리클은 "Y1.3Si0.3O2.7_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 Y4SiO8 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 10nm 이하인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
그리고 코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만 또는 6~9nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
제4 실험예
도 9는 본 발명의 제4 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 9를 참조하면, 제4 실험예에 따른 펠리클은 "YSi0.5O2.5_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 Y2SiO5 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 10nm 이하인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2nm 이하 또는 6~9nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
그리고 코어층의 두께가 18 내지 50nm 이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만인 경우, 제4 실험예에 따른 펠리클은 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 갖는다. 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 만족하는 코어층과 캡핑층의 두께 구간은 노란색 화살표로 표시하였다.
제5 실험예
도 10은 본 발명의 제5 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 10을 참조하면, 제5 실험예에 따른 펠리클은 "Y0.5Si0.8O2.2_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 Y2Si2O7 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 10nm 이하인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2 이하 또는 6~9nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
그리고 코어층의 두께가 13 내지 50nm 이고, 캡핑층의 두께가 2nm 이하인 경우, 제5 실험예에 따른 펠리클은 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 갖는다. 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 만족하는 코어층과 캡핑층의 두께 구간은 노란색 화살표로 표시하였다.
제6 실험예
도 11은 본 발명의 제6 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 11을 참조하면, 제6 실험예에 따른 펠리클은 "Y0.7Si0.7O2.3_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 Y2Si3O9 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 10nm 이하인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2nm 이하 또는 6~9nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
그리고 코어층의 두께가 13 내지 50nm 이고, 캡핑층의 두께가 2nm 이하인 경우, 제6 실험예에 따른 펠리클은 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 갖는다. 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 만족하는 코어층과 캡핑층의 두께 구간은 노란색 화살표로 표시하였다.
이와 같이 제1 내지 제6 실험예에 따르면, 캡핑층으로 Y-Si-O 소재를 사용할 경우, 코어층의 두께에 상관 없이 캡핑층의 두께가 2nm 이하 또는 6~8nm에서 87.5% 이상의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 갖는 펠리클을 제공할 수 있음을 확인할 수 있다. 그리고 제4 및 도 6 실험예에 따르면, 노란색 화살표와 같이, 87.5~92.5%의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 동시에 만족하는 코어층과 캡핑층의 두께의 구간을 갖는다.
다음으로 제7 내지 제10 실험예에서는 캡핑층의 소재로 YF3, YN, YOF 및 YON를 사용하였다. 제7 내지 제10 실험예에 따른 펠리클은 지지층과 코어층의 소재는 제1 내지 제6 실험예에 따른 펠리클과 동일한 소재를 사용하였다.
제7 실험예
도 12는 본 발명의 제7 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 12를 참조하면, 제7 실험예에 따른 펠리클은 "YF3_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 YF3 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 7nm 미만인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만 또는 6~9nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
그리고 코어층의 두께가 10 내지 50nm 이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만인 경우, 제7 실험예에 따른 펠리클은 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 갖는다. 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 만족하는 코어층과 캡핑층의 두께 구간은 노란색 화살표로 표시하였다.
제8 실험예
도 13은 본 발명의 제8 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 13을 참조하면, 제8 실험예에 따른 펠리클은 "YN_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 YN 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 10nm 이하인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만 또는 6~8nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
그리고 코어층의 두께가 1 내지 35nm 이고, 캡핑층의 두께가 6~8nm 인 경우, 제8 실험예에 따른 펠리클은 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 갖는다. 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 만족하는 코어층과 캡핑층의 두께 구간은 노란색 화살표로 표시하였다.
제9 실험예
도 14는 본 발명의 제9 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 14를 참조하면, 제9 실험예에 따른 펠리클은 "YOF_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 YOF 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 10nm 미만인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만 또는 6~8nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
그리고 코어층의 두께가 18 내지 50nm 이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만인 경우, 제9 실험예에 따른 펠리클은 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 갖는다. 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 만족하는 코어층과 캡핑층의 두께 구간은 노란색 화살표로 표시하였다.
제10 실험예
도 15는 본 발명의 제10 실험예에 따른 극자외선 노광용 펠리클의 투과율 및 반사율을 보여주는 그래프이다.
도 15를 참조하면, 제10 실험예에 따른 펠리클은 "YON_Y_SiN(5nm)"으로 표시하였다. 즉 캡핑층의 소재는 YON 이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 10nm 미만인 경우, 투과율은 87.5% 이상이다.
코어층의 두께가 50nm 이하이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만 또는 6~8nm 인 경우, 반사율은 0.04% 이하이다.
그리고 코어층의 두께가 18 내지 50nm 이고, 캡핑층의 두께가 2nm 미만인 경우, 제10 실험예에 따른 펠리클은 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 갖는다. 87.5~92.5%의 투과율과 0.04 이하의 반사율을 만족하는 코어층과 캡핑층의 두께 구간은 노란색 화살표로 표시하였다.
이와 같이 제7 내지 제10 실험예에 따르면, 캡핑층으로 YF3, YN, YOF 및 YON를 사용할 경우, 코어층의 두께에 상관 없이 캡핑층의 두께가 2nm 이하 또는 6~8nm에서 87.5% 이상의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 갖는 펠리클을 제공할 수 있음을 확인할 수 있다. 그리고 노란색 화살표와 같이, 87.5~92.5%의 극자외선 투과율과 0.04% 이하의 반사율을 동시에 만족하는 코어층과 캡핑층의 두께의 구간을 갖는다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
10 : 기판
13 : 개방부
20,120,220 : 펠리클층
21,121 : 코어층
23,25 : 중간층
23 : 제1 중간층
25 : 제2 중간층
27 : 지지층
29 : 제2 캡핑층
100 : 극자외선 노광용 펠리클
13 : 개방부
20,120,220 : 펠리클층
21,121 : 코어층
23,25 : 중간층
23 : 제1 중간층
25 : 제2 중간층
27 : 지지층
29 : 제2 캡핑층
100 : 극자외선 노광용 펠리클
Claims (20)
- 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층;을 포함하고,
상기 이트륨화합물은 YF3, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함하고,
상기 이트륨화합물 함유층은 M-A-Si-이트륨화합물(M은 Zr, Mo, Ru, W, Ti 또는 Ir 이고, A는 B, C, N 또는 O 임)으로 표시되는 4성분계 소재를 포함하되,
상기 이트륨화합물 함유층은 상기 이트륨화합물이 YF3인 경우,
M-AxSiyYF3(x+y≥1)를 포함하거나, M-AxYF3(x≥1) 및 M-SiyYF3(y≥1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 이트륨화합물 함유층은,
적어도 하나의 M-AxYF3(x≥1)층과, 적어도 하나의 M-SiyYF3(y≥1)층이 교대로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제5항에 있어서,
상기 펠리클층은 코어층을 포함하고, 상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층;을 포함하고,
상기 이트륨화합물은 YF3, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함하고,
상기 이트륨화합물 함유층은 M-A-Si-이트륨화합물(M은 Zr, Mo, Ru, W, Ti 또는 Ir 이고, A는 B, C, N 또는 O 임)으로 표시되는 4성분계 소재를 포함하되,
상기 이트륨화합물 함유층은,
적어도 하나의 ZrB2층과, 적어도 하나의 ZrSi2층이 교대로 적층되는 적층체; 및
상기 ZrB2층과 상기 ZrSi2층 간의 적어도 하나의 계면 또는 상기 적층체의 상부면 또는 하부면에 형성된 YF3층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제7항에 있어서,
상기 펠리클층은 코어층을 포함하고, 상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,
지지층;
상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 및
상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,
상기 지지층, 상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 하나는 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제9항에 있어서,
상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 경우,
상기 캡핑층의 소재는 상기 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0<x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0.3≤x≤1), ZrBx(2<x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), ZrCxBy(0.8≤x≤1.2, y≥2) 및 ZrCxSi(0.8≤x≤1.2, y≤2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제9항에 있어서,
상기 캡핑층이 상기 이트륨화합물 함유층인 경우,
상기 코어층의 소재는 상기 이트륨화합물, Y, 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,
지지층;
상기 지지층 위에 형성되는 코어층;
상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및
상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,
상기 지지층, 상기 코어층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 하나는 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제13항에 있어서,
상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 경우,
상기 지지층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층의 소재는 상기 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0<x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0.3≤x≤1), ZrBx(2<x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2), ZrCxBy(0.8≤x≤1.2, y≥2) 및 ZrCxSi(0.8≤x≤1.2, y≤2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제13항에 있어서,
상기 지지층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 하나가 상기 이트륨화합물 함유층인 경우,
상기 코어층의 소재는 상기 이트륨화합물, Y, 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x<16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 중심 부분에 개방부가 형성된 기판; 및
상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되며, 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층;을 포함하고,
상기 이트륨화합물은 YF3, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함하고,
상기 이트륨화합물 함유층은 M-A-Si-이트륨화합물(M은 Zr, Mo, Ru, W, Ti 또는 Ir 이고, A는 B, C, N 또는 O 임)으로 표시되는 4성분계 소재를 포함하되,
상기 이트륨화합물 함유층은 상기 이트륨화합물이 YF3인 경우,
M-AxSiyYF3(x+y≥1)를 포함하거나, M-AxYF3(x≥1) 및 M-SiyYF3(y≥1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제16항에 있어서, 상기 이트륨화합물 함유층은,
적어도 하나의 M-AxYF3(x≥1)층과, 적어도 하나의 M-SiyYF3(y≥1)층이 교대로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 중심 부분에 개방부가 형성된 기판; 및
상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되며, 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층;을 포함하고,
상기 이트륨화합물은 YF3, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함하고,
상기 이트륨화합물 함유층은 M-A-Si-이트륨화합물(M은 Zr, Mo, Ru, W, Ti 또는 Ir 이고, A는 B, C, N 또는 O 임)으로 표시되는 4성분계 소재를 포함하되,
상기 이트륨화합물 함유층은,
적어도 하나의 ZrB2층과, 적어도 하나의 ZrSi2층이 교대로 적층되는 적층체; 및
상기 ZrB2층과 상기 ZrSi2층 간의 적어도 하나의 계면 또는 상기 적층체의 상부면 또는 하부면에 형성된 YF3층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제16항 또는 제18항에 있어서, 상기 펠리클층은,
상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 지지층;
상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 및
상기 코어층의 일면 또는 양면에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,
상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 하나는 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클. - 제16항 또는 제18항에 있어서, 상기 펠리클층은,
상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 지지층;
상기 지지층 위에 형성되는 코어층;
상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및
상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,
상기 지지층, 상기 코어층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 하나는 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210047208A KR102671822B1 (ko) | 2021-04-12 | 2021-04-12 | 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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