KR102661683B1 - Adhesive composition, film adhesive, adhesive sheet, and method for producing semiconductor devices - Google Patents

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KR102661683B1
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마사노리 나츠카와
고헤이 다니구치
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가부시끼가이샤 레조낙
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Abstract

에폭시 수지와, 페놀 수지와, 엘라스토머와, 필러를 함유하고, 필러의 함유량이, 에폭시 수지, 페놀 수지, 엘라스토머, 및 필러의 총량을 기준으로 하여, 40~68질량%이며, 에폭시 수지가, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지를 포함하는, 접착제 조성물이 개시된다.It contains an epoxy resin, a phenol resin, an elastomer, and a filler, and the content of the filler is 40 to 68% by mass based on the total amount of the epoxy resin, phenol resin, elastomer, and filler, and the epoxy resin is naphthalene. An adhesive composition comprising an epoxy resin having a skeleton is disclosed.

Description

접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법Adhesive composition, film adhesive, adhesive sheet, and method for producing semiconductor devices

본 발명은, 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to adhesive compositions, film-like adhesives, adhesive sheets, and methods for manufacturing semiconductor devices.

종래, 반도체 소자와 반도체 소자 탑재용 지지 부재의 접합에는, 은 페이스트가 주로 사용되고 있다. 그러나, 최근의 반도체 소자의 대형화, 반도체 패키지의 소형화 및 고성능화에 따라, 사용되는 반도체 소자 탑재용 지지 부재에도 소형화 및 세밀화가 요구되고 있다. 이와 같은 요구에 대하여, 젖음 확산성, 돌출, 반도체 소자의 기울어짐 등에 기인하여 발생하는 와이어 본딩 시에 있어서의 트러블, 두께 제어의 곤란성, 보이드 발생 등에 의하여, 은 페이스트로는 충분히 대처할 수 없게 되고 있다. 그 때문에, 최근, 은 페이스트 대신에, 필름상 접착제를 구비하는 접착 시트가 사용되게 되었다(예를 들면, 특허문헌 1, 2 참조). 이와 같은 접착 시트는, 개편(個片) 첩부 방식, 웨이퍼 이면 첩부 방식 등의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 사용되고 있다.Conventionally, silver paste has been mainly used to join semiconductor elements and support members for mounting semiconductor elements. However, with the recent increase in the size of semiconductor devices and the miniaturization and increase in performance of semiconductor packages, there is a demand for smaller and more detailed support members for mounting semiconductor devices. Silver paste cannot sufficiently cope with such requirements due to problems during wire bonding that occur due to wet diffusion, protrusion, tilt of the semiconductor element, etc., difficulty in thickness control, generation of voids, etc. . Therefore, in recent years, adhesive sheets provided with a film-like adhesive have come to be used instead of silver paste (for example, see Patent Documents 1 and 2). Such adhesive sheets are used in semiconductor device manufacturing methods such as the piece sticking method and the wafer backside sticking method.

개편 첩부 방식에 의하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 먼저 릴상의 접착 시트를 커팅 또는 펀칭에 의하여 개편으로 잘라낸 후, 필름상 접착제를 반도체 소자 탑재용 지지 부재에 첩합한다. 그 후, 다이싱 공정에 의하여 개편화된 반도체 소자를, 필름상 접착제 첩합의 반도체 소자 탑재용 지지 부재에 접합한다. 그 후, 와이어 본드, 밀봉 등의 조립 공정을 거쳐, 반도체 장치가 제조된다(예를 들면, 특허문헌 3 참조). 그러나, 개편 첩부 방식의 경우, 접착 시트를 잘라내어 반도체 소자 탑재용 지지 부재에 접착하기 위한 전용의 조립 장치가 필요하며, 은 페이스트를 사용하는 방법에 비하여 제조 비용이 높아진다는 문제가 있다.When manufacturing a semiconductor device by the piece sticking method, the reel-shaped adhesive sheet is first cut into pieces by cutting or punching, and then the film-like adhesive is bonded to the support member for mounting the semiconductor element. Thereafter, the semiconductor elements separated into pieces through the dicing process are bonded to a support member for mounting semiconductor elements bonded with a film-like adhesive. After that, a semiconductor device is manufactured through assembly processes such as wire bonding and sealing (for example, see Patent Document 3). However, in the case of the piece-and-paste method, a dedicated assembly device is required to cut the adhesive sheet and adhere it to the support member for mounting semiconductor elements, and there is a problem that the manufacturing cost is higher compared to the method using silver paste.

한편, 웨이퍼 이면 첩부 방식에 의하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 먼저 반도체 웨이퍼의 이면에 필름상 접착제를 첩부하고, 또한 필름상 접착제의 타방의 면에 다이싱 시트를 첩합한다. 그 후, 다이싱에 의하여, 필름상 접착제가 첩합된 상태로 반도체 웨이퍼를 개편화하여 반도체 소자를 제작한다. 이어서, 필름상 접착제 첩합의 반도체 소자를 픽업하고, 반도체 소자 탑재용 지지 부재에 접합한다. 그 후, 와이어 본드, 밀봉 등의 조립 공정을 거쳐, 반도체 장치가 제조된다(예를 들면, 특허문헌 4 참조). 이 웨이퍼 이면 첩부 방식은, 개편 첩부 방식과는 달리, 전용의 조립 장치를 필요로 하지 않고, 종래의 은 페이스트용 조립 장치를 그대로, 또는 열반(熱盤)을 부가하는 등의 장치를 일부 개량하여 이용할 수 있다. 그 때문에, 웨이퍼 이면 첩부 방식은, 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 중에서 제조 비용을 비교적 억제할 수 있는 경향이 있다.On the other hand, when manufacturing a semiconductor device by the wafer backside sticking method, a film adhesive is first attached to the backside of the semiconductor wafer, and then a dicing sheet is attached to the other side of the film adhesive. Thereafter, by dicing, the semiconductor wafer is broken into pieces with the film-like adhesive bonded thereto, and a semiconductor device is manufactured. Next, the semiconductor element bonded with the film-like adhesive is picked up and bonded to the support member for mounting the semiconductor element. Afterwards, a semiconductor device is manufactured through assembly processes such as wire bonding and sealing (for example, see Patent Document 4). This wafer backside sticking method, unlike the restructured sticking method, does not require a dedicated assembly device, but rather uses the conventional assembly device for silver paste as is or partially improves the device, such as adding a hot plate. Available. Therefore, the wafer backside sticking method tends to be able to relatively reduce manufacturing costs among semiconductor device manufacturing methods using adhesive sheets.

웨이퍼 이면 첩부 방식에서는, 조립 공정의 간략화의 관점에서, 필름상 접착제의 일방의 면에 다이싱 시트를 첩합한(적층한) 접착 시트, 즉 다이싱 시트로서의 기능과 다이본드 필름으로서의 기능을 겸비하는 접착 시트(이하, "다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트"라고 하는 경우가 있음)가 이용되는 경우가 있다. 이와 같은 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트를 이용하면, 다이싱 시트의 첩합을 간략화할 수 있어, 웨이퍼 균열의 리스크를 저감시킬 수 있다. 다이싱 시트의 연화(軟化) 온도는, 통상 100℃ 이하이다. 그 때문에, 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트에는, 다이싱 시트의 연화 온도 또는 반도체 웨이퍼의 휨을 고려하여, 100℃보다 저온에서 반도체 웨이퍼에 첩부가 가능한 것이 필요하며, 특히 반도체 웨이퍼의 휨을 억제하는 관점에서, 40~80℃에서 반도체 웨이퍼에 첩부가 가능한 것이 요구된다.In the wafer backside sticking method, from the viewpoint of simplifying the assembly process, an adhesive sheet is formed by bonding (stacking) a dicing sheet to one side of a film adhesive, that is, an adhesive sheet that has both the function of a dicing sheet and a die-bond film. An adhesive sheet (hereinafter sometimes referred to as a "dicing/die bonding integrated adhesive sheet") may be used. By using such a dicing/die bonding integrated adhesive sheet, bonding of the dicing sheets can be simplified and the risk of wafer cracking can be reduced. The softening temperature of the dicing sheet is usually 100°C or lower. Therefore, the dicing/die bonding integrated adhesive sheet is required to be capable of sticking to a semiconductor wafer at a temperature lower than 100°C, taking into account the softening temperature of the dicing sheet or the warping of the semiconductor wafer, especially from the viewpoint of suppressing the warping of the semiconductor wafer. It is required that it can be attached to a semiconductor wafer at 40 to 80°C.

그런데, 반도체 소자가 와이어 본딩 접속됨에 있어서, 반도체 소자와 반도체 소자 탑재용 지지 부재의 사이에 어긋남 또는 박리가 발생하는 경우가 있다. 이것은 통상의 본딩 온도인 175℃ 부근에 있어서, 반도체 소자와 반도체 소자 탑재용 지지 부재를 접착하고 있는 필름상 접착제가 유연해져, 변형됨으로써 발생하는 것이라고 추측된다. 이 현상은, 반도체 소자의 소면적화에 따라, 보다 큰 문제가 될 수 있다. 그 때문에, 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트의 경화 후의 필름상 접착제에는, 와이어 본딩 특성으로서, 고온 저장 탄성률이 충분히 높은 것(예를 들면, 175℃에 있어서의 저장 탄성률이 100MPa 이상인 것), 및 유리 전이 온도가 충분히 높은 것(예를 들면, 유리 전이 온도가 190℃ 이상인 것)이 요구된다.However, when semiconductor elements are connected by wire bonding, there are cases where misalignment or separation occurs between the semiconductor element and the support member for mounting the semiconductor element. It is presumed that this occurs when the film adhesive bonding the semiconductor element and the support member for mounting the semiconductor element becomes soft and deforms around 175°C, which is the normal bonding temperature. This phenomenon may become a bigger problem as the area of semiconductor devices becomes smaller. Therefore, the film adhesive after curing of the integrated dicing/die bonding adhesive sheet must have a sufficiently high high-temperature storage modulus as a wire bonding characteristic (for example, a storage modulus at 175°C of 100 MPa or more), and It is required that the glass transition temperature is sufficiently high (for example, the glass transition temperature is 190°C or higher).

이제까지, 저온에서의 반도체 웨이퍼에 대한 첩부 특성(저온 첩부성)과 와이어 본딩 특성을 만족시키기 위하여, 유리 전이 온도(Tg)가 비교적 낮은 열가소성 수지와 열경화성 수지를 조합한 접착제 조성물이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 5 참조).So far, in order to satisfy the sticking properties (low-temperature sticking properties) and wire bonding properties for semiconductor wafers at low temperatures, adhesive compositions combining thermoplastic resins and thermosetting resins with relatively low glass transition temperatures (Tg) have been proposed (e.g. For example, see Patent Document 5).

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 평3-192178호Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 3-192178 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 평4-234472호Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 4-234472 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 평9-017810호Patent Document 3: Japanese Patent Publication No. 9-017810 특허문헌 4: 일본 공개특허공보 평4-196246호Patent Document 4: Japanese Patent Publication No. 4-196246 특허문헌 5: 일본 공개특허공보 2005-247953호Patent Document 5: Japanese Patent Publication No. 2005-247953

그러나, 반도체 소자의 소면적화에 따라, 와이어 본딩 시에 요구되는 필름상 접착제의 고온 저장 탄성률은 보다 높아지고 있어, 필름상 접착제에는 가일층의 특성의 개선이 요구되고 있다.However, as the area of semiconductor devices becomes smaller, the high-temperature storage modulus of film adhesives required for wire bonding is increasing, and further improvement in properties of film adhesives is required.

따라서, 본 발명은, 필름상 접착제를 형성했을 때의 저온 첩부성이 우수함과 함께, 충분한 고온 저장 탄성률을 갖고, 또한 충분한 유리 전이 온도를 갖는 경화물을 형성하는 것이 가능한 접착제 조성물을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.Therefore, the main object of the present invention is to provide an adhesive composition that is excellent in low-temperature sticking properties when forming a film adhesive, has a sufficient high-temperature storage modulus, and is capable of forming a cured product having a sufficient glass transition temperature. The purpose.

본 발명의 일 측면은, 에폭시 수지와, 페놀 수지와, 엘라스토머와, 필러를 함유하고, 필러의 함유량이, 에폭시 수지, 페놀 수지, 엘라스토머, 및 필러의 총량을 기준으로 하여, 40~68질량%이며, 에폭시 수지가, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지를 포함하는, 접착제 조성물을 제공한다. 이와 같은 접착제 조성물에 의하면, 필름상 접착제를 형성했을 때의 저온 첩부성이 우수함과 함께, 충분한 고온 저장 탄성률을 갖고, 또한 충분한 유리 전이 온도를 갖는 경화물을 형성하는 것이 가능해질 수 있다.One aspect of the present invention contains an epoxy resin, a phenol resin, an elastomer, and a filler, and the content of the filler is 40 to 68% by mass based on the total amount of the epoxy resin, phenol resin, elastomer, and filler. and provides an adhesive composition wherein the epoxy resin includes an epoxy resin having a naphthalene skeleton. With such an adhesive composition, it is possible to form a cured product that has excellent low-temperature sticking properties when forming a film adhesive, has a sufficient high-temperature storage modulus, and has a sufficient glass transition temperature.

나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지는, 4관능 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지여도 된다. 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지의 함유량은, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 총량을 기준으로 하여, 14~30질량%여도 된다. 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지는, 하기 식 (X)로 나타나는 에폭시 수지를 포함하고 있어도 된다.The epoxy resin having a naphthalene skeleton may be an epoxy resin having a tetrafunctional or higher epoxy group. The content of the epoxy resin having a naphthalene skeleton may be 14 to 30 mass% based on the total amount of the epoxy resin and the phenol resin. The epoxy resin having a naphthalene skeleton may contain an epoxy resin represented by the following formula (X).

[화학식 1][Formula 1]

본 발명의 일 측면에 관한 접착제 조성물은, 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속됨과 함께, 제1 반도체 소자 상에, 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착함과 함께 제1 와이어의 적어도 일부를 매립하기 위하여 이용되는 것이어도 된다.The adhesive composition according to one aspect of the present invention is a semiconductor device in which a first semiconductor element is connected by wire bonding to a substrate via a first wire, and a second semiconductor element is pressed onto the first semiconductor element. , may be used to press the second semiconductor element and bury at least part of the first wire.

본 발명은 또한, 에폭시 수지와, 페놀 수지와, 엘라스토머와, 필러를 함유하고, 필러의 함유량이, 에폭시 수지, 페놀 수지, 엘라스토머, 및 필러의 총량을 기준으로 하여, 40~68질량%이며, 에폭시 수지가, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지를 포함하는, 조성물의, 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속됨과 함께, 제1 반도체 소자 상에, 제2 반도체 소자가 압착되어 이루어지는 반도체 장치에 있어서, 제2 반도체 소자를 압착함과 함께 제1 와이어의 적어도 일부를 매립하기 위하여 이용되는, 접착제로서의 응용(사용) 또는 접착제의 제조를 위한 응용(사용)에 관한 것이어도 된다.The present invention also contains an epoxy resin, a phenol resin, an elastomer, and a filler, and the content of the filler is 40 to 68% by mass based on the total amount of the epoxy resin, phenol resin, elastomer, and filler, The first semiconductor element is connected by wire bonding to a substrate of a composition in which the epoxy resin contains an epoxy resin having a naphthalene skeleton via a first wire, and the second semiconductor element is pressed onto the first semiconductor element. In a semiconductor device formed by a semiconductor device, it may be applied as an adhesive used to press a second semiconductor element and embed at least a part of the first wire, or may be used for manufacturing an adhesive. .

본 발명의 다른 일 측면은, 상기의 접착제 조성물을 필름상으로 형성하여 이루어지는, 필름상 접착제를 제공한다.Another aspect of the present invention provides a film-like adhesive obtained by forming the above-mentioned adhesive composition into a film.

본 발명의 다른 일 측면은, 기재(基材)와, 기재 상에 마련된 상기의 필름상 접착제를 구비하는, 접착 시트를 제공한다.Another aspect of the present invention provides an adhesive sheet comprising a base material and the above film-like adhesive provided on the base material.

기재는, 다이싱 테이프여도 된다. 기재가 다이싱 테이프인 접착 시트를 "다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트"라고 하는 경우가 있다.The base material may be a dicing tape. An adhesive sheet whose base material is dicing tape is sometimes called a “dicing/die bonding integrated adhesive sheet.”

본 발명의 다른 일 측면은, 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정과, 제2 반도체 소자의 편면에, 상기의 필름상 접착제를 첩부하는 래미네이트 공정과, 필름상 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름상 접착제를 개재하여 압착함으로써, 제1 와이어의 적어도 일부를 필름상 접착제에 매립하는 다이본드 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.Another aspect of the present invention includes a wire bonding process of electrically connecting a first semiconductor element on a substrate via a first wire, and a laminating process of attaching the above-described film-like adhesive to one side of the second semiconductor element. and a die-bonding process of embedding at least a portion of the first wire in the film-like adhesive by pressing the second semiconductor element to which the film-like adhesive is attached via the film-like adhesive. do.

또한, 반도체 장치는, 반도체 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속됨과 함께, 제1 반도체 소자 상에, 제2 반도체 소자가 필름상 접착제를 개재하여 압착됨으로써, 제1 와이어의 적어도 일부가 필름상 접착제에 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치여도 되고, 제1 와이어 및 제1 반도체 소자가 필름상 접착제에 매립되어 이루어지는 반도체 소자(반도체 칩) 매립형의 반도체 장치여도 된다.In addition, the semiconductor device is configured such that a first semiconductor element is connected by wire bonding to a semiconductor substrate via a first wire, and a second semiconductor element is pressed onto the first semiconductor element via a film-like adhesive, thereby forming the first semiconductor element. It may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a portion of the wire is embedded in a film-like adhesive, or a semiconductor element (semiconductor chip)-embedded semiconductor device in which the first wire and the first semiconductor element are embedded in a film-like adhesive.

본 발명에 의하면, 본 발명은, 필름상 접착제를 형성했을 때의 저온 첩부성이 우수함과 함께, 충분한 고온 저장 탄성률을 갖고, 또한 충분한 유리 전이 온도를 갖는 경화물을 형성하는 것이 가능한 접착제 조성물이 제공된다. 당해 접착제 조성물을 필름상으로 형성하여 이루어지는 필름상 접착제는, 반도체 소자(반도체 칩) 매립형 필름상 접착제인 FOD(Film Over Die) 또는 와이어 매립형 필름상 접착제인 FOW(Film Over Wire)로서 유용해질 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 이와 같은 필름상 접착제를 이용한 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, the present invention provides an adhesive composition that is excellent in low-temperature sticking properties when forming a film adhesive, has a sufficient high-temperature storage modulus, and can form a cured product having a sufficient glass transition temperature. do. The film adhesive formed by forming the adhesive composition into a film can be useful as FOD (Film Over Die), which is a semiconductor element (semiconductor chip) embedded film adhesive, or FOW (Film Over Wire), which is a wire embedded film adhesive. . Additionally, according to the present invention, a method for manufacturing an adhesive sheet and a semiconductor device using such a film-like adhesive is provided.

도 1은 일 실시형태에 관한 필름상 접착제를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 일 실시형태에 관한 접착 시트를 나타내는 모식 단면도이다.
도 3은 다른 실시형태에 관한 접착 시트를 나타내는 모식 단면도이다.
도 4는 일 실시형태에 관한 반도체 장치를 나타내는 모식 단면도이다.
도 5는 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
도 6은 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
도 7은 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
도 8은 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.
도 9는 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a film-like adhesive according to one embodiment.
Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to one embodiment.
Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor device according to one embodiment.
5 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment.
Figure 6 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment.
7 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment.
Fig. 8 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment.
9 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment.

이하, 도면을 적절히 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with appropriate reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments.

본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산은 아크릴산 또는 그것에 대응하는 메타크릴산을 의미한다. (메트)아크릴로일기 등의 다른 유사 표현에 대해서도 동일하다.In this specification, (meth)acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid corresponding thereto. The same applies to other similar expressions such as (meth)acryloyl group.

[접착제 조성물][Adhesive composition]

일 실시형태에 관한 접착제 조성물은, (A) 에폭시 수지와, (B) 페놀 수지와, (C) 엘라스토머와, (D) 필러를 함유한다. 접착제 조성물은, 열경화성이며, 반(半)경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 경화 처리 후에 완전 경화물(C 스테이지) 상태가 될 수 있다.The adhesive composition according to one embodiment contains (A) an epoxy resin, (B) a phenol resin, (C) an elastomer, and (D) a filler. The adhesive composition is thermosetting and can go through a semi-cured (B stage) state and then into a fully cured (C stage) state after curing treatment.

<(A) 성분: 에폭시 수지><(A) component: epoxy resin>

(A) 성분은, (A-1) 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지를 포함한다.(A) Component contains (A-1) an epoxy resin having a naphthalene skeleton.

(A-1) 성분은, 나프탈렌 골격을 갖는 것이면 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. (A-1) 성분은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. (A) 성분이, (A-1) 성분을 포함함으로써, 접착제 조성물의 경화물은, 충분한 고온 저장 탄성률을 갖고, 또한 충분한 유리 전이 온도를 갖는 것이 될 수 있다. (A-1) 성분은, 4관능 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지여도 된다.The component (A-1) can be used without particular restrictions as long as it has a naphthalene skeleton. (A-1) You may use a component individually 1 type or in combination of 2 or more types. When the component (A) contains the component (A-1), the cured product of the adhesive composition can have a sufficient high-temperature storage elastic modulus and a sufficient glass transition temperature. (A-1) The component may be an epoxy resin having a tetrafunctional or higher epoxy group.

(A-1) 성분의 시판품으로서는, 예를 들면 "HP-4700", "HP-4710", "HP-4770"(상품명, 모두 DIC 주식회사제), "NC-7000-L", "NC-7300-L"(상품명, 모두 닛폰 가야쿠 주식회사제) 등을 들 수 있다.(A-1) Commercially available products of the component include, for example, "HP-4700", "HP-4710", "HP-4770" (brand names, all manufactured by DIC Corporation), "NC-7000-L", and "NC- 7300-L" (brand name, all manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), etc.

(A-1) 성분은, 예를 들면 하기 식 (X)로 나타나는 에폭시 수지를 포함하고 있어도 된다.(A-1) The component may contain, for example, an epoxy resin represented by the following formula (X).

[화학식 2][Formula 2]

(A-1) 성분의 연화점은, 보다 충분한 고온 저장 탄성률을 갖고, 또한 보다 충분한 유리 전이 온도를 갖는 접착제 조성물의 경화물이 얻어지는 경향이 있는 점에서, 30℃ 이상이어도 된다. (A-1) 성분의 연화점은, 40℃ 이상, 80℃ 이상, 또는 90℃ 이상이어도 되고, 120℃ 이하, 110℃ 이하, 또는 100℃ 이하여도 된다.The softening point of component (A-1) may be 30°C or higher because a cured product of the adhesive composition having a more sufficient high-temperature storage elastic modulus and a more sufficient glass transition temperature tends to be obtained. The softening point of the component (A-1) may be 40°C or higher, 80°C or higher, or 90°C or higher, and may be 120°C or lower, 110°C or lower, or 100°C or lower.

(A-1) 성분의 에폭시 당량은, 특별히 제한되지 않지만, 10~600g/eq, 100~500g/eq, 또는 120~450g/eq여도 된다. (A-1) 성분의 에폭시 당량이 이와 같은 범위에 있으면, 보다 양호한 반응성 및 유동성이 얻어지는 경향이 있다.The epoxy equivalent of the component (A-1) is not particularly limited, but may be 10 to 600 g/eq, 100 to 500 g/eq, or 120 to 450 g/eq. (A-1) When the epoxy equivalent of component is within this range, better reactivity and fluidity tend to be obtained.

(A-1) 성분의 함유량은, (A) 성분의 총량을 기준으로 하여, 20~80질량%, 30~70질량%, 또는 30~60질량%여도 된다.The content of component (A-1) may be 20 to 80 mass%, 30 to 70 mass%, or 30 to 60 mass% based on the total amount of component (A).

(A-1) 성분의 함유량은, 필름상 접착제를 형성했을 때의 저온 첩부성이 보다 우수하고, 접착제 조성물의 경화물에 있어서, 보다 충분한 고온 저장 탄성률이 얻어지는 경향이 있는 점에서, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량을 기준으로 하여, 14~30질량%여도 된다. (A-1) 성분의 함유량은, (A) 성분 및 (B) 성분의 총량을 기준으로 하여, 15질량% 이상 또는 18질량% 이상이어도 되고, 25질량% 이하 또는 22질량% 이하여도 된다.The content of component (A-1) tends to provide better low-temperature sticking properties when forming a film adhesive and to obtain a more sufficient high-temperature storage modulus in the cured product of the adhesive composition, (A) Based on the total amount of the component and (B) component, it may be 14 to 30 mass%. The content of component (A-1) may be 15 mass% or more or 18 mass% or more, and may be 25 mass% or less or 22 mass% or less, based on the total amount of component (A) and component (B).

(A) 성분은, (A-1) 성분에 더하여, (A-2) 나프탈렌 골격을 갖지 않는 에폭시 수지를 포함하고 있어도 된다. (A-2) 성분으로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트라이아진 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지, 트라이페놀메테인형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 자일릴렌형 에폭시 수지, 페닐아랄킬형 에폭시 수지, 바이페닐아랄킬형 에폭시 수지, 다관능 페놀류, 안트라센 등의 다환 방향족류(단, 나프탈렌을 제외함)의 다이글리시딜에터 화합물 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. (A-2) 성분은, 비스페놀형 에폭시 수지여도 된다.In addition to component (A-1), component (A) may contain (A-2) an epoxy resin that does not have a naphthalene skeleton. (A-2) Components include, for example, bisphenol A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol S-type epoxy resin, phenol novolak-type epoxy resin, cresol novolak-type epoxy resin, and bisphenol A novolak-type epoxy resin. , bisphenol F novolak-type epoxy resin, stilbene-type epoxy resin, epoxy resin containing a triazine skeleton, epoxy resin containing a fluorene skeleton, triphenolmethane-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, xylylene-type epoxy resin, phenyl aralkyl type. Epoxy resins, biphenyl aralkyl type epoxy resins, polyfunctional phenols, diglycidyl ether compounds of polycyclic aromatics such as anthracene (however, excluding naphthalene), and the like. These may be used individually or in combination of two or more types. (A-2) The component may be a bisphenol type epoxy resin.

(A-2) 성분의 에폭시 당량은, 특별히 제한되지 않지만, 90~600g/eq, 100~500g/eq, 또는 120~450g/eq여도 된다. (A-2) 성분의 에폭시 당량이 이와 같은 범위에 있으면, 보다 양호한 반응성 및 유동성이 얻어지는 경향이 있다.The epoxy equivalent of the component (A-2) is not particularly limited, but may be 90 to 600 g/eq, 100 to 500 g/eq, or 120 to 450 g/eq. (A-2) When the epoxy equivalent weight of component is within this range, better reactivity and fluidity tend to be obtained.

(A-2) 성분의 함유량은, (A) 성분의 총량을 기준으로 하여, 80~20질량%, 70~30질량%, 또는 70~40질량%여도 된다.The content of component (A-2) may be 80 to 20 mass%, 70 to 30 mass%, or 70 to 40 mass% based on the total amount of component (A).

(A) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 10~50질량%여도 된다. (A) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 12질량% 이상, 15질량% 이상, 또는 18질량% 이상이어도 되고, 40질량% 이하, 30질량% 이하, 또는 25질량% 이하여도 된다.The content of component (A) may be 10 to 50% by mass based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). The content of component (A) is 12% by mass or more, 15% by mass or more, or 18% by mass or more based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). It may be 40% by mass or less, 30% by mass or less, or 25% by mass or less.

<(B) 성분: 페놀 수지><(B) component: phenolic resin>

(B) 성분은, 분자 내에 페놀성 수산기를 갖는 것이면 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. (B) 성분으로서는, 예를 들면 페놀, 크레졸, 레조신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 다이하이드록시나프탈렌 등의 나프톨류와 폼알데하이드 등의 알데하이드기를 갖는 화합물을 산성 촉매하에서 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락형 페놀 수지, 알릴화 비스페놀 A, 알릴화 비스페놀 F, 알릴화 나프탈렌다이올, 페놀 노볼락, 페놀 등의 페놀류 및/또는 나프톨류와 다이메톡시파라자일렌 또는 비스(메톡시메틸)바이페닐로부터 합성되는 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지, 바이페닐아랄킬형 페놀 수지, 페닐아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. (B) 성분은, 노볼락형 페놀 수지여도 된다.Component (B) can be used without particular restrictions as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule. (B) Components include, for example, phenols such as phenol, cresol, resocin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol, and aminophenol, and/or α-naphthol, β-naphthol, dihydroxynaphthalene, etc. Novolak-type phenol resin obtained by condensing or co-condensing compounds having an aldehyde group such as naphthol and formaldehyde under an acidic catalyst, phenols such as allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol novolac, and phenol. and/or phenol aralkyl resins, naphthol aralkyl resins, biphenyl aralkyl type phenol resins, and phenyl aralkyl type phenol resins synthesized from naphthols and dimethoxyparaxylene or bis(methoxymethyl)biphenyl. there is. These may be used individually or in combination of two or more types. (B) The component may be a novolak-type phenol resin.

(B) 성분의 시판품으로서는, 예를 들면 레시톱 시리즈(군에이 가가쿠 고교 주식회사제), 페노라이트 KA 시리즈, TD 시리즈(DIC 주식회사제), 밀렉스 XLC 시리즈, XL 시리즈(미쓰이 가가쿠 주식회사제), HE 시리즈(에어·워터 주식회사제) 등을 들 수 있다.(B) Commercially available products of the component include, for example, the Resitop series (manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.), Phenolite KA series, TD series (manufactured by DIC Corporation), Millex XLC series, and XL series (manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd.). ), HE series (manufactured by Air Water Co., Ltd.), etc.

(B) 성분의 수산기 당량은, 특별히 제한되지 않지만, 80~400g/eq, 90~350g/eq, 또는 100~300g/eq여도 된다. (B) 성분의 수산기 당량이 이와 같은 범위에 있으면, 보다 양호한 반응성 및 유동성이 얻어지는 경향이 있다.The hydroxyl equivalent of component (B) is not particularly limited, but may be 80 to 400 g/eq, 90 to 350 g/eq, or 100 to 300 g/eq. When the hydroxyl equivalent weight of component (B) is within this range, better reactivity and fluidity tend to be obtained.

(A) 성분의 에폭시 당량과 (B) 성분의 수산기 당량의 비((A) 성분의 에폭시 당량/(B) 성분의 수산기 당량)는, 경화성의 관점에서, 0.30/0.70~0.70/0.30, 0.35/0.65~0.65/0.35, 0.40/0.60~0.60/0.40, 또는 0.45/0.55~0.55/0.45여도 된다. 당해 당량비가 0.30/0.70 이상이면, 보다 충분한 경화성이 얻어지는 경향이 있다. 당해 당량비가 0.70/0.30 이하이면, 점도가 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있어, 보다 충분한 유동성을 얻을 수 있다.The ratio of the epoxy equivalent of component (A) and the hydroxyl equivalent of component (B) (epoxy equivalent of component (A)/hydroxyl equivalent of component (B)) is, from the viewpoint of curability, 0.30/0.70 to 0.70/0.30, 0.35. /0.65~0.65/0.35, 0.40/0.60~0.60/0.40, or 0.45/0.55~0.55/0.45. If the equivalence ratio is 0.30/0.70 or more, more sufficient curability tends to be obtained. If the equivalence ratio is 0.70/0.30 or less, excessive increase in viscosity can be prevented and more sufficient fluidity can be obtained.

(B) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 5~30질량%여도 된다. (B) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 8질량% 이상, 10질량% 이상, 또는 12질량% 이상이어도 되고, 25질량% 이하, 20질량% 이하, 또는 18질량% 이하여도 된다.The content of component (B) may be 5 to 30% by mass based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). The content of component (B) is 8% by mass or more, 10% by mass or more, or 12% by mass or more based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). It may be 25 mass% or less, 20 mass% or less, or 18 mass% or less.

<(C) 성분: 엘라스토머><(C) Ingredient: Elastomer>

(C) 성분으로서는, 예를 들면 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 유레테인 수지, 폴리페닐렌에터 수지, 폴리에터이미드 수지, 페녹시 수지, 변성 폴리페닐렌에터 수지 등이며, 가교성 관능기를 갖는 것을 들 수 있다. 이들 중에서도, (C) 성분은, 아크릴 수지여도 된다. 여기에서, 아크릴 수지란, (메트)아크릴산 에스터에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머를 의미한다. 아크릴 수지는, 구성 단위로서, 에폭시기, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카복시기 등의 가교성 관능기를 갖는 (메트)아크릴산 에스터에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머여도 된다. 또, 아크릴 수지는, (메트)아크릴산 에스터와 아크릴나이트릴의 공중합체 등의 아크릴 고무여도 된다. 아크릴 수지는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.(C) Components include, for example, polyimide resin, acrylic resin, urethane resin, polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, phenoxy resin, modified polyphenylene ether resin, etc., and are crosslinkable. Those having a functional group can be mentioned. Among these, (C) component may be an acrylic resin. Here, acrylic resin means a polymer containing structural units derived from (meth)acrylic acid ester. The acrylic resin may be a polymer containing, as a structural unit, a structural unit derived from (meth)acrylic acid ester having a crosslinkable functional group such as an epoxy group, alcoholic or phenolic hydroxyl group, or carboxyl group. Additionally, the acrylic resin may be an acrylic rubber such as a copolymer of (meth)acrylic acid ester and acrylonitrile. Acrylic resin may be used individually or in combination of two or more types.

아크릴 수지의 시판품으로서는, 예를 들면 "SG-70L", "SG-708-6", "WS-023 EK30", "SG-280 EK23", "HTR-860P-3", "HTR-860P-3CSP", "HTR-860P-3CSP-3DB"(상품명, 모두 나가세 켐텍스 주식회사제)를 들 수 있다.Commercially available acrylic resins include, for example, "SG-70L", "SG-708-6", "WS-023 EK30", "SG-280 EK23", "HTR-860P-3", and "HTR-860P- 3CSP" and "HTR-860P-3CSP-3DB" (brand names, all manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.).

(C) 성분의 유리 전이 온도(Tg)는, -50~50℃ 또는 -30~20℃여도 된다. (C) 성분의 Tg가 -50℃ 이상이면, 필름상 접착제를 형성한 후의 택킹성이 낮아져, 취급성이 보다 향상되는 경향이 있다. (C) 성분의 Tg가 50℃ 이하이면, 접착제 조성물의 유동성을 보다 충분히 확보할 수 있는 경향이 있다. 여기에서, (C) 성분의 유리 전이 온도(Tg)는, DSC(열시차 주사 열량계)(예를 들면, 주식회사 리가쿠제 "Thermo Plus 2")를 이용하여 측정된 값을 의미한다.The glass transition temperature (Tg) of component (C) may be -50 to 50°C or -30 to 20°C. When the Tg of component (C) is -50°C or higher, the tackiness after forming the film adhesive tends to be lowered and the handleability tends to be further improved. When the Tg of component (C) is 50°C or lower, the fluidity of the adhesive composition tends to be more sufficiently secured. Here, the glass transition temperature (Tg) of component (C) means the value measured using a DSC (differential scanning calorimeter) (for example, "Thermo Plus 2" manufactured by Rigaku Co., Ltd.).

(C) 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은, 5만~120만, 10만~120만, 또는 30만~90만이어도 된다. (C) 성분의 Mw가 5만 이상이면, 성막성이 보다 우수한 경향이 있다. (C) 성분의 Mw가 120만 이하이면, 유동성이 보다 우수한 경향이 있다. 또한, Mw는, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스타이렌에 의한 검량선을 이용하여 환산한 값이다.(C) The weight average molecular weight (Mw) of the component may be 50,000 to 1.2 million, 100,000 to 1.2 million, or 300,000 to 900,000. When the Mw of the component (C) is 50,000 or more, the film forming properties tend to be more excellent. (C) When the Mw of the component is 1.2 million or less, the fluidity tends to be more excellent. In addition, Mw is a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve using standard polystyrene.

(C) 성분의 Mw의 측정 장치, 측정 조건 등은, 이하와 같다.(C) The measuring device and measurement conditions for Mw of component are as follows.

펌프: L-6000(주식회사 히타치 세이사쿠쇼제)Pump: L-6000 (made by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.)

칼럼: 젤팩(Gelpack) GL-R440(히타치 가세이 주식회사제), 젤팩(Gelpack) GL-R450(히타치 가세이 주식회사제), 및 젤팩 GL-R400M(히타치 가세이 주식회사제)(각 10.7mm(직경)×300mm)을 이 순서로 연결한 칼럼Column: Gelpack GL-R440 (manufactured by Hitachi Kasei Corporation), Gelpack GL-R450 (manufactured by Hitachi Kasei Corporation), and Gelpack GL-R400M (manufactured by Hitachi Kasei Corporation) (each 10.7 mm (diameter) × 300 mm) ) in this order.

용리액: 테트라하이드로퓨란(THF)Eluent: Tetrahydrofuran (THF)

샘플: 시료 120mg을 THF 5mL에 용해시킨 용액Sample: 120 mg of sample dissolved in 5 mL of THF

유속: 1.75mL/분Flow rate: 1.75 mL/min

(C) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 5~20질량%여도 된다. (C) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 8질량% 이상, 10질량% 이상, 또는 12질량% 이상이어도 되고, 19질량% 이하, 18질량% 이하, 또는 17질량% 이하여도 된다. (C) 성분의 함유량이 5질량% 이상이면, 필름상 접착제를 형성했을 때의 저온 첩부성이 보다 우수한 경향이 있다. (C) 성분의 함유량이 20질량% 이하이면, 접착제 조성물의 경화물에 있어서, 보다 충분한 고온 저장 탄성률이 얻어지는 경향이 있다.The content of component (C) may be 5 to 20% by mass based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). The content of component (C) is 8% by mass or more, 10% by mass or more, or 12% by mass or more based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). It may be 19 mass% or less, 18 mass% or less, or 17 mass% or less. When the content of component (C) is 5% by mass or more, low-temperature sticking properties when forming a film adhesive tend to be more excellent. When the content of component (C) is 20% by mass or less, a more sufficient high-temperature storage modulus tends to be obtained in the cured product of the adhesive composition.

<(D) 성분: 필러><(D) Ingredient: Filler>

(D) 성분은, 무기 필러여도 된다. (D) 성분으로서는, 예를 들면 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, (D) 성분은, 실리카를 포함하고 있어도 된다.(D) The component may be an inorganic filler. (D) Components include, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, Amorphous silica, etc. can be mentioned. These may be used individually or in combination of two or more types. Among these, component (D) may contain silica.

(D) 성분의 평균 입경은, 접착성이 보다 향상되는 관점에서, 0.005~2.0μm, 0.005~1.5μm, 0.005~1.0μm여도 된다. 여기에서, 평균 입경은, BET 비표면적으로부터 환산함으로써 구해지는 값을 의미한다.The average particle diameter of the component (D) may be 0.005 to 2.0 μm, 0.005 to 1.5 μm, or 0.005 to 1.0 μm from the viewpoint of further improving adhesiveness. Here, the average particle diameter means a value obtained by converting from the BET specific surface area.

(D) 성분은, 그 표면과 용제, 다른 성분 등과의 상용성, 접착 강도의 관점에서 표면 처리제에 의하여 표면 처리되어 있어도 된다. 표면 처리제로서는, 예를 들면 실레인계 커플링제 등을 들 수 있다. 실레인계 커플링제의 관능기로서는, 예를 들면 바이닐기, (메트)아크릴로일기, 에폭시기, 머캅토기, 아미노기, 다이아미노기, 알콕시기, 에톡시기 등을 들 수 있다.The component (D) may be surface treated with a surface treatment agent from the viewpoint of compatibility with the surface, solvent, other components, etc., and adhesive strength. Examples of surface treatment agents include silane-based coupling agents. Examples of the functional group of the silane-based coupling agent include vinyl group, (meth)acryloyl group, epoxy group, mercapto group, amino group, diamino group, alkoxy group, and ethoxy group.

(D) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 40~68질량%이다. (D) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 45질량% 이상, 48질량% 이상, 또는 50질량% 이상이어도 되고, 65질량% 이하, 60질량% 이하, 또는 55질량% 이하여도 된다. (D) 성분의 함유량이 40질량% 이상이면, 접착제 조성물의 경화물에 있어서, 보다 충분한 고온 저장 탄성률이 얻어지는 경향이 있다. (D) 성분의 함유량이 68질량% 이하이면, 필름상 접착제를 형성했을 때의 저온 첩부성이 우수한 경향이 있다.The content of component (D) is 40 to 68 mass% based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). The content of component (D) is 45% by mass or more, 48% by mass or more, or 50% by mass or more based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). It may be 65% by mass or less, 60% by mass or less, or 55% by mass or less. When the content of component (D) is 40% by mass or more, a more sufficient high-temperature storage modulus tends to be obtained in the cured product of the adhesive composition. When the content of component (D) is 68% by mass or less, low-temperature sticking properties tend to be excellent when forming a film adhesive.

<(E) 성분: 경화 촉진제><(E) Ingredient: Curing accelerator>

접착제 조성물은, (E) 성분을 더 함유하고 있어도 된다. 접착제 조성물이 (E) 성분을 함유함으로써, 접착성과 접속 신뢰성을 보다 양립시킬 수 있는 경향이 있다. (E) 성분으로서는, 예를 들면 이미다졸류 및 그 유도체, 유기 인계 화합물, 제2급 아민류, 제3급 아민류, 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, 반응성의 관점에서 (E) 성분은 이미다졸류 및 그 유도체여도 된다.The adhesive composition may further contain component (E). When the adhesive composition contains component (E), adhesiveness and connection reliability tend to be more compatible. Examples of the component (E) include imidazoles and their derivatives, organophosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, and quaternary ammonium salts. These may be used individually or in combination of two or more types. Among these, from the viewpoint of reactivity, the (E) component may be imidazoles or their derivatives.

이미다졸류로서는, 예를 들면 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-사이아노에틸-2-메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.Examples of imidazole include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-methylimidazole. Sol, etc. can be mentioned. These may be used individually or in combination of two or more types.

(E) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 0.01~0.15질량%여도 된다. (E) 성분의 함유량이 이와 같은 범위에 있으면, 접착성과 접속 신뢰성을 보다 양립시킬 수 있는 경향이 있다.The content of component (E) may be 0.01 to 0.15% by mass based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). When the content of component (E) is within this range, there is a tendency for both adhesiveness and connection reliability to be more compatible.

<(F) 성분: 커플링제><(F) Ingredient: Coupling agent>

접착제 조성물은, (F) 성분을 더 함유하고 있어도 된다. 접착제 조성물이 (F) 성분을 함유함으로써, 이종(異種) 성분 간의 계면 결합을 보다 높일 수 있는 경향이 있다. (F) 성분으로서는, 예를 들면 실레인계 커플링제, 타이타네이트계 커플링제, 알루미늄계 커플링제 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, (F) 성분은, 실레인계 커플링제여도 된다.The adhesive composition may further contain component (F). When the adhesive composition contains component (F), there is a tendency to further enhance the interfacial bonding between different components. Examples of the component (F) include silane-based coupling agents, titanate-based coupling agents, and aluminum-based coupling agents. These may be used individually or in combination of two or more types. Among these, component (F) may be a silane-based coupling agent.

실레인계 커플링제로서는, 예를 들면 바이닐트라이클로로실레인, 바이닐트라이에톡시실레인, 바이닐트리스(β-메톡시에톡시)실레인, γ-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인, γ-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, γ-글리시독시프로필메틸다이메톡시실레인, 바이닐트라이아세톡시실레인, γ-머캅토프로필트라이메톡시실레인, γ-아미노프로필트라이메톡시실레인, γ-아미노프로필메틸다이메톡시실레인, γ-아미노프로필트라이에톡시실레인, γ-아미노프로필메틸다이에톡시실레인, γ-아닐리노프로필트라이메톡시실레인, γ-아닐리노프로필트라이에톡시실레인, γ-(N,N-다이메틸)아미노프로필트라이메톡시실레인, γ-(N,N-다이에틸)아미노프로필트라이메톡시실레인, γ-(N,N-다이뷰틸)아미노프로필트라이메톡시실레인, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트라이메톡시실레인, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트라이메톡시실레인, γ-(N,N-다이메틸)아미노프로필트라이에톡시실레인, γ-(N,N-다이에틸)아미노프로필트라이에톡시실레인, γ-(N,N-다이뷰틸)아미노프로필트라이에톡시실레인, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트라이에톡시실레인, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트라이에톡시실레인, γ-(N,N-다이메틸)아미노프로필메틸다이메톡시실레인, γ-(N,N-다이에틸)아미노프로필메틸다이메톡시실레인, γ-(N,N-다이뷰틸)아미노프로필메틸다이메톡시실레인, γ-(N-메틸)아닐리노프로필메틸다이메톡시실레인, γ-(N-에틸)아닐리노프로필메틸다이메톡시실레인, N-(트라이메톡시실릴프로필)에틸렌다이아민, N-(다이메톡시메틸실릴아이소프로필)에틸렌다이아민, 메틸트라이메톡시실레인, 다이메틸다이메톡시실레인, 메틸트라이에톡시실레인, γ-클로로프로필트라이메톡시실레인, 헥사메틸다이실레인, 바이닐트라이메톡시실레인, γ-머캅토프로필메틸다이메톡시실레인, γ-유레이도프로필트라이에톡시실레인 등을 들 수 있다.Silane-based coupling agents include, for example, vinyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris(β-methoxyethoxy)silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and β-( 3,4-Epoxycyclohexyl) ethyl trimethoxysilane, γ-glycidoxypropyl trimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, vinyl triacetoxysilane, γ-mer Captopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, γ-anilinopropyltriethoxysilane, γ-(N,N-dimethyl)aminopropyltrimethoxysilane, γ-(N,N-diethyl) Aminopropyltrimethoxysilane, γ-(N,N-dibutyl)aminopropyltrimethoxysilane, γ-(N-methyl)anilinopropyltrimethoxysilane, γ-(N-ethyl)anyl Linopropyltrimethoxysilane, γ-(N,N-dimethyl)aminopropyltriethoxysilane, γ-(N,N-diethyl)aminopropyltriethoxysilane, γ-(N,N -Dibutyl)aminopropyltriethoxysilane, γ-(N-methyl)anilinopropyltriethoxysilane, γ-(N-ethyl)anilinopropyltriethoxysilane, γ-(N,N -Dimethyl)aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-(N,N-diethyl)aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-(N,N-dibutyl)aminopropylmethyldimethoxysilane , γ-(N-methyl)anilinopropylmethyldimethoxysilane, γ-(N-ethyl)anilinopropylmethyldimethoxysilane, N-(trimethoxysilylpropyl)ethylenediamine, N- (Dimethoxymethylsilylisopropyl)ethylenediamine, methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, methyltriethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, hexamethyldisilane , vinyl trimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, etc.

(F) 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 0.1~5.0질량%여도 된다. (F) 성분의 함유량이 이와 같은 범위에 있으면, 이종 성분 간의 계면 결합을 보다 높일 수 있는 경향이 있다.The content of component (F) may be 0.1 to 5.0% by mass based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D). When the content of component (F) is within this range, there is a tendency to further increase the interfacial bonding between heterogeneous components.

<그 외의 성분><Other ingredients>

접착제 조성물은, 그 외의 성분으로서, 항산화제, 리올로지 컨트롤제, 레벨링제 등을 더 함유하고 있어도 된다. 이들 성분의 함유량은, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여, 0.01~3질량%여도 된다.The adhesive composition may further contain antioxidants, rheology control agents, leveling agents, etc. as other components. The content of these components may be 0.01 to 3% by mass based on the total amount of component (A), component (B), component (C), and component (D).

접착제 조성물은, 용제로 희석된 접착제 조성물의 바니시로서 이용해도 된다. 용제는, (D) 성분 이외의 성분을 용해할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 용제로서는, 예를 들면 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 큐멘, p-사이멘 등의 방향족 탄화 수소; 헥세인, 헵테인 등의 지방족 탄화 수소; 메틸사이클로헥세인 등의 환상 알케인; 테트라하이드로퓨란, 1,4-다이옥세인 등의 환상 에터; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등의 케톤; 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤 등의 에스터; 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 등의 탄산 에스터; N,N-다이메틸폼아마이드, N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아마이드 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, 용제는, 용해성 및 비점의 관점에서, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 또는 사이클로헥산온이어도 된다.The adhesive composition may be used as a varnish of an adhesive composition diluted with a solvent. The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve components other than component (D). Examples of solvents include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, cumene, and p-cymene; Aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane; Cyclic alkanes such as methylcyclohexane; Cyclic ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; Esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, and γ-butyrolactone; Carbonate esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; Amides such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone can be mentioned. These may be used individually or in combination of two or more types. Among these, the solvent may be toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, or cyclohexanone from the viewpoint of solubility and boiling point.

접착제 조성물의 바니시 중의 고형 성분 농도는, 접착제 조성물의 바니시의 총량을 기준으로 하여, 10~80질량%여도 된다.The solid component concentration in the varnish of the adhesive composition may be 10 to 80 mass% based on the total amount of varnish of the adhesive composition.

접착제 조성물의 바니시는, (A) 성분~(F) 성분, 용제, 및 그 외의 성분을 혼합, 혼련함으로써 조제할 수 있다. 또한, 각 성분의 혼합, 혼련의 순서는 특별히 제한되지 않고, 적절히 설정할 수 있다. 혼합 및 혼련은, 통상의 교반기, 믹서, 3개롤, 볼 밀, 비즈 밀 등의 분산기를 적절히, 조합하여 행할 수 있다.The varnish of the adhesive composition can be prepared by mixing and kneading components (A) to (F), a solvent, and other components. Additionally, the order of mixing and kneading of each component is not particularly limited and can be set appropriately. Mixing and kneading can be performed by appropriately combining common stirrers, mixers, dispersers such as three rolls, ball mills, and bead mills.

접착제 조성물의 바니시를 조제한 후, 진공 탈기 등에 의하여 바니시 중의 기포를 제거해도 된다.After preparing the varnish of the adhesive composition, air bubbles in the varnish may be removed by vacuum degassing or the like.

[필름상 접착제][Film-like adhesive]

도 1은, 일 실시형태에 관한 필름상 접착제를 나타내는 모식 단면도이다. 필름상 접착제(10)는, 상기의 접착제 조성물을 필름상으로 형성하여 이루어지는 것이다. 필름상 접착제(10)는, 반경화(B 스테이지) 상태여도 된다. 이와 같은 필름상 접착제(10)는, 접착제 조성물을 지지 필름에 도포함으로써 형성할 수 있다. 접착제 조성물의 바니시를 이용하는 경우는, 접착제 조성물의 바니시를 지지 필름에 도포하고, 용제를 가열 건조하여 제거함으로써 필름상 접착제(10)를 형성할 수 있다.1 is a schematic cross-sectional view showing a film-like adhesive according to one embodiment. The film adhesive 10 is formed by forming the above adhesive composition into a film. The film adhesive 10 may be in a semi-cured (B stage) state. Such a film-like adhesive 10 can be formed by applying an adhesive composition to a support film. When using a varnish of an adhesive composition, the film adhesive 10 can be formed by applying the varnish of an adhesive composition to a support film and removing the solvent by heating and drying it.

지지 필름으로서는, 예를 들면 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 등의 필름을 들 수 있다. 지지 필름의 두께는, 예를 들면 10~200μm 또는 20~170μm여도 된다.Examples of the support film include films such as polytetrafluoroethylene, polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, polyethylene terephthalate, and polyimide. The thickness of the support film may be, for example, 10 to 200 μm or 20 to 170 μm.

접착제 조성물의 바니시를 지지 필름에 도포하는 방법으로서는, 공지의 방법을 이용할 수 있고, 예를 들면 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비어 코트법, 바 코트법, 커튼 코트법 등을 들 수 있다. 가열 건조의 조건은, 사용한 용제가 충분히 휘발하는 조건이면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 50~200℃에서 0.1~90분간이어도 된다.As a method for applying the varnish of the adhesive composition to the support film, known methods can be used, for example, the knife coat method, roll coat method, spray coat method, gravure coat method, bar coat method, curtain coat method, etc. You can. The conditions for heat drying are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but may be, for example, 0.1 to 90 minutes at 50 to 200°C.

필름상 접착제의 두께는, 용도에 맞추어, 적절히 조정할 수 있다. 필름상 접착제의 두께는, 반도체 소자(반도체 칩), 와이어, 기판의 배선 회로 등의 요철 등을 충분히 매립하는 관점에서, 5~200μm, 10~110μm, 또는 15~80μm여도 된다.The thickness of the film adhesive can be adjusted appropriately depending on the intended use. The thickness of the film adhesive may be 5 to 200 μm, 10 to 110 μm, or 15 to 80 μm from the viewpoint of sufficiently embedding the irregularities of semiconductor elements (semiconductor chips), wires, and wiring circuits of the substrate.

필름상 접착제를 110℃에서 1시간, 계속해서 170℃, 1시간 가열함으로써 얻어지는 필름상 접착제의 경화물의 175℃에 있어서의 저장 탄성률은, 100MPa 이상이어도 되고, 200MPa 이상, 500MPa 이상, 또는 1000MPa 이상이어도 된다. 필름상 접착제의 경화물의 175℃에 있어서의 저장 탄성률이 100MPa 이상이면, 반도체 소자와 반도체 소자 탑재용 지지 부재의 사이에 어긋남 또는 박리를 억제할 수 있다. 필름상 접착제의 경화물의 175℃에 있어서의 저장 탄성률은, 예를 들면 2000MPa 이하여도 된다. 필름상 접착제의 경화물의 175℃에 있어서의 저장 탄성률은, 실시예에 기재된 방법에 의하여 측정된 값을 의미한다.The storage modulus at 175°C of the cured product of the film adhesive obtained by heating the film adhesive at 110°C for 1 hour and then at 170°C for 1 hour may be 100 MPa or more, 200 MPa or more, 500 MPa or more, or 1000 MPa or more. do. If the storage modulus of the cured film adhesive at 175°C is 100 MPa or more, displacement or peeling between the semiconductor element and the support member for mounting the semiconductor element can be suppressed. The storage modulus of the cured product of the film adhesive at 175°C may be, for example, 2000 MPa or less. The storage modulus of the cured film adhesive at 175°C means the value measured by the method described in the Examples.

필름상 접착제를 110℃에서 1시간, 계속해서 170℃에서 1시간 가열함으로써 얻어지는 필름상 접착제의 경화물의 유리 전이 온도(Tg)는, 190℃ 이상이어도 되고, 195℃ 이상, 200℃ 이상, 또는 205℃ 이상이어도 된다. 필름상 접착제의 경화물의 유리 전이 온도(Tg)가 190℃ 이상이면, 반도체 소자와 반도체 소자 탑재용 지지 부재의 사이에 어긋남 또는 박리를 억제할 수 있다. 필름상 접착제의 경화물의 유리 전이 온도(Tg)는, 예를 들면 250℃ 이하여도 된다. 필름상 접착제의 경화물의 유리 전이 온도(Tg)는, 실시예에 기재된 방법에 의하여 측정된 값을 의미한다.The glass transition temperature (Tg) of the cured product of the film adhesive obtained by heating the film adhesive at 110°C for 1 hour and then at 170°C for 1 hour may be 190°C or higher, 195°C or higher, 200°C or higher, or 205°C or higher. It may be ℃ or higher. If the glass transition temperature (Tg) of the cured product of the film adhesive is 190°C or higher, displacement or peeling between the semiconductor element and the support member for mounting the semiconductor element can be suppressed. The glass transition temperature (Tg) of the cured product of the film adhesive may be, for example, 250°C or lower. The glass transition temperature (Tg) of the cured film adhesive means the value measured by the method described in the Examples.

[접착 시트][Adhesive sheet]

도 2는, 일 실시형태에 관한 접착 시트를 나타내는 모식 단면도이다. 접착 시트(100)는, 기재(20)와 기재 상에 마련된 상기의 필름상 접착제(10)를 구비한다.Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to one embodiment. The adhesive sheet 100 includes a base material 20 and the above-described film-like adhesive 10 provided on the base material.

기재(20)는, 특별히 제한되지 않지만, 기재 필름이어도 된다. 기재 필름은, 상기의 지지 필름에서 예시한 것을 들 수 있다.The base material 20 is not particularly limited, but may be a base film. Examples of the base film include those exemplified by the above support film.

기재(20)는, 다이싱 테이프여도 된다. 이와 같은 접착 시트는, 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트로서 사용할 수 있다. 이 경우, 반도체 웨이퍼로의 래미네이트 공정이 1회가 되는 점에서, 작업의 효율화가 가능하다.The base material 20 may be a dicing tape. Such an adhesive sheet can be used as a dicing/die bonding integrated adhesive sheet. In this case, work efficiency can be improved because the laminating process for the semiconductor wafer is performed once.

다이싱 테이프로서는, 예를 들면 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 또, 다이싱 테이프는, 필요에 따라, 프라이머 도포, UV 처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리가 행해져 있어도 된다. 다이싱 테이프는, 점착성을 갖는 것이어도 된다. 이와 같은 다이싱 테이프는, 상기의 플라스틱 필름에 점착성을 부여한 것이어도 되고, 상기의 플라스틱 필름의 편면에 점착제층을 마련한 것이어도 된다.Examples of the dicing tape include plastic films such as polytetrafluoroethylene film, polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, and polyimide film. Additionally, the dicing tape may be subjected to surface treatment such as primer application, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, or etching treatment, as needed. The dicing tape may have adhesiveness. Such a dicing tape may be one in which adhesiveness is imparted to the above plastic film, or may be one in which an adhesive layer is provided on one side of the above plastic film.

접착 시트(100)는, 상기의 필름상 접착제를 형성하는 방법과 동일하게, 접착제 조성물을 기재 필름에 도포함으로써 형성할 수 있다. 접착제 조성물을 기재(20)에 도포하는 방법은, 상기의 접착제 조성물을 지지 필름에 도포하는 방법과 동일해도 된다.The adhesive sheet 100 can be formed by applying an adhesive composition to a base film in the same manner as the method for forming the film-like adhesive described above. The method of applying the adhesive composition to the substrate 20 may be the same as the method of applying the adhesive composition to the support film.

접착 시트(100)는, 미리 제작한 필름상 접착제를 이용하여 형성해도 된다. 이 경우, 접착 시트(100)는, 롤 래미네이터, 진공 래미네이터 등을 이용하여 소정 조건(예를 들면, 실온(20℃) 또는 가열 상태)으로 래미네이팅함으로써 형성할 수 있다. 접착 시트(100)는, 연속적으로 제조를 할 수 있고, 효율이 양호한 점에서, 가열 상태로 롤 래미네이터를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.The adhesive sheet 100 may be formed using a film-like adhesive produced in advance. In this case, the adhesive sheet 100 can be formed by laminating under predetermined conditions (for example, room temperature (20°C) or heated state) using a roll laminator, vacuum laminator, or the like. Since the adhesive sheet 100 can be manufactured continuously and has good efficiency, it is preferable to form it using a roll laminator in a heated state.

도 3은, 다른 실시형태에 관한 접착 시트를 나타내는 모식 단면도이다. 접착 시트(110)는, 필름상 접착제(10)의 기재(20)와는 반대 측의 면에 적층된 보호 필름(30)을 더 구비한다. 보호 필름(30)은, 상기의 지지 필름에서 예시한 것을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는, 예를 들면 10~200μm 또는 20~170μm여도 된다.Figure 3 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive sheet according to another embodiment. The adhesive sheet 110 further includes a protective film 30 laminated on the surface of the film adhesive 10 opposite to the substrate 20. The protective film 30 includes those exemplified by the above support film. The thickness of the protective film may be, for example, 10 to 200 μm or 20 to 170 μm.

[반도체 장치][Semiconductor device]

도 4는, 일 실시형태에 관한 반도체 장치를 나타내는 모식 단면도이다. 반도체 장치(200)는, 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14)에, 제1 와이어(88)를 개재하여 1단째의 제1 반도체 소자(Wa)가 와이어 본딩 접속됨과 함께, 제1 반도체 소자(Wa) 상에, 제2 반도체 소자(Waa)가 필름상 접착제(10)를 개재하여 압착됨으로써, 제1 와이어(88)의 적어도 일부가 필름상 접착제(10)에 매립되어 이루어지는 반도체 장치이다. 반도체 장치는, 제1 와이어(88)의 적어도 일부가 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치여도 되고, 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 매립되어 이루어지는 반도체 장치여도 된다. 또, 반도체 장치(200)에서는, 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14)와 제2 반도체 소자(Waa)가 추가로 제2 와이어(98)를 개재하여 전기적으로 접속됨과 함께, 제2 반도체 소자(Waa)가 밀봉재(42)에 의하여 밀봉되어 있다.Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor device according to one embodiment. The semiconductor device 200 includes a first semiconductor element Wa in the first stage connected by wire bonding to a semiconductor element mounting support member 14 via a first wire 88, and a first semiconductor element Wa ), the second semiconductor element Waa is compressed via the film adhesive 10, so that at least a part of the first wire 88 is embedded in the film adhesive 10. The semiconductor device may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a portion of the first wire 88 is embedded, or may be a semiconductor device in which the first wire 88 and the first semiconductor element Wa are embedded. In addition, in the semiconductor device 200, the semiconductor element mounting support member 14 and the second semiconductor element Waa are further electrically connected via the second wire 98, and the second semiconductor element Waa ) is sealed by the sealing material 42.

제1 반도체 소자(Wa)의 두께는, 10~170μm여도 되고, 제2 반도체 소자(Waa)의 두께는, 20~400μm여도 된다. 필름상 접착제(10)의 내부에 매립되어 있는 제1 반도체 소자(Wa)는, 반도체 장치(200)를 구동하기 위한 컨트롤러 칩이어도 된다.The thickness of the first semiconductor element Waa may be 10 to 170 μm, and the thickness of the second semiconductor element Waa may be 20 to 400 μm. The first semiconductor element Wa embedded in the film adhesive 10 may be a controller chip for driving the semiconductor device 200.

반도체 소자 탑재용 지지 부재(14)는, 표면에 회로 패턴(84, 94)이 각각 2개소씩 형성된 유기 기판(90)으로 이루어진다. 제1 반도체 소자(Wa)는, 회로 패턴(94) 상에 접착제(41)를 개재하여 압착되어 있다. 제2 반도체 소자(Waa)는, 제1 반도체 소자(Wa)가 압착되어 있지 않은 회로 패턴(94), 제1 반도체 소자(Wa), 및 회로 패턴(84)의 일부가 덮이도록 필름상 접착제(10)를 개재하여 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14)에 압착되어 있다. 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14) 상의 회로 패턴(84, 94)에 기인하는 요철의 단차에는, 필름상 접착제(10)가 매립되어 있다. 그리고, 수지제의 밀봉재(42)에 의하여, 제2 반도체 소자(Waa), 회로 패턴(84), 및 제2 와이어(98)가 밀봉되어 있다.The support member 14 for mounting semiconductor elements is made of an organic substrate 90 on which circuit patterns 84 and 94 are formed at two locations each. The first semiconductor element Wa is pressed onto the circuit pattern 94 via an adhesive 41. The second semiconductor element (Waa) is applied with a film-like adhesive ( It is pressed to the support member 14 for mounting semiconductor elements via 10). A film-like adhesive 10 is embedded in the uneven steps resulting from the circuit patterns 84 and 94 on the support member 14 for mounting semiconductor elements. Then, the second semiconductor element Waa, the circuit pattern 84, and the second wire 98 are sealed by the resin sealing material 42.

[반도체 장치의 제조 방법][Manufacturing method of semiconductor device]

본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 제1 와이어 본딩 공정과, 제2 반도체 소자의 편면에, 상기의 필름상 접착제를 첩부하는 래미네이트 공정과, 필름상 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 필름상 접착제를 개재하여 압착함으로써, 제1 와이어의 적어도 일부를 필름상 접착제에 매립하는 다이본드 공정을 구비한다.The semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment includes a first wire bonding process for electrically connecting a first semiconductor element on a substrate via a first wire, and applying the above film-like adhesive to one side of the second semiconductor element. It includes a laminate process of attaching and a die-bonding process of embedding at least a part of the first wire in the film adhesive by pressing the second semiconductor element to which the film adhesive is attached via the film adhesive.

도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 및 도 9는, 일 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 모식 단면도이다. 본 실시형태에 관한 반도체 장치(200)는, 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 매립되어 이루어지는 반도체 장치이며, 이하의 수순에 의하여 제조된다. 먼저, 도 5에 나타내는 바와 같이, 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14) 상의 회로 패턴(94) 상에, 접착제(41)를 갖는 제1 반도체 소자(Wa)를 압착하고, 제1 와이어(88)를 개재하여 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14) 상의 회로 패턴(84)과 제1 반도체 소자(Wa)를 전기적으로 본딩 접속한다(제1 와이어 본딩 공정).FIGS. 5, 6, 7, 8, and 9 are schematic cross-sectional views showing a series of steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment. The semiconductor device 200 according to this embodiment is a semiconductor device in which the first wire 88 and the first semiconductor element Wa are embedded, and is manufactured by the following procedure. First, as shown in FIG. 5, the first semiconductor element Wa with the adhesive 41 is pressed onto the circuit pattern 94 on the semiconductor element mounting support member 14, and the first wire 88 is attached. The circuit pattern 84 on the semiconductor element mounting support member 14 and the first semiconductor element Wa are electrically bonded and connected via (first wire bonding process).

다음으로, 반도체 웨이퍼(예를 들면, 두께 100μm, 사이즈 8인치)의 편면에, 접착 시트(100)를 래미네이팅하고, 기재(20)를 박리함으로써, 반도체 웨이퍼의 편면에 필름상 접착제(10)(예를 들면, 두께 110μm)를 첩부한다. 그리고, 필름상 접착제(10)에 다이싱 테이프를 첩합한 후, 소정의 크기(예를 들면, 평방 7.5mm)로 다이싱함으로써, 도 6에 나타내는 바와 같이, 필름상 접착제(10)를 첩부한 제2 반도체 소자(Waa)를 얻는다(래미네이트 공정).Next, the adhesive sheet 100 is laminated on one side of a semiconductor wafer (e.g., 100 μm thick, 8 inches in size), and the substrate 20 is peeled off to form a film-like adhesive (10) on one side of the semiconductor wafer. ) (e.g., 110 μm thick) is applied. Then, after attaching the dicing tape to the film adhesive 10, dicing it to a predetermined size (for example, 7.5 mm square) is used to attach the film adhesive 10, as shown in FIG. 6. A second semiconductor element (Waa) is obtained (lamination process).

래미네이트 공정의 온도 조건은, 50~100℃ 또는 60~80℃여도 된다. 래미네이트 공정의 온도가 50℃ 이상이면, 반도체 웨이퍼와 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 래미네이트 공정의 온도가 100℃ 이하이면, 래미네이트 공정 중에 필름상 접착제(10)가 과도하게 유동하는 것이 억제되기 때문에, 두께의 변화 등을 일으키는 것을 방지할 수 있다.The temperature conditions of the laminating process may be 50 to 100°C or 60 to 80°C. If the temperature of the laminating process is 50°C or higher, good adhesion to the semiconductor wafer can be obtained. If the temperature of the laminating process is 100°C or lower, excessive flow of the film adhesive 10 during the laminating process is suppressed, and thus changes in thickness, etc., can be prevented.

다이싱 방법으로서는, 예를 들면 회전 블레이드를 이용하는 블레이드 다이싱, 레이저에 의하여 필름상 접착제 또는 웨이퍼와 필름상 접착제의 양방을 절단하는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the dicing method include blade dicing using a rotating blade, a method of cutting the film adhesive or both the wafer and the film adhesive using a laser.

그리고, 필름상 접착제(10)를 첩부한 제2 반도체 소자(Waa)를, 제1 반도체 소자(Wa)가 제1 와이어(88)를 개재하여 본딩 접속된 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14)에 압착한다. 구체적으로는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 필름상 접착제(10)가 첩부된 제2 반도체 소자(Waa)를, 필름상 접착제(10)에 의하여 제1 와이어(88) 및 제1 반도체 소자(Wa)가 덮이도록 재치하고, 이어서, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제2 반도체 소자(Waa)를 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14)에 압착시킴으로써 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14)에 제2 반도체 소자(Waa)를 고정한다(다이본드 공정). 다이본드 공정은, 필름상 접착제(10)를 80~180℃, 0.01~0.50MPa의 조건으로 0.5~3.0초간 압착하는 것이어도 된다. 다이본드 공정 후, 필름상 접착제(10)를 60~175℃, 0.3~0.7MPa의 조건으로, 5분간 이상 압착해도 된다.Then, the second semiconductor element Waa to which the film-like adhesive 10 is attached is attached to the semiconductor element mounting support member 14 to which the first semiconductor element Wa is bonded via the first wire 88. Compress. Specifically, as shown in FIG. 7, the second semiconductor element Waa to which the film adhesive 10 is attached is connected to the first wire 88 and the first semiconductor element Waa by the film adhesive 10. ) is placed so that it is covered, and then, as shown in FIG. 8, the second semiconductor element Waa is pressed against the semiconductor element mounting support member 14 to attach the second semiconductor element to the semiconductor element mounting support member 14. (Waa) is fixed (die bond process). The die bond process may be to press the film adhesive 10 for 0.5 to 3.0 seconds under conditions of 80 to 180°C and 0.01 to 0.50 MPa. After the die-bonding process, the film adhesive 10 may be pressed for 5 minutes or more under conditions of 60 to 175°C and 0.3 to 0.7 MPa.

이어서, 도 9에 나타내는 바와 같이, 반도체 소자 탑재용 지지 부재(14)와 제2 반도체 소자(Waa)를 제2 와이어(98)를 개재하여 전기적으로 접속한 후(제2 와이어 본딩 공정), 회로 패턴(84), 제2 와이어(98) 및 제2 반도체 소자(Waa)를 밀봉재(42)로 밀봉한다. 이와 같은 공정을 거침으로써 반도체 장치(200)를 제조할 수 있다.Next, as shown in FIG. 9, after electrically connecting the semiconductor element mounting support member 14 and the second semiconductor element Waa via the second wire 98 (second wire bonding process), the circuit The pattern 84, the second wire 98, and the second semiconductor element Waa are sealed with a sealing material 42. The semiconductor device 200 can be manufactured by going through this process.

다른 실시형태로서, 반도체 장치는, 제1 와이어(88)의 적어도 일부가 매립되어 이루어지는 와이어 매립형의 반도체 장치여도 된다.As another embodiment, the semiconductor device may be a wire-embedded semiconductor device in which at least a portion of the first wire 88 is embedded.

실시예Example

이하, 본 발명에 대하여 실시예를 들어 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(실시예 1~5 및 비교예 1~3)(Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3)

<접착 시트의 제작><Production of adhesive sheet>

표 1에 나타내는 각 성분 및 그 함유량으로, 이하의 수순에 의하여 접착제 조성물의 바니시를 조제했다. 먼저, (A) 에폭시 수지, (B) 페놀 수지, 및 (D) 필러를 배합하고, 이것에 사이클로헥산온을 첨가하여 교반하며, 계속해서, (C) 엘라스토머, (E) 경화 촉진제, 및 (F) 커플링제를 첨가하고, 각 성분이 균일해질 때까지 교반함으로써, 고형분 40질량%의 접착제 조성물의 바니시를 얻었다.A varnish of the adhesive composition was prepared using each component and its content shown in Table 1 according to the following procedures. First, (A) epoxy resin, (B) phenol resin, and (D) filler are mixed, cyclohexanone is added thereto and stirred, and then (C) elastomer, (E) curing accelerator, and ( F) A varnish of an adhesive composition with a solid content of 40% by mass was obtained by adding a coupling agent and stirring until each component became uniform.

또한, 표 1 중의 각 성분은 이하와 같다.In addition, each component in Table 1 is as follows.

(A) 성분: 에폭시 수지(A) Ingredient: Epoxy resin

(A-1) 성분: 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지(A-1) Component: Epoxy resin having a naphthalene skeleton

HP-4710(상기의 식 (X)로 나타나는 에폭시 수지, DIC 주식회사제, 상품명 "HP-4710", 연화점: 95℃, 에폭시 당량: 170g/eq)HP-4710 (epoxy resin represented by the formula (X) above, manufactured by DIC Corporation, brand name "HP-4710", softening point: 95°C, epoxy equivalent weight: 170 g/eq)

(A-2) 성분: 나프탈렌 골격을 갖지 않는 에폭시 수지(A-2) Component: Epoxy resin without naphthalene skeleton

YDF-8170C(비스페놀 A형 에폭시 수지, 신닛테쓰 스미킨 가가쿠 주식회사제, 상품명 "YDF-8170C", 에폭시 당량: 160g/eq)YDF-8170C (bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Nippon-Steel Sumikin Chemical Co., Ltd., brand name "YDF-8170C", epoxy equivalent weight: 160 g/eq)

EXA-1514(비스페놀 S형 에폭시 수지, DIC 주식회사제, 상품명 "EXA-1514", 에폭시 당량: 300g/eq)EXA-1514 (bisphenol S-type epoxy resin, manufactured by DIC Corporation, brand name "EXA-1514", epoxy equivalent weight: 300 g/eq)

(B) 성분: 페놀 수지(B) Ingredient: Phenolic resin

PSM-4326(페놀 노볼락형 페놀 수지, 군에이 가가쿠 고교 주식회사제, 상품명 "레시톱 PSM-4326", 연화점: 126℃, 수산기 당량: 105g/eq)PSM-4326 (phenol novolac type phenol resin, manufactured by Gunei Kagaku Kogyo Co., Ltd., brand name "Resitop PSM-4326", softening point: 126°C, hydroxyl equivalent weight: 105 g/eq)

(C) 성분: 엘라스토머(C) Ingredient: Elastomer

HTR-860P-3(아크릴 고무, 나가세 켐텍스 주식회사제, 상품명 "HTR-860P-3", 중량 평균 분자량 80만, 유리 전이 온도: -13℃)HTR-860P-3 (acrylic rubber, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd., brand name "HTR-860P-3", weight average molecular weight: 800,000, glass transition temperature: -13°C)

(D) 성분: 필러(D) Ingredient: Filler

SC2050-HLG(실리카 필러, 아드마텍스 주식회사제, 상품명 "SC2050-HLG", 평균 입경 0.500μm)SC2050-HLG (silica filler, manufactured by Admatex Co., Ltd., brand name "SC2050-HLG", average particle diameter 0.500 μm)

(E) 성분: 경화 촉진제(E) Ingredient: Curing accelerator

2PZ-CN(1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, 시코쿠 가세이 고교 주식회사제, 상품명 "큐어졸 2PZ-CN")2PZ-CN (1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., brand name “Curesol 2PZ-CN”)

(F) 성분: 커플링제(F) Ingredient: Coupling agent

A-189(γ-머캅토프로필트라이메톡시실레인, 일본 유니카 주식회사제, 상품명 "NUC A-189")A-189 (γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, manufactured by Unica Corporation, Japan, brand name “NUC A-189”)

A-1160(γ-유레이도프로필트라이에톡시실레인, 일본 유니카 주식회사제, 상품명 "NUC A-1160")A-1160 (γ-ureidopropyltriethoxysilane, manufactured by Japan Unica Co., Ltd., brand name “NUC A-1160”)

다음으로, 얻어진 접착제 조성물의 바니시를, 기재 필름인 두께 38μm의 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에 도포하고, 140℃에서 5분간 가열 건조했다. 이와 같이 하여, 기재 필름 상에, 반경화(B 스테이지) 상태에 있는 두께 20μm의 필름상 접착제가 마련된 실시예 1~5 및 비교예 1~3의 접착 시트를 얻었다.Next, the varnish of the obtained adhesive composition was applied onto a polyethylene terephthalate (PET) film with a thickness of 38 μm that had been subjected to release treatment as a base film, and dried by heating at 140°C for 5 minutes. In this way, the adhesive sheets of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3, in which a 20-μm-thick film adhesive in a semi-cured (B stage) state was provided on the base film, were obtained.

<저온 첩부성의 평가><Evaluation of low temperature adhesion>

실시예 1~5 및 비교예 1~3의 각 접착 시트를, 길이 100mm, 폭 50mm로 잘라내, 이것을 시험편으로 했다. 이 시험편을, 지지대 상에 얹은 실리콘 웨이퍼(8인치 직경, 두께 400μm)의 지지대와 반대 측의 면에, 필름상 접착제와 실리콘 웨이퍼가 접하도록 적층했다. 필름상 접착제의 적층은, 롤(온도 70℃, 선압 39.2N/cm(4kgf/cm), 이송 속도 0.5m/분)로 가압하면서 행했다. 이 때에, 필름상 접착제와 실리콘 웨이퍼의 사이에 공극(보이드)의 발생이 관측되지 않았던 경우를 저온 첩부성이 우수하다고 하여 "A"라고 평가하고, 공극(보이드)의 발생이 관측된 경우를 "B"라고 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Each adhesive sheet of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 was cut into a length of 100 mm and a width of 50 mm, and this was used as a test piece. This test piece was laminated on the side opposite to the support of a silicon wafer (8 inches in diameter, 400 μm thick) placed on a support so that the film-like adhesive and the silicon wafer were in contact. Lamination of the film adhesive was performed while pressing with a roll (temperature 70°C, linear pressure 39.2 N/cm (4 kgf/cm), transfer speed 0.5 m/min). At this time, cases where no voids were observed between the film adhesive and the silicon wafer were evaluated as “A” for excellent low-temperature sticking properties, and cases where voids were observed were evaluated as “A.” It was rated “B”. The results are shown in Table 1.

<경화 후의 필름상 접착제의 고온 저장 탄성률 및 유리 전이 온도의 측정><Measurement of high temperature storage modulus and glass transition temperature of film adhesive after curing>

실시예 1~5 및 비교예 1~3의 각 접착 시트를 110℃에서 1시간 가열하고, 그 후, 170℃에서 1시간 가열함으로써, 필름상 접착제의 경화물을 얻었다. 필름상 접착제의 경화물을, 동적 점탄성 측정 장치(리올로지사제, 상품명 DVE-V4)를 이용하여, 필름상 접착제의 경화물에 인장 하중을 가하여, 주파수 10Hz, 승온 속도 3℃/분의 조건으로 25~300℃까지 측정하는 온도 의존성 측정 모드로 필름상 접착제의 경화물의 점탄성을 측정함으로써, 175℃에 있어서의 저장 탄성률(고온 저장 탄성률)을 구했다. 고온 저장 탄성률은, 수치가 클수록(예를 들면, 100MPa 이상), 와이어 본딩 특성이 우수한 것을 의미한다. 또, 고온 저장 탄성률에 대한 손실 탄성률의 비율로 나타나는 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱의 온도를 유리 전이 온도로서 구했다. 유리 전이 온도는, 수치가 클수록(예를 들면, 190℃ 이상), 와이어 본딩 특성이 우수한 것을 의미한다. 결과를 표 1에 나타낸다.Each adhesive sheet of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 was heated at 110°C for 1 hour and then heated at 170°C for 1 hour to obtain a cured film adhesive. A tensile load was applied to the cured film adhesive using a dynamic viscoelasticity measuring device (product name DVE-V4, manufactured by Rheology) under the conditions of a frequency of 10 Hz and a temperature increase rate of 3°C/min. By measuring the viscoelasticity of the cured product of the film adhesive in a temperature dependence measurement mode measuring from 25 to 300°C, the storage elastic modulus (high temperature storage modulus) at 175°C was determined. The higher the high-temperature storage modulus value (for example, 100 MPa or more), the better the wire bonding characteristics. Additionally, the temperature of the peak top of the loss tangent (tanδ), expressed as the ratio of the loss elastic modulus to the high-temperature storage elastic modulus, was determined as the glass transition temperature. The larger the glass transition temperature is (for example, 190°C or higher), the better the wire bonding characteristics are. The results are shown in Table 1.

[표 1][Table 1]

표 1에 나타내는 바와 같이, 접착제 조성물에 있어서, 필러의 함유량이, 에폭시 수지, 페놀 수지, 엘라스토머, 및 필러의 총량을 기준으로 하여, 40~68질량%이며, 에폭시 수지가, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지를 포함하는 실시예 1~5는, 저온 첩부성, 고온 저장 탄성률, 및 유리 전이 온도의 점에서 모두 우수했다. 한편, 필러의 함유량이, 40질량% 미만인 비교예 1은, 고온 저장 탄성률의 점에서 충분하지 않았다. 또, 필러의 함유량이, 68질량%를 초과하는 비교예 2는, 저온 첩부성의 점에서 충분하지 않았다. 또한, 에폭시 수지가, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지를 포함하지 않는 비교예 3은, 고온 저장 탄성률 및 유리 전이 온도의 점에서 충분하지 않았다. 이들 결과로부터, 본 발명에 관한 접착제 조성물이, 필름상 접착제를 형성했을 때의 저온 첩부성이 우수함과 함께, 충분한 고온 저장 탄성률을 갖고, 또한 충분한 유리 전이 온도를 갖는 경화물을 형성하는 것이 가능한 것이 확인되었다.As shown in Table 1, in the adhesive composition, the content of the filler is 40 to 68% by mass based on the total amount of the epoxy resin, phenol resin, elastomer, and filler, and the epoxy resin is an epoxy having a naphthalene skeleton. Examples 1 to 5 containing resin were all excellent in terms of low-temperature sticking properties, high-temperature storage modulus, and glass transition temperature. On the other hand, Comparative Example 1, in which the filler content was less than 40% by mass, was not sufficient in terms of high temperature storage modulus. In addition, Comparative Example 2, in which the filler content exceeded 68% by mass, was not sufficient in terms of low-temperature sticking properties. Additionally, Comparative Example 3, in which the epoxy resin did not contain an epoxy resin having a naphthalene skeleton, was not sufficient in terms of high-temperature storage modulus and glass transition temperature. From these results, it can be seen that the adhesive composition according to the present invention has excellent low-temperature sticking properties when forming a film adhesive, has a sufficient high-temperature storage modulus, and can form a cured product having a sufficient glass transition temperature. Confirmed.

10…필름상 접착제
14…반도체 소자 탑재용 지지 부재
20…기재
30…보호 필름
41…접착제
42…밀봉재
84, 94…회로 패턴
88…제1 와이어
90…유기 기판
98…제2 와이어
100, 110…접착 시트
200…반도체 장치
Wa…제1 반도체 소자
Waa…제2 반도체 소자10… film adhesive
14… Support member for mounting semiconductor elements
20… write
30… protective film
41… glue
42… sealant
84, 94… circuit pattern
88… 1st wire
90… organic substrate
98… 2nd wire
100, 110… adhesive sheet
200… semiconductor device
Wa… First semiconductor device
Wow… Second semiconductor element

Claims (8)

에폭시 수지와,
페놀 수지와,
엘라스토머와,
필러를 함유하고,
상기 필러의 함유량이, 상기 에폭시 수지, 상기 페놀 수지, 상기 엘라스토머, 및 상기 필러의 총량을 기준으로 하여, 40~68 질량%이며,
상기 엘라스토머의 함유량이, 상기 에폭시 수지, 상기 페놀 수지, 상기 엘라스토머 및 상기 필러의 총량을 기준으로 하여 10~20 질량%이고,
상기 에폭시 수지가, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지를 포함하고,
상기 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지가, 4관능 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지이고,
상기 엘라스토머가 아크릴 수지인, 접착제 조성물.epoxy resin,
phenol resin,
elastomer,
Contains filler,
The content of the filler is 40 to 68% by mass, based on the total amount of the epoxy resin, the phenol resin, the elastomer, and the filler,
The content of the elastomer is 10 to 20% by mass based on the total amount of the epoxy resin, the phenol resin, the elastomer, and the filler,
The epoxy resin includes an epoxy resin having a naphthalene skeleton,
The epoxy resin having the naphthalene skeleton is an epoxy resin having a tetrafunctional or higher epoxy group,
An adhesive composition wherein the elastomer is an acrylic resin. 청구항 1에 있어서,
상기 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지의 함유량이, 상기 에폭시 수지 및 상기 페놀 수지의 총량을 기준으로 하여, 14~30질량%인, 접착제 조성물.In claim 1,
An adhesive composition in which the content of the epoxy resin having the naphthalene skeleton is 14 to 30% by mass, based on the total amount of the epoxy resin and the phenol resin. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지가, 하기 식 (X)로 나타나는 에폭시 수지를 포함하는, 접착제 조성물.
In claim 1 or claim 2,
An adhesive composition in which the epoxy resin having the naphthalene skeleton contains an epoxy resin represented by the following formula (X).
 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 접착제 조성물을 필름상으로 형성하여 이루어지는, 필름상 접착제.A film-like adhesive obtained by forming the adhesive composition according to claim 1 or 2 into a film. 기재와,
상기 기재 상에 마련된, 청구항 4에 기재된 필름상 접착제를 구비하는, 접착 시트.With equipment,
An adhesive sheet comprising the film adhesive according to claim 4 provided on the substrate. 청구항 5에 있어서,
상기 기재가 다이싱 테이프인, 접착 시트.In claim 5,
An adhesive sheet, wherein the substrate is a dicing tape. 기판 상에 제1 와이어를 개재하여 제1 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정과,
제2 반도체 소자의 편면에, 청구항 4에 기재된 필름상 접착제를 첩부하는 래미네이트 공정과,
상기 필름상 접착제가 첩부된 제2 반도체 소자를, 상기 필름상 접착제를 개재하여 압착함으로써, 상기 제1 와이어의 적어도 일부를 상기 필름상 접착제에 매립하는 다이본드 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.A wire bonding process for electrically connecting a first semiconductor element on a substrate through a first wire;
A laminating step of attaching the film adhesive according to claim 4 to one side of the second semiconductor element,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a die-bonding process of embedding at least a portion of the first wire in the film adhesive by pressing the second semiconductor element to which the film adhesive is attached via the film adhesive. . 삭제delete
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