KR102670490B1 - 웨이퍼 검사 시스템 - Google Patents
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Abstract
웨이퍼 검사 시스템은 검사 장치, 반입 장치 및 제어 장치를 포함할 수 있다. 상기 검사 장치는 웨이퍼를 이송하는 스테이지, 상기 웨이퍼의 표면으로 수직 방향을 따라 전자기파를 조사하는 발광부, 및 상기 웨이퍼를 투과한 상기 전자기파를 수신하는 수광부를 포함할 수 있다. 상기 반입 장치는 상기 검사 장치로 상기 웨이퍼를 반입시킬 수 있다. 상기 제어 장치는 상기 검사 장치에 의해 검사된 상기 웨이퍼에 대한 데이터를 처리하고, 상기 검사 장치와 상기 반입 장치의 동작들을 제어할 수 있다. 따라서, 발광부/수광부와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차나 웨이퍼의 두께가 측정 결과에 반영되지 않게 되어, 검사 장치의 측정 결과는 향상된 신뢰도를 가질 수 있다.
Description
본 발명은 웨이퍼 검사 시스템에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 전자기파를 이용해서 웨이퍼를 검사하는 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼를 전자기파를 이용해서 검사할 수 있다. 웨이퍼는 진공 또는 정전기력을 이용해서 고정시킬 수 있다.
관련 기술들에 따르면, 웨이퍼 검사 시스템은 반사형 구조를 가질 수 있다. 반사형 구조에서는, 전자기파를 발광부로부터 웨이퍼의 표면으로 경사지게 입사시키고, 웨이퍼의 표면으로부터 경사지게 반사된 전자기파를 수광부가 수광할 수 있다. 이러한 반사형 구조를 이용해서 획득한 측정 결과는 발광부/수광부와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차 및/또는 웨이퍼의 두께를 포함할 수 있다. 이로 인하여, 웨이퍼를 정밀하게 검사할 수가 없을 것이다.
또한, 진공 또는 정전기력을 웨이퍼로 제공하기 위한 척킹 기구가 전자기파와 간섭을 일으킬 수 있다. 이로 인하여, 웨이퍼로부터 반사된 전자기파는 웨이퍼에 대한 정확한 데이터를 가질 수가 없고, 간섭에 의한 노이즈를 포함할 수 있다. 결과적으로, 웨이퍼를 정밀하면서 신속하게 검사할 수 없을 것이다.
본 발명은 웨이퍼를 정밀하면서 신속하게 검사할 수 있는 웨이퍼 검사 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 견지에 웨이퍼 검사 시스템은 검사 장치, 반입 장치 및 제어 장치를 포함할 수 있다. 상기 검사 장치는 웨이퍼를 이송하는 스테이지, 상기 웨이퍼의 표면으로 수직 방향을 따라 전자기파를 조사하는 발광부, 및 상기 웨이퍼를 투과한 상기 전자기파를 수신하는 수광부를 포함할 수 있다. 상기 반입 장치는 상기 검사 장치로 상기 웨이퍼를 반입시킬 수 있다. 상기 제어 장치는 상기 검사 장치에 의해 검사된 상기 웨이퍼에 대한 데이터를 처리하고, 상기 검사 장치와 상기 반입 장치의 동작들을 제어할 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, 검사 장치가 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과한 전자기파를 이용해서 웨이퍼를 검사하게 되므로, 발광부/수광부와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차나 웨이퍼의 두께가 측정 결과에 반영되지 않을 수 있다. 따라서, 검사 장치의 측정 결과는 향상된 신뢰도를 가질 수 있다. 또한, 투과 방식의 전자기파를 이용하게 되므로, 여러 가지 형상 및 크기를 갖는 다양한 웨이퍼들을 신속하게 검사할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 검사 시스템을 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고해상도 검사 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 탑 플레이트를 나타낸 평면도이다.
도 5 내지 도 8은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 동작을 순차적으로 나타낸 사시도들이다.
도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고속 검사 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 10은 도 9에 도시된 고속 검사 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 11은 도 10의 "A" 부위를 확대해서 나타낸 평면도이다.
도 12는 도 11의 B-B' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 13은 도 10의 C-C' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고해상도 검사 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 탑 플레이트를 나타낸 평면도이다.
도 5 내지 도 8은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 동작을 순차적으로 나타낸 사시도들이다.
도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고속 검사 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 10은 도 9에 도시된 고속 검사 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 11은 도 10의 "A" 부위를 확대해서 나타낸 평면도이다.
도 12는 도 11의 B-B' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 13은 도 10의 C-C' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 검사 시스템을 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 검사 시스템은 검사 장치(10), 반입 장치(20) 및 제어 장치(30)를 포함할 수 있다.
검사 장치(10)는 웨이퍼를 전자기파를 이용해서 검사할 수 있다. 검사 장치(10)는 스테이지, 발광부(180, 도 5 참조) 및 수광부(190, 도 5 참조)를 포함할 수 있다.
스테이지는 웨이퍼를 이송시킬 수 있다. 발광부(180)는 웨이퍼의 하부에 배치될 수 있다. 발광부(180)는 웨이퍼의 하부면으로 전자기파를 조사할 수 있다. 특히, 발광부(180)는 웨이퍼의 하부면과 직교하는 방향, 즉 수직 방향을 따라 웨이퍼의 하부면으로 전자기파를 조사할 수 있다. 따라서, 발광부(180)에서 조사된 전자기파는 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과할 수 있다.
수광부(190)는 웨이퍼의 상부에 배치될 수 있다. 특히, 수광부(190)는 발광부(180)로부터 수직 방향을 따라 연장된 수직선 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 수광부(190)는 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과한 전자기파를 수광할 수 있다. 따라서, 발광부(180)와 웨이퍼 사이의 거리 및 수광부(190)와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차나 웨이퍼의 두께가 수광부(190)에서 수신한 전자기파에 포함되지 않을 수 있다. 다른 실시예로서, 발광부(180)가 웨이퍼의 하부에 배치되고, 수광부(190)가 웨이퍼의 상부에 배치될 수 있다.
부가적으로, 검사 장치(10)는 진동을 억제하는 제진대, 화학 가스의 유입을 방지하는 기구, 항온 항습 기구 등을 더 포함할 수도 있다.
반입 장치(20)는 웨이퍼를 검사 장치(10)로 반입시킬 수 있다. 반입 장치(20)는 로드 포트(load port), 예비 정렬 기구, 반송 로봇 등을 포함할 수 있다. 복수개의 웨이퍼들이 수납된 FOUP는 로드 포트에 안치될 수 있다. 웨이퍼의 동일 위치를 검사하기 위해서, 예비 정렬 기구는 웨이퍼를 미리 정렬시켜서, 검사 전의 웨이퍼의 위치 정보를 파악할 수 있다. 반송 로봇은 로드 포트에 안치된 FOUP 내로부터 웨이퍼를 하나씩 스테이지로 반송할 수 있다.
제어 장치(30)는 검사 장치(10)에 의해 검사된 웨이퍼에 대한 데이터를 처리할 수 있다. 제어 장치(30)는 검사 장치(10)와 반입 장치(20)의 동작들을 제어할 수 있다.
본 실시예에서, 검사 장치(10)는 웨이퍼를 고해상도로 검사하는 고해상도 검사 모듈(100) 및 웨이퍼를 고속으로 검사하는 고속 검사 모듈(200)을 선택적으로 포함할 수 있다. 즉, 검사 모드의 선택에 따라, 고해상도 검사 모듈(100)과 고속 검사 모듈(200) 중 어느 하나가 검사 장치(10)에 구비될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고해상도 검사 모듈을 나타낸 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈을 나타낸 단면도이며, 도 4는 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 탑 플레이트를 나타낸 평면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 고해상도 검사 모듈(100)은 검사 장치(10)의 스테이지에 선택적으로 결합될 수 있다. 고해상도 검사 모듈(100)은 제 1 결합 플레이트(120), 제 2 결합 플레이트(130), 서포트(150), 탑 플레이트(140) 및 리프팅 기구를 포함할 수 있다.
제 1 결합 플레이트(120)는 스테이지에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 제 1 결합 플레이트(120)는 대략 직사각형의 플레이트 형상을 가질 수 있다. 제 1 결합 플레이트(120)는 그 중앙에 형성된 원형의 홀을 가질 수 있다.
제 2 결합 플레이트(130)는 제 1 결합 플레이트(120)의 중앙 홀 내에 회전 가능하게 배치될 수 있다. 제 2 결합 플레이트(130)는 스테이지에 연결될 수 있다. 제 2 결합 플레이트(130)는 대략 원형 플레이트 형상을 가질 수 있다.
탑 플레이트(140)는 제 2 결합 플레이트(130)의 상부에 배치될 수 있다. 탑 플레이트(140)는 서포트(150)를 매개로 제 2 결합 플레이트(130)에 연결될 수 있다. 따라서, 제 2 결합 플레이트(130)의 회전에 의해서 탑 플레이트(140)도 수직축을 중심으로 회전될 수 있다. 전술한 발광부(180)는 탑 플레이트(140)의 하부에 배치되고, 수광부(190)는 탑 플레이트(140)의 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 탑 플레이트(140)는 대략 원판 형상을 가질 수 있다. 특히, 탑 플레이트(140)는 웨이퍼의 면적보다 약간 작은 면적을 가질 수 있 다. 웨이퍼는 탑 플레이트(140)의 상부면에 안치될 수 있다. 이에 따라, 탑 플레이트(140)에 안치된 웨이퍼의 가장자리는 탑 플레이트(140)로부터 반지름 방향을 따라 돌출될 수 있다. 탑 플레이트(140)는 안치된 웨이퍼를 진공으로 흡착하기 위한 진공홈(144)을 가질 수 있다. 특히, 탑 플레이트(140)는 전자기파를 통과시키는 투과홈(142)을 가질 수 있다. 따라서, 탑 플레이트(140)의 상부면에 안치된 웨이퍼의 일부가 투과홈(142)을 통해 노출될 수 있다. 즉, 투과홈(142)을 통해서 웨이퍼의 상부면과 하부면이 노출될 수 있다. 투과홈(142)은 대략 원호 형상을 가질 수 있다.
리프팅 기구는 탑 플레이트(140)에 안치된 웨이퍼를 선택적으로 승강시킬 수 있다. 리프팅 기구는 리프팅 플레이트(160) 및 엑튜에이터(170)를 포함할 수 있다. 리프팅 플레이트(160)는 제 1 결합 플레이트(120)에 승강 가능하게 연결될 수 있다. 리프팅 플레이트(160)는 탑 플레이트(140)에 안치된 웨이퍼의 하부면 가장자리를 지지할 수 있다. 따라서, 리프팅 플레이트(160)는 웨이퍼의 곡률과 대응하는 곡률 방향을 따라 연장된 한 쌍의 포크 형상을 가질 수 있다. 엑튜에이터(170)는 리프팅 플레이트(160)를 승강시킬 수 있다. 본 실시예에서, 엑튜에이터(170)는 공압 실린더를 포함할 수 있다.
도 5 내지 도 8은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 동작을 순차적으로 나타낸 사시도들이다.
도 5를 참조하면, 웨이퍼가 탑 플레이트(140)에 안치되면, 웨이퍼의 제 1 영역이 탑 플레이트(140)의 투과홈(142)을 통해 노출될 수 있다. 발광부(180)에서 발한 전자기파가 웨이퍼의 제 1 영역을 투과하여 수광부(190)로 수신될 수 있다. 수광부(190)가 수신한 전자기파는 제어 장치(30)로 전송될 수 있다. 제어 장치(30)는 전송된 전자기파를 처리하여, 웨이퍼의 제 1 영역을 검사할 수 있다.
도 6을 참조하면, 웨이퍼의 제 1 영역에 대한 검사가 완료되면, 엑튜에이터(170)가 리프팅 플레이트(160)를 상승시킬 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼도 리프팅 플레이트(160)와 함께 상승될 수 있다. 이어서, 탑 플레이트(140)가 수직축을 중심으로 시계반대방향을 따라 일정 각도만큼 회전될 수 있다. 탑 플레이트(140)의 회전 각도는 투과홈(142)의 각도와 대응될 수 있다.
도 7을 참조하면, 엑튜에이터(170)가 리프팅 플레이트(160)를 하강시켜서, 웨이퍼를 탑 플레이트(140)의 상부면에 다시 안치시킬 수 있다. 이때, 리프팅 플레이트(160)에 의해 상승되었던 웨이퍼는 회전되지 않고 오직 탑 플레이트(140)만이 회전된 상태이므로, 제 1 영역과 인접한 웨이퍼의 제 2 영역이 투과홈(142)을 통해 노출될 수 있다.
도 8을 참조하면, 탑 플레이트(140)가 시계방향을 따라 회전되어 원위치로 복귀될 수 있다. 따라서, 투과홈(142)이 발광부(180)와 수광부(190) 사이에 위치할 수가 있다. 전술한 바와 같이, 상기된 동작들에 의해서 웨이퍼의 제 2 영역이 투과홈(142)에 위치하고 있으므로, 웨이퍼의 제 2 영역이 발광부(180)와 수광부(190) 사이에 배치될 수 있다.
발광부(180)에서 발한 전자기파가 웨이퍼의 제 2 영역을 투과하여 수광부(190)로 수신될 수 있다. 수광부(190)가 수신한 전자기파는 제어 장치(30)로 전송될 수 있다. 제어 장치(30)는 전송된 전자기파를 처리하여, 웨이퍼의 제 2 영역을 검사할 수 있다. 상기된 동작들이 반복적으로 수행되어, 웨이퍼의 전체 영역들에 대해서 전자기파를 이용한 고해상도 검사가 이루어질 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고속 검사 모듈을 나타낸 사시도이고, 도 10은 도 9에 도시된 고속 검사 모듈을 나타낸 평면도이며, 도 11은 도 10의 "A" 부위를 확대해서 나타낸 평면도이고, 도 12는 도 11의 B-B' 선을 따라 나타낸 단면도이며, 도 13은 도 10의 C-C' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 9 내지 도 13을 참조하면, 고속 검사 모듈(200)은 검사 장치(10)의 스테이지에 선택적으로 결합될 수 있다. 고속 검사 모듈(200)은 결합 플레이트(210), 서포트(230), 탑 플레이트(220), 지지부(240) 및 웨이퍼 감지 센서(250)를 포함할 수 있다.
결합 플레이트(210)는 스테이지에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 탑 플레이트(220)는 결합 플레이트(210)의 상부에 배치될 수 있다. 탑 플레이트(220)는 서포트(230)를 매개로 결합 플레이트(210)에 연결될 수 있다.
탑 플레이트(220)는 3개의 바들을 포함할 수 있다. 2개의 바들은 대향 배치될 수 있다. 즉, 2개의 바들은 일정 간격을 두고 평행하게 배치될 수 있다. 나머지 하나의 바는 2개의 바들을 연결시킬 수 있다. 따라서, 탑 플레이트(220)는 대략 "ㄷ"자 형상을 가질 수 있다. 웨이퍼는 탑 플레이트(220) 내에 수용될 수 있다. 특히, 2개의 바들 사이의 간격은 웨이퍼의 직경보다 약간 길 수 있다.
지지부(240)들은 탑 플레이트(220)의 바들의 내측면들로부터 수평 방향을 따라 돌출될 수 있다. 지지부(240)들은 웨이퍼의 하부면 가장자리 3개소를 지지할 수 있다. 이에 따라, 지지부(240)들은 동일한 간격을 두고 배열될 수 있다.
탑 플레이트(220)는 하단이 개구된 대략 ∩자 형상을 가질 수 있다. 탑 플레이트(220)의 내측 공간이 웨이퍼 흡착을 위한 진공이 제공되는 진공 통로(222)로서 기능할 수 있다.
지지부(240)들 각각은 패드(242), 스폰지 와셔(244) 및 패드 커버(246)를 포함할 수 있다. 패드(242)는 탑 플레이트(220)에 결합될 수 있다. 웨이퍼의 하부면 가장자리가 패드(242)의 상부면과 접촉할 수 있다. 웨이퍼에 인가되는 충격을 완화시키기 위해서, 패드(242)는 에틸렌, 니트릴, 클로로플렌, 실리콘, 불소 등과 같은 탄성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 스폰지 와셔(244)는 패드(242)와 탑 플레이트(220) 사이에 개재될 수 있다. 스폰지 와셔(244)는 패드(242)에 안치되는 웨이퍼에 인가되는 충격을 흡수할 수 있다. 패드 커버(246)는 웨이퍼와 접촉하는 패드(242)의 중앙부를 제외한 패드(242)의 외측면을 덮을 수 있다. 패드 커버(246)는 탑 플레이트(220)에 결합될 수 있다.
웨이퍼가 지지부(240)에 안치된 것을 감지하는 센서(250)는 지지부(240)와 인접한 탑 플레이트(220) 부위에 부착될 수 있다.
발광부(180)는 지지부(240)들 상에 안치된 웨이퍼의 하부에 배치될 수 있다. 수광부(190)는 지지부(240)들 상에 안치된 웨이퍼의 상부에 배치될 수 있다. 즉, 발광부(180)는 탑 플레이트(220)의 하부에 위치하고, 수광부(190)는 탑 플레이트(220)의 상부에 위치할 수 있다.
웨이퍼의 하부면 가장자리 3개소들만이 지지부(240)들에 의해 지지되고 있으므로, 발광부(180)와 웨이퍼 사이 및 수광부(190)와 웨이퍼 사이에는 어떠한 구조물도 존재하지 않을 수 있다. 따라서, 발광부(180)에서 발한 전자기파는 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과한 이후, 수광부(190)로 입사될 수 있다. 스테이지가 고속 검사 모듈(200)을 고속으로 이동시키면서, 발광부(180)에서 발한 전자기파로 웨이퍼를 고속으로 검사할 수가 있다.
상기된 본 실시예에 따르면, 검사 장치가 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과한 전자기파를 이용해서 웨이퍼를 검사하게 되므로, 발광부/수광부와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차나 웨이퍼의 두께가 측정 결과에 반영되지 않을 수 있다. 따라서, 검사 장치의 측정 결과는 향상된 신뢰도를 가질 수 있다. 또한, 투과 방식의 전자기파를 이용하게 되므로, 여러 가지 형상 및 크기를 갖는 다양한 웨이퍼들을 신속하게 검사할 수도 있다.
또한, 검사 모드에 따라 고해상도 검사 모듈과 고속 검사 모듈을 선택적으로 이용할 수가 있다. 따라서, 웨이퍼를 다양한 검사 방식으로 검사할 수가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 챔버로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 ; 검사 장치 20 ; 반입 장치
30 ; 제어 장치 100 ; 고해상도 검사 모듈
120 ; 제 1 결합 플레이트 130 ; 제 2 결합 플레이트
140 ; 탑 플레이트 142 ; 투과홈
144 ; 진공홈 150 ; 서포트
160 ; 리프팅 플레이트 170 ; 엑튜에이터
180 ; 발광부 190 ; 수광부
200 ; 고속 검사 모듈 210 ; 결합 플레이트
220 ; 탑 플레이트 222 ; 진공 통로
230 ; 서포트 240 ; 지지부
242 ; 패드 244 ; 스폰지 와셔
246 ; 패드 커버 250 ; 감지 센서
30 ; 제어 장치 100 ; 고해상도 검사 모듈
120 ; 제 1 결합 플레이트 130 ; 제 2 결합 플레이트
140 ; 탑 플레이트 142 ; 투과홈
144 ; 진공홈 150 ; 서포트
160 ; 리프팅 플레이트 170 ; 엑튜에이터
180 ; 발광부 190 ; 수광부
200 ; 고속 검사 모듈 210 ; 결합 플레이트
220 ; 탑 플레이트 222 ; 진공 통로
230 ; 서포트 240 ; 지지부
242 ; 패드 244 ; 스폰지 와셔
246 ; 패드 커버 250 ; 감지 센서
Claims (10)
- 웨이퍼를 이송하는 스테이지, 상기 웨이퍼의 표면으로 수직 방향을 따라 전자기파를 조사하는 발광부, 및 상기 웨이퍼를 투과한 상기 전자기파를 수신하는 수광부를 포함하는 검사 장치;
상기 검사 장치로 상기 웨이퍼를 반입하는 반입 장치; 및
상기 검사 장치에 의해 검사된 상기 웨이퍼에 대한 데이터를 처리하고, 상기 검사 장치와 상기 반입 장치의 동작들을 제어하는 제어 장치를 포함하고,
상기 검사 장치는 상기 스테이지에 선택적으로 결합되어 상기 웨이퍼를 고해상도로 검사하는 고해상도 검사 모듈을 더 포함하며,
상기 고해상도 검사 모듈은
상기 스테이지에 결합되고, 중앙에 홀이 형성된 제 1 결합 플레이트;
상기 제 1 결합 플레이트의 홀 내에 회전 가능하게 배치되어, 상기 스테이지에 결합된 제 2 결합 플레이트;
상기 제 2 결합 플레이트에 연결되어 상기 웨이퍼와 함께 상기 수직 방향을 중심으로 회전되고, 상기 전자기파가 상기 웨이퍼를 투과하도록 상기 웨이퍼의 일부를 노출시키는 투과홈을 갖는 탑 플레이트; 및
상기 탑 플레이트에 안치된 상기 웨이퍼를 선택적으로 승강시키는 리프팅 기구를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 투과홈은 원호 형상을 갖는 웨이퍼 검사 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 상기 탑 플레이트는 상기 웨이퍼를 진공으로 흡착하기 위한 진공홈을 갖는 웨이퍼 검사 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 상기 리프팅 기구는
상기 제 1 결합 플레이트에 승강 가능하게 연결되어 상기 탑 플레이트에 안치된 상기 웨이퍼의 하부면 가장자리를 지지하는 리프팅 플레이트; 및
상기 리프팅 플레이트를 승강시키는 엑튜에이터를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템. - 제 1 항에 있어서, 상기 검사 장치는 상기 스테이지에 선택적으로 결합되어 상기 웨이퍼를 고속으로 검사하는 고속 검사 모듈을 더 포함하는 웨이퍼 검사 시스템.
- 제 7 항에 있어서, 상기 고속 검사 모듈은
상기 스테이지에 결합된 결합 플레이트;
상기 결합 플레이트의 상부에 배치되어 상기 결합 플레이트에 연결되고, 상기 웨이퍼의 하부면 가장자리의 적어도 3개소를 지지하는 지지부들을 갖는 탑 플레이트; 및
상기 지지부들에 배치되어, 상기 지지부들에 상기 웨이퍼가 배치된 것을 감지하는 웨이퍼 감지 센서를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템. - 제 8 항에 있어서, 상기 탑 플레이트는 상기 지지부들로 진공을 제공하기 위한 진공 통로를 갖는 웨이퍼 검사 시스템.
- 제 8 항에 있어서, 상기 지지부는
상기 탑 플레이트에 설치되어, 상기 웨이퍼의 하부면 가장자리를 지지하는 패드;
상기 패드와 상기 탑 플레이트 사이에 개재된 스폰지 와셔; 및
상기 패드와 상기 스폰지 와셔를 덮는 패드 커버를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190072067A KR102670490B1 (ko) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | 웨이퍼 검사 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190072067A KR102670490B1 (ko) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | 웨이퍼 검사 시스템 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200144280A KR20200144280A (ko) | 2020-12-29 |
| KR102670490B1 true KR102670490B1 (ko) | 2024-05-29 |
Family
ID=74090004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190072067A KR102670490B1 (ko) | 2019-06-18 | 2019-06-18 | 웨이퍼 검사 시스템 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102670490B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5647327B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2014-12-24 | 株式会社荏原製作所 | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| KR101606093B1 (ko) * | 2015-06-26 | 2016-03-24 | 주식회사 넥서스원 | 기판 결함 검사장치 및 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5273508A (en) * | 1975-12-12 | 1977-06-20 | Fudo Construction Co | Method of and apparatus for preventing subsidence of existing building |
-
2019
- 2019-06-18 KR KR1020190072067A patent/KR102670490B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP5647327B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2014-12-24 | 株式会社荏原製作所 | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
| KR101606093B1 (ko) * | 2015-06-26 | 2016-03-24 | 주식회사 넥서스원 | 기판 결함 검사장치 및 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200144280A (ko) | 2020-12-29 |
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